JP3843933B2 - 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨パッド、研磨装置および研磨方法に関し、詳しくは複数の長孔が設けられた研磨パッド、その研磨パッドを用いた研磨装置およびその研磨パッドを用いた研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術１として、表面に溝が設けられている研磨パッドが市販されている。例えばロデールニッタ社製の研磨パッドＩＣ１０００−Ａ２２がある。図６に示すように、この研磨パッド６１は、研磨パッド表面６１Ｓに幅２ｍｍの溝６２が約２ｃｍピッチで格子状に形成されているものである。なお、平面図では溝６２の図示を省略した。
【０００３】
従来技術２として、表面に複数の小孔（例えば直径が１．８ｍｍの小孔）が設けられている市販の研磨パッドがある。一例としてロデールニッタ社製の研磨パッドＩＣ１０００（ｐ）が知られている。
【０００４】
従来技術３として、図７に示すように、複数の孔７２と表面７１Ｓに複数の溝７３とが設けられている研磨パッド７１が開示されている。なお、平面図では孔７２と溝７３の図示を省略した。特許第３０４２５９３号には孔径について記載は無いが、一般的には直径１．８ｍｍの孔が３〜５個／ｃｍ2 程度の密度で形成されている研磨パッドがよく用いられている。なお、特許第３０４２５９３号には、溝幅は孔径以下でよい、また溝深さは０．３ｍｍ程度でよいとの記載あり、さらに溝深さは０．５ｍｍまでのもが記載されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
上記従来技術３の研磨パッドでは、孔が設けられていることによって、研磨抵抗の上昇が抑えられる。また研磨パッド表面に溝が形成されていることによって半導体ウエハとの間の密閉性が低下し、負圧を生じにくくしている。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より半導体ウエハを取り除くことが容易になっている。また従来技術３の研磨パッドは、通常の溝を有した研磨パッドと比べ、硬質層の強度の低下が抑制されることにより、軟質層の負荷が低減され、時間を経た場合の劣化が低減されるという特徴を有する。
【０００６】
また、化学的機械研磨（以下ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishingの略）は、半導体装置の製造プロセスにおいて絶縁膜表面を平坦化するとき、銅配線、タングステンプラグ等を形成する際の余剰な材料を除去するとき等に用いられている。
【０００７】
従来から広く使われているＣＭＰ装置は、研磨パッドの研磨面は平面状であり、ウエハの被研磨面と研磨パッドの研磨面とが平行に配置されて、お互いが回転しながら接触することにより研磨を行うものである（例えば、特許文献２参照。）。
【０００８】
また、ベルト式のＣＭＰ装置（例えば、特許文献３参照。）（例えば、特許文献４参照。）、直線揺動式のＣＭＰ装置（例えば、特許文献５参照。）、リング状研磨パッドを有するＣＭＰ装置（例えば、特許文献６参照。）、ローラ式のＣＭＰ装置が知られている（例えば、特許文献７参照。）。上記いずれの研磨装置も被研磨面に接触する研磨パッドの研磨面は平面状となっている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−１１７８５５号公報（第４頁、図１、図５）
【特許文献２】
特開２０００−２１８５１４号公報（第４頁、図５）
【特許文献３】
特開２０００−２１８５１４号公報（第４頁、図６）
【特許文献４】
特開平８−５２６５２号公報公報（第５−６頁、図１）
【特許文献５】
特開平８−５２６５２号公報（第８頁、図１０）
【特許文献６】
特開平１１−３１６７１号公報（第５頁、図１）
【特許文献７】
特開平２−１３９１７２号公報（第３−５頁、図１−３）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術１の研磨パッドは、研磨中に研磨液が溝を通って流れ出してしまうため、多くの研磨液が必要になる。また、溝の形成は切削加工で行うので、パンチングで孔を形成した研磨パッドと比較して、研磨パッドの製造コストが高くなる。
【００１１】
上記従来技術２の研磨パッドは、孔の部分で、被研磨物との間に負圧を生じるため、研磨抵抗が上昇する。さらに、研磨終了後に被研磨物を取り除くことが困難である。この現象の詳細な説明は、特開平９−１１７８５５号公報にも記載されている。
【００１２】
従来技術３の研磨パッドは、それを製造する際に、パンチングで孔を形成した後に、切削加工にて溝を形成する必要があるため、製造コストがかかる。
【００１３】
上記従来の技術で説明したような研磨パッドを用いた研磨装置および研磨方法では、上記研磨パッドの課題が解決されない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた研磨パッド、研磨装置および研磨方法である。
【００１５】
本発明の第１研磨パッドは、被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていて、前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されているものである。
【００１６】
上記第１研磨パッドでは、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていることから、被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性が低下するので負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また、本発明の研磨パッドに形成される長孔はパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。
【００１７】
本発明の第２研磨パッドは、被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、前記複数の孔のうちの一部は長孔からなり、前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されているものである。
【００１８】
上記第２研磨パッドでは、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、この複数の孔のうちの一部は長孔で形成されていることから、第１研磨パッドと同様に、長孔によって被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。さらに、長孔以外の複数の孔が設けられていることから、研磨抵抗の上昇が抑えられる。さらに、従来の研磨パッドのように溝が形成されていないため、研磨液が溝を通って研磨パッド外に流出することがない。本発明の研磨パッドに形成された長孔は、その内部に研磨液を留めるので、使用する研磨液の量を減らすことができる。また、本発明の研磨パッドに形成される長孔を含む複数の孔は１回のパンチング加工で形成することが可能であるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているため、研磨が進行して研磨パッドが磨耗した際にも、長孔が無くなることはない。このため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００１９】
本発明の研磨装置は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いたものである。このように本発明の研磨パッドを用いたことから、研磨装置の運用費用が低減される。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度が低減される。
【００２０】
本発明の研磨方法は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いたものである。このように本発明の研磨パッドを用いたことから、研磨コストが低減される。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度が低減される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１研磨パッドに係る第１実施の形態を、図１の平面図および部分拡大図によって説明する。
【００２２】
図１に示すように、第１研磨パッド１は、この第１研磨パッド１を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１が、行方向および列方向にそろえて設けられているものである。上記研磨パッド１は、例えば、発泡ポリウレタンやウレタンのような樹脂からなる。その厚さは一般敵な研磨パッドの厚さと同程度であり、例えば０.５ｍｍ〜３.０ｍｍ程度の厚さを有している。上記長孔１１は、その長手方向の長さＬが２０ｍｍ以上を有し、また上記長孔１１は、その短手方向の長さ（以下幅という）Ｗの２倍以上１００ｍｍ未満になるピッチｐで形成されている。なお、長孔１１の長手方向の間隔ｄは適宜設定されるがここでは一例として１０ｍｍとした。また、上記長孔１１は、行方向および列方向のいずれか一方もしくは両方にずらして形成されていてもよい。
【００２３】
上記第１研磨パッド１では、第１研磨パッド１を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１が設けられていることから、被研磨面と研磨パッド１の表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなるため、研磨終了後に研磨パッド１の表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また、本発明の第１研磨パッド１に形成される長孔１１はパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔１１は第１研磨パッド１の厚さ方向に貫通するように形成されているので、第１研磨パッド１が磨耗しても長孔１１が無くなることはない。このため、溝を有する従来の研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００２４】
次に、本発明の第２研磨パッドに係る第１実施の形態を、図２の平面図および部分拡大図によって説明する。なお、平面図では小孔の図示を省略した。
【００２５】
図２に示すように、第２研磨パッド２は、前記第１研磨パッド１のように第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通する長孔１１が、例えば行方向および列方向にそろえて形成され、かつ第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通するもので直径Ｄが１０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以下の複数の孔（以下小孔という）２１を設けたものである。すなわち、上記長孔１１は、その長さＬが２０ｍｍ以上を有し、また上記長孔１１は、その幅Ｗの２倍以上１００ｍｍ未満になるピッチｐ１で形成されている。なお、長孔１１の長手方向の間隔ｄは適宜設定されるがここでは一例として１０ｍｍとした。また、上記長孔１１は、行方向および列方向のいずれか一方もしくは両方にずらして形成されていてもよい。
【００２６】
さらに上記小孔２１は、例えば直径Ｄ＝１．８ｍｍの孔で構成され、格子点状にピッチｐ２ｘ＝ｐ２ｙ＝５ｍｍにて一様に配置されている。なお、小孔２１は上記長孔１１と重ならないように形成されていることが好ましい。また、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００２７】
上記第２研磨パッド２では、第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１と小孔２１とが設けられていることから、前記第１研磨パッド１と同様に、長孔１１によって被研磨面と第２研磨パッド２の表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に第２研磨パッド２の表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また長孔１１は、その内部に研磨液を留めるので、使用する研磨液の量を減らすことができる。
【００２８】
さらに、長孔１１以外に複数の小孔２１が設けられていることから、研磨抵抗の上昇が抑えられる。さらに、従来の研磨パッドのように溝が形成されていないため、研磨液が溝を通って研磨パッド外に流出することがない。
【００２９】
また、本発明の第２研磨パッド２に形成される長孔１１および小孔２１は１回のパンチング加工で形成することが可能であるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。
【００３０】
さらに、長孔１１および小孔２１は第２研磨パッド２の厚さ方向に貫通するように形成されているため、研磨が進行して第２研磨パッド２が磨耗した際にも、長孔１１および小孔２１が無くなることはない。このため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００３１】
次に、上記第１、第２研磨パッド１、２を用いて、長孔の長さ、長孔の幅、長孔の幅方向のピッチを変えて搬送時のトラブルが発生する確率を調査した。前記図１、図２中に示した長孔１１の長手方向の間隔ｄは１０ｍｍに固定した。各研磨では、シリコンウエハ表面に酸化シリコンのベタ膜を形成したものを被研磨物とし、その酸化シリコン膜を被研磨面として１分間研磨して、そのシリコンウエハを搬送できるかどうかを、１０回調べた。その結果を表１にまとめる。
【００３２】
【表１】
【００３３】
上記調査において、第１、第２研磨パッド１、２には、発泡ポリウレタン製のもの（例えば、ロデール社製の厚さ１．２ｍｍのＩＣ１０００単層品）、および上層が発泡ポリウレタン製で下層がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製よりなる積層されたもの（例えば、上層がロデール社製の厚さ１．２ｍｍのＩＣ１０００で下層が同社製の厚さ１．２ｍｍのＳＵＢＡ４００よりなる積層された研磨パッド）を用いた。
【００３４】
第１、第２研磨パッド１、２を研磨定盤（図示せず）に接着するには、単層品の研磨パッドの場合には両面粘着テープを用いた。上記調査では、研磨定盤にスラリーが直接触れ無いようにするために、第１、第２研磨パッド１、２をパンチング加工して長孔１１、小孔２１等を形成した後、両面粘着テープを用いて研磨定盤に接着した。なお、第１、第２研磨パッド１、２に両面粘着テープを貼った後に、両面粘着テープとともに第１、第２研磨パッド１、２をパンチング加工して長孔１１、小孔２１等を形成すれば、両面粘着テープにも孔が形成されたものが得られる。このように両面粘着テープにも長孔１１、小孔２１が形成されていても、本発明の効果には影響は無い。
【００３５】
一方、積層品には、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものと、ＩＣ１０００およびＳＵＢＡ４００の両方に孔を貫通させたものとを作製した。ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００は両面テープで接着するので、接着前にＩＣ１０００にパンチングで孔を形成した後に接着すれば、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものが得られ、接着後にパンチングで孔を形成すれば、両方に孔を貫通させたものが容易に作製できる。
【００３６】
ＩＣ１０００をＳＵＢＡ４００に接着するには両面粘着テープを用いた。その際、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものでは、ＩＣ１０００に両面粘着テープを貼る前にパンチング加工を行えば両面粘着テープに孔が無いものが得られ、両面テープを貼った後にパンチング加工すれば両面粘着テープに孔が形成されたものが得られる。両面粘着テープの孔に関しては、あっても無くても本発明の効果に影響は無いが、今回は、下層ＳＵＢＡ４００へのスラリー浸透が無いということから両面粘着テープに孔を形成しないものを作製して用いた。
【００３７】
ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との両方に孔を貫通させたものでは、研磨定盤への接着用として両面粘着テープを用いた。両面粘着テープを貼る前にパンチング加工を行えば両面粘着テープに孔が形成されないものが得られ、両面粘着テープを貼った後にパンチング加工を行えば両面粘着テープにも孔が形成されたものが得られる。両面粘着テープの孔に関しては、あっても無くても本発明の効果に影響は無いが、今回は、研磨定盤へスラリーが直接触れ無いことから両面粘着テープに孔を形成しないものを作製して用いた。
【００３８】
上記表１より、ＩＣ１０００の単層品からなる第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００３９】
また、ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との積層品からなるからなりＩＣ１０００のみに長孔１１が形成された第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００４０】
また、ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との積層品からなるからなりＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００とを貫通する長孔１１が形成された第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００４１】
また、表１の最下段には、比較例として、長孔１１を形成しない研磨パッドによる結果を示した。その結果、単層品、積層品を問わず、また小孔の有無を問わず、いずれの研磨パッド構成であっても、ウエハの搬送エラーが生じた。これによって、ウエハの搬送エラーの防止に対して長孔１１が有効であることがわかる。
【００４２】
したがって、長孔１１は２０ｍｍ以上の長さが必要であることがわかった。さらに長孔の幅方向のピッチｐは１００ｍｍ未満とする必要があることがわかった。また、長孔１１の幅の下限は、長孔１１間の研磨パッドの剛性を考慮して長孔１１の幅の２倍以上とした。
【００４３】
次に、本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る実施の形態を、図３の平面図によって説明する。
【００４４】
図３に示すように、第１研磨パッド１（第２研磨パッド２）に長孔１１が放射状に配置されて形成されていてもよい。図面では放射状方向に一つの長孔１１が形成されたものを示したが、放射状方向に複数の長孔が形成されていてもよい。図３では小孔２１の記載を省略したが、前記図２で説明したように小孔２１が形成されていてもよい。なお、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００４５】
上記構成の研磨パッドでは、長孔１１の長さを十分に、例えば被研磨物（例えばウエハ）の半径より大きくとり、放射状に配置することで、ウエハへの負圧がより生じにくい構造とすることができる。このような長孔１１をパンチング加工で形成することで、溝に比べて比較的自由な形状に形成できることは本構成の利点の一つである。
【００４６】
次に、本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る実施の形態を、図４の平面図によって説明する。
【００４７】
図４に示すように、第１研磨パッド１（第２研磨パッド２）に円弧状の長孔１１が例えば同心円状に配置されて形成されていてもよい。図面では同心円状に２列の長孔１１が形成されている場合を示したが、３列以上に形成されていてもよい。図４では小孔２１の記載を省略したが、前記図２で説明したように小孔２１が形成されていてもよい。なお、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００４８】
上記構成の研磨パッドでは、上記長孔１１の長さを例えば被研磨物（例えばウエハ）の半径よりも十分に大きくとり、この長孔１１を円弧状に形成することで、ウエハへの負圧がより生じにくい構造とすることができ、かつ、平行へ放射状の配置に比べてスラリーの保持性が向上するのでスラリーの使用量を削減することができる。このように長孔１１および小孔２１をパンチング加工で形成することで、溝に比べて比較的自由な形状に形成できることはこの構成の利点の一つである。
【００４９】
上記説明した実施の形態では、長孔１１と小孔２１とを一回のパンチング加工で形成することを説明したが、長孔１１と小孔２１とをそれぞれ独立にパンチング加工により形成してもよい。この方法により研磨パッドの作製が容易になる場合としては、例えば、小孔２１のピッチに比べて、長孔１１の幅を広くしたい場合がある。具体的には、一例として、小孔２１のピッチが５ｍｍで７ｍｍ幅の長孔１１を形成したい場合がある。または長孔１１が小孔２１に重なる部分がある場合がある。具体的には、小孔２１が格子点状に配置され、長孔１１が放射状または円弧状に配置される場合などがある。
【００５０】
また、研磨パッドに光学式終点検出用の窓が形成される場合には、窓部には孔が形成されない方がウエハへの入射光を遮らないため有利であるが、窓に孔を形成したとしても、本発明の有効性は変わらない。
【００５１】
上記実施の形態では、研磨パッドの一例としてＩＣ１０００を用いたが、市販の不織布からなる研磨パッド、スエード状研磨パッド、その他樹脂材料からなる研磨パッドなど、研磨パッドの材質に係わりなく、上記説明したのと同様の効果が得られる。また、固定砥粒が含有されている研磨パッドであっても、本発明の有効性は変わらないので、上記説明したのと同様なる効果が得られる。
【００５２】
次に、本発明の研磨装置について、図５に示す概略構成斜視図により説明する。
【００５３】
研磨装置は、被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する前記研磨パッド１〜４のうちの一つを備えるものである。
【００５４】
すなわち、図５に示すように、研磨装置１０１は、例えば矢印ア方向に回動自在な研磨定盤１１１を備えている。この研磨定盤１１１は図示しない回動駆動装置に接続された回転軸１１２を介して回動される。また、研磨定盤１１１上には、前記図１〜図４によって説明した研磨パッド１〜４のうちの一つが装着されている。ここでは研磨パッド１を装着した。以下、研磨パッド１で説明する。装着方法は、一般的な研磨パッドの装着方法、例えば粘着シート（粘着テープも含む）もしくは粘着剤を用いる方法による。具体的には、前記説明した方法による。
【００５５】
上記研磨パッド１が装着される研磨定盤１１１に対向する位置、通常は研磨定盤１１１の回転中心を外した位置に対向するように、研磨ヘッド１１５が備えられている。この研磨ヘッド１１５は昇降自在に構成されている。さらに、この研磨ヘッド１１５は図示しない回動駆動装置に接続された回転軸１１６を介して例えば矢印イ方向に回動される。また、この研磨ヘッド１１５の研磨定盤１１１に対向する面は、被研磨物３０１が装着されるようになっている。被研磨物の装着方法は、真空吸着、静電吸着、接着剤を用いた接着、粘着シートを用いた接着等、種々の方法を採用することができる。さらに、研磨定盤１１１の上方で研磨ヘッド１１５の近傍には、研磨パッド１上に研磨スラリー１３１（便宜上、矢印で示す）を供給するためのノズル１２１が備えられている。そしてこの研磨スラリー１３１は、研磨定盤１１１の回動とともに研磨パッド１と被加工物３０１との間に入り込むように供給される。
【００５６】
本発明の研磨方法を以下に説明する。一例として、上記研磨装置１０１を用いて研磨を行う方法を説明する。まず、研磨パッド１〜４のうちの所望の研磨パッドを研磨定盤１１１に装着する。また研磨ヘッド１１５には被研磨物３０１を装着する。その後、ノズル１２１より研磨スラリー１３１を研磨パッド１上に供給するとともに、研磨定盤１１１を回動させる。また、研磨ヘッド１１５も回動させる。そして、所望の加工圧力となるように、研磨パッド１に被研磨物３０１を接触させて、被研磨物３０１の被研磨面を研磨する。研磨条件の一例としては、研磨スラリー１３１には、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）ベースのフュームドシリカ系スラリーを用い、加工圧力を３００ｇ／ｃｍ2 、回転数を被研磨物（例えばウエハ）に対する研磨パッドの周速度が６０ｍ／ｍｉｎになるように設定した。研磨が終了した後は、被加工物３０１を研磨パッド１より引き離し、研磨スラリー１３１の供給を停止するとともに、研磨定盤１１１および研磨ヘッド１１５の回動を停止する。その後、研磨ヘッド１１５より被加工物３０１を脱着すればよい。なお、脱着前に被研磨物３０１の被研磨面を洗浄してもよい。
【００５７】
上記説明した研磨方法は一例であって、研磨条件は、研磨対象に応じて適宜変更することができる。また、従来から用いられている研磨条件を用いることもできる。
【００５８】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の第１研磨パッドによれば、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられているので、被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性を低下させて負圧が生じにくくすることができる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を容易に取り除くことができる。また、長孔をパンチング加工で形成することができるので、従来の切削加工により形成される溝を有する研磨パッドを用いる従来の研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているので研磨パッドが磨耗しても長孔が無くなることはないため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００５９】
本発明の第２研磨パッドによれば、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、この複数の孔のうちの一部は長孔で形成されているので、第１研磨パッドと同様の効果が得られる。さらに、長孔以外の複数の孔が設けられているので、研磨抵抗の上昇を抑えることができる。さらに、長孔内に研磨液を留めることができるので、従来の溝を形成した研磨パッドと比較して研磨液量を減らすことができる。また、長孔を含む複数の孔は１回のパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する従来の研磨パッドを使用するよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているので研磨パッドが磨耗しても長孔が無くなることはないため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００６０】
本発明の研磨装置によれば、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドが装着されていることから、研磨装置の運用費用を低減することができる。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度を低減することができる。その結果、研磨装置の運用費用を低減することができる。それとともに、本発明の研磨パッドの作用効果を得ることができる。
【００６１】
本発明の研磨方法は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いることから、研磨コストを低減することができる。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度を低減することができる。その結果、研磨コストを低減することができる。それとともに、本発明の研磨パッドの作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１研磨パッドに係る一実施の形態を示す平面図および部分拡大図である。
【図２】 本発明の第２研磨パッドに係る一実施の形態を示す平面図および部分拡大図である。
【図３】 本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る一実施の形態を示す平面図である。
【図４】 本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る一実施の形態を示す平面図である。
【図５】 本発明の第１の研磨装置に係る実施の形態を示す概略構成斜視図である。
【図６】 従来技術１の研磨パッドを示す平面図、部分拡大図およびＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】 従来技術３の研磨パッドを示す平面図、部分拡大図およびＢ−Ｂ’線断面図である。
【符号の説明】
１…第１研磨パッド、１１…長孔
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨パッド、研磨装置および研磨方法に関し、詳しくは複数の長孔が設けられた研磨パッド、その研磨パッドを用いた研磨装置およびその研磨パッドを用いた研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術１として、表面に溝が設けられている研磨パッドが市販されている。例えばロデールニッタ社製の研磨パッドＩＣ１０００−Ａ２２がある。図６に示すように、この研磨パッド６１は、研磨パッド表面６１Ｓに幅２ｍｍの溝６２が約２ｃｍピッチで格子状に形成されているものである。なお、平面図では溝６２の図示を省略した。
【０００３】
従来技術２として、表面に複数の小孔（例えば直径が１．８ｍｍの小孔）が設けられている市販の研磨パッドがある。一例としてロデールニッタ社製の研磨パッドＩＣ１０００（ｐ）が知られている。
【０００４】
従来技術３として、図７に示すように、複数の孔７２と表面７１Ｓに複数の溝７３とが設けられている研磨パッド７１が開示されている。なお、平面図では孔７２と溝７３の図示を省略した。特許第３０４２５９３号には孔径について記載は無いが、一般的には直径１．８ｍｍの孔が３〜５個／ｃｍ2 程度の密度で形成されている研磨パッドがよく用いられている。なお、特許第３０４２５９３号には、溝幅は孔径以下でよい、また溝深さは０．３ｍｍ程度でよいとの記載あり、さらに溝深さは０．５ｍｍまでのもが記載されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
上記従来技術３の研磨パッドでは、孔が設けられていることによって、研磨抵抗の上昇が抑えられる。また研磨パッド表面に溝が形成されていることによって半導体ウエハとの間の密閉性が低下し、負圧を生じにくくしている。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より半導体ウエハを取り除くことが容易になっている。また従来技術３の研磨パッドは、通常の溝を有した研磨パッドと比べ、硬質層の強度の低下が抑制されることにより、軟質層の負荷が低減され、時間を経た場合の劣化が低減されるという特徴を有する。
【０００６】
また、化学的機械研磨（以下ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical Polishingの略）は、半導体装置の製造プロセスにおいて絶縁膜表面を平坦化するとき、銅配線、タングステンプラグ等を形成する際の余剰な材料を除去するとき等に用いられている。
【０００７】
従来から広く使われているＣＭＰ装置は、研磨パッドの研磨面は平面状であり、ウエハの被研磨面と研磨パッドの研磨面とが平行に配置されて、お互いが回転しながら接触することにより研磨を行うものである（例えば、特許文献２参照。）。
【０００８】
また、ベルト式のＣＭＰ装置（例えば、特許文献３参照。）（例えば、特許文献４参照。）、直線揺動式のＣＭＰ装置（例えば、特許文献５参照。）、リング状研磨パッドを有するＣＭＰ装置（例えば、特許文献６参照。）、ローラ式のＣＭＰ装置が知られている（例えば、特許文献７参照。）。上記いずれの研磨装置も被研磨面に接触する研磨パッドの研磨面は平面状となっている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平９−１１７８５５号公報（第４頁、図１、図５）
【特許文献２】
特開２０００−２１８５１４号公報（第４頁、図５）
【特許文献３】
特開２０００−２１８５１４号公報（第４頁、図６）
【特許文献４】
特開平８−５２６５２号公報公報（第５−６頁、図１）
【特許文献５】
特開平８−５２６５２号公報（第８頁、図１０）
【特許文献６】
特開平１１−３１６７１号公報（第５頁、図１）
【特許文献７】
特開平２−１３９１７２号公報（第３−５頁、図１−３）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術１の研磨パッドは、研磨中に研磨液が溝を通って流れ出してしまうため、多くの研磨液が必要になる。また、溝の形成は切削加工で行うので、パンチングで孔を形成した研磨パッドと比較して、研磨パッドの製造コストが高くなる。
【００１１】
上記従来技術２の研磨パッドは、孔の部分で、被研磨物との間に負圧を生じるため、研磨抵抗が上昇する。さらに、研磨終了後に被研磨物を取り除くことが困難である。この現象の詳細な説明は、特開平９−１１７８５５号公報にも記載されている。
【００１２】
従来技術３の研磨パッドは、それを製造する際に、パンチングで孔を形成した後に、切削加工にて溝を形成する必要があるため、製造コストがかかる。
【００１３】
上記従来の技術で説明したような研磨パッドを用いた研磨装置および研磨方法では、上記研磨パッドの課題が解決されない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされた研磨パッド、研磨装置および研磨方法である。
【００１５】
本発明の第１研磨パッドは、被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていて、前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されているものである。
【００１６】
上記第１研磨パッドでは、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていることから、被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性が低下するので負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また、本発明の研磨パッドに形成される長孔はパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。
【００１７】
本発明の第２研磨パッドは、被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、前記複数の孔のうちの一部は長孔からなり、前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されているものである。
【００１８】
上記第２研磨パッドでは、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、この複数の孔のうちの一部は長孔で形成されていることから、第１研磨パッドと同様に、長孔によって被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。さらに、長孔以外の複数の孔が設けられていることから、研磨抵抗の上昇が抑えられる。さらに、従来の研磨パッドのように溝が形成されていないため、研磨液が溝を通って研磨パッド外に流出することがない。本発明の研磨パッドに形成された長孔は、その内部に研磨液を留めるので、使用する研磨液の量を減らすことができる。また、本発明の研磨パッドに形成される長孔を含む複数の孔は１回のパンチング加工で形成することが可能であるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているため、研磨が進行して研磨パッドが磨耗した際にも、長孔が無くなることはない。このため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００１９】
本発明の研磨装置は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いたものである。このように本発明の研磨パッドを用いたことから、研磨装置の運用費用が低減される。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度が低減される。
【００２０】
本発明の研磨方法は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いたものである。このように本発明の研磨パッドを用いたことから、研磨コストが低減される。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度が低減される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の第１研磨パッドに係る第１実施の形態を、図１の平面図および部分拡大図によって説明する。
【００２２】
図１に示すように、第１研磨パッド１は、この第１研磨パッド１を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１が、行方向および列方向にそろえて設けられているものである。上記研磨パッド１は、例えば、発泡ポリウレタンやウレタンのような樹脂からなる。その厚さは一般敵な研磨パッドの厚さと同程度であり、例えば０.５ｍｍ〜３.０ｍｍ程度の厚さを有している。上記長孔１１は、その長手方向の長さＬが２０ｍｍ以上を有し、また上記長孔１１は、その短手方向の長さ（以下幅という）Ｗの２倍以上１００ｍｍ未満になるピッチｐで形成されている。なお、長孔１１の長手方向の間隔ｄは適宜設定されるがここでは一例として１０ｍｍとした。また、上記長孔１１は、行方向および列方向のいずれか一方もしくは両方にずらして形成されていてもよい。
【００２３】
上記第１研磨パッド１では、第１研磨パッド１を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１が設けられていることから、被研磨面と研磨パッド１の表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなるため、研磨終了後に研磨パッド１の表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また、本発明の第１研磨パッド１に形成される長孔１１はパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔１１は第１研磨パッド１の厚さ方向に貫通するように形成されているので、第１研磨パッド１が磨耗しても長孔１１が無くなることはない。このため、溝を有する従来の研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００２４】
次に、本発明の第２研磨パッドに係る第１実施の形態を、図２の平面図および部分拡大図によって説明する。なお、平面図では小孔の図示を省略した。
【００２５】
図２に示すように、第２研磨パッド２は、前記第１研磨パッド１のように第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通する長孔１１が、例えば行方向および列方向にそろえて形成され、かつ第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通するもので直径Ｄが１０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以下の複数の孔（以下小孔という）２１を設けたものである。すなわち、上記長孔１１は、その長さＬが２０ｍｍ以上を有し、また上記長孔１１は、その幅Ｗの２倍以上１００ｍｍ未満になるピッチｐ１で形成されている。なお、長孔１１の長手方向の間隔ｄは適宜設定されるがここでは一例として１０ｍｍとした。また、上記長孔１１は、行方向および列方向のいずれか一方もしくは両方にずらして形成されていてもよい。
【００２６】
さらに上記小孔２１は、例えば直径Ｄ＝１．８ｍｍの孔で構成され、格子点状にピッチｐ２ｘ＝ｐ２ｙ＝５ｍｍにて一様に配置されている。なお、小孔２１は上記長孔１１と重ならないように形成されていることが好ましい。また、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００２７】
上記第２研磨パッド２では、第２研磨パッド２を厚さ方向に貫通する複数の長孔１１と小孔２１とが設けられていることから、前記第１研磨パッド１と同様に、長孔１１によって被研磨面と第２研磨パッド２の表面との間の密閉性が低下して負圧が生じにくくなる。このため、研磨終了後に第２研磨パッド２の表面より被研磨物を取り除くことが容易になる。また長孔１１は、その内部に研磨液を留めるので、使用する研磨液の量を減らすことができる。
【００２８】
さらに、長孔１１以外に複数の小孔２１が設けられていることから、研磨抵抗の上昇が抑えられる。さらに、従来の研磨パッドのように溝が形成されていないため、研磨液が溝を通って研磨パッド外に流出することがない。
【００２９】
また、本発明の第２研磨パッド２に形成される長孔１１および小孔２１は１回のパンチング加工で形成することが可能であるので、切削加工により形成される溝を有する研磨パッドよりも製造コストが安価になる。
【００３０】
さらに、長孔１１および小孔２１は第２研磨パッド２の厚さ方向に貫通するように形成されているため、研磨が進行して第２研磨パッド２が磨耗した際にも、長孔１１および小孔２１が無くなることはない。このため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００３１】
次に、上記第１、第２研磨パッド１、２を用いて、長孔の長さ、長孔の幅、長孔の幅方向のピッチを変えて搬送時のトラブルが発生する確率を調査した。前記図１、図２中に示した長孔１１の長手方向の間隔ｄは１０ｍｍに固定した。各研磨では、シリコンウエハ表面に酸化シリコンのベタ膜を形成したものを被研磨物とし、その酸化シリコン膜を被研磨面として１分間研磨して、そのシリコンウエハを搬送できるかどうかを、１０回調べた。その結果を表１にまとめる。
【００３２】
【表１】
上記調査において、第１、第２研磨パッド１、２には、発泡ポリウレタン製のもの（例えば、ロデール社製の厚さ１．２ｍｍのＩＣ１０００単層品）、および上層が発泡ポリウレタン製で下層がＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製よりなる積層されたもの（例えば、上層がロデール社製の厚さ１．２ｍｍのＩＣ１０００で下層が同社製の厚さ１．２ｍｍのＳＵＢＡ４００よりなる積層された研磨パッド）を用いた。
【００３４】
第１、第２研磨パッド１、２を研磨定盤（図示せず）に接着するには、単層品の研磨パッドの場合には両面粘着テープを用いた。上記調査では、研磨定盤にスラリーが直接触れ無いようにするために、第１、第２研磨パッド１、２をパンチング加工して長孔１１、小孔２１等を形成した後、両面粘着テープを用いて研磨定盤に接着した。なお、第１、第２研磨パッド１、２に両面粘着テープを貼った後に、両面粘着テープとともに第１、第２研磨パッド１、２をパンチング加工して長孔１１、小孔２１等を形成すれば、両面粘着テープにも孔が形成されたものが得られる。このように両面粘着テープにも長孔１１、小孔２１が形成されていても、本発明の効果には影響は無い。
【００３５】
一方、積層品には、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものと、ＩＣ１０００およびＳＵＢＡ４００の両方に孔を貫通させたものとを作製した。ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００は両面テープで接着するので、接着前にＩＣ１０００にパンチングで孔を形成した後に接着すれば、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものが得られ、接着後にパンチングで孔を形成すれば、両方に孔を貫通させたものが容易に作製できる。
【００３６】
ＩＣ１０００をＳＵＢＡ４００に接着するには両面粘着テープを用いた。その際、ＩＣ１０００のみ孔を貫通させたものでは、ＩＣ１０００に両面粘着テープを貼る前にパンチング加工を行えば両面粘着テープに孔が無いものが得られ、両面テープを貼った後にパンチング加工すれば両面粘着テープに孔が形成されたものが得られる。両面粘着テープの孔に関しては、あっても無くても本発明の効果に影響は無いが、今回は、下層ＳＵＢＡ４００へのスラリー浸透が無いということから両面粘着テープに孔を形成しないものを作製して用いた。
【００３７】
ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との両方に孔を貫通させたものでは、研磨定盤への接着用として両面粘着テープを用いた。両面粘着テープを貼る前にパンチング加工を行えば両面粘着テープに孔が形成されないものが得られ、両面粘着テープを貼った後にパンチング加工を行えば両面粘着テープにも孔が形成されたものが得られる。両面粘着テープの孔に関しては、あっても無くても本発明の効果に影響は無いが、今回は、研磨定盤へスラリーが直接触れ無いことから両面粘着テープに孔を形成しないものを作製して用いた。
【００３８】
上記表１より、ＩＣ１０００の単層品からなる第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００３９】
また、ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との積層品からなるからなりＩＣ１０００のみに長孔１１が形成された第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００４０】
また、ＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００との積層品からなるからなりＩＣ１０００とＳＵＢＡ４００とを貫通する長孔１１が形成された第１研磨パッド１では、長さ２０ｍｍ以上の長孔１１が形成された場合に、ウエハの搬送エラーが０であった。ただし、長孔１１とともに小孔２１が形成された第２研磨パッド２の場合には長孔１１のピッチｐが１００ｍｍ以上となると搬送エラーが生じた。
【００４１】
また、表１の最下段には、比較例として、長孔１１を形成しない研磨パッドによる結果を示した。その結果、単層品、積層品を問わず、また小孔の有無を問わず、いずれの研磨パッド構成であっても、ウエハの搬送エラーが生じた。これによって、ウエハの搬送エラーの防止に対して長孔１１が有効であることがわかる。
【００４２】
したがって、長孔１１は２０ｍｍ以上の長さが必要であることがわかった。さらに長孔の幅方向のピッチｐは１００ｍｍ未満とする必要があることがわかった。また、長孔１１の幅の下限は、長孔１１間の研磨パッドの剛性を考慮して長孔１１の幅の２倍以上とした。
【００４３】
次に、本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る実施の形態を、図３の平面図によって説明する。
【００４４】
図３に示すように、第１研磨パッド１（第２研磨パッド２）に長孔１１が放射状に配置されて形成されていてもよい。図面では放射状方向に一つの長孔１１が形成されたものを示したが、放射状方向に複数の長孔が形成されていてもよい。図３では小孔２１の記載を省略したが、前記図２で説明したように小孔２１が形成されていてもよい。なお、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００４５】
上記構成の研磨パッドでは、長孔１１の長さを十分に、例えば被研磨物（例えばウエハ）の半径より大きくとり、放射状に配置することで、ウエハへの負圧がより生じにくい構造とすることができる。このような長孔１１をパンチング加工で形成することで、溝に比べて比較的自由な形状に形成できることは本構成の利点の一つである。
【００４６】
次に、本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る実施の形態を、図４の平面図によって説明する。
【００４７】
図４に示すように、第１研磨パッド１（第２研磨パッド２）に円弧状の長孔１１が例えば同心円状に配置されて形成されていてもよい。図面では同心円状に２列の長孔１１が形成されている場合を示したが、３列以上に形成されていてもよい。図４では小孔２１の記載を省略したが、前記図２で説明したように小孔２１が形成されていてもよい。なお、小孔２１の配置は格子点状に限定されることはなく、所定のピッチで研磨パッドの全面に形成されるものであればよい。
【００４８】
上記構成の研磨パッドでは、上記長孔１１の長さを例えば被研磨物（例えばウエハ）の半径よりも十分に大きくとり、この長孔１１を円弧状に形成することで、ウエハへの負圧がより生じにくい構造とすることができ、かつ、平行へ放射状の配置に比べてスラリーの保持性が向上するのでスラリーの使用量を削減することができる。このように長孔１１および小孔２１をパンチング加工で形成することで、溝に比べて比較的自由な形状に形成できることはこの構成の利点の一つである。
【００４９】
上記説明した実施の形態では、長孔１１と小孔２１とを一回のパンチング加工で形成することを説明したが、長孔１１と小孔２１とをそれぞれ独立にパンチング加工により形成してもよい。この方法により研磨パッドの作製が容易になる場合としては、例えば、小孔２１のピッチに比べて、長孔１１の幅を広くしたい場合がある。具体的には、一例として、小孔２１のピッチが５ｍｍで７ｍｍ幅の長孔１１を形成したい場合がある。または長孔１１が小孔２１に重なる部分がある場合がある。具体的には、小孔２１が格子点状に配置され、長孔１１が放射状または円弧状に配置される場合などがある。
【００５０】
また、研磨パッドに光学式終点検出用の窓が形成される場合には、窓部には孔が形成されない方がウエハへの入射光を遮らないため有利であるが、窓に孔を形成したとしても、本発明の有効性は変わらない。
【００５１】
上記実施の形態では、研磨パッドの一例としてＩＣ１０００を用いたが、市販の不織布からなる研磨パッド、スエード状研磨パッド、その他樹脂材料からなる研磨パッドなど、研磨パッドの材質に係わりなく、上記説明したのと同様の効果が得られる。また、固定砥粒が含有されている研磨パッドであっても、本発明の有効性は変わらないので、上記説明したのと同様なる効果が得られる。
【００５２】
次に、本発明の研磨装置について、図５に示す概略構成斜視図により説明する。
【００５３】
研磨装置は、被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する前記研磨パッド１〜４のうちの一つを備えるものである。
【００５４】
すなわち、図５に示すように、研磨装置１０１は、例えば矢印ア方向に回動自在な研磨定盤１１１を備えている。この研磨定盤１１１は図示しない回動駆動装置に接続された回転軸１１２を介して回動される。また、研磨定盤１１１上には、前記図１〜図４によって説明した研磨パッド１〜４のうちの一つが装着されている。ここでは研磨パッド１を装着した。以下、研磨パッド１で説明する。装着方法は、一般的な研磨パッドの装着方法、例えば粘着シート（粘着テープも含む）もしくは粘着剤を用いる方法による。具体的には、前記説明した方法による。
【００５５】
上記研磨パッド１が装着される研磨定盤１１１に対向する位置、通常は研磨定盤１１１の回転中心を外した位置に対向するように、研磨ヘッド１１５が備えられている。この研磨ヘッド１１５は昇降自在に構成されている。さらに、この研磨ヘッド１１５は図示しない回動駆動装置に接続された回転軸１１６を介して例えば矢印イ方向に回動される。また、この研磨ヘッド１１５の研磨定盤１１１に対向する面は、被研磨物３０１が装着されるようになっている。被研磨物の装着方法は、真空吸着、静電吸着、接着剤を用いた接着、粘着シートを用いた接着等、種々の方法を採用することができる。さらに、研磨定盤１１１の上方で研磨ヘッド１１５の近傍には、研磨パッド１上に研磨スラリー１３１（便宜上、矢印で示す）を供給するためのノズル１２１が備えられている。そしてこの研磨スラリー１３１は、研磨定盤１１１の回動とともに研磨パッド１と被加工物３０１との間に入り込むように供給される。
【００５６】
本発明の研磨方法を以下に説明する。一例として、上記研磨装置１０１を用いて研磨を行う方法を説明する。まず、研磨パッド１〜４のうちの所望の研磨パッドを研磨定盤１１１に装着する。また研磨ヘッド１１５には被研磨物３０１を装着する。その後、ノズル１２１より研磨スラリー１３１を研磨パッド１上に供給するとともに、研磨定盤１１１を回動させる。また、研磨ヘッド１１５も回動させる。そして、所望の加工圧力となるように、研磨パッド１に被研磨物３０１を接触させて、被研磨物３０１の被研磨面を研磨する。研磨条件の一例としては、研磨スラリー１３１には、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）ベースのフュームドシリカ系スラリーを用い、加工圧力を３００ｇ／ｃｍ2 、回転数を被研磨物（例えばウエハ）に対する研磨パッドの周速度が６０ｍ／ｍｉｎになるように設定した。研磨が終了した後は、被加工物３０１を研磨パッド１より引き離し、研磨スラリー１３１の供給を停止するとともに、研磨定盤１１１および研磨ヘッド１１５の回動を停止する。その後、研磨ヘッド１１５より被加工物３０１を脱着すればよい。なお、脱着前に被研磨物３０１の被研磨面を洗浄してもよい。
【００５７】
上記説明した研磨方法は一例であって、研磨条件は、研磨対象に応じて適宜変更することができる。また、従来から用いられている研磨条件を用いることもできる。
【００５８】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明の第１研磨パッドによれば、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられているので、被研磨面と研磨パッド表面との間の密閉性を低下させて負圧が生じにくくすることができる。このため、研磨終了後に研磨パッド表面より被研磨物を容易に取り除くことができる。また、長孔をパンチング加工で形成することができるので、従来の切削加工により形成される溝を有する研磨パッドを用いる従来の研磨パッドよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているので研磨パッドが磨耗しても長孔が無くなることはないため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００５９】
本発明の第２研磨パッドによれば、研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、この複数の孔のうちの一部は長孔で形成されているので、第１研磨パッドと同様の効果が得られる。さらに、長孔以外の複数の孔が設けられているので、研磨抵抗の上昇を抑えることができる。さらに、長孔内に研磨液を留めることができるので、従来の溝を形成した研磨パッドと比較して研磨液量を減らすことができる。また、長孔を含む複数の孔は１回のパンチング加工で形成することができるので、切削加工により形成される溝を有する従来の研磨パッドを使用するよりも製造コストが安価になる。さらに、長孔は研磨パッドの厚さ方向に貫通するように形成されているので研磨パッドが磨耗しても長孔が無くなることはないため、溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命を延ばすことができる。
【００６０】
本発明の研磨装置によれば、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドが装着されていることから、研磨装置の運用費用を低減することができる。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度を低減することができる。その結果、研磨装置の運用費用を低減することができる。それとともに、本発明の研磨パッドの作用効果を得ることができる。
【００６１】
本発明の研磨方法は、研磨パッドの製造コストを安価にできる本発明の研磨パッドを用いることから、研磨コストを低減することができる。さらに、本発明の研磨パッドは従来の溝を有する研磨パッドよりもパッド寿命が長いので、研磨パッドの交換頻度を低減することができる。その結果、研磨コストを低減することができる。それとともに、本発明の研磨パッドの作用効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１研磨パッドに係る一実施の形態を示す平面図および部分拡大図である。
【図２】 本発明の第２研磨パッドに係る一実施の形態を示す平面図および部分拡大図である。
【図３】 本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る一実施の形態を示す平面図である。
【図４】 本発明の第１、第２研磨パッドに形成される長孔に係る一実施の形態を示す平面図である。
【図５】 本発明の第１の研磨装置に係る実施の形態を示す概略構成斜視図である。
【図６】 従来技術１の研磨パッドを示す平面図、部分拡大図およびＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】 従来技術３の研磨パッドを示す平面図、部分拡大図およびＢ−Ｂ’線断面図である。
【符号の説明】
１…第１研磨パッド、１１…長孔
Claims (6)
- 被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、
前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていて、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨パッド。 - 被研磨物を研磨する研磨パッドにおいて、
前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、前記複数の孔のうちの一部は長孔からなり、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨パッド。 - 被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、
相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する研磨装置において、
前記研磨パッドは、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていて、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨装置。 - 被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、
相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する研磨装置において、
前記研磨パッドは、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、前記複数の孔のうち一部は長孔からなり、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨装置。 - 被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、
被研磨面と研磨パッドとが相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する研磨方法において、
前記研磨パッドは、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の長孔が設けられていて、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨方法。 - 被研磨材料の被研磨面に研磨パッドが接触し、
被研磨面と研磨パッドとが相対的に摩擦運動することにより被研磨面を研磨する研磨方法において、
前記研磨パッドは、前記研磨パッドを厚さ方向に貫通する複数の孔が設けられていて、前記複数の孔のうち一部は長孔からなり、
前記長孔は、その長手方向の長さが２０ｍｍ以上のものからなり、
前記長孔の短手方向のピッチは、前記長孔の短手方向の長さの２倍以上１００ｍｍ未満に形成されている
ことを特徴とする研磨方法。
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007214379A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 研磨パッド |
| DE202006004193U1 (de) * | 2006-03-14 | 2006-06-08 | Richter, Harald | Adapterplatte für einen Vakuumsauger |
| JP2007290114A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Toshiba Corp | 研磨パッド、研磨方法及び研磨装置 |
| JP2007266052A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Nec Electronics Corp | 研磨パッド、ｃｍｐ装置、研磨パッドの製造方法 |
| US20080220702A1 (en) * | 2006-07-03 | 2008-09-11 | Sang Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad having surface texture |
| US20080003935A1 (en) * | 2006-07-03 | 2008-01-03 | Chung-Chih Feng | Polishing pad having surface texture |
| JP5308637B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-10-09 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
| CN100493841C (zh) * | 2007-07-25 | 2009-06-03 | 友达光电股份有限公司 | 研磨机台、承载治具及承载治具的操作方法 |
| US9180570B2 (en) | 2008-03-14 | 2015-11-10 | Nexplanar Corporation | Grooved CMP pad |
| CN101987431B (zh) * | 2009-08-06 | 2015-08-19 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨方法、研磨垫与研磨系统 |
| US20140342646A1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-11-20 | Toray Industries, Inc. | Polishing pad |
| US9551075B2 (en) * | 2014-08-04 | 2017-01-24 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of alumina |
| JP7113626B2 (ja) * | 2018-01-12 | 2022-08-05 | ニッタ・デュポン株式会社 | 研磨パッド |
| JP7351170B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-09-27 | 日本電気硝子株式会社 | 研磨パッド、及び研磨方法 |
| CN114592401A (zh) * | 2021-05-31 | 2022-06-07 | 清华大学 | 冰面抛光方法及装置 |
| CN115805523A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-03-17 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 定盘、抛光设备和抛光方法 |
Family Cites Families (75)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1700634A (en) * | 1924-11-13 | 1929-01-29 | Hopf Paul | Grinding tool |
| US1670648A (en) * | 1925-08-19 | 1928-05-22 | Bliss E W Co | Automatic punching press |
| US2749681A (en) * | 1952-12-31 | 1956-06-12 | Stephen U Sohne A | Grinding disc |
| US3166876A (en) * | 1963-03-29 | 1965-01-26 | Norton Co | Coated abrasive implement |
| US4182616A (en) * | 1978-02-17 | 1980-01-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a rotatable floor treating pad |
| US4271640A (en) * | 1978-02-17 | 1981-06-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Rotatable floor treating pad |
| US4291508A (en) * | 1979-11-30 | 1981-09-29 | American Optical Corporation | Lens surfacing pad |
| USRE37997E1 (en) * | 1990-01-22 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with controlled abrasion rate |
| US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
| US5177908A (en) * | 1990-01-22 | 1993-01-12 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad |
| DE4011960A1 (de) * | 1990-04-12 | 1991-10-17 | Swarovski & Co | Schleifkoerper |
| US5076024A (en) * | 1990-08-24 | 1991-12-31 | Intelmatec Corporation | Disk polisher assembly |
| US6099394A (en) * | 1998-02-10 | 2000-08-08 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing system having a multi-phase polishing substrate and methods relating thereto |
| GB9223826D0 (en) * | 1992-11-13 | 1993-01-06 | De Beers Ind Diamond | Abrasive device |
| US5329734A (en) * | 1993-04-30 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Polishing pads used to chemical-mechanical polish a semiconductor substrate |
| US5533923A (en) * | 1995-04-10 | 1996-07-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical-mechanical polishing pad providing polishing unformity |
| US5584754A (en) * | 1995-08-08 | 1996-12-17 | Sungold Abrasives Usa, Inc. | Flexible contour sanding disc |
| JP3042593B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2000-05-15 | 日本電気株式会社 | 研磨パッド |
| DE29520566U1 (de) * | 1995-12-29 | 1996-02-22 | Jöst, Peter, 69518 Abtsteinach | Direkt oder indirekt mit einer Maschine oder einem manuell betreibbaren Schleifmittelhalter adaptierbarer Schleifkörper sowie ein hierfür geeigneter Adapter |
| US5690540A (en) * | 1996-02-23 | 1997-11-25 | Micron Technology, Inc. | Spiral grooved polishing pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
| JP2865061B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-03-08 | 日本電気株式会社 | 研磨パッドおよび研磨装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| US5645469A (en) * | 1996-09-06 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad with radially extending tapered channels |
| US6475253B2 (en) * | 1996-09-11 | 2002-11-05 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article and method of making |
| US5795218A (en) * | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
| US5842910A (en) * | 1997-03-10 | 1998-12-01 | International Business Machines Corporation | Off-center grooved polish pad for CMP |
| US5921855A (en) * | 1997-05-15 | 1999-07-13 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system |
| US6273806B1 (en) * | 1997-05-15 | 2001-08-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5934980A (en) * | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing |
| US5899745A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Motorola, Inc. | Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor |
| US5997392A (en) * | 1997-07-22 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing |
| US6692338B1 (en) * | 1997-07-23 | 2004-02-17 | Lsi Logic Corporation | Through-pad drainage of slurry during chemical mechanical polishing |
| US5882251A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-16 | Lsi Logic Corporation | Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves |
| US5888121A (en) * | 1997-09-23 | 1999-03-30 | Lsi Logic Corporation | Controlling groove dimensions for enhanced slurry flow |
| US6074286A (en) * | 1998-01-05 | 2000-06-13 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatus and method of processing a wafer utilizing a processing slurry |
| JPH11216663A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
| US6135868A (en) * | 1998-02-11 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Groove cleaning device for chemical-mechanical polishing |
| US6241587B1 (en) * | 1998-02-13 | 2001-06-05 | Vlsi Technology, Inc. | System for dislodging by-product agglomerations from a polishing pad of a chemical mechanical polishing machine |
| JP2870537B1 (ja) * | 1998-02-26 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法 |
| JPH11285962A (ja) * | 1998-04-06 | 1999-10-19 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
| DE19822499A1 (de) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Franz Schrattenecker | Spreuverteiler für einen Mähdrescher |
| US6315857B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-11-13 | Mosel Vitelic, Inc. | Polishing pad shaping and patterning |
| KR100443330B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2004-08-09 | 쎄미콘테크 주식회사 | 화학 기계적 연마 방법 및 장치 |
| US6331137B1 (en) * | 1998-08-28 | 2001-12-18 | Advanced Micro Devices, Inc | Polishing pad having open area which varies with distance from initial pad surface |
| GB2345255B (en) * | 1998-12-29 | 2000-12-27 | United Microelectronics Corp | Chemical-Mechanical Polishing Pad |
| US6217426B1 (en) * | 1999-04-06 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | CMP polishing pad |
| US6238271B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-05-29 | Speed Fam-Ipec Corp. | Methods and apparatus for improved polishing of workpieces |
| US6261168B1 (en) * | 1999-05-21 | 2001-07-17 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical planarization or polishing pad with sections having varied groove patterns |
| US6685539B1 (en) * | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US6238273B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for predicting polishing parameters of polishing pads and methods and machines for planarizing microelectronic substrate assemblies in mechanical or chemical-mechanical planarization |
| US6364749B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | CMP polishing pad with hydrophilic surfaces for enhanced wetting |
| US6346032B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-02-12 | Vlsi Technology, Inc. | Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad |
| US6520843B1 (en) * | 1999-10-27 | 2003-02-18 | Strasbaugh | High planarity chemical mechanical planarization |
| JP2001121402A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-08 | Applied Materials Inc | コンディショニングディスク |
| JP2001179609A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-03 | Roki Techno Co Ltd | 研磨パッド |
| US6241596B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing using a patterned pad |
| JP2001219362A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-08-14 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨パッド |
| US6537144B1 (en) * | 2000-02-17 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for enhanced CMP using metals having reductive properties |
| US7066800B2 (en) * | 2000-02-17 | 2006-06-27 | Applied Materials Inc. | Conductive polishing article for electrochemical mechanical polishing |
| US6422929B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Polishing pad for a linear polisher and method for forming |
| US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
| US6736709B1 (en) * | 2000-05-27 | 2004-05-18 | Rodel Holdings, Inc. | Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization |
| US6575828B1 (en) * | 2000-06-21 | 2003-06-10 | Newdelman Mitchell J. | Game using game and outcome indicia |
| US6656019B1 (en) * | 2000-06-29 | 2003-12-02 | International Business Machines Corporation | Grooved polishing pads and methods of use |
| JP2002025959A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Canon Inc | 半導体基板の研磨装置 |
| US6666751B1 (en) * | 2000-07-17 | 2003-12-23 | Micron Technology, Inc. | Deformable pad for chemical mechanical polishing |
| US6830090B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-12-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad installation tool |
| JP3826728B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2006-09-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体ウエハ用研磨パッド及びこれを備える半導体ウエハ用研磨複層体並びに半導体ウエハの研磨方法 |
| US6544373B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-04-08 | United Microelectronics Corp. | Polishing pad for a chemical mechanical polishing process |
| US6743086B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-06-01 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article with universal hole pattern |
| KR20030015567A (ko) * | 2001-08-16 | 2003-02-25 | 에스케이에버텍 주식회사 | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
| KR100646702B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2006-11-17 | 에스케이씨 주식회사 | 홀 및/또는 그루브로 형성된 화학적 기계적 연마패드 |
| US6530829B1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | CMP pad having isolated pockets of continuous porosity and a method for using such pad |
| US6648743B1 (en) * | 2001-09-05 | 2003-11-18 | Lsi Logic Corporation | Chemical mechanical polishing pad |
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