KR20010089292A - 웨이퍼 세척 및 증기 드라잉용 시스템 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (50)
- 물체의 표면을 처리하고 드라잉하는 방법에 있어서,(a) 표면을 지닌 적어도 하나의 물체와 용기를 제공하는 단계;(b) 처리 유체내의 상기 물체를 상기 용기에 담는 단계;(c) 상기 물체의 표면상에 잔여 처리 유체가 남으면 상기 용기로부터 처리 유체를 방출하는 단계;(d) 상기 용기로부터 처리 유체를 방출한 후에, 상기 물체의 표면상에 응축된 드라잉 증기를 상기 용기안으로 유입하고 또한 상기 잔여 처리 유체가 상기 표면으로 부터 벗어나 흐르드록 상기 잔여 처리 유체의 표면 장력을 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 처리 유체는 이온 제거된 물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 처리 유체는 불화수소 물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 표면으로부터 응축된 드라잉 증기를 휘발시키기위해 (d)단계 후에 가열된 가스를 상기 용기안으로 유입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 방법은 (b)단계 이전에 상기 용기로부터 떨어진 위치에서 상기 드라잉 증기를 발생하는 단계를 더 포함하며; 또한(d)단계는 상기 떨어진 위치로부터 드라잉 증기를 상기 용기안으로 전달하기 위해 캐리어 가스를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제5항에 있어서,단계 (a)는 상기 용기와 유동적으로 결합되며 또한 상기 용기로부터 떨어져 위치된 챔버를 더 제공하며;상기 발생하는 단계는 상기 드라잉 증기를 생성하기 위해 상기 챔버내에 드라잉 혼합물을 가열하는 단계를 포함하며; 또한단계 (d)는 상기 드라잉 증기가 상기 용기안으로 전달되도록 상기 캐리어 가스를 상기 챔버로 통과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 방법은 상기 용기로부터 드라잉 증기를 재생하고 또한 상기 재생된 드라잉 증기를 액체 형태로 응축시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 드라잉 증기는 이소프로필 알콜로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체의 표면을 처리하고 드라잉하는 방법에 있어서,(a) 표면을 지닌 적어도 하나의 물체와 용기를 제공하는 단계;(b) 상기 물체를 처리하기 위해 상기 용기내의 액체 케미컬에 상기 물체를 담그는 단계;(c) 상기 용기와 상기 물체의 표면으로 부터 상기 케미컬을 린스하기 위해 상기 용기안에 린스유체를 유입시키는 단계;(d) 상기 물체의 표면상에 잔여 린스 유체가 남으면 상기 용기로부터 린스 유체를 방출하는 단계;(d) 상기 용기로부터 린스 유체를 방출한 후에, 상기 물체의 표면상에 응축되며 또한 상기 잔여 린스 유체가 상기 표면으로부터 벗어나 흐르도록 상기 잔여 린스 유체의 표면장력을 감소시키는 드라잉 증기를 상기 용기안으로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 표면으로부터 응축된 드라잉 증기를 휘발시키기 위해 단계 (d)후에 가열된 가스를 상기 용기안으로 유입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 방법은 (b)단계 이전에 상기 용기로부터 떨어진 위치에서 상기 드라잉 증기를 발생하는 단계를 더 포함하며; 또한(d)단계는 상기 떨어진 위치로부터 드라잉 증기를 상기 용기안으로 전달하기 위해 캐리어 가스를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항에 있어서,단계 (a)는 상기 용기와 유동적으로 결합되며 또한 상기 용기로부터 떨어져 위치된 챔버를 더 제공하며;상기 발생하는 단계는 상기 드라잉 증기를 생성하기 위해 상기 챔버내에 드라잉 혼합물을 가열하는 단계를 포함하며; 또한단계 (d)는 상기 드라잉 증기가 상기 용기안으로 전달되도록 상기 캐리어 가스를 상기 챔버로 통과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 방법은 상기 용기로부터 드라잉 증기를 재생하고 또한 상기 재생된 드라잉 증기를 액체 형태로 응축시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9항에 있어서,상기 드라잉 증기는 이소프로필 알콜로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 린스 유체는 이온제거된 물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서,상기 방법은 오존화된 물에 상기 물체를 린스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서,단계 (d)이전에 오존화된 린스 유체로 물체를 린스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체의 표면을 처리하고 드라잉하는 방법에 있어서,(a) 용기, 상기 용기로부터 떨어져 있지만 상기 용기와 유동적으로 결합된 리모트 챔버, 및 표면을 지닌 적어도 하나의 물체를 제공하는 단계;(b) 그 위에 잔여 처리 유체를 갖는 웨트 물체를 생성하기 위해 상기 용기의외부에서 웨트 처리 절차를 이용하여 상기 물체를 처리하는 단계;(c) 상기 용기에 상기 웨트 물체를 위치시키는 단계;(d) 상기 챔버에서 드라잉 증기를 발생시키는 단계; 및(e) 상기 물체의 표면상에 응축되며 또한 상기 잔여 처리 유체가 상기 표면으로부터 벗어나 흐르도록 상기 잔여 처리 유체의 표면장력을 감소시키는 드라잉 증기를, 상기 챔버로 부터 용기안으로 전달하는 캐리어 가스를 상기 챔버를 통해 상기 용기안으로 통과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서,상기 단계 (d)는 상기 드라잉 증기를 생성하기 위해 상기 챔버내에서 드라잉 혼합물을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서,상기 드라잉 혼합물은 그의 끓는 점이하의 온도로 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서,단계 (a)는 적어도 하나의 입구를 지닌 리드를 상기 용기에 더 제공하며;상기 방법은 상기 리드를 이용하여 상기 용기를 밀봉하는 단계를 더 포함하며; 또한단계 (e)에서 상기 캐리어 가스와 드라잉 증기는 상기 리드의 적어도 한 입구를 통해 상기 용기안으로 통과되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서,상기 드라잉 혼합물은 이소프로필 알콜인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서,상기 방법은 상기 용기로부터 드라잉 증기를 재생하며 또한 상기 재생된 드라잉 증기를 액체 형태로 응축시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서,상기 표면으로 부터 응축된 드라잉 증기를 휘발시키기위해 단계(e)후에 가열된 가스를 상기 용기안으로 유입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체의 표면을 처리하고 드라잉하는 방법에 있어서,(a) 표면을 지닌 적어도 하나의 물체와 용기를 제공하는 단계;(b) 불화수소 산을 함유하는 처리 용액내의 상기 물체를 상기 용기에 담그는단계;(c) 상기 용기로부터 처리 용액을 방출하는 단계;(d) 상기 처리 용액이 상기 용기를 우선 린싱함이 없이 상기 용기로부터 완전히 방출된 후, 상기 물체의 표면상에 응축되며 또한 잔여 처리 용액이 상기 표면으로부터 벗어나 흐르도록 상기 잔여 처리 용액의 표면장력을 감소시키는 드라잉 증기를 상기 용기안으로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서,상기 표면으로 부터 응축된 드라잉 증기를 휘발시키기 위해 단계 (d)후에 가열된 가스를 상기 용기안에 유입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 방법은 단계 (b)이전에 상기 용기로부터 떨어진 위치에서 상기 드라잉 증기를 발생하는 단계를 더 포함하며; 또한단계 (d)는 상기 떨어진 위치로부터 상기 용기안으로 상기 드라잉 증기를 전달하기 위해 캐리어 가스를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서,단계 (a)는 상기 용기에 유동적으로 결합되며 또한 상기 용기로 부터 떨어져 위치된 상기 챔버를 더 제공하며;상기 발생하는 단계는 상기 상기 드라잉 증기를 생성하기 위해 상기 챔버내에 드라잉 혼합물을 가열하는 단계를 포함하며; 또한단계 (d)는 상기 드라잉 증기가 상기 용기안으로 전달되도록 상기 캐리어 가스를 상기 챔버로 통과시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 28항에 있어서,상기 방법은 상기 용기로부터 드라잉 증기를 재생하고 또한 상기 재생된 드라잉 증기를 액체 형태로 응축시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서,상기 드라잉 증기는 이소프로필 알콜로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서,단계 (a)는 적어도 하나의 입구를 지닌 리드를 상기 용기에 더 제공하며;상기 방법은 상기 리드를 이용하여 상기 용기를 밀봉하는 단계를 더 포함하며; 또한단계 (d)에서 상기 캐리어 가스와 드라잉 증기는 상기 리드의 적어도 한 입구를 통해 상기 용기안으로 통과되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체를 처리하고 드라잉하는 방법에 있어서,(a) 밑면이 없는 밀봉체를 형성하기 위해 서로 연결된 다수의 벽으로 형성된 이동가능한 리드를 지닌 용기를 제공하며, 또한 표면을 지닌 물체를 더 제공하는 단계;(b) 처리 유체내의 상기 물체를 상기 용기에 담그는 단계;(c) 상기 리드를 이용하여 상기 용기를 밀봉하는 단계;(d) 상기 리드의 적어도 한 부분을 처리 유체의 온도이상으로 가열하는 단계;(e) 상기 물체의 표면상에 잔여 처리 유체가 남으면, 상기 처리 유체를 상기 용기를 부터 방출하는 단계; 및(f) 상기 처리 유체가 상기 용기로부터 완전히 방출된 후에, 상기 물체의 표면상에 응축되며 또한 잔여 처리 용액이 상기 표면으로부터 벗어나 흐르도록 상기 잔여 처리 용액의 표면장력을 감소시키는 드라잉 증기를 상기 용기안으로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항에 있어서,상기 처리 유체는 린스 유체이며 또한 상기 방법은단계 (b)이전에 케미컬 배드내의 물체를 상기 용기에 담기 위해 상기 용기위에 상기 리드를 매달고, 그 후에 상기 물체를 담근후 상기 용기로 부터 상기 케미컬을 방출시킨후 상기 리드를 이용하여 상기 용기를 밀봉하는 단계를 더 포함하는것을 특징으로 하는 방법.
- 제 33항에 있어서,상기 용기위에 리드를 매다는 단계는 상기 용기로부터 주변 분위기로 증기의 누출을 최소화하기 위해 상기 용기위에 후드를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항에 있어서,상기 리드는 적어도 하나의 입구를 지니도록 제공되며, 또한 단계 (f)는 상기 드라잉 증기를 상기 리드의 입구를 통해 상기 용기안으로 유입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 32항에 있어서,상기 드라잉 증기를 유입시키기 전에 퍼징 가스를 상기 용기안으로 유입시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 31항에 있어서,상기 물체의 표면으로부터 응축된 드라잉 증기를 휘발시키기위해 단계 (f)후에 상기 용기안에 가열된 가스를 유입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체를 처리하고 드라잉하는 장치에 있어서,개방된 상부, 상기 개방된 상부를 밀봉시킨 폐쇄된 상태와 상기 개방된 상부를 노출시킨 개방된 상태사이에 이동 가능한 리드, 덤프 개구를 통해 유체의 방출을 허용하는 개방된 상태와 상기 덤프 개구를 밀봉하는 폐쇄된 상태사이에 이동가능한 용기의 하부와 덤프 도어에 형성된 덤프 개구, 및 상기 용기의 하부에 형성된 유체 입구를 지닌 용기;유체 라인에 의해 상기 입구에 유동적으로 결합된 린스 유체의 소스;상기 유체 라인에 유동적으로 결합된 처리 케미컬의 소스;상기 용기에 유동적으로 결합된 드라잉 증기 발생 챔버; 및상기 덤프 개구에 유동적으로 결합된 응축기를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제38항에 있어서,상기 용기를 상기 린스 유체의 소소로부터 나온 린스 유체로 채워지도록 하며, 상기 용기를 상기 린스 유체로 채운후 선정된 기간이 경과된 다음 상기 덤프 도어를 개방하며, 또한 상기 린스 유체가 상기 용기로 부터 방출된후 상기 용기를상기 드라잉 증기 발생 챔버로 부터 나온 드라잉 증기로 채워지도록 하는 제어 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제39항에 있어서,상기 리드는 그안에 형성된 다수의 유체 매니폴드와 상기 유체 매니폴드에 유동적으로 결합된 다수의 증기 입구를 지니며; 또한상기 드라잉 증기 발생 챔버는 상기 유체 매니폴드에 유동적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제38항에 있어서,상기 드라잉 발생 챔버는 밀폐된 챔버와, 드라잉 증기를 생성하기 위해 액체 드라잉 혼합물을 수납하는 챔버내의 가열된 표면을 지니며; 또한상기 장치는 상기 밀폐된 챔버에 유동적으로 결합된 캐리어 가스 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제41항에 있어서,상기 리드는 그안에 형성된 다수의 유체 매니폴드와 상기 유체 매니폴드에 유동적으로 결합된 다수의 증기 입구를 지니며; 또한상기 드라잉 증기 발생 챔버는 상기 유체 매니폴드에 유동적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제38항에 있어서,상기 케미컬의 소스는,벌크 케미컬 공급원에 유동적으로 결합되며 또한 제1 부피의 케미컬을 함유하도록 적당한 비율로 조절되는 케미컬 저장 탱크;상기 케미컬 저장 탱크에 유동적으로 결합되며, 또한 상기 제1 부피의 케미컬보다 매우 작은 제2 부피의 케미컬을 함유하도록 적당한 비율로 조절되는 분배 탱크;상기 케미컬 저장 탱크와 상기 분배 탱크사이의 제 1 밸브;상기 분배 탱크와 상기 용기사이의 제2 밸브; 및상기 용기에서 처리를 수행하는데 필요한 양에 해당하는 선정된 양의 케미컬을 상기 저장 탱크로부터 상기 분배 탱크로 분배하기 위해 선정된 시간동안 상기 제 1 밸브를 개방하며, 또한 상기 분배 탱크로부터 선정된 양을 상기 용기안에 분배하기 위해 상기 제2 밸브를 개방하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제43항에 있어서,상기 분배 탱크에 유동적으로 결합된 제2 유체 소스와, 상기 제2 유체 소스와 상기 분배 탱크사이에 위치된 제3 밸브를 더 포함하며, 상기 제어 수단은 처리 용액을 형성하기 위해 제2 유체가 상기 선정된 양의 케미컬과 혼합하도록 제3 밸브의 동작을 더 제어하게 되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 물체를 드라잉하는 장치에 있어서,개구를 지닌 용기;밑면이 없는 밀봉체를 형성하기 위해 서로 연결된 다수의 벽으로 형성되며,상기 용기의 개구를 밀봉하는 제1 위치와 상기 개구를 통해 상기 용기에 접근을 허용하는 제2 위치사이에서 이동가능한 리드;상기 리드의 벽에 결합된 가열 요소; 및상기 용기에 유동적으로 결합된 드라잉 증기의 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제45항에 있어서,상기 용기는 입구를 지니며, 상기 장치는 상기 입구에 유동적으로 결합된 린스유체의 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제46항에 있어서,상기 입구에 유동적으로 결합된 처리 케미컬의 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제46항에 있어서,상기 용기는 상기 용기의 하부에 형성된 덤프 개구와, 상기 덤프 개구를 통해 유체의 방출을 허용하는 개구된 상태와 상기 덤프 개구를 밀봉하는 폐쇄된 개구사이에서 이동가능한 덤프도어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제46항에 있어서,상기 리드는 드라잉 증기 입구를 포함하며 또한 상기 드라잉 증기의 소스는 상기 드라잉 입구에 유동적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제46항에 있어서,상기 드라잉 증기의 소스는,액체 드라잉 혼합물을 수납하기 위해 가열된 소스를 지니며 또한 상기 용기로 부터 떨어져 있지만 유동적으로 결합되는 밀폐된 챔버; 및상기 밀폐된 챔버에 유동적으로 결합된 캐리어의 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10380298P | 1998-10-09 | 1998-10-09 | |
US60/103,802 | 1998-10-09 | ||
US09/227,637 US6328809B1 (en) | 1998-10-09 | 1999-01-08 | Vapor drying system and method |
US09/227,637 | 1999-01-08 | ||
PCT/US1999/022483 WO2000022654A1 (en) | 1998-10-09 | 1999-09-28 | Wafer cleaning and vapor drying system and method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010089292A true KR20010089292A (ko) | 2001-09-29 |
Family
ID=26800867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020017004440A KR20010089292A (ko) | 1998-10-09 | 1999-09-28 | 웨이퍼 세척 및 증기 드라잉용 시스템 및 방법 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6328809B1 (ko) |
KR (1) | KR20010089292A (ko) |
CN (1) | CN1179394C (ko) |
AU (1) | AU6271599A (ko) |
DE (1) | DE19983631T1 (ko) |
MY (1) | MY126419A (ko) |
TW (1) | TW519564B (ko) |
WO (1) | WO2000022654A1 (ko) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20010407 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20040823 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20060317 Patent event code: PE09021S01D |
|
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20060612 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20060317 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |