KR20020057751A - 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법 - Google Patents
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Abstract
다수매의 웨이퍼가 적재된 튜브를 포함하는 장치를 사용하는 산화막의 형성 방법이 개시되어 있다. 웨이퍼가 적재된 보트가 튜브 내부로 이송된다. 상기 튜브에 질소 가스가 제공되고, 일정 온도 상태가 유지된다. 이어서, 산소 가스가 제공된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면에 제1산화막이 형성된다. 상기 튜브를 상승 온도로 형성한 다음 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지한다. 이어서, 상기 산소 가스가 제공된다. 이에 따라 제2산화막이 형성된다. 그리고 상기산소 가스 및 염화수소 가스가 제공된다. 이에 따라, 제3산화막이 형성된다. 열처리를 수행한 다음 상승 온도를 하강시키고, 상기 하강에 의한 하강 온도 상태를 유지한다. 그리고, 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송시킨다. 따라서, 열산화에 의한 산화막이 형성되는데, 상기 산화막은 균일한 두께 분포를 갖는다.
Description
본 발명은 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법으로서, 보다 상세하게는 다수매의 웨이퍼가 적재된 튜브(tube)를 포함하는 장치를 사용하는 산화막의 형성 방법에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다.
상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 가공 기술 중에서 절연막 또는 금속막 등과 같은 막 형성을 위한 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다. 이러한 가공 기술 중에서 산화막에 대한 가공 기술은 상기 반도체 장치의 제조에 있어 근간을 구축하고 있다.
상기 산화막은 금속 배선의 전기적 절연 또는 표면 보호 등을 위한 절연막으로서, 자연 산화, 열산화 및 화학기상증착(CVD) 등을 통하여 형성할 수 있다. 이들 중에서 상기 열산화를 이용한 산화막은 주로 퍼니스(furnace)를 사용하여 형성한다.
상기 퍼니스를 사용하여 산화막을 형성하는 일 예는 아이데(Ide)에게 허여된 미합중국 특허 제5,603,772호에 개시되어 있다.
상기 퍼니스는 열을 제공받고, 산소 가스를 제공받고, 온도의 상승 및 하강을 통하여 웨이퍼 상에 산화막을 형성하는 튜브를 포함한다. 그리고, 상기 튜브에는 다수매의 웨이퍼가 적재되는 보트(boat)가 이송되는 구성을 갖는다. 이에 따라, 상기 보트에 적재된 웨이퍼가 튜브로 이송되고, 상기 튜브에서 제공하는 공정 조건에 의하여 상기 웨이퍼 상에 산화막이 형성된다.
상기 튜브에서 진행되는 산화막의 형성을 위한 공정은 다음과 같다. 다수매의 웨이퍼가 적재된 보트를 튜브 내부로 이송하고, 상기 튜브 내의 온도 상태를 일정하게 유지하여 상기 튜브 내의 온도를 균일하게 유지한 다음 상기 산화막의 형성을 위한 온도로 상승시킨다. 그리고, 상기 상승시킨 온도를 일정하게 유지한 다음 웨이퍼 상에 산화막을 형성한다. 이어서, 계면 특성의 향상을 위한 열처리를 수행하고, 상기 튜브 내의 온도를 하강시킨다. 그리고, 상기 하강시킨 온도를 일정하게 유지한 다음 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송한다.
상기 열산화를 이용하여 상기 산화막을 형성할 때, 상기 산화막을 평가하는 항목 중의 하나가 상기 산화막이 상기 웨이퍼 상에 균일하게 형성되었는가를 판단하는 균일도(uniformity)이다. 상기 산화막의 균일도가 불량할 경우 후속되는 패턴 형성 공정 등에 악영향을 끼칠 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극을 구성하는 산화막의 균일도가 불량할 경우 문턱 전압(threshold voltage) 및 항복 전압(breakdown voltage) 등의 산포가 커지는 원인을 제공한다.
상기 산화막을 형성할 때, 상기 균일도에 영향을 끼치는 요소로는 튜브 내에 제공되는 가스의 종류 및 유량, 상기 튜브 내의 압력 그리고 상기 튜브 내의 온도 등이 있다.
그러나, 종래의 상기 산화막을 형성하는 공정에서 상기 튜브 내의 온도 상태를 일정하게 유지할 때 온도 편차의 제어가 용이하게 이루어지지 않는다. 때문에, 상기 온도 편차로 인하여 상기 산화막이 균일하게 형성되지 않는다. 그리고, 상기 튜브 내에 질소 가스와 산소 가스를 동시에 제공함으로서 원하지 않는 산화막이 형성된다. 때문에, 상기 산화막이 형성되는 두께의 산포가 적절하게 제어되지 않아불균일한 산화막이 형성되는 원인을 제공한다.
따라서, 상기 산화막을 형성할 때, 온도 편차 또는 가스 등의 공정 조건으로 인하여 상기 산화막의 균일도를 용이하게 제어하지 못한다. 때문에, 상기 균일도가 불량한 산화막이 형성되고, 후속되는 공정에서 불량의 원인을 제공한다. 이로 인하여 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 저하되는 문제점이 초래된다.
본 발명의 목적은, 열산화에 의한 산화막을 형성할 때 웨이퍼 상에 균일한 산화막을 형성하기 위한 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 튜브 12 : 보트
14 : 히터 16 : 가스 제공부
W : 웨이퍼
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법은, 다수매의 웨이퍼가 적재된 보트를 질소 가스가 제공되고, 일정 온도를 유지하는 튜브 내부로 이송하는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 일정 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 일정 온도로 균일하게 형성하는 단계와, 상기 튜브에 산소 가스를 제공하여 상기 웨이퍼 표면에 제1산화막을 형성시키는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 제공하고, 상기 튜브의 상기 일정 온도를 상승시켜 상기 튜브를 상승 온도로 형성하는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 상승 온도로 균일하게 형성하는 단계와, 상기 튜브에 상기 산소 가스를 제공하여 상기 제1산화막 표면에 제2산화막을 형성시키는 단계와, 상기 튜브에 산소 가스 및 염화수소 가스를 제공하여 상기 제2산화막 표면에 제3산화막을 형성시키는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 제공하고, 상기 웨이퍼에 열처리를 수행하여 상기 웨이퍼와 상기 제1, 2 및 3산화막 사이의 계면 특성을 강화시키는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도를 하강시켜 상기 튜브를 하강 온도로 형성하는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 하강 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 하강 온도로 균일하게 형성하는 단계와, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송시키는 단계를 포함한다.
상기 다수매의 웨이퍼가 적재된 보트를 질소 가스가 제공되고, 일정 온도를 유지하는 튜브 내부로 이송하는 단계에서는 상기 일정 온도는 600 내지 700℃ 이고, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 일정 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 일정 온도로 균일하게 형성하는 단계에서는 상기 일정 온도상태를 600 내지 1,200초 동안 유지하여 상기 튜브 전체를 600 내지 700℃의 온도로 균일하게 형성함으로서, 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화한다.
상기 튜브에 상기 질소 가스를 제공하고, 상기 튜브의 상기 일정 온도를 상승시켜 상기 튜브를 상승 온도로 형성하는 단계에서는 상기 질소 가스를 10 내지 30slm으로 제공하여 상기 튜브를 850 내지 950℃의 온도로 상승시키고, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 상승 온도로 균일하게 형성하는 단계에서는 상기 상승 온도는 850 내지 950℃이고 600 내지 1,500초 동안 유지하여 상기 튜브 전체를 상기 상승 온도로 균일하게 형성함으로서, 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화한다.
상기 튜브에 산소 가스 및 염화수소 가스를 제공하여 상기 제2산화막 표면에 제3산화막을 형성시키는 단계에서는 상기 산소 가스 및 염화수소 가스를 1 : 0.01 내지 0.04의 비율로 제공하는데, 상기 산소 가스는 5 내지 15slm으로 제공되고, 상기 염화수소 가스는 0.05 내지 0.6slm으로 제공함으로서, 상기 웨이퍼 상에 균일한 두께 분포를 갖는 산화막이 형성된다.
상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도를 하강시켜 상기 튜브를 상기 하강 온도로 형성하는 단계에서는 상기 질소 가스를 15 내지 30slm으로 제공하고, 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 하강 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 하강 온도로 균일하게 형성하는 단계에서는 600 내지 700℃로 하강시킨 온도 상태를 유지하여 상기 튜브 전체를 600 내지 700℃의 온도로 균일하게 형성함으로서, 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화한다.
이와 같이, 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화함으로서, 상기 튜브 내의 온도 분포가 균일하게 유지된다. 때문에, 균일도가 양호한 산화막을 형성할 수 있다. 그리고, 상기 튜브 내에 제공되는 가스로 인하여 불필요한 산화막의 형성을 최소화할 수 있다. 때문에 균일도가 양호한 산화막을 형성할 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 1를 참조하면, 도시된 장치는 열산화에 의한 산화막을 형성하는 퍼니스를 나타낸다. 상기 퍼니스는 열을 제공하여 온도 조절이 가능한 튜브(10)를 포함한다. 상기 열은 상기 튜브(10)의 외측에 설치되는 히터(heater)(14)에 의하여 제공된다. 상기 히터(14)는 니크롬선 등을 포함하는 구성을 갖는다.
그리고, 상기 산화막을 형성하기 위한 웨이퍼(W)는 보트(12)에 적재되고, 상기 보트(12)에 적재된 상태로 상기 튜브(10) 내부로 이송되는 구성을 갖는다.
상기 튜브(10)의 외부 일측에는 상기 튜브(10)와 연결되고, 상기 산화막을 형성할 때 상기 튜브(10) 내에 가스를 제공하는 가스 공급부(16)가 설치된다. 상기 가스 공급부(16)는 산소 가스, 질소 가스 및 염화수소 가스등을 제공하는 각각의 제공 소스를 포함한다.
이에 따라, 다수매의 웨이퍼(W)를 상기 보트(12)에 적재한 다음, 상기 보트(12)를 상기 튜브(10) 내부에 이송하고, 설정된 온도 조건, 가스 조건 등으로 공정을 수행한다. 따라서, 상기 보트(12)에 적재된 다수매의 웨이퍼(W) 상에 열산화에 의한 산화막이 형성된다.
상기 튜브(10)를 포함하는 장치를 사용하여 상기 열산화에 의한 산화막을 형성하는 방법은 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 다수매의 웨이퍼를 보트에 적재시킨 다음 상기 보트를 튜브 내로 이송한다.(S1 단계) 상기 튜브에 질소 가스가 제공되고, 상기 튜브 내부는 650℃의 온도를 유지한다. 이때, 상기 튜브에 질소 가스를 제공함으로서 상기 웨이퍼 표면이 산화되는 것을 방지한다.
상기 튜브에 질소 가스를 계속적으로 제공한다.(S2 단계) 이때, 상기 650℃의 튜브 내부 온도를 900초 동안 유지시킨다. 상기 온도는 열산화를 형성할 때 제공되는 초기 온도로서, 상기 온도 대역을 벗어날 경우에는 상기 웨이퍼 상에 형성되는 산화막이 균열되는 원인을 제공한다. 그리고, 상기 온도를 유지하는 시간은 온도 편차를 최소화하기 위한 최적의 시간으로서, 상기 시간 보다 짧은 시간 동안 공정을 수행할 경우에는 온도 편차의 최소화를 도모하지 못할 것이고, 상기 시간 보다 긴 시간 동안 공정을 수행할 경우에는 생산성에 영향을 끼칠 수 있다. 이에 따라, 상기 질소 가스의 제공 및 상기 900초 동안 이루어지는 온도 유지로 인하여 상기 튜브 내부의 온도 편차가 최소화된다. 상기 튜브 내부의 온도 편차를 최소화함으로서 상기 온도 편차로 인한 웨이퍼 표면의 산화를 방지할 수 있다.
이와 같이, 상기 튜브 내의 온도 분포를 균일하게 유지한 다음 상기 튜브 내부에 산소 가스를 제공한다.(S3 단계) 상기 산소 가스는 10slm으로, 450초 동안 제공된다. 이에 따라 상기 웨이퍼 표면은 산화되고, 상기 산화로 인하여 제1 산화막이 형성된다. 상기 제1 산화막을 형성할 때 산소 가스만을 제공함으로서 상기 제1산화막은 균일한 두께로 형성된다. 실제로, 질소 가스와 산소 가스를 혼합한 혼합 가스를 제공할 때와 상기 산소 가스를 제공할 때를 비교해 본 결과, 상기 산소 가스를 제공할 때 산화막이 균일하게 형성되는 것을 확인할 수 있었다.
상기 제1 산화막을 형성한 다음 본격적인 산화막의 형성을 위하여 상기 튜브 내의 온도를 일정하게 상승시켜 상기 튜브 내의 온도를 상승 온도로 형성한다.(S4 단계) 이때, 상기 튜브 내의 온도는 900℃로 상승시키고, 20slm의 질소 가스를 제공한다. 상기 온도는 히터를 제어하여 상승시키고, 상기 튜브 내의 온도를 상승시킬 때 질소 가스만을 제공하는 것은 상기 튜브 내의 온도를 상승시킬 때 상기 웨이퍼 표면이 산화되어 산화막이 형성되는 것을 방지하기 위함이다. 상기 튜브 내의 온도를 상승시킬 때 상기 웨이퍼 상에 산화막이 형성되면 상기 산화막의 두께 산포가 나빠지기 때문이다.
이어서, 상기 튜브 내의 온도를 상승시킨 다음 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지한다.(S5 단계) 이때, 상기 온도 상태는 1,000초 동안 900℃로 유지되고, 상기 질소 가스가 계속적으로 제공된다. 이에 따라, 상기 튜브 내의 전체 부위의 온도가 900℃를 유지하게 된다. 상기 상승 온도 상태의 유지는 상기 튜브 내의 온도를 상승시킴으로서 발생하는 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화하기 위함이다. 그리고, 상기 온도 상태를 유지하는 시간은 상기 온도 편차를 최소화하기 위한 최적의 시간으로서, 상기 시간 보다 짧은 시간 동안 온도 상태를 유지할 경우에는 온도 편차의 최소화를 도모하지 못할 것이고, 상기 시간 보다 긴 시간 동안 온도 상태를 유지할 경우에는 생산성에 영향을 끼칠 수 있다. 이와 같이, 상기 질소 가스의 제공 및 상기 1,000초 동안 이루어지는 온도 상태의 유지로 인하여 상기 튜브 내부의 온도 편차가 최소화된다. 상기 튜브 내의 온도 편차를 최소화하고, 계속적으로 질소 가스를 제공함으로서 상기 온도 편차로 인한 웨이퍼 표면의 산화를 방지할 수 있다.
상기 온도 상태를 유지한 다음 상기 튜브 내에 산소 가스를 제공한다.(S6 단계) 이때, 상기 산소 가스는 15slm이 제공된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면이 산화되고, 상기 웨이퍼 상에 제2 산화막이 형성된다. 구체적으로, 이전에 형성한 상기 제1 산화막 상에 상기 제2 산화막이 형성된다. 상기 제2 산화막은 이후에 수행되는 공정에서 완충 기능을 수행한다. 그리고, 상기 제2 산화막을 형성할 때 산소 가스 및 질소 가스를 혼합하는 혼합 가스를 사용할 수 있다. 이때, 상기 산소 가스는 15slm이, 상기 질소 가스는 20slm이 제공된다.
이어서, 상기 튜브 내에 산소 가스 및 염화수소 가스를 제공한다.(S7 단계) 이때, 상기 산소 가스는 10slm이, 상기 염화수소 가스는 0.3slm이 제공된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 표면이 산화되고, 상기 웨이퍼 상에 제3 산화막이 형성된다. 구체적으로, 이전에 형성한 상기 제2 산화막 상에 상기 제3 산화막이 형성된다. 상기 제3 산화막을 형성할 때 제공되는 상기 염화수소 가스는 상기 웨이퍼 표면을 손상시킬 수 있으나, 상기 제2 산화막에 의해 상기 염화수소 가스로 인한 손상을 방어한다. 때문에, 상기 제3 산화막을 형성하기 이전에 상기 제2 산화막을 형성하는 것이다.
그리고, 상기 제3 산화막을 형성함으로서, 상기 웨이퍼 상에는 상기 제1 산화막, 제2 산화막 및 제3 산화막으로 구성되는 산화막이 형성된다.
상기 산화막을 형성한 다음 상기 웨이퍼의 열처리를 수행한다.(S8 단계) 이때, 상기 튜브 내에는 20slm의 질소 가스가 제공된다. 이에 따라, 상기 열처리를 통하여 상기 제1, 2 및 3 산화막으로 구성되는 산화막과 상기 웨이퍼 사이의 게면 특성이 강화된다.
상기 열처리를 수행한 다음 상기 튜브 내의 온도를 일정하게 하강시켜 상기 튜브 내의 온도를 하강 온도로 형성한다.(S9 단계) 이때, 상기 튜브 내의 온도는 650℃로 하강시키고, 20slm의 질소 가스를 제공한다. 상기 온도는 히터를 제어하여 하강시키고, 상기 튜브 내의 온도를 하강시킬 때 질소 가스만을 제공하는 것은 상기 튜브 내의 온도를 하강시킬 때 상기 웨이퍼 표면이 산화되고, 상기 산화로 인하여 산화막이 형성되는 것을 방지하기 위함이다. 상기 튜브 내의 온도를 하강시킬 때 상기 웨이퍼 상에 산화막이 형성될 경우 상기 산화막의 두께 산포가 나빠지기 때문이다.
이어서, 상기 튜브 내의 상기 하강 온도 상태를 계속해서 유지한다.(S10 단계) 즉, 상기 튜브 내의 온도 상태를 650℃로 유지한다. 이는 상기 웨이퍼가 적재된 보트를 상기 튜브 외부로 이송하기 이전에 상기 튜브 내의 온도를 일정하게 유지함으로서, 급격한 온도 변화로 인하여 상기 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하기 위함이다.
그리고, 상기 온도 상태를 유지한 상태에서 상기 웨이퍼가 적재된 보트를 상기 튜브 외부로 이송한다.(S11 단계) 이때, 상기 튜브 내에 20slm의 질소 가스를제공한다.
여기서, 상기 열산화에 의한 산화막을 상기 공정을 수행하여 형성함으로서 상기 균일한 두께 분포를 갖는 산화막을 용이하게 형성할 수 있다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 상에 형성되는 산화막의 균일도는 향상된다. 실제로, 상기 공정을 통하여 상기 산화막을 형성해 본 결과, 상기 산화막의 두께 분포가 1% 미만인 것을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명에 의하면 상기 열산화에 의한 산화막을 균일한 두께 분포를 갖도록 형성함으로서 상기 산화막의 균일도가 향상된다. 때문에, 상기 산화막으로 인하여 제공되는 후속 공정에서의 불량을 최소화할 수 있다. 이와 같이, 상기 산화막으로 인한 불량을 최소화함으로서 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과를 기대할 수 있다. 그리고, 상기 튜브를 사용하는 열산화는 반도체 장치의 대량 생산의 근간이기 때문에 상기 열산화를 통한 균일한 산화막의 형성은 반도체 장치의 제조에 따른 생산성에도 기여한다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (10)
- a) 다수매의 웨이퍼가 적재된 보트를 질소 가스가 제공되고, 일정 온도를 유지하는 튜브 내부로 이송하는 단계;b) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 일정 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 일정 온도로 균일하게 형성하는 단계;c) 상기 튜브에 산소 가스를 제공하여 상기 웨이퍼 표면에 제1산화막을 형성시키는 단계;d) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 제공하고, 상기 튜브의 상기 일정 온도를 상승시켜 상기 튜브를 상승 온도로 형성하는 단계;e) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 상승 온도로 균일하게 형성하는 단계;f) 상기 튜브에 상기 산소 가스를 제공하여 상기 제1산화막 표면에 제2산화막을 형성시키는 단계;g) 상기 튜브에 산소 가스 및 염화수소 가스를 제공하여 상기 제2산화막 표면에 제3산화막을 형성시키는 단계;h) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 제공하고, 상기 웨이퍼에 열처리를 수행하여 상기 웨이퍼와 상기 제1, 2 및 3산화막 사이의 계면 특성을 강화시키는 단계;i) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 상승 온도를 하강시켜 상기 튜브를 하강 온도로 형성하는 단계;j) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 하강 온도 상태를 계속해서 유지하여 상기 보트를 포함하는 튜브 전체를 상기 하강 온도로 균일하게 형성하는 단계; 및k) 상기 튜브에 상기 질소 가스를 계속해서 제공하고, 상기 보트를 상기 튜브 외부로 이송시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 a) 단계에서는 상기 튜브를 600 내지 700℃의 온도로 유지하고, b) 단계에서는 600 내지 700℃의 온도 상태를 600 내지 1,200초 동안 유지하여 상기 튜브 전체를 600 내지 700℃의 온도로 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 c) 단계에서는 상기 산소 가스를 5 내지 15slm으로 제공하고, 300 내지 600초 동안 상기 제1산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 d) 단계에서는 상기 질소 가스를 10 내지 30slm으로 제공하여 상기 튜브를 850 내지 950℃의 온도로 상승시키고, 상기 e) 단계에서는850 내지 950℃의 온도 상태를 600 내지 1,500초 동안 유지하여 상기 튜브 전체를 850 내지 950℃의 온도로 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 f) 단계에서는 상기 산소 가스에 질소 가스를 더 혼합하는 혼합 가스를 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제5 항에 있어서, 상기 혼합 가스는 상기 산소 가스를 5 내지 20slm로 제공하고, 상기 질소 가스를 10 내지 30slm으로 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 g) 단계에서는 상기 산소 가스 및 염화수소 가스를 1 : 0.01 내지 0.04의 비율로 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제7 항에 있어서, 상기 산소 가스는 5 내지 15slm으로 제공되고, 상기 염화수소 가스는 0.05 내지 0.6slm으로 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 i) 단계에서는 상기 질소 가스를 15 내지 30slm으로 제공하여 상기 튜브를 600 내지 700℃의 온도로 하강시키고, 상기 j) 단계에서는 600 내지 700℃로 하강시킨 온도 상태를 유지하여 상기 튜브 전체를 600 내지 700℃의 온도로 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
- 제1 항에 있어서, 상기 k) 단계에서는 상기 질소 가스를 15 내지 30slm으로 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에서 산화막을 형성하는 방법.
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|---|---|---|---|---|
| KR100548550B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 옥사이드와 나이트라이드의 인시튜 형성방법 |
-
2001
- 2001-01-06 KR KR1020010000823A patent/KR100607417B1/ko not_active Expired - Fee Related
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