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KR20060003981A - Electrostatic chuck protection - Google Patents

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Publication number
KR20060003981A
KR20060003981A KR1020040052192A KR20040052192A KR20060003981A KR 20060003981 A KR20060003981 A KR 20060003981A KR 1020040052192 A KR1020040052192 A KR 1020040052192A KR 20040052192 A KR20040052192 A KR 20040052192A KR 20060003981 A KR20060003981 A KR 20060003981A
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KR
South Korea
Prior art keywords
electrostatic chuck
protective cover
covering
protection device
upper portion
Prior art date
Application number
KR1020040052192A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
최웅천
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040052192A priority Critical patent/KR20060003981A/en
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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Abstract

본 발명에서는 전위차에 의한 정전기를 이용하여 웨이퍼를 클램핑하며 상부와 하부로 이루어진 정전척을, 보호하기 위한 정전척 보호장치에 있어서, 상기 상부 및 하부 정전척의 측면에 대응되는 형상으로 구성되어 상기 정전척의 측면을 둘러싸는 형태로 이루어진 커버링과, 원주면이 상기 커버링과 밀착되어 장착되며, 상기 상부 정전척의 상부 전체를 덮는 원반형으로 구성된 보호커버가 구비됨을 특징으로 하는 정전척 보호장치를 제공한다. 그리하여 본 발명은 정전척의 파트 분해후 조립시 정전척의 세라믹 에지 부분이 노출되지 않게 함으로써 외부의 툴이나 조립시 다른 파트들의 충돌로 인한 세라믹 에지 부분의 파손 발생을 최소화할 수 있다.
In the present invention, in the electrostatic chuck protection device for protecting the electrostatic chuck consisting of the upper and lower clamping the wafer by using the static electricity due to the potential difference, it is configured in a shape corresponding to the side of the upper and lower electrostatic chuck of the electrostatic chuck Covering formed in the form of surrounding the side, and a peripheral surface is mounted in close contact with the covering, and provides an electrostatic chuck protection device characterized in that provided with a protective cover consisting of a disk shape covering the entire upper portion of the upper electrostatic chuck. Thus, the present invention can minimize the occurrence of breakage of the ceramic edge portion due to the impact of the external tool or other parts during assembly by not exposing the ceramic edge portion of the electrostatic chuck at the time of assembly after disassembly of the electrostatic chuck.

정전척, 커버링, 보호커버, 에지링Electrostatic chuck, covering, protective cover, edge ring

Description

정전척 보호장치{Apparatus for the protection of electro static chuck} Apparatus for the protection of electro static chuck}             

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 정전척 보호장치를 나타낸 단면도 및 평면도이다.1 is a cross-sectional view and a plan view showing an electrostatic chuck protection device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 정전척 보호장치에서 커버링 부분을 나타낸 커버링의 단면도 및 평면도이다.2 is a cross-sectional view and a plan view of a covering showing a covering portion in the electrostatic chuck protection device of FIG.

도 3은 도 1의 정전척 보호장치에서 보호커버 부분을 나타낸 보호커버의 단면도 및 평면도이다.3 is a cross-sectional view and a plan view of a protective cover showing a portion of the protective cover in the electrostatic chuck protection device of FIG.

도 4는 본 발명의 다른 일실시예에 의한 정전척 보호장치에서의 보호커버 부분을 나타낸 단면도 및 평면도이다.
Figure 4 is a cross-sectional view and a plan view showing a protective cover portion in the electrostatic chuck protection device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

102 : 커버링 104, 204 : 보호커버102: covering 104, 204: protective cover

102a : 커버링의 상부 104a, 204a : 보호커버의 하부 102a: upper portion of the covering 104a, 204a: lower portion of the protective cover

106 : 상부 정전척 108 : 하부 정전척
106: upper electrostatic chuck 108: lower electrostatic chuck

본 발명은 정전척 보호장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자 제조 설비에서 피엠(preventive maintenance, PM)이나 클리닝(cleaning) 또는 결합시 정전척의 약한 부위를 보호하기 위한 정전척 보호장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electrostatic chuck protection device, and more particularly, to an electrostatic chuck protection device for protecting a weak portion of the electrostatic chuck during PM maintenance, PM cleaning or bonding in a semiconductor device manufacturing facility. .

반도체 소자 제조 공정 중에서 미세 패턴을 형성하기 위해 수행하는 식각 공정으로는 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)이 있다. 습식 식각은 공정이 비교적 간단하고 비용이 적게 드는 장점이 있는 반면 언더컷(undercut)이 발생할 수 있는 단점이 있다. 따라서, 최근 들어 이러한 단점을 해결하기 위해서 고집적화된 반도체 소자의 식각에 있어서 건식 식각이 많이 사용되고 있다.Etching processes performed to form a fine pattern in a semiconductor device manufacturing process include wet etching and dry etching. Wet etching has the advantage that the process is relatively simple and inexpensive, while undercutting may occur. Therefore, in recent years, in order to solve such drawbacks, dry etching has been widely used in the etching of highly integrated semiconductor devices.

일반적으로 이러한 건식 식각 장비에 있어서도 반도체 소자 제조 공정은 웨이퍼(wafer) 상태에서 진행된다. 즉, 각종 증착(deposition) 및 식각(etching)을 위한 챔버(chamber) 내에는 서셉터(susceptor)라 불리는 기판 지지대가 설치되고, 그 기판 지지대 상에 웨이퍼를 놓고 증착 공정 또는 식각 공정이 진행되도록 되어 있다. 그리고, 플라즈마(plasma)를 이용한 반도체 소자의 미세 가공시 반도체 기판을 안착시킬 수 있도록 클램핑(clamping)하기 위해 척(chuck)을 사용하고 있으며, 특히 정전기를 이용하여 웨이퍼를 척킹(chucking)하는 장치를 정전척(electro static chuck, ESC)이라 한다.In general, even in such dry etching equipment, a semiconductor device manufacturing process is performed in a wafer state. That is, a substrate support called a susceptor is installed in a chamber for various deposition and etching, and a deposition process or an etching process is performed by placing a wafer on the substrate support. have. In addition, a chuck is used to clamp the semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to be seated during the microfabrication of the semiconductor device using plasma, and in particular, an apparatus for chucking a wafer using static electricity is provided. It is called an electro static chuck (ESC).

한편, 상기 챔버는 주기적 또는 비주기적으로 피엠 또는 클리닝 작업을 진행 하여 챔버 내벽에 증착된 막들을 모두 제거하는데, 이러한 클리닝 작업은 보통 플라즈마를 이용하여 식각하는 것으로 이루어지거나, 순수(DI)와 수세미를 이용한 수작업에 의해 이루어진다.On the other hand, the chamber periodically or non-periodically PM or cleaning to remove all the films deposited on the chamber inner wall, such cleaning is usually performed by etching using plasma, or pure (DI) and scrubber It is made by manual labor.

정전척에는 공정상의 필요에 따라 여러 가지 파트들(parts)이 배치된다. 예를 들어, 플라즈마가 웨이퍼 상에 집중되도록 하거나 하부 전극의 유효 면적을 넓히기 위해 정전척의 바깥쪽에 실리콘으로 이루어진 포커스 링(focus ring)이 배치된다. 또한, 가스 주입링(gas injection ring), 정전척이 장착되어지는 슬리브(sleeve), 정전척의 에지 부분의 보호를 위한 에지링(edge ring)등이 배치되어져 있다. The electrostatic chuck is arranged with various parts according to the process needs. For example, a focus ring made of silicon is disposed outside of the electrostatic chuck in order to concentrate the plasma on the wafer or to widen the effective area of the lower electrode. Further, a gas injection ring, a sleeve on which the electrostatic chuck is mounted, and an edge ring for protecting the edge portion of the electrostatic chuck are disposed.

상기 챔버의 피엠 혹은 클리닝에 있어서 여러 가지 파트들을 분해하여야 하는데, 이 경우 정전척의 취약 부위인 척의 에지 부분이 외부에 노출되는 상태가 된다.In the PM or cleaning of the chamber, various parts must be disassembled. In this case, the edge part of the chuck, which is a weak part of the electrostatic chuck, is exposed to the outside.

이와 같이, 정전척의 에지 부분이 외부에 노출되어 피엠 혹은 클리닝 작업시 외부의 툴(tool)에 의해 파손이 발생할 수 있는 문제점이 있다. As such, there is a problem that the edge portion of the electrostatic chuck is exposed to the outside, so that damage may occur due to an external tool during the PM or cleaning operation.

또한, 세라믹 부분이 노출되므로 파트 분해후 조립시 에지 부분의 파손이 빈번히 일어나는 문제점이 있다.In addition, since the ceramic part is exposed, there is a problem that breakage of the edge part occurs frequently during assembly after disassembling the part.

또한, 정전척 보호장치가 구비되지 아니한 정전척에 있어서는 정전척이 노출되기 때문에, 피엠 혹은 클리닝 작업시 불순물이 정전척 표면에 남게되어 정전척의 표면 오염의 원인이 되고, 결국 파티클 유발 소스로 작용하게 되는 문제점이 있다.
In addition, in the electrostatic chuck that is not equipped with the electrostatic chuck protection device, the electrostatic chuck is exposed, so that impurities remain on the surface of the electrostatic chuck during the PM or cleaning operation, causing surface contamination of the electrostatic chuck, and eventually acting as a particle inducing source. There is a problem.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 피엠 혹은 클리닝 작업시 정전척의 노출 문제를 최소화하여 피엠 혹은 클리닝 작업으로 인한 정전척의 표면 오염을 최소화하는 정전척의 보호장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a protection device for an electrostatic chuck which minimizes the surface contamination of the electrostatic chuck due to the PM or cleaning operation by minimizing the exposure problem of the electrostatic chuck during the PM or cleaning operation.

본 발명의 다른 목적은 정전척의 에지 부분의 노출로 인하여 피엠 혹은 클리닝 작업시 외부의 툴에 의해 파손되는 문제점을 최소화하는 정전척의 보호장치를 제공함에 있다. It is another object of the present invention to provide a protection device of an electrostatic chuck which minimizes the problem of damage caused by external tools during the PM or cleaning operation due to exposure of the edge portion of the electrostatic chuck.

본 발명의 또 다른 목적은 정전척의 파트 분해후 조립시, 정전척의 에지 부분이 노출되는 점을 최소화하여 정전척의 에지 부분의 파손 발생을 최소화하는 정전척의 보호장치를 제공함에 있다.Still another object of the present invention is to provide a protection device for an electrostatic chuck, which minimizes the occurrence of breakage of the edge portion of the electrostatic chuck by minimizing the point where the edge portion of the electrostatic chuck is exposed when assembled after disassembling the part of the electrostatic chuck.

상기의 목적들을 달성하기 위하여 본 발명은 전위차에 의한 정전기를 이용하여 웨이퍼를 클램핑하는 정전척을 보호하기 위한 정전척 보호장치에 있어서, 상기 정전척의 측면에 대응되는 형상으로 구성되어 상기 정전척의 측면을 둘러싸는 형태로 이루어진 커버링과, 상기 커버링과 밀착되어 장착되도록 이루어지며, 상기 정전척의 상부 전체를 덮는 원반형으로 구성된 보호커버가 구비됨을 특징으로 하는 정전척 보호장치를 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides an electrostatic chuck protection device for protecting an electrostatic chuck for clamping a wafer by using static electricity due to a potential difference, the side of the electrostatic chuck is configured in a shape corresponding to the side of the electrostatic chuck. Covering is formed in a surrounding form, and is made to be in close contact with the covering, and provides an electrostatic chuck protection device characterized in that the protective cover consisting of a disk-shaped covering the entire upper portion of the electrostatic chuck.

나아가, 상기 커버링은 상기 보호커버의 중심부로 연장된 링형의 상부를 가지며, 상기 보호커버의 테두리가 삽입되어지기 위한 공간을 가지는 것이 바람직하다.Further, the covering has a ring-shaped upper portion extending to the center of the protective cover, it is preferable to have a space for the edge of the protective cover is inserted.

또한, 상기 보호커버는 하부가 크고 상부가 작으며 직경이 서로 다른 두 개 의 원통형의 결합형태로 구성되어져, 하부는 상기 커버링과 상기 정전척의 상부사이에 삽입되어지도록 구성되어짐이 바람직하다.
In addition, the protective cover is composed of a combination of two cylindrical shape of the lower portion is large, the upper portion is small and the diameter is different, the lower portion is preferably configured to be inserted between the covering and the upper portion of the electrostatic chuck.

또한, 상기 보호커버의 저면은 내측이 상기 상부 정전척과 밀착되지 않도록 하는 소정의 높이를 갖는 원반형의 홈이 구비되는 것이 바람직하며, 이 경우에 상기 원반형의 홈의 직경은 상기 보호커버의 상부의 직경보다 작게 이루어짐이 바람직하다.
In addition, the bottom of the protective cover is preferably provided with a disk-shaped groove having a predetermined height so that the inner side is not in close contact with the upper electrostatic chuck, in this case the diameter of the disk-shaped groove is the diameter of the upper portion of the protective cover It is preferred to be made smaller.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다양한 실시예에서의 설명들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가지는 자에게 본 발명의 보다 철저한 이해를 돕기 위한 의도 이외에는 다른 의도없이 예를 들어 도시되고 한정된 것에 불과하므로, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 사용되어서는 아니 될 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The descriptions in the various embodiments are only shown and limited by way of example and without intention other than the intention to help those of ordinary skill in the art to more thoroughly understand the present invention, and thus the scope of the present invention. It should not be used as a limitation. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements.

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 정전척 보호장치를 개략적으로 나타낸 단면도 및 평면도이고, 도 2는 도 1의 정전척 보호장치에서 커버링 부분을 나타낸 커버링의 단면도 및 평면도이며, 도 3은 도 1의 정전척 보호장치에서 보호커버 부분을 나타낸 보호커버의 단면도 및 평면도이다. 1 is a cross-sectional view and a plan view schematically showing an electrostatic chuck protection device according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view and a plan view showing a covering portion in the electrostatic chuck protection device of Figure 1, Figure 3 1 is a cross-sectional view and a plan view showing a protective cover portion of the electrostatic chuck protection device.                     

도 1 내지 도 3을 참조하면, 커버링(102), 보호커버(104), 커버링의 상부(102a), 보호커버의 하부(104a), 상부 정전척(106), 하부 정전척(108)이 나타나 있다.1 to 3, a covering 102, a protective cover 104, an upper portion 102a of the covering, a lower portion 104a of the protective cover, an upper electrostatic chuck 106, and a lower electrostatic chuck 108 are shown. have.

상기 커버링(102)은 정전척 즉, 상부 정전척(106) 및 하부 정전척(108)을 둘러싸는 형태의 속이 빈 원통형으로 이루어져 있다. 다만, 완전한 타원형이 아니라, 웨이퍼의 플랫 존을 고려한 타원형으로 이루어진다. 상기 커버링(102)은 피엠 작업시 혹은 피엠 작업을 위한 공정 챔버 내부의 분해 후 조립할 경우 정전척의 취약 부분, 특히 세라믹 정전척의 에지링 부분이 외부의 툴이나 다른 파트들에 의해 파손될 수 있는 점을 방지하는 역할을 한다. 또한 상기 커버링(102)은 상기 보호커버(104)가 장착되어 고정되어지게 한다. 그리고, 상기 커버링(102)은 그 내부가 상기 상부 정전척(106) 및 하부 정전척(108)과 상응하는 형태로 구성되어져, 상기 상부 정전척(106) 및 하부 정전척(108)의 외부를 감쌀 수 있게 되어져 있다. 그리고, 상기 커버링(102)의 외부면은 피엠 작업을 효율적으로 할 수 있는 형태로 이루어진다면 어떠한 형태로 이루어져도 무방하다.The covering 102 is of a hollow cylindrical shape that surrounds the electrostatic chuck, ie, the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108. However, it is not a perfect oval, but an oval considering the flat zone of the wafer. The covering 102 prevents the weak part of the electrostatic chuck, particularly the edge ring part of the ceramic electrostatic chuck, from being damaged by an external tool or other parts when assembled during disassembly or after disassembly inside the process chamber for the PM work. It plays a role. In addition, the covering 102 allows the protective cover 104 to be mounted and fixed. In addition, the covering 102 is configured in a shape corresponding to the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108 in the interior thereof, so that the outside of the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108 It is wrapped up. In addition, the outer surface of the covering 102 may be formed in any form as long as the outer surface of the covering 102 is efficiently formed.

상기 커버링의 상부(102a)는 상기 커버링(102)의 상부에 상기 보호커버(104)의 중심부 방향으로 연장된 링 형상으로 구성되어져 있다. 이 또한 마찬가지로, 웨이퍼의 플랫 존을 고려하여 그에 상응한 링 형상으로 이루어져야 한다. 상기 커버링의 상부(102a)는 상기 상부 정전척(106)의 상측에 소정의 공간을 두고 형성되어지는데, 상기 소정의 공간은 상기 보호커버의 하부(104a)가 삽입되어지기 위한 부분이다. 상기 커버링(102)은 상기 상부 정전척(106) 및 상기 하부 정전척(108) 의 측면을 감싸는 형태로 구성되어지되, 상기 상부 정전척(106) 및 상기 하부 정전척(108)의 측면과 소정의 공간이 생기는 크기로 형성되어짐이 바람직하다. 이는 상기 커버링(102)의 유동에 의해 상기 상부 정전척(106)및 하부 정전척(108)에 흠이 생기게 되는 것을 방지하기 위해서이다.The upper portion 102a of the covering has a ring shape extending in the direction of the center of the protective cover 104 on the upper portion of the covering 102. Again, likewise, the flat zone of the wafer must be taken into account in the corresponding ring shape. The upper portion 102a of the covering is formed with a predetermined space above the upper electrostatic chuck 106, and the predetermined space is a portion for inserting the lower portion 104a of the protective cover. The covering 102 is configured to surround the sides of the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108, the side and the predetermined of the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108 It is preferable that the space be formed in such a size. This is to prevent the upper electrostatic chuck 106 and the lower electrostatic chuck 108 from being damaged by the flow of the covering 102.

상기 보호커버(104)는 원주면이 상기 커버링(102)과 밀착되어 장착되며 상기 상부 정전척(106)의 상부 전체를 덮는 원반형의 형상(다만 웨이퍼의 플랫 존을 고려하여 그에 상응하게 형성됨)으로 구성되어진다. 상기 보호커버(104)는 직경이 서로 다른 두 개의 원통형을 결합한 형태로서, 직경이 작은 부분이 상측에, 직경이 큰 부분이 하측에 위치된다. 상기 보호커버(104)와 상기 커버링(102)의 결합시에는 상기 보호커버(104)의 상측에 상기 커버링의 상부(102a)가 인접하여 위치되어지는데, 상기 보호커버(104)의 상측과 상기 커버링의 상부(102a)는 결합시 밀착되어지게 형성되어짐이 바람직하다. The protective cover 104 is mounted in a cylindrical shape (but formed correspondingly in consideration of the flat zone of the wafer) in which a circumferential surface is mounted in close contact with the covering 102 and covers the entire upper portion of the upper electrostatic chuck 106. It is constructed. The protective cover 104 is a form of a combination of two cylindrical cylinders having different diameters, the small diameter portion is located on the upper side, the large diameter portion is located on the lower side. When the protective cover 104 and the covering 102 are coupled, an upper portion 102a of the covering is positioned adjacent to the upper side of the protective cover 104, and the upper side of the protective cover 104 and the covering The upper portion 102a is preferably formed to be in close contact with each other.

상기 커버링(102)과 상기 보호커버(104)의 결합시, 상기 보호커버의 하부(104a)가 상기 상부 정전척(106)과 밀착되어지는 상기 보호커버(104)의 하측 부분으로서, 그 일부의 끝 부분이 상기 커버링의 상부(102a)와 상기 상부 정전척(106) 사이에 삽입되어진다.When the covering 102 and the protective cover 104 are coupled to each other, the lower portion 104a of the protective cover is a lower portion of the protective cover 104 in close contact with the upper electrostatic chuck 106. An end portion is inserted between the upper portion 102a of the covering and the upper electrostatic chuck 106.

이 경우에 있어서, 상기 보호커버의 하부(104a)의 끝단, 측 측면은 상기 커버링의 측면에 밀착되어지는 것이 바람직하다. 이는 피엠 혹은 클리닝시 상기 보호커버의 유동의 발생을 방지하여 정전척이 손상되는 것을 더 안정되게 방지할 수 있기 때문이다. In this case, it is preferable that the end and side surfaces of the lower portion 104a of the protective cover are in close contact with the side surface of the covering. This is because it is possible to prevent the electrostatic chuck from being damaged more stably by preventing the occurrence of the flow of the protective cover during the PM or cleaning.                     

도 4는 본 발명의 다른 일실시예에 의한 정전척 보호장치에서의 보호커버 부분을 나타낸 단면도 및 평면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view and a plan view showing a protective cover portion in the electrostatic chuck protection device according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 보호커버(204)와 보호커버의 하부(204a)가 도시되어져 있다.4, a protective cover 204 and a lower portion 204a of the protective cover are shown.

상기 보호커버의 하부(204a)의 하면 즉, 상기 보호커버(204)의 저면은 상부 정전척(도 1의 106)의 오염 방지를 위하여 그 밀착되는 부분은 최소로 되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 보호커버의 저면은 내측이 상기 상부 정전척과 밀착되지 않도록 하는 원반형의 홈을 갖도록 형성되어져 있어, 상기 보호커버(204)가 상기 상부 정전척과 접촉하는 면적이 적게 되도록 하여, 상기 상부 정전척의 손상을 더욱 더 충실하게 보호할 수 있게 된다.The lower surface of the lower portion 204a of the protective cover, that is, the lower surface of the protective cover 204 is preferably in close contact with the minimum to prevent contamination of the upper electrostatic chuck (106 in Figure 1). Accordingly, the bottom surface of the protective cover is formed to have a disk-shaped groove in which the inner side is not in close contact with the upper electrostatic chuck, so that the protective cover 204 has a small area in contact with the upper electrostatic chuck, The damage can be more faithfully protected.

또한, 상기 보호커버의 하부에서 상기 원반형의 홈의 직경은 상기 보호커버(204)의 상부의 직경보다 작게 형성되어짐이 상기 보호커버(204)가 외부의 수직압력에 더 잘 견딜 수 있으므로 바람직하다 하겠다. In addition, the diameter of the disk-shaped groove in the lower portion of the protective cover is preferably formed smaller than the diameter of the upper portion of the protective cover 204 will be preferable because the protective cover 204 can withstand the external vertical pressure better .

도 1 내지 도 3을 참조하여 피엠 혹은 클리닝 작업을 실시하는 과정이 개략적으로 설명되어진다.A process of performing a PM or cleaning operation will be schematically described with reference to FIGS. 1 to 3.

클리닝이나, 고장이나 파손이 잦은 부분을 집중적으로 점검하는 피엠 작업의 실시에 있어서, 정전척의 에지 부분을 보호하기 위한 에지링, 그리고, 슬리브, 인젝션 링등이 먼저 제거되어지게 되는데, 이 때, 정전척의 약한 부위의 보호를 위하여 상기 보호커버(104)를 장착한다. 이 경우, 상기 보호커버(104)를 먼저 상기 정전척 위에 장착한 후에 상기 에지링 등을 분리할 수도 있고, 상기 에지링 등을 먼 저 분리한 후에 상기 보호커버(104)를 상기 정전척 위에 장착할 수도 있다. 정전척의 에지 부분을 보다 충실히 보호하기 위해서는 상기 보호커버(104)를 상기 정전척 위에 먼저 장착한 후에 상기 에지링 등을 분리하는 것이 바람직하다. In performing a PM operation that focuses on cleaning or frequently inspecting breakdowns or breakages, edge rings for protecting the edge portions of the electrostatic chuck, sleeves, and injection rings are first removed. The protective cover 104 is mounted to protect weak areas. In this case, the protective cover 104 may be first mounted on the electrostatic chuck, and then the edge ring or the like may be removed, and the protective cover 104 may be mounted on the electrostatic chuck after the edge ring is first removed. You may. In order to protect the edge portion of the electrostatic chuck more faithfully, it is preferable to first mount the protective cover 104 on the electrostatic chuck, and then remove the edge ring or the like.

그럼 다음, 상기 커버링(102)을 장착한 후 순수(DI)와 수세미 등을 이용하여 수작업으로 상기 챔버 내부를 클리닝 하고, 클리닝이 끝난 경우에는, 상기 커버링(102)을 먼저 제거한 후, 상기 보호커버(104)는 그대로 둔 채 상기 챔버 내부의 파트들을 조립한다. 이 경우, 상기 챔버 내부의 파트들을 조립하는 과정에서 상기 정전척의 에지 부분의 파손이 일어나는 것을 상기 보호커버(104)가 예방하는 것이다. 그런 다음, 상기 보호커버(104)를 제거하면, 상기 피엠 또는 클리닝이 끝이 나고, 상기 챔버는 하고자 하는 공정을 진행할 수 있는 상태로 있게 된다.Then, after the covering 102 is mounted, the inside of the chamber is cleaned manually using pure water (DI) and a scrubber, and when the cleaning is finished, the covering 102 is first removed, and then the protective cover. Leave 104 assembling the parts inside the chamber. In this case, the protective cover 104 prevents the breakage of the edge portion of the electrostatic chuck in the process of assembling the parts inside the chamber. Then, when the protective cover 104 is removed, the PM or cleaning is finished, and the chamber is in a state capable of carrying out a desired process.

따라서, 챔버의 피엠 작업이나 조립시 상기 정전척의 취약 부위를 보호할 수 있게 되는 것이다.Therefore, it is possible to protect the vulnerable portion of the electrostatic chuck during the PM work or assembly of the chamber.

본 발명의 실시예에 따른 정전척 보호장치는 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기본 원리를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 설계되고, 응용될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자에게는 자명한 사실이라 할 것이다.
Electrostatic chuck protection device according to an embodiment of the present invention is not limited to the above embodiment, it can be variously designed and applied within the scope without departing from the basic principles of the present invention, the common knowledge in the art It will be obvious to those who have.

상술한 바와 같이 본 발명은 피엠 혹은 클리닝 작업시 정전척의 노출 문제를 최소화하여 피엠 혹은 클리닝 작업으로 인한 정전척의 표면 오염을 최소화하는 효 과가 있다As described above, the present invention has an effect of minimizing the surface contamination of the electrostatic chuck due to the PM or cleaning operation by minimizing the exposure problem of the electrostatic chuck during the PM or cleaning operation.

또한, 본 발명은 정전척의 표면 오염을 최소화하여, 공정시 파티클 유발을 최소화하는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of minimizing the surface contamination of the electrostatic chuck, minimizing particle generation during the process.

또한, 본 발명은 정전척의 파트 분해후 조립시, 세라믹 부분이 노출되지 않게 함으로써 외부의 툴이나 조립시 다른 파트들의 충돌로 인한 세라믹 에지 부분의 파손 발생을 최소화하는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of minimizing the occurrence of breakage of the ceramic edge portion due to the collision of other parts during assembly or external tools or when assembling the part after disassembly of the electrostatic chuck.

Claims (5)

전위차에 의한 정전기를 이용하여 웨이퍼를 클램핑하는 정전척을 보호하기 위한 정전척 보호장치에 있어서:In an electrostatic chuck protector for protecting an electrostatic chuck clamping a wafer using static electricity caused by a potential difference: 상기 정전척의 측면에 대응되는 형상으로 구성되어, 상기 정전척의 측면을 둘러싸는 형태로 이루어진 커버링과;A covering formed in a shape corresponding to a side surface of the electrostatic chuck and surrounding the side surface of the electrostatic chuck; 하부가 상기 커버링의 상부와 밀착되어 장착되도록 이루어지며, 상기 정전척의 상부 전체를 덮는 원반형으로 형성된 보호커버가 구비됨을 특징으로 하는 정전척 보호장치.The lower portion is made to be in close contact with the upper portion of the covering, the electrostatic chuck protection device, characterized in that provided with a protective cover formed in a disk shape covering the entire upper portion of the electrostatic chuck. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 커버링은 상기 보호커버의 중심부로 연장된 링형의 상부를 가지며, 상기 보호커버의 테두리가 삽입되어지기 위한 공간을 가짐을 특징으로 하는 정전척 보호장치.The covering has a ring-shaped upper portion extending to the center of the protective cover, characterized in that the electrostatic chuck protection device having a space for the edge of the protective cover is inserted. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보호커버는 하부가 크고 상부가 작으며 직경이 서로 다른 두 개의 원통형의 결합형태로 구성되어져, 하부는 상기 커버링과 상기 정전척의 상부 사이에 삽 입되어지도록 구성되어짐을 특징으로 하는 정전척 보호장치. The protective cover is composed of a combination of two cylindrical shape of the lower part, the upper part is small and the diameter is different, the lower part is configured to be inserted between the covering and the upper part of the electrostatic chuck . 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 보호커버의 저면은 내측이 상기 상부 정전척과 밀착되지 않도록 하는 소정의 높이를 갖는 원반형의 홈이 구비됨을 특징으로 하는 정전척 보호장치.Electrostatic chuck protection device, characterized in that the bottom surface of the protective cover is provided with a disc-shaped groove having a predetermined height so that the inner side is not in close contact with the upper electrostatic chuck. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 원반형의 홈의 직경은 상기 보호커버의 상부의 직경보다 작게 이루어짐을 특징으로 하는 정전척 보호장치.Electrostatic chuck protection device characterized in that the diameter of the disc-shaped groove is made smaller than the diameter of the upper portion of the protective cover.
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CN115243495A (en) * 2022-06-29 2022-10-25 上海森桓新材料科技有限公司 Semiconductor equipment electrostatic adsorption dish protection device
WO2024248148A1 (en) * 2023-06-01 2024-12-05 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method and plasma treatment device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115243495A (en) * 2022-06-29 2022-10-25 上海森桓新材料科技有限公司 Semiconductor equipment electrostatic adsorption dish protection device
CN115243495B (en) * 2022-06-29 2023-10-24 上海森桓新材料科技有限公司 Semiconductor device electrostatic adsorption disk protection device
WO2024248148A1 (en) * 2023-06-01 2024-12-05 東京エレクトロン株式会社 Cleaning method and plasma treatment device

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