KR20050057928A - 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기에 관한 것으로, 증폭부, 바이어스부 및 역방향 다이오드를 포함한다. 증폭부는 입력 고주파 신호를 선형 증폭하기 위해 적어도 하나 이상의 증폭 트랜지스터를 구비한다. 바이어스부는 증폭부의 베이스 단자와 기준 전압 사이에 연결되어, 증폭부에 대한 기준 바이어스 전압을 공급한다. 역방향 다이오드는 바이어스부와 증폭부에 입력 고주파 신호를 공급하는 구동단 사이에 연결되어, 구동단의 출력 고주파 신호 중 일부를 바이어스부로 커플링시킨다. 본 발명에 따르면, 역방향으로 바이어스된 다이오드가 구동단의 출력전력 세기에 따라 크기가 다른 RF 신호를 커플링시켜 바이어스 트랜지스터에 공급함으로써 전력단의 공급 DC 전류를 출력전력에 따라 적응적으로 공급하며, 이로 인해 작은 출력전력에서는 삽입 손실을 최소화하고 높은 출력전력에서는 높은 선형성을 확보할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 바이어스 회로는 아주 작게 구현될 수 있어 실제적인 단말기 전력증폭기에 용이하게 내장될 수 있다.

Description

적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기 {POWER AMPLIFIER WITH ADAPTIVE REVERSE DIODE}

본 발명은 이동통신용 전력증폭기에 관한 것으로, 보다 구체적으로 이동통신 단말기에 내장되는 전력증폭기의 출력전력에 따른 적응형 선형화기를 내장한 전력증폭기에 관한 것이다.

일반적으로 이동통신 시스템에 필수적인 전력증폭기(Power Amplifier)는 비선형(Nonlinear) 특성을 갖는 포화 영역(Saturation region)에서 동작하는 경우, 비선형적인 특성에 의해서 출력신호의 크기와 위상이 왜곡되어 신호 왜곡 성분을 발생하게 되므로 송신 시스템의 성능을 크게 저하시키게 된다.

이러한 혼변조 왜곡 성분을 줄이기 위해서 고선형성을 가지면서 출력을 선형적으로 증폭시키는 전력증폭기의 선형화 방법이 제안되고 있다. 이러한 전력증폭기를 선형화시키는 방법으로는 백오프(Back-off) 방법과 선형화기를 내장한 바이어스 구조 등이 있다.

우선 백오프 방법은 전력증폭기를 P1 ㏈ 대역에서 사용하는 경우 비선형성이 심하게 일어나므로 전력증폭기의 출력을 P1 ㏈에서 몇 ㏈ 백오프시켜 사용하는 방법이다. 하지만, 백오프 선형화 방법은 증폭기의 최대 효율을 갖는 최대 출력 영역이 아닌 몇 ㏈ 낮은 영역에서 전력증폭기를 동작시키기 때문에 전력증폭기의 효율이 매우 낮아지는 문제점이 있다.

이러한 문제점을 해결하기 위해 바이어스 구조에 간단한 수동소자를 이용한 선형화기를 구비하여 문제를 해결하는 방법이 제시되었다. 증폭용 트랜지스터로 들어가는 입력신호(구동단의 출력신호)의 일정량을 커플링시킴으로써 비선형성에 의하여 증폭용 트랜지스터의 베이스-이미터 전위의 전압 강하를 보상시키는 방법이다. 이때 보상되는 효과는 커플링되는 신호의 양에 좌우되며 바이어스 회로 쪽으로 커플링되는 신호(트랜스미션 전력: S₂₁)의 양이 크면 삽입 손실은 커지나 비선형이 보상되는 양도 커지게 되고, 커플링되는 신호의 양이 작으면 그 반대의 현상이 일어난다.

한편, 대한민국 특허출원번호 제2001-41121호(2001. 7. 10 출원)에는 "선형화기 커패시터를 이용한 전력 증폭회로"가 개시되어 있는 바, 구체적으로, 바이어스용 트랜지스터의 베이스단에 선형화기 커패시터를 병렬로 연결시킴으로써 고주파에서 바이어스용 회로로의 임피던스를 낮추어 고주파 입력신호가 증가하여 입력될 경우, 임피던스가 낮추어진 바이어스용 트랜지스터 방향으로 고주파 입력신호가 많이 삽입되어 바이어스 트랜지스터의 베이스-이미터단의 전위가 줄어들어 신호 증폭용 트랜지스터의 베이스-이미터단의 전압이 감소되는 특성을 보상해주는 선형화기 커패시터를 이용한 전력 증폭회로가 개시되어 있는데, 이하 도 1을 참조하여 구체적으로 설명한다.

도 1은 종래 기술에 따른 전력증폭기의 구조 및 선형화기를 내장한 바이어스 구조를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 신호 증폭용 트랜지스터(101)는 Vcc 전원에 의해 동작된 후, 베이스단을 통해 제공되는 입력신호(P_in)를 증폭시키는 증폭용 트랜지스터로서, 임피던스가 낮은 바어어스용 트랜지스터(102) 방향으로 고주파 입력신호가 많이 삽입되어 바이어스용 트랜지스터의 베이스-이미터단의 전위(V_BE2)가 줄어들어, 상기 신호 증폭용 트랜지스터(101)의 베이스-이미터 전압(V_BE1)이 감소하게 되는 특성을 보상할 수 있는 것이다. 이러한 바이어스용 트랜지스터(102)의 낮은 임피던스를 위해서 접지와 병렬로 연결되는 선형화기 커패시터(103)를 삽입하여 전력증폭기가 선형적으로 동작할 수 있게 한다. 여기서, 미설명 도면부호 104 및 105는 트랜지스터, 도면부호 106은 저항, 도면부호 107은 커패시터를 나타낸다.

하지만 전술한 종래 기술은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다.

첫째, 낮은 출력전력에서도 바이어스용 트랜지스터(102) 쪽으로 입력신호가 삽입되어 큰 삽입 손실을 야기하고, 입력 커플링되는 지점이 바이어스 트랜지스터(102)의 이미터 부분이어서 보정 효과가 거의 없다는 문제점이 있다.

둘째, 입력신호가 바이어스용 트랜지스터(102)의 이미터 부분에 의하여 삽입되므로, 바이어스 회로의 임피던스를 낮추기 위하여 큰 용량의 커패시터를 요구하게 되고, 이는 웨이퍼 상의 불필요한 면적이 필요하게 되므로 MMIC의 부피와 가격을 증가시킨다는 문제점이 있다. 여기서, 상기 MMIC는 "Monolithic Microwave Integrated Circuits"의 약자로서, 모든 능동소자와 수동소자들이 하나의 기판 위에서 다 구현된 회로 형태를 지칭하는 말이다.

도 2는 종래 기술에 따른 다른 전력증폭기의 구조 및 선형화기를 내장한 바이어스 구조를 나타낸 도면이다.

도 2는 도 1의 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 구조로서, 도 1에 도시된 입력신호를 바이어스 트랜지스터(202)의 이미터 쪽으로 커플링시키는 대신 구동단의 출력에서 바이어스 트랜지스터(202)의 베이스단으로 신호를 커플링시킴으로써, 커플링 소자(커패시터: 203)의 용량을 줄여 MMIC 면적을 거의 차지하지 않으면서도 전력증폭기의 선형성을 확보하는 기술이다. 하지만 도 2에서 제공되는 종래의 기술도 최대 출력에서의 선형성을 확보하기 위하여 일정 용량의 커패시터가 필요하여 작은 출력 범위에서도 상대적으로 큰 삽입 손실을 야기하는 문제점을 안고 있다.

도 3은 전술한 도 2의 커플링 소자의 S₂₁에 따른 전력단 트랜지스터의 V_BE 값(도면부호 A 참조)과 삽입 손실량(도면부호 B 참조)을 출력전력에 대해 나타낸 것이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 커플링 소자의 S₂₁이 커지면 커질수록 전력단 트랜지스터의 V_BE가 효과적으로 보상되는 대신 바이어스 트랜지스터 쪽으로 삽입되는 손실(Insertion power through coupling component)은 더욱 커짐을 알 수 있다. 이를 해결하기 위해서는 입력 세기에 따라 S₂₁이 적응적으로 변할 수 있는 커플링 소자를 사용하여 입력신호의 세기가 작은 구간에서는 삽입 손실을 최소화시키고 입력신호의 세기가 큰 구간에서는 효과적으로 비선형성이 보정되는 적응형 선형화 구조 및 방법이 요구된다.

상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 이동통신 단말기의 전력증폭기의 비선형 문제점을 해결하기 위하여, 역방향 다이오드를 사용하여 입력 고주파 신호를 선형적으로 증폭시킬 뿐만 아니라 출력전력의 신호의 세기에 따라 바이어스 트랜지스터 쪽으로 커플링되는 입력신호의 양을 제어할 수 있는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기를 제공하기 위한 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은 출력전력이 작은 구간에서는 삽입 손실을 최소화시키고 출력 구간이 큰 영역에서는 선형성을 극대화시킬 수 있는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기를 제공하기 위한 것이다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기는,

입력 고주파 신호를 선형 증폭하여 출력하는 선형 전력증폭기로서,

입력 고주파 신호를 선형 증폭하는 적어도 하나 이상의 증폭 트랜지스터를 구비한 증폭부; 상기 증폭부의 베이스 단자에 기준 전압 사이에 연결되어, 상기 증폭부에 대한 기준 바이어스 전압을 공급하는 바이어스부; 및 상기 바이어스부와 상기 증폭부에 입력 고주파 신호를 공급하는 구동단 사이에 연결되어, 상기 구동단의 출력 고주파 신호 중 일부를 상기 바이어스부로 커플링시키는 역방향 다이오드를 포함한다.

또한, 상기 전력증폭기는 상기 바이어스부와 접지 사이에 연결되어, 상기 바이어스부가 상기 기준 전압 및 온도의 변화에 상관없이 상기 바이어스부에 공급되는 전류가 일정하도록 하는 전류 보상부를 더 포함한다.

여기서, 상기 바이어스부는, 상기 증폭부의 베이스 단자에 이미터 단자가 연결되고, 상기 콜렉터 단자가 상기 기준 전압에 연결되며, 상기 베이스 단자가 상기 전류 보상부에 연결되어, 상기 증폭부에 기준 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 트랜지스터; 및 상기 기준 전압과 상기 바이어스 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 연결되어, 상기 기준 전압에서 상기 바이어스 트랜지스터와 증폭부의 바이어스 지점을 결정하는 저항을 포함한다.

또한, 상기 역방향 다이오드는 상기 바이어스부에 의해 상기 증폭부로 공급되는 바이어스 전압에 대해서 역방향으로 연결되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 역방향 다이오드는 상기 구동단에서 출력되는 입력 고주파 신호의 세기에 따라 상기 바이어스부로 커플링되는 양을 변경시키는 것이 바람직하다.

또한, 상기 역방향 다이오드는 상기 구동단의 출력전력 세기에 따라 크기가 다른 RF 신호를 커플링시켜 상기 바이어스 트랜지스터에 공급하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 증폭부는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor: HBT)를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 증폭부는 큰 출력의 고주파 신호를 출력하기 위해서 복수 개의 HBT를 병렬로 묶어서 사용하는 것이 바람직하다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기의 바이어스 회로 및 방법을 상세히 설명한다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기의 바이어스 회로의 구조를 나타내는 도면으로서, 바이어스 회로 쪽으로 구동단(P_in)의 출력이 커플링되었을 때의 구조도를 나타낸 것이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 선형 전력증폭기는 증폭부(401), 바이어스 트랜지스터(402) 및 역방향 다이오드(403)를 포함한다.

증폭부(401)는 입력 고주파 신호를 선형 증폭하는 적어도 하나의 증폭 트랜지스터를 구비한다. 이러한 증폭부(401)는 입력 고주파 신호(P_in)를 선형 증폭하여 출력(P_out)하는 증폭 트랜지스터로서, 이종접합 바이폴라 트랜지스터 (Heterojunction Bipolar Transistor: HBT)를 사용한다. 일반적으로 큰 출력의 고주파 신호를 내기 위해서 여러 개의 HBT를 병렬로 묶어서 사용한다.

바이어스 트랜지스터(402)는 증폭부(401)의 베이스에 이미터가 연결되고, 기준 전압(V_ref)에 콜렉터가 연결되어 증폭부(401)에 기준 바이어스 전압을 공급한다. 이 때, 기준 전압(V_ref)과 바이어스 트랜지스터(402)의 베이스 사이에 연결된 저항(406)은 기준 전압(V_ref)에서 바이어스 트랜지스터(402)와 증폭부(402)의 바이어스 지점을 결정해주는 역할을 한다.

역방향 다이오드(403)는 바이어스 트랜지스터(402)의 베이스와 구동단의 출력 노드를 연결하는 적어도 1개 이상의 역방향 다이오드를 포함한다. 이 때, 역방향 다이오드(403)는 구동단의 출력전력(P_in)에 대해서는 순방향으로 연결되지만, 바이어스 트랜지스터(402)에 의해 증폭부(401)로 공급되는 바이어스 전압에 대해서는 역방향으로 연결된다.

저항(406)과 접지 사이에 연결된 다이오드 연결형(Diode-connected) 트랜지스터(404, 405)는 기준 전압(V_ref)이나 온도의 변화에 대해서 보상되는 전류를 바이어스 트랜지스터(402)를 통해 공급한다.

따라서, 증폭부(401)에 대한 실질적인 바이어스 회로는 바이어스 트랜지스터 (402)와 저항(406)으로 이루어진다. 바이어스 트랜지스터(402)는 증폭부(401)에 전류를 공급하는 소자로서, 그 개수는 증폭부(401)의 HBT가 최대 출력전력일 때 안정적으로 DC 전류를 공급하기 위한 적은 개수이면 충분하다.

한편, 역방향 다이오드(403)는 구동단의 출력신호의 일부를 바이어스 트랜지스터(402)의 베이스 쪽으로 커플링하는 역할을 한다. 즉, 역방향 다이오드(403)는 수신된 입력 고주파 신호의 출력전력 세기에 따라 크기가 다른 고주파 신호를 제어 가능하도록 커플링시키게 된다.

도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 역방향 바이어스된 다이오드(403)의 등가회로를 나타내는 도면이고, 도 5b는 입력신호의 세기에 따라 변하는 역방향 바이어스된 다이오드(403)의 바이어스 트랜지스터(402) 쪽으로의 트랜스미션 상수값을 나타낸 그래프이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 역방향 바이어스된 다이오드(403)는 다이오드(403)에 인가되는 입력신호의 세기에 따라 가변 커패시터와 가변 컨덕턴스의 병렬 회로 동작을 하게 된다. 비록 DC 바이어스는 역방향 상태를 유지하지만 큰 양(+)의 RF 신호(P_in)가 인가되었을 경우, 상기 역방향 바이어스된 다이오드 (403)는 RF적으로 순방향 바이어스로 바뀌게 된다. 이러한 현상은 도 5a에 도시된 가변 확산 커패시터(C_diff)를 입력신호가 증가함에 따라 증가하는 현상을 야기한다.

마찬가지로 RF신호 영역에서의 순방향 바이어스는 역방향 다이오드(403)의 컨던턴스(G_d) 값을 입력신호가 증가함에 따라 급격히 감소시키는 역할을 한다. 역방향 바이어스된 다이오드(403)에 입력신호가 증가함에 따라 급격히 감소되는 G_d와 급격히 증가하는 C_diff는 역방향 다이오드(403)를 통해 커플링되는 트랜스미션 상수(S₂₁)를 급격히 증가시킨다. 이는 입력신호의 크기가 작을 때 역방향 바이어스된 다이오드(403)의 S₂₁이 매우 커서 바이어스 트랜지스터(402) 쪽으로 삽입되는 손실이 거의 없게 동작시키고, 선형성 보정이 필요한 입력신호의 크기가 큰 경우에서는 S₂₁의 급격한 증가로 바이어스 트랜지스터(403)의 베이스 쪽으로 삽입되는 양이 커져서 증폭단의 비선형성에 의한 왜곡을 보정할 수 있도록 적응적으로 동작하는 것을 의미한다.

한편, 도 5b에 도시된 바와 같이, 입력신호(구동단의 출력전력의 세기)가 작은 경우에는 S₂₁ 값이 작아 삽입 손실을 최소화하고, 상기 입력신호가 큰 경우에는 S₂₁이 급격히 커져서 큰 신호를 출력시킬 때의 전력단의 비선형성을 보정함으로써, 상기 입력신호의 세기에 따라 적응적으로 동작할 수 있다.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 선형화기를 내장한 전력증폭기와 일반적인 전력증폭기와의 전력이득 곡선과 인접 채널 전력비를 비교하여 나타내는 도면이다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 역방향 바이어스 다이오드 선형화기를 내장한 전력증폭기와 일반적인 바이어스 회로를 갖는 전력증폭기와의 전력이득 곡선, 인접 채널 전력비(ACLR:Adjacent Channel Leakage Ratio)와 전력부가 효율(PAE)의 비교 결과가 도시되어 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 일반적인 바이어스 회로를 갖는 전력증폭기보다 본 발명의 실시예에서 제시한 선형화기를 사용했을 때는 1㏈ 전력이득 압축점은 4~5㏈ 정도로 향상되었고(도면부호 C 참조), 또한 ACLR도 최대 출력전력 지점에서 4~5㏈c 향상됨을 알 수 있다(도면부호 D, E 참조).

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외의 다양한 변경이나 변형이 가능하다.

본 발명에 따르면, 이동통신 단말기의 선형 전력증폭기를 제작하는데 있어서, 바이어스 회로의 베이스단과 구동단의 출력에 역방향 다이오드를 추가 연결하여 입력 고주파 신호의 세기에 따라 적응적으로 동작시킴에 따라 입력 세기가 작은 구간에서는 삽입 손실을 최소화하고, 신호의 세기가 큰 구간에서는 효과적으로 증폭용 트랜지스터의 비선형성을 보정할 수 있다.

또한, 본 발명은 간단한 회로의 구현으로 손실이 적은 선형화기 내장한 단말기용 전력증폭기를 제공할 수 있다.

도 1은 종래 기술에 따른 전력증폭기의 구조 및 선형화기를 내장한 바이어스 구조를 나타내는 도면이다.

도 2는 종래 기술에 따른 바이어스 회로단으로의 커플링 효과를 이용한 선형화기 구조를 나타내는 도면이다.

도 3은 종래 기술에 따른 회로단으로 커플링되는 S₂₁ 양에 따른 선형성 보정 효과를 나타내는 도면이다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기의 바이어스 회로의 구조를 나타내는 도면이다.

도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 역방향 바이어스된 다이오드의 등가회로를 나타내는 도면이고, 도 5b는 입력신호의 세기에 따라 변하는 역방향 바이어스된 다이오드의 바이어스 트랜지스터 쪽으로의 트랜스미션 상수값을 나타낸 그래프이다.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 선형화기를 내장한 전력증폭기와 일반적인 전력증폭기와의 전력이득 곡선과 인접 채널 전력비를 비교하여 나타내는 도면이다.

Claims (8)

1. 입력 고주파 신호를 선형 증폭하여 출력하는 선형 전력증폭기에 있어서,

   입력 고주파 신호를 선형 증폭하는 적어도 하나 이상의 증폭 트랜지스터를 구비한 증폭부;

   상기 증폭부의 베이스 단자와 기준 전압 사이에 연결되어, 상기 증폭부에 대한 기준 바이어스 전압을 공급하는 바이어스부; 및

   상기 바이어스부와 상기 증폭부에 입력 고주파 신호를 공급하는 구동단 사이에 연결되어, 상기 구동단의 출력 고주파 신호 중 일부를 상기 바이어스부로 커플링시키는 역방향 다이오드

   를 포함하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
2. 제1항에 있어서,

   상기 바이어스부와 접지 사이에 연결되어, 상기 바이어스부가 상기 기준 전압 및 온도의 변화에 상관없이 상기 바이어스부에 공급되는 전류가 일정하도록 하는 전류 보상부를 더 포함하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
3. 제1항에 있어서,

   상기 바이어스부는,

   상기 증폭부의 베이스 단자에 이미터 단자가 연결되고, 상기 콜렉터 단자가 상기 기준 전압에 연결되며, 상기 베이스 단자가 상기 전류 보상부에 연결되어, 상기 증폭부에 기준 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 트랜지스터; 및

   상기 기준 전압과 상기 바이어스 트랜지스터의 베이스 단자 사이에 연결되어, 상기 기준 전압에서 상기 바이어스 트랜지스터와 증폭부의 바이어스 지점을 결정하는 저항

   을 포함하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 역방향 다이오드는 상기 바이어스부에 의해 상기 증폭부로 공급되는 바이어스 전압에 대해서 역방향으로 연결되는 것을 특징으로 하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
5. 제4항에 있어서,

   상기 역방향 다이오드는 상기 구동단에서 출력되는 입력 고주파 신호의 세기에 따라 상기 바이어스부로 커플링되는 양을 변경시키는 것을 특징으로 하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
6. 제4항에 있어서,

   상기 역방향 다이오드는 상기 구동단의 출력전력 세기에 따라 크기가 다른 RF 신호를 커플링시켜 상기 바이어스 트랜지스터에 공급하는 것을 특징으로 하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
7. 제4항에 있어서,

   상기 증폭부는 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor: HBT)를 사용하는 것을 특징으로 하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.
8. 제7항에 있어서,

   상기 증폭부는 큰 출력의 고주파 신호를 출력하기 위해서 복수 개의 HBT를 병렬로 묶어서 사용하는 것을 특징으로 하는 적응형 역방향 다이오드 구조를 갖는 전력증폭기.