KR20050024243A - 발광 장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 9-ethyl-3-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-(9-ethylcarbazol-3-yl)ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(/C=C/C4=CC=C(C=C4)C4=CC=C(C=C4)/C=C/C=4C=C5C6=CC=CC=C6N(C5=CC=4)CC)=CC=C3N(CC)C2=C1 RAPHUPWIHDYTKU-WXUKJITCSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- -1 aryl ethylyl benzene derivative Chemical class 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
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Abstract
발광 장치는 기판 상에 배치되는 EL 소자, 광 공진 구조 및 형광체층을 포함한다. 기판은 입사면과 입사면에 반대측에 광방사면을 갖는다. EL 소자는 490 nm 이하의 파장에서 피크를 갖는 광을 방사하기 위하여 기판의 입사면측 상에 형성된다. 광 공진 구조는 EL 소자로부터 방사되는 광 중 공진 파장을 갖는 광을 증대하기 위하여 기판측의 입사면측 상에 형성된다. 형광체층은 기판으로부터 방사되는 광을 백색광으로 변환하기 위하여 기판의 광방사면 상에 형성된다.
Description
본 발명은 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 광원으로 유기 EL 을 이용한 발광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치의 백라이트용으로 EL 패널을 이용하는 것이 알려져 있다. EL 패널은 기판 상에 애노드, EL 층, 및 반사형 캐소드가 순서대로 적층된 적층물로부터 형성되는 EL 소자를 포함한다. 애노드는 투명한 ITO 와 같은 재료로부터 형성된다. EL 소자에 전력이 공급될 때, 기판으로부터 광이 방사된다. EL 소자로부터 방사되는 광을 효율적으로 이용하기 위하여, 유기 EL 소자로부터 기판으로 입사되는 광선은 EL 소자에 대향하는 표면과 반대되는 측 (광방사면) 으로부터 효율적으로 출사되는 것이 필요하다. 그러나, EL 소자로부터 방사되는 광이 다양한 방향으로 전달하기 때문에, 기판 상에 광이 입사되는 각도가 또한 변화한다. 따라서, 광방사면으로부터 출사되지 않고 직접, 또는 광방사면 상에 전반사된 후 기판 내부로 안내되는, 기판의 일측 표면으로부터 방사되는 상당량의 광선이 있다. 따라서, 통상 EL 층으로부터 방사되는 광선 중 상당량이 EL 패널에서 소모된다.
풀 컬러 모드 디스플레이를 수행하는 경우, 적 (R), 녹 (G), 청 (B) 의 3가지 착색 필터에 의해 EL 층으로부터 방사되는 백색광으로부터 소정의 컬러를 표시하는 표시 장치가 있다.
통상의 백색 발광 장치에서는, 발광 재료로서, 3 가지 기본 컬러 적 (R), 녹 (G), 청 (B) 에 대응하는 상이한 재료를 이용하는 것 또는 청/황 또는 블루 라임/오렌지와 같은 보색에 대응하는 상이한 재료를 이용하는 것이 필요하다. 따라서, 통상의 발광 장치는 시간에 따라 열화에 의해 컬러 밸런스가 쉽게 변화될 수 있는 단점을 갖는다. 이러한 문제를 해결하기 위하여, 일본 공개 특허 공보 제 2001-284049 호는 기판 상에 오르토-메탈레이트 복합체 (Ortho-metalated complex) 를 포함하는 광 변환막, 투명 전극, 유기 발광층 및 반대되는 전극을 포함하는 발광 장치를 개시한다. d일본 공개 특허 공보 제 2001-284049 호는 발광 장치용으로 녹색광을 방출하는 장치, 적색광을 방출하는 장치, 및 백색광을 방출하는 장치를 개시한다. 일본 공게 특허 공보에서는 광 마이크로 공진기 (마이크로캐비티) 를 갖는 유기 발광 장치를 또한 이용할 수 있다는 것을 개시한다.
마이크로캐비티를 이용할 때, 특정 파장을 갖는 광은 이 파장을 갖는 광의 방향의 개선과 함께 개선되어야 한다. 광의 방향은 마이크로캐비티의 두께를 조절한다. 이러한 직진성을 갖는 광은 기판과의 계면에서 반사되거나 기판 내에서 반사되는 광을 감소시킬 수 있기 때문에, 광방사면으로부터 효율적으로 출사된다.
그러나, 마이크로캐비티와 컬러 변환막의 결합물을 이용함으로써 백색광 발광 장치를 구성할 때, 공보에 개시된 구성으로 광 추출 효율성을 개선시키는 것은 어렵다.
즉, 마이크로캐비티에 직진성이 제공되고 증대되는 광은 이 공보에 개시된 구성의 기판을 통과하기 전에 컬러 변환된다. 직진성은 광의 산란이 컬러 변환 동안 부적합하기 때문에 열화된다. 그 결과, 광 추출 효율은 광 변환이 수행되지 않는 경우에 비하여 감소된다.
본 발명은 전술한 문제의 관점에서 발명된 것이다. 본 발명의 목적은, 단색광을 방사하는 EL 소자를 이용하여 백색광을 방사할 수 있도록 함으로써, EL 소자의 광 추출 효율성을 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시형태는 기판 상에 배치되는 EL 소자, 광 공진 구조 및 형광체층을 갖는 발광 장치를 제공한다. 이 기판은 입사면과 이 입사면에 반대되는 광방사면을 갖는다. EL 소자는 490 nm 이하의 파장의 피크를 갖는 광을 방사하기 위하여, 기판의 입사면측 상에 형성된다. 광 공진 구조는 EL 소자로부터 방사되는 광 중 공진 파장을 갖는 광을 증대시키기 위하여 기판측의 입사면측 상에 형성된다. 형광체층은 기판으로부터 방사되는 광을 백색광으로 전환하기 위하여 기판의 광방사면측 상에 형성된다.
본 발명은, 그 목적 및 이점과 함께, 첨부된 도면을 참조하여 다음의 본 바람직한 실시형태를 설명함으로써 이해할 수 있다.
이하, 도 1(a) 및 도 1(b) 를 참조하여, 유기 EL 소자를 이용하는 바텀 에미션 타입 발광 장치에 적용되는 본 발명의 제 1 실시형태를 설명한다. 도 1(a) 는 발광 장치를 개략적으로 나타내며, 도 1(b) 는 장치의 동작을 나타내는 부분 확대도이다.
EL 소자는 490 nm 이하의 파장 피크를 갖는 청색광 내지 자외선광을 방사한다. 광 공진 구조의 기능을 통하여, 공진 파장에서 EL 소자로부터 방사되는 광의 세기가 증대되며, 광의 직진성 또한 개선된다. 다음으로, 광은 기판으로 입사된다. 광은 기판의 광방사면측에 배치되는 형광체층을 통하여 백색광으로 변환되고, 이 발광 장치를 출사한다. 따라서, 발광 장치는 단색광을 방사하는 EL 소자에 의해 백색광을 방사할 수 있는 바텀 에미션 타입이며, EL 소자의 광 추출 효율이 개선된다.
발광 장치 (11) 는 기판 (12) 의 광방사면 (12a) 상에, 공진 파장의 광을 증대하기 위한 광 공진 구조에 이용되는 마이크로캐비티 구조 (14) 와 유기 EL 소자 (13) 를 갖는다. 이 장치 (11) 는 광방사면 (12b) 측에, 기판 (12) 으로부터 방사되는 광을 백색광으로 변환하는 형광체층 (15) 을 포함한다.
기판 (12) 은 490 nm 이하의 파장을 갖는 광에 대하여, 예를 들면 글라스 플레이트와 같은 투명성을 갖는 재료로부터 형성된다. 제 1 실시형태에서, 마이크로캐비티 구조 (14) 는 기판 (12) 의 입사면 (12a) 상에 형성되며, 유기 EL 소자 (13) 는 마이크로캐비티 구조 (14) 상에 형성된다.
마이크로캐비티 구조 (14) 는 하프미러 (16), 버퍼층 (17) 및 하프미러 (18) 가 순서대로 기판 (12) 상에 형성되는 구조이다. 하프미러 (16, 18) 는 광에 대한 투명성이 제공되도록 알루미늄과 같은 금속으로부터 5 nm 내지 30 nm 의 두께 범위로 형성된다. 버퍼층 (17) 은 투명 재료로부터 형성되며, λ/(2n) 의 정수배로 광학적 경로 길이에 대응하는 두께를 갖는다. 이 공식에서, λ는 공진 파장을 표시한다. 파장은 유기 EL 소자 (13) 로부터 방사되는 광의 피크 파장보다 짧은 범위 (예를 들면, 30 nm) 를 가질 수 있다. 이 공식에서, n 은 버퍼층을 형성하는 재료의 굴절율을 나타낸다.
유기 EL 소자 (13) 는 마이크로캐비티 (14) 상에 순서대로 제 1 전극 (19), 유기 EL 소자 (20) 및 제 2 전극 (21) 의 적층으로 형성된다. 제 1 실시형태에서, 제 1 전극 (19) 은 애노드를 형성하고 제 2 전극 (21) 은 캐소드를 형성한다.
제 1 전극 (19) 은 공지된 유기 EL 소자에 투명 전극으로 이용되는 ITO 또는 IZO 와 같은 임의의 재료를 포함한다. 제 2 전극 (21) 은 금속 (예를 들면, 알루미늄) 을 포함하고, 광 반사 특성이 제공된다. 광 반사 특성을 갖는 전극을 형성하기 위한 재료는 알루미늄으로 제한되지 않고, 크롬과 같은 다른 재료를 이용할 수 있다. 그러나, 크롬을 이용하는 경우는 알루미늄을 이용하는 경우에 비하여 반사성이 저하된다.
유기 EL 층 (20) 은 피크 파장을 갖는 청색 내지 자외선광을 방사하는 재료로 및 공지된 유기 EL 소자에 이용되는 재료로부터 형성될 수 있다. 이 층은 임의의 공지된 방법을 통하여 공지된 구조로 제조될 수 있다. 제 1 실시형태에서, 유기 EL 소자 (20) 는 3 개의 층, 홀 주입층, 홀 전송층, 및 발광층을 순서대로 제 1 전극 (19) 상에 적층하여 형성된다. 발광층은, 호스트로서 4,4-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-비페닐 (DPVBi) 과 도펀트로서 4,4'-(비스(9-에틸-3-카바조비닐렌)-1-1'-비페닐 (BCzVBi) 으로 구성되는 도프된 이미터로서, 30 nm 의 두께의 막으로 형성된다. BCzVBi 는 DPVBi 에 대하여 5.0 질량% 로 막에 포함된다. 홀 주입층은 제 1 실시형태에서는 구리 프탈로시아닌 (CuPc) 을 포함하고, 10 nm 의 두께를 갖는 층으로 형성된다. 홀 전송층은 터미널 페닐의 메타-위치에 메틸기를 갖는 트리페닐아민 테트라머 (TPTE) 를 포함하는 10 nm 두께의 막으로 형성된다.
유기 EL 소자 (13) 는 패시베이션막 (미도시) 으로 커버되어, 유기 EL 층 (20) 이 주변 분위기에 접촉되지 않도록 한다. 패시베이션막은 하프미러 (16), 버퍼층 (17), 하프미러 (18), 제 1 전극 (19), 유기 EL 층 (20) 및 제 2 전극 (21) 의 양 에지, 및 유기 EL 층 (20) 과 마주보는 제 2 전극 (21) 의 표면과 반대되는 제 2 전극 (21) 의 표면을 커버하기 위하여 형성된다. 패시베이션막은 실리콘 니트라이드 및 실리콘 옥사이드와 같은 수분 침투를 방지하는 임의의 재료로 형성된다.
형광체층 (15) 은 기판을 출사하는 광을 백색으로 변환하는 기능을 한다. 형광체층 (15) 의 재료는 예를 들면 YAG 형광재를 포함한다.
전술한 바와 같은 발광 장치 (11) 의 동작을 다음에 설명한다. 발광 장치 (11) 는 액정표시장치의 백라이트로 이용될 수 있다.
발광장치 (11) 에 전원을 인가하면, 유기 EL 층 (20) 이 청색광을 방사하도록 직류 전압을 제 1 전극 (19) 과 제 2 전극 (21) 사이에 제공한다. 도 1(b) 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광선은, 제 1 전극 (19) 으로부터 직접 투과되고 마이크로 구조 (14) 를 통과하는 광선, 및 상기 제 2 전극 (21) 에서 제 1 전극 (19) 을 향하여 반사되고 다음으로 마이크로 구조 (14) 를 향하여 이동하는 광선이다.
도 1(b) 에 나타낸 바와 같이, 하프미러 (16, 18) 간의 거리가, 공진 파장이 λ인 λ/(2n) 의 정수배로 설정되기 때문에, 마이크로캐비티로 입사되는 청색광은 하프미러 (16, 18) 사이에서 공진된다. 청색광의 세기는 공진 파장 (λ) 에서 증대된다. 광방사면 (12b) 에 수직한 방향으로 직진성이 증대된 후, 광은 형광체층 (15) 을 통과함으로써 광방사면 (12b) 으로부터 출사된다. 청색광은 형광체층 (15) 을 통해 투과하는 동안 백색광으로 변환되어, 발광장치 (11) 로부터 백색광을 방사하도록 한다.
액정표시장치에서, 발광장치 (11) 으로부터 방사되는 백색광은, 액정패널에 제공되는 적 (R), 녹 (G), 청 (B) 의 착색 컬러 필터에 의해 소정의 컬러로 변환되고 표시된다.
제 1 실시형태에서, 발광 장치 (11) 는 투명 기판 (12) 측의 입사면 (12a) 측에 490 nm 이하의 파장 피크를 갖는 광을 방사하는 EL 소자, 및 공진 파장의 광을 증대하는 마이크로캐비티 구조 (14) 를 갖는다. 장치 (11) 는 기판 (12) 측의 광방사면 (12b) 으로부터 방사하는 광을 변환하는 형광체층 (15) 을 갖는다. 따라서, EL 소자에서 방사되는 단색광은 EL 소자의 광추출 효율성이 증가될 수 있도록 형광체층 (15) 내에서 산란되지 않고 기판을 통과할 수 있다. 기판을 통과하는 광은 형광체층 (15) 에서 백색광으로 변환되기 때문에, 백색광은 단색광으로부터 획득될 수 있다.
EL 소자가 유기 EL 소자 (13) 이기 때문에, 무기 EL 소자가 이용되는 경우에 비해 제 1 실시형태에서 광 방사를 위하여 필요한 전압이 감소될 수 있다. 또한, 490 nm 이하의 피크 파장을 갖는 광 (청색광 또는 자외선광) 을 방사하기 위한 형광재를 용이하게 획득한다.
제 1 실시형태에서, 마이크로캐비티 구조 (14) 는, 유기 EL 소자 (13) 가 기판에 반대되는 방향으로 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광을 반사할 수 있는 유기 EL 소자 (13) 보다 기판 (12) 에 근접하여 배치된다. 따라서, 유기 EL 소자 (13) 로부터 방사되는 광은 유기 EL 소자가 마이크로캐비티 구조 (14) 와 기판 (12) 사이에 배치되는 구조에 비하여 보다 효율적으로 광방사면 (12b) 으로부터 출사된다.
마이크로캐비티 구조 (14) 가 유기 EL 소자 (13) 에 별도로 배치되기 때문에, 마이크로캐비티 구조 (14) 의 광학경로를 임의의 소정값으로 설정하는 것이 용이하다.
제 1 실시형태의 마이크로캐비티 구조 (14) 는, 마이크로캐비티 구조 (14) 가 버퍼층 (17) 의 두께가 소정의 광학 경로로 조절되는 버퍼층 (17) 및 하프미러 (16, 18) 로부터 형성되는, 단순한 구조로 형성될 수 있다.
도 2 에 나타낸 제 2 실시형태를 설명한다. 이 구조는 유기 EL 소자 (13) 로부터 방사되는 광이 기판과 반대되는 방향으로 출사되는 탑 이미션 타입 장치로 발광 장치가 형성된다는 점에서 제 1 실시형태와 상이하다. 또한, 제 2 실시형태는 유기 EL 소자 (13) 와 마이크로캐비티 구조 (14) 를 독립적으로 제공하는 대신, 유기 EL 소자 (13) 가 마이크로캐비티 구조 (14) 를 형성한다는 점에서 제 1 실시형태와 구별될 수 있다. 또한, 제 2 실시형태에서, EL 소자는 490 이하의 피크 파장을 갖는 청색광 내지 자외선광을 방사한다.
EL 소자로부터 방사되는 광의 세기는 공진 파장에서 증대되고, 또한 광의 직진성이 증대된다. 다음으로, 광은 기판에 대한 반대측을 향하여 출사된다. 이 광은 EL 소자를 통해 그리고 광학 공진 구조 외측 상에 배치되는 형광체층을 통해 투과하는 동안 백색광으로 변환되고 발광 장치를 출사한다. 따라서, 발광 장치는 탑 이미션 타입이다. 이 장치는 단색광 EL 소자에 의해 백색광을 방사할 수 있다. 광 추출 효율은 EL 소자에서 개선된다.
제 2 실시형태를 보다 상세하게 설명한다. 발광 장치 (11) 에서 기판 (12) 의 일측 상에 490 nm 이하의 파장 피크를 갖는 광을 출사하는 유기 EL 소자 (13) 가 제공된다. 유기 EL 소자 (13) 는 기판 (12) 상에 제 2 전극 (21), 유기 EL 층 (20) 및 제 1 전극 (19) 이 순서대로 적층되는 적층으로부터 형성된다. 유기 EL 층 (20) 및 제 2 전극 (21) 은 제 1 실시형태에 대해 설명되는 것과 유사한 재료로 형성된다. 제 1 전극 (19) 은, ITO 와 같은 투명 전극으로 이용되는 재료로부터 형성되는 대신 하프미러를 형성하기 위한 광학적 투명성을 제공하기 위하여, 5 nm 내지 30 nm 의 두께 범위를 갖는 금속으로 형성된다. 유기 EL 층 (20) 은 λ/(2n) 의 정수배의 광학적 경로에 대응하는 두께를 갖도록 형성된다. 즉, 유기 EL 소자 (13) 는 공진 파장의 광을 증대시키는 마이크로캐비티 구조 (14) 를 자체적으로 형성한다.
유기 EL 소자 (13) 는 패시베이션막 (미도시) 으로 커버되어, 주변 분위기에 대한 유기 EL 층 (20) 의 노출을 회피한다. 형광체층 (15) 은 패시베이션막을 개재함으로써 제 1 전극 (19) 상에 적층된다.
제 2 실시형태의 발광 장치 (11) 에서, 장치에 전원이 가해지면, 제 1 전극 (19) 과 제 2 전극 (21) 사이에 직류 전압을 인가하여, 유기 EL 층 (20) 이 청색광을 방사하도록 한다. 유기 EL 층 (20) 은 λ/(2n) 의 정수배의 두께를 갖는 광반사성 제 2 전극 (21) 과 하프미러로서 형성되는 제 1 전극 (19) 사이에 개재된다. 따라서, 도 2(b) 에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광은 제 1 전극 (19) 과 제 2 전극 (21) 사이에서 공진된다. 다음으로, 공진 파장 (λ) 을 갖는 청색광의 세기가 증대된다. 광의 직진성이 형광체층 (15) 과 수직인 방향으로 증대된 후, 광은 형광체층 (15) 을 통해 출사된다. 청색광은 형광체층 (15) 을 통해 백색으로 변환됨으로써, 발광 장치 (11) 가 백색광을 방사한다.
제 2 실시형태에서, 형광체층 (15) 은 EL 소자 및 마이크로캐비티 (14) 의 외부 상에 배치됨으로써, 광은 마이크로캐비티 구조 (14) 에 의해 공진 파장의 세기가 증대된 후 백색으로 변환될 수 있다. 따라서, 제 2 실시형태의 발광 장치 (11) 는 EL 소자를 이용하여 백색광을 방사할 수 있으며, 탑 이미션 구조로부터 잔색광이 방사된다. 이 구조에서, 광은 기판의 반대측 상에서 출사한다. 또한 광 추출 효율성은 개선된다.
EL 소자 (유기 EL 소자 (13)) 자체는 마이크로캐비티 구조 (14) 를 형성하기 때문에, 광 공진 구조의 일부분과 EL 소자의 일부분은 적어도 공유될 수 있다. 따라서, 이 구조는 마이크로캐비티 구조 (14) 가 유기 EL 소자로부터 별도로 배치되는 경우보다 간단할 수 있다. 또한, 장치 전체를 각각 독립적으로 형성되는 유기 EL 소자 및 마이크로캐비티 구조에 비하여 보다 얇게 형성할 수 있다.
발광 장치 (11) 는 기판의 반대측을 행하여 광을 방사하는 탑 이미션 타입이므로, 유기 EL 소자 (13) 로부터 방사되는 광은 기판 (12) 을 통해 투과하지 않는다. 따라서, 방사되는 광량은 기판 (12) 을 통해 투과하는 동안의 흡수로 인하여 감소되지 않는다.
기판 (12) 은 투명성을 가질 필요가 없다. 따라서, 기판 (12) 용 재료는 보다 넓은 범위의 재료로부터 선택될 수 있다.
당업자는 본 발명의 정신 또는 범위로부터 벗어나지 않는다면 본 발명을 많은 다른 특정한 형식으로 실시할 수 있다는 것을 알 수 있다. 특히, 본 발명을 다음의 형식으로 실현될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
또한, 유기 EL 소자 (13) 를 마이크로캐비티 (14) 로서 기능하도록 형성하는 대신, 유기 EL 소자 (13) 는 마이크로캐비티 구조 (14) 의 일부분으로서 기능하도록 형성할 수 있다. 예를 들면, 바텀 이미션 타입 발광 장치 (11) 에서, 도 3(a) 에 나타낸 바와 같이, 하프미러 (18) 를 생략할 수 있고, 제 1 전극 (19) 을 하프미러로서 형성할 수 있다. 이 구조에서, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광은 하프미러 (16) 와 제 1 전극 (19) 사이에서 공진되어, 공진 파장 (λ) 에서 직진성 및 세기가 증대될 수 있다. 다음으로, 이 광은 기판 (12) 과 형광체층 (15) 을 통과한 후 장치를 출사한다. 발광 장치 (11) 는 하프미러 (18) 를 생략함으로써 제 1 실시형태의 경우보다 보다 얇게 형성될 수 있다.
바텀 이미션 타입 발광 장치 (11) 에서, 도 3(a) 에 나타낸 제 1 전극 (19) 은, 투명 전극으로서 형성될 수 있으며, 총 두께를 즉 버퍼층 (17), 제 1 전극 (19) 및 유기 EL 층 (20) 을 λ/(2n) 의 정수배로서 설정할 수 있다. 이 경우, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광은 하프미러 (16) 와 광 반사성 제 2 전극 (21) 사이에 공진됨으로써, 공진 파장 (λ) 에서의 세기와 광방사면 (12b) 에 수직한 방향에서의 직진성을 증대시킬 수 있다. 다음으로, 광은 기판 (12) 과 형광체층 (15) 을 통과한 후 장치를 출사한다.
바텀 이미션 타입 발광 장치 (11) 가 형성되어, 제 2 실시형태에서 개시된 바와 같은 유기 EL 소자 (13) 에 의해 마이크로캐비티 구조 (14) 의 기능을 제공할 수 있다. 즉, 유기 EL 소자 (13) 는 입사면 (12a) 에 형성되고, 제 1 전극 (19) 은, ITO 와 같은 투명 전극으로 이용되는 재로로부터의 전극을 형성하는 대신, 투명성 및 5 nm 내지 30 nm 의 두께를 갖는 금속으로부터의 하프미러로서 형성된다. 유기 EL 층 (20) 은 적절한 두께, 즉, λ/(2n) 의 정수배에 대응하는 광학적 경로 길이로 형성된다. 제 2 전극 (21) 은 광 반사성 금속을 포함한다. 유기 EL 소자 (13) 는 패시베이션막 (미도시) 으로 커버되어, 임의의 분위기에 대하여 유기 EL 소자 (20) 가 노출되는 것을 회피한다. 이 구조에서, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광은 하프미러로서 형성되는 제 1 전극 (19) 과 광 반사성 제 2 전극 (21) 사이에서 공진하여, 공진 파장 (λ) 에서의 세기 및 광방사면 (12b) 에 수직한 방향을 향한 직진성을 증대할 수 있다. 다음으로, 광은 기판 (12) 및 형광체층 (15) 을 통과하여 장치를 출사한다. 이 경우, 제 1 실시형태에 비해, 발광 장치 (11) 는 하프미러 (18) 의 두께 뿐만 아니라 제 1 실시형태의 하프미러 (16) 와 유기 EL 층 (20) 의 총 두께에 의해, 보다 얇게 형성될 수 있다. 또한, 발광 장치의 구조가 보다 간단하게 될 수 있다.
제 1 전극 (19) 와 기판 (12) 사이에 배치되는 절연체 미러와 유기 EL 소자 (13) 의 결합으로부터 마이크로캐비티 구조 (14) 를 형성할 수 있다. 절연체 미러는 예를 들면 TiO2 와 SiO2 층의 교대하는 적층으로부터 형성된다.
또한, 탑 이미션 타입 발광 장치 (11) 를 바텀 이미션 타입과 유사하게 형성하여, 유기 EL 소자 (13) 와 마이크로캐비티 구조 (14) 를 독립적으로 제공하거나, 마이크로캐비티 구조 (14) 의 일부분을 유기 EL 소자 (13) 의 일부분과 공유하도록 할 수 있다. 예를 들면 도 4 에 나타낸 바와 같이, 마이크로캐비티와 490 nm 이하의 피크 파장을 갖는 광을 방사하는 유기 EL 소자 (13) 는 기판 (12) 으로부터 순서대로 배치되는 공진 파장을 증대시킨다. 광 반사 특성을 갖는 제 2 전극 (21) 은 기판 (12) 다음의 측에 배치된다. 마이크로캐비티 구조 (14) 의 하프 미러 (18) 를 생략하고, 버퍼층 (17) 에 반대되어 배치되즌 제 1 전극 (19) 을 하프미러 상에 형성한다. 이 구조에서, 유기 EL 층 (20) 으로부터 방사되는 광은 하프미러 (16) 와 제 2 전극 (21) 사이에서 공진된다. 강도와 직진성은 공진 파장 (λ) 에서 증대되며, 다음으로, 광은 형광체층 (15) 을 통과하여 출사된다.
또한, 도 5 에 나타낸 바와 같이 마이크로캐비티의 하프미러 (18) 를 생략하고, 투명 전극으로부터 제 1 전극 (19) 을 형성하여, 하프미러 (16) 와 제 2 전극 (21) 사이에 공진을 제공할 수 있다.
바텀 이미션 타입 발광 장치 (11) 에 유기 EL 소자 (13) 및 마이크로캐비티 구조 (14) 를 독립적으로 제공하는 경우, 기판 (12) 과 마이크로캐비티 구조 (14) 사이에 유기 EL 소자 (13) 를 형성할 수 있다. 그러나, 제 1 실시형태에서 이미 설명한 바와 같이, 유기 EL 소자 (13) 로부터 방사되는 광은 마이크로캐비티 구조 (14) 가 기판 (12) 과 유기 EL 소자 (13) 사이에 형성될 때 보다 큰 효율을 갖고 광방사면 (12b) 으로부터 출사된다.
하프미러 (16, 18) 사이의 광학적 경로는 λ/(2n) 의 정수배로 한정되지 않고 λ/(4n) 의 홀수배로 설정될 수 있다. 또한, 제 1 전극 (19) 과 제 2 전극 (21) 사이의 거리, 하프미러 (16) 과 제 2 전극 (21) 사이의 거리는, 유기 EL 소자 (13) 자체가 마이크로캐비티 구조 (14) 를 형성하거나 유기 EL 소자 (13) 가 마이크로캐비티 구조 (14) 의 일부분을 형성하는 경우, λ/(4n) 의 홀수배로 설정될 수 있다.
청색광을 방사하는 방사층은 호스트로서의 DPVBi 와 도펀트로서 BCzVBi 로 이루어지는 도프된 이미터로 한정되지 않는다. 다른 예는 아릴기가 플루오렌, 1m3m5-옥사디아졸계 옥시디아졸 리간드를 갖는 베릴륨 복합체 또는 페릴렌인 아릴 에틸닐 벤젠 유도체가 있다. 또한, 5,5'-트리스(3-메틸 페닐 페닐아미노)트리페닐 아민의 전자 전송층을 그 상부에 적층하여, 트리(o-테르페닐-4-일)아민 또는 트리(p-테트라페닐-4-일)아민을 홀 전송 방사층으로서 이용할 수 있다.
제 1 전극 (19) 은 캐소드가 될 수 있고 제 2 전극 (21) 은 애노드가 될 수 있다. 이 경우, 유기 EL 층 (20) 의 구조는 또한 이 구조와 대응하여 변경될 수 있다. 예를 들면, 유기 EL 층 (20) 은 전자 주입층, 방사층, 및 홀 주입층을 포함하는 3-층 구조, 또는 전자 주입층, 전자 전송층, 방사층, 홀 전송층 및 홀 주입층을 제 1 전극 (19) 으로부터 순서대로 포함하는 5 층 구조로 형성될 수 있다.
유기 EL 층 (20) 은 방사층으로부터의 단일층으로부터 형성될 수 있고, 또는, 방사층의 층들과 홀 주입층, 홀 전송층, 홀 주입 전송층, 홀 차단층, 전자 주입층, 전자 이송층 및 전자 차단층 중 선택되는 하나와의 적층체로부터 형성될 수 있다.
발광 장치 (11) 의 애플리케이션은 백리아팅으로 한정되지 않는다. 또한, 다른 조명 장치 또는 디스플레이 장치용 광원으로 이용될 수 있다.
또한 유기 EL 소자 (13) 를 이용하는 경우, 뮤기 EL 소자를 EL 소자로서 이용할 수 있다. 그러나, 광을 방사하는 동안 인가되는 전압이 무기 EL 소자보다 유기 EL 소자 (13) 에서 보다 낮기 때문에 유기 EL 소자 (13) 가 바람직하다.
수지 또는 가요성 투명 수지를 포함하는 투명 기판을 글라스 기판 대신 기판 (12) 용으로서 이용할 수 있다. 글라스 기판을 이용하는 장치에 비하여 수지를 이용할 때 그 질량이 감소될 수 있다.
따라서, 본 실시예 및 실시형태는 예시적인 것으로 한정하려는 것으로 고려되지 않으며, 본 발명은 여기에서 주어지는 상세한 설명으로 한정되지 않고, 첨부된 특허청구범위의 범위 및 등가 이내에서 변형을 가할 수 있다.
본 발명에 따르면, 단색광을 방사하는 EL 소자를 이용하여 백색광을 방사할 수 있도록 함으로써, EL 소자의 광 추출 효율성을 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.
도 1(a) 는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 구조를 개략적으로 나타내는 도면.
도 1(b) 는 도 1(a) 의 구조의 동작을 나타내는 도면.
도 2(a) 는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 구조를 개략적으로 나타내는 도면.
도 2(b) 는 도 1(b) 의 구조의 동작을 나타내는 도면.
도 3(a) 및 도 3(b) 는 다른 실시형태의 부분을 나타내는 도면.
도 4 는 또 다른 실시형태의 부분을 나타내는 도면.
도 5 는 또 다른 실시형태의 도면을 나타내는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
11 : 발광 장치
12 : 기판
12a : 광입사면
12b : 광출사면
13 : EL 소자
14 : 마이크로캐비티 구조
15 : 형광체층
Claims (18)
- 입사면 및 상기 입사면에 반대측에 광방사면을 갖는 기판, 490 nm 이하의 파장에서 피크를 갖는 광을 방사하기 위한 EL 소자, 상기 EL 소자로부터 방사되는 광 중 공진 파장을 갖는 광을 증대시키기 위한 광 공진 구조, 및 상기 기판으로부터 방사되는 광을 백색광으로 변환하는 형광체층을 포함하는, 발광 장치로서,상기 유기 EL 소자는 상기 기판의 상기 입사면측 상에 형성되고,상기 광 공진 구조는 상기 기판의 상기 입사면측 상에 형성되며,상기 광 공진 구조는 상기 기판면의 상기 광방사면측에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 EL 소자는 상기 광 공진 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 EL 소자는 유기 EL 소자인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 공진 구조는 한 쌍의 하프미러 (half mirror) 와 버퍼층을 포함하고,상기 광은 상기 하프미러쌍 사이에서 공진되는 공진 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 하프미러들 사이의 거리는 λ/(2n) 의 정수배로 설정되며,여기서, λ는 공진 파장을 나타내고, n 은 버퍼층을 형성하는 재료의 굴절율을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 하프미러들 사이의 거리는 λ/(4n) 의 홀수배로 설정되며,여기서, λ는 공진 파장을 나타내고, n 은 버퍼층을 형성하는 재료의 굴절율을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 EL 소자는 제 1 전극, 제 2 전극 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되는 EL 층을 가지며,상기 제 2 전극은 광 반사 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 광 공진 구조의 하프미러쌍 중 하나로서 기능하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 1 항 및 제 3 항 내지 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 공진 구조는 상기 기판과 상기 EL 소자 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 기판, 490 nm 이하의 파장에서 피크를 갖는 광을 방사하기 위해 상기 기판의 일면 상에 형성되는 EL 소자, 상기 EL 소자로부터 방사되는 광 중 공진 파장을 갖는 광을 증대시키기 위해 상기 기판의 일면 상에 형성되는 광 공진 구조, 및 상기 기판으로부터 방사되는 광을 백색광으로 변환하기 위해 상기 기판의 상기 일면 상에 형성되는 형광체층을 포함하는, 발광 장치로서,상기 광 공진 구조는 상기 기판과 상기 형광체층 사이에 개재되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 EL 소자는 광 공진 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 EL 소자는 유기 EL 소자인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 광 공진 장치는 한 쌍의 하프미러와 버퍼층을 포함하고,상기 공진 파장을 갖는 광은 상기 하프미러쌍 사이에서 공진되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 하프미러들 사이의 거리는 λ/(2n) 의 정수배로 설정되며,여기서, λ는 공진 파장을 나타내고, n 은 버퍼층을 형성하는 재료의 굴절율을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 하프미러들 사이의 거리는 λ/(4n) 의 홀수배로 설정되며,여기서, λ는 공진 파장을 나타내고, n 은 버퍼층을 형성하는 재료의 굴절율을 나타내는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 EL 소자는 제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재되는 EL 층을 가지며,상기 제 2 전극은 광 반사 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 전극은 상기 광 공진 구조의 하프미러쌍 중 하나로서 기능하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제 10 항 및 제 12 항 내지 17 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 공진 구조는 상기 기판과 상기 EL 소자 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003310293A JP2005079014A (ja) | 2003-09-02 | 2003-09-02 | 発光装置 |
| JPJP-P-2003-00310293 | 2003-09-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050024243A true KR20050024243A (ko) | 2005-03-10 |
Family
ID=34131817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040069729A Ceased KR20050024243A (ko) | 2003-09-02 | 2004-09-01 | 발광 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050046336A1 (ko) |
| EP (1) | EP1513205A2 (ko) |
| JP (1) | JP2005079014A (ko) |
| KR (1) | KR20050024243A (ko) |
| CN (1) | CN1592521A (ko) |
| TW (1) | TW200513142A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100849887B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2008-08-04 | 주식회사 파워라이텍 | 청색칩과 형광체를 이용한 백색 발광다이오드 칩 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0401613D0 (en) * | 2004-01-26 | 2004-02-25 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic light emitting diode |
| JP2005302313A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及びフルカラーデバイス |
| JP4557289B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-10-06 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| WO2007047779A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for light emission utilizing an oled with a microcavity |
| JP4809186B2 (ja) * | 2006-10-26 | 2011-11-09 | 京セラ株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| US7728512B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-06-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having an external microcavity |
| EP2411838B1 (en) | 2009-03-25 | 2013-10-02 | Koninklijke Philips N.V. | Method to optimize the light extraction from scintillator crystals in a solid-state detector |
| CN102449799B (zh) * | 2009-06-01 | 2016-09-28 | 日立化成工业株式会社 | 有机电子材料及含有该有机电子材料的油墨组合物、以及使用它们形成的有机薄膜、有机电子元件、有机电致发光元件、照明装置及显示装置 |
| KR101365671B1 (ko) | 2010-08-26 | 2014-02-24 | 한국전자통신연구원 | 유기전계발광소자 |
| KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| TWI501439B (zh) * | 2012-04-19 | 2015-09-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 影像顯示系統 |
| KR102157244B1 (ko) | 2013-12-20 | 2020-09-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 파장 변환체 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
| CN104319351A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998051131A1 (en) * | 1997-05-08 | 1998-11-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US6326224B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Method of purifying a primary color generated by an OED |
| US6140764A (en) * | 1998-07-20 | 2000-10-31 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent apparatus with mircrocavity |
| JP2001284049A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 色変換膜及びそれを用いた発光装置 |
| JP2002359076A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板 |
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2003
- 2003-09-02 JP JP2003310293A patent/JP2005079014A/ja not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-08-25 US US10/926,679 patent/US20050046336A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-31 CN CNA2004100751331A patent/CN1592521A/zh active Pending
- 2004-08-31 TW TW093126124A patent/TW200513142A/zh unknown
- 2004-09-01 EP EP04020762A patent/EP1513205A2/en not_active Withdrawn
- 2004-09-01 KR KR1020040069729A patent/KR20050024243A/ko not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100849887B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2008-08-04 | 주식회사 파워라이텍 | 청색칩과 형광체를 이용한 백색 발광다이오드 칩 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050046336A1 (en) | 2005-03-03 |
| TW200513142A (en) | 2005-04-01 |
| JP2005079014A (ja) | 2005-03-24 |
| CN1592521A (zh) | 2005-03-09 |
| EP1513205A2 (en) | 2005-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20040901 |
|
| PA0201 | Request for examination | ||
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060525 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20061024 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20060525 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |