KR20030007458A - 이온 전도성 세라믹 막 및 표면처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 산소와 같은 선택된 기체에 선택적 투과성이 있는 이온 전도성 세라믹 막 및 이를 처리하여 막을 통한 투과성을 향상시키는 방법을 제공한다. 상기 막은 선택된 기체에 대하여 선택적으로 투과성이 있는 이온 전도성 세라믹 막으로서, 상기 세라믹 막은 기체 이온이 이동할 수 있는 물질체로 형성된다. 상기 물질체는 상기 기체의 해리 및 이온화가 일어나고 상기 기체 이온은 전자를 방출하고 재결합하여 상기 기체의 분자를 형성하는 각각 두 개의 대립되는 표면을 갖고 있다. 상기 대립되는 표면의 최소한 하나는 표면 물질을 제거하는 처리를 하여 증가된 표면적의 표면 불규칙성을 야기하고 그럼으로써 처리된 표면의 전체 표면적을 증가시켜 상기 세라믹 막을 통한 기체의 투과를 강화시킨다. 본 발명에서는 모래 분사 및 이온 충격에 의한 표면 처리도 가능하지만, 막의 양면이 화학적 에칭 방법으로 처리되는 것이 바람직하다.
Description
다양한 기체, 예컨대 산소는 공기 또는 다른 공급 흐름(feed stream)으로부터 이온 전도성 세라믹 막에 의해 분리될 수 있다. 이러한 세라믹 막은 500 ℃를 상회하는 온도, 일반적으로 약 600 내지 1100 ℃ 사이의 온도에서 이온 전도성을 나타낸다. 이러한 막을 사용하는데 있어서 당면하는 주요 문제점은 막을 통과하는 기체의 수송 속도가 충분한 속도로 일어나도록 하여 분리 공정을 경제성 있게 하는 것이다.
예컨대, 산소를 분리하는데 유용한 세라믹 막 물질은 일반적으로 혼합된 전도체로서, 단일 상 또는 이중 상 상태든 산소이온 전도성과 전자 전도성 모두를 갖는 것이다. 막에 대한 전체 산소 수송 속도의 추진력은 막에 가해지는 산소 부분압의 차이에서 비롯된다. 막은 조밀하고 기체가 통하지 않으므로, 산소 분자의 직접적인 통로는 막혀있다. 그러나, 산소 이온은 막을 선택적으로 통과할 수 있다. 산소의 해리 및 이온화는 표면전자상태 근처로부터 전자가 포착되는 막의 캐소드(cathode) 표면에서 일어난다. 산소이온 흐름은 동시에 일어나는 전자 전하 운반체의 흐름에 의해 전하 보충된다. 산소이온이 반대편 어노드(anode) 표면에 도달할 때 각각의 이온은 전자를 방출하고 재결합되어 산소 분자를 형성하게 되며, 이는 투과 흐름에서 방출된다.
비다공성 세라믹 막을 통과하는 투과속도는 다음의 두 가지 인자에 의해 좌우된다: (1) 막 내에서의 고체상 이온 수송 속도 및 (2) 막의 양쪽 면에서 이온 표면 교환 속도이다. 분리될 기체의 흐름은 막 두께가 임계 값에 도달할 때까지는 통상적으로 막의 두께를 감소시킴으로써 증가될 수 있다. 상기 임계 값 이상에서는 흐름은 이온 표면 교환 동력학적 속도와 고체상 이온수송속도 모두에 의해 좌우된다. 상기 임계 두께 이하에서는 산소 흐름은 주로 그의 이온 표면교환속도에 의해 지배된다. 따라서, 얇은 막이 상대적으로 높은 고체상 이온수송속도로 인해 두꺼운 막보다 바람직하다고 할 수 있다. 그러나, 얇은 막의 낮은 이온 표면교환속도(즉, 수송 속도에 대해 보다 높은 표면 저항)는 전체 성분 수송속도에서 보다 지배적이라고 할 수 있다. 표면 저항은 분리될 분자를 이온으로 전환 또는 반대로 이온을 분자로 전환하는 데에 관여하는 다양한 메카니즘으로부터 막의 양쪽 표면에서 발생된다.
종래 기술로는 다공성 이중상이 혼합된 전도체 코팅이나 다공성 단일상이 혼합된 전도체 코팅을 함유하는 층을 조밀한 세라믹 막 물질에 부가시킴으로써 이온 표면 교환 속도를 강화시켜 흐름을 증가시키는 방법이 대부분이다.
예를 들면, 테라오카(Y. Teraoka et al.)등은 조밀한 혼합 전도성 산화물층을 다공성 혼합 전도성 지지체에 침전시킴으로써 형성되는 기체 분리 막을 개시하고 있다(J. Ceram. Soc. Jpn. Inter. Ed., Vol. 97, Nos. 4 and 5, pp523-529, 1989). 현탁 스프레이 침전(suspension spray deposition)방법을 혼합 전도성 산화물 막을 침전시키는데 사용하는 예에서는 생성된 얇은 막 성분이 조밀한 소결샘플에 대한 산소 투과가 침전층 없이도 두 배의 증가를 나타내었다. 이와 비슷하게 미국특허 제5,240,480호에서는 다성분 금속 산화물 다공성층과 조밀한 층을 포함하는 다중층 혼합 고체막을 개시하고 있으며, 우수한 산소 흐름(flux)을 나타내고 있다.
미국특허 제4,791,079호에서는 두 개의 층으로 이루어진 촉매적 세라믹 막을 사용하여 투과면 계면 기체교환의 동력학적 속도를 향상시키는 내용을 개시하고 있다. 상기 층은 불투과성 혼합 이온 및 전자 전도성 세라믹 막과 다공성 촉매-함유 이온 전도성 세라믹 막이다. 미국특허 제5,723,035호에서는 금속, 금속 산화물 또는 이들의 혼합의 다공성 코팅을 사용하여 피드면(feed side) 계면 유체 교환의 동력학적 속도, 투과면 계면 교환의 동력학적 속도 또는 이들 모두를 향상시키는 것을 개시하고 있다.
미국특허 제5,938,822호에서는 조밀한 이중상의 전자-혼합 전도성 막 및 다공성 이중상의 전자-혼합 전도 코팅 또는 다공성 단일상의 혼합 전도 코팅으로 이루어진 막을 개시하고 있다. 상기 다공성 코팅을 두 개의 대립된 막 표면 중 최소한 하나에 처리하여 기체 상이 관여하는 표면 반응 속도를 향상시키게 된다. 공기면(air side)의 이러한 표면 개질은 산소 해리를 위한 표면적을 증가시킴으로써 이온 표면 교환 반응 속도를 증가시키는 것이다.
이처럼 종래 기술의 모든 막은 이온 표면 교환 동력학적 속도를 향상시키고 그럼으로써 막을 통한 산소투과속도를 증가시키기 위해서는 다중 막 구조가 반드시 필요하다는 것을 알 수 있다. 이하에도 설명하겠지만, 본 발명에서는 이온 표면 교환 동력학적 속도를 향상시키기 위해 표면 처리 방법을 사용하며, 이는 종래 기술에서 주로 이용되었던 추가적인 막 층을 요하지 않기 때문에 종래 기술처럼 적용이 복잡하지 않다는 장점이 있다.
본 발명은 세라믹 막의 대립된 표면중 하나 또는 양쪽 모두를 처리하여 상기 막을 통한 투과속도를 향상시킨 이온 전도성 세라믹 막 및 그 표면 처리 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 표면을 처리하여 표면의 불규칙성을 증가시키고, 그에 따라 표면적을 증가시킨 세라믹 막 및 그 처리 방법에 관한 것이다.
발명의 요약
본 발명에서는 선택된 기체에 대하여 선택적 투과성이 있는 이온 전도성 세라믹 막을 제공한다.
본 발명에 따른 상기 세라믹 막은 세라믹 막을 형성하고 이를 통해 기체 이온이 이동하는 물질체(mass of a substance)를 갖는다. 상기 물질체는 각각 기체의 해리 및 이온화가 일어나고, 기체이온이 전자를 방출하고 재결합하여 기체 분자를 형성하는 두 개의 대립 표면을 갖는다. 상기 두 개의 대립 표면 중 최소한 하나는세라믹 막을 통한 기체의 투과성을 향상시키기 위해 표면 물질을 제거하는 처리를 하여 증가된 표면의 표면 불규칙성을 형성하고 이에 따라 처리된 표면의 전체 표면적을 증가시키는 것이다. 여기에서 "표면 불규칙성"이란 매끄러운 정상 표면에서 벗어난 표면에서 측정가능한 불규칙성을 의미한다. 예를 들면, 세라믹 표면을 전자 현미경으로 확대하였을 경우 초미세의 융기선과 구멍이 나타난다. 본 발명의 처리방법은 불규칙도성 부가 및/또는 확장된 깊이의 불규칙성의 부가 및/또는 처리 전에 비해 불규칙성 정도를 확장시킴으로써, 표면 불규칙성은 확장된 표면적을 제공하게 된다. 표면적의 증가는 막의 전체 표면적의 증가로 이어진다. 여기에서, "전체 표면적"은 기하학적인 정표면적을 넘어 표면 불규칙한 융기선 및 구멍에 의해 늘어난 면적을 포함한 표면의 면적을 의미한다.
본 발명은 표면 물질의 제거가 수반된 표면 처리를 말하므로 불규칙성이 두 개의 대립된 표면 사이를 연속적으로 이어질 정도로 물질을 제거하는 것은 아니다. 또한 처리된 표면의 모든 면적이 반드시 수송에 사용되는 것은 아니다. 본 발명에 따라 처리된 어떤 구간은 매우 뒤틀려져 있거나 또는 작은 조작으로 덮여있어 기체 표면 상호작용이 실질적으로 저해되기도 한다. 그러나, 그러한 효과가 산소 수송 속도에 미치는 영향은 미미하다.
바람직하게는 두 개의 대립된 표면이 처리되는 것이다. 본 발명에 따라 처리된 막의 두께는 두 개의 대립된 표면 사이에서 측정된 것이 바람직하게는 1.0 mm 이하, 더 바람직하게는 0.5 mm 이하이다. 본 발명의 처리에 따랐을 경우, 상기 두께는 고체상 이온 수송 속도와 이온 표면 교환 속도 모두를 증가시킴으로써 산소의투과를 최대화하는 것이다.
본 발명은 산소 선택성 막에 국한되는 것은 아니지만 선택된 기체는 산소일 수 있다. 또한, 막을 형성하는 물질은 일반식 [A1-xA'x][Co1-y-zByB'z]O3-d로 표시되는 페롭스카이트 구조이며, 상기 식에서 A는 Ⅱ족 금속, Ca, Sr, Ba 또는 이들의 혼합물; A'는 희토류 금속 및 란탄족 또는 악티늄족인 La, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Td, Dy, Ho, Er, Tm, 또는 U, 또는 이들의 혼합물; B는 Mn, Cr, V, 또는 Ti, 또는 이들의 혼합물; B'는 Cu 또는 Ni 또는 이들의 혼합물; x는 0.00001 내지 0.9; y는 0.001 내지 0.9; z는 0 내지 0.8이고; 그리고 d는 다른 금속과의 원자가에 의하여 결정되고, 상기 입방형 페롭스카이트상은 공기중 약 25 내지 1000 ℃의 온도범위에서 실질적으로 안정하다.
본 발명은 다른 측면에서 선택된 기체에 대하여 선택적으로 투과될 수 있는 이온 전도성 세라믹 막을 처리하는 방법을 제공하여 상기 기체의 투과성을 증가시킨다. 상기 세라믹 막은 두 개의 대립된 표면으로 되어 있으며, 그곳에서 기체의 해리 및 이온화가 일어나고 기체 이온이 전자를 방출하거나 재결합하여 기체 분자를 형성시키게 된다. 상기 방법은 세라믹 막의 두 개의 대립된 표면 중 최소한 하나로부터 표면 물질을 제거하여 증가된 표면의 표면 불규칙성을 야기시키고 그럼으로써 처리된 표면의 전체 표면적을 증가시키는 것으로 구성된다.
바람직하게는, 상기 표면 물질은 화학적 에칭, 모래 분사, 또는 이온 충격에 의해 제거된다. 화학적 에칭의 경우, 표면 물질은 두 개의 표면중 하나 또는 그 이상을 약 10 몰 퍼센트 내지 50 몰 퍼센트의 농도범위를 갖는 HNO3수용액에 약 15분 내지 24 시간동안 노출시킨 다음, 상기 표면을 약 600 ℃ 내지 900 ℃ 사이의 온도에서 약 10분 내지 30 분 동안 공기 중에 가열냉각 시킴으로써 제거된다.
조작의 특별한 이론에 구애 없이 표면 물질의 제거 및 표면적의 증가에 의해 선택된 기체에 대한 반응 위치가 증가하게 되고 그럼으로써 보다 높은 흐름이 가능하게 되는 것이다. 따라서, 본 발명에서는, 코팅에 의해 물질이 부가되는 것이 아니라, 물질이 제거되므로, 종래 기술처럼 다른 층을 형성하거나 부가하지 않고도 목적을 달성할 수 있는 것이다. 그러므로, 본 발명은 종래의 표면 처리방법보다 적은 비용이거나, 훨씬 덜 복잡한 방법으로 투과를 향상시킨다. 본 발명의 또 다른 장점은 하기에서 더 명백해질 것이다.
도면의 간단한 설명
본 발명의 명세서는 발명의 내용을 명확하게 설명하고 있지만 본 발명은 첨부된 도면에 의해 더 명확해진다.
도1은 본 발명에 따라 처리된 것이 아닌 세라믹 막 표면의 전자 현미경 사진이다.
도2는 본 발명에 따라 표면 처리된 세라믹 막 표면의 전자 현미경 사진이다.
발명의 상세한 설명
도1 및 도2는 각각 비처리된 표면과 처리된 표면을 나타낸 것이다. 도1에 관해, 흑색 부분은 표면 구멍, 구멍을 둘러싸는 백색 선 부분은 융기, 그리고 회색 부분은 상대적으로 매끄럽고 평탄한 부분이다. 도1에서, 비처리된 표면은 매끄럽고 평탄한 부분이 대부분이라는 것을 알 수 있다. 도2의 처리된 표면은 처리에 의해 침식되었으며, 비처리된 표면보다 훨씬 더 많은 구멍과 융기가 형성된 불규칙한 표면을 갖는다. 나아가 도2의 구멍은 도1의 구멍보다 더 깊다. 이처럼 표면의 불규칙성이 상당하기 때문에 처리된 표면은 비처리된 표면보다 훨씬 더 큰 전체 표면적을 제공한다. 상기에서 언급된 바와 같이, 이처럼 더 큰 전체 표면적은 더 높은 이온표면교환속도를 제공하고, 그럼으로써 비처리된 막보다 더 높은 투과속도에 대한 포텐셜을 제공한다.
도2에 나타난 표면은 화학적 에칭에 의해 처리된 것이다. 화학적 에칭은 막을 예컨대 HNO3, HCl, H2SO4등의 희석 산에 담가 처리할 수 있다. 구체적인 예를 들면, 상기 막은 약 10 몰 퍼센트 내지 약 50 몰 퍼센트의 농도를 갖는 HNO3수용액에 처리될 특정 막을 형성하는 물질에 따라 약 10 분 내지 24 시간 동안 담가두는 것이 바람직하다. 에칭 후, 상기 막은 에탄올과 같은 용매에 의해 세척되며, 공기중 약 600 ℃ 내지 900 ℃의 온도범위에서 약 10 분 내지 약 30 분 동안 가열 냉각하여 잔여 산을 제거한다.
특히, 도1 및 도2는 La0.2Sr0.8Cr0.2Fe0.8Mg0.01O3("LSCFM")으로 형성된 시편을 나타낸 것이다. 도2의 시편은 HNO3용액(30 몰 퍼센트의 농도)에 24 시간 동안 노출시켜 에칭한 것이다. 상기 시편을 에탄올로 세척한 후, 공기 중 약 900 ℃의 온도에서 약 30 분 동안 가열 냉각시켰다. LSCFM에 대한 에칭 효과는 대부분이 Fe 및 Cr 원자가 산 용액에 용해되기 때문이라고 생각된다. 디스크의 양 쪽 표면의 EDS 데이터는 유사한 LSCFM 성분 조성물을 나타낸다. 이는 에칭을 연장된 시간동안 및/또는 강산 용액 조건 하에서 수행할 경우, LSCFM가 지나치게 에칭되어(SrO가 풍부한 표면에서), 성분 조성이 변형될 수 있다는 것을 나타낸다.
화학적 에칭을 사용한 표면처리는 불순물이나 막의 제조시 개입되는 불필요한 두 번째 상을 제거하는데 도움이 된다. 이는 특히, 튜브 제조에 사용되는 압출 공정으로 인해 통상적으로 튜브 표면에 불순물을 함유하는 관형 막에 있어서 매우 중요하다. 더 나아가, 유기 용매, 바인더, 가소제, 활제 및 그린 형상(green shapes)을 만드는 다른 작용제와 나트륨, 실리콘, 황 등과 같은 무기 불순물은 소결후 막의 표면이나 조직 경계 어디서든 발견된다. 이러한 불순물은 막을 통과하는 산소 수송 속도를 강하게 저지시키므로, 본 발명의 표면 처리는 이러한 불순물을 제거하여 막의 성능을 향상시킨다. 본 발명에 의한 처리의 또 다른 장점은 표면의 울퉁불퉁함이 증대되어 이후의 코팅, 촉매 또는 촉매적 활성 성분의 부착에도 용이한 표면을 제공한다는 것이다.
화학적 에칭과 함께 예컨대 모래 분사 및 이온 충격과 같은 몇 가지 다른 표면 처리도 사용될 수 있다. 모래 분사는 처리될 막 표면을 작은 모래 입자(SiO2)로 침식시키는 것이다. 이온 충격은 처리될 표면을 이온화된 불활성 기체, 예컨대 아르곤을 진공 챔버 내에서 가속화시켜 처리하는 것이다. 모래 분사 및 이온 충격 공정은 막 외표면(外表面) 에서만 처리될 수 있다. 화학적 에칭은 막 내표면(內表面), 예컨대 관형 막의 경우라도 처리될 수 있다.
막의 어느 면이든 처리되어, 비처리된 표면에 비해 더 넓은 전체 표면적을 제공할 수 있지만, 본 발명에서는 우수한 투과를 위해 최소한 저압 면이 처리되는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 처리 공정후, 가열 냉각, 공기 또는 환원성 기체로 패시베이션, 촉매적 활성 금속 또는 금속 산화물의 주입과 같이 잘 알려진 처리 공정이 수행될 수 있다. 더 나아가, 본 발명에서는 처리될 막의 특정한 형태가 요구되지 않는다. 예를 들면, 막은 평평하거나 또는 관형 막이어도 무방하다.
상기에서 언급된 바와 같이, 얇은 막이 높은 고체상 이온수송속도로 인해 더 바람직하다. 그러나, 막 두께가 감소될수록 이온표면교환속도가 낮아진다. 본 발명에 의한 처리방법은 이온표면교환속도를 증가시키므로, 얇은 막에서도 보다 높은 고체상 이온수송속도가 가능한 것이다. 여기에서, 특정 막 두께는 공지된 측정 방법으로부터 계측 또는 추산될 수 있다. 막 두께가 특정 막 두께를 초과할 경우, 고체상 이온수송속도의 효과는 영향을 받는다. 반면에, 막 두께가 특정 막 두께에 훨씬 못 미칠 경우, 이온표면교환이 영향을 받는다. 상기 특정 막 두께는 약 0.1 mm 내지 1.0 mm의 범위에 있다. 그러므로, 본 발명에 따라 처리된 막은 바람직하게는 약 1.0 mm이하, 더 바람직하게는 0.5 mm이하의 두께를 가짐으로써, 높은 고체상 이온수송속도 및 이온교환속도를 갖게되는 것이다. 그러나, 본 발명의 적용은 반드시 얇은 막에만 한정되는 것은 아니며, 심지어 두꺼운 막에서도 투과도의 상승 효과를얻을 수 있다.
본 발명에 의한 처리 방법에 의해 모든 세라믹 막이 개질될 수 있지만, 바람직한 물질로는 일반식 [A1-xA'x][Co1-y-zByB'z]O3-d로 표시되는 페롭스카이트 구조를 갖는 물질로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 식에서 A는 Ⅱ족 금속인 Ca, Sr, Ba 또는 이들의 혼합물로부터 선택되고; A'는 희토류 금속 및 란탄족 또는 악티늄족인 La, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Td, Dy, Ho, Er, Tm, 또는 U, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되고; B는 Fe, Mn, Cr, V, 또는 Ti, 또는 이들의 혼합물로부터 선택되고; B'는 Cu 또는 Ni 또는 이들의 혼합물로부터 선택되고; x는 0.00001 내지 0.9; y는 0.001 내지 0.9; z는 0 내지 0.8이고; 그리고 d는 다른 금속과의 원자가에 의하여 결정되고, 상기 입방정 페롭스카이트상은 공기중 약 25 내지 1000 ℃의 온도범위에서 실질적으로 안정하다.
본 발명의 따라 처리될 수 있는 세라믹 막의 다른 예로는 하기의 표 1과 같다. 그러나, 본 발명의 적용은 하기의 물질 조성물에만 한정되는 것은 아니며, 이론적으로, 어떠한 선택이든 이온 전도성 세라믹 막은 그에 의해 향상될 수 있다. 예를 들면, 혼합된 전도체 만으로 이루어진 물질을 제외한 조밀한 매트릭스 물질 역시도 본 발명에 적용될 수 있다.
본 발명에 방법에 의해 개질될 수 있는 다른 막으로는 미국특허 제5,160,713호에 개시된 일반식 BiAxMyM'zOn, 미국특허 제4,330,633호에 개시된 일반식 Co(Sr,La)(Bi,Ce)Ox및 미국특허 제4,571,443호에 개시된 일반식 BiLaMbOx와 같은 Bi계 물질을 포함한다.
실시예로서, 두 개의 LSCFM 튜브를 준비하였다. 하나의 튜브는 상기에 언급된 도2의 시편과 같은 방법으로 처리하고 다른 하나는 비처리 상태로 두었다. 두 개의 튜브는 약 7.98 cm의 길이이며 동일한 튜브로부터 절단된 것이다. 다음에 상기 두 개의 튜브를 외부의 공기 흐름 및 40 부피 퍼센트의 메탄, 57 부피 퍼센트의 질소 및 3 부피 퍼센트의 수증기로 이루어진 내부의 반응성 퍼지에 노출시켰다. 실험하는 동안 튜브의 온도는 약 1000 ℃ 이었다. 처리된 튜브는 2 요소에 의해 산소 흐름 향상을 나타내었으며, 비처리된 튜브의 경우는 약 1.9 sccm/cm2이고, 처리된 튜브의 경우 4.3 sccm/cm2이었다. 또한, 파열 테스트 데이터에서는 처리된 튜브의 강도가 감소되지 않았으며, 실제적으로 증가된 것으로 나타났다. 여기에서, 비처리된 튜브의 최대 압력은 5.7 kpsi이었으며, 처리된 튜브의 경우는 8.1 kpsi이었다. 이러한 파열 테스트는 실온에서 튜브의 단면을 가압 액상 콘 오일에 방치하여 수행되었다.
본 발명은 바람직한 구체예에 따라 상기와 같이 서술되었으나, 다양한 변화, 부가 및 생략이 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (13)
- 세라믹 막을 형성하고 이를 통해 기체 이온이 이동하는 물질체를 포함하고;상기 물질체는 상기 기체의 해리 및 이온화가 일어나고, 상기 기체 이온이 전자를 방출하고 재결합하여 상기 기체의 분자를 형성하는 각각 두 개의 대립되는 표면을 갖고 있으며; 그리고상기 두 개의 대립되는 표면 중 최소한 하나는 표면 물질을 제거함으로써 증가된 면적의 표면 불규칙성을 형성시키고, 그럼으로써 처리된 표면의 전체 표면적을 증가시켜, 상기 세라믹 막을 통한 기체의 투과를 향상시키도록 처리된 것을 특징으로 하는 선택된 기체에 대하여 선택적으로 투과성이 있는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제1항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면은 양쪽 모두 처리되는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제1항에 있어서, 상기 선택된 기체는 산소인 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제1항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면 사이의 측정 두께는 1.0 mm이하인 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제1항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면 사이의 측정 두께는 0.5 mm이하인 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제1항에 있어서, 상기 물질은 하기의 일반식을 갖는 페롭스카이트 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.[A1-xA'x][Co1-y-zByB'z]O3-d상기 식에서 A는 Ⅱ족 금속인 Ca, Sr, Ba 또는 이들의 혼합물; A'는 희토류 금속 및 란탄족 또는 악티늄족인 La, Y, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Td, Dy, Ho, Er, Tm, 또는 U, 또는 이들의 혼합물; B는 Mn, Cr, V, 또는 Ti, 또는 이들의 혼합물; B'는 Cu 또는 Ni 또는 이들의 혼합물; x는 0.00001 내지 0.9; y는 0.001 내지 0.9; z는 0 내지 0.8이고; 그리고 d는 다른 금속과의 원자가에 의하여 결정되고,상기 입방정 페롭스카이트상은 공기중 약 25 내지 1000 ℃의 온도범위에서 실질적으로 안정함.
- 제6항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면은 양쪽 모두 처리되는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제7항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면 사이의 측정 두께는 1.0 mm 이하인 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 제7항에 있어서, 상기 두 개의 대립되는 면 사이의 측정 두께는 0.5 mm 이하인 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막.
- 선택된 기체에 대하여 선택적으로 투과성이 있는 이온 전도성 세라믹 막을 처리하여 상기 기체에 대한 투과성을 향상시키는 방법으로서, 상기 세라믹 막은 각각 상기 기체의 해리 및 이온화가 일어나고, 상기 기체 이온이 전자를 방출하고 재결합하여 상기 기체의 분자를 형성하는 두 개의 대립되는 표면을 갖고 있으며, 상기 방법은 상기 세라믹 막의 두 개의 대립된 표면 중 최소한 하나의 면으로부터 표면 물질을 제거하여 증가된 표면적의 표면 불규칙성을 야기하고, 그럼으로써 처리된 표면의 전체 표면적을 증가시키는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막의 처리 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 표면 물질은 화학적 에칭, 모래 분사 또는 이온 충격에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막의 처리 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 표면 물질은 두 개의 표면 중 최소한 하나를 약 10 몰 퍼센트 내지 약 50 몰 퍼센트의 농도를 갖는 HNO3수용액에 약 15 분 내지 24 시간 동안 방치한 다음, 공기중 약 600 ℃ 내지 900 ℃의 온도범위에서 약 10 분 내지 약 30 분 동안 가열 냉각하여 제거되는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막의 처리 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 두 개의 면은 양쪽 모두 처리되는 것을 특징으로 하는 이온 전도성 세라믹 막의 처리 방법.
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