KR20060066872A - 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 기판과, 상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 완충층과, 상기 완충층 위에 형성된 n형 질화물 반도체 박막과, 상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 형성된 활성층 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체 박막을 포함한다. 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층이 적층 구조로 형성된 완충층은 이종 접합에서 발생하는 결정 결함을 감소시키고 질화물 반도체 박막의 특성을 향상시킨다. 또한, Al의 조성이 일정하게 변하는 상기의 다중완충층은 반사기(DBR)로 적용하여, 이는 발광 소자 적용시 소자의 휘도를 향상시킬 수 있다.

질화물, 질화갈륨, 반도체, 발광 소자, 반사기, 완충층

Description

반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 {Substrate for semiconductor light-emitting device and Nitride semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same}

도 1은 질화물 반도체에 있어서 고용체의 조성에 따른 직접 에너지 간격을 도시한 그래프.

도 2는 종래 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.

도 3은 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.

도 4는 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 다중완충층을 확대하여 나타낸 단면도.

본 발명은 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판과 기판 위에 성장되는 질화물 단결정 박막의 열팽창 계수 및 격자 상수의 차이에서 발생하는 결정 결함을 줄이고 질화물 반도체의 결정 성을 향상시킴으로써, 성능을 향상시키고 신뢰성을 확보할 수 있는 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

GaN 반도체 소자는 청색 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED), 청색 레이저 다이오드 (Laser Diode; LD) 등의 재료로서 최근 크게 주목받고 있다. 특히 기존의 장파장 영역의 GaAs 계열의　LED 및 LD에 비교하여, 질화갈륨계 반도체는 도 1에 도시한 바와 같이 고용체의 조성에 따라 1.9eV(InN)에서 3.4eV(GaN), 6.2eV(AlN)까지 직접 에너지 밴드갭을 가지고 있어서 가시광에서부터 자외선 영역까지 넓은 파장 영역 때문에 광소자의 응용 가능성이 매우 큰 물질이다. 단파장 영역의 적색, 녹색 및 청색 LED에 의한 천연색(full-color) 구현이 가능해짐으로써 디스플레이 영역은 물론 일반 조명시장으로의 파급 효과가 매우 커질 것으로 예상된다．

도 2는 종래 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도면을 참조하면, 종래 반도체 발광 소자는 기판 상에 GaN 또는 AlN과 같은 완충층과, 실리콘으로 도핑된 n형 GaN 박막층과, GaN을 장벽층으로 하고 InGaN을 우물층으로 하는 발광층과, 상기 발광층 상부에 형성되고 Mg 원자로 도핑된 p형 GaN 박막층을 포함하여 구성된다. 상기 발광층의 상부 및 하부에 각각 형성된 GaN의 p형 및 n형 도핑층은 발광층에 전류를 공급하여 발광하도록 하고, 광효율을 증가시키기 위해 보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 AlGaN 등의 p형 클래딩층(cladding layer)을 발광층과 p형 도핑층 사이에 추가적으로 구성할 수 있다.

이러한 질화물 반도체 박막을 성장시키는 방법으로는 일반적으로 유기금속 화학 기상 증착법(MOCVD; Metal-organic Chemical Vapor Deposition), 화학 기상 증착법(CVD), 분자선 에피택셜 성장법(MBE) 등 여러 가지가 있으며, 주로 유기금속 화학 기상 증착법과 수소 화합물 기상 에피성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy)과 같은 기상 성장법이 사용되고 있다.

상기 기판은 일반적으로 사파이어(Al₂O₃), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 등의 이종 기판이 사용된다. 그러나 질화물 반도체 발광 소자는 상기 기판 상에서 성장할 경우에 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이로 인해 결정 결함을 발생시켜 고품질의 반도체 박막층 성장이 어려울 뿐만 아니라, 이를 사용하여 제작한 소자의 특성 효율 및 수명을 단축시킬 수 있다. 또한 1000℃ 정도의 고온에서 결정 성장을 할 경우에 결정의 품질이 떨어지고 평탄한 표면의 박막을 얻을 수 없는 문제점이 있다.

그러나 최근의 연구 성과로 500℃ 부근의 저온에서 AlN 막을 저온 완충층으로 성장시키고 그 완충층 위에 고온에서 GaN 반도체 박막을 성장시킴으로써, 보다 양질의 결정 박막을 얻을 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이러한 저온 완충층을 사용함에도 불구하고 성장된 GaN 반도체 박막은 격자 부정합에 의해 발생된 결함이 약 10¹⁰/cm² 정도의 높은 밀도로 형성되어, 이러한 결점은 소자에 있어서 누설 전류를 발생시키고 발광을 저해하거나 전극재료의 확산의 원인이 되어 발광 소자의 신뢰성, 즉 수명이나 각 특성의 장기적인 안정도를 저하시키는 요인이 된다.

따라서 고품질의 광소자에 응용되기 위해서는 양질의 결정을 얻기 위해 결정 결함을 줄이기 위한 방법이 요구된다.

본 발명은 기판 상에 성장되는 질화물 반도체 박막 층의 결정 결함을 감소시켜 결정성을 향상시킴은 물론, 이를 사용하여 제작한 발광 소자의 성능을 향상시켜 신뢰성을 확보할 수 있는 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반도체 발광 소자용 기판으로서, 기판 및 상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 다중완충층을 포함하는 반도체 발광 소자용 기판을 제공한다. 여기서 상기 기판 위에 첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 기판, 상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 다중완충층, 상기 다중완충층 위에 형성된 n형 질화물 반도체 박막, 상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 형성된 활성층 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체 박막을 포함하는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 여기서 상기 기판과 다중완충층 사이에 AlN 완충층을 더 포함할 수 있다. 상기 기판 위에 첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시키는 단계, 상기 성장된 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층 위에 n형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계, 상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 활성층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. 여기서 상기 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 성장시키는 단계 전에, 상기 기판 위에 AlN 완충층을 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층은 1층 내지 50층의 적층 구조로 성장되는 것을 특징으로 한다.

상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 성장시키는 단계는, 상기 GaN 완충층을 상대적으로 높은 제 1 온도에서 성장시키는 단계 및 상기 Al_XGa_1-XN 완충층을 상기 제 1 온도보다 상대적으로 낮은 제 2 온도에서 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 여기서 상기 제 1 온도는 900 내지 1200℃이고, 상기 제 2 온도는 500 내지 1000℃인 것을 특징으로 한다. 또한 상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층은 그 성장 두께가 각각 1 내지 1000Å으로 성장되는 것을 특징으로 한다.

상기 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시키는 단계에서, 첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되 면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 한다. 여기서 상기 Al_XGa_1-X N 층의 Al 조성인 X가 0일 때 적층이 끝나는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.

도 3은 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.

도면을 참조하면 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광 소자는 기판과, 상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 완충층과, 상기 완충층 위에 형성된 n형 GaN 박막과, 상기 n형 GaN 박막 위에 형성된 활성층 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 GaN 박막을 포함한다. 상기 적층 구조로 형성되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층에서 상기 GaN은 도핑하지 않은 GaN을 사용한다. 상기 기판은 예를 들어 사파이어, SiC 또는 실리콘 등을 사용할 수 있다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이 기판 상의 완충층에 있어서 AlN 고온 완충층을 더 포함할 수 있다.

GaN 반도체는 격자 정합이 되는 기판이 부재하고, 격자 상수 및 열팽창 계수 의 차이가 커서 양질의 GaN 반도체 박막 성장이 매우 어려운 실정이다. 따라서 격자 상수가 불일치하는 이종 기판 상에 500℃ 부근의 저온에서 핵성장 생성을 목적으로 완충층을 성장시킨 후, 상기보다 높은 1000℃ 이상의 고온에서 GaN 반도체 결정 박막을 성장시킨다. 이렇게 성장된 반도체의 완충층 영역에는 격자 상수의 불일치에서 비롯되는 고농도의 결함이 발생하지만 상당 부분 연속함으로써 최종 성장되는 완충층 상에 적층되는 박막층에서는 결정 결함이 감소된다.

따라서 완충층에서의 결함 감소는 그 상부에 성장되는 박막 결정의 결함 밀도에 영향을 주며, 이는 양질의 박막을 성장시키기 위하여 매우 중요하다.

본 발명은 이러한 완충층으로서 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 다중완충층을 포함한 반도체 발광 소자용 기판을 제공한다.

도 4는 본 발명에 의한 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 다중완충층을 확대하여 나타낸 단면도이다.

상기 다중완충층은 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층을 교대로 성장시킴으로써, 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이에 의하여 발생되는 디스로케이션(dislocation)과 같은 결정 결함을 효과적으로 감소시킬 수 있다. 따라서 다중완충층 위에 성장되는 질화물 반도체 층의 결정 결함을 현저하게 감소시키고 결정성을 향상시킴으로써, 양질의 GaN 반도체를 얻을 수 있다.

또한 본 발명에 의한 다중완충층의 구성은 실리콘을 기판으로 사용하여 발광 소자를 제작했을 때, 실리콘 자체의 낮은 밴드갭(bandgap) 에너지(1.2eV)에 의해 종래 발광 파장이 흡수되는 문제를 해결할 수 있다.

일반적으로 반사기(DBR : Distributed Bragg Reflector)는 서로 다른 굴절률을 가지는 물질을 교대로 적층시키며, 흡수가 일어나지 않도록 발광 파장보다 밴드갭 에너지가 커야 한다. 또한 두 반사기 물질 간의 굴절률 차이가 크면 클수록 반사율이 커진다.

종래 GaAs 계열의 발광 소자는 GaAs 및 AlAs와 같이 서로 격자 상수가 비슷하여 에피택시 성장(epitaxial growth)이 가능한 반도체 물질을 반사기로 사용하였다. 또한 질화갈륨계 반도체 발광 소자의 경우는 반사기의 물질로 GaN, AlGaN 또는 AlN 등이 사용 가능하다. 이들로 구성되는 반사기는 GaN 층과 밴드갭 에너지가 큰 AlGaN 층을 적층하여 구성함으로써 더욱 높은 고반사율을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층이 교대로 적층된 다중완충층으로 인해 높은 휘도와 반사율을 얻을 수 있다.

따라서 본 발명에 의한 GaN 및 Al_XGa_1-XN의 다중완충층은 이종 접합에 의한 결정 결함을 감소시킴은 물론, 반사기의 기능을 포함하고 있으므로 소자 구현시 높은 휘도의 발광 특성을 주는 이점이 있다. 특히, 실리콘 기판을 사용하여 발광 소자를 제작하는 경우에도 다중완충층을 구성하여 반사기 역할을 함으로써, 상기 언급한 바와 같이 실리콘에 의해 빛이 흡수되는 현상을 막고 고반사율과 높은 발광 효율을 얻을 수 있다.

상기 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법은 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시키는 단계, 상기 성장된 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층 위에 n형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계, 상기 n형 GaN 박막 위에 활성층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함한다. 또한 상기 기판 상에 다중완충층을 성장시키기 전에 AlN 완충층을 성장시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

질화물 반도체의 대표적인 예로 질화갈륨계 반도체 발광 소자를 도시한 도 3 또는 도 4를 참조하여 설명하면, 먼저 실리콘 기판 상에 AlN 완충층을 성장시킨다. 본 실시예는 실리콘의 [111] 면을 GaN 반도체의 성장 기판으로 한다. 상기 AlN 완충층은 기판 상에서 1200℃ 정도의 고온에서 20 내지 100㎚로 성장시킨다. AlN 완충층 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시킨다. 상기 GaN 완충층은 상대적으로 높은 온도에서 성장되며, 상기 Al_XGa_1-XN 완충층은 상대적으로 낮은 온도에서 성장된다. 또한 상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층은 1층 내지 50층 사이의 적층 구조로 성장되는 것을 특징으로 한다.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층이 적층 구조로 성장됨에 있어서, 상기 GaN 완충층은 상대적으로 높은 온도인 900 내지 1200℃에서 성장되며, 이 때 유기금속 화학 기상증착법(MOCVD)에 의해 TMG, NH₃를 이용하여 1 내지 1000Å의 두께로 성장시킨다. 또한, 상기 Al_XGa_1-XN 완충층은 상대적으로 낮은 온 도인 500 내지 1000℃에서 성장되며, TMGa, TMAl, NH₃를 이용하여 1 내지 1000Å의 두께로 성장시킨다.

이와 같은 저온, 고온에서의 반복적인 다중완충층 성장 공정을 통하여, 기판과 질화물 반도체 층의 병합을 유도하며, 각 층의 적층 시 디스로케이션과 같은 결정 결함의 감소 효과가 발생되게 된다. 이와 같은 다중완충층의 성장을 통하여, 최종 성장되는 완충층 상에 적층되는 고온의 반도체 결정층은 매우 좋은 결정 특성을 나타낼 수 있게 된다.

또한 본 발명에 의한 다중완충층을 적층 구조로 성장시킬 때, 기판 상부의 첫 번째 AlGaN 층의 Al 조성을 x1이라고 하고, 상기의 Al_X1Ga_1-X1N 위에 적층되는 두 번째 AlGaN 층의 Al 조성을 x2라고 한다. 이 때, x1과 x2는 x1 > x2의 관계를 가지며 0≤x1≤1을 만족해야 한다. 적층이 진행되면서 Al의 조성인 x는 일정한 수식에 따라 감소하며, x=0일 때 다중완충층의 적층이 끝난다. 즉, Al의 조성은 적층이 되면 될 수록 일정하게 감소하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 Al의 조성이 일정하게 변하는 상기 다중완충층은 반사기(DBR)로 적용하여 고반사율과 고굴절율을 얻을 수 있고, 발광 소자 구현시 소자의 휘도를 향상시킬 수 있다.

상기와 같이 적층된 다중완충층 위에 실리콘이 도핑된 n형 질화물 반도체 박막을 성장시켜 제 1 전극층으로 하고, 상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 원하는 파장 대역을 조절할 수 있는 InGaN 및 GaN의 활성층을 성장시키고, Mg 원자가 도핑 된 p형 질화물 반도체 박막을 제 2 전극층으로 하여 구성한다.

상기 상술한 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.

상술한 바와 같은 제조 방법으로 본 발명의 질화물 반도체 발광 소자는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층이 적층 구조로 성장된 다중완충층을 포함함으로써, 결함 밀도를 감소시켜 결정성을 향상시키고, 높은 신뢰성과 휘도를 갖는 질화물 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 발광 소자용 기판과 질화물 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법은 반복적인 다중완충층의 성장 공정을 통하여, 각 층의 적층시 결정 결함을 감소시키며 양질의 반도체 박막을 형성하고 그 성능을 향상시킬 수 있다. 또한 Al의 조성이 일정한 비율로 감소하도록 구성된 다중완충층의 GaN 및 AlGaN 층에 의하여 반사기로써의 기능을 하며 높은 휘도와 재현성을 갖는 장점이 있다.

Claims (13)

1. 반도체 발광 소자용 기판으로서,

   기판; 및

   상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 다중완충층을 포함하는 반도체 발광 소자용 기판.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 기판 위에 첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자용 기판.
3. 기판;

   상기 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층(여기서, 0≤X≤1)이 적층 구조로 형성된 다중완충층;

   상기 다중완충층 위에 형성된 n형 질화물 반도체 박막;

   상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 형성된 활성층; 및

   상기 활성층 위에 형성된 p형 질화물 반도체 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
4. 청구항 3에 있어서,

   상기 기판과 다중완충층 사이에 AlN 완충층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,

   상기 기판 위에 첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
6. 기판 위에 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시키는 단계;

   상기 성장된 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층 위에 n형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계;

   상기 n형 질화물 반도체 박막 위에 활성층을 성장시키는 단계; 및

   상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 성장시키는 단계 전에,

   상기 기판 위에 AlN 완충층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
8. 청구항 6에 있어서,

   상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층은 1층 내지 50층의 적층 구조로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
9. 청구항 6에 있어서,

   상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 성장시키는 단계는,

   상기 GaN 완충층을 상대적으로 높은 제 1 온도에서 성장시키는 단계; 및

   상기 Al_XGa_1-XN 완충층을 상기 제 1 온도보다 상대적으로 낮은 제 2 온도에서 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 제 1 온도는 900 내지 1200℃이고, 상기 제 2 온도는 500 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
11. 청구항 6에 있어서,

    상기 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층은 그 성장 두께가 각각 1 내지 1000Å으로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
12. 청구항 6 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 복수의 GaN 및 Al_XGa_1-XN 완충층을 적층 구조로 성장시키는 단계에서,

    첫 번째 적층되는 GaN 및 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X는 0≤X≤1이고, 적층이 진행되면서 Al의 조성 X는 일정하게 감소하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
13. 청구항 12에 있어서,

    상기 Al_XGa_1-XN 층의 Al 조성인 X가 0일 때 적층이 끝나는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.

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