KR20020026642A - 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 - Google Patents
비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 Download PDFInfo
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- 101000661807 Homo sapiens Suppressor of tumorigenicity 14 protein Proteins 0.000 description 10
- 102100039497 Choline transporter-like protein 3 Human genes 0.000 description 4
- 101000889279 Homo sapiens Choline transporter-like protein 3 Proteins 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 108090000237 interleukin-24 Proteins 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
- G11C16/105—Circuits or methods for updating contents of nonvolatile memory, especially with 'security' features to ensure reliable replacement, i.e. preventing that old data is lost before new data is reliably written
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F1/04—Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
- G06F1/06—Clock generators producing several clock signals
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- G06F1/04—Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
- G06F1/12—Synchronisation of different clock signals provided by a plurality of clock generators
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
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Abstract
Description
Claims (3)
- 플래시 모드신호에 따라 인에이블되어, 스테이트 클럭을 입력받아 카운팅하여 다수의 타이밍신호를 발생하는 스테이트 카운터와; 상기 플래시 모드신호에 따라 인에이블되어, 상기 스테이트 클럭에 동기되어 입력되는 스테이트 데이터를 시프트하여 그 스테이트 데이터의 명령어를 출력하고, 다수의 제어신호에 의해 시리얼 데이터를 패러럴로 변환하거나 패러럴 데이터를 시리얼 데이터로 변환하여 출력하는 시프트레지스터와; 상기 플래시 모드신호에 따라 인에이블되어, 상기 스테이트카운터로부터 입력되는 다수의 타이밍신호에 동기하여 상기 시프트레지스터로부터 명령어를 입력받아 해석하여 다수의 제어신호를 상기 시프트레지스터로 출력하는 모드제어부로 구성한 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴 프로그램장치.
- 제1 항에 있어서, 모드제어부는 패러럴 데이터 로드모드 또는 라이트모드시, 4번째 시스템클럭에 동기하여 명령어를 해석하고, 시프트 레지스터의 출력값이 데이터 버스에 실리지 못하도록 제어하고, 패러럴신호를 생성하여 포트 데이터가 상기 데이터 버스에 실리도록 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴 프로그램장치.
- 제1 항에 있어서, 모드제어부는 패러럴 베리파이(Verify) 모드시, 4번째 시스템 클럭에 동기하여 명령어를 해석하고, 시리얼 신호를 생성하여 데이터 버스에 실린 데이터가 직접 포트로 출력되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리어/패러럴 프로그램장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000057852A KR20020026642A (ko) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000057852A KR20020026642A (ko) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020026642A true KR20020026642A (ko) | 2002-04-12 |
Family
ID=19691449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000057852A Ceased KR20020026642A (ko) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | 비휘발성 메모리 내장용 엠씨유의 시리얼/패러럴프로그램장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR20020026642A (ko) |
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- 2000-10-02 KR KR1020000057852A patent/KR20020026642A/ko not_active Ceased
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20001002 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20030430 Patent event code: PE09021S01D |
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E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20030804 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20030430 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |