KR20020066010A - 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 기판과,상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,하면이 오목하고, 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 상기 제2 분리산화막 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
- 기판과,상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 덮는 투명 보호막과,상기 투명 보호막 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
- 기판과,상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,상기 집광수단들을 둘러싸도록 상기 제2 분리산화막 위에 세워진 하나 이상의 벽들과,상기 벽들 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
- 제3 항에 있어서,상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들이 부착되어 있고, 상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
- 패키지 기판과,상기 패키지 기판 위에 부착된 제1∼4항 중 어느 한 항의 유리덮개 일체형 고체 영상소자와,상기 패키지 기판 위에 부착된 리드 프레임들과,상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 각각 연결하는 와이어들과,상기 패키지 기판과 맞물려 부착되고, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 형성된 패키지 덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 영상소자 패키지.
- 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 제2 분리산화막 위에 하면이 오목한 유리덮개를 부착하되, 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
- 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 투명 보호막으로 덮는 단계와,상기 투명 보호막 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
- 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,상기 제2 분리산화막 위에 하나 이상의 벽들을 세워 상기 집광수단들을 둘러싸는 단계와,상기 벽들 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
- 제8 항에 있어서,상기 유리덮개를 부착하는 단계 이전에,상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들을 부착하는 단계와,상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
- 패키지 기판 위에 제1∼4항 중 어느 한 항의 유리덮개 일체형 고체 영상소자를 부착하는 단계와,상기 패키지 기판 위에 리드 프레임들을 부착하는 단계와,상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 와이어들로 각각 연결하는 단계와,패키지 덮개를 상기 패키지 기판과 맞물려 부착하되, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 영상소자 패키지의 제조방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7112864B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Module for optical device, and manufacturing method therefor |
KR100681779B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2007-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
KR100731541B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60236374A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
JPH03151666A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
KR930011307A (ko) * | 1991-11-22 | 1993-06-24 | 김광호 | 고체 촬영소자의 제조방법 |
KR19990000220A (ko) * | 1997-06-03 | 1999-01-15 | 문정환 | 고체 촬상 소자의 제조 방법 |
KR20010055249A (ko) * | 1999-12-10 | 2001-07-04 | 이형도 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
-
2001
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60236374A (ja) * | 1984-05-09 | 1985-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像装置 |
JPH03151666A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Nec Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
KR930011307A (ko) * | 1991-11-22 | 1993-06-24 | 김광호 | 고체 촬영소자의 제조방법 |
KR19990000220A (ko) * | 1997-06-03 | 1999-01-15 | 문정환 | 고체 촬상 소자의 제조 방법 |
KR20010055249A (ko) * | 1999-12-10 | 2001-07-04 | 이형도 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7112864B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-09-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Module for optical device, and manufacturing method therefor |
KR100731541B1 (ko) * | 2003-08-01 | 2007-06-22 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
KR100681779B1 (ko) * | 2004-06-15 | 2007-02-12 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 및 그 제조 방법 |
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