KR20040079965A - 연마 패드, 연마 장치 및 연마 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
긴구멍의 길이(mm) | 긴구멍의 폭(mm) | 긴구멍의 피치(mm) | IC1000단층·작은구멍 없음 | IC1000단층·작은구멍 있음 | IC1000/SUBA400적층·작은구멍 없음·긴구멍은IC1000만 | IC1000/SUBA400적층·작은구멍 있음·긴구멍 작은구멍도IC1000만 | IC1000/SUBA400적층·작은구멍 없음·긴구멍은IC1000/SUBA400관통 | IC1000/SUBA400적층·작은구멍 있음·긴구멍작은구멍도IC1000/SUBA400관통 |
10 | 2 | 40 | 0.3 | 0.8 | 0.4 | 1 | 0.4 | 1 |
20 | 0.5 | 10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
1 | 20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
2 | 100 | 0 | 0.2 | 0 | 0.3 | 0 | 0.4 | |
40 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
25 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
20 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | ||
30 | 2 | 40 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
40 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
50 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
긴구멍 없음 | 0.2 | 0.7 | 0.2 | 1 | 0.1 | 1 |
Claims (18)
- 피연마물을 연마하는 연마 패드에 있어서,상기 연마 패드를 두께방향으로 관통하는 복수의 긴 구멍이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 제 1항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 가로 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 제 1항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 피연마물을 연마하는 연마 패드에 있어서,상기 연마 패드를 두께방향으로 관통하는 복수의 구멍이 설치되어 있고, 상기 복수의 구멍 중 일부는 긴 구멍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 제 4항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 길이 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 제 4항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드.
- 피연마재료의 피연마면에 연마 패드가 접촉하고, 상대적으로 마찰 운동하는 것으로써 피연마면을 연마하는 연마 장치에 있어서, 상기 연마 패드는 상기 연마 패드를 두께 방향으로 관통하는 복수의 긴 구멍이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 길이 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 제 7항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 피연마재료의 피연마면에 연마 패드가 접촉하고, 상대적으로 마찰 운동하는 것으로써 피연마면을 연마하는 연마 장치에 있어서,상기 연마 패드는 상기 연마 패드를 두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍이 설치되어 있고, 상기 복수의 구멍 중 일부는 긴 구멍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 길이 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
- 피연마재료의 피연마면에 연마 패드가 접촉하고,피연마면과 연마 패드가 상대적으로 마찰 운동하는 것으로써 피연마면을 연마하는 연마 방법에 있어서,상기 연마 패드는, 상기 연마 패드를 두께 방향으로 관통하는 복수의 긴 구멍이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 길이 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제 13항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 피연마재료의 피연마면에 연마 패드가 접촉하고,피연마면과 연마 패드가 상대적으로 마찰 운동하는 것으로써 피연마면을 연마하는 연마 방법에 있어서,상기 연마 패드는 상기 연마 패드를 두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍이 설치되어 있고, 상기 복수의 구멍 중 일부는 긴 구멍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 긴 구멍은 상기 연마 패드내에 들어가도록 형성되고, 한편 상기 긴 구멍의 길이 방향의 길이가 20mm이상의 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제 16항에 있어서,상기 긴 구멍의 세로 방향의 피치는 상기 긴 구멍의 세로 방향의 길이의 2배이상 100 mm미만으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
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---|---|---|---|---|
JP4620501B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2011-01-26 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド |
CN100580885C (zh) * | 2006-02-06 | 2010-01-13 | 东丽株式会社 | 研磨垫、研磨装置、研磨装置用保护膜以及研磨方法 |
JP2007214379A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 研磨パッド |
DE202006004193U1 (de) * | 2006-03-14 | 2006-06-08 | Richter, Harald | Adapterplatte für einen Vakuumsauger |
JP2007290114A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置 |
JP2007266052A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 研磨パッド、cmp装置、研磨パッドの製造方法 |
US20080220702A1 (en) * | 2006-07-03 | 2008-09-11 | Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad having surface texture |
US20080003935A1 (en) * | 2006-07-03 | 2008-01-03 | Chung-Chih Feng | Polishing pad having surface texture |
JP5308637B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-10-09 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
CN100493841C (zh) * | 2007-07-25 | 2009-06-03 | 友达光电股份有限公司 | 研磨机台、承载治具及承载治具的操作方法 |
US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
CN101987431B (zh) * | 2009-08-06 | 2015-08-19 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨方法、研磨垫与研磨系统 |
US20140342646A1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-11-20 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad |
US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
JP7113626B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-08-05 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨パッド |
JP7351170B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-09-27 | 日本電気硝子株式会社 | 研磨パッド、及び研磨方法 |
CN114592401A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-06-07 | 清华大学 | 冰面抛光方法及装置 |
CN115805523A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-03-17 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 定盘、抛光设备和抛光方法 |
Family Cites Families (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1700634A (en) * | 1924-11-13 | 1929-01-29 | Hopf Paul | Grinding tool |
US1670648A (en) * | 1925-08-19 | 1928-05-22 | Bliss E W Co | Automatic punching press |
US2749681A (en) * | 1952-12-31 | 1956-06-12 | Stephen U Sohne A | Grinding disc |
US3166876A (en) * | 1963-03-29 | 1965-01-26 | Norton Co | Coated abrasive implement |
US4182616A (en) * | 1978-02-17 | 1980-01-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a rotatable floor treating pad |
US4271640A (en) * | 1978-02-17 | 1981-06-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Rotatable floor treating pad |
US4291508A (en) * | 1979-11-30 | 1981-09-29 | American Optical Corporation | Lens surfacing pad |
USRE37997E1 (en) * | 1990-01-22 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with controlled abrasion rate |
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
US5177908A (en) * | 1990-01-22 | 1993-01-12 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad |
DE4011960A1 (de) * | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Swarovski & Co | Schleifkoerper |
US5076024A (en) * | 1990-08-24 | 1991-12-31 | Intelmatec Corporation | Disk polisher assembly |
US6099394A (en) * | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
GB9223826D0 (en) * | 1992-11-13 | 1993-01-06 | De Beers Ind Diamond | Abrasive device |
US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
US5533923A (en) * | 1995-04-10 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity |
US5584754A (en) * | 1995-08-08 | 1996-12-17 | Sungold Abrasives Usa, Inc. | Flexible contour sanding disc |
JP3042593B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | 研磨パッド |
DE29520566U1 (de) * | 1995-12-29 | 1996-02-22 | Jöst, Peter, 69518 Abtsteinach | Direkt oder indirekt mit einer Maschine oder einem manuell betreibbaren Schleifmittelhalter adaptierbarer Schleifkörper sowie ein hierfür geeigneter Adapter |
US5690540A (en) * | 1996-02-23 | 1997-11-25 | Micron Technology, Inc. | Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
JP2865061B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに半導体装置の製造方法 |
US5645469A (en) * | 1996-09-06 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad with radially extending tapered channels |
US6475253B2 (en) * | 1996-09-11 | 2002-11-05 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article and method of making |
US5795218A (en) * | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
US5842910A (en) * | 1997-03-10 | 1998-12-01 | International Business Machines Corporation | Off-center grooved polish pad for CMP |
US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
US6273806B1 (en) * | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
US5934980A (en) * | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing |
US5899745A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Motorola, Inc. | Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor |
US5997392A (en) * | 1997-07-22 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing |
US6692338B1 (en) * | 1997-07-23 | 2004-02-17 | Lsi Logic Corporation | Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing |
US5882251A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-16 | Lsi Logic Corporation | Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves |
US5888121A (en) * | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow |
US6074286A (en) * | 1998-01-05 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry |
JPH11216663A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
US6135868A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
US6241587B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Vlsi Technology, Inc. | System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine |
JP2870537B1 (ja) * | 1998-02-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法 |
JPH11285962A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-19 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
DE19822499A1 (de) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Franz Schrattenecker | Spreuverteiler für einen Mähdrescher |
US6315857B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-11-13 | Mosel Vitelic, Inc. | Polishing pad shaping and patterning |
KR100443330B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2004-08-09 | 쎄미콘테크 주식회사 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
US6331137B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-12-18 | Advanced Micro Devices, Inc | Polishing pad having open area which varies with distance from initial pad surface |
GB2345255B (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-27 | United Microelectronics Corp | Chemical-Mechanical Polishing Pad |
US6217426B1 (en) * | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
US6238271B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-05-29 | Speed Fam-Ipec Corp. | Methods and apparatus for improved polishing of workpieces |
US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
US6685539B1 (en) * | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
US6238273B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization |
US6364749B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | CMP polishing pad with hydrophilic surfaces for enhanced wetting |
US6346032B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-02-12 | Vlsi Technology, Inc. | Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad |
US6520843B1 (en) * | 1999-10-27 | 2003-02-18 | Strasbaugh | High planarity chemical mechanical planarization |
JP2001121402A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-08 | Applied Materials Inc | コンディショニングディスク |
JP2001179609A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Roki Techno Co Ltd | 研磨パッド |
US6241596B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad |
JP2001219362A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-14 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨パッド |
US6537144B1 (en) * | 2000-02-17 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
US7066800B2 (en) * | 2000-02-17 | 2006-06-27 | Applied Materials Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
US6422929B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing pad for a linear polisher and method for forming |
US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
US6736709B1 (en) * | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
US6575828B1 (en) * | 2000-06-21 | 2003-06-10 | Newdelman Mitchell J. | Game using game and outcome indicia |
US6656019B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
JP2002025959A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Canon Inc | 半導体基板の研磨装置 |
US6666751B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Deformable pad for chemical mechanical polishing |
US6830090B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-12-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad installation tool |
JP3826728B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2006-09-27 | Jsr株式会社 | 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法 |
US6544373B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-08 | United Microelectronics Corp. | Polishing pad for a chemical mechanical polishing process |
US6743086B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-06-01 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article with universal hole pattern |
KR20030015567A (ko) * | 2001-08-16 | 2003-02-25 | 에스케이에버텍 주식회사 | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
KR100646702B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2006-11-17 | 에스케이씨 주식회사 | 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
US6530829B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | CMP pad having isolated pockets of continuous porosity and a method for using such pad |
US6648743B1 (en) * | 2001-09-05 | 2003-11-18 | Lsi Logic Corporation | Chemical mechanical polishing pad |
US6852020B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-02-08 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same |
JP2007103602A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 研磨パッド及び研磨装置 |
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