[go: up one dir, main page]

KR20020066010A - 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020066010A
KR20020066010A KR1020010006169A KR20010006169A KR20020066010A KR 20020066010 A KR20020066010 A KR 20020066010A KR 1020010006169 A KR1020010006169 A KR 1020010006169A KR 20010006169 A KR20010006169 A KR 20010006169A KR 20020066010 A KR20020066010 A KR 20020066010A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
color filters
separation oxide
substrate
glass cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
KR1020010006169A
Other languages
English (en)
Inventor
박병선
오용호
이재철
임성우
고춘수
Original Assignee
(주)해빛정보
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)해빛정보 filed Critical (주)해빛정보
Priority to KR1020010006169A priority Critical patent/KR20020066010A/ko
Publication of KR20020066010A publication Critical patent/KR20020066010A/ko
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/809Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/018Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of hybrid image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/804Containers or encapsulations

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자는, 기판과, 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과, 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과, 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과, 컬러필터들과 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과, 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과, 하면이 오목하고 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 제2 분리산화막 위에 부착된 유리덮개를 포함한다. 영상소자의 제조시 유리덮개를 일체로 부착함으로써 반도체 웨이퍼에서 잘라내는 과정에서 발생하는 미세입자에 의한 불량을 감소시킬 뿐 아니라 조립과정이 간단해져 조립비용을 크게 감소시키는 효과가 있다.

Description

유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법 {Solid state imaging device with integrated cover glass and fabrication method}
본 발명은 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 불량률을 감소시킬 뿐 아니라 조립비용을 크게 감소시킬 수 있는 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 고체 영상소자는 광다이오드와 같은 수광소자들이 2차원적으로 배열된 수광소자 배열을 이용하여 영상신호를 전기신호로 바꾼다. 즉, 수광소자 배열 위에 소정의 상이 ??히면, 수광소자 배열 위의 상에서 밝은 부분에 위치한 수광소자 즉, 빛이 비추어지는 수광소자는 전기신호를 발생할 것이고, 수광소자 배열 위의 상에서 어두운 부분에 위치한 수광소자 즉, 빛이 비추어지지 않은 수광소자는 전기신호를 발생하지 않게 될 것이다. 또한, 밝은 빛이 비추어진 수광소자에서 발생된 전기신호는 보다 어두운 빛이 비추어진 수광소자에서 발생된 전기신호보다 더 클 것이다. 이 각각의 전기신호들을 적절히 처리하면 하나의 흑백영상을 이룰 수 있다. 또한, 빛을 빨강, 파랑, 녹색으로 분리하여 하나의 픽셀에 3개의 수광소자를 사용하면 컬러영상도 만들 수 있다.
도 1은 종래기술의 고체 영상소자의 단면도이다. 수광소자(12)의 위에는 빛을 적색, 녹색 및 청색으로 분리하기 위한 컬러필터(14)가 있으며, 컬러필터(14)의 위에는 수광소자(12)로 빛을 모으기 위한 마이크로렌즈(16)가 있다. 빛은 마이크로렌즈(16)를 통과하면서 집광된다. 그 빛은 컬러필터(14)를 통과하면서 적색, 녹색 및 청색 중 한 가지 빛만 통과된다. 그렇게 여과된 빛은 수광소자(12)를 자극하여 전기신호를 일으킨다. 도 1을 참조하여 개략적으로 설명하면, 반도체 기판(11) 위에 수광소자들(12)을 2차원적으로 배열하여 형성한다. 다음으로, 수광소자들(12)과 기판(11)을 제1 분리산화막(13)으로 덮는다. 제1 분리산화막(13) 위에 컬러필터들(14)을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 컬러필터들(14)이 각각 수광소자들(12)의 직상방향에 위치하도록 형성한다. 그리고서, 컬러필터들(14)과 제1 분리산화막(13)을 제2 분리산화막(15)으로 덮는다. 그 후, 제2 분리산화막(15) 위에 마이크로렌즈들(16)을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 집광수단들이 각각 마이크로렌즈들의 직상방향에 위치하도록 형성한다.
이러한 영상소자는 하나의 웨이퍼 위에서 복수개가 생산된다. 반도체 웨이퍼에서 각각의 영상소자를 다이어몬드 날을 가진 톱으로 분리하는 과정에서 발생하는 미세한 반도체 가루가 마이크로렌즈에 부착되면 영상이 왜곡되는 불량이 생긴다. 이와 같은 불량을 방지하기 위하여 반도체 웨이퍼 위에 포토레지스트를 도포한 후 분리하는 방법이 제시되기도 하였다. 그러나, 이들의 효과는 제한적이며 포토레지스트를 벗겨내는 과정에서 사용되는 액체에 의해 마이크로렌즈가 일부 떨어져 나가는 불량이 발생하기도 하는 등 많은 문제점을 가지고 있다.
도 2는 도 1에 도시된 종래기술의 고체 영상소자를 세라믹 패키지에 조립하여 패키징하는 조립 단면도이다. 웨이퍼에서 분리된 각 영상소자(10)를 조립할 때에 수광소자 부분을 노출시키기 위하여 윗면에 투명한 유리덮개(5)를 부착한다. 유리덮개(5)를 패키지(4) 위에 붙여야 하므로 플라스틱 패키지 대신 세라믹 패키지를 사용하는 것이 일반적이다. 그러나, 세라믹 패키지는 플라스틱 패키지보다 비쌀 뿐 아니라 크기도 플라스틱 패키지보다 커서 영상소자를 사용하는 디지털 카메라 및 비디오 카메라의 크기를 제한하는 요인이 된다. 또한, CMOS 영상소자와 같이 영상소자뿐 아니라 주변회로가 함께 한 칩에 내장되는 경우에는 노출될 필요가 없는 주변회로까지 유리덮개를 통해 보이는 문제점이 있다.
상기 문제점들을 해결하기 위한 본 발명은 영상소자의 제조시 유리덮개를 일체로 부착함으로써 종래에 고체영상소자의 제작후 반도체 웨이퍼에서 잘라내는 미세입자에 의한 불량을 방지하고 고체영상소자를 패키지에 조립하는 공정을 간소화하는 데에 그 목적이 있다.
도 1은 종래기술의 고체 영상소자의 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 종래기술의 고체 영상소자를 세라믹 패키지에 조립하여 패키징하는 조립 단면도.
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 오목한 구조의 유리덮개의 형상도.
도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따라 도 3a의 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도.
도 4는 도 3b의 유리덮개가 구비된 영상소자를 플라스틱 패키지에 조립하는 조립도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2 실시에에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 141: 리드 프레임2, 4, 142, 144: 패키지
3, 143: 본딩 와이어5, 130, 240, 340, 430: 유리덮개
10: 영상소자11, 110, 210, 310: 반도체 기판
12: 수광소자13, 15: 분리산화막
14: 컬러필터16, 120, 220, 320, 450: 마이크로렌즈
230, 410: 벽330: 투명보호막
420: 위상 회절 격자형 광저대역 필터
440: 적외선 필터
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자는, 기판과, 상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과, 상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과, 상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과, 상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과, 하면이 오목하고 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 상기 제2 분리산화막 위에 부착된 유리덮개를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제2 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자는, 기판과, 상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과, 상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과, 상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과, 상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과, 상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 덮는 투명 보호막과, 상기 투명 보호막 위에 부착된 유리덮개를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제3 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자는, 기판과, 상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과, 상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과, 상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과, 상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과, 상기 집광수단들을 둘러싸도록 상기 제2 분리산화막 위에 세워진 하나 이상의 벽들과, 상기 벽들 위에 부착된 유리덮개를 포함한다. 상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들이 부착되고 상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들이 부착될 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제4 측면에 따른 유리덮개 일체형 영상소자 패키지는, 패키지 기판과, 상기 패키지 기판 위에 부착된 유리덮개 일체형 고체 영상소자와, 상기 패키지 기판 위에 부착된 리드 프레임들과, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 각각 연결하는 와이어들과, 상기 패키지 기판과 맞물려 부착되고 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 형성된 패키지 덮개를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제5 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법은, 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와, 상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 제2 분리산화막 위에 하면이 오목한 유리덮개를 부착하되 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 부착하는 단계를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제6 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법은, 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와, 상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 투명 보호막으로 덮는 단계와, 상기 투명 보호막 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제7 측면에 따른 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법은, 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와, 상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와, 상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와, 상기 제2 분리산화막 위에 하나 이상의 벽들을 세워 상기 집광수단들을 둘러싸는 단계와, 상기 벽들 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함한다. 상기 유리덮개를 부착하는 단계 이전에, 상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들을 부착하는 단계와, 상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들을 부착하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제8 측면에 따른 유리덮개 일체형 영상소자 패키지의 제조방법은, 패키지 기판 위에 유리덮개 일체형 고체 영상소자를 부착하는 단계와, 상기 패키지 기판 위에 리드 프레임들을 부착하는 단계와, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 와이어들로 각각 연결하는 단계와, 패키지 덮개를 상기 패키지 기판과 맞물려 부착하되 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
<제1 실시예>
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 오목한 구조의 유리덮개의 형상도이고, 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따라 도 3a의 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도이다. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성한다(도면에서는 생략). 다음으로, 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 컬러필터들이 각각 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그리고서, 컬러필터들과 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 그 후, 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 집광수단들이 각각 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그 다음, 제2 분리산화막 위에 하면이 오목한 유리덮개(130)를 부착하되, 집광수단들(120)이 오목한 공간 안에 들어가도록 부착한다.
유리덮개(130)를 도 3a와 같이 오목하게 만든다. 그리고는 이 유리덮개(130)를 도 3b와 같이 반도체 기판(110) 위에 마이크로렌즈(120)가 형성된 영상소자의 수광부측에 미리 부착한다. 이 때에 유리덮개(130)의 오목한 쪽이 기판과 맞닿도록 한다. 그럼으로써, 마이크로렌즈(120) 등이 유리덮개(130)의 그 오목한 부분에 의해 생기는 공간 안에 들어가도록 한다. 그 후에 반도체 웨이퍼를 잘라낸다. 이때에 잘라내는 과정에서 발생하는 미세한 입자는 유리덮개(130)에 의해 차단되어 마이크로렌즈(120)에 부착되는 것을 막을 수 있다.
도 4는 도 3b의 유리덮개가 구비된 영상소자를 플라스틱 패키지에 조립하는 조립도이다. 이와 같이 잘라낸 영상소자를 플라스틱 패키지 기판(142) 위에 부착하고 영상소자 주변에 소정개수의 리드 프레임(141)을 부착한다. 그 후 영상소자의 각 수광소자들로부터 발생된 전기신호들을 기판(110)에서 각각의 해당 리드프레임(141)으로 전달할 수 있도록 와이어(143)로 기판(110)과 리드 프레임(141)을 이어준다. 그리고, 플라스틱 패키지 덮개(144)를 플라스틱 패키지 기판(142) 위에 부착한다. 이로 인해, 세라믹 대신에 플라스틱 패키지를 사용하여 조립함으로써 조립 원가를 낮추고 조립된 칩 전체의 부피도 줄일 수 있게 된다.
<제2 실시예>
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2 실시에에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도이다. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성한다(도면에서는 생략). 다음으로, 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 컬러필터들이 각각 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그리고서, 컬러필터들과 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 그 후, 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 집광수단들이 각각 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그 다음, 도 5a와 같이 제2 분리산화막 위에 벽(230)을 세운다. 그리고, 도 5b와 같이 그 위에 평평한 유리덮개(240)를 부착한다. 그런 후에, 반도체 웨이퍼를 잘라낸다. 이때에 잘래내는 과정에서 발생하는 미세한 입자는 벽(230)과 유리덮개(240)에 의해 차단되어 마이크로렌즈(220)에 부착되는 것을 막을 수 있다.
<제3 실시예>
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도이다. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성한다(도면에서는 생략). 다음으로, 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 컬러필터들이 각각 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그리고서, 컬러필터들과 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 그 후, 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 집광수단들이 각각 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그 다음, 제2 분리산화막 위에 투명한 보호막(330)을 입히고, 그 위에 평평한 유리덮개(340)를 부착한다. 그런 후에, 반도체 웨이퍼를 잘라낸다. 이때에 잘래내는 과정에서 발생하는 미세한 입자는 투명한 보호막(330)과 유리덮개(340)에 의해 차단되어 마이크로렌즈(320)에 부착되는 것을 막을 수 있다.
<제4 실시예>
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따라 유리덮개를 영상소자의 수광부측에 부착하는 단면도이다. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성한다(도면에서는 생략). 다음으로, 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 컬러필터들이 각각 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그리고서, 컬러필터들과 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는다(도면에서는 생략). 그 후, 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 집광수단들이 각각 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성한다(도면에서는 생략). 그 다음, 제2 분리산화막 위에 벽(410)을 세운다. 그리고, 하면에 위상 회절 격자형 광저대역 필터(420)가 미리 부착된 덮개유리(430)를 벽(410) 위에 부착한다. 그 후에 덮개유리(430)의 상면에 적외선 필터(440)를 부착한다. 최종적으로, 반도체 웨이퍼를 잘라낸다. 이때에 잘래내는 과정에서 발생하는 미세한 입자는 벽(410)과 적외선 필터(440)에 의해 차단되어 마이크로렌즈(450)에 부착되는 것을 막을 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명은, 영상소자를 이용하는 반도체 패키지를 제조함에 있어서, 영상소자의 제조시 유리덮개를 일체로 부착함으로써 반도체 웨이퍼에서 잘라내는 과정에서 발생하는 미세입자에 의한 불량을 감소시킬 뿐 아니라 조립과정이 간단해져 조립비용을 크게 감소시키는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 기판과,
    상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,
    상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,
    상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,
    상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,
    하면이 오목하고, 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 상기 제2 분리산화막 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
  2. 기판과,
    상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,
    상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,
    상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,
    상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,
    상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 덮는 투명 보호막과,
    상기 투명 보호막 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
  3. 기판과,
    상기 기판 위에 2차원적으로 배열되어 형성된 수광수단들과,
    상기 수광수단들과 기판을 덮는 제1 분리산화막과,
    상기 제1 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하여 형성된 컬러필터들과,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 덮는 제2 분리산화막과,
    상기 제2 분리산화막 위에 2차원적으로 배열되되, 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하여 형성된 집광수단들과,
    상기 집광수단들을 둘러싸도록 상기 제2 분리산화막 위에 세워진 하나 이상의 벽들과,
    상기 벽들 위에 부착된 유리덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들이 부착되어 있고, 상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자.
  5. 패키지 기판과,
    상기 패키지 기판 위에 부착된 제1∼4항 중 어느 한 항의 유리덮개 일체형 고체 영상소자와,
    상기 패키지 기판 위에 부착된 리드 프레임들과,
    상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 각각 연결하는 와이어들과,
    상기 패키지 기판과 맞물려 부착되고, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 형성된 패키지 덮개를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 영상소자 패키지.
  6. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,
    상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 제2 분리산화막 위에 하면이 오목한 유리덮개를 부착하되, 상기 집광수단들이 오목한 공간 안에 들어가도록 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
  7. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,
    상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 집광수단들과 상기 제2 분리산화막을 투명 보호막으로 덮는 단계와,
    상기 투명 보호막 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
  8. 반도체 기판 위에 수광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하는 단계와,
    상기 수광수단들과 기판을 제1 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제1 분리산화막 위에 컬러필터들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 컬러필터들이 각각 상기 수광수단들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 컬러필터들과 상기 제1 분리산화막을 제2 분리산화막으로 덮는 단계와,
    상기 제2 분리산화막 위에 집광수단들을 2차원적으로 배열하여 형성하되, 상기 집광수단들이 각각 상기 컬러필터들의 직상방향에 위치하도록 형성하는 단계와,
    상기 제2 분리산화막 위에 하나 이상의 벽들을 세워 상기 집광수단들을 둘러싸는 단계와,
    상기 벽들 위에 유리덮개를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 유리덮개를 부착하는 단계 이전에,
    상기 유리덮개의 하면에는 위상 회절 격자형 광저대역 필터들을 부착하는 단계와,
    상기 유리덮개의 상면에는 적외선 필터들을 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 제조방법.
  10. 패키지 기판 위에 제1∼4항 중 어느 한 항의 유리덮개 일체형 고체 영상소자를 부착하는 단계와,
    상기 패키지 기판 위에 리드 프레임들을 부착하는 단계와,
    상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자와 상기 리드 프레임들을 와이어들로 각각 연결하는 단계와,
    패키지 덮개를 상기 패키지 기판과 맞물려 부착하되, 상기 유리덮개 일체형 고체 영상소자의 유리덮개의 상면이 노출되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리덮개 일체형 영상소자 패키지의 제조방법.
KR1020010006169A 2001-02-08 2001-02-08 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법 Ceased KR20020066010A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010006169A KR20020066010A (ko) 2001-02-08 2001-02-08 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010006169A KR20020066010A (ko) 2001-02-08 2001-02-08 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020066010A true KR20020066010A (ko) 2002-08-14

Family

ID=27693735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010006169A Ceased KR20020066010A (ko) 2001-02-08 2001-02-08 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20020066010A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112864B2 (en) 2003-03-28 2006-09-26 Sharp Kabushiki Kaisha Module for optical device, and manufacturing method therefor
KR100681779B1 (ko) * 2004-06-15 2007-02-12 후지쯔 가부시끼가이샤 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR100731541B1 (ko) * 2003-08-01 2007-06-22 후지필름 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60236374A (ja) * 1984-05-09 1985-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
JPH03151666A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
KR930011307A (ko) * 1991-11-22 1993-06-24 김광호 고체 촬영소자의 제조방법
KR19990000220A (ko) * 1997-06-03 1999-01-15 문정환 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR20010055249A (ko) * 1999-12-10 2001-07-04 이형도 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60236374A (ja) * 1984-05-09 1985-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
JPH03151666A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Nec Corp 固体撮像装置の製造方法
KR930011307A (ko) * 1991-11-22 1993-06-24 김광호 고체 촬영소자의 제조방법
KR19990000220A (ko) * 1997-06-03 1999-01-15 문정환 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR20010055249A (ko) * 1999-12-10 2001-07-04 이형도 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112864B2 (en) 2003-03-28 2006-09-26 Sharp Kabushiki Kaisha Module for optical device, and manufacturing method therefor
KR100731541B1 (ko) * 2003-08-01 2007-06-22 후지필름 가부시키가이샤 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR100681779B1 (ko) * 2004-06-15 2007-02-12 후지쯔 가부시끼가이샤 촬상 장치 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102382364B1 (ko) 웨이퍼 레벨 이미지 센서 패키지
US7456483B2 (en) Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and module for optical device
US7977145B2 (en) Method of fabricating silicon/dielectric multi-layer semiconductor structures using layer transfer technology and also a three-dimensional multi-layer semiconductor device and stacked layer type image sensor using the same method, and a method of manufacturing a three-dimensional multi-layer semiconductor device and the stack type image sensor
US7964926B2 (en) Image sensing devices including image sensor chips, image sensor package modules employing the image sensing devices, electronic products employing the image sensor package modules, and methods of fabricating the same
US7402453B2 (en) Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
EP1414077A2 (en) Method for making and packaging image sensor die using protective coating
CN1622334B (zh) 固态成像装置及其制造方法
CN103208498B (zh) 成像装置及其制造方法
US20080108169A1 (en) Ultrathin module for semiconductor device and method of fabricating the same
JP3993532B2 (ja) 封入された光学センサーを製造する方法及びその方法により製造された封入光学センサー
WO2007032632A1 (en) Method of fabricating silicon/dielectric multi-layer semiconductor structures using layer transfer technology and also a three-dimensional multi-layer semiconductor device and stacked layer type image sensor using the same method, and a method of manufacturing a three-dimensional multi- layer semiconductor device and the st
JP2004063751A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JP4174247B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
US6679964B2 (en) Method for integrating image sensors with optical components
US9484379B2 (en) Rear-face illuminated solid state image sensors
JP5876104B2 (ja) マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子、カメラモジュール
KR100731801B1 (ko) 이미지센서용 반도체패키지 및 그 제조방법
KR20020066010A (ko) 유리덮개 일체형 고체 영상소자 및 그 제조방법
JPH0226080A (ja) 半導体素子
JP4521938B2 (ja) 撮像装置
JP4503452B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
US20020158296A1 (en) Solid imaging device and method of fabricating the same
JP2009111130A (ja) 撮像装置及びその製造方法
HK1196181A (en) Low profile image sensor package and method
HK1196181B (zh) 低輪廓圖像傳感器封裝和方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20010208

PA0201 Request for examination
PG1501 Laying open of application
E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20021129

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20031107

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20021129

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I