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KR20020065893A - Organic light emitting diode having spherical shaped patterns - Google Patents

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KR20020065893A
KR20020065893A KR1020027005440A KR20027005440A KR20020065893A KR 20020065893 A KR20020065893 A KR 20020065893A KR 1020027005440 A KR1020027005440 A KR 1020027005440A KR 20027005440 A KR20027005440 A KR 20027005440A KR 20020065893 A KR20020065893 A KR 20020065893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
planar
light emitting
planar shape
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020027005440A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
제임스 씨. 스텀
코너 에프. 매디갠
민-하오 엠. 루
Original Assignee
트러스티스 오브 프린스턴 유니버시티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 트러스티스 오브 프린스턴 유니버시티 filed Critical 트러스티스 오브 프린스턴 유니버시티
Publication of KR20020065893A publication Critical patent/KR20020065893A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

발광장치는 제1표면 및 제2표면을 갖는 투명기판, 상기 제1표면상의 도전성 투명층, 상기 도전성 투명층상에 배치된 유기층, 상기 유기층상에 배치된 상부접촉부를 구비하며, 상기 기판의 제2표면의 윤곽은 비평면형을 갖는다.The light emitting device includes a transparent substrate having a first surface and a second surface, a conductive transparent layer on the first surface, an organic layer disposed on the conductive transparent layer, and an upper contact portion disposed on the organic layer, the second surface of the substrate The contour of has a non-planar shape.

Description

구형 패턴을 가지는 유기발광 다이오드{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE HAVING SPHERICAL SHAPED PATTERNS}Organic light emitting diode having a spherical pattern {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE HAVING SPHERICAL SHAPED PATTERNS}

더 더욱 빠른 속도로 광활한 량의 데이터를 다운로드하고 보기 위한 필요성 및 인터넷에 대한 접속은, 휴대성 및 작은 풋프린트에 대한 빈번한 요구와 더불어, 디스플레이 장치의 성능에 관해 보다 크게 요구한다. 그러한 응용들을 위해 선택된 디스플레이 장치는 평-판 디스플레이이지만, 대부분의 평-판 디스플레이들에 의해 사용되는 현재의 액정디스플레이(LCD) 기술은 그들의 증가되는 요구를 충족시키기 위한 능력에 있어 제한적이다. 그러나, 새로운 디스플레이 기술은 LCD 기술의 제한을 극복하기 위해 상당한 가능성을 제공한다. 그 새로운 기술은 전류에 의해여기될 때 발광하는 박막물질을 사용하는, 유기 발광 다이오드(OLED)들의 응용을 기반으로 한다.The need to download and view vast amounts of data at even higher speeds and access to the Internet, along with the frequent demand for portability and small footprint, place greater demands on the performance of display devices. The display device chosen for such applications is a flat-panel display, but current liquid crystal display (LCD) technology used by most flat-panel displays is limited in its ability to meet their increasing needs. However, new display technologies offer significant possibilities to overcome the limitations of LCD technology. The new technology is based on the application of organic light emitting diodes (OLEDs), using thin film materials that emit light when excited by electrical current.

통상적인 OLED는 평면 유리 기판(tsub∼1mm, nsub=1.51), 인듐 주석 산화물(ITO)의 층(tITO∼100nm, nITO∼1.8), 하나 이상의 유기층(torg∼0.1nm, norg=1.6-1.8), 및 반사 음극(예를 들면, Mg;Ag 또는 Li;Al)으로 구성되는데, 여기에서, t는 층 두께를, 그리고 n은 층 굴절률을 칭한다. 단순하게는, 본문의 논점은 발광이 발생되는 단일 유기층에 기반할 것이다. 그러나, 당업자들은 상기 논점 및 그에 따른 분석이 보다 복잡한 장치 구조까지 용이하게 확장될 수 있음을 쉽게 이해할 것이다.Conventional OLEDs include flat glass substrates (t sub-1 mm, n sub = 1.51), layers of indium tin oxide (ITO) (t ITO- 100 nm, n ITO- 1.8), one or more organic layers (t org- 0.1 nm, n org = 1.6-1.8), and a reflective cathode (eg, Mg; Ag or Li; Al), where t refers to the layer thickness and n refers to the layer refractive index. For simplicity, the issue in the text will be based on a single organic layer where luminescence occurs. However, those skilled in the art will readily appreciate that the above points and the resulting analysis can be easily extended to more complex device structures.

디스플레이 시스템을 위한 장점에 관한 중요 도면은 입력 전력의 발광으로의 전환 효율이다. OLED 디스플레이에 있어, 이런 시스템 효율을 결정할 시의 중요 인자는 내부 발생된 광이 장치로부터 결합되는 결합 효율(coupling efficiency)(ηext)이다. 장래 디스플레이 시스템들의 기대 요구를 충족시키기 위하여, OLED들의 결합 효율을 향상시킬 필요성이 있다.An important illustration of the advantages for a display system is the conversion efficiency of the input power to light emission. For OLED displays, an important factor in determining this system efficiency is the coupling efficiency (η ext ) at which the internally generated light is coupled from the device. In order to meet the expected needs of future display systems, there is a need to improve the coupling efficiency of OLEDs.

발명의 요약 및 목적Summary and purpose of the invention

본 발명의 목적은 OLED들을 위한 결합 효율의 증가를 제공하는 것이다. 그러한 목적을 위해, 유기 발광 다이오드(OLED)의 방사 강도, 및 수직 시계각(normal viewing angle)에서의 OLED를 위해 총 외부 방사 효율을 증가시키기 위한 방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 의해, 이들은 디바이스 기판의 후방에 구형 패턴을제공함으로써, 각각 9.6 및 3.0의 인자 정도 증가되었다. 본 발명의 방법은 기판에 파장을 안내하기 위해 미리 손실된 광, 및 적절한 기판의 선택에 의해 유기/애노드 층에 파장을 안내하기 위해 사전에 손실된 광을 포착한다. 본 발명의 방법에 따라, 통상적인 평면 유리 기판상에 제조된 장치와 비교될 때, 유리 기판들이 사용될 때 OLED에 대해 방사 효율을 적어도 2배로할 수 있고, 높은 굴절률 플라스틱 기판들이 사용될 때 OLED 방사 효율을 적어도 3배로 할 수 있는 표면 텍스처링 수단이 제공된다.It is an object of the present invention to provide an increase in coupling efficiency for OLEDs. For that purpose, a method is provided for increasing the emission intensity of an organic light emitting diode (OLED), and the total external emission efficiency for an OLED at a normal viewing angle. By the method of the present invention, they provided a spherical pattern on the back of the device substrate, thereby increasing the factor of 9.6 and 3.0, respectively. The method of the invention captures previously lost light to guide the wavelength to the substrate, and previously lost light to guide the wavelength to the organic / anode layer by selection of the appropriate substrate. According to the method of the present invention, when compared to devices fabricated on conventional flat glass substrates, it is possible to at least double the radiation efficiency for OLEDs when glass substrates are used, and OLED emission efficiency when high refractive index plastic substrates are used. A surface texturing means is provided that can at least triple three times.

본 발명은 1999년 10월 29일자로 출원되고 "Improvement of Output Coupling Efficiency of Organic Light Emitting Diodes by Backside Substrate Patterning"으로 명칭된 미합중국 가특허출원 제60/162,552호에 관한 것으로, 이것의 혜택을 주장하며, 상기 가특허출원은 동일 양수인에게 양도되고 본문에 참고로 인용되고 있다.The present invention relates to U.S. Provisional Patent Application No. 60 / 162,552, filed October 29, 1999, entitled "Improvement of Output Coupling Efficiency of Organic Light Emitting Diodes by Backside Substrate Patterning". The provisional patent application is assigned to the same assignee and is incorporated herein by reference.

본 발명은 발광장치 분야에 관한 것이며, 보다 상세하게는, 유기 발광 장치(OLEDs) 및 그 발광 효율에 관한것이다.The present invention relates to the field of light emitting devices, and more particularly to organic light emitting devices (OLEDs) and their luminous efficiency.

도1은 평면 OLED의 다양한 광경로에 대한 선도(ray diagrams)를 도시한다.1 shows ray diagrams for various light paths of planar OLEDs.

도2(a) 및 2(b)는 본 발명에 따른 OLED에 대한 발광 효율을 향상시키기 위해 구면 형태의 사용에 관한 개략도를 제공한다.2 (a) and 2 (b) provide schematic diagrams of the use of spherical shapes to improve luminous efficiency for OLEDs according to the present invention.

도3(a)는 평 유리기판에 대해 측정된 원 전계 강도 분포 패턴(far field intensity distribution pattern) 및 람베르티안 방사체(Lambertian emitter)의 기대 프로파일을 도시한다.FIG. 3 (a) shows the far field intensity distribution pattern measured for a flat glass substrate and the expected profile of the Lambertian emitter.

도3(b)는 본 발명에 따라 제공된 구면형태를 사용한, 그리고 사용하지 않은 유리 기판 장치에 대한 실험 결과를 도시한다.Figure 3 (b) shows the results of experiments on glass substrate devices with and without the spherical shape provided according to the present invention.

도3(c)는 평 유리기판 결과와 함께, 본 발명에 따라 제공된 구면형태를 사용한, 그리고 사용하지 않은 PC 기판 장치에 대한 실험결과를 도시한다.Figure 3 (c) shows the results of experiments on PC substrate devices with and without the spherical shape provided according to the present invention, along with the flat glass substrate results.

OLED의 방사 효율을 크게 개선시키기 위한 신규한 수단이 본문에 기술되어있다. 이런 수단을 기술함에 있어, 먼저, 분석 구성물이 본 발명의 방사 효율 개선을 기술하고 그 결과를 선행 기술과 비교하기 위해 사용되는 평가 툴을 제공하기 위해 개발된다. 적절하게 그 분석 구성물을 사용하여, 개선된 OLED 방사 효율을 달성하기 위한 본 발명의 수단이 기술되어 있다. 최종적으로, 본 발명의 개선된 발광 효율 수단을 위한 다수의 실시예들은 발명자들에 의해 구현되고 이런 실시예들이 기술되어 있다.New means for significantly improving the emission efficiency of OLEDs are described in the text. In describing such means, first, an analytical construct is developed to provide an evaluation tool used to describe the radiation efficiency improvement of the present invention and to compare the results with the prior art. Appropriately, using the analytical construct, the means of the present invention for achieving improved OLED emission efficiency are described. Finally, a number of embodiments for the improved luminous efficiency means of the present invention are implemented by the inventors and such embodiments are described.

배경 부분에 기술된 바와 같이, OLED의 결합 효율(ηext)은 OLED 디스플레이에 대한 방사 효율의 결정에서 중요한 인자이다. 각각의 층과 관련된 굴절률을 고려함으로써, OLED에 사용된 층 구조의 형태에 대하여 ηext를 분석하는 것이 수월하다. 그 분석에 대한 서술로서, 도1에 도시된 평면 OLED들에 대한 선도를 고려하여, 기판 층(광선II)에서 그리고 유기/애노드 층(광선III)에서의 광 포획(light trapping)에 의한 손실을 입증한다. 도면의 광선I로 도시된 바와 같이, 충분히 작은 각도로 방사된 광만이 빠져나간다.As described in the background section, the coupling efficiency (η ext ) of OLEDs is an important factor in the determination of emission efficiency for OLED displays. By considering the refractive index associated with each layer, it is easy to analyze η ext for the type of layer structure used in the OLED. As a description of the analysis, taking into account the diagram for the planar OLEDs shown in FIG. 1, the loss due to light trapping in the substrate layer (ray II) and in the organic / anode layer (ray III) Prove it. As shown by the ray I in the figure, only the light emitted at a sufficiently small angle exits.

기판에 대한 굴절률이 유기 층 굴절률 이하이기 때문에(즉, nsubs norg), sin-1(nsubs/norg)로 정의된, 임계각θorg.c2이 얻어질 수 있는데, 여기서, θorg.c2보다 큰 각도로 유기층에 방사된 광은 ITO 및 유기층들내에서 도파(wave-guided)된다. 이런 광 방출 경로가 도1의 광선III으로 도시되어 있다. 유사하게는, nglass nsubs이기때문에, sin-1(nair/norg)로 정의된, 임계값 θorg.c1을 얻을 수 있는데, 여기에서, 도1의 광선 II로 도시되는 바와 같이, θorg.c1이상의 각도로 유기층에 방사된 광은 기판으로 도파된다. 도1의 선I으로 도시되는 θorg.c2이하 각도로 방사되는 광만이 장치로부터 방사되기 때문에, 모든 나머지 도파 광이 효과적으로 손실되어, ηext의 감소를 나타낸다. 광선 광학을 적용하고 θθorg.c1에 대한 1 및 그렇지 않으면 0의 전송 계수, T 및 유기층의 포인트 원으로부터의 등방성 방사를 가정하면, ηext및 ηsubs를 계산할 수 있는데, 후자는 기판에 도파되는 방사광의 비를 나타낸다.Since the refractive index for the substrate is below the organic layer refractive index (ie, n subs n org), sin -1 (n there subs / n org) is a, the critical angle θ org.c2 defined as can be obtained, wherein the organic layer is emitted in an angle greater than θ org.c2 light of ITO and organic layers within the Wave-guided at. This light emission path is shown as ray III of FIG. Similarly, n glass Since n subs , the threshold θ org.c1 , defined as sin −1 (n air / n org ), can be obtained, where an angle of θ org.c1 or more, as shown by ray II of FIG. 1, is obtained. The light emitted to the organic layer is guided to the substrate. Since only light emitted at an angle of θorg.c2 or less, shown by the line I in FIG. 1, is emitted from the device, all remaining waveguided light is effectively lost, indicating a decrease in η ext . Applying ray optics and θ Assuming a transfer coefficient of 1 and otherwise 0 for θ org.c1 , T and isotropic emission from point sources of the organic layer, η ext and η subs can be calculated, the latter representing the ratio of radiated light that is guided to the substrate. .

[엔.씨.그린햄, 알.에이치.프렌드, 및 디.디.씨.브래들리의 "Angular dependence of the emission from a conjugated polymer light-emitting diode: implications for efficiency calculations", Adv. Mat. 6,491(1994)를 참고][Angular dependence of the emission from a conjugated polymer light-emitting diode: implications for efficiency calculations, ”by N. Greenham, R. H. Friend, and D. C. Bradley. Mat. 6,491 (1994)]

더욱이, 동일한 가정하에서, 외부 광도는 이하 식으로 주어지는데,Moreover, under the same assumption, the external brightness is given by

[지.구, 디.제트.가부조브, 피.이.뷔로우스, 에스.벤카테쉬, 및 에스.알.포레스트의 "High-external-quantum-efficiency organic light-emitting devices", Opt. Lett.22, 396(1997)참조]Ji, Gu, D.Jet, Gabouzov, P. B. Virous, S. Benkatesh, and S. R. Forest, "High-external-quantum-efficiency organic light-emitting devices", Opt. Lett. 22, 396 (1997)]

상기 광도는 람베르티안 방사체(Lambertian emitter)의 코사인 광도 프로파일과 유사하다. (상기 식들 및 모델링 모두는 모델을 복잡하게 하지만 방법론의 정성적 효능 및 본문에 기술된 결과를 변경하지는 않는 잘 공지된 미세공동 효과를 무시함을 인지할 수 있다.)The luminous intensity is similar to the cosine luminous intensity profile of the Lambertian emitter. (It can be appreciated that both the above equations and modeling ignore well-known microcavity effects that complicate the model but do not alter the qualitative efficacy of the methodology and the results described in the text.)

θθorg.c1에 대해 T=1인 가정이 단순화를 나타냄을 인지해야 한다. 특히, 그것은 기대 방사 강도 상부의 경계를 나타낸다. 하부 경계(미세공동(microcavity) 효과를 무시)는 각각의 계면에 프레스넬 식(Fresnel Equations)을 적용하여 결정된 T(θ)에 대한 식을 사용한다면, 얻어질 수 있다. 그러나, 단순화가 인접 근사치를 제공하도록 보여질 수 있다. θθorg.c1에 대해 T=1인 경우를 위해 식(1),(2),(3)으로 표시된 인자들의 결정에 있어, 제2 접근(하부 경계)에서 내부 반사된 광 중 어떤 것도 재허용되지 않음이 가정되지만, 이런 각도로 내부로 반사된 모든 광이 점차적으로 방사되는 것이 암암리에 가정된다. 두 경우들에서 Iextff)에 대해 얻어진 결과들은, 람베르티안 방사체에 대해 얻어진 코사인 결과들과 함께, 평면 유리 기판상에 제조된 OLED에 대해 얻어진 실험 결과들 측을 따라 도3a에 도시되어 있다. 두 굴절 모델들 사이의 차이(즉, 모든 반사된 광이 점차적으로 빠져나가는 경우를 나타내는, R=1과 모든 반사된 광이 손실되는 경우를 나타내는 R=0)가 작어서, 어느 하나의 가정을 채용하는 것이 일반적으로 유효하다. T=1 가정 하에서 얻어진 식들이 보다 단순하기 때문에, 이들은 이 설명의 나머지를 위해 사용될 것이다.θ Note that the assumption that T = 1 for θ org.c1 represents a simplification. In particular, it represents the boundary above the expected radiant intensity. The lower boundary (ignoring the microcavity effect) can be obtained by using the equation for T (θ) determined by applying the Fresnel equations to each interface. However, simplification can be seen to provide an adjacent approximation. θ In the determination of the factors represented by equations (1), (2) and (3) for the case of T = 1 for θ org.c1 , re-allow any of the internally reflected light at the second approach (lower boundary) Although not assumed, it is implicitly assumed that all light reflected inwardly at this angle is gradually emitted. The results obtained for I extff ) in both cases are shown in FIG. 3A along the side of the experimental results obtained for the OLED fabricated on the flat glass substrate, along with the cosine results obtained for the Lambertian emitter. have. The difference between the two refraction models (i.e., R = 1, which represents the case where all reflected light is gradually escaped) and R = 0, which represents the case where all the reflected light is lost, is small, so that either assumption It is generally valid to adopt. Since the equations obtained under the T = 1 assumption are simpler, they will be used for the remainder of this description.

1.6 내지 1.8 사이의 유기층에 대한 굴절률의 기대 범위를 위해, 결합 효율, ηext에 대해 상응하는 범위는 저하되는 시스템 효율에서의 결합효율의 중요성(significance)을 나타내는 0.20 내지 0.15 사이일 것인데- 즉 내부로 발생된 광의 80 내지 85 퍼센트 사이가 장치내에 트래핑된다. 외부 결합 효율은 기판 및 유기/ITO 층들에 트래핑된 광을 재지향시키기 위해 OLED 둘레의 유리에 그루브들을 에칭함으로써 1.9±0.2의 지수 만큼 개선되었다[G.Gu등의 id.참고]. 그러나, 이런 방법은 그 자체가, 수동 또는 능동 매트릭스 드라이버들을 위한 금속 라인들 및/또는 회로가 깊은 그루브들을 가로질러야 하는, 장치 어레이들의 제조에 도움을 주지는 않는다. 이런 방법은 미세하게 제어된, 비-수직 프로파일들을 기판에 에칭하는 것을 필요로하여, 제조의 복잡성을 크게 증가시키는 단점을 또한 가진다.For the expected range of refractive indices for the organic layer between 1.6 and 1.8, the corresponding range for the coupling efficiency, η ext , will be between 0.20 and 0.15, indicating the significance of the coupling efficiency in decreasing system efficiency-ie internal Between 80 and 85 percent of the light generated is trapped in the device. External bonding efficiency was improved by an index of 1.9 ± 0.2 by etching grooves in the glass around the OLED to redirect light trapped in the substrate and organic / ITO layers (see G. Gu et al., Id.). However, this method does not, in itself, assist in the fabrication of device arrays in which metal lines and / or circuitry for passive or active matrix drivers must traverse deep grooves. This method also has the disadvantage of requiring etching of finely controlled, non-vertical profiles to the substrate, which greatly increases the complexity of the fabrication.

본 발명의 방법에 따라, 광-포획(light-trapping) 문제에 대한 해결책은 광원의 그 중심을 갖는 구형으로 기판 후면을 패터닝함으로써 제공된다. 대부분의 광은 공기-기판 계면상에 수직으로 충돌하여, 기판으로 도파하기 때문에 광의 손실을 뚜렷하게 감소시킨다. 기판의 그러한 구형 패터닝이 도2에 개략적으로 도시되어 있다.According to the method of the present invention, a solution to the light-trapping problem is provided by patterning the substrate backside into a sphere having its center of light source. Most of the light impinges perpendicularly on the air-substrate interface, thereby guiding it to the substrate, which significantly reduces the loss of light. Such spherical patterning of the substrate is schematically illustrated in FIG.

도면을 참고로, 기판의 후면에 구형을 부착하거나, 또는 도2(a)에 도시된,그러한 구형태로 기판을 성형하는 것은 광선들이 보다 큰 각도로 기판을 빠져나가도록 한다. 외부로 방사되는 광선의 최대 각도는 평면 장치의 θorg.c1으로부터 (도2(a)에 도시된)본 발명의 후면-패턴형 장치의 θmax=tan-1( lens/tsubs)까지 증가된다. θmax가 실질적 패턴에 의해 결정되고 크게 만들어질 수 있는 범위까지, 외부 결합 효율은 ηext=1-cosθmax(식(1)의 적분의 상부 제한치를 변경시켜 도달됨)까지 증가된다. 구형 곡면의 중심이 OLED 위치에 직접 대응되지 않는다면, 광선이 수직 입사로 렌즈/공기 계면(또는 성형된 기판/공기 계면)을 통해 진행되지 않을 것이기 때문에, 어느 누구도 굴절 효과에 기인된 원 전계 패턴(far field pattern)을 더 튜닝할 수 없다. 기판 후면의 평면성을 깨뜨리는 다른 방법들이 또한 더 적은 총 내부 반사 및 버스 증가된 외부 효율을 달성한다.Referring to the figures, attaching a sphere to the backside of the substrate, or shaping the substrate into such a sphere, shown in Figure 2 (a), causes the light rays to exit the substrate at a greater angle. The maximum angle of the outgoing light beam is from θ org.c1 of the planar device θ max = tan −1 (of the back-patterned device of the invention (shown in FIG. 2 (a)) lens / t subs ). To the extent that θ max is determined by a substantial pattern and can be made large, the external coupling efficiency is increased to η ext = 1-cosθ max (which is reached by changing the upper limit of the integral of equation (1)). If the center of the spherical curved surface does not correspond directly to the OLED position, no one will be able to propagate through the lens / air interface (or the molded substrate / air interface) at normal incidence, so that no one can see the source field pattern due to the refractive effect ( far field pattern). Other methods of breaking the planarity of the substrate back side also achieve less total internal reflection and bus increased external efficiency.

출원인들은 이들이 실험결과들을 실현하고 개발한 본 발명을 위한 다수의 실시예들을 이하 보여준다. 이들 실시예들의 구현에 대한 필수의 파라미터들은 이하 표1에 요약되어 있다. 표1에 도시된 3개의 유도된 파라미터들은 도2를 참고로 그것이 가장 잘 이해될 수 있다. 이들 유도된 파라미터들 중 첫번째 것은, 완전히 θorg.c1및 θorg.c2결정하여 또한 ηext및 ηext를 완전히 결정하는 기판 굴절율(nsubs)이며, nsubs는 또한 nair를 nsubs로 교체하여 식(3)으로부터 얻어질 수 있는, 기판 층 내부의 세기 분포 프로파일을 얻을 수 있다.Applicants show below a number of embodiments for the present invention in which they have realized and developed experimental results. Essential parameters for the implementation of these embodiments are summarized in Table 1 below. The three derived parameters shown in Table 1 can be best understood with reference to FIG. The first of these derived parameters is the substrate refractive index (n subs ) which completely determines θ org.c1 and θ org.c2 and also completely determines η ext and η ext , where n subs also replaces n air with n subs To obtain an intensity distribution profile inside the substrate layer, which can be obtained from equation (3).

Isubssubs)는, 기판이 평면일 때, 식(3)이 외부 강도 분포만을 기술하기 때문에 중요하다. 기판이 그 중심에서 장치와 반구를 형성한다면, 예를 들면, Iextff)는 Isubssubs)와 등가일 것이다. 실은, Isubssubs)는 평면 기판의 특정 경우를 제외한 모든 경우들에서 Iextff)를 결정할 시에 직접적인 역할을 수행한다. 계속해서, Isubs상의 nsubs의 효과는, 포인트 Isubssubs)가 유기층에서 초기에 발생된 등방성 강도 분포를 재생하는, nsubs= norg일때까지, nsubs가 증가되는 분포를 집중시킬 것이다.I subssubs ) is important because Equation (3) describes only the external intensity distribution when the substrate is planar. If the substrate forms a hemisphere with the device at its center, for example, I extff ) will be equivalent to I subssubs ). In fact, I subssubs ) plays a direct role in determining I extff ) in all but the specific cases of planar substrates. Subsequently, I Effect of subs n subs on is, to the point I subssubs) is for reproducing the isotropic intensity distribution occurs initially in the organic layer, n subs = n org when, to concentrate the distribution of the n subs increase will be.

유도된 파라미터들 중 두번째 것은, 렌즈(θsubs.max)로 모아진 광의 최대 각도(기판내에서)이다. 이런 파라미터는 식, θsubs.max=tan-1( lens/tsubs)에 의한, 렌즈 반경( lens) 및 총 기판 두께(tsubs)로부터 얻어진다. θsubs.max가 렌즈 없이 기판 외부로 송신되는 모든 광을 포획하기에 충분하다면(즉,θsubs.max>sin-1(nair/nsubs)), θsubs.max보다 큰 각도로 방사된 어떤 광이라도 기판내로 도파되고 손실될 것이다.식(1)을 도출하는 동일한 분석에 따라서, 식은 구형으로 성형된 기판 상에 중심된 OLED에 대한 외부 결합 효율을 위해 θsubs.max에 관한 동일한 가정하에 얻어질 수 있다.The second of the derived parameters is the maximum angle (within the substrate) of light collected by the lens θ subs.max . These parameters are expressed in the formula, θ subs.max = tan -1 ( lens radius (in lens / t subs ) lens ) and the total substrate thickness (t subs ). If θ subs.max is sufficient to capture all the light transmitted out of the substrate without the lens (ie, θ subs.max > sin −1 (n air / n subs )), the radiation is emitted at an angle greater than θ subs.max. Any light will be guided and lost into the substrate. In accordance with the same analysis that leads to equation (1), the equation is subject to the same assumptions about θ subs.max for external coupling efficiency for OLEDs centered on a spherically shaped substrate. Can be obtained.

θsubs.max의 중요성을 설명하기 위하여, θsubs.max= 76˚(즉, lens=4tsubs) 및 nsubs=norg라면, 비결합된 14˚는 기판으로 전송된 광의 24퍼센트를 나타낸다는 것을 고려할 수 있다.In order to explain the importance of subs.max θ, θ = subs.max 76˚ (i.e., If lens = 4t subs ) and n subs = n org , it can be considered that unbonded 14 ° represents 24 percent of the light transmitted to the substrate.

제3 및 마지막 유도된 파라미터들은 렌즈의 곡면 중심으로부터의 장치의 수직 오프셋(doffset)이다. 이런 파라미터는 그것이 원 자계 분포 패턴에 강하게 영향을 미치기 때문에 중요하다. doffset≠0일 때 Iext에 대한 분석식이 당 기술분야에서 용이하게 인지될 수 있다. 이런 쟁점을 위해, OLED가 렌즈로부터 너무 멀리 위치될 때(doffset>0), Iext는 Isubs보다 집중될 것이고, OLED가 렌즈에 너무 근접 위치될 때(doffset<0), Iext는 Isubs보다 덜 집중될 것임을 충분히 나타낸다. 그러나, 오프셋 값들의 넓은 범위를 통해, |doffset|>0이기 때문에, ext상에 음의 감쇄 효과만이 존재한다.The third and final parameter is derived are vertically offset (offset d) of the device from the surface of the lens. This parameter is important because it strongly affects the atomic distribution pattern. The equation for I ext when d offset ≠ 0 can be easily recognized in the art. For this issue, when the OLED is positioned too far from the lens (d offset > 0), I ext will be concentrated than the I subs , and when the OLED is placed too close to the lens (d offset <0), I ext Fully indicate that it will be less concentrated than I subs . However, because over a wide range of offset values, | d offset |> 0, There is only a negative damping effect on ext .

도2(a)의 원-자계 각도, θoff를 규정하기 위해 사용된 광선은, 다이어그램에서, 렌즈의 곡면 중심과 OLED 사이의 오프셋, d가 그것이 명백하게 식별될 수 있도록 논-제로로 도시되지만, d=0인 경우를 위해 도시됨을 인지할 수 있다. 평면 기판에 라미네이팅된 플라스틱 렌즈 어레이로서 구현된 구형 특징은 상세하게 도2(b)에 도시됨을 인지할 수 있다.The ray used to define the circle-magnetic field angle θ off of FIG. 2 (a) is shown in the diagram non-zero so that the offset, d, between the curved center of the lens and the OLED can be clearly identified, It can be appreciated that it is shown for the case of d = 0. It can be appreciated that the spherical features implemented as a plastic lens array laminated to a planar substrate are shown in detail in FIG. 2 (b).

기초 기판면 설계가, 통상적인 LED들을 사용하기 이전에 사용되었음이 인지되었지만, 그 수단은 OLED의 출력 결합의 개선을 위해 미리 적용되지 않았다. 게다가, 그러한 OLED 수단은 LED 적용에 의해 제시되지는 않을 것이다. 약간의 장점들이 배제된 통상적인 LED들의 방사 물질들에서 발견된 극히 높은 굴절률(예를 들면, n > 4)을 OLED로 얻을 수 있음을 또한 인지할 수 있다. 특히, 기판을 성형하는데 더하여 방사 물질의 굴절율에 기판의 굴절율을 매칭함으로써, 장치의 모든 외부 결합 손실을 잠재적으로 제거할 수 있고, 적절한 굴절율 범위(즉, n∼ 1.6-1.8)가 기꺼이 가용하다.Although it was recognized that the base substrate surface design was used before using conventional LEDs, the means were not pre-applied to improve the output coupling of the OLED. In addition, such OLED means will not be presented by LED applications. It can also be appreciated that the extremely high refractive index (eg, n> 4) found in the emissive materials of conventional LEDs, with some advantages excluded, can be obtained with OLEDs. In particular, by matching the refractive index of the substrate to the refractive index of the emissive material in addition to shaping the substrate, it is possible to potentially eliminate all external bond losses of the device, and a suitable refractive index range (i.e., n to 1.6-1.8) is readily available.

발명자들은 이후 더 기술되는 다수의 실시예들에 대해 본 발명의 수단을 구현했다. 이런 다양한 실시예들을 구성하는 OLED들은 유리 및 폴리카보네이트(PC)기판상에 제조되었다. 유리 기판은 제조자에 의해 ITO로 코팅된 Applied Films Co.로부터 구매한 0.7mm 및 1.1mm 두께 소다 석회 유리로 이루어졌다. PC 기판들은 실온에서 150W RF 전력으로 2m Torr 순수 Ar 가스를 갖는 Edwards A306 RF 마그네트론 스퍼터의 그것 상에 배치된 100nm ITO 필름을 가지고, Goodfellows Co.로부터 구매한 175㎛ 두께 시트들로 이루어졌다. 스퍼터 타겟은 3인치 직경의 90% In2O3-10%SnO였다. 증착율(deposition rate)은 33nm/min이었다. OLED들은 단일 폴리-(N-비닐카르바졸) (PVK)/2-(4-바이페닐)-5-(4-테르트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD)/쿠마린6(C6) 층상에 스피닝하고, 100 내지 200nm Mg:Ag 캐소드[Wu]를 증발(evaporating)시킴으로써 제조된다. 유기층의 굴절률은 λ=634nm 및 λ=830nm에서 타원편광반사측정법(ellipsometry)에 의해 1.67로 측정되었다. 통상적인 장치 크기 및 기하학은 직경 1.75mm원으로 이루어졌다.The inventors have implemented the means of the present invention for a number of embodiments which are further described below. OLEDs making up these various embodiments were fabricated on glass and polycarbonate (PC) substrates. The glass substrates consisted of 0.7 mm and 1.1 mm thick soda lime glass purchased from Applied Films Co. coated with ITO by the manufacturer. PC substrates consisted of 175 μm thick sheets purchased from Goodfellows Co. with a 100 nm ITO film disposed on it of an Edwards A306 RF magnetron sputter with 2 m Torr pure Ar gas at 150 W RF power at room temperature. The sputter target was 90% In 2 O 3 -10% SnO of 3 inches in diameter. The deposition rate was 33 nm / min. OLEDs are single poly- (N-vinylcarbazole) (PVK) / 2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) / It is prepared by spinning on a coumarin 6 (C6) layer and evaporating 100-200 nm Mg: Ag cathode [Wu]. The refractive index of the organic layer was measured to be 1.67 by ellipsometry at λ = 634 nm and λ = 830 nm. Typical device sizes and geometries consisted of 1.75 mm diameter circles.

실험들은 표1의 시험1 내지 6으로 지시되는 6개의 상이한 기판 구조로 이행된다. 기판 셋업(모든 관련 파라미터들이 식별되는)의 도면이 도2(a)에 도시되어 있다.The experiments were carried out with six different substrate structures, indicated in Tests 1-6 of Table 1. A diagram of the substrate setup (where all relevant parameters are identified) is shown in Figure 2 (a).

시험 기판재료 렌즈재료 Rlens(mm) plens(mm) tsubs(mm) θmaxd(mm) Inormal/I0F/F0±0.1 ±0.1Test substrate material Lens material R lens (mm) p lens (mm) t subs (mm) θ max d (mm) I normal / I 0 F / F 0 ± 0.1 ± 0.1 1 유리(n=1.51) N/A N/A N/A 0.7 N/A N/A 1.0 1.02 유리(n=1.51) 유리(n=1.51) 3.4 3.4 0.7 78˚ +1.0 3.6 2.03 유리(n=1.51) 유리(n=1.51) 3.4 3.4 2.0 60˚ +2.3 9.5 1.64 유리(n=1.51) 실리콘(n=1.41) 2.7 2.4 1.9 51˚ +0.6 2.1 1.65 PC(n=1.61) N/A N/A N/A 1.0 N/A N/A 1.0 1.06 PC(n=1.61) 에폭시(n=1.60) 2.7 2.4 1.0 67˚ -0.3 1.6 3.01 Glass (n = 1.51) N / AN / AN / A 0.7 N / AN / A 1.0 1.02 Glass (n = 1.51) Glass (n = 1.51) 3.4 3.4 0.7 78 ° +1.0 3.6 2.03 Glass (n = 1.51) Glass (n = 1.51) 3.4 3.4 2.0 60˚ +2.3 9.5 1.64 Glass (n = 1.51) Silicon (n = 1.41) 2.7 2.4 1.9 51˚ +0.6 2.1 1.65 PC (n = 1.61) N / AN / AN / A 1.0 N / AN / A 1.0 1.06 PC (n = 1.61) Epoxy (n = 1.60) 2.7 2.4 1.0 67˚ -0.3 1.6 3.0

다른 외부 결합 실험들을 위한 기판 및 렌즈 파라미터들(도2a에 정의된). Inormal/I0및 F/F0는 동일한 기판 재료의 평면 기판들 상에 제조된 동일한 장치들에 대해 얻어진 결과들에 대한 수직 방사 강도 및 총 방사 강도의 각각의 비를 나타낸다. 총 방사강도 측정치는 모서리 방사를 포함하지 않는다.Substrate and lens parameters (defined in FIG. 2A) for other external coupling experiments. I normal / I 0 and F / F 0 represent the respective ratios of the vertical and total radiation intensities to the results obtained for the same devices fabricated on planar substrates of the same substrate material. Total radiation intensity measurements do not include edge radiation.

시험1에서는, 비수정된 평면 유리 기판들이 사용되었다. 시험2 및 시험3에서는, 에드먼드 사이언티픽 코포레이션(Edmund Scientific Co.)으로부터 구매한 유리 콘덴서 렌즈가 부착된 유리 기판들이 사용되었다. 시험 4에서는, 성형 실리콘 렌즈가 부착된 유리 기판들이 사용되었다. 후자의 3가지 시험에 있어서는, 렌즈들이 FIS CO.로부터 구매한 굴절률 매칭 겔(index matching gel)을 사용하여 기판에 부착되었다. 필요한 경우에, 기판 두께가 동일한 굴절률 매칭 겔을 사용하여 여분의 유리 슬라이드들 상에 접착(gluing)함으로써 증가되었다. 실리콘 렌즈들은 GE RTV615 실리콘(n=1.405)을 사용하여 볼-밀링된 오목부(ball-milled indentations)를 갖는 테플론 블록에 성형되었다. 시험 5 및 6에서, PC 기판들이 사용되었다. 시험6에서는 성형된 에폭시 렌즈들이 PC 기판에 부착되었지만, 시험5에서는, 표준 평면 기판이 채용되었다. 에폭시 렌즈들은 마스터 본드(Master Bond) EP42HT 2-성분 에폭시(n=1.61)를 가지고 상기된 것과 동일한 금형을 사용하여 제조되었다. 렌즈들은 비경화된 에폭시를 가지고 기판에 접착되었다. 각각의 시험에 대해서, 원 전계강도 패턴이 0˚(수직)와 90˚ 사이에서 6˚증가된 장치로부터 10cm떨어진 거리의 넓은 영역(1cm 직경) Si 광검출기를 사용하여 측정되었다.In test 1, unmodified flat glass substrates were used. In trials 2 and 3, glass substrates with glass condenser lenses purchased from Edmund Scientific Co. were used. In test 4, glass substrates with molded silicon lenses were used. In the latter three tests, lenses were attached to the substrate using an index matching gel purchased from FIS CO. If necessary, the substrate thickness was increased by gluing on the extra glass slides using the same refractive index matching gel. Silicon lenses were molded into Teflon blocks with ball-milled indentations using GE RTV615 silicon (n = 1.405). In tests 5 and 6, PC substrates were used. In test 6 molded epoxy lenses were attached to the PC substrate, but in test 5, a standard flat substrate was employed. Epoxy lenses were made using the same mold as described above with Master Bond EP42HT two-component epoxy (n = 1.61). The lenses were bonded to the substrate with an uncured epoxy. For each test, the field strength pattern was measured using a wide area (1 cm diameter) Si photodetector at a distance of 10 cm from the device with a 6 ° increase between 0 ° (vertical) and 90 °.

상기되고 도2(a)에 도시된 3개의 유도 파라미터들-기판 굴절률(nsubs), 렌즈로 모아진 광의 최대각(θsubs.max), 및 렌즈의 곡면 중심으로부터의 장치의 수직 오프셋(doffset)-은 모두 총 방사 플럭스 및 그 실험의 외부 세기 분포를 결정할 시에 중요한 역할을 한다. 고려중인 이런 파라미터들을 사용하여, 실험 결과들을 평가하는 것은 간단한 문제이다. 각각의 시험에서 측정된 수직 및 총 방사된 플럭스는표1에 나열되어 있다. 각각의 시험에 대해 각각의 각도로 측정된 방사 플럭스의 도면은 도3b 및 3c에 제공된다. 총 방사된 플럭스 결과들이 초기에 제시된다.Vertical offset of the substrate refractive index (n subs), up to the light unit from the center of each curved surface (θ subs.max), and the combined lens in the lens (d offset - and the FIG. 2 (a) the three derived parameters shown in )-All play an important role in determining the total radiant flux and the external intensity distribution of the experiment. Using these parameters under consideration, it is a simple matter to evaluate the experimental results. The vertical and total radiated fluxes measured for each test are listed in Table 1. A plot of the radiant flux measured at each angle for each test is provided in Figures 3B and 3C. Total radiated flux results are initially presented.

유리 기판들을 사용한 시험들(시험2-4)에 있어서, 총 방사된 플럭스는 1.6과 2.0±0.1 사이의 인자만큼 증가되었다. 이런 결과들은 시험3에서, 큰 doffset이 렌즈의 유효성을 약간 감소시킬 것으로 예상됨이 인지되는, 식(5) 및 (1)로부터 얻어진 분석 값들과 일치된다. (θsubs,max sin-1(nsilicone/nsubs)이기 때문에, 실리콘의 낮은 지수가 결과들에 큰 영향을 미치지 못한다.) PC 기판 및 에폭시 렌즈(실험(6))를 사용한 실험에 있어서, 총 방사된 플럭스는, 식(5) 및 (1)을 사용하여 얻어진 분석 값들과 다시 일치되는 평면 PC 기판 케이스(실험5) 이상의 3.0±0.1의 인자정도 증가되었다. 식(1)이 PC 및 유리 기판들을 위한 평면 케이스가 동일한 것으로 가정하면, 두 개 케이스(실험1 및 실험5)들이 실질적으로 실험의 실험 불확실성내에서 효과적으로 동일함이 도3c에서 관측될 수 있음이 인지된다. 이것은 PC기판들에 대해 얻어진 결과들과 유리 기판에 대해 얻어진 결과들을 비교하기 위해 실험 조정(justification)을 제공한다.In tests using glass substrates (test 2-4), the total radiated flux was increased by a factor between 1.6 and 2.0 ± 0.1. These results are consistent with the analytical values obtained from Eqs. (5) and (1), in which test 3 recognizes that a large d offset is expected to slightly reduce the effectiveness of the lens. (θ subs, max Since sin -1 (n silicone / n subs ), the low exponent of silicon does not have a significant effect on the results. For experiments using a PC substrate and an epoxy lens (Experiment (6)), the total radiated flux is , A factor of 3.0 ± 0.1 over the flat PC substrate case (Experiment 5), which is again in agreement with the analytical values obtained using equations (5) and (1), was increased. If Equation (1) assumes that the flat cases for PC and glass substrates are the same, it can be observed in FIG. 3C that the two cases (Experiments 1 and 5) are effectively identical substantially within the experimental uncertainty of the experiment. It is recognized. This provides experimental justification to compare the results obtained for the PC substrates with the results obtained for the glass substrate.

방사된 플럭스 분포 결과가 이제 기술된다. 모든 결과에 있어, 정상 방사된 플럭스를 doffset에 대한 값과 상관시킬 수 있다. 시험3은 하나의 극값:doffset= 2.3mm 및 Inormal/Io=9.5를 나타낸다. 시험6은 다른 극값:doffset= -0.3mm 및 Inormal/Io=1.6을 나타낸다. 상이한 기판 및 렌즈 물질들이 각각의 시험에 사용되었기 때문에, Inormal의 값은 doffset에 의해 단독으로 결정되지 않지만; 그러나, Iext에 대한 분석식 및 결과가 수직 6˚원뿔에 대해, doffset이 우세 변수이다. 도3b 및 3c에 있어서, 완전 방사된 세기 분포 결과가 제공된다. 이런 결과들은 doffset를 증가시키는 집중 효과를 다시 입증한다. 게다가, 시험6으로부터의 결과들은 높은 지수 기판을 갖는 렌즈를 사용하여 유기층에서 발생된 등방성 세기 분포를 재생시에 어떻게 효과적인지-방사된 플럭스는 이 시험에서 0˚에서 72˚까지 효과적으로 일정하게 유지됨-를 입증한다.The radiated flux distribution result is now described. For all results, the normal radiated flux can be correlated with the value for d offset . Test 3 exhibits one extreme: d offset = 2.3 mm and I normal / I o = 9.5. Test 6 shows different extremes: d offset = -0.3 mm and I normal / I o = 1.6. Since different substrate and lens materials were used in each test, the value of I normal is not determined solely by d offset ; However, for the equation and results for I ext , for a vertical 6 ° cone, d offset is the dominant variable. In Figures 3b and 3c, the results of the fully radiated intensity distribution are provided. These results again demonstrate the effect of increasing d offset . In addition, the results from Test 6 show how effective the regeneration of the isotropic intensity distribution generated in the organic layer using a lens with a high index substrate—the radiated flux effectively remains constant from 0 ° to 72 ° in this test. Prove it.

도3(a) 및 3(b)에 있어, 평면 유리 기판(시험1)에 대한 데이터와 상기 상이한 굴절 모델들 사이에서 본질적으로 완벽한 상관관계를 볼 수 있다. 더욱이, 데이터는 이 명세서에서 제공된 굴절 모델들의 유효성을 더 강화시키는, 람베르티안 분포 결과로부터 크게 이탈된다.In Figures 3 (a) and 3 (b), an essentially perfect correlation can be seen between the data for the planar glass substrate (test 1) and the different refractive models. Moreover, the data deviate significantly from Lambertian distribution results, which further enhances the effectiveness of the refractive models provided herein.

본 발명에 상세히 기술되는 바와 같이, 상기 설명은 그 범위 및 사상을 제한하도록 의도되지 않음이 이해되어야 한다. 본 발명에 의해 보호되어야 할 것이 첨부된 청구항들에 기재되어 있다.As described in detail in the present invention, it should be understood that the above description is not intended to limit the scope and spirit thereof. What should be protected by the invention is set forth in the appended claims.

Claims (20)

발광장치에 있어서,In the light emitting device, 제1표면 및 제2표면을 가지는 투명 기판;A transparent substrate having a first surface and a second surface; 상기 기판의 상기 제1표면상에 배치된 도전성 투명층;A conductive transparent layer disposed on the first surface of the substrate; 상기 도전성 산화층상에 배치된 유기층; 및An organic layer disposed on the conductive oxide layer; And 상기 유기층상에 배치된 상부 접촉부;를 포함하며,And an upper contact disposed on the organic layer. 상기 기판의 상기 제2표면의 윤곽은 비 평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 발광장치.And the contour of the second surface of the substrate is non-planar. 제1항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 발광장치.The light emitting device of claim 1, wherein the non-planar shape is spherical. 제1항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 상기 기판 표면을 성형함으로써 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 발광장치.2. A light emitting device according to claim 1, wherein said second surface contour makes a non-planar shape by shaping said substrate surface. 제1항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 비-평면 제2표면을 가지는 제2투명 층의 제1표면을 상기 기판의 상기 제2표면에 라미네이팅함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 1, wherein the second surface contour is non-planar by laminating a first surface of a second transparent layer having a non-planar second surface to the second surface of the substrate. Light emitting device. 투명 기판의 제1표면상에 배치되는 유기 발광 다이오드(OLED)에 대한 광 방사율을 증가시키기 위한 방법에 있어서,A method for increasing light emissivity for an organic light emitting diode (OLED) disposed on a first surface of a transparent substrate, 상기 기판의 제2표면이 비-평면 형을 취하게 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.Causing the second surface of the substrate to take a non-planar shape. 제5항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the non-planar shape is spherical. 제5항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 상기 기판 표면을 성형함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the second surface contour forms a non-planar shape by shaping the substrate surface. 제5항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 비-평면 제2표면을 가지는 제2 투명층의 제1표면을 상기 기판의 상기 제2표면에 라미네이팅함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the second surface contour is non-planar by laminating a first surface of a second transparent layer having a non-planar second surface to the second surface of the substrate. How to. 발광장치를 구성하기 위한 방법에 있어서,In the method for constructing a light emitting device, 제1 및 제2 표면을 가지는 투명 기판을 제공하는 단계;Providing a transparent substrate having a first and a second surface; 상기 기판의 상기 제1표면상에 도전성 투명층을 배치시키는 단계;Disposing a conductive transparent layer on the first surface of the substrate; 상기 도전성 투명층상에 OLED층을 배치시키는 단계; 및Disposing an OLED layer on the conductive transparent layer; And 상기 기판의 상기 제2표면의 윤곽이 비-평면 형을 취하게 하는 단계;Causing the contour of the second surface of the substrate to take a non-planar shape; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.Method comprising a. 제9항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9, wherein the non-planar shape is spherical. 제9항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 상기 기판 표면을 성형함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9, wherein the second surface contour forms a non-planar shape by shaping the substrate surface. 제9항에 있어서, 상기 제2표면 윤곽은 비-평면 제2표면을 가지는 제2 투명층의 제1표면을 상기 기판의 상기 제2표면에 라미네이팅함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.10. The method of claim 9, wherein the second surface contour is non-planar by laminating a first surface of a second transparent layer having a non-planar second surface to the second surface of the substrate. How to. 발광장치에 있어서,In the light emitting device, 제1표면 및 제2표면을 가지는 투명 기판; 및A transparent substrate having a first surface and a second surface; And 상기 기판의 상기 제1표면상에 배치된 OLED 층;을 포함하고,An OLED layer disposed on the first surface of the substrate; 상기 기판의 상기 제2표면은 비-평면 형에 대해 성형되는 것을 특징으로 하는 발광장치.And the second surface of the substrate is shaped for a non-planar shape. 제13항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 발광장치.The light emitting device of claim 13, wherein the non-planar shape is spherical. 발광 장치에 있어서,In the light emitting device, 제1표면 및 제2표면을 가지는 투명 기판; 및A transparent substrate having a first surface and a second surface; And 상기 기판의 상기 제1표면상에 배치된 OLED층;을 포함하고,An OLED layer disposed on the first surface of the substrate; 상기 제2표면의 윤곽은 비-평면 제2표면을 가지는 제2투명 층의 제1표면을 상기 기판의 상기 제2표면에 라미네이팅함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 발광장치.And the contour of the second surface is non-planar by laminating the first surface of the second transparent layer having the non-planar second surface to the second surface of the substrate. 제15항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 발광장치.16. The light emitting device according to claim 15, wherein the non-planar shape is spherical. 투명 기판의 제1표면상에 배치된 적어도 두 개의 OLED들을 포함하는 발광 장치의 광 방사율을 증가시키기 위한 방법에 있어서,A method for increasing light emissivity of a light emitting device comprising at least two OLEDs disposed on a first surface of a transparent substrate, 상기 기판의 제2표면의 선택된 부분들의 윤곽이 비-평면 형을 취하게 하는 단계;를 포함하되,Including contouring of selected portions of the second surface of the substrate to take a non-planar shape; 상기 선택된 부분들은 상기 적어도 두개의 OLED들 중 하나로부터 출력된 광과 광학 정렬되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.And wherein said selected portions are selected to be optically aligned with light output from one of said at least two OLEDs. 제17항에 있어서, 상기 비-평면 형은 구형인 것을 특징으로 하는 방법.18. The method of claim 17, wherein the non-planar shape is spherical. 제17항에 있어서, 상기 선택된 제2표면 윤곽들은 상기 기판 표면을 성형함으로써, 비-평면 형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.18. The method of claim 17, wherein the selected second surface contours form a non-planar shape by shaping the substrate surface. 제17항에 있어서, 상기 선택된 제2표면 윤곽들은 비-평면 제2표면을 가지는 제2투명 층의 제1표면을 상기 기판의 상기 제2표면에 라미네이팅함으로써, 비-평면형을 취하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.18. The method of claim 17, wherein the selected second surface contours take a non-planar shape by laminating a first surface of a second transparent layer having a non-planar second surface to the second surface of the substrate. How to.
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