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KR200331032Y1 - 칩 엘이디 패키징 금형 - Google Patents

칩 엘이디 패키징 금형 Download PDF

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KR200331032Y1
KR200331032Y1 KR20-2003-0025548U KR20030025548U KR200331032Y1 KR 200331032 Y1 KR200331032 Y1 KR 200331032Y1 KR 20030025548 U KR20030025548 U KR 20030025548U KR 200331032 Y1 KR200331032 Y1 KR 200331032Y1
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KR
South Korea
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mold
upper mold
injection
fixing
hole
Prior art date
Application number
KR20-2003-0025548U
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English (en)
Inventor
김성구
Original Assignee
김성구
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 김성구 filed Critical 김성구
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    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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Abstract

본 고안은 칩 엘이디(LED) 패키지용 금형에 관한 것으로, 칩 엘이디 패키지용 금형에 있어서, 칩 엘이디를 패키지화하기 위하여 액상 컴파운드(주물)를 주입하는 주입공과, 상기 주입공이 형성된 금형의 일면에 형성된 주입홈과, 일정 간격으로 형성된 복수의 격벽과, 상기 주입홈을 통하여 주입된 액상 컴파운드를 격벽 사이로 공급하는 요홈이 형성된 공급로와, 상기 공급로를 형성하는 외측에 형성된 유도벽과, 상기 주입공의 대각선 방향에 형성되고 주입되는 액상 컴파운드에 의하여 형성된 에어를 외부로 취출하여 액상 컴파운드의 주입이 용이하도록 하는 취출공과, 상기 취출공이 형성된 금형의 일면에 형성되어 에어를 취출하는 취출홈과, 상기 금형의 측면결합 공간부에 형성된 복수의 고정공을 포함하는 상부 금형; 상기 상부 금형의 고정공에 결합구로 각각 결합되는 복수의 결합공과, 상기 상부 금형과 결합되어 주입홈으로부터 주입된 액상 컴파운드의 흐름을 유도하는 유도로가 형성된 보조금형; 상기 상부 금형의 고정공과 동일한 위치에 형성된 고정공을 포함하는 하부 금형; 및 상기 상부 금형과 하부 금형에 각각 형성된 고정공을 통하여 상부 금형과 하부 금형을 지지 및 고정하는 고정핀이 포함되어 이루어지고, 상기 상부 금형과 하부 금형의 사이에 복수의 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임이 삽입되는 칩 엘이디 패키지용 금형이다.

Description

칩 엘이디 패키징 금형{Mold for Package of Chip Light Emitting Diode}
본 고안은 칩 엘이디(LED) 패키지용 금형에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 칩 엘이디의 패키지를 제조하기 위한 금형에 관한 것이다.
반도체 산업의 발전과 더불어 LCD(액정표시장치) 및 칩 LED(발광소자) 산업이 유망산업으로 각광받고 있고, 이에 따른 생산설비 및 투자가 확대되고 있는 실정이다. 국내 칩 엘이디를 생산하는 대부분의 설비는 수입에 의존하고 있어 설비의 구입비용의 상승과 양산품의 생산기간이 길어지는 문제가 있었다.
종래 칩 엘이디의 제조공정은 몇 가지로 나뉘어진다. 즉 칩을 리드 프레임(Lead Frame)(또는 PCB)에 부착하는 칩 본딩(Chip Bonding) 공정과, 칩 본딩이 완료되면 칩과 리드를 와이어로 연결하는 와이어 본딩(Wire Bonding) 공정과, 패키지 성형방법에 따라 몰드 프레스를 사용하여 충분한 압력과 열로 패키지를 형성하는 트랜스퍼 몰딩방식 및 일정한 모양의 용기(LED 공정에서는 몰드 컵이라 지칭함)에 경화성 수지를 부어 패키지를 형성하는 캐스팅 몰딩방식으로 나뉘는 몰딩(Molding) 공정과, 패키지 리드를 커팅하는 트리밍(또는 절단) 공정으로 대별된다.
이와 같은 공정을 통하여 칩 엘이디를 제조함으로써 생산기간이 길어지고, 생산기간을 단축시키기 위해서는 대형의 고가 장비를 사용하여야 한다.
이와 같이 종래에 칩 엘이디를 제조하는 금형으로 조립형 트랜스퍼 금형이주로 사용되었다. 조립형 트랜스퍼 금형은 리드프레임 LED를 구리 동판에 타발 금형을 이용하여 형상을 만들어 칩을 안착한 다음에 패키지 성형을 약 100톤의 프레스 압력과 열을 가하여 성형하는 방식이다. 이 조립형 금형의 경우에는 부분품의 누적 공차와 PCB와 금형 사이의 공차가 매우 크게 작용하고, 성형된 제품의 성형각도와 제품과 금형 사이의 이형이 되지 않아 작업자가 물리적으로 힘을 가하여 탈착하는 도중에 PCB가 찢어지는 문제점이 있었다.
더욱이 종래의 조립형 트랜스퍼 금형의 경우에 금형을 생산하는 공정으로 대략 19단계, 즉 금형 설계, 자재 구매, 밀링 가공, 열처리 가공, 1차 연삭 가공, 1차 방전 가공, 1차 와이어 방전 가공, 1차 치수 검사, 2차 연삭 가공, 2차 방전 가공, 3차 와이어 방전 가공, 연삭 치수 정삭 가공, 폴리싱 가공, 도금 가공, 완제품 검사서 작성, 부분품 조립, 금형 테스트, 금형 성적서 작성 및 금형 출하 등을 통하여 이루어진다. 이러한 종래의 금형은 복잡한 조립 및 체결방식이고, 수평 나열식으로 중량이 크며, 부분품 별로 제작 후에 조립하는 공정을 거쳐야 하고, 수동 가공 공정이며, 치수 공차가 커 조립 공차도 커지는 단점과, 전기 히터 바를 금형의 내부에 삽입하여 온도를 상승시키는 방식으로 전력소모가 많은 문제점이 있었다.
따라서 종래 방식은 수평적인 배열에 따라 설치 공간이 매우 넓게 요구되고 생산량에도 문제점이 많으며, 동시에 다수의 설비제어가 필요하여 제품의 불량률이 높았다.
이에 본 출원인은 실용신안등록출원 제2003-0018647호에서 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 종래 여러 단계의 공정들을 1회의 공정으로 이루어질 수 있도록 새로운 방식의 금형과 제작설비를 제작하여 칩 엘이디의 생산기간을 단축시키고, 설비를 소형화하며, 별도의 복잡한 제어부를 삭제하여 생산품의 불량률을 최소화하고, 대량 생산뿐만 아니라 소량 생산이 가능한 맞춤형 설비를 구현한 칩 엘이디 패키지용 금형을 제공한 바 있다.
그러나 본 고안에서는 종래 칩 엘이디 패키지용 금형과는 달리, 칩 엘이디의 해당 적용분야에 따른 칩 엘이디의 캡의 형태를 반원형이거나 사다리꼴 또는 반원형 및 사다리꼴의 혼합으로 제조할 수 있는 칩 엘이디 패키지용 금형을 제공하기 위한 것이 특징이다.
더욱이 본 고안에서는 상부 금형의 제작성을 향상시키고, 고정을 용이하게 하기 위하여 상부 금형의 측면에 보조금형을 착탈할 수 있도록 한 것이 특징이다.
본 고안은 상기의 목적을 위하여, 칩 엘이디 패키지용 금형에 있어서, 칩 엘이디를 패키지화하기 위하여 액상 컴파운드(주물)를 주입하는 주입공과, 상기 주입공이 형성된 금형의 일면에 형성된 주입홈과, 일정 간격으로 형성된 복수의 격벽과, 상기 주입홈을 통하여 주입된 액상 컴파운드를 격벽 사이로 공급하는 공급로와, 상기 공급로에 형성된 요홈과, 상기 공급로를 형성하는 외측에 형성된 유도벽과, 상기 주입공의 대각선 방향에 형성되고 주입되는 컴파운드에 의하여 형성된 에어를 외부로 취출하여 컴파운드의 주입이 용이하도록 하는 취출공과, 상기 취출공이 형성된 금형의 일면에 형성되어 에어를 취출하는 취출홈과, 상기 금형의 측면결합공간부에 형성된 복수의 고정공을 포함하는 상부 금형; 상기 상부 금형의 고정공에 결합구로 각각 결합되는 복수의 결합공과, 상기 상부 금형과 결합되어 주입홈으로부터 주입된 컴파운드의 흐름을 유도하는 유도로가 형성된 보조금형; 상기 상부 금형의 고정공과 동일한 위치에 형성된 고정공을 포함하는 하부 금형; 및 상기 상부 금형과 하부 금형에 각각 형성된 고정공을 통하여 상부 금형과 하부 금형을 지지 및 고정하는 고정핀이 포함되어 이루어지고, 상기 상부 금형과 하부 금형의 사이에 복수의 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임이 삽입되는 칩 엘이디 패키지용 금형을 제공함으로서 달성할 수 있다.
도 1은 본 고안에 따른 칩 엘이디 패키지용 상부 금형을 나타낸 사시도,
도 2는 본 고안에 따른 칩 엘이디 패키지용 하부 금형을 나타낸 사시도,
도 3은 본 고안에 따른 칩 엘이디 패키지용 금형의 결합상태를 나타낸 측면도,
도 4a 및 4b는 본 고안의 금형으로부터 취출되어 가공된 칩 엘이디의 사시도.
♣ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ♣
10: 상부 금형 12: 주입홈
13: 주입공 14, 15: 유도벽
17, 19: 공급로 18: 격벽
21-23, 33-35: 고정공 25: 취출공
26: 취출홈 30: 하부 금형
40, 44: 보조금형 42, 46: 결합구
43, 47: 유도로 50: 가압용 보호 덮개
60-62: 고정핀 70: 리드 프레임
100: 가압 프레스 200: 받침대
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 고안에 관하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 고안에 따른 칩 엘이디 패키지용 상부 금형을 나타낸 사시도이고, 도 2는 하부 금형을 나타낸 사시도이다.
먼저, 본 고안의 칩 엘이디 패키지용 금형은 상부 금형과 하부 금형 및 상부 금형의 측면으로부터 결합되는 보조금형으로 나뉘어진다. 상기 보조금형이 결합된 상부 금형과 하부 금형의 사이에는 복수의 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임이 삽입되고, 상기 상부 금형과 하부 금형에 각각 형성된 고정공을 통하여 상부 금형과 하부 금형을 지지 및 고정하는 고정핀을 포함한다.
상기 상부 금형(10)은 직사각의 육면체이되, 측면에 보조금형(40, 44)이 결합되는 결합공간부가 형성되고, 일측면이 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임을 패키지화하기 위한 형태로 구성되어 있다.
이러한 상부 금형(10)의 일측, 즉 모서리 부분에는 주입홈(12)이 형성되어 있다. 주입홈(12)은 칩 엘이디를 패키지화하기 위한 컴파운드(Compound; 주물)가 주입공(13)으로부터 주입되는 부분이다. 주입공(13)은 상부 금형(10)의 측면으로부터 상면의 주입홈(12)까지 형성되고, 더욱이 측면에서 상면으로 갈수록 좁아지는 구멍의 형태이다. 또한, 주입홈(12) 및 주입공(13)이 형성된 상부 금형(10)의 대각선 위치에 취출홈(26) 및 취출공(25)이 형성되어 있다. 취출홈(26) 및 취출공(25)은 주입홈(12) 및 주입공(13)과 동일한 형태이다. 취출공(25) 및 취출홈(26)은 주입공(13) 및 주입홈(12)으로부터 주입되는 컴파운드로 인하여 격벽(18) 및 공급로(17, 19)에 존재하는 에어를 외부로 취출하여 컴파운드의 주입이 용이하도록 하는 것이다.
상기 취출홈(26) 및 취출공(25)은 주입홈(12) 및 주입공(12)과 동일한 크기와 형상으로 관통되어 있지만, 필요에 따라 관통되는 크기와 형상을 크게 또는 작게 할 수 있다.
격벽(18)은 상부 금형(10)의 일면에 일정 간격으로 형성된 것으로, 리드 프레임에 적재된 칩 엘이디 열이 격벽(18) 사이에 삽입되도록 하는 것이 바람직하다. 격벽(18)은 금형에 따라 복수로 배열된다.
공급로(17, 19)는 상기 주입홈(12)을 통하여 주입된 컴파운드를 격벽(18)들 사이로 또는 격벽(18)들의 외주로 공급하는 통로로서, 유도벽(14, 15) 내에 형성된다. 유도벽(14, 15)은 컴파운드가 주입되는 통로를 형성하면서 컴파운드가 금형의외부로 유출되는 것을 방지하는 기능을 포함하고 있다. 상기 공급로(17, 19)는 반원형 홈과 사다리꼴 홈이 각각 형성되어 있다. 반원형 홈(17)과 사다리꼴 홈(19)은 칩 엘이디의 캡의 형상을 결정하는 것이다. 반원형 홈(17)의 경우에 격벽(18)과는 단턱이 형성되어 있다.
상부 금형에는 상면과 하면을 관통하는 하나 이상의 고정공(21-23)이 형성되어 있고, 고정공(21-23)은 고정핀(60-62)을 삽입하여 상부 금형(10)과 하부 금형(30)을 일체로 지지하거나 고정하는 역할을 하는 것이다.
이와 같이 상부 금형(10)은 칩 엘이디의 크기와 형상 그리고 생산량에 따라 격벽(18)의 간격 및 수와 공급로(17, 19)에 형성된 반원형 홈(17)과 사다리꼴 홈(19)을 증감하여 설계할 수 있다.
또한, 상부 금형의 측면에는 결합공간부(27, 28)가 형성되고, 결합공간부(27, 28)가 형성된 측면에는 복수의 고정공(24)이 각각 형성된다. 고정공(24)은 보조금형(40, 44)을 결합하기 위한 것이다.
한 쌍의 보조금형(40, 44)은 상기 상부 금형(10)의 고정공(24)에 결합구(42, 46)로 각각 결합되는 복수의 결합공(41, 45)이 형성되고, 상부 금형(10)과 결합되어 주입공(13)을 통하여 주입홈(12)으로부터 주입된 컴파운드의 흐름을 유도하는 유도로(43, 47)가 형성되어 있다. 한 쌍의 보조금형(40, 44)은 상부 금형(10)의 측면에 형성된 결합공간부(27, 28)에 각각 결합되어 상부 금형(10)의 주입홈(12)으로부터 유입된 컴파운드가 각 공급로(17, 19)로 공급되도록 하는 유도로(43, 47)가 형성되어 있다.
다음은 하부 금형(30)이 직육면체로 보조금형이 결합된 상부금형의 크기와 동일하다. 그리고 하부 금형(30)에는 상기 상부 금형(10)의 고정공(21-23)과 동일한 위치에 각각 동일한 고정공(33-35)이 형성되어 있다.
상기 상부 금형(10)과 하부 금형(30)에 각각 동일한 위치에 동일한 개수로 형성된 고정공(21-23, 33-35)에는 상부 금형(10)과 하부 금형(30)을 지지하고 고정하기 위하여 고정핀(60-62)이 결합된다. 고정핀(60-62)은 고정공(21-23, 33-35)과의 밀접하게 삽입되는 것이 좋다.
한편, 상기 상부 금형(10)과 하부 금형(30)의 사이에 복수의 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임(70)이 삽입되는데, 리드 프레임(70)에는 복수의 칩 엘이디가 적재되어 접착제 등으로 고정되어 있다. 이는 도 3의 칩 엘이디 패키지용 금형의 결합상태를 나타낸 도면을 참조하면 알 수 있다.
또한, 상기 상부 금형(10)과 하부 금형(30)이 결합된 상태에서 상부 금형(10)의 상단으로부터 소정의 압력으로 가압하기 위하여 가압 프레스(100)의 가압력을 전달하는 가압용 보호 덮개(50)가 구성된다. 가압용 보호 덮개(50)는 상부 금형(10)에 직접 가압 프레스(100)가 가압되지 않도록 하여 상부 금형(10)을 보호하고 가압 프레스의 가압력을 금형 전체에 골고루 가해지도록 하는 것이다.
상부 금형(10)과 하부 금형(30) 사이에 리드 프레임(70)을 삽입하고 고정핀(60-62)으로 고정된 금형을 1단 이상 복수로 적재한 상태에서 금형의 상단에는 가압용 보호 덮개(50)를 적재하여 가압한 후에 하부 금형(10)의 주입공(31)을 통하여 순차적으로 컴파운드를 주입함으로서 칩 엘이디의 대량생산이 가능하다.
본 고안의 일체형 금형은 금형 사이에 자연 이형이 가능하도록 설계하였고, 무체결 방식으로 재질의 온도 변화를 감소시키기 위하여 장시간동안 소재를 상온에서 방지한 후에 가공하는 특수 열처리 공법을 적용하였다. 즉 소재의 성질 제거를 위하여 자연 온도 및 산화방지를 하였고, 고온 진공의 열처리(1,280℃) 및 액화 질소열처리(-195℃)를 실시하였다. 더욱이 패키지의 형상부 및 PCB와 금형과의 이형이 용이하도록 연삭 공정 작업시에 각 공동부(cavity)의 형상 조도를 가공할 때에 폴리싱 작업과 치수 가공 작업을 기계적인 방법으로 가공하였다.
이와 같이 구성된 본 고안의 칩 엘이디(LED) 패키지용 금형을 이용하여 칩 엘이디(LED)를 패키지화하는 과정을 설명한다.
먼저, 상부 금형(10)과 하부 금형(30) 및 보조금형(40, 44)을 각각 준비한 후에 상부 금형(10)에 보조금형(40, 44)을 결합한다. 즉 상부 금형(10)의 측면에 형성된 결합공간부(27, 28)에 보조금형(40, 44)의 유도로(43, 47)가 상부 금형(10)과 마주하도록 각각 위치시킨 다음에 보조금형(40, 44)의 결합공(41, 45) 및 상부 금형(10)의 고정공(24)을 통하여 결합구(42, 46)로 각각 결합한다. 그리고 상기 상부 금형(10) 및 하부 금형(30)의 사이에 와이어 본딩(Wire Bonding) 및 다이 본딩(Die Bonding)이 완료된 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임(70)을 삽입하여 적층한다. 금형에 안착된 리드 프레임(70)을 오븐에서 약 80℃로 1시간동안 예열한 후에 프레스를 열 히터 송풍방식으로 가열한다. 이때, 적층한 후에 상부 금형(10) 및 하부 금형(30)에 형성된 고정공(21-23, 33-35)을 통하여 고정핀(60-62)을 삽입하여 고정시킨다. 그리고 상부 금형(10)의 상단에 가압용 보호 덮개(50)를 적층한다. 가압용 보호 덮개(50)에도 고정공이 형성되어 있어 고정핀으로 고정시킬 수 있다.
다음으로, 가압용 보호 덮개(50)의 상단에 가압 프레스(100)로 일정의 압력으로 가압한다. 여기에서 가압 프레스(100)로 가압하는 압력은 기본적으로 상부 금형 및 하부 금형의 적층 단수에 따라 0.8∼20톤이 가해진다.
이와 같이 금형이 고정된 후에 상부 금형(10)의 주입공(13)을 통하여 컴파운드를 주입한다. 상기 주입공(13)을 통하여 주입되는 컴파운드는 액상의 실리콘으로 약 0.5∼3cc를 주입하고, 주입이 완료되면 취출공(25)을 통하여 컴파운드 액이 유출되는지의 여부를 확인한다. 즉 주입공(13)을 통하여 주입된 컴파운드는 상부 금형의 주입홈(12)을 통하여 보조금형(40, 44)의 유도로(43, 47) 및 상부 금형(10)의 격벽(18) 사이의 공급로(17, 19)를 통하여 주입되면서 공급로의 반원형 홈(17)과 사다리꼴 홈(19)에 각각 채워진다. 이때, 상부 금형(10)의 취출공(25)을 통하여 에어가 배출된 후에 컴파운드가 배출되는 지를 확인한다. 컴파운드의 배출이 확인되면, 컴파운드의 주입이 완료된 것이므로 리드 프레임(70)을 취출한다. 즉 가압 프레스의 가압 작동을 중지시키고 가압용 보호 덮개(50)를 벗겨낸 다음에 상부 금형과 하부 금형 사이에서 리드 프레임을 분리하여 취출한다. 그리고 컴파운드의 주입이 완료된 후에 리드 프레임의 소결상태를 확인한 후에 리드 프레임을 취출하는 것이 바람직하다.
다음으로 금형으로부터 취출된 리드 프레임을 절단 및 가공하여 칩 엘이디를 패키징한다. 그리고 사용한 금형은 세척 후에 금형 보관함에 대기토록 한다. 금형의 부식을 방지하기 위하여 온도와 습도를 적절히 관리하는 것이 좋다. 도 4a 및도 4b는 반원기둥 형태의 칩 엘이디(80)와 사다리꼴기둥 형태의 칩 엘이디(81)를 절단 및 가공한 상태를 나타낸 사시도이다.
본 고안은 상부 금형 및 보조금형과 하부 금형의 일체형 구조를 갖는 금형으로, 수직 계단식으로 초경량이고, 제조 공정은 13단계로서 종래의 1차 방전 가공, 1차 와이어 방전 가공, 1차 치수 검사, 2차 연삭 가공, 폴리싱 가공, 부분품 조립을 삭제 하였다. 그리고 기계식 가공 공정으로 폴리싱을 하고, 치수 공차를 최소화하여 조립누적 공차를 없앴다.
이와 같이 본 고안의 금형은 소형화 및 경량화가 가능한 것으로, 정밀한 금형을 제작할 수 있고, 특히 가공에 의한 조립 공차를 제거하고, 특히 제품의 제작공정을 현저하게 감소시킨 것이다.
더욱이 본 고안의 금형은 단순히 합성수지 사출성형 제품에만 한정되지 않고, 합성수지의 중공성형 및 반응이 동반되는 합성수지 사출성형(Reactive Injection Molding), 금속 주물성형 및 세라믹성형에도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 본 고안의 금형을 적용한 제품으로 칩 엘이디를 포함하여 영상 송출 및 정보 전달용 등으로 사용되는 적외선 다이오드나 블루 및 화이트 램프 등이 있다.
상술한 바와 같이 본 고안의 칩 엘이디(LED) 패키지용 금형은 상부 금형, 보조금형 및 하부 금형, 가압용 보호 덮개, 고정핀 등으로 구성된 것인바, 종래 여러 단계의 공정들을 1회의 공정으로 이루어질 수 있도록 새로운 방식의 금형과 제작설비를 제작하여 칩 엘이디의 생산기간을 단축시키고, 설비를 소형화하며, 별도의 복잡한 제어부를 삭제하여 생산품의 불량률을 최소화하였고, 칩 엘이디의 캡의 형상이 반원형 및/또는 사다리꼴로 제작하기 위한 금형이다.
또한, 본 고안은 금형 제품의 생산에 따른 생산성 향상 및 생산원가를 절감한 효과를 갖는 것으로, 상술한 실시예에만 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 변경, 첨삭 또는 치환할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 칩 엘이디(LED) 패키지용 금형에 있어서,
    칩 엘이디를 패키지화하기 위하여 컴파운드(주물)를 주입하는 주입공과,
    상기 주입공이 형성된 금형의 일면에 형성된 주입홈과,
    일정 간격으로 형성된 복수의 격벽과,
    상기 주입홈을 통하여 주입된 컴파운드를 격벽 사이로 공급하는 요홈이 형성된 공급로와,
    상기 공급로를 형성하는 외측에 형성된 유도벽과,
    상기 주입공의 대각선 방향에 형성되고 주입되는 컴파운드에 의하여 형성된 에어를 외부로 취출하여 컴파운드의 주입이 용이하도록 하는 취출공과,
    상기 취출공이 형성된 금형의 일면에 형성되어 에어를 취출하는 취출홈과,
    상기 금형의 측면 결합공간부에 형성된 복수의 고정공을 포함하는 상부 금형;
    상기 상부 금형의 고정공에 결합구로 각각 결합되는 복수의 결합공과,
    상기 상부 금형과 결합되어 주입홈으로부터 주입된 컴파운드의 흐름을 유도하는 유도로가 형성된 보조금형;
    상기 상부 금형의 고정공과 동일한 위치에 형성된 고정공을 포함하는 하부 금형; 및
    상기 상부 금형과 하부 금형에 각각 형성된 고정공을 통하여 상부 금형과 하부 금형을 지지 및 고정하는 고정핀이 포함되어 이루어지고,
    상기 상부 금형과 하부 금형의 사이에 복수의 칩 엘이디가 적재된 리드 프레임이 삽입되는 것을 특징으로 하는 칩 엘이디 패키지용 금형.
  2. 제1항에 있어서, 상기 상부 금형을 가압하기 위하여 가압 프레스의 가압력을 전달하는 가압용 보호 덮개를 더 포함하는 칩 엘이디 패키지용 금형.
  3. 제1항에 있어서, 상기 요홈은 반원형이거나 사다리꼴 또는 반원형 및 사다리꼴을 혼합한 것을 특징으로 하는 칩 엘이디 패키지용 금형.
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