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KR20060121561A - Ceramic Chuck of Semiconductor Manufacturing Equipment - Google Patents

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KR20060121561A
KR20060121561A KR1020050043805A KR20050043805A KR20060121561A KR 20060121561 A KR20060121561 A KR 20060121561A KR 1020050043805 A KR1020050043805 A KR 1020050043805A KR 20050043805 A KR20050043805 A KR 20050043805A KR 20060121561 A KR20060121561 A KR 20060121561A
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KR
South Korea
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ceramic
chuck
chuck body
wafer
adhesive layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
KR1020050043805A
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Korean (ko)
Inventor
김종준
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050043805A priority Critical patent/KR20060121561A/en
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Abstract

반도체 제조 장비의 세라믹 척(ceramic chuck)을 제시한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼를 지지하기 위한 척 몸체, 척 몸체의 상면 상에 도입되어 웨이퍼를 지지하는 세라믹층, 세라믹층과 척 몸체의 계면에 도입된 접착층, 및 접착층이 노출되어 침해되는 것을 차단하게 척 몸체의 외주에 접착층의 측면을 가리게 부착된 차폐링(shielding ring)을 포함하는 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 제시한다. A ceramic chuck of semiconductor manufacturing equipment is presented. According to the present invention, the chuck body for supporting the wafer, the ceramic layer introduced on the upper surface of the chuck body to support the wafer, the adhesive layer introduced at the interface between the ceramic layer and the chuck body, and the adhesive layer to prevent exposure and invasion A ceramic chuck of a semiconductor manufacturing equipment comprising a shielding ring attached to an outer circumference of a chuck body to cover a side of an adhesive layer.

Description

반도체 제조 장비의 세라믹 척{Ceramic chuck of semiconductor manufacturing equipment}Ceramic chuck of semiconductor manufacturing equipment

도 1은 종래의 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating a ceramic chuck of a conventional semiconductor manufacturing equipment.

도 2는 종래의 반도체 제조 장비의 세라믹 척에서 발생되는 파손을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 2 is a diagram schematically illustrating a failure occurring in a ceramic chuck of a conventional semiconductor manufacturing equipment.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a ceramic chuck of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 파손을 보다 효과적으로 방지할 수 있는 세라믹 척(ceramic chuck)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a ceramic chuck that can more effectively prevent breakage.

반도체 소자를 제조하는 장치들은 공정이 수행되는 챔버(chamber)를 포함하여 구성되고, 챔버 내에는 공정이 수행될 웨이퍼(wafer)를 지지하기 위한 세라믹 척이 설치되고 있다. The apparatus for manufacturing a semiconductor device includes a chamber in which a process is performed, and a ceramic chuck for supporting a wafer on which a process is to be performed is installed in the chamber.

예컨대, LAM사의 PTX 장비는 상부 및 하부 파워(upper and lower power)를 이용하여 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 상을 식각하는 건식 식각 장비로 구성되고 있는 데, 이때, 웨이퍼를 지지하는 척으로 바이폴라 정전척(bipolar electro static chuck)을 챔버 내에 설치하고 있다. 이때, 웨이퍼를 지지하는 ESC는 ESC의 상면에 세라믹층 또는 세라믹 플레이트(ceramic plate)가 도입된 세라믹 척으로 구성되고 있다. For example, LAM's PTX equipment is composed of dry etching equipment that etches a wafer onto a wafer using plasma using upper and lower power. In this case, a bipolar electrostatic chuck is used as a chuck supporting the wafer. A bipolar electro static chuck) is installed in the chamber. At this time, the ESC supporting the wafer is composed of a ceramic chuck in which a ceramic layer or ceramic plate is introduced on the upper surface of the ESC.

그런데, 세라믹층 부분이 취급 상의 부주의 또는/ 및 공정 진행에 따른 영향에 의해, 세라믹층의 가장 자리 부분(edge region)에 파손이 발생하고 있다. 이러한 세라믹층의 가장 자리 부분의 파손은 웨이퍼 상에 온도 불균일을 유발하여 웨이퍼 상에 수행되는 공정의 불균일을 유도하는 요인으로 작용할 수 있다. By the way, the ceramic layer part is damaged by the inadvertent handling and / or process progress, and the edge region of the ceramic layer has generate | occur | produced. The breakage of the edge portion of the ceramic layer may cause a temperature nonuniformity on the wafer and may act as a factor inducing nonuniformity of a process performed on the wafer.

도 1은 종래의 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 종래의 반도체 제조 장비의 세라믹 척에서 발생되는 파손을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a ceramic chuck of a conventional semiconductor manufacturing equipment. 2 is a diagram schematically illustrating a failure occurring in a ceramic chuck of a conventional semiconductor manufacturing equipment.

도 1을 참조하면, 종래의 반도체 제조 장비의 챔버 내에 공간(10)에 ESC로 구성 설치되는 세라믹 척(20)은, 척 몸체(21) 상에 세라믹층(25)이 부착된 형태로 구성될 수 있다. 세라믹층(25)과 척 몸체(21)의 상면과의 계면에는 실리콘 접착층(silicon adhesive layer)과 같은 접착층(23)이 절연층으로서 개재될 수 있다. 이때, 세라믹 척(20)의 주위에는 포커스 링(focus ring: 29)과 같은 부재가 도입될 수 있다. Referring to FIG. 1, the ceramic chuck 20 installed as an ESC in a space 10 in a chamber of a conventional semiconductor manufacturing equipment may be configured in a form in which a ceramic layer 25 is attached on a chuck body 21. Can be. At the interface between the ceramic layer 25 and the upper surface of the chuck body 21, an adhesive layer 23 such as a silicone adhesive layer may be interposed as an insulating layer. In this case, a member such as a focus ring 29 may be introduced around the ceramic chuck 20.

이때, 접착층(23)의 측면이 챔버 내 공간(10)의 분위기 또는 플라즈마(plasma)에 노출될 경우, 이러한 접착층(23)이 플라즈마나 챔버 내 공간(10)의 분 위기 또는 염소 가스(Cl2)와 같은 식각 가스 등에 의해 침식될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 접착층(23)의 측면에는 에폭시 수지(27)가 부착되어 접착층(23)의 측면 및 세라믹층(25)과 접착층(23) 및 척 몸체(21)의 계면들을 가리고 있다. 에폭시 수지(27)가 부착된 영역 상을 덮게 세라믹층(25)이 연장되고, 그 상에 웨이퍼(30)가 장착되게 된다. In this case, when the side surface of the adhesive layer 23 is exposed to the atmosphere or plasma of the space 10 in the chamber, the adhesive layer 23 may form a plasma or a chlorine gas (Cl 2 ) in the chamber 10. May be eroded by an etching gas such as). To prevent this, an epoxy resin 27 is attached to the side of the adhesive layer 23 to cover the side of the adhesive layer 23 and the interfaces of the ceramic layer 25, the adhesive layer 23, and the chuck body 21. The ceramic layer 25 extends to cover the region where the epoxy resin 27 is attached, and the wafer 30 is mounted thereon.

그런데, 도 2에 제시된 바와 같이 챔버 내의 공간(10)에 플라즈마 또는 잔류된 염소 가스가 존재할 경우, 플라즈마 공정 수행에 따라 에폭시 수지(27)가 플라즈마 또는 활성화된 염소 가스에 의해 침해를 받아 침식될 수 있다. 세라믹층(25) 아래에서 접착층(23)의 측부를 가리게 도입된 에폭시 수지(27)가 처리된 부분에 플라즈마가 집중되고 또한 웨이퍼 공정 중에 사용된 염소 가스와 같은 식각 가스가 잔류할 경우, 이러한 에폭시 수지(27)에 플라즈마와 염소 가스가 집중되게 된다. 이에 따라, 이러한 플라즈마 또는/ 및 염소 가스에 의해 에폭시 수지(27)가 침식(etching)되고j, 이에 따라 에폭시 수지(27)에 의해 지지되고 있던 세라믹층(25)의 가장 자리 부분이 들뜨거나 또는/ 및 파손되게 된다. However, as shown in FIG. 2, when plasma or residual chlorine gas is present in the space 10 in the chamber, the epoxy resin 27 may be invaded and eroded by the plasma or activated chlorine gas as the plasma process is performed. have. When the plasma is concentrated in the treated portion of the epoxy resin 27 introduced to cover the side of the adhesive layer 23 under the ceramic layer 25 and an etching gas such as chlorine gas used during the wafer process remains, this epoxy Plasma and chlorine gas are concentrated in the resin 27. Accordingly, the epoxy resin 27 is etched by such plasma or / and chlorine gas, and thus the edge portion of the ceramic layer 25 supported by the epoxy resin 27 is lifted or / And will break.

이와 같이 세라믹층(25)의 가장 자리 부분이 들뜨거나 파손될 경우, 이러한 세라믹층(25) 가장 자리 부분에서는 냉매인 헬륨 가스의 누설이 발생할 수 있으며, 또한, 이러한 세라믹층(25) 가장 자리 부분에서의 온도가 부분적으로 더 높게 급상승될 수 있다. 헬륨 가스의 누설이 발생될 경우, 헬륨 가스가 누설되는 부분에서의 헬륨 가스에 의한 냉각 작용은 실질적으로 이루어지지 못한다. As described above, when the edge portion of the ceramic layer 25 is lifted or broken, leakage of helium gas, which is a refrigerant, may occur at the edge portion of the ceramic layer 25, and at the edge portion of the ceramic layer 25. The temperature of can be partially higher. When the helium gas leaks, the cooling action by the helium gas in the part where the helium gas leaks is not substantially achieved.

따라서, 이러한 파손된 세라믹층(25)의 가장 자리 부분에서는 실질적인 냉각 작용이 이루어지지 못하여, 이 부분 상에 위치하는 웨이퍼(30)의 가장 자리 부분(31)의 온도는 다른 부분에 비해 급격히 상승하게 된다. 이와 같이 웨이퍼(30)의 온도가 영역 별로 불균일해질 경우, 온도가 급상승된 웨이퍼(30)의 가장 자리 부분(31)에서는 과도 식각 등이 발생될 수 있다. 또한, 이러한 부분에서 선택적 식각을 위해 도입되는 포토레지스트 패턴이 상승된 온도에 의해 부분적으로 녹아 내리는 불량이 발생될 수 있다. Therefore, a substantial cooling action is not performed at the edge portion of the broken ceramic layer 25, so that the temperature of the edge portion 31 of the wafer 30 positioned on the portion rises sharply compared with other portions. do. As such, when the temperature of the wafer 30 becomes uneven for each region, excessive etching may occur in the edge portion 31 of the wafer 30 in which the temperature rises rapidly. In addition, a defect may occur in which the photoresist pattern introduced for selective etching is partially melted due to the elevated temperature.

이에 따라, 건식 식각에 의해 형성되어야 할 금속 라인 패턴과 금속 라인 패턴이 서로 구분되지 못하고 연결되는 패턴 브리지(pattern bridge) 현상이 원하지 않게 발생될 수 있다. 따라서, 웨이퍼(30)의 공정 불량이 발생하게 된다.Accordingly, a pattern bridge phenomenon in which the metal line pattern and the metal line pattern to be formed by dry etching are not distinguished from each other and may be undesirably connected. Therefore, process defects of the wafer 30 occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 가장 자리 부분의 파손이나 또는/ 및 이에 따른 웨이퍼 상의 공정 불량을 방지할 수 있는 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 제시하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a ceramic chuck of a semiconductor manufacturing equipment capable of preventing breakage of edges and / or process defects on a wafer.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 웨이퍼를 지지하기 위한 척 몸체, 상기 척 몸체의 상면 상에 도입되어 상기 웨이퍼를 지지하는 세라믹층, 상기 세라믹층과 상기 척 몸체의 계면에 도입된 접착층, 및 상기 접착층이 노출되어 침해되는 것을 차단하게 상기 척 몸체의 외주에 상기 접착층의 측면을 가리게 부착된 차폐링(shielding ring)을 포함하는 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 제시한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem, a chuck body for supporting a wafer, a ceramic layer introduced on the upper surface of the chuck body to support the wafer, the interface between the ceramic layer and the chuck body A ceramic chuck of a semiconductor manufacturing equipment including an introduced adhesive layer and a shielding ring attached to an outer circumference of the chuck body to cover the side of the adhesive layer to prevent the adhesive layer from being exposed and impaired.

여기서, 상기 차폐링은 상기 척 몸체 바깥으로 돌출되지 않고서 상기 척 몸체 측면에 부착되게 상기 척 몸체 상측 외주 부분은 가이드 턱을 가지는 것일 수 있다. Here, the shielding ring may have a guide jaw in the outer circumferential portion of the upper chuck body to be attached to the side of the chuck body without protruding outside the chuck body.

본 발명에 따르면, 가장 자리 부분의 파손이나 또는/ 및 이에 따른 웨이퍼 상의 공정 불량을 방지할 수 있는 반도체 제조 장비의 세라믹 척의 구성을 제시할 수 있다. According to the present invention, it is possible to propose a configuration of a ceramic chuck of a semiconductor manufacturing equipment capable of preventing breakage of edges and / or consequent defects on a wafer.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the invention are preferably to be interpreted as being provided to those skilled in the art to more fully describe the invention.

본 발명의 실시예에서는, 세라믹 척의 측면에 접착층을 가려 보호하는 차폐링(shielding ring)을 도입하여, 접착층 또는 세라믹층과 접착층 및 척 몸체 간의 계면이 플라즈마 등에 의해 침해되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 차폐링은 금속 재질 또는 세라믹 재질 등으로 형성될 수 있으며, 세라믹층과 척 몸체 사이의 계면에 도입된 접착층의 측면을 가리게 척 몸체의 측면에 도입된다. 척 몸체의 측면에는 차폐링이 끼워지는 턱 형태의 가이드(guide)가 구성될 수 있다. In an embodiment of the present invention, a shielding ring for covering and protecting the adhesive layer on the side of the ceramic chuck can be introduced to effectively prevent the adhesion layer or the interface between the ceramic layer and the adhesive layer and the chuck body from being impeded by plasma or the like. The shielding ring may be formed of a metal material or a ceramic material, and is introduced to the side of the chuck body to cover the side of the adhesive layer introduced at the interface between the ceramic layer and the chuck body. A side of the chuck body may be configured with a guide of the jaw shape (shield) is fitted to the shield ring.

이러한 차폐링을 접착층의 측면이 가려지게 척 몸체의 측면에 부착 끼움으로 써, 종래의 경우에서와 같은 에폭시 수지를 척 몸체의 측면에 부착되게 처리하는 과정은 생략될 수 있다. 따라서, 플라즈마 또는 잔류하는 염소 가스와 같은 식각 가스에 의해 에폭시 수지가 침해받아 소실됨에 따라, 세라믹 층의 가장 자리 부분이 파손되거나 들뜨는 불량 발생을 효과적으로 차단할 수 있다. By attaching such a shielding ring to the side of the chuck body to cover the side of the adhesive layer, the process of treating the epoxy resin as attached to the side of the chuck body as in the conventional case can be omitted. Therefore, as the epoxy resin is invaded and lost by the etching gas such as plasma or residual chlorine gas, the edge portion of the ceramic layer can be effectively prevented from breaking or lifting.

이에 따라, 세라믹 층의 가장 자리 부분의 파손 또는 들뜨는 현상에 의해, 이러한 가장 자리 부분에서 냉매인 헬륨 가스의 냉각 작용이 효과적으로 이루어지지 않아, 이러한 가장 자리 부분의 온도가 부분적으로 급상승하는 불량 발생을 방지할 수 있다. 따라서, 온도 불균일에 의해서 웨이퍼 상에 패턴 브리지 등과 같은 공정 불량이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. Accordingly, due to the breakage or lifting of the edge portion of the ceramic layer, the cooling action of the helium gas, which is the refrigerant in the edge portion, is not effectively performed, thereby preventing the occurrence of a failure in which the temperature of the edge portion rises partially. can do. Therefore, it is possible to effectively prevent a process defect such as a pattern bridge or the like from occurring due to the temperature irregularity.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 세라믹 척을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically illustrating a ceramic chuck of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장비의 챔버 내에 공간(100)에 바람직하게 ESC로 구성 설치되는 세라믹 척(200)은, 척 몸체(210) 상에 세라믹층(250)이 부착된 형태로 구성될 수 있다. 또는 세라믹층(250)은 증착될 수도 있다. 세라믹층(250)과 척 몸체(210)의 상면과의 계면에는 실리콘 접착층과 같은 접착층(230)이 절연층으로서 개재될 수 있다. 이때, 세라믹 척(200)의 주위에는 포커스 링(290)과 같은 부재가 도입될 수 있다. Referring to FIG. 3, the ceramic chuck 200, which is preferably configured as an ESC in the space 100 in the chamber of the semiconductor manufacturing equipment according to the embodiment of the present invention, has a ceramic layer 250 on the chuck body 210. It can be configured in an attached form. Alternatively, the ceramic layer 250 may be deposited. An adhesive layer 230 such as a silicon adhesive layer may be interposed as an insulating layer at an interface between the ceramic layer 250 and the upper surface of the chuck body 210. In this case, a member such as the focus ring 290 may be introduced around the ceramic chuck 200.

접착층(230)의 측면이 챔버 내 공간(100)의 분위기 또는 플라즈마(plasma)에 노출될 경우, 이러한 접착층(230)이 플라즈마나 챔버 내 공간(100)의 분위기 또는 염소 가스(Cl2)와 같은 식각 가스 등에 의해 침식되는 것을 방지하기 위해서, 접착층(230)의 측면을 가려 보호하는 차폐링(270)을 척 몸체(210)의 측면을 감싸게 설치할 수 있다. 차폐링(270)은 척 몸체(210)의 둘레에 끼워지는 링 형태로 도입될 수 있으며, 차폐링(270)은 금속 재질로 형성될 수 있다. 차폐링(270)은 경우에 따라 세라믹으로 도입될 수도 있다. 차폐링(270)이 척 몸체(210)를 둘러싸되 척 몸체(210)의 측면 보다 더 돌출되지 않게 척 몸체(210)에 끼워지게 척 몸체(210)에는 상측 외주 부분에 턱 형태의 가이드가 도 3에 제시된 바와 같이 형성될 수 있다. When the side surface of the adhesive layer 230 is exposed to the atmosphere or plasma of the space 100 in the chamber, the adhesive layer 230 may be a plasma or the atmosphere of the space 100 in the chamber or chlorine gas (Cl 2 ). In order to prevent erosion by the etching gas, the shielding ring 270 may be installed to cover the side of the chuck body 210 to cover and protect the side of the adhesive layer 230. The shielding ring 270 may be introduced in the form of a ring fitted around the chuck body 210, and the shielding ring 270 may be formed of a metal material. The shield ring 270 may be introduced into the ceramic in some cases. The shield ring 270 surrounds the chuck body 210 and is fitted to the chuck body 210 so as not to protrude more than the side of the chuck body 210. It can be formed as shown in 3.

차폐링(270)은 접착층(230)의 측면 및 세라믹층(250)과 접착층(230) 및 척 몸체(210)의 상면과의 계면들을 가리게 설치될 수 있다. 이에 따라, 차폐링(270)이 부착된 영역 상을 덮게 세라믹층(250)이 연장되고, 그 상에 웨이퍼(300)가 장착되게 된다. The shielding ring 270 may be installed to cover the side surfaces of the adhesive layer 230 and the interfaces between the ceramic layer 250, the adhesive layer 230, and the top surface of the chuck body 210. Accordingly, the ceramic layer 250 extends to cover the region where the shield ring 270 is attached, and the wafer 300 is mounted thereon.

챔버 내의 공간(100)에 플라즈마 또는 잔류된 염소 가스가 존재할 경우, 플라즈마 공정 수행에 따라 척 몸체(210)의 측면에 플라즈마 집중될 수 있다. 이러한 플라즈마의 집중이 발생되더라도, 차폐링(270)은 금속 재질 등으로 형성되어 있으므로, 종래의 에폭시 수지(도 1 및 2의 27)에 비해 플라즈마 또는 활성화된 염소 가스에 의한 침해에 저항하는 능력이 매우 우수하다. When plasma or residual chlorine gas is present in the space 100 in the chamber, plasma may be concentrated on the side of the chuck body 210 as the plasma process is performed. Even when such plasma concentration occurs, since the shield ring 270 is formed of a metal material or the like, compared with the conventional epoxy resin (27 of FIGS. 1 and 2), the ability to resist the invasion by plasma or activated chlorine gas is reduced. Very good

이와 같이, 차폐링(270)은 플라즈마나 염소 가스 등에 효과적으로 저항할 수 있어, 실질적으로 플라즈마나 염소 가스 등에 의한 침식은 발생되지 않게 된다. 따라서, 차폐링(270)에 의해 지지되고 있는 세라믹층(250)의 가장 자리 부분이 들뜨 거나 또는/ 및 파손되는 현상을 효과적으로 방지하게 된다. As such, the shielding ring 270 can effectively resist plasma, chlorine gas, or the like, so that erosion by the plasma, chlorine gas, or the like is not substantially generated. Therefore, the edge portion of the ceramic layer 250 supported by the shield ring 270 is effectively prevented from lifting and / or breaking.

이와 같이 세라믹층(250)의 가장 자리 부분이 들뜨거나 파손되는 것이 방지되므로, 이러한 세라믹층(250) 가장 자리 부분 파손에 따른 냉매인 헬륨 가스의 누설이 발생되는 것이 효과적으로 방지될 수 있다. 따라서, 이러한 세라믹층(250) 가장 자리 부분에서의 온도가 부분적으로 더 높게 급상승되는 것이 방지될 수 있다. 그러므로, 이 부분 상에 위치하는 웨이퍼(300)의 가장 자리 부분 또한 지속적으로 효과적으로 냉각되는 것이 가능하여, 웨이퍼(300) 전체의 온도가 공정 중에 균일하게 유지될 수 있다. Since the edge portion of the ceramic layer 250 is prevented from being lifted or broken as described above, leakage of helium gas, which is a refrigerant due to the breakage of the edge portion of the ceramic layer 250, may be effectively prevented. Therefore, the temperature rise at the edge portion of the ceramic layer 250 can be prevented from being higher partially. Therefore, the edge portion of the wafer 300 located on this portion can also be continuously and effectively cooled, so that the temperature of the entire wafer 300 can be kept uniform during the process.

따라서, 웨이퍼(300)의 가장 자리 부분에서는 부분적인 과도 식각 등의 발생이 효과적으로 방지되며, 이러한 부분에서 선택적 식각을 위해 도입되는 포토레지스트 패턴이 상승된 온도에 의해 부분적으로 녹아 내리는 불량의 발생이 효과적으로 방지될 수 있다. 이에 따라, 건식 식각에 의해 형성되어야 할 금속 라인 패턴과 금속 라인 패턴이 서로 구분되지 못하고 연결되는 패턴 브리지 현상이 발생되는 것이 방지되며, 또한, 웨이퍼(300) 상에 공정 불량이 발생되는 것이 방지되게 된다. 또한, 세라믹층(250)의 파손이 효과적으로 방지되므로, 이에 따른 공정 챔버 내 공간(100)에서의 파티클(particle) 불량을 방지할 수 있다. 이에 따라, 세라믹 척(200)의 수명을 크게 연장할 수 있다. Therefore, partial excessive etching and the like are effectively prevented from occurring at the edge portion of the wafer 300, and the occurrence of defects in which the photoresist pattern introduced for selective etching is partially melted by the elevated temperature is effectively prevented. Can be prevented. Accordingly, the pattern bridge phenomenon in which the metal line pattern and the metal line pattern to be formed by dry etching are not distinguished from each other and connected to each other is prevented from occurring, and also, a process defect is prevented from occurring on the wafer 300. do. In addition, since damage of the ceramic layer 250 is effectively prevented, particle defects in the space 100 in the process chamber may be prevented. Accordingly, the life of the ceramic chuck 200 can be greatly extended.

상술한 본 발명에 따르면, 세라믹 척의 파손을 방지하여 세라믹 척의 수명 연장을 구현할 수 있다. 또한, 세라믹 척의 부분적 온도 상승에 따른 웨이퍼 온도 불균일 현상을 방지할 수 있어, 웨이퍼 상에 공정 불량이 부분적으로 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 공정 안정화에 따른 파티클의 감소를 구현할 수 있다. According to the present invention described above, it is possible to prevent the breakage of the ceramic chuck can be implemented to extend the life of the ceramic chuck. In addition, it is possible to prevent the wafer temperature non-uniformity caused by the partial temperature rise of the ceramic chuck, thereby effectively preventing the partial process defects occur on the wafer. In addition, it is possible to implement the reduction of particles due to process stabilization.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.

Claims (2)

웨이퍼를 지지하기 위한 척 몸체;A chuck body for supporting a wafer; 상기 척 몸체의 상면 상에 도입되어 상기 웨이퍼를 지지하는 세라믹층;A ceramic layer introduced on an upper surface of the chuck body to support the wafer; 상기 세라믹층과 상기 척 몸체의 계면에 도입된 접착층; 및An adhesive layer introduced at an interface between the ceramic layer and the chuck body; And 상기 접착층이 노출되어 침해되는 것을 차단하게 상기 척 몸체의 외주에 상기 접착층의 측면을 가리게 부착된 차폐링(shielding ring)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 세라믹 척.And a shielding ring attached to an outer circumference of the chuck body to cover the side of the adhesive layer to prevent the adhesive layer from being exposed and impaired. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 차폐링은 상기 척 몸체 바깥으로 돌출되지 않고서 상기 척 몸체 측면에 부착되게 상기 척 몸체 상측 외주 부분은 가이드 턱을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 세라믹 척. And the shielding ring has a guide jaw in the upper circumferential portion of the chuck body such that the shield ring is attached to the side of the chuck body without protruding out of the chuck body.
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