CN102496590B - 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 - Google Patents
带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102496590B CN102496590B CN201110434684.2A CN201110434684A CN102496590B CN 102496590 B CN102496590 B CN 102496590B CN 201110434684 A CN201110434684 A CN 201110434684A CN 102496590 B CN102496590 B CN 102496590B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- isopropyl alcohol
- ultrasonic
- vibrators
- nitrogen
- water tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。它包括喷嘴、盖子、溢流槽、支撑架、水槽、振子、氮气和异丙醇进气管，方形水槽的上端边沿为溢流槽，在水槽内下部安装有支撑架，超声或兆声振子粘接在水槽的底部下方，水槽的上端安装有盖子，盖子的上方安装有氮气和异丙醇进气管，盖子内安装有喷嘴，支撑架上设有清洗片架。所述的水槽的材料为石英玻璃。所述超声振子的频率为28kHz或40kHz，超声振子的功率约为50～100W，兆声振子的频率大于1兆Hz，兆声振子的功率约为50～100W，每个清洗片架下安装2～6个振子。本发明能够显著降低抛光硅片经热氮气和异丙醇混合气体干燥后在表面边沿留下水迹的机会，显著提高抛光硅片异丙醇干燥步骤的成品率。
Description
技术领域
本发明涉及用于抛光硅片清洗领域，尤其涉及一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。
背景技术
抛光硅片是集成电路产业最重要的基础材料，电路被加工在抛光硅片的表面。随着集成电路的特征线宽越来越小，抛光硅片的抛光表面允许残留的颗粒的数量和直径越来越小。抛光硅片在抛光后一般经过一次清洗和最终清洗等两次清洗来使表面颗粒和表面金属指标达到用户的要求。
抛光硅片的最终清洗一般要经过经过装片、酸洗（HF)、快速高纯水冲洗（QDR）、一号液清洗（SC1)、高纯水溢流（OF）、二号液清洗（SC2)、快速高纯水冲洗（QDR）、高纯水溢流和浸泡（F/R)、甩干或异丙醇干燥、取片等步骤完成最终清洗过程。甩干是使抛光硅片在离心力的作用下去除表面吸附水而干燥的方法。异丙醇(异丙醇）干燥是使抛光硅片表面在异丙醇蒸汽和氮气的作用下干燥的方法。
抛光硅片被抛光后，被置于清洗片架内进行一次清洗和最终清洗，一般每个片架装25片抛光硅片，现在常用的抛光硅片的尺寸一般为4、5、6、8、12英寸。为保护抛光表面不被相互擦伤，片架内的抛光硅片相互之间被片架的隔离片隔离。在抛光硅片的异丙醇干燥过程中中，抛光硅单晶片正面和背面与片架的隔离片接触处的狭缝内会有水残留。残留的水被热的氮气和异丙醇混合气体吹干后会在抛光硅片表面的边沿留下水迹，水迹的位置会有高密度的表面颗粒存在，使抛光硅片达不到表面颗粒的指标要求。水迹的存在会降低抛光硅片最终清洗的异丙醇干燥步骤的成品率,该步的成品率现在一般只能达到85-90%。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机。
带超声或兆声振子的抛光硅片异丙醇干燥机包括喷嘴、盖子、溢流槽、支撑架、水槽、振子、氮气和异丙醇进气管，方形水槽的上端边沿为溢流槽，在水槽内下部安装有支撑架，超声或兆声振子粘接在水槽的底部下方，水槽的上端安装有盖子，盖子的上方安装有氮气和异丙醇进气管，盖子内安装有喷嘴，支撑架上设有清洗片架。
所述的水槽的材料为石英玻璃。所述超声振子的频率为28kHz或40kHz，超声振子的功率约为50～100W，兆声振子的频率大于1兆Hz，兆声振子的功率约为50～100W，每个清洗片架下安装2～6个振子。
本发明能够显著降低抛光硅片经热氮气和异丙醇混合气体干燥后在表面边沿留下水迹的机会，显著提高抛光硅片异丙醇干燥步骤的成品率。
附图说明
图1是带超声或兆声振子的异丙醇干燥机结构示意图；
图2是带超声或兆声振子的异丙醇干燥机侧视图；
图中，抛光硅片1、清洗片架2、喷嘴3、盖子4、溢流槽5、支撑架6、高纯水7、水槽8、振子9、氮气和异丙醇进气管10。
具体实施方式
如图1、2所示，带超声或兆声振子的抛光硅片异丙醇干燥机包括喷嘴3、盖子4、溢流槽5、支撑架6、水槽8、振子9、氮气和异丙醇进气管10，方形水槽8的上端边沿为溢流槽5，在水槽8内下部安装有支撑架6，超声或兆声振子9粘接在水槽8的底部下方，水槽8的上端安装有盖子4，盖子4的上方安装有氮气和异丙醇进气管10，盖子4内安装有喷嘴3，支撑架6上设有清洗片架2。
所述的水槽8的材料为石英玻璃。所述超声振子的频率为28kHz或40kHz，超声振子的功率约为50～100W，兆声振子的频率大于1兆Hz，兆声振子的功率约为50～100W，每个清洗片架2下安装2～6个振子。
本发明的工作过程如下：
先将抛光硅片1连同清洗片架2置于水槽8内的支撑架6上，在水槽8内注满超纯水7，使抛光硅片1及其清洗片架2被超纯水7完全淹没，多余纯水从溢流槽5溢流，通电开启超声或兆声振子9，从干燥机底部缓慢排水，使液面高度以设定速度缓慢降低。在液面降低的同时从上部的氮气和异丙醇的喷嘴3向抛光硅片1及其清洗片架2喷冷的氮气和异丙醇混合气体，当液面与抛光硅片脱离接触后，断电关闭超声或兆声振子9，开始从氮气和异丙醇的喷嘴3向抛光硅片1及其清洗片架2喷热的氮气和异丙醇混合气体使硅片表面干燥，排净干燥机内的水，继续从氮气和异丙醇的喷嘴3向抛光硅片1及其清洗片架2喷热的氮气和异丙醇混合气体直至硅片表面和片架表面完全干燥，打开盖子4取出硅片，完成干燥步骤。
在液面高度以设定速度降低的过程中，在从氮气和异丙醇喷嘴3向抛光硅片1及其清洗片架2喷出的冷氮气和异丙醇混合气体的吹扫及超声或兆声的微振动的共同作用下，抛光硅片1的正面和背面与清洗片架2接触处的狭缝内残留水的机会大大降低，抛光硅片1经后续热氮气和异丙醇混合气体干燥后表面边沿留下水迹的机会显著降低。实际得到的抛光硅片异丙醇干燥步骤的成品率可以达到95%以上。
Claims (1)
1.一种带超声或兆声振子的抛光硅片异丙醇干燥机,其特征在于包括喷嘴(3)、盖子(4)、溢流槽(5)、支撑架(6)、水槽(8)、振子(9)、氮气和异丙醇进气管(10)，方形水槽(8)的上端边沿为溢流槽(5)，在水槽(8)内下部安装有支撑架(6)，超声或兆声振子(9)粘接在水槽(8)的底部下方，水槽(8)的上端安装有盖子(4)，盖子(4)的上方安装有氮气和异丙醇进气管(10)，盖子(4)内安装有喷嘴(3)，支撑架(6)上设有清洗片架(2)；
所述的水槽(8)的材料为石英玻璃；
所述超声振子的频率为28kHz或40kHz，超声振子的功率为50～100W，兆声振子的频率大于1兆Hz，兆声振子的功率为50～100W，每个清洗片架（2）对应2～6个振子(9)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110434684.2A CN102496590B (zh) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110434684.2A CN102496590B (zh) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102496590A CN102496590A (zh) | 2012-06-13 |
| CN102496590B true CN102496590B (zh) | 2015-04-22 |
Family
ID=46188396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110434684.2A Active CN102496590B (zh) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102496590B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104253063B (zh) * | 2013-06-28 | 2017-12-01 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种用于防止晶片偏移掉落的装置 |
| CN108831848A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-11-16 | 扬州思普尔科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗干燥设备 |
| CN111261495B (zh) * | 2018-11-30 | 2022-07-12 | 有研半导体硅材料股份公司 | 一种抛光硅片清洗干燥工艺 |
| CN110197804B (zh) * | 2019-07-02 | 2024-07-16 | 中建材衢州金格兰石英有限公司 | 一种晶圆干燥装置 |
| CN111715590B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-06-08 | 安徽富乐德科技发展股份有限公司 | 一种电子行业蒸镀设备的清洗方法 |
| CN112066649A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-11 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种用于面板基材清洗后的真空干燥装置和方法 |
| CN117711991A (zh) * | 2024-02-05 | 2024-03-15 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 | 一种晶圆槽式清洗设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1205252A (zh) * | 1997-05-26 | 1999-01-20 | 索尼株式会社 | 超声波清洗设备 |
| CN1214536A (zh) * | 1997-09-29 | 1999-04-21 | 西门子公司 | 改进的清洗和干燥半导体晶片的装置及方法 |
| CN1329748A (zh) * | 1998-10-09 | 2002-01-02 | Scp环球技术公司 | 晶片清洗和蒸汽干燥系统和方法 |
| CN1368755A (zh) * | 2001-02-02 | 2002-09-11 | 集贤实业有限公司 | 半导体晶圆干燥方法 |
-
2011
- 2011-12-22 CN CN201110434684.2A patent/CN102496590B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1205252A (zh) * | 1997-05-26 | 1999-01-20 | 索尼株式会社 | 超声波清洗设备 |
| CN1214536A (zh) * | 1997-09-29 | 1999-04-21 | 西门子公司 | 改进的清洗和干燥半导体晶片的装置及方法 |
| CN1329748A (zh) * | 1998-10-09 | 2002-01-02 | Scp环球技术公司 | 晶片清洗和蒸汽干燥系统和方法 |
| CN1368755A (zh) * | 2001-02-02 | 2002-09-11 | 集贤实业有限公司 | 半导体晶圆干燥方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102496590A (zh) | 2012-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102496590B (zh) | 带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 | |
| CN101700520B (zh) | 单晶/多晶硅片的清洗方法 | |
| CN103846245B (zh) | 基板清洗装置及清洗方法 | |
| CN108568427A (zh) | 一种硅片的超声波清洗装置 | |
| CN102294332A (zh) | 金刚石线切割硅晶片的清洗方法 | |
| CN111446188A (zh) | 一种半导体硅片表面清洗机构及其清洗工艺 | |
| CN102496564A (zh) | 提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法 | |
| CN104752282B (zh) | 一种用于微纳器件制作的样品处理装置及处理工艺 | |
| CN202662573U (zh) | 一种带超声或兆声振子的异丙醇干燥机 | |
| CN105887206A (zh) | 单晶硅线切割碎片清洗处理方法 | |
| CN206480600U (zh) | 硅片辅助清洗装置 | |
| CN101884986A (zh) | 半导体器件清洗装置及方法 | |
| CN108753478A (zh) | 一种半导体单晶硅清洗剂及其清洗方法 | |
| CN102437021A (zh) | 化学机械研磨中的清洗方法 | |
| CN202018950U (zh) | 一种硅片预清洗设备 | |
| CN207250463U (zh) | 晶圆片快速排水清洗槽 | |
| CN101447416A (zh) | 半导体硅片的清洗方法 | |
| CN201098688Y (zh) | 超声波清洗单晶硅片装置 | |
| CN202134514U (zh) | 一种单晶硅片的超声波清洗装置 | |
| CN212874449U (zh) | 一种高效的半导体清洗机缓存结构 | |
| CN205270195U (zh) | 一种原膜基材的清洗机 | |
| CN207250464U (zh) | 一种晶圆片快速排水清洗槽 | |
| CN206701835U (zh) | 一种超声波清洗器 | |
| CN202681885U (zh) | 一种热水源节能超声波洗碗机 | |
| CN101179007A (zh) | 超声波清洗单晶硅片方法及其装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220621 Address after: 324022 Building 9, No. 52, Panlong South Road, green industry cluster, Quzhou City, Zhejiang Province Patentee after: Jin Ruihong Microelectronics (Quzhou) Co.,Ltd. Address before: No. 20, Gangdong Avenue, bonded East District, Ningbo, Zhejiang 315800 Patentee before: Zhejiang Jinruihong Technology Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |