[go: up one dir, main page]

KR19980055762A - 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법 - Google Patents

플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR19980055762A
KR19980055762A KR1019960074998A KR19960074998A KR19980055762A KR 19980055762 A KR19980055762 A KR 19980055762A KR 1019960074998 A KR1019960074998 A KR 1019960074998A KR 19960074998 A KR19960074998 A KR 19960074998A KR 19980055762 A KR19980055762 A KR 19980055762A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
program
cell
address
normal
checking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019960074998A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100237019B1 (ko
Inventor
신계완
Original Assignee
김영환
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019960074998A priority Critical patent/KR100237019B1/ko
Priority to GB9727106A priority patent/GB2320782B/en
Priority to JP37026397A priority patent/JPH10199273A/ja
Priority to TW086119829A priority patent/TW393603B/zh
Priority to US08/998,952 priority patent/US6076138A/en
Publication of KR19980055762A publication Critical patent/KR19980055762A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100237019B1 publication Critical patent/KR100237019B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
    • G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법에 관한 것으로, 스택 게이트 셀(stack gate cell)을 사용하는 플래쉬 메모리 셀의 소거(erase) 동작시 내부 알고리즘의 프리-프로그램 단계를 바이트(byte) 또는 워드(word)가 아닌 벌크(bulk) 프로그램 확인 단계를 수행함으로써, 연속적인 프로그램이 가능하고, 로컬 클럭(local clock)으로 프로그램 확인 동작을 수행하여 프리-프로그램 시간을 단축시킬 수 있는 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법
본 발명은 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법에 관한 것으로, 스택 게이트 셀(stack gate cell)을 사용하는 플래쉬 메모리 셀의 소거(erase) 동작시 내부 알고리즘의 프리-프로그램 단계를 바이트(byte) 또는 워드(word)가 아닌 벌크(bulk) 프로그램 확인 단계를 수행함으로써, 연속적인 프로그램이 가능하고, 로컬 클럭(local clock)으로 프로그램 확인 동작을 수행하여 프리-프로그램 시간을 단축시킬 수 있는 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명은 프리-프로그램 단계를 효율적으로 개선하여 프리-프로그램에 할애되는 프로그램 시간을 줄여 프로그램 성능을 향상시키기 위한 것이다.
일반적으로 종래의 프리-프로그램 방법은 소거 동작시 도 1에 도시된 바와 같이 소거할 섹터를 노말(noraml)한 프로그램 단계(step)에서 바이트 또는 워드 단위로 섹터의 모든 셀에 대하여 반복적으로 프리-프로그램 을 수행하게 된다. 프리-프로그램의 경우 노말 프로그램 단계를 밟아 프리-프로그램을 수행하는 경우는 소거 동작시 프리-프로그램 동작 시간이 결코 작지 않음을 알 수 있다.
또한, 소자가 고직접화 되어 갈수록 실질적으로 소거 동작이 아니 프리-프로그램 동작 시간이 소거 동작 시간에 더큰 부분으로 차지하게 된다.
도 1은 종래의 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 블럭도이다.
프로그램의 일반적인 단계는 내부 알고리즘으로 볼 때, 크게 프로그램과 프로그램 확인 단계로 구분된다. 프로그램은 프로그램 하기 위한 펌핑 업(pumping up), 리얼 프로그램(real program) 및 프로그램 확인을 위한 펌핑 다운(pumping down)의 3 단계로 이루어진다. 프로그램은 항상 프로그램 하고자 하는 데이터가 선택되어 있는 것이 아니기 때문에 도 2에 도시된 바와 같이 프로그램 동작시 프로그램과 동시에 프로그램 확인 동작을 수행하고, 이후 다음 데이터를 공급받아 지정된 어드레스에 따라 셀들을 프로그램 하게 된다.
도 3은 종래의 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도로서, 프리-프로그램 과정을 설명하면 다음과 같다.
시작 신호로부터 단계(101)에서 칩의 내부 카운터에 의해 최초로 셀의 소거 동작 명령에 따라 단계(102)로 진행하여 프리-프로그램이 시작된다. 이후 단계(103)에서 프로그램 하기 위한 펌핑 시간이 경과된 후, 단계(104)로 진행하여 바이트 또는 워드 프로그램을 실시하게 된다. 이 후 단계(105)에서 프로그램 확인 동작을 위한 펌핑-다운 시간이 경과되면, 단계(106)로 진행하여 확인 동작을 수행한 후, 단계(107)로 진행하여 셀이 정상적으로 프로그램 되었는지를 확인하게 된다. 상기 단계(107)에서 셀이 정상적으로 프로그램 되지 않았으면 단계(108)로 진행하게 된다. 상기 단계(108)에서는 칩의 내부 카운터(N)에 사전에 설정된 최대 프로그램 횟수와 동일함 여부를 확인하게 된다. 상기 단계(108)에서 칩의 내부 카운터에 사전에 설정된 최대 프로그래밍 횟수와 일치하지 않을 경우에는 단계(109)로 진행하게 된다. 상기 단계(109)에서는 프로그램 동작 회수를 증가시켜 상기 단계(103)로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하게 된다. 그러나, 상기 단계(108)에서 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 프로그래밍 횟수와 일치할 경우에는 단계(112)로 진행하여 셀이 불량임을 판정하고 프로그램 동작을 종료하게 된다. 또한, 상기 단계(107)에서 셀이 정상적으로 프로그램 상태로 되었으면 단계(110)로 진행하게 된다. 상기 단계(110)에서는 최종 섹터의 어드레스 인지를 확인하게 된다. 상기 단계(110)에서 최종 섹터의 어드레스가 아니면 단계(111)로 진행하게 된다. 상기 단계(111)에서는 칩의 내부 카운터에 사전에 설정된 섹터 어드레스의 횟수를 증가시켜 상기 단계(103)로 복귀하여 상기 프로그램 동작을 반복 시행하게 된다. 한편, 상기 단계(110)에서 최종 섹터 어드레스 이면 단계(113)로 진행하여 셀이 정상임을 판정하고 프로그램 동작을 종료하게 된다.
상술한 바와 같이 종래의 프리-프로그램 방법은 소거할 섹터를 노말(noraml)한 프로그램 단계(step)에서 바이트 또는 워드 단위로 섹터의 모든 셀에 대하여 반복적으로 프리-프로그램 을 수행함으로써, 칩 전체의 프로그램 시간이 지연되는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 모든 셀을 로우(low) 데이터('0')로 프로그램 하기 위해 프리-프로그램 단계를 바이트(byte) 또는 워드(word)가 아닌 벌크(bulk) 프로그램 확인 단계를 수행하도록 한 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 프로그램 하고자 하는 셀을 독출하여 확인한 후, 프로그램되지 않은 비트들만을 프로그램하고, 상기 프로그램 하고자 하는 모든 셀의 프로그램을 완료한 후, 확인용 로컬 클럭을 사용해 프로그램 확인 동작을 벌크를 통해 별도로 수행 하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 셀의 소거 동작 명령에 따라 프리-프로그램을 수행할 때, 프로그램 하기 위한 펌핑 시간이 경과된 후, 바이트 또는 워드 단위로 벌크를 통해 프로그램을 수행하는 단계와, 불량 셀의 확인 동작에 따라 정상이면 최종 섹터 어드레스 인지를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스가 아니면, 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램을 수행하는 단계로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하는 단계와, 상기 불량 셀의 확인 동작에 따라 정상이 아니거나 상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스 이면 확인을 펌핑-다운 시간이 경과된 후 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 수행하여 셀의 정상 여부를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 셀이 불량이면, 불량 셀에 대한 어드레스를 저장한 후 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 셀이 정상이면 상기 저장된 불량 셀에 대한 어드레스를 리셋 시키고, 최종 섹터 어드레스 인지를 확인하는 단계와, 상기 확인 결과 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수가 아니면 루핑 횟수를 증가한 후 상기 프로그램을 수행하는 단계로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하는 단계와, 상기 확인 결과 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수이면 셀이 불량임을 알리고 종료하는 단계와, 상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스가 아니면 어드레스를 증가시킨 후 상기 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 수행하는 단계로 복귀하여 확인 동작을 반복 시행하는 단계와, 상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스 이면 셀이 정상임을 알리고 종료하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.
도 1은 종래의 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 블럭도.
도 1(a) 및 도 2(b)는 종래의 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 기능 블럭도,
도 3은 종래의 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도.
도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명에 따른 프리프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 기능 블럭도.
도 5는 본 발명에 따른 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도.
도 6은 본 발명에 따른 프리-프로그램 확인 방법을 설명하기 위해 도시한 기능 블럭도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명에 따른 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 기능 블럭도이다.
모든 셀을 로우(low) 데이터('0')로 프로그램 하기 위해 프리-프로그램은 프로그램 하려는 데이터가 미리 선택되어 있어 바이트 또는 워드 단위로 프로그램 및 프로그램 확인 동작을 반복 할 필요 없이 프로그램과 프로그램 확인 동작을 분리하여 모든 셀에 대해 연속적으로 프로램을 수행한 후, 벌크(bulk) 프로그램 확인 단계를 수행하게 된다. 즉, 프로그램 동작시 프로그램-업/다운(program up/down)을 하지 않고, 프로그램-업 한 후, 프로그램 동작이 진행되는 비트 라인들이 워드 라인을 공유하여 챠지 됨으로써 연속적인 프로그램이 가능하게 된다. 따라서, 프로그램을 위한 펑핑-업 시간과 프로그램 동작 후 확인 동작을 위한 펌핑-다운 시간을 줄일 수 있게 된다.
또한, 프로그램시 흐르는 셀의 채널 전류가 벌크 프로그램(bulk program)으로 가지 못하는 주요 원인으로 작용하지만 연속적으로 프로그램을 실시 할 때 바이트 또는워드 프로그램 보다 칩이 동작하는 피크 전류(pick current) 내에버 4바이트 또는 2워드 등과 같이 프로그램 셀 범위를 정하면 프리-프로그램 시간을 더욱 단축시킬 수 있게 된다. 그리고, 벌크 확인(bulk verify) 동작을 수행함으로써, 로컬 클럭(local clock; 확인용 로컬 클럭은 어드레스 버퍼, 셀, 센스 앰프, 콘트롤 로직 및 어드레스 버퍼까지 궤환되는 시간으로써, 프로그램 또는 소거 동작에서의 확인 동작이 외부가 아닌 내부 확인동작으로 순수한 확인 동작 시간만을 나타낸다.)을 이용하게 되면 기존의 모든 셀에 대한 동작 시간보다 단축시킬 수 있다.
따라서, 벌크(bulk)로 확인 동작을 수행하는 프리-프로그램은 확인용 로컬 클럭에 의해 프리-프로그램 시간을 단축시킬 수 있으며, 연속적인 프로그램 동작에 의해 프로그램-업/다운 시간을 줄일 수 있어, 칩 소거 동작 시간을 단축시킬 수 있게 된다.
도 5는 본 발명에 따른 프리-프로그램 방법을 설명하기 위해 도시한 흐름도로서 그 동작을 설명하면 다음과 같다.
시작 신호로부터 단계(201)에서 칩의 내부 카운터에 의해 최초로 셀의 소거 동작 명령에 따라 단계(202)로 진행하여 프리-프로그램이 시작된다. 이후 단계(203)에서 프로그램 하기 위한 펌핑 시간이 경과된 후, 단계(204)로 진행하여 바이트 또는 워드 프로그램을 실시하게 된다. 이 후 단계(205)에서 불량 카운터를 확인하여 정상이면 단계(206)로 진행하여 최종 섹터 어드레스인가를 확인하게 된다. 상기 단계(206)에서 최종 섹터 어드레스가 아니면 단계(207)로 진행하여 어드레스를 하나 증가시킨 후 상기 단계(204)로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하게 된다. 그러나, 상기 단계(206)에서 최종 섹터 어드레스 이면, 단계(208)로 진행하여 확인을 위한 펌핑-다운 시간이 경과된 후 단계(209)로 진행하게 된다. 한편 상기 단계(205)에서 불량 카운터를 확인하여 불량이면 곧바로 상기 단계(209)로 진행하게 된다. 상기 단계(209)에서는 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 수행한 후 단계(210)로 진행하여 셀의 정상 여부를 확인하게 된다. 상기 (210)에서 확인 결과 불량이면, 단계(211)로 진행하여 불량 셀에 대한 어드레스를 저장한 후 단계(212)로 진행하게 된다. 상기 단계(212)에서는 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수인지를 확인하여, 최대 프로그래밍 루핑 횟수와 일치하지 않을 경우에는 단계(213)로 진행하여 루핑 횟수를 하나 증가시킨 후 상기 상기 단계(203)로 궤환하여 프로그램 동작을 반복적으로 수행하게 된다. 그러나, 상기 단계(212)에서 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 프로그래밍 루핑 횟수와 일치할 경우에는 단계(216)로 진행하여 셀이 불량임을 판정하고 프로그램 동작을 종료하게 된다. 또한, 상기 단계(210)에서 셀이 정상적으로 프로그램 상태로 되었으면 상기 단계(211)로 진행하여 불량 셀에 대한 어드레스가 저장된 카운터를 리셋 시킴과 동시에 단계(214)로 진행하게 된다. 상기 단계(214)에서는 최종 섹터의 어드레스 인지를 확인하게 된다. 상기 단계(214)에서 최종 섹터의 어드레스가 아니면 단계(215)로 진행하게 된다. 상기 단계(215)에서는 칩의 내부 카운터에 사전에 설정된 또다른 섹터 어드레스를 하나 증가시켜 상기 단계(209)로 복귀하여 상기 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 반복 시행하게 된다. 또한, 상기 단계(214)에서 최종 섹터 어드레스 이면, 셀이 정상임을 판정하고 프로그램 동작을 종료하게 된다.
예를 들어 오버-프로그램의 경우를 고려하여 프로그램 하려는 셀의 데이터를 읽기(read) 동작을 수행하여 소거된 셀만 프로그램 하기 위한 프리-프로그램은 도 6에 도시된 바와 같이 읽기-확인 동작과 프로그램 동작을 반복할여 수행하지만 최종 프로그램 확인 동작은 로컬 클럭을 이용한 벌크 확인 동작에 의해 프리-프로그램 시간을 단축시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 현재 개발 중인 소자와 비교할 때, 1섹터를 512K 비트, 바이트 프로그램을 16μsec 라고 하면, 스택 게이트 셀의 1섹터의 프로그램 시간은 다음과 같다.
첫 째, 종래의 프로그램 방법에 의한 프로그램 시간은 512K = 219= 216*1K 바이트이므로, 216*16μsec = 1048sec 이다.
둘 째, 본 발명에 따른 프로그램 시간은 프로그램 단계를 실질적인 프로그램 시간과 로컬 클럭을 이용한 프로그램 시간을 합한 시간이 10μsec 라고 가정할 때, 프로그램 시간은 216*10μsec = 655sec 이므로, 40% 이상 프로그램 시간을 단축시킬 수 있게 된다.

Claims (2)

  1. 프로그램 하고자 하는 셀을 독출하여 확인한 후, 프로그램되지 않은 비틀들만을 프로그램하고, 상기 프로그램 하고자 하는 모든 셀의 프로그램을 완료한 후, 확인용 로컬 클럭을 사용해 프로그램 확인 동작을 벌크를 통해 별도로 수행 하도록 하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법.
  2. 셀의 소거 동작 명령에 따라 프리-프로그램을 수행할 때, 프로그램 하기 위한 펌핑 시간이 경과된 후, 바이트 또는 워드 단위로 벌크를 통해 프로그램을 수행하는 단계와,
    불량 셀의 확인 동작에 따라 정상이면 최종 섹터 어드레스 인지를 확인하는 단계와,
    상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스가 아니면, 어드레스를 증가시킨 후 상기 프로그램을 수행하는 단계로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하는 단계와,
    상기 불량 셀의 확인 동작에 따라 정상이 아니거나 상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스 이면 확인을 펌핑-다운 시간이 경과된 후 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 수행하여 셀의 정상 여부를 확인하는 단계와,
    상기 확인 결과 셀이 불량이면, 불량 셀에 대한 어드레스를 저장한 후 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수를 확인하는 단계와,
    상기 확인 결과 셀이 정상이면 상기 저장된 불량 셀에 대한 어드레스를 리셋 시키고, 최종 섹터 어드레스 인지를 확인하는 단계와,
    상기 확인 결과 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수가 아니면 루핑 횟수를 증가한 후 상기 프로그램을 수행하는 단계로 복귀하여 프로그램 동작을 반복 시행하는 단계와,
    상기 확인 결과 칩의 내부 카운터에 설정된 최대 루핑 횟수이면 셀이 불량임을 알리고 종료하는 단계와,
    상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스가 아니면 어드레스를 증가시킨 후 상기 로컬 클럭을 이용한 확인 동작을 수행하는 단계로 복귀하여 확인 동작을 반복 시행하는 단계와,
    상기 확인 결과 최종 섹터 어드레스 이면 셀이 정상임을 알리고 종료하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법.
KR1019960074998A 1996-12-28 1996-12-28 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법 Expired - Lifetime KR100237019B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960074998A KR100237019B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법
GB9727106A GB2320782B (en) 1996-12-28 1997-12-23 Method of pre-programming a flash memory cell
JP37026397A JPH10199273A (ja) 1996-12-28 1997-12-26 フラッシュメモリセルのプリプログラム方法
TW086119829A TW393603B (en) 1996-12-28 1997-12-27 Pre-programming flash memory
US08/998,952 US6076138A (en) 1996-12-28 1997-12-29 Method of pre-programming a flash memory cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960074998A KR100237019B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980055762A true KR19980055762A (ko) 1998-09-25
KR100237019B1 KR100237019B1 (ko) 2000-03-02

Family

ID=19491734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960074998A Expired - Lifetime KR100237019B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6076138A (ko)
JP (1) JPH10199273A (ko)
KR (1) KR100237019B1 (ko)
GB (1) GB2320782B (ko)
TW (1) TW393603B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6449625B1 (en) * 1999-04-20 2002-09-10 Lucent Technologies Inc. Use of a two-way stack approach to optimize flash memory management for embedded database systems
US6515904B2 (en) 2001-03-21 2003-02-04 Matrix Semiconductor, Inc. Method and system for increasing programming bandwidth in a non-volatile memory device
US6574145B2 (en) * 2001-03-21 2003-06-03 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for sensing while programming a non-volatile memory cell
ITRM20020148A1 (it) * 2002-03-18 2003-09-18 Micron Technology Inc Programmazione di memorie flash.
JP4260434B2 (ja) * 2002-07-16 2009-04-30 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 不揮発性半導体メモリ及びその動作方法
US7301821B1 (en) 2005-10-13 2007-11-27 Actel Corporation Volatile data storage in a non-volatile memory cell array
US8054684B2 (en) * 2009-12-18 2011-11-08 Sandisk Technologies Inc. Non-volatile memory and method with atomic program sequence and write abort detection
US10354723B2 (en) * 2017-06-29 2019-07-16 SK Hynix Inc. Memory device and method for programming the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0574182A (ja) * 1991-09-10 1993-03-26 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5621738A (en) * 1991-12-10 1997-04-15 Eastman Kodak Company Method for programming flash EEPROM devices
US5563823A (en) * 1993-08-31 1996-10-08 Macronix International Co., Ltd. Fast FLASH EPROM programming and pre-programming circuit design
US5537350A (en) * 1993-09-10 1996-07-16 Intel Corporation Method and apparatus for sequential programming of the bits in a word of a flash EEPROM memory array
KR0142638B1 (ko) * 1994-12-27 1998-08-17 김주용 플래쉬 메모리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
GB9727106D0 (en) 1998-02-25
KR100237019B1 (ko) 2000-03-02
GB2320782A8 (en) 1998-08-03
GB2320782B (en) 2001-06-20
GB2320782A (en) 1998-07-01
TW393603B (en) 2000-06-11
JPH10199273A (ja) 1998-07-31
US6076138A (en) 2000-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7047455B2 (en) Memory with element redundancy
JP3941149B2 (ja) 半導体不揮発性記憶装置
US6871258B2 (en) Method for erasing an electrically erasable nonvolatile memory device, in particular an eeprom-flash memory device, and an electrically erasable nonvolatile memory device, in particular an eeprom-flash memory device
US7196934B2 (en) Non-volatile memory with erase verify circuit having comparators indicating under-erasure, erasure, and over-erasure of memory cells
JP3672435B2 (ja) 不揮発性メモリ装置
US20050276119A1 (en) Memory block erasing in a flash memory device
JPH08190796A (ja) データリフレッシュ機能を有するフラッシュメモリ及びフラッシュメモリのデータリフレッシュ方法
US7437625B2 (en) Memory with element redundancy
JP2003141900A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR100237019B1 (ko) 플래쉬 메모리셀의 프리-프로그램 방법
US7640465B2 (en) Memory with element redundancy
US7075832B2 (en) Method for erasing an NROM cell
KR100519534B1 (ko) 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법
JPH05314783A (ja) 不揮発性半導体記憶装置の消去方法、消去機能を備えた不揮発性半導体記憶装置及び書込装置
KR100293633B1 (ko) 플래쉬 메모리 장치의 소거 방법
KR100305215B1 (ko) 플래쉬메모리셀의소거방법및그회로
US6977841B2 (en) Preconditioning of defective and redundant columns in a memory device
JP3148143B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR100301243B1 (ko) 플래쉬메모리의소거방법
JP3379765B2 (ja) 不揮発性メモリの制御装置及び方法
JPH05210993A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR20000010115A (ko) 플래쉬 메모리의 소거 방법
KR19980052496A (ko) 플래쉬 메모리셀의 과소거 된 셀 확인 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19961228

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19961228

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19990728

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19991005

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19991006

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020918

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030919

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040920

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050922

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060920

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070914

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080929

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090922

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100920

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110923

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120921

Start annual number: 14

End annual number: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130905

Year of fee payment: 15

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20130905

Start annual number: 15

End annual number: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140905

Year of fee payment: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20140905

Start annual number: 16

End annual number: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150907

Year of fee payment: 17

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20150907

Start annual number: 17

End annual number: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161005

Year of fee payment: 18

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20161005

Start annual number: 18

End annual number: 18

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term