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KR20060113071A - 대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된평판표시장치용 기판 - Google Patents

대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된평판표시장치용 기판 Download PDF

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KR20060113071A
KR20060113071A KR1020050035926A KR20050035926A KR20060113071A KR 20060113071 A KR20060113071 A KR 20060113071A KR 1020050035926 A KR1020050035926 A KR 1020050035926A KR 20050035926 A KR20050035926 A KR 20050035926A KR 20060113071 A KR20060113071 A KR 20060113071A
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KR
South Korea
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substrate
thin film
repair line
film processing
laser beam
Prior art date
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KR1020050035926A
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KR101221949B1 (ko
Inventor
이종철
박상혁
Original Assignee
엘지전자 주식회사
엘지.필립스 엘시디 주식회사
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 대기개방 상태에서 진행되는 기판 국소적인 부분에 대한 박막처리공정 중 배선패턴의 단선을 치유하기 위한 리페어라인 형성에 있어서, 이의 증착속도를 비롯한 저항과 접착력을 크게 개선시킬 수 있는 대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해 완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 기판이 안착되는 스테이지와; 이의 상부에 위치하고 상하로 관통된 리텐션홀 및 이와 연통되는 적어도 두 개의 공급유로를 구비한 가스쉴드와; 이의 상부에서 리텐션홀을 통해 기판으로 레이저빔을 조사하는 에너지소스와; 적어도 두 개의 공급유로에 각각 서로 다른 반응가스를 동시 또는 순차적으로 공급하는 반응가스공급수단을 포함하는 대기개방형 박막처리장치를 개시하고, 이를 이용한 박막처리방법으로서 에너지소스로부터 리텐션홀을 통해 기판 일 지점으로 레이저빔이 출사되는 단계와; 리텐션홀을 통해 레이저빔 조사부위로 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시 또는 순차적으로 공급되면서 레이저빔이 기판 타 지점으로 이동하여 상기 일 지점과 타 지점을 연결하는 리페어라인이 형성되는 단계를 소개하며, 그 결과 적어도 두 개의 금속성분이 함유된 리페어라인 및 이를 구비한 평판표시장치용 기판을 구현한다.

Description

대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해 완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판{atmospheric thin film treatment apparatus, thin film treatment method, repair line and substrate using thereof}
도 1은 일반적인 대기개방형 박막처리장치에 대한 단면구조도.
도 2는 본 발명에 따른 대기개방형 박막처리장치에 대한 단면구조도.
도 3은 본 발명에 따른 박막처리방법의 순서도.
도 4는 본 발명에 따른 리페어라인이 구비된 기판의 일부평면도.
도 5 내지 도 7은 각각 본 발명의 각 실시예별 박막처리방법을 설명하기 위하여 반응가스의 공급을 시간에 따라 나타낸 그래프.
도 8 내지 도 10은 각각 도 4의 A-A 선에 대한 절단면으로 본 발명의 각 실시예 별 박막처리방법을 통해 완성된 리페어라인을 나타낸 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 기판 110 : 스테이지
120 : 가스쉴드 122 : 리텐션홀
124,126 : 공급유로 128 : 흡기홀
130 : 배기유로 140 : 에너지소스
150 : 반응가스공급수단 152,156 : 반응가스저장탱크
154,158 : 연결라인 160 : 흡기수단
본 발명은 대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해 완성된 리페어라인(repair line) 및 상기 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 대기압 환경에서 진행되는 평판표시장치용 기판의 국소적인 부분에 대한 박막처리공정 중 특히 배선패턴의 단선을 치유하기 위한 리페어라인 형성에 있어서, 이의 증착속도를 비롯한 저항과 접착력을 크게 개선시킬 수 있는 대기개방형 박막처리장치와 박막처리방법 그리고 이를 통해 완성된 리페어라인 및 상기 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판에 관한 것이다.
근래에 들어 사회가 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 각종 전기적 신호 정보를 시각적으로 표시하는 디스플레이(display) 산업이 급속도로 발전하였고, 이에 부응하여 경량화, 박형화, 저소비전력화의 장점을 지닌 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display device : ELD) 등의 여러 가지 다양한 평판표시장 치가 소개되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube : CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이때 일반적인 평판표시장치는 각각 한 쌍의 투명기판 사이에 고유의 형광 또는 편광 물질층을 개재한 후 대면 합착시킨 평판표시패널(flat display panel)을 필수적인 구성요소로 갖추고 있으며, 최근에는 특히 이들 평판표시패널에 화상표현 기본단위인 화소(pixel)를 행렬로 배열하고 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)와 같은 스위칭소자로 각각을 개별 제어하는 능동행렬방식(active matrix type)이 동영상 구현능력과 색 재현성에서 뛰어나 널리 이용되고 있다.
한편, 일반적인 평판표시장치 제조공정에는 기판 표면에 소정물질의 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 상기 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo lithography)공정, 상기 노출된 부분을 제거하여 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각(etching)공정이 수 차례 반복해서 포함되며, 그 외에도 상기의 과정을 통해서 완성된 미세 배선패턴의 단락 내지는 단선을 치유하기 위한 리페어(repair)공정이 수반된다.
그리고 이들 박막처리공정은 통상 고온 또는 고압의 고유한 반응환경에서 활성화되는 반응가스를 이용하는 관계로 밀폐된 챔버(chamber) 내에서 진행되었지만, 최근의 추세인 평판표시장치의 대면적화에 따라 기판 사이즈(size) 또한 날이 갈수록 커지고 있는 실정인 바, 이들 대면적 기판이 수용될 수 있도록 챔버 사이즈 역시 대형화되어야 하므로 장치비용의 과다지출과 더불어 불필요하게 넒은 설치면적을 요구하는 문제점을 보인다. 아울러 대형의 챔버를 이용하는 기존의 박막처리공정은 기판 넓은 면적에 대해서는 다소 유리한 장점을 나타내는 반면 리페어 공정 과 같이 기판 국소적인 부분을 대상으로 하는 박막처리에는 상대적으로 불리한 단점을 나타낸다.
이에 따라 대기개방 상태에서 기판 국소적인 부분에 대한 박막처리공정을 수행할 수 있는 대기개방형 박막처리장치가 소개되었고, 이는 간략하게 레이저국소증착법(laser-induced chemical vapour deposition method)을 응용한 것으로, 기판 에 레이저빔을 조사하면서 반응가스를 공급하여 상기 레이저빔 조사영역에서 나타나는 반응가스의 광분해 현상을 이용한다.
보다 구체적으로, 첨부된 도 1은 일반적인 대기개방형 박막처리장치에 대한 단면도로서 기판(2)이 안착되는 스테이지(stage : 10)와, 이의 상부에 소정 간격으로 이격되고 대략의 중심부분에 상하의 리텐션홀(retention hole : 22)이 관통된 가스쉴드(gas shield : 20) 그리고 상기 가스쉴드(20) 상부에서 레이저빔을 출사하여 리텐션홀(22)을 통해서 기판(2)에 조사되도록 하는 에너지소스(40)를 포함한다.
이때 일반적인 대기개방형 박막처리장치는 스테이지(10)가 상하좌우로 이동가능하고, 에너지소스(40)와 함께 그 위치가 고정된 가스쉴드(20) 내에는 리텐션홀(22)과 연통된 하나의 단일 공급유로(24)가 마련되어 외부의 반응가스공급수단(50)에 연결되며, 기판(2)과 대면되는 가스쉴드(20) 배면으로는 다수의 흡기홀(26)이 구비됨과 동시에 이들을 연결하는 배기유로(28)가 가스쉴드(20) 내에 별도로 마련되어 외부의 흡기수단(60)에 연결된다.
그 결과 반응가스공급수단(50)의 반응가스는 가스쉴드(20) 내의 공급유로(24)를 경유해서 리텐션홀(22)을 통해 기판(2)으로 흘러 유입되는 반면, 기판(2) 상의 잉여 반응가스는 외부의 흡기수단(60)에 의해 흡기홀(26)과 배기유로(28)를 통해 배기되도록 이루어져 있다. 그리고 상기 리텐션홀(22)의 상면은 투명윈도우(30)로 밀폐되어 반응가스의 외부유출을 방지한다.
따라서 스테이지(10) 상에 기판(2)이 안착되면 이의 이동에 의해 가스쉴드(20)와 에너지소스(40)가 기판(2)의 상부 적절한 위치로 정렬되고, 이어서 에너지소스(40)로부터 레이저빔이 출사되어 기판(2) 일 지점에 조사됨과 동시에 리텐션홀(22)을 통해서 반응가스가 기판(2) 표면의 레이저빔 조사부위로 흘러 유입된다. 그 결과 레이저빔의 조사부위에서 반응가스의 활성화에 의한 증착 반응이 나타나 점(dot) 형상의 도트패턴이 형성된다. 이어서 가스쉴드(20)와 에너지소스(40)가 고정된 채로 스테이지(10)가 이동하여 기판(2) 상의 도트패턴을 기판(2) 상의 타 지점까지 선 형상으로 연장시킴으로써 리페어라인을 형성하고, 이를 이용하여 단선된 배선패턴을 연결시킨다.
이때 전기적 연결에 대한 신뢰성을 높이기 위하여 통상 레이저빔은 기판(2) 일 지점으로부터 타 지점을 왕복하며, 이에 따라 리페어라인은 2중 적층 구조를 나타낸다.
아울러 상기한 과정 중에 목적에 따라서는 반응가스의 공급없이 레이저빔의 밀도와 세기를 적당하게 조절한 후 기판(2)에 조사하여 단선 또는 단락된 배선패턴이 노출되도록 그 상부의 절연막 등을 제거하는 잽핑(zapping) 단계가 선행될 수 있으며, 같은 방식으로 단락된 배선패턴을 서로 분리하는 것도 가능하다.
한편, 이상의 일반적인 대기개방형 박막장치의 리페어라인 형성에 사용되는 반응가스는 대표적으로 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 등을 들 수 있는데, 이들은 매우 상이한 특성을 나타내는 바, 구체적으로 W(CO)6은 저저항과 높은 접착력을 나타내는 반면 증착속도가 매우 느리고, Cr(CO)6은 증착속도가 빠른 대신 저항이 높고 접착력이 낮은 단점을 나타내며, Mo(C0)6은 증착속도와 저항 및 접착력에 있어 양자의 중간정도의 특성을 나타낸다.
하지만 리페어라인의 역할이 단선된 배선패턴을 연결하여 불량을 극복하기 위한 것임을 감안하면 증착속도 보다는 저저항의 전기적 특성을 비롯한 강한 접착력의 연결 신뢰성이 중요시되며, 따라서 현재로서는 느린 증착 속도에도 불구하고 W(CO)6이 선호되고 있는 실정이다.
그 결과 일반적인 대기개방형 박막처리장치에 의한 리페어라인 형성은 매우 느린 공정속도를 나타내고 있으며, 결국 전체적인 공정진행 속도에 직접적인 영향을 미쳐 장비 효율성을 크게 저하시키는 단점이 있다.
더불어 앞서 언급한 바와 같이 통상의 리페어라인이 2중 적층구조를 나타냄을 감안하면 공정속도는 더욱 느려질 수밖에 없고, 그 결과 일반적인 대기개방형 박막장치는 공정속도의 한계로 인해 현재 각광받고 있는 이른바 인라인(in-line) 방식 시스템에 적용되기 힘든 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 대기압 환경에서 진행되는 기판 국소적인 부분에 대한 박막처리공정 중 특히 배선패턴의 단선을 치유하기 위한 리페어라인 형성에 있어서, 상기 리페어라인의 증착속도를 비롯한 저항과 접착력을 크게 개선시킬 수 있는 구체적인 방도를 제시하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 기판이 안착되는 스테이지와; 상기 스테이지 상부에 위치하고, 상하로 관통된 리텐션홀 및 이와 연통되는 적어도 두 개의 공급유로가 마련된 가스쉴드와; 상기 가스쉴드 상부에 위치하고, 상기 리텐션홀을 통해서 상기 기판으로 레이저빔을 조사하는 에너지소스와; 상기 적어도 두 개의 공급유로에 각각 서로 다른 반응가스를 동시 또는 순차적으로 공급하는 외부의 반응가스공급수단을 포함하는 대기개방형 박막처리장치를 제공한다.
이때 상기 스테이지는 고정되고, 상기 가스쉴드와 상기 에너지소스는 각각 승강 및 상하좌우로 이동되는 것을 특징으로 하고, 상기 가스쉴드 배면에 마련된 복수의 흡입홀과; 상기 복수의 흡입홀을 연결하도록 상기 가스쉴드에 마련된 배기유로와; 상기 배기유로에 연결된 외부의 흡기수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 리텐션홀 상면을 밀폐하는 투명윈도우를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고 특히 상기 공급유로는 두 개 또는 세 개인 것을 특징으로 하고, 상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 스테이지와, 리텐션홀이 상하 관통되어 상기 스테이지 상부에 위치하는 가스쉴드와, 상기 리텐션홀을 통해서 상기 스테이지를 향해 레이저빔을 출사하는 에너지소스를 포함하는 대기개방형 박막처리장치를 이용한 박막처리방법으로서, a)상기 스테이지 상에 기판이 안착되고, 상기 가스쉴드와 상기 에너지소스가 승강 및 상하좌우로 이동하여 정렬되는 단계와; b)상기 에너지소스로부터 상기 기판 일 지점에 레이저빔이 조사되는 단계와; c)상기 리텐션홀을 통해서 상기 기판의 상기 레이저빔 조사부위로 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시 또는 순차적으로 공급되면서 상기 레이저빔이 상기 기판의 타 지점으로 이동하여, 상기 일 지점으로부터 타 지점에 이르는 리페어라인이 형성되는 단계를 포함하는 박막처리방법을 제공한다.
이때 상기 c)단계는, c1)상기 일 지점에 제 1 도트패턴이 형성되는 단계와; c2)상기 일 지점의 상기 도트패턴으로부터 상기 타 지점을 연결하는 라인패턴이 형성되는 단계와; c3)상기 타 지점에 제 2 도트패턴이 형성되는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 경우 상기 c1)단계 내지 c3)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 고정된 혼합비로 동시에 공급되는 것을 특징으로 하고, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 것을 특징으 로 한다. 또는 상기 c1), c3)단계 그리고 상기 c2)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 각각 서로 다른 혼합비로 동시에 공급되는 것을 특징으로 하고, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 것을 특징으로 하며, 상기 c1), c3) 단계에서, 각각 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에는 W(CO)6 그리고 Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 하나 이상이 포함되고, 상기 c2)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 둘 이상이 포함되는 것을 특징으로 하고, 상기 c2)단계 보다 상기 c1), c3)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에 상기 W(CO)6이 더 많이 포함되는 것을 특징으로 한다. 또는 상기 c1), c3)단계 그리고 상기 c2)단계에서 각각 서로 다른 반응가스가 순차적으로 공급되는 것을 특징으로 하고, 상기 c1), c3)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6이고, 상기 c2)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 한다.
아울러 상기 c3)단계 이후, c4)상기 레이저빔이 상기 기판 타 지점으로부터 상기 일 지점으로 거슬러 이동하여 상기 라인패턴이 이중으로 형성되는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하고, 이 경우 상기 c4)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.
더불어 본 발명은 대기개방 상태의 평판표시장치용 기판에 조사된 레이저빔 및 상기 레이저빔 조사부위로 공급되는 반응가스를 이용하여 형성되어진 리페어라인으로서, 적어도 두 개의 금속성분이 함유된 리페어라인을 제공한다. 이때 상기 리페어라인은 상기 기판 일 지점에 형성된 제 1 도트패턴과; 상기 기판 타 지점에 형성된 제 2 도트패턴과; 상기 제 1 및 제 2 도트패턴을 연결하는 라인패턴을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 도트패턴과 상기 라인패턴은 상기 기판의 동일 층에 일체로 연속하여 형성된 것을 특징으로 한다.
이때 상기 제 1 및 제 2 도트패턴과 상기 라인패턴은 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분이 일정비율로 함유된 것을 특징으로 하고, 이 경우 상기 서로 다른 적어도 두 종의 금속성분은 W, Mo, Cr 중에서 선택된 것을 특징으로 한다. 또는 상기 제 1 및 제 2 도트패턴 그리고 상기 라인패턴은 각각 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분이 서로 다른 비율로 혼합 함유된 것을 특징으로 하고, 이 경우 상기 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분은 각각 W, Mo, Cr 중에서 선택되는 것을 특징으로 하며, 특히 상기 제 1 및 제 2 도트패턴에는 상기 W 그리고 Mo, Cr 중에 선택된 하나 이상이 함유되고, 상기 라인패턴에는 상기 W, Mo, Cr 중에 선택된 둘 이상이 함유되는 것을 특징으로 하고, 이 경우 특히 상기 라인패턴보다 상기 제 1 및 제 2 도트패턴에 상기 W가 더 많이 함유되는 것을 특징으로 한다. 또는 상기 제 1 및 제 2 도트패턴 그리고 상기 라인패턴에는 각각 서로 다른 금속성분이 각각 함유되는 것을 특징으로 하고, 이 경우 상기 제 1 및 제 2 도트패턴에는 W이 함유되고, 상기 라인패턴에는 W, Mo, Cr 중에서 선택된 하나 이상이 함유되는 것을 특징으로 한다.
아울러 상기 라인패턴은 2중층 구조인 것을 특징으로 하고, 이중 특히 상층의 상기 라인패턴은 W, Mo, Cr 중에 선택된 적어도 하나를 함유한 것을 특징으로 한다.
더불어 본 발명은 상기와 같은 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판을 제공하는 바, 이하 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
첨부된 도 2는 본 발명에 따른 대기개방형 박막처리장치에 대한 단면구조도로서, 기판(2)이 안착되는 스테이지(110)와, 이의 상부에 위치하고 상하로 관통된 리텐션홀(122) 및 이와 연통되는 적어도 두 개의 공급유로(124,126)가 마련된 가스쉴드(120)와, 상기 가스쉴드(120) 상부에서 레이저빔을 출사하여 리텐션홀(122)을 통해서 기판(2)에 조사되도록 하는 에너지소스(140) 그리고 가스쉴드(120)에 마련된 적어도 두 개의 공급유로(124,126)에 각각 서로 다른 반응가스를 공급하는 외부 반응가스공급수단(150)을 포함한다.
각각을 구체적으로 설명하면, 먼저 스테이지(110)는 처리대상물인 기판(2)이 안착되는 부분으로서, 공정 진행 중에 고정된 상태를 유지하며 필요에 따라 기판(2) 가열을 위한 히팅수단이 내장될 수 있다.
다음으로 가스쉴드(120)는 스테이지(110) 상부에서 기판(2)과 수 내지 수백 ㎛ 정도의 간격을 두고 대면되는 원형 또는 이와 유사한 다각형의 입방체 형상을 나타내며, 대략적인 중심 부분에 상하 방향의 리테션홀(122)이 관통되어 있다.
이때 본 발명에 따른 가스쉴드(120)는 비록 도면상에 명확하게 나타나지는 않았지만 모터 내지는 실린더와 같은 소정의 구동수단에 의해 스테이지(110) 상부에서 승강을 비롯한 상하좌우로의 3차원 이동이 가능하며, 특히 리텐션홀(122)과 각각 연통되는 적어도 두 개의 공급유로(124,126)가 마련되어 후술하는 외부 반응가스공급수단(150)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 바, 이들 적어도 두 개의 공급유로(124,126)는 각각 가스쉴드(120) 내에서 서로 혼동될 여지가 없는 별개의 독립된 경로를 갖는다. 아울러 가스쉴드(120) 배면에는 다수의 흡기홀(128)이 마련되어 가스쉴드(120) 내에 별도 구비된 배기유로(130)를 통해 펌프와 같은 외부 흡기수단(160)에 연결될 수 있고, 에너지소스(140)를 향하는 리텐션홀(122) 상면은 쿼츠(quartz) 등의 투명윈도우(132)로 밀폐되는 것이 바람직하다.
그리고 이러한 가스쉴드(120) 상부에 위치된 에너지소스(140)는 리테션홀(122)을 통해서 그 하단의 기판(2) 표면으로 레이저빔을 조사하는데, 상기 레이저빔은 공정진행 중 반응가스를 활성화시키기 위한 에너지원으로서, 필요에 따라서 UV, RF, μ-wave을 출사하는 것도 가능하다. 또한 본 발명에 따른 대기개방형 박막처리장치의 에너지소스(140)는 가스쉴드(120)와 함께 승강을 비롯한 상하좌우로의 3차원 이동이 가능하다.
마지막으로 반응가스공급수단(150)은 가스쉴드(120)에 마련된 적어도 두 개의 공급유로(124,126)에 각각 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스를 동시 또는 순차적으로 공급하는 부분으로, 이를 위해 각각 서로 다른 반응가스를 저장하는 적어도 두 개의 반응가스저장탱크(152,156) 그리고 각각의 반응가스저장탱크(152,156)와 가스쉴드(120)의 공급유로(124,126)를 일대일 대응 연결하는 연결라인(154,158) 을 포함할 수 있다. 그리고 각각의 연결라인(154,158)에는 반응가스의 공급량을 제어하는 밸브수단(V1,V2)이 구비될 수 있고, 그 결과 일례로 MFC(Mass Flow Controller)를 포함하는 UPC(Upstream Pressure Control) 구조가 가능하다.
한편, 상기한 구성의 본 발명에 따른 대기개방형 박막처리장치를 이용하여 수행되는 평판표시장치용 기판에 대한 박막처리공정은 크게 세 가지로 요약될 수 있는데, 첫 번째는 평판표시장치용 기판(2)에 기(旣) 형성된 미세 배선패턴 간의 단선을 연결하기 위하여 반응가스의 활성화와 증착 현상을 동원한 리페어라인 형성이고, 두 번째는 반응가스의 공급 없이 레이저빔의 밀도와 세기만을 조절하여 기판(2)에 형성된 미세 배선패턴 간의 단락을 분리시키는 것이며, 세 번째는 기판(2)에 형성된 미세 배선패턴이 단락 또는 단선되고 그 상부에 절연층 등이 덮여있는 경우에 반응가스의 공급 없이 레이저빔의 밀도와 세기만을 조절하여 해당 배선패턴의 단선 또는 단락부위가 노출되도록 기판(2) 표면의 절연층을 제거하는 이른바 잽핑(zapping) 공정이다.
하지만 본 발명에 있어서 두 번째와 세 번째의 단락된 미세 배선패턴의 분리 내지는 잽핑 공정은 일반적인 기술내용을 기초로 하므로 논외로 하고, 이하 본 발명은 리페어라인 형성에 대하여 중점적으로 설명한다. 그 결과 이상에서 언급된 반응가스는 리페어라인을 형성하기 위한 박막증착의 전구체(precursor) 만을 지칭하는 것으로, 그 외 캐리어가스(carrier gas)나 버퍼가스(buffer gas) 내지 반응가스의 농도조절을 위한 불활성기체 등은 오히려 본 발명의 요지를 흐릴 수 있으므로 생략하였는바, 이하 본 명세서에서 반응가스라 함은 일관되게 상기와 같은 의미를 갖는다. 아울러 해당 부분에서 설명하겠지만 기판(2)이라 간략하게 지칭하여도 여기에는 리페어라인에 의해 치유될 단락된 배선패턴이 존재하고 있음은 물론이다.
다음으로 앞서의 도 2와 함께 도 3의 순서도를 참조하여 본 발명에 따른 박막처리장치를 이용한 리페어라인 형성공정을 설명한다.
최초 스테이지(110) 상에 기판(2)이 안착되고, 가스쉴드(120) 및 에너지소스(140)가 함께 이동하여 기판(2) 상의 적절한 위치로 정렬된다.(st1)
이때 기판(2) 상면에는 단락된 미세 배선패턴이 기(旣) 존재하며, 이의 상부로 별도의 절연층이 증착될 수 있지만 잽핑공정이 선행됨으로써 단락된 배선패턴 양단이 각각 노출되어 있는 상태이다. 그리고 상기 단계에서 필요에 따라 기판(2)은 스테이지(110)에 내장된 가열수단에 의해 가열될 수 있다.
상기 단계에서 본 발명에 따른 대기개방형 박막처리장치는 스테이지(110)가 이동되는 일반적인 경우와 달리, 대형의 스테이지(110)는 고정되는 반면 상대적으로 소형 규모의 가스쉴드(120) 및 에너지소스(140)가 이동하는 방식을 채택하여 설치면적의 최소화와 구동수단의 간소화를 꾀한다.
다음으로 에너지소스(140)로부터 레이저빔이 출사되어 가스쉴드(120)의 투명윈도우(132)와 리텐션홀(122)을 통해 기판(2) 일 지점으로 조사된다.(st2)
이때 최초 레이저빔이 조사되는 기판(2) 일 지점은 리페어라인의 시작점으로서 단락된 미세 박막패턴 양단 중 어느 하나에 존재한다.
이어서 반응가스공급수단(150)으로부터 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시 또는 순차적으로 공급되어 가스쉴드(120)의 리텐션홀(122)을 통해 기판(2) 상의 레이저빔 조사부위로 유입됨과 동시에 가스쉴드(120)와 에너지소스(140)가 함께 이동하고, 그 결과 레이저빔이 기판(2)의 일 지점으로부터 타 지점으로 이동하여 리페어라인이 형성된다.(st3)
그리고 이와 동시에 외부의 흡기수단(160)에 의해 기판(2) 상의 잉여 반응가스는 가스쉴드(120) 배면에 마련된 흡기홀(128)을 통해 외부로 배기될 수 있다.
이때 가스쉴드(120)에 리텐션홀(122)이 상하로 관통 구비된 이유는 에너지소스(140)로부터 출사된 레이저빔이 기판(2)에 조사되도록 하기 위한 것임은 쉽게 예상할 수 있고, 외부의 반응가스가 리텐션홀(122)로 공급되는 이유는 기판(2) 상의 레이저빔 조사 부위 이외의 불필요한 부분으로 반응가스가 흘러 유입되는 것을 방지하기 위함이며, 리텐션홀(122) 상면이 투명윈도우(132)로 밀폐되고 공정 진행 중에 가스쉴드(120) 배면의 흡기홀(128)을 통해서 기판(2) 상의 잉여 반응가스가 배기되는 이유는 유독성 반응가스의 누출을 방지하기 위한 것이다. 따라서 복수의 배기홀(128)은 가스쉴드(120) 배면에서 리텐션홀(122) 가장자리를 두르도록 배열되는 것이 바람직하다.
그리고 레이저빔이 최종 조사되는 기판(2) 타 지점은 리페어라인 끝점으로서 단락된 미세 배선패턴 양단 중 다른 하나에 존재한다.
한편, 상술한 st3 단계를 보다 세분화하면, 도면에 나타난 바와 같이 반응가 스가 공급되면서 기판(2) 일 지점에 레이저빔이 최초 조사되어 해당 부분에 제 1 도트패턴이 형성되는 단계(st3-1)와, 상기 반응가스의 공급이 유지되면서 기판(2) 상의 일 지점으로부터 레이저빔이 이동하여 상기 제 1 도트패턴을 연장하는 제 1 라인패턴이 형성되는 단계(st3-2)와, 레이저빔이 기판(2) 타 지점에 도달하여 해당 부분에 제 2 도트패턴이 형성되는 단계(st3-3)로 구분될 수 있다.
그리고 이 과정 중에 본 발명에 따른 리페어라인은 서로 다른 적어도 두 종의 금속성분을 함유함에 따라 증착속도를 비롯한 저항과 접착력이 크게 개선된 특징으로 나타내고, 그 결과 라인패턴은 하나의 단일층으로 이루어지는 것도 가능하지만, 필요에 따라서 st3-3 단계 이후, 반응가스의 공급이 유지되면서 레이저빔이 기판(2) 타 지점으로부터 일 지점으로 거슬러 이동하여 st3-2 단계에 의해 완성된 제 1 라인패턴 상부로 제 2 라인패턴을 형성하는 것도 가능하다.
이에 대해서는 해당 부분에서 자세히 설명한다.
따라서 본 발명에 따른 리페어라인이 형성된 평판표시장치용 기판(2)의 일부평면도인 도 4와 같이, 본 발명에 따른 리페어라인(170)은 기판(2) 상의 일 지점과 타 지점에 각각 형성되어 배선패턴(200)의 단락지점을 사이에 두고 그 양단에 각각 접촉된 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174) 그리고 이들을 연결하는 제 1 라인패턴(176)으로 이루어진다.
그리고 이들 제 1 및 제 2 도트패턴과 제 1 라인패턴(172,174,176)은 기판(2) 상의 동일 층에서 일체로 연속하고 있다. 이때 미설명부호 202는 배선패턴 (200) 상에 형성된 절연층을 나타낸다.
이때 앞서의 st3-1 내지 st3-3 단계가 진행되는 동안 반응가스는 서로 다른 적어도 두 종이 동시 또는 순차적으로 기판(2)에 공급된다 하였고, 그 결과 리페어라인(170)은 기판(2) 상의 동일 층에 일체로 연속하여 형성되어 있음에도 불구하고 적어도 두 개의 금속성분이 함유되어 있다. 그리고 이 경우 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 일례로 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택될 수 있는 바, 이하 st3-1 내지 st3-3 단계에 걸쳐서 동시 또는 순차적으로 공급되는 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스 그리고 이들 각각에 의해 완성되어 서로 다른 적어도 두 종의 금속성분을 함유한 본 발명에 따른 리페어라인에 대하여 각 실시예 별로 구분하여 설명한다.
이 과정 중에 앞서의 도 2와 도 3을 비롯하여 각 실시예 별 박막처리방법에 사용되는 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스 공급순서를 시간에 따라 나타낸 그래프인 도 5 내지 도 7 그리고 본 발명의 각 실시예 별 박막처리방법에 의해 완성된 리페어라인을 도 4의 A-A 선에 대한 절단면으로 표시한 단면도인 도 8 내지 도 10을 적절하게 참조하여 설명한다.
제 1 실시예
먼저 본 발명의 제 1 실시예는 도 5와 같이, st3-1 내지 st3-3 단계에 걸쳐 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시에 공급되고, 특히 이들이 일정한 혼합비를 유지하는 경우이다.
구체적인 일례로 도면에 나타낸 바와 같이 W(CO)6과 Mo(CO)6이 st3-1 내지 st3-3 단계에 걸쳐 50:50의 비율을 유지하고, 그 외에도 80:20, 70:30, 60:40, 40:60, 30:70, 20:80의 여러 가지 고정된 비율을 유지할 수 있다. 그리고 이러한 반응가스의 혼합비는 반응가스공급수단(150)에 마련된 밸브수단(V1, V2)에 의해 제어될 수 있다.
그 결과 도 8에 나타낸 바와 같이 제 1 도트패턴(172)과 제 1 라인패턴(176) 그리고 제 2 도트패턴(174) 전체에 걸쳐 W와 Mo가 각각 일정 비율로 함유된다.
한편, 본 발명의 제 1 실시예에서 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 박막증착용 반응가스 중에서 얼마든지 자유로이 선택될 수 있고 이들의 혼합비 역시 목적에 따라 자유로울 수 있지만, W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6의 경우에 W(CO)6의 혼합비를 늘리면 저항과 접착력이 향상되는 효과를 얻을 수 있고, Mo(CO)6 및/또는 Cr(CO)6의 혼합비를 늘리면 증착속도가 향상되는 효과를 얻을 수 있는 바, 목적에 따라 적절한 비율로 조절될 수 있음은 당업자에겐 자명한 사실일 것이다.
제 2 실시예
다음으로 본 발명의 제 2 실시예는 도 6과 같이, 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시에 공급되지만 st3-1 내지 st3-3 단계에서 서로 다른 혼합비를 나 타내는 경우이다.
그 구체적인 일례로 도면에 표시된 것과 같이 st3-1, st3-3 단계에서 각각 W(CO)6과 Mo(CO)6이 80:20, 70:30, 60:40 또는 50:50 중 하나의 비율로 사용될 수 있고, st3-2 단계에서 W(CO)6과 Mo(CO)6이 40:60, 30:70, 20:80 중 하나의 비율로 사용될 수 있다.
그 결과 도 9에 나타낸 바와 같이 제 1 및 제 2 도트패턴에는 W와 Mo가 각각 80:20, 70:30, 60:40 또는 50:50 중 하나의 비율로 함유된 반면, 라인패턴에는 W(CO)6과 Mo(CO)6이 40:60, 30:70, 20:80 중 하나의 비율로 함유된다.
이때 역시 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 st3-1 내지 st3-3 단계에 걸쳐 각각 얼마든지 자유로이 선택될 수 있고 이들의 혼합비 역시 목적에 따라 각 단계에서 자유로이 조절될 수 있지만, 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)은 실질적으로 동일한 역할을 하므로 동일한 혼합비를 유지하도록 하였고, 이와 아울러 저저항을 비롯한 접착신뢰성이 상대적으로 강조되는 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174) 내에 W 함유량을 상대적으로 높이는 것이 바람직하며, 제 1 라인패턴(176) 내에 Mo 또는 Cr 함유향을 늘려 증착속도의 개선을 꾀할 수 있다.
제 3 실시예
다음으로 본 발명에 따른 제 3 실시예는 도 7과 같이, st3-1 내지 st3-3 각 단계에서 서로 다른 반응가스가 순차적으로 공급되는 경우이다.
그 구체적인 예로서 표시된 바와 같이 st3-1, st3-3 단계에서 각각 동일한 W(CO)6 만을 이용해서 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)을 형성하고, st3-2 단계에서 Mo(CO)6으로 제 1 라인패턴을 형성하였다.
그 결과 도 10에 나타낸 바와 같이 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)은 각각 저저항의 고접착력을 나타내는 W 단일물질로 이루어지고 제 1 라인패턴은 Mo 단일물질로 이루어진다.
이 경우 필요에 따라서 st3-2 단계에서 Cr(CO)6이 사용될 수 있음은 물론이며, 필요에 따라 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중 선택된 둘 이상이 소정의 혼합비로 사용될 수도 있다.
제 4 실시예
마지막으로 본 발명에 따른 제 4 실시예는 앞서의 제 1 내지 제 3 실시예와 달리 st3-3 단계에 이후 레이저빔을 기판(2) 타 지점으로부터 일 지점으로 거슬러 이동시키면서 W(CO)6. Mo(CO)6, Cr(CO)6 중 선택된 하나 이상을 반응가스로 공급하여 제 2 라인패턴(178)을 형성한 경우이다.
그 결과 도 4의 A-A 선에 따른 단면구조로 나타낸 도 11과 같이, 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)을 연결하는 2중층 구조의 제 1 및 제 2 라인패턴(176,178)이 구현된다. 이때 상기 도면은 편의상 앞서의 제 3 실시예에 의해 형성된 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)과 제 1 라인패턴(176) 상부에 Mo 단일 물질로 이루어진 제 2 라인패턴(178)이 형성되어 있는 것을 예시하였다.
그리고 이 경우 역시 st3-4 단계에서 사용되는 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중 선택된 하나 또는 소정의 혼합비를 유지하는 적어도 둘 이상이 얼마든지 자유로이 사용될 수 있지만, 본 출원인의 거듭된 실험 결과 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서는 가급적 제 1 라인패턴(176) 형성공정인 st3-2 단계에서 증착속도가 상대적으로 빠른 Mo(CO)6 내지 Cr(CO)6 단일 반응가스 또는 이들의 혼합비가 높은 혼합 반응가스를 사용하고, 제 2 라인패턴(178) 형성공정인 st3-4 단계에서 저저항 고접착력을 나타내는 W(CO)6 단일 반응가스 내지는 이의 혼합비가 높은 혼합 반응가스를 이용하는 것이 증착속도, 저항, 접착력의 모든 부분에서 최적의 효과를 얻을 수 있었다.
한편, 앞서의 몇 가지 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐, 응용범위는 얼마든지 다양함은 당업자라면 쉽게 이해 할 수 있을 것이다.
즉, 본 발명의 가장 중요한 요지는 대기 개방된 상태에서 제 1 도트패턴(172), 제 1 라인패턴(176), 제 2 도트패턴(174), 제 2 라인패턴(178)이 구현되는 리페어라인 형성의 전체과정 중에 적어도 둘 이상의 반응가스를 동시 또는 순차적 으로 이용되는 것에 특징이 있는 바, 앞서와 같이 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 으로 반응가스의 종류를 한정하여도 그 경우의 수는 매우 다양하다.
이에 이상의 실시예는 동일한 역할을 하는 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)을 동일 반응가스로 형성하고, 이 과정 중에 제 1 및 제 2 도트패턴(172,174)에 상대적으로 W 함유향을 늘려 저저항 고접착력을 구현함과 동시에 제 1 및/또는 제 2 라인패턴(176,178)에 Mo 및/또는 Cr을 포함시켜 증착속도를 향상시킨 몇 가지 예시에 지나지 않는 바, 이들 경우를 포함하여 본 발명에 의해 나타날 수 있는 바람직한 형태를 이하의 표 1에 정리하였다. 이때 일례로 W(CO)6/Mo(CO)6과 같이 표시된 것은 이들의 혼합을 나타낸다.
<표 1>
번호 st3-1 st3-2 st3-3 st3-4
1 W(CO)6 W(CO)6 W(CO)6 Mo(CO)6
2 W(CO)6 W(CO)6 W(CO)6 Cr(CO)6
3 W(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6 Mo(CO)6
4 W(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6 Cr(CO)6
5 W(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6 Cr(CO)6
6 W(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6 Mo(CO)6
7 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
8 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
9 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
10 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
11 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
12 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
13 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
14 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
15 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
16 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
17 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
18 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
19 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
20 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
21 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
22 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
23 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
24 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
25 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
26 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
27 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
28 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
29 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
30 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
31 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
32 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
33 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
34 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
35 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6
36 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6
37 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
38 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
39 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
40 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
41 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
42 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6
43 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
44 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
45 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
46 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
47 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Cr(CO)6
48 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 Mo(CO)6
49 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
50 W(CO)6/Cr(CO)6 W(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
51 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
52 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
53 W(CO)6/Cr(CO)6 Mo(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
54 W(CO)6/Cr(CO)6 Cr(CO)6 W(CO)6/Mo(CO)6 W(CO)6
그러나 이 경우 역시 몇 가지 예시에 지나지 않는 바, 일례로 두 가지 반응가스의 혼합만을 상정한 것이다. 따라서 본 발명의 변형은 매우 다양할 수 있지만 이는 모두 본 발명의 권리범위 내에 속한다 해야 할 것이며, 이는 이하의 청구범위를 통해 보다 분명해질 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따르면 배선패턴의 단선을 치유하기 위하여 대기환경에서 구현되는 리페어라인의 증착속도를 비롯한 저항과 접착력을 크게 개선시킬 수 있는 장점이 있다. 그 결과 평판표시장치의 전체적인 공정진행 속도를 향상시키고, 장비 효율성을 크게 높이는 장점이 있는 바, 현재 각광받고 있는 인라인(in-line) 방식 시스템에 적용 가능한 잇점이 있다.

Claims (33)

  1. 기판이 안착되는 스테이지와;
    상기 스테이지 상부에 위치하고, 상하로 관통된 리텐션홀 및 이와 연통되는 적어도 두 개의 공급유로가 마련된 가스쉴드와;
    상기 가스쉴드 상부에 위치하고, 상기 리텐션홀을 통해서 상기 기판으로 레이저빔을 조사하는 에너지소스와;
    상기 적어도 두 개의 공급유로에 각각 서로 다른 반응가스를 동시 또는 순차적으로 공급하는 외부의 반응가스공급수단
    을 포함하는 대기개방형 박막처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스테이지는 고정되고, 상기 가스쉴드와 상기 에너지소스는 각각 승강 및 상하좌우로 이동되는 대기개방형 박막처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 가스쉴드 배면에 마련된 복수의 흡입홀과;
    상기 복수의 흡입홀을 연결하도록 상기 가스쉴드에 마련된 배기유로와;
    상기 배기유로에 연결된 외부의 흡기수단
    을 더욱 포함하는 대기개방형 박막처리장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 리텐션홀 상면을 밀폐하는 투명윈도우를 더욱 포함하는 대기개방형 박막처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 공급유로는 두 개 또는 세 개인 대기개방형 박막처리장치.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 선택된 항에 있어서,
    상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 대기개방형 박막처리장치.
  7. 스테이지와, 리텐션홀이 상하 관통되어 상기 스테이지 상부에 위치하는 가스 쉴드와, 상기 리텐션홀을 통해서 상기 스테이지를 향해 레이저빔을 출사하는 에너지소스를 포함하는 대기개방형 박막처리장치를 이용한 박막처리방법으로서,
    a)상기 스테이지 상에 기판이 안착되고, 상기 가스쉴드와 상기 에너지소스가 승강 및 상하좌우로 이동하여 정렬되는 단계와;
    b)상기 에너지소스로부터 상기 기판 일 지점에 레이저빔이 조사되는 단계와;
    c)상기 리텐션홀을 통해서 상기 기판의 상기 레이저빔 조사부위로 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스가 동시 또는 순차적으로 공급되면서 상기 레이저빔이 상기 기판의 타 지점으로 이동하여, 상기 일 지점으로부터 타 지점에 이르는 리페어라인이 형성되는 단계
    를 포함하는 박막처리방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 c)단계는,
    c1)상기 일 지점에 제 1 도트패턴이 형성되는 단계와;
    c2)상기 일 지점의 상기 도트패턴으로부터 상기 타 지점을 연결하는 라인패턴이 형성되는 단계와;
    c3)상기 타 지점에 제 2 도트패턴이 형성되는 단계
    를 더욱 포함하는 박막처리방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 c1)단계 내지 c3)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 고정된 혼합비로 동시에 공급되는 박막처리방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 박막처리방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 c1), c3)단계 그리고 상기 c2)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 각각 서로 다른 혼합비로 동시에 공급되는 박막처리방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택되는 박막처리방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 c1), c3) 단계에서, 각각 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에는 W(CO)6 그리고 Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 하나 이상이 포함되고,
    상기 c2)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 둘 이상이 포함되는 박막처리방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 c2)단계 보다 상기 c1), c3)단계에서, 상기 서로 다른 적어도 두 종의 반응가스에 상기 W(CO)6이 더 많이 포함되는 박막처리방법.
  15. 제 8항에 있어서,
    상기 c1), c3)단계 그리고 상기 c2)단계에서 각각 서로 다른 반응가스가 순차적으로 공급되는 박막처리방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 c1), c3)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6이고, 상기 c2)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에서 선택된 하나 이상인 박막처리방법.
  17. 제 8항 내지 제 16항 중 어느 하나의 선택된 항에 있어서,
    상기 c3)단계 이후,
    c4)상기 레이저빔이 상기 기판 타 지점으로부터 상기 일 지점으로 거슬러 이동하여 상기 라인패턴이 이중으로 형성되는 단계
    를 더욱 포함하는 박막처리방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 c4)단계에서 상기 반응가스는 W(CO)6, Mo(CO)6, Cr(CO)6 중에 선택된 적어도 하나인 박막처리방법.
  19. 대기개방 상태의 평판표시장치용 기판에 조사된 레이저빔 및 상기 레이저빔 조사부위로 공급되는 반응가스를 이용하여 형성되어진 리페어라인으로서,
    적어도 두 개의 금속성분이 함유된 리페어라인.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 리페어라인은 상기 기판 일 지점에 형성된 제 1 도트패턴과;
    상기 기판 타 지점에 형성된 제 2 도트패턴과;
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴을 연결하는 라인패턴
    을 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 도트패턴과 상기 라인패턴은 상기 기판의 동일 층에 일체로 연속하여 형성된 리페어라인.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴과 상기 라인패턴은 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분이 일정비율로 함유된 리페어라인.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 서로 다른 적어도 두 종의 금속성분은 W, Mo, Cr 중에서 선택되는 리페어라인.
  23. 제 20항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴 그리고 상기 라인패턴은 각각 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분이 서로 다른 비율로 혼합 함유된 리페어라인.
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 서로 다른 적어도 두 개의 금속성분은 각각 W, Mo, Cr 중에서 선택되는 리페어라인.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴에는 상기 W 그리고 Mo, Cr 중에 선택된 하나 이상이 함유되고,
    상기 라인패턴에는 상기 W, Mo, Cr 중에 선택된 둘 이상이 함유되는 리페어라인.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 라인패턴보다 상기 제 1 및 제 2 도트패턴에 상기 W가 더 많이 함유되는 리페어라인.
  27. 제 20항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴 그리고 상기 라인패턴에는 각각 서로 다른 금속성분이 각각 함유되는 리페어라인.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도트패턴에는 W이 함유되고, 상기 라인패턴에는 W, Mo, Cr 중에서 선택된 하나 이상이 함유되는 리페어라인.
  29. 제 20 내지 29항 중 어느 하나의 선택된 항에 있어서,
    상기 라인패턴은 2중층 구조인 리페어라인.
  30. 제 29항에 있어서,
    상층의 상기 라인패턴은 W, Mo, Cr 중에 선택된 적어도 하나를 함유한 리페어라인.
  31. 제 19항 내지 제 28항 중 어느 하나의 선택된 항에 기재된 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판.
  32. 제 29항에 기재된 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판.
  33. 제 32항에 있어서,
    상층의 상기 라인패턴은 W, Mo, Cr 중에 선택된 적어도 하나를 함유한 리페어라인이 구비된 평판표시장치용 기판.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012115681A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Ambient laminar gas flow distribution in laser processing systems
KR101876961B1 (ko) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 박막형성 장치
KR101876963B1 (ko) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 박막형성 장치
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20250042259A (ko) * 2023-09-19 2025-03-27 삼성디스플레이 주식회사 흡입유닛, 그 제어방법, 표시장치의 제조시스템 및 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3345524B2 (ja) * 1995-02-15 2002-11-18 株式会社日立製作所 電子回路基板の金属膜形成方法及びその装置並びにその配線修正方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012115681A1 (en) * 2011-02-21 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Ambient laminar gas flow distribution in laser processing systems
US9557111B2 (en) 2011-02-21 2017-01-31 Applied Materials, Inc. Ambient laminar gas flow distribution in laser processing systems
US10094618B2 (en) 2011-02-21 2018-10-09 Applied Materials, Inc. Ambient laminar gas flow distribution in laser processing systems
KR101876961B1 (ko) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 박막형성 장치
KR101876963B1 (ko) * 2017-03-14 2018-07-10 주식회사 에이치비테크놀러지 박막형성 장치
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