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KR20040026116A - 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법 - Google Patents

화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법 Download PDF

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KR20040026116A
KR20040026116A KR1020030045923A KR20030045923A KR20040026116A KR 20040026116 A KR20040026116 A KR 20040026116A KR 1020030045923 A KR1020030045923 A KR 1020030045923A KR 20030045923 A KR20030045923 A KR 20030045923A KR 20040026116 A KR20040026116 A KR 20040026116A
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radical
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준이찌 곤
고지 노자끼
에이 야노
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후지쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 외부로부터의 염기종에 기인하는 화학 증폭 레지스트막의 패턴 결함을 억제할 수 있는 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 이용한 패터닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 기재 수지, 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖는 광산발생제를 포함하는 레지스트 재료로서, 이 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 화학 증폭 레지스트 재료에 관한 것이다. 바람직하게는 활성제는 열에 의해 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질이고, 이 물질은 레지스트 재료의 도막으로부터 레지스트막을 형성하는 베이킹 온도 이하의 온도에서 가열함으로써 산 또는 라디칼을 발생시키는 것이 바람직하다. 활성제는 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서의 노광에 의해 산 또는 라디칼을 발생하는 물질일 수도 있다.

Description

화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법 {Chemically Amplified Resist Material and Patterning Method Using Same}
본 발명은 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 반도체 디바이스 또는 자기 헤드의 제조에 있어서 미세 가공용의 패턴 형성에 유용한 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스를 미세 가공하기 위해서 광산발생제를 함유하는 화학 증폭 레지스트 (예를 들면 J. M. J. Frechet et a1., Proc. Microcircuit Eng., 260 (1982), H. Ito et al., "Polymers in E1ectronics", ACS Symposium Series 242, T Davidson, ed., ACS, 11 (1984), 미국 특허 제4491628호 명세서 (1985))가 많이 사용되고 있다. 화학 증폭 레지스트에서는 자외선, 전자선, X선, 집속 이온빔 등의 조사에 의해서 광산발생제로부터 산이 발생되고, 이 산이 노광 후 베이킹 시에 촉매로서 기능하고, 그리고 촉매 반응에 의해 노광부가 알칼리 가용 (포지티브형 레지스트인 경우) 또는 불용 (네가티브형 레지스트인 경우) 물질로 변화한다. 이 때문에 화학 증폭 레지스트를 사용하면 노광 감도를 향상시킬 수 있다.
화학 증폭 레지스트는 극미량의 산에 의한 촉매 반응을 이용하기 때문에 외부로부터의 불순물의 영향을 받기 쉽다. 특히 불순물이 염기종인 경우에는 산의 실활이 발생되고, 노광ㆍ현상하여 형성되는 패턴의 형상에 열화가 생긴다는 것이 알려져 있다. 형상의 열화가 생기는 부분은 형성된 패턴의 상부와 하부의 계면 근방 (레지스트막 표층부와 바닥부)이고, 각각 대기 중 및 기판 표면에 존재하는 염기종이 주된 원인이 된다.
대기 중으로부터 염기종의 영향으로서는, 레지스트막 표층에 흡착된 염기종 또는 표층으로부터 레지스트막 중에 확산된 염기종이 노광에 의해 광산발생제로부터 발생된 산을 중화시키기 때문에 노광부의 레지스트막 표층 부근의 레지스트 재료의 가용화 (포지티브 레지스트인 경우), 불용화 (네가티브 레지스트인 경우)가 저해된다. 이 결과, 포지티브 레지스트의 패턴에서는 T톱 형상 (표면 난용해층의 형성)이 되고, 네가티브 레지스트의 패턴에서는 라운드 톱 형상 (패턴 상부의 누락)이 된다.
한편, 기판으로부터의 염기종의 영향으로서는, 기판 표면에 존재하는 염기종 또는 기판 표면에서 레지스트 중에 확산된 염기종이 노광에 의해 발생된 산을 중화시키기 때문에, 기판과의 계면 부근에 있어서 레지스트 재료의 가용화 (포지티브 레지스트인 경우), 불용화 (네가티브 레지스트인 경우)가 저해된다. 이 결과, 포지티브 레지스트의 패턴에서 훗팅 형상 (해밍)이 되고, 네가티브 레지스트의 패턴에서는 언더 컷트 형상 (침투)이 된다. 이러한 레지스트 바탕으로부터의 염기종의 영향은 기판 표면에 SiN, SiON, TiN, BPSG, BSG, PSG 등의 염기종 함유 막이 형성되는 경우에 보다 현저하다. 또한 훗팅이나 언더 컷트는 레지스트 중에서 발생한 산이 바탕막으로 확산함으로써 동일하게 발생된다.
이상과 같은 레지스트의 T톱, 라운드 톱, 훗팅이나 언더 컷트 등의 패턴 결함이 생기면 바탕막을 소정의 치수로 가공할 수 없게 되고, 반도체 디바이스의 미세 가공이 곤란하게 된다.
대기 중으로부터 염기종의 영향은 공정에서의 분위기 제어, 예를 들면 염기종 흡착 필터의 사용으로 어느 정도 억제할 수 있지만 제조 설비가 복잡해진다는 문제가 있다.
한편, 기판으로부터의 염기종의 영향을 회피하는 방법으로서는 기판과 레지스트 막 사이에 열경화성 수지 등의 보호막을 형성하는 방법이 고려되고 있다. 그러나 염기종의 확산을 억제하기 위해서는 스핀 코팅, CVD 등의 방법에 의해 보호막을 충분한 두께로 도포해야만 한다. 또한 레지스트막의 패터닝 후에 이 보호막을 제거하기 위해서는 레지스트의 현상액과 다른 에칭액을 필요로 하는 경우가 있고, 공정이 복잡해진다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은 제조 설비 또는 공정을 복잡하게 하는 일 없이 외부로부터의 염기종에 기인하는 화학 증폭 레지스트막의 패턴 결함을 억제할 수 있는 화학 증폭 레지스트 재료 및 그것을 사용한 패터닝 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 화학 증폭 레지스트 재료는 기재 수지 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖는 광산발생제를 포함하는 레지스트 재료로서, 이 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 패터닝 방법은 포토리소그래피 수법에 의해 레지스트 패턴을 바탕막 또는 층에 전사하여 그것을 패터닝하는 방법으로서, 패터닝하고자 하는 막 또는 층을 표면에 구비한 기판 상에 본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료로부터 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막 중의 활성제로부터 산 또는 라디칼을 발생시키는 처리를 행하는 공정, 레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 공정, 그리고 노광한 레지스트막을 베이킹 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 의해 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하는 패터닝 방법이다.
본 발명은 외부로부터의 염기종에 기인하는 레지스트막의 패턴 결함을 억제시킬 수 있는 화학 증폭 레지스트 재료를 제공하는 것이다. 이 화학 증폭 레지스트 재료는 기재 수지 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖고, 후 베이킹 시에 촉매로서 기능하는 산을 노광에 의해 발생시키는 광산발생제를 포함하고, 이 산의 촉매 작용에 의해 노광부가 알칼리 가용 (포지티브형인 경우) 또는 불용 (네가티브형인 경우)이 되며, 알칼리 현상액에 의해 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 재료로서, 상기한 기재 수지 및 광산발생제 이외에 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 것이다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료에 있어서 기재 수지는 통상적인 화학 증폭 레지스트 재료로 사용되는 기재 수지일 수 있다. 네가티브형의 레지스트 재료인 경우, 기재 수지에는 그것과 반응하여 기재 수지를 알칼리 현상액에 불용으로 만드는 가교제 또는 경화제가 포함된다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료에 포함되는 광산발생제는, 이 레지스트 재료에 의한 패터닝에 직접 관여하는 물질이며 패터닝 노광에 의해서 산을 발생시키는 것이다. 본 발명의 레지스트 재료에 있어서 광산발생제로서는 화학 증폭 레지스트 재료의 분야에서 공지된 각종 화합물을 사용할 수 있다. 그와 같은 광산발생제에는 예를 들면 오늄염 화합물, 유기 할로겐 화합물, 술폰 화합물, 술포네이트 화합물 등이 포함되고, 이들 모두 본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료로 사용할 수 있다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료로 사용되는 활성제는, 광산발생제로부터 산을 발생시키는 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질이다. 이 활성제는 패터닝 노광에 앞선 공정에서의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시켜 레지스트막 중 특히 표층부 및 바탕 기판과의 계면 부근에 존재하는 외부 유래의 염기종을 패터닝 노광 전 (광산발생제로부터 레지스트막의 패터닝에 필요한 산을 발생시키기 전)에 중화하고, 패터닝 노광 시에 그와 같은 염기종이 존재하면 발생하게 되는 레지스트막의 패턴 결함을 억제한다.
본 발명에서 사용하는 활성제는 분해에 의해 레지스트막 중의 염기종의 중화에 이용되는 산 또는 라디칼을 발생시킨다. 레지스트막 중의 활성제를 분해시키기 위해 레지스트막에 패터닝 노광 전에 그것과는 별도의 처리를 행한다.
활성제를 분해시켜 산 또는 라디칼을 발생시키기 위해서는 열산발생제 또는열 라디칼 발생제를 활성제로서 사용하는 것이 바람직하다. 열산발생제로서는 지방족 술폰산, 지방족 술폰산염, 지방족 카르복실산, 지방족 카르복실산염, 방향족 술폰산, 방향족 술폰산염, 방향족 카르복실산, 방향족 카르복실산염, 금속염, 인산 에스테르 또는 일본 특허 공개 평 8-248561호 공보에 기재된 것과 같은 산 증식제 중 열적으로 불안정하고 비교적 낮은 온도에서 분해되는 것을 들 수 있다. 열 라디칼 발생제로서는 라디칼 반응의 개시제로서 알려져 있는 각종 화합물, 예를 들면 과산화물 또는 아조 화합물을 들 수 있다.
열산발생제 또는 열 라디칼 발생제는 패터닝 노광 전에 분해시켜 레지스트막 중의 염기종의 중화에 제공할 필요가 있다. 바람직하게는 열산발생제 또는 열 라디칼 발생제는 레지스트 재료를 기판 상에 도포한 후의 레지스트막 형성 베이킹 시에 분해시킨다. 따라서 열산발생제나 열 라디칼 발생제의 분해 온도는 레지스트막 형성시의 베이킹 온도 이하인 것이 바람직하다. 레지스트막의 패터닝에 사용하는 광산발생제의 분해 온도나 일반적인 기재 수지의 연화 온도를 고려하면 레지스트막 형성 베이킹 온도는 90 내지 200 ℃의 범위가 바람직하고, 이에 따라 열산발생제 또는 열 라디칼 발생제로서는 그 분해가 70 내지 180 ℃ 정도에서 발생되는 물질을 선택하는 것이 바람직하다.
광의 조사에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질 (즉, 광산발생제 또는 광 라디칼 발생제)을 활성제로서 사용할 수 있다. 이 경우는 레지스트막의 패터닝에 사용하는 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장의 광으로 레지스트막을 노광하고, 그에 따라 활성제를 분해시켜 산 또는 라디칼을 발생시킨다. 이를 위해서는,패터닝 노광 전에 패터닝 노광과 다른 파장의 방사선으로 레지스트막을 전면 조사하여 활성제를 분해시키는 공정이 필요하다. 또한, 전면 조사 후, 발생된 산에 의한 레지스트막 표층 부근 및 바탕 기판과의 계면 부근의 염기종의 중화를 촉진시키기 위해 베이킹 공정을 행할 수 있다.
광산발생제 또는 광 라디칼 발생제를 분해시켜 산 또는 라디칼을 발생시키기 위해서 조사하는 방사선은 가시광, 자외선, 전자선, X선 또는 집속 이온빔인 것이 바람직하다. 또한 레지스트 재료의 해상성능을 고려하면 조사하는 방사선의 파장에 있어서 레지스트막의 흡광도는 1.75 이하인 것이 바람직하다.
활성제의 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수는, 이후의 패터닝 노광에 의한 광산발생제의 분해에 의해 발생되는 산의 분자수의 1/5 이하인 것이 바람직하다. 활성제의 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수가, 패터닝 노광에 의해 광산발생제로부터 발생되는 산의 분자수의 1/5을 초과하면, 염기종을 중화시키는 단계, 즉 패터닝 노광의 전 단계에 있어서, 통상적인 패터닝 노광 (그에 따라 광산발생제가 분해되어 산이 발생된다)하였을 때와 동등한 기재 수지의 반응이 일어나고, 포지티브 레지스트 재료에서는 레지스트막이 전면 가용화, 네가티브 레지스트 재료에서는 레지스트막이 전면 불용화되기 때문에 원하는 패터닝을 할 수 없는 경우가 있다.
따라서, 활성제는 그의 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수가 이후의 패터닝 노광에 의해 광산발생제로부터 발생되는 산의 분자수의 1/5 이하가 되는 양으로 레지스트 재료에 첨가된다. 그러나 활성제의 분해에 의해 발생되는 산또는 라디칼의 분자수는 활성제의 분해를 위한 처리 조건 (예를 들면 열에 의해 분해되는 활성제의 경우에는 가열 온도 또는 가열 시간, 광에 의해 분해되는 활성제의 경우에는 조사 광의 파장 또는 노광 시간)에 따라서도 변동하기 때문에, 실제로 사용하는 활성제의 양은 그 종류와 그 분해 처리 조건, 및 활성제를 첨가하는 레지스트계 (광산발생제로부터 발생되는 산의 분자수는 레지스트계 마다 다양하다) 등을 고려하여 결정할 필요가 있고, 그 양은 간단한 실험에 의해 쉽게 구할 수 있다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료는, 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수가 이후의 패터닝 노광에 의해 광산발생제로부터 발생되는 산의 분자수의 1/5 이하가 되는 양의 활성제를 기존의 화학 레지스트 재료에 첨가함으로써 쉽게 제조할 수가 있다. 화학 증폭 레지스트 재료를 새롭게 설계하는 경우에도 동일하게 기재 수지와 광산발생제에 관한 배합을 정하고, 거기에 활성제를 첨가하면 된다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 재료에 의해 바탕막 또는 층을 패터닝하는 경우에는 바탕막 또는 층 상에 화학 증폭 레지스트 재료로부터 레지스트막을 형성하고 가열 또는 활성제의 분해에 유효한 파장의 광을 조사함으로써 레지스트막 중의 활성제로부터 산 또는 라디칼을 발생시키고, 이어서 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광, 베이킹, 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스킹하여 바탕막 또는 층을 포토리소그래피 수법에 의해 패터닝할 수가 있다.
본 발명의 화학 증폭 레지스트 및 그것을 사용한 패터닝 방법은, 대기 중으로부터의 염기종에 의한 레지스트 패턴 표층부의 패턴 결함의 억제에도 물론 유효하지만 레지스트 패턴을 전사하고자 하는 바탕막 또는 층이 포함하는 염기종에 의한 레지스트막 및 바탕막 또는 층과의 계면 부근의 패턴 결함의 억제에 매우 유효하다. 염기종을 포함하는 바탕막 또는 층의 예로서는 SiN, SiON, TiN, BPSG, BSG, PSG 등으로부터 형성한 막 또는 층을 들 수 있다.
이하에, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
하기 실시예에서 사용하는 부수는 특별히 기재하지 않는 한 중량부수이다.
레지스트 재료의 구성 물질로서 하기의 것을 준비하였다.
1. 기재 수지
1-1 폴리비닐페놀/t-부틸아크릴레이트 (50/50) 공중합체
1-2 폴리비닐페놀
2. 가교제
2-1 헥사메톡시메틸멜라민
3. 광산발생제
3-1 트리페닐술포늄트리플레이트
3-2 디페닐요오도늄트리플레이트
3-3 하기 화학식 1로 표시되는 화합물
4. 열산발생제
4-1 2-니트로벤질토실레이트
4-2 N-(10-캄포술포닐옥시)숙신이미드
5. 열 라디칼 발생제
5-1 디메틸2,2'-아조비스이소부틸레이트
6. 용제
6-1 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
<실시예 1>
하기 물질을 혼합하여 열산발생제가 상이한 도포액 1 내지 3을 제조하였다.
기재 수지: 1-1 (100 부)
열산발생제: 없음…도포액 1 (비교예)
4-1 (5 부)…도포액 2
4-2 (5 부)…도포액 3
용매: 6-1 (500 부)
상기 도포액을 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) Si 기판 상에 도포액을 스핀 코팅하고 80 내지 130 ℃에서 60 초간 베이킹.
(2) 4％ 수산화테트라메틸암모늄 수용액을 사용하여 도막의 용해 속도를 측정.
표 1에 막 형성 온도와 막의 용해 속도의 관계를 나타냈다.
기재 수지의 가용화로부터 열산발생제 4-1, 4-2의 분해 온도는 각각 120 ℃, 110 ℃로 판단되었다.
<실시예 2>
하기의 물질을 혼합하여 열산발생제 4-1의 첨가량이 상이한 포지티브 레지스트 4 내지 8을 제조하였다. 포지티브 레지스트 4 내지 8에 있어서 열산발생제 4-1의 첨가량은 광산발생제 3-1의 양에 대하여 각각 0, 10, 20, 30, 40 mol％이었다.
기재 수지: 1-1 (100 부)
광산발생제: 3-1 (5 부)
열산발생제: 4-1
용매: 6-1 (500 부)
상기 레지스트를 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) SiN막을 100 nm 형성한 Si 기판 상에 포지티브 레지스트를 스핀 코팅하고, 120 ℃에서 60 초간 베이킹하여 레지스트막을 형성.
(2) KrF 엑시머 레이저 (파장=254 nm) 노광기를 사용하여 레지스트막을 0.2 ㎛ 폭, 0.4 ㎛ 피치의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴으로 노광 (노광량=20 mJ cm-2).
(3) 노광 후, 레지스트막을 110 ℃에서 60 초간 베이킹 (노광후 베이킹, PEB).
(4) 레지스트막을 2.38％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 60 초간 현상.
이 결과, 레지스트 4 (비교예)에서는 T톱과 훗팅이 발생되어 패턴이 해상되지 않았지만 레지스트 5, 6은 레지스트 패턴이 상면에서 기판까지 스트레이트로 해상되었다. 또한, 레지스트 7, 8에서는 레지스트가 전면 가용화되어 패턴이 형성되지 않았다.
<실시예 3>
하기 물질을 혼합하여, 열산발생제 4-2의 첨가량이 상이한 포지티브 레지스트 9 내지 13을 제조하였다. 포지티브 레지스트 9 내지 13에 있어서 열산발생제 4-2의 첨가량은 광산발생제 3-2의 양에 대하여 각각 0, 10, 20, 30, 40 mol％이었다.
기재 수지: 1-1 (100 부)
광산발생제: 3-2 (5 부)
열산발생제: 4-2
용매: 6-1 (500 부)
상기 레지스트를 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) SiO2막을 50 nm 형성한 Si 기판 상에 포지티브 레지스트를 스핀 코팅하고 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 레지스트막을 형성.
(2) 가속 전압 50 keV의 전자선 노광기를 사용하여 레지스트막을 0.15 ㎛ 폭, 0.3 ㎛ 피치의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴으로 노광 (노광량=10 μ Ccm-2).
(3) 노광 후, 레지스트막을 100 ℃에서 60 초간 베이킹 (노광후 베이킹, PEB).
(4) 레지스트막을 2.38 ％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 60 초간 현상.
이 결과, 레지스트 9 (비교예)에서는 훗팅이 발생되어 패턴이 해상되지 않았지만 레지스트 10, 11, 12는 레지스트 패턴이 상면에서 기판까지 스트레이트로 해상되었다. 또한, 레지스트 13에서는 레지스트가 전면 가용화되어 패턴이 형성되지 않았다.
<실시예 4>
하기 물질을 혼합하여 포지티브 레지스트 14, 15를 제조하였다.
기재 수지: 1-1 (100 부)
광산발생제: 3-1 (5 부)
라디칼 발생제: 없음…레지스트 14
5-1 (0.5 부)…레지스트 15
용매: 6-1 (500 부)
상기 레지스트를 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) BPSG막을 500 nm 형성한 Si 기판 상에 포지티브 레지스트를 스핀 코팅하고 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 레지스트막을 형성.
(2) KrF 엑시머 레이저 (파장=254 nm) 노광기를 사용하여 레지스트막을 0.2 ㎛ 폭, 0.4 ㎛ 피치의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴으로 노광 (노광량=20 mJ cm-2).
(3) 노광 후, 레지스트막을 100 ℃에서 60 초간 베이킹 (노광후 베이킹, PEB).
(4) 레지스트막을 2.38 ％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 60 초간 현상.
이 결과, 레지스트 14 (비교예)에서는 T톱과 훗팅이 발생되어 패턴이 해상되지 않았지만 레지스트 15는 T톱과 훗팅이 개선되어 패턴 해상이 가능하였다.
<실시예 5>
하기 물질을 혼합하여 네가티브 레지스트 16, 17을 제조하였다.
기재 수지: 1-2 (100 부)
가교제: 2-1 (10 부)
광산발생제: 3-1 (5 부)
열산발생제: 없음…레지스트 16
4-1 (광산발생제 3-1에 대하여 10 mol％)…레지스트 17
용매: 6-1 (500 부)
상기 레지스트를 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) TiN막을 80 nm 형성한 Si 기판 상에 네가티브 레지스트를 스핀 코팅한 후, 120 ℃에서 60 초간 베이킹하여 레지스트막을 형성.
(2) 가속 전압 50 keV의 전자선 노광기를 사용하여 레지스트막을 0.15 ㎛ 폭, 0.3 ㎛ 피치의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴으로 노광 (노광량=15 μ Ccm-2).
(3) 노광 후, 레지스트막을 110 ℃에서 60 초간 베이킹 (노광후 베이킹, PEB).
(4) 레지스트막을 2.38 ％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 60 초간 현상.
이 결과, 레지스트 16 (비교예)에서는 언더 컷트에 의해 패턴이 망가졌지만 레지스트 17은 레지스트 패턴이 상면에서 기판까지 스트레이트로 해상되어 패턴이 형성 가능하였다.
<실시예 6>
하기 물질을 혼합하여 포지티브 레지스트 18을 제조하였다.
기재 수지: 1-1 (100 부)
광산발생제 (1): 3-1 (5 부)
광산발생제 (2): 3-3 (0.5 부)
용매: 6-1 (500 부)
여기서 사용한 광산발생제 중 광산발생제 3-1은 파장 300 nm 이상의 자외선에 감광하지 않는다.
상기 레지스트를 사용하여 하기의 공정을 행하였다.
(1) SiN막을 100 nm 형성한 Si 기판 상에 포지티브 레지스트를 스핀 코팅하고 110 ℃에서 60 초간 베이킹하여 레지스트막을 형성.
(2) g선 램프 (파장 365 nm)로 레지스트막을 1 분간 전면 노광 (노광량=1OOmJ cm-2).
(3) 레지스트막을 110 ℃에서 60 초간 베이킹.
(4) KrF 엑시머 레이저 (파장=254 nm) 노광기를 사용하여 레지스트막을 0.2㎛ 폭, 0.4 ㎛ 피치의 라인ㆍ앤드ㆍ스페이스 패턴으로 노광 (노광량=20 mJ cm-2).
(5) 노광 후, 레지스트막을 100 ℃에서 60 초간 베이킹 (노광후 베이킹, PEB).
(6) 레지스트막을 2.38 ％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 60 초간 현상.
이 결과, 상기 공정 중의 (2)와 (3)을 행하지 않은 경우 (비교예)에는 T톱과 훗팅이 발생되어 패턴이 해상되지 않았지만 전 공정을 행한 경우에는 레지스트 패턴이 상면에서 기판까지 스트레이트로 해상되었다.
본 발명은 이상에서 설명한 바와 같지만, 그 특징을 여러가지의 양태와 함께 부기하면 다음과 같다.
(부기 1)
기재 수지 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖는 광산발생제를 포함하는 화학 증폭 레지스트 재료로서, 이 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 2)
부기 1에 있어서, 상기 활성제가 열에 의해 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 3)
부기 1 또는 2에 있어서, 상기 활성제가 이 레지스트 재료의 도막으로부터 레지스트막을 형성하는 베이킹 온도 이하의 온도에서 가열함으로써 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 4)
부기 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제의 분해 온도가 70 내지 180 ℃인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 5)
부기 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제가 지방족 술폰산, 지방족 술폰산염, 지방족 카르복실산, 지방족 카르복실산염, 방향족 술폰산, 방향족 술폰산염, 방향족 카르복실산, 방향족 카르복실산염, 금속염, 인산에스테르 및 산 증식제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열산발생제인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 6)
부기 1 내지 4 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제가 과산화물 및 아조 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열 라디칼 발생제인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 7)
부기 1에 있어서, 상기 활성제가, 상기 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서의 노광에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 8)
부기 1 내지 7 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제의 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수가 상기 광산발생제의 분해에 의해 발생되는 산의 분자수의 1/5 이하인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 9)
부기 1 내지 8 중 어느 하나에 있어서, 염기종을 포함하는 재료로부터 형성한 막 또는 층의 패터닝에 사용되는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 10)
부기 9에 있어서, 상기 염기종을 포함하는 재료가 SiN, SiON, TiN, BPSG, BSG 또는 PSG인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
(부기 11)
포토리소그래피 수법에 의해 레지스트 패턴을 바탕막 또는 층에 전사하여 그것을 패터닝하는 방법으로서, 패터닝하고자 하는 막 또는 층을 표면에 구비한 기판 상에 부기 1에 기재된 화학 증폭 레지스트 재료로부터 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막 중의 활성제로부터 산 또는 라디칼을 발생시키는 처리를 행하는 공정, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 공정, 및 노광한 레지스트막을 베이킹 및 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 의해 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하는 패터닝 방법.
(부기 12)
부기 11에 있어서, 상기 활성제로서 열에 의해 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 13)
부기 11 또는 12에 있어서, 상기 활성제로서 상기 레지스트 재료의 도막으로부터 레지스트막을 형성하는 베이킹 온도 이하의 온도에서 가열함으로써 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 14)
부기 11 내지 13 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제의 분해 온도가 70 내지 180 ℃인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 15)
부기 11 내지 14 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제가 지방족 술폰산, 지방족 술폰산염, 지방족 카르복실산, 지방족 카르복실산염, 방향족 술폰산, 방향족 술폰산염, 방향족 카르복실산, 방향족 카르복실산염, 금속염, 인산에스테르 및 산 증식제로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열산발생제인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 16)
부기 11 내지 14 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제가 과산화물 및 아조 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 열 라디칼 발생제인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 17)
부기 11 내지 16 중 어느 하나에 있어서, 상기 활성제의 처리를 상기 레지스트막의 형성 시의 베이킹 처리를 위한 가열에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 18)
부기 11에 있어서, 상기 활성제로서 상기 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서의 노광에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 19)
부기 18에 있어서, 상기 레지스트막의 형성 공정에 이어서 상기 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서 레지스트막의 전면을 노광하는 패터닝 방법.
(부기 20)
부기 11 내지 19 중 어느 하나에 있어서, 상기 패터닝하고자 하는 바탕막 또는 층이 염기종을 포함하는 재료로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
(부기 21)
부기 20에 있어서, 상기 염기종을 포함하는 재료가 SiN, SiON, TiN, BPSG, BSG 또는 PSG인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 외부로부터의 염기종에 기인하는 화학 증폭 레지스트막의 패턴 결함을 억제하여 미세한 레지스트 패턴을 형성할 수 있고, 그 레지스트 패턴을 사용하여 미세 가공하고자 하는 바탕막 또는 층을 소정 치수로 패터닝할 수 있게 된다. 본 발명은 레지스트 패턴을 전사하고자 하는 바탕막 또는 층이 화학 증폭 레지스트막의 패턴 결함의 원인이 되는 염기종을 포함하고 있는 경우에 특히 유효하다.

Claims (10)

  1. 기재 수지, 및 패터닝 노광의 파장에 감도를 갖는 광산발생제를 포함하는 화학 증폭 레지스트 재료로서, 이 패터닝 노광과는 별도의 처리에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성제가 열에 의해 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성제가 레지스트 재료의 도막으로부터 레지스트막을 형성하는 베이킹 온도 이하의 온도에서 가열함으로써 분해되어 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성제의 분해 온도가 70 내지 180 ℃인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  5. 제1항에 있어서, 상기 활성제가 상기 광산발생제가 감도를 갖지 않는 파장에서 노광에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성제의 분해에 의해 발생되는 산 또는 라디칼의 분자수가 상기 광산발생제의 분해에 의해 발생되는 산의 분자수의 1/5 이하인 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
  7. 포토리소그래피 수법에 의해 레지스트 패턴을 바탕막 또는 층에 전사하여 그것을 패터닝하는 방법으로서, 패터닝하고자 하는 막 또는 층을 표면에 구비한 기판상에 제1항에서 제6항 중 어느 한 항에 기재된 화학 증폭 레지스트 재료로부터 레지스트막을 형성하는 공정, 레지스트막 중의 활성제로부터 산 또는 라디칼을 발생시키는 처리를 행하는 공정, 레지스트막을 소정 패턴으로 노광하는 공정, 및 노광한 레지스트막을 베이킹 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 의해 상기 레지스트 패턴을 형성하는 것을 포함하는 패터닝 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 활성제의 처리를 상기 레지스트막의 형성 시의 베이킹 처리를 위한 가열에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 패터닝하고자 하는 막 또는 층이 염기종을 포함하는 재료로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 염기종을 포함하는 재료가 SiN, SiON, TiN, BPSG, BSG또는 PSG인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1744213B1 (en) 2004-05-07 2014-09-03 Hitachi Chemical DuPont Microsystems Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic component
US7638254B2 (en) 2004-05-07 2009-12-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part
JP4545500B2 (ja) * 2004-07-01 2010-09-15 東京応化工業株式会社 化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2006189854A (ja) * 2005-01-03 2006-07-20 Samsung Electronics Co Ltd 化学増幅型レジスト組成物及びそれを利用したフォトリソグラフィ方法
KR100674932B1 (ko) * 2005-01-03 2007-01-26 삼성전자주식회사 Ｐａｇ및 ｔａｇ를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 이용한 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100753542B1 (ko) * 2006-04-19 2007-08-30 삼성전자주식회사 수지 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 커패시터형성 방법
WO2010004979A1 (ja) * 2008-07-10 2010-01-14 住友化学株式会社 レジスト処理方法
US8936903B2 (en) 2013-03-09 2015-01-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photo-resist with floating acid
TWI575566B (zh) 2014-02-24 2017-03-21 東京威力科創股份有限公司 與光敏化化學放大光阻化學品及程序一起使用的方法及技術
WO2015127353A1 (en) * 2014-02-24 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Metrology for measurement of photosensitizer concentration within photo-sensitized chemically-amplified resist
WO2015127348A1 (en) * 2014-02-24 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Mitigation of euv shot noise replicating into acid shot noise in photo-sensitized chemically-amplified resist
WO2015130695A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Tokyo Electron Limited Chemical Amplification Methods and Techniques for Developable Bottom Anti-reflective Coatings and Dyed Implant Resists
US9529265B2 (en) 2014-05-05 2016-12-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of preparing and using photosensitive material
JP2016038483A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 住友化学株式会社 感光性樹脂組成物
JP6347365B2 (ja) * 2014-08-13 2018-06-27 Hoya株式会社 レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法
JP6384910B2 (ja) * 2014-08-13 2018-09-05 Hoya株式会社 レジスト膜付きマスクブランクおよびその製造方法ならびに転写用マスクの製造方法
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
TWI662360B (zh) 2016-05-13 2019-06-11 東京威力科創股份有限公司 藉由使用光劑之臨界尺寸控制
TWI657314B (zh) 2016-05-13 2019-04-21 東京威力科創股份有限公司 藉由使用光敏化學品或光敏化學增幅型光阻劑之臨界尺寸控制
WO2021034567A1 (en) 2019-08-16 2021-02-25 Tokyo Electron Limited Method and process for stochastic driven defectivity healing

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3812225A (en) * 1967-01-23 1974-05-21 Furukawa Electric Co Ltd Method of manufacturing foamed crosslinked polyolefin slabs involving multiple expansion techniques and direct gas pressure
US4220342A (en) * 1979-05-29 1980-09-02 Dana Corporation Gasket having polysiloxane sealant layer containing organotitanate
JP3679205B2 (ja) * 1996-09-20 2005-08-03 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP4221788B2 (ja) 1997-11-17 2009-02-12 住友化学株式会社 耐熱性に優れたレジストパターンの形成方法及びそれに用いられるポジ型レジスト組成物
TWI250379B (en) * 1998-08-07 2006-03-01 Az Electronic Materials Japan Chemical amplified radiation-sensitive composition which contains onium salt and generator
US6280911B1 (en) * 1998-09-10 2001-08-28 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of ionic and non-ionic photoacid generators
US6200728B1 (en) * 1999-02-20 2001-03-13 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions comprising blends of photoacid generators
JP4096138B2 (ja) * 1999-04-12 2008-06-04 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜用組成物の製造方法
JP3931482B2 (ja) * 1999-06-02 2007-06-13 住友化学株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物
JP2001081137A (ja) * 1999-09-16 2001-03-27 Wako Pure Chem Ind Ltd 新規なポリマー及びレジスト組成物
KR100557585B1 (ko) * 1999-10-29 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 레지스트 플로우 공정용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 컨택홀의 형성방법
DE19958966A1 (de) * 1999-12-07 2001-06-13 Infineon Technologies Ag Erzeugung von Resiststrukturen
JP4288446B2 (ja) * 2000-10-23 2009-07-01 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
KR100546098B1 (ko) * 2000-12-27 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 열산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여포토레지스트 패턴 폭 감소 현상을 개선하는 방법
DE10120661A1 (de) * 2001-04-27 2002-11-21 Infineon Technologies Ag Photolackzusammensetzung und Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
JP3901997B2 (ja) * 2001-11-27 2007-04-04 富士通株式会社 レジスト材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

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