KR20030038689A - 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 증착 원료를 넣은 용기를 전자유도 가열에 의해, 균일하고 신속하게 가열하여, 생산성 좋고 양호한 품질의 유기 EL 소자 증착막을 얻는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 장치는 용기(2)중의 유기 EL 소자용 유기 재료(5)를 기화하고, 성막용 기판(6)상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막 증착에 있어서, 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 상기 용기(2), 및 그 유기 재료(5)를 기화시키기 위하여 상기 용기를 전자유도 가열하는 수단을 구비한 유기 EL 소자 증착용 장치이다. 또한, 본 발명은 이 장치를 사용한 유기 EL 소자의 제조방법이다. 또한, 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 상기 용기(2)와 함께, 또는 그 대신에 전자유도에 의해 발열하는 재료제의 충전재를 용기(2) 중에 넣을 수도 있다.
Description
유기 EL 소자의 일반적인 구조로서는, 투명 도전막으로 이루어진 양극과 음극의 사이에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등의 유기 박막층이 형성되어 있어, 양극에서부터 정공 수송층을 개재하여 발광층에 주입된 정공과, 음극에서부터 전자 수송층을 개재하여 발광층에 주입된 전자가 재결합할 때에 발광이 생긴다. 이 때, 증발 비율의 불안정함으로 생기는 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등의 유기 박막층의 두께나, 조성 등의 품질이 균질하지 않으면, 증착 로트(lot)간에서 불균일이 생겨, 소자성능의 편차 등의 문제가 발생한다.
유기 EL 소자용 유기 박막 작성방법의 하나로서, 진공 증착법이 있다는 것은 일본국 특허공개공보 2000-68055호 등에 알려져 있다. 진공 증착법에서는 증착 재료의 기화온도 이상으로 가열된 증발원으로부터 기화한 증착 재료가 성막용 기판 상에서 고체로 퇴적하여 박막을 형성한다.
증발원의 가열방법으로서는 간접가열방식 외에, Appl. Phys. Lett. 68(16), 15 April 1996이나 일본국 특허공개공보 2000-68055호에 기재되어 있는 바와 같은, 비교적 전기 저항이 높은 금속 용기(금속 보트)에 전류를 흘려보내, 저항 발열을 이용하는 소위 직접저항 가열방식이 알려져 있다.
직접저항 가열방식에서는 일반적으로 융점이 높은 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴 등의 금속 재료를 박판 형상으로 가공하여 전기저항을 높게 한 용기가 이용되지만, 용기 전체를 균일하게 가열하기 위해서는, 용기를 흐르는 전류 분포가 균일하게 되도록 하는 형상일 필요가 있다. 보트와 같은 긴 형상에서는 길이 방향의 양단에 단자를 형성하여 비교적 균일한 전류분포를 얻을 수 있지만, 중앙부와 단부에서 온도의 치우침이 생기며 또한 재료의 공급량이 한정되기 때문에, 양산에는 부적합하다.
재료의 공급량을 확보하기 위해서는, 도가니(crucible)와 같은 형상이 적합하지만, 도가니 형상에 단자를 형성하고 직접 저항 가열하는 경우, 도가니 전체가 균일하게 가열되도록 도가니 전체에 균일하게 전류를 흘려보내는 것은 곤란하다. 따라서, 도가니에 온도 분포가 형성되어, 전류 밀도가 낮은 부분에서는 목적 온도보다 낮아져 증착 물질의 기화가 일어나지 않고, 한편 전류 밀도가 높은 부분에서는 국부적인 과승온이 일어나 소정량 이상의 원료의 기화가 일어날 뿐만 아니라, 원료로 하는 유기 재료의 열분해가 일어나 생성되는 유기 박막의 변질을 초래할 가능성도 있다.
일반적으로 양산을 위하여, 재료를 도가니 형상의 용기에 공급하는 경우는 상기와 같은 직접 저항 가열이 아니라, 별도로 형성된 저항 가열 발열체로부터의 간접가열에 의해 용기를 균일하게 가열하는 방식이 이용된다. 그러나, 이러한 간접 가열 방식에서는 열응답성이 나빠, 증발량의 제어가 어려워진다. 즉, 목적 온도보다 낮을 때에는 증착 물질의 기화량이 충분하지 않고, 성막 두께가 얇아지며, 한편 목적 온도를 초과하면 성막 두께가 너무 두꺼워질 뿐만 아니라, 유기 재료의 열분해가 일어나 생성되는 유기박막의 변질을 초래하게 된다. 또한, 간접 가열 방식에서는 직접 가열 방식과 비교하여, 승온 개시에서부터 목적 온도에 도달하여 안정된 유기 박막층이 얻어질 때까지 시간이 걸리기 때문에, 그 사이 시간적으로도 원료적으로도 손실이 생긴다. 결국, 증발 비율이 안정될 때까지는 셔터(shutter) 등을 이용하여 기판으로의 증착을 방지하는 조작을 필요로 하여, 상술한 손실이 발생하는 경우가 많다.
본 발명은 유기 전계발광(electroluminescence) 소자(유기 EL 소자)의 제조장치에 관한 것이며, 보다 상세하게는 유기 EL 소자용 유기 박막을 진공 증착법으로 작성하기 위하여 유기 EL 재료를 기화시키는 방법 및 장치에 관한 것이다.
도 1은 유기 EL 소자 증착용 장치의 단면 모식도이다.
도 2는 충전체의 사시도이다.
도 3은 다른 충전체의 사시도이다.
본 발명은 증착 원료를 균일하고 신속하게 가열할 수 있고, 게다가 열응답성이나 온도제어가 우수한 장치를 제공함과 아울러, 제품 수율과 생산성이 높으며, 양호한 품질의 유기 EL 소자용 증착막을 얻는 방법을 제공한다.
본 발명은 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용 기판 상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막 증착방법에 있어서, 상기 유기 재료를 넣는 용기의 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성되고, 상기 용기를 전자유도 가열에 의해 직접 가열함으로써, 넣어진 유기 재료를 기화시켜서 이루어진 유기 EL 소자의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 용기 중의 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용기판상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막증착에 있어서, 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 상기 용기, 및 그 유기 재료를 기화시키기 위하여 상기 용기를 전자유도 가열하는 수단을 구비하는 유기 EL 박막 증착장치에 관한 것이다.
더욱이, 본 발명은 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 충전체를 유기 재료와 함께 혼입시킨 용기, 및 그 유기 재료를 기화시키기 위하여 상기 충전체를 전자유도 가열하는 수단을 구비한 유기 EL 박막 증착용 장치; 이 장치를 사용하여 넣어진 유기 재료를 기화시켜서 이루어진 유기 EL 소자의 제조방법;에 관한 것이다. 이 경우, 용기는 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 형성되는 것도 바람직하다.
이하, 본 발명의 유기 EL 박막 증착용 장치 및 그것을 사용한 증착방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 장치의 일례를 나타내는 단면 모식도로, 도면에서 참조부호 1은 챔버(chamber), 2는 용기, 3은 코일, 4는 전력공급장치, 5는 유기 재료, 6은 기판, 7은 기판 홀더이다. 또한, 이 예에서는 챔버 내에 주요한 장치가 포함되어 있다. 예를 들어 챔버를 가늘고 긴 것으로 하여, 코일을 챔버외에 형성하는 형태도 가능하다.
상기 예에 있어서의 진공 증착 장치는 진공으로 할 수 있는 챔버(1)내에 배치되고, 유기 재료(5)를 넣는 용기(2), 용기(2)의 주위에 배치된 코일(3), 코일(3)에 연결된 전력공급장치(4), 및 증착을 받는 기판(6)을 지지하는 기판 홀더(7)를 구비하고 있다. 챔버(1)는 진공 펌프 등에 의해 감압 가능하고, 내부에 넣어진 유기 재료나 기판의 출납이 가능한 구조로 되어 있다.
용기(2)의 형상은 통상의 도가니 형상으로 할 수도 있고, 단순한 통 형상이어도 되지만, 소위 도가니 형상 또는 그 변형 형상이 바람직하다. 또한, 셀(cell), 크누센 셀(knudsen cell) 등으로 불리우는 형상도 바람직한 것 중 하나이다. 또한 직경이 큰 경우는 용기 내부에도 유도가열로 가열 가능한 재료를 형성한 구조체로 하여도 된다. 후자의 예로서, 용기내에 유도가열 가능한 벽을 형성하는 것도 가능하다. 용기(2)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 넣어지는 유기 재료를 신속, 균일하게 가열할 수 있는 구조가 바람직하다.
용기(2) 자체를 발열시키는 경우는 전자유도로 발열 가능한 발열 재료로 형성되지만, 발열 재료 이외의 재료와 함께 형성되어 있어도 된다. 발열 재료는 금속 재료, 비금속 재료 둘다 좋지만, 도전성 자성체인 것이 바람직하다. 바람직하게는 넣어지는 유기 재료가 접촉하는 용기의 바닥부 및 측부를 포함하는 부분이 전자유도로 발열 가능한 발열 재료로 형성되는 것이 좋다.
또한, 용기를 형성하는 재료가 유도가열로 발열되지 않는 재료의 경우라도, 일본국 특허공개공보 평3-98286호나 평8-264272호에서 제안되어 있는 바와 같이, 전자유도 가열로 발열 가능한 구조의 충전체를 용기내에 배치하고, 이 충전체의 발열을 가열원으로서 사용하여도 좋다. 이 경우, 용기가 반드시 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성될 필요는 없지만, 용기가 전자유도에 의해 발열하는 것이고, 게다가 전자유도 가열이 가능한 충전체를 배치하면 균일 가열의 점에서 유리하다. 예를 들어, 용기 크기가 커지면 용기 내벽에 접촉하고 있는 유기 재료와 그것과 떨어져 있는 유기 재료 사이에 온도 구배(gradient)가 형성되어, 균일한 온도 제어에 문제가 발생하는 경우가 있다. 이러한 문제를 회피하기 위해서는 전자유도로 발열 가능한 충전체를 용기 내에 배치하고, 전자유도 가열로 충전체를 직접 가열하거나, 혹은 용기와 함께 직접 가열하는 방법이 온도 구배의 발생을 억제하기 때문에 효과가 있다.
여기에서, 상기 충전체 자체도 전자유도 가열로 균일하게 가열되기 위해서는, 그 형상, 충전체의 두께, 간격, 재질의 투자율, 전기 전도도, 공급되는 교류 전류의 주파수 등, 설계상 각종 인자의 최적화를 행하는 것이 중요하다. 그 때문에, 전자유도 가열 가능한 재료로 형성된 철망(wire netting) 등의 재료를 적층한 적층체로 하거나, 철망이나 와이어 등의 재료로 작은 통 형상을 다수개 만들어, 그 주위나 틈새 또는 내부에 유기 재료 분말을 존재시키는 것도 유리하다. 또한, 충전체는 특히 성형하지 않는 입자 형상, 판 형상, 덩어리 형상 등일 수도 있다.
예를 들어, 유기 재료가 발광층을 형성하는 재료인 경우는 유기 금속 합성물이 사용되는 경우가 많지만, 고온하에서 합성물 금속이 이종 금속과 접촉하면, 일정 비율로 금속 교환이 일어난다. 따라서, 합성물 순도는 저하하고, 때로는 원료 순도를 밑도는 경우도 생길 수 있다. 금속 합성물은 고온하에서 승화 정제할 때, 대부분의 경우 분해를 동반한다. 분해로 생성된 배위자(ligand)는 이종 금속 재료와 접촉하면, 당연히 그 합성물을 형성한다. 유기 재료가 산(acid)류, 황화합물(sulfur compound), 할로겐 화합물을 포함하고 있는 경우, 금속 장치를 사용하면 이들 불순물이 금속 부식, 금속의 촉매 작용에 의한 분해, 분해물에 의한 오염균 (contaminant) 등을 일으킬 우려가 있다.
상기와 같이 용기(2)는 1종류의 금속 재료로 구성되어 있어도, 2층 이상의 재료로 구성되어 있어도 상관없으며, 용기 자체가 전자유도로 발열하지 않아도 중간에 배치된 충전물이 발열하면 좋지만, 적어도 일부는 발열 재료일 필요가 있고, 상기와 같이 금속 재료에 기인하여 유기 재료에 오염균이나 변질이 일어나는 경우는, 용기의 내면이나 충전물의 표면이 기화하는 유기 재료에 대하여 불활성인 재료로 하는 것이 바람직하다. 바람직한 발열 재료로서는 일반적으로 철이나 철합금 등의 철을 함유한 금속이 사용되지만, 내열성과 부식성의 관점에서 스테인리스 스틸, 또는 흑연이나 질화티탄 등의 자성 세라믹을 사용하는 것도 가능하다. 발열 재료가 철 등의 금속인 경우, 기화물질이나 미량 잔류하는 산소 가스 등에 대해서 불활성이 아닌 경우가 많지만, 이러한 경우는 내층(유기 재료와 접촉하는 면의 표면층)을 이들의 유기 재료나 가스 등에 대해서 불활성 재료의 층으로 하는 것이 좋다.
불활성 재료로서는 귀금속, 합금 등의 금속류, 불소 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지 등의 내열성 수지류, 석영 유리, 파이렉스, 경질 유리, 에나멜 등의 유리류, 알루미나, 질화규소, 자기 등의 세라믹류 등이 있다. 적합한 불활성 재료로서는 금속류, 에나멜 등의 유리류, 불소 수지, 및 세라믹류를 들 수 있다. 이들 중,강도를 갖지 않거나, 성형 곤란한 재료나 고가인 재료는 박막증착이나 도금 등의 수단으로 내층으로 할 수 있다. 또한, 내층으로서, 발열 재료이기도 하고 불활성 재료이기도 한 질화 티탄 등의 자성 세라믹을 사용하는 것도 유리하다. 게다가, 다층 구조로 하는 대신에, SiC, 흑연, 질화 티탄 등의 발열 재료이며 불활성 재료이기도 한 재료로 이루어진 용기를 사용할 수도 있다.
코일(3)은 용기(2) 또는 충전체를 유도가열하기 위한 것으로, 용기(2)의 주위에 설치된다. 용기의 주위에 설치한 코일에는 교류 전류를 흘려보냄으로써 용기나 충전체에 직접 발열을 생기게 한다. 코일(3)로 공급하는 전류는 전력공급장치(4)로부터 공급되지만, 전력공급장치(4)는 상용 전원 등과 접속하여, 소정의 주파수의 교류를 발생한다. 전력공급장치(4)에서 코일(3)로 공급하는 전류의 주파수는 발열체의 두께나 전류의 침투 깊이를 고려하여 수십∼100㎑의 범위에서 임의로 선택하면 되지만, 발열 효율의 관점에서 10㎑이상의 고주파인 것이 바람직하다.
가열은 코일(3)에 전류를 공급함으로써 행하지만, 가급적 단시간에 기화 온도에 도달하도록 전류공급량을 제어한다. 또한, 용기의 열용량을 작게 하는 것도 기화 속도를 빠르게 하기 위하여 유효하기 때문에, 필요 이상으로 용기를 크게 하거나 두께를 두껍게 하지 않는 것이 유리하지만, 투입 전류량을 크게 하여 어떠한 크기에도 대응할 수 있다. 전력공급장치(4)는 승온 속도나 설정 온도를 소정의 범위로 유지하는 온도 조절기 등의 제어 기구를 가질 수 있다. 그 때문에, 용기에 열전쌍(thermocouple) 등을 배치하는 것도 좋다. 전력공급장치(4)는 상용 전원에 접속되고, 이것을 바람직하게는 고주파 전류로 변환하고, 유도코일에 출력함과 동시에, 열전쌍 등으로부터의 신호에 의해 공급전류의 제어가 가능하게 되어 있다.
승화성 물질인 유기 재료를 기화시키고 이것을 증착시키는 경우, 용기가 보트 형상이라면, 중심부가 먼저 증발하고, 그 주위의 원료를 증발시키기 위하여 보트 온도를 올려가지만, 용기가 셀 형상인 경우도, 셀 내면 부근의 원료부터 증발하여 그것에 공극이 생기기 때문에, 중심부의 원료를 증발시키기 위하여 셀 온도를 올려가는 것이 좋다. 이 때 모니터하는 것은 증발 비율 또는 실제의 막두께로 하는 것이 좋다. 이에 따라, 전력공급장치(4)로부터의 공급 전력을 제어하고, 균일한 막두께를 확보한다.
유기 EL 소자는 상기와 같이 양극과 음극과의 사이에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등의 유기 박막층을 가지고 있지만, 본 발명에서 증착시키는 유기 재료(5)는 이러한 유기 박막층을 형성하는 적어도 1종의 유기 재료이다.
본 발명에 따른 전자유도 가열로 기화하는 유기 EL용 유기 재료로서는, 정공 수송 재료, 발광 재료, 전자 수송 재료 등의 어떤 것에도 적용할 수 있다. 그러한 재료로서, 정공 수송 재료로서는 포르피린 화합물, 방향족 3차 아민 화합물, 스티릴아민 화합물 등이 있고, 발광 재료로서는 트리스(8-퀴놀리노레이토: quinolinolato)알루미늄 합성물, 비스(벤조퀴놀리노레이토)베릴륨 합성물, 트리(디벤조일메틸)페난트롤린유로퓸 합성물 등이 있고, 전자 수송 재료로서는 1,3,4-옥사졸 유도체나 1,2,4-트리아졸 유도체가 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니라, 증착법에 의해 박막 형성되는 유기 EL용 유기 화합물이라면 어느 것이라도 사용할 수 있다. 또한, 유기 재료의 다원 증착과 같은 정확한 증착량 제어에도 본 발명의 방법은유효하다.
기판 홀더(7)는 챔버내에서 용기(2)의 실질적으로 바로 위에 소정의 간격을 두고 형성된다. 기판 홀더(7)에는 EL소자를 구성하는 기판(6)이 부착되고, 부착된 기판(6)의 표면에 기화한 유기 재료가 증착한다. 기판 홀더(7)가 기판(6)을 지지하는 기구는 흡인법이나 클로우로 지지하는 방법 등 공지의 수단을 채용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 기판 홀더(7)의 내부에 냉각기구 등을 형성하는 것도 가능하다. 기판(6)의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 최대 길이가 500㎜를 넘는 것까지 가능하다.
다음으로, 본 발명의 장치를 사용하여 증착하는 방법에 대해서 설명한다.
용기(2)에는 증착시킬 유기 재료(5)를 소정량 넣는다. 또한, 기판 홀더(7)에는 이미 몇 개의 층이 증착법에 의해 형성되어 있어도 되는 기판(6)이, 증착시킬 면을 용기측에 향하여 부착된다.
그 후, 감압과 가열이 행하여지고 증착이 개시된다. 용기(2) 및 그 주위의 증발부 온도는 유기 재료(5)의 소정 증기압이 얻어지는 온도라면 된다. 통상적으로, 이 증기압은 수Torr∼10-8Torr 정도(약 1×102㎩∼1×10-6㎩정도)이지만, 기화 분자의 평균 자유 행로를 길게 하기 위하여 챔버내는 1×10-6Torr이하로 하는 것이 바람직하다. 증발부의 온도 제어는 온도계와 온도 조절기로 교류 전원을 온·오프하거나, 인버터 제어함으로써, 설정 온도를 유지한다.
용기에 넣은 유기 재료는 소정의 진공도와 온도로 기화하고, 예를 들어 용기상부에 배치된 슬릿을 통과하고, 피증착체인 기판 표면상에 부착·퇴적하여 증착 박막을 형성한다.
이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 구체예를 설명한다.
[실시예]
<실시예 1>
8-히드록시 퀴놀리노레이토 알루미늄(이하, Alq3라고 함)을 도 1에 나타낸 증착 장치에 의해 증착하였다.
용기(2)로서는, 내경 15㎜Ø, 높이 25㎜인 탄소 스틸관의 내면에 용융 알루미늄 도금을 실시한 통 형상의 도가니를 사용하였다. 전자유도의 교류 전원은 200V, 60㎐으로 하고, 온도 조절기를 구비하는 전력 공급 장치(4)에 인버터를 사용하여 고주파화하였다.
용기(2)에 Alq3을 1g 넣고, 용기(2)의 외벽 온도를 360℃로 설정하여 가열하고, 챔버(1)의 외주는 실온의 공기에 접촉시켜서 실질적으로 실온으로 유지함과 동시에, 진공 펌프에 의해 챔버내를 5×10-7Torr로 감압하였다.
기판(6)으로서 100㎜×100㎜의 크기인 유리기판을 사용하고, 용기(2)의 바로 위 약 350㎜인 곳에 두고 회전시켰다. 또한, 막두께 모니터를 배치하고, 막두께 비율을 측정하였다. 막두께 모니터에 의해 막두께 비율이 안정될 때까지, 기판은 셔터로 피복하고, 막두께 비율이 일정하게 된 시점에서 셔터를 제거하여 증착을 개시하였다. 막두께 비율이 0.3㎚/초가 되도록 전원의 공급전력을 조정하였다. 약 170초후에 50㎚의 Alq3막이 얻어졌다. 막두께는 전면적에 있어서 ±5%의, 또한 중심쪽의 50㎜×50㎜에 있어서는 ±1%의 폭으로 변경되었다.
<실시예 2>
용기(2)로서 내경 15㎜Ø, 높이 25㎜인 알루미나계 세라믹제의 도가니를 사용하였다. 그리고, 용기(2)의 내부에 전자유도에 의해 발열하는 페라이트계 스테인리스제의 가느다란 관(외경 4.8㎜Ø, 내경 3.0㎜Ø, 높이 2㎜) 7개를 묶은 충전체를 넣은 후에, Alq3을 0.3g 넣고 실시예 1과 동일한 조건에서 증착을 행하였다. 증착 후에 막두께를 측정한 결과, 실시예 1과 동일하게 양호한 결과를 나타내었다. 도 2는 상기 충전체의 사시도로, 가느다란 관(8)의 배열 상황을 나타낸다.
<실시예 3>
용기(2)로서 내경 15㎜Ø, 높이 25㎜인, 상부 5㎜의 재질을 페라이트계 스테인리스, 하부 20㎜의 재질을 알루미나계 세라믹으로 하는 스테인리스-세라믹제의 도가니를 사용하였다. 그리고, 용기(2)의 내부에 100메쉬의 철망을, 간격을 두고 9장 적층한 충전체(용기(2)의 내벽에 접하는 직경을 가지고, 높이 20㎜)를 바닥부에 접하여 충전한 후에, Alq3을 0.3g 넣고 실시예 1과 동일한 조건에서 증착을 행하였다. 증착 후에 막두께를 측정한 결과, 실시예 1과 동일하게 양호한 결과를 나타내었다. 도 3은 상기 충전체의 사시도로, 철망(9)의 적층 상황을 나타낸다.
이상과 같이 본 발명에 의하면, 증착 원료를 대량으로 넣을 수 있는 도가니 형상의 용기나 충전체를 전자유도 가열에 의해, 균일하고 신속하게 가열할 수 있고열반응성이나 온도 제어가 우수하기 때문에, 양호한 품질의 증착막을 얻을 수 있으며, 제품 수율이나 생산성을 향상할 수 있다. 그 결과, 고품질의 유기 EL 소자를 안정되게 높은 수율로 얻는 것이 가능해진다.
Claims (8)
- 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용 기판 상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막 증착방법에 있어서,상기 유기 재료를 넣는 용기의 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성되고, 상기 용기를 전자유도 가열에 의해 직접 가열함으로써, 넣어진 유기 재료를 기화시키는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 용기 중의 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용 기판상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막 증착에 있어서,적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 상기 용기, 및 그 유기 재료를 기화시키기 위하여 상기 용기를 전자유도 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 박막 증착용 장치.
- 제 2항에 있어서, 용기의 적어도 내면이 기화하는 유기 재료에 대하여 불활성인 재료로 구성된 용기인 유기 EL 박막 증착용 장치.
- 제 2항에 있어서, 용기의 적어도 바닥부 및 측부의 재질이 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 용기인 유기 EL 박막 증착용 장치.
- 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용 기판 상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막 증착방법에 있어서,상기 유기 재료를 넣는 용기의 내부에 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 충전체를 혼입시키고, 상기 충전체를 전자유도 가열에 의해 직접 가열함으로써, 넣어진 유기 재료를 기화시키는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 용기 중의 유기 EL 소자용의 유기 재료를 기화하고, 성막용 기판상에서 퇴적시켜서 박막을 형성하는 유기 EL 박막증착에 있어서,적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 충전체를 유기 재료와 함께 넣은 상기 용기, 및 그 유기 재료를 기화시키기 위하여 상기 충전체를 전자유도 가열하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 박막 증착용 장치.
- 제 1항에 있어서, 용기중에 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 충전체를 유기 재료와 함께 넣는 유기 EL 소자의 제조방법.
- 제 2항에 있어서, 용기중에 적어도 일부가 전자유도에 의해 발열하는 재료로 구성된 충전체를 유기 재료와 함께 넣는 유기 EL 박막 증착용 장치.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761079B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 냉각수단을 갖는 증발원 및 이를 이용한 증착 장치 |
| KR20200135997A (ko) * | 2018-03-28 | 2020-12-04 | 고에키자이단호진 후쿠오카켄 산교·가가쿠기쥬츠신코자이단 | 증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003253434A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着方法及び表示装置の製造方法 |
| JP3837344B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2006-10-25 | 三洋電機株式会社 | 光学素子およびその製造方法 |
| JP4139186B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-08-27 | 東北パイオニア株式会社 | 真空蒸着装置 |
| JP4366226B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-11-18 | 東北パイオニア株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置 |
| JP4001296B2 (ja) | 2005-08-25 | 2007-10-31 | トッキ株式会社 | 有機材料の真空蒸着方法およびその装置 |
| WO2008076350A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Universal Display Corporation | Improved evaporation process for solid phase materials |
| DE112008000669T5 (de) * | 2007-03-26 | 2010-03-25 | ULVAC, Inc., Chigasaki-shi | Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren |
| CN101988185A (zh) * | 2010-12-14 | 2011-03-23 | 无锡虹彩科技发展有限公司 | 镀膜源、真空镀膜装置及其镀膜工艺 |
| TWI541612B (zh) * | 2014-12-30 | 2016-07-11 | Organic vacuum coating system and film forming method | |
| CN106973448A (zh) * | 2016-01-13 | 2017-07-21 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 加热装置 |
| KR20180002505A (ko) * | 2016-06-29 | 2018-01-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자의 제작 방법 |
| JP6709272B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2020-06-10 | 公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団 | 蒸着装置及び有機電子デバイスの生産方法 |
| KR20200076389A (ko) * | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 주식회사 포스코 | Pvd 도금 공정에서의 도금층 제어 장치 및 방법 |
| KR20220124149A (ko) * | 2020-01-07 | 2022-09-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 재료 증발을 위한 조립체, 진공 증착 장치, 및 재료 증발을 위한 방법 |
| JP7350045B2 (ja) * | 2021-12-07 | 2023-09-25 | 長州産業株式会社 | 蒸着用坩堝、蒸着源及び蒸着装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57106759U (ko) * | 1980-12-18 | 1982-07-01 | ||
| JPS5835927A (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| JP2889607B2 (ja) * | 1989-09-09 | 1999-05-10 | 株式会社瀬田技研 | 電磁誘導加熱装置および電磁誘導加熱方法 |
| JPH04308076A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 昇華性物質真空蒸着装置 |
| JPH08264272A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Seta Giken:Kk | 電磁誘導加熱装置 |
| JPH09329589A (ja) * | 1996-06-11 | 1997-12-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 有機低分子量化合物の抽出方法および有機低分子量化合物の分析方法 |
| JP3691615B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2005-09-07 | 株式会社アルバック | 有機材料用蒸発源 |
| JP3453290B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法 |
| JP3175733B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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| KR20200135997A (ko) * | 2018-03-28 | 2020-12-04 | 고에키자이단호진 후쿠오카켄 산교·가가쿠기쥬츠신코자이단 | 증착 장치 및 유기 전자 장치의 생산 방법 |
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