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KR19980035300A - Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof - Google Patents

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KR19980035300A
KR19980035300A KR1019960053619A KR19960053619A KR19980035300A KR 19980035300 A KR19980035300 A KR 19980035300A KR 1019960053619 A KR1019960053619 A KR 1019960053619A KR 19960053619 A KR19960053619 A KR 19960053619A KR 19980035300 A KR19980035300 A KR 19980035300A
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forming
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Abstract

본 발명은 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 액정 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 다수의 게이트선과 데이터선이 형성되어 있고, 가장자리 둘레로 게이트선 및 데이터선과 일부 중첩되어 있는 화소 전극이 화소 영역에 형성되어 있다. 또한 화소 전극 상부의 가장자리 둘레에는 광차단막이 형성되어 있으며, 게이트선과 연결되어 있으며 데이터선과 평행하게 화소 영역의 가장자리에 게이트선의 분지가 형성되어 있다. 따라서 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에서는 별도의 사진 식각공정이 없이 보호막을 마스크로 하여 광차단막을 형성함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있고, 화소의 둘레로 광차단막을 형성하여 광차단 효과는 높일 수 있으며 또한, 상기와 같이 광차단막을 형성함으로서 다른 기판에 형성되는 블랙 매트릭스를 종래의 기술보다 좁은 폭으로 형성함으로서 개구율을 증대시키는 효과가 있다.The present invention relates to an active matrix substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an active matrix substrate constituting a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same. A plurality of gate lines and data lines are formed crossing each other to define a pixel region, and pixel electrodes partially overlapping the gate lines and data lines are formed in the pixel region around the edges. A light blocking film is formed around the edge of the upper portion of the pixel electrode, and is connected to the gate line, and a branch of the gate line is formed at the edge of the pixel region in parallel with the data line. Therefore, in the active matrix substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention, the manufacturing process can be simplified by forming a light blocking film using a protective film as a mask without a separate photo etching process, and a light blocking film is formed around the pixel to form a light blocking effect. In addition, by forming the light blocking film as described above, the black matrix formed on the other substrate is formed to have a narrower width than in the prior art, thereby increasing the aperture ratio.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof

본 발명은 액티브 매트릭스(active matrix) 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 액정 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix substrate and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an active matrix substrate constituting a liquid crystal display and a method of manufacturing the same.

첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에 대하여 더욱 자세하게 알아보면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a conventional active matrix substrate and a manufacturing method thereof will be described in more detail.

도 1은 종래의 기술에 따른 액티브 매트릭스 기판의 구조를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1에서 A-A 부분의 구조를 도시한 단면도이다.1 is a plan view showing the structure of an active matrix substrate according to the prior art, Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of the A-A portion in FIG.

도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 기술에 따른 액티브 매트릭스 기판은 투명한 절연 기판(1) 위에 다수의 게이트선(3)이 형성되어 있고, 이와 교차하는 다수의 데이터선(5)이 형성되어 있다. 다수의 게이트선(3)과 데이터선(5)이 교차하면서 정의되는 영역의 각각에는 화소 전극(7)이 형성되어 있으며, 화소 전극(7)의 가장자리는 데이터선(5)과 부분적으로 중첩되어 있다. 그리고 데이터선(5)과 화소 전극(7)이 중첩되어 있는 부분에는 데이터선(5)과 평행하게 광차단막(11)이 각각 형성되어 있다. 게이트선(3)과 데이터선(5)이 교차하는 부분에는 다수의 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있으며, 각각의 박막 트랜지스터(TFT)에는 게이트선(3)의 일부인 게이트 전극(31)을 중심으로 두개의 콘택홀(9a, 9b)이 형성되어 있다. 두개의 콘택홀(9a, 9b) 중에 하나(9a)를 통하여 데이터선(5)과 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(도시하지 않음)이 연결되어 있으며, 나머지 하나(9b)를 통하여 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(도시하지 않음)과 화소 전극(7)이 연결되어 있다.As shown in FIG. 1, in the active matrix substrate according to the related art, a plurality of gate lines 3 are formed on a transparent insulating substrate 1, and a plurality of data lines 5 intersecting with the plurality of gate lines 3 are formed. The pixel electrode 7 is formed in each of the regions defined by the crossing of the plurality of gate lines 3 and the data lines 5, and the edges of the pixel electrodes 7 partially overlap the data lines 5. have. In the portion where the data line 5 and the pixel electrode 7 overlap each other, the light blocking film 11 is formed in parallel with the data line 5. A plurality of thin film transistors (TFTs) are formed at a portion where the gate line 3 and the data line 5 intersect, and each thin film transistor TFT has a center of the gate electrode 31 which is a part of the gate line 3. Two contact holes 9a and 9b are formed. The data line 5 and the semiconductor layer (not shown) of the thin film transistor TFT are connected through one 9a of the two contact holes 9a and 9b, and the thin film transistor is connected through the other 9b. The drain electrode (not shown) of the TFT and the pixel electrode 7 are connected.

도 2는 도 1의 A 부분을 도시한 단면도로서, 투명한 기판(1) 위에 게이트 절연막(2)이 형성되어 있고, 그 위에 두개의 데이터선(5)이 분리되어 형성되어 있다. 그리고 데이터선(5)을 덮는 층간 절연막(4)이 기판(1) 위에 형성되어 있고, 층간 절연막(4) 상부에 형성되어 있으며 각각의 데이터선(5)과 대응하는 부분이 분리되어 있는 광차단막(11)이 데이터선(5)을 중심으로 각각 일부 중첩되어 형성되어 있다. 광차단막(11)의 일부 및 층간 절연막(4)을 덮는 화소 전극(7)이 데이터선(5)과 대응하는 부분에서 분리되어 형성되어 있다.FIG. 2 is a cross-sectional view of part A of FIG. 1, in which a gate insulating film 2 is formed on a transparent substrate 1, and two data lines 5 are separated thereon. An interlayer insulating film 4 covering the data line 5 is formed on the substrate 1, is formed on the interlayer insulating film 4, and the light blocking film in which portions corresponding to the respective data lines 5 are separated. Part 11 overlaps with the data line 5, respectively. A pixel electrode 7 covering a portion of the light blocking film 11 and the interlayer insulating film 4 is formed separately from the portion corresponding to the data line 5.

이러한 종래의 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은 기판(1) 위에 데이터선(5)을 형성하는 공정까지는 일반적인 액정 표시 장치용 기판을 제조하는 방법과 동일하다.Such a conventional method of manufacturing an active matrix substrate is the same as a method of manufacturing a substrate for a general liquid crystal display device up to a step of forming a data line 5 on the substrate 1.

데이터선(5)을 덮는 층간 절연막(4)을 형성하고, 기판(1) 위에 스퍼터링 방법을 이용하여 금속막을 증착하고 패터닝하여 광차단막(11)을 형성하고 차례로 화소 전극(7)을 형성한다.An interlayer insulating film 4 covering the data line 5 is formed, a metal film is deposited and patterned on the substrate 1 using a sputtering method to form a light blocking film 11, and then a pixel electrode 7 is formed.

그러나 이러한 종래의 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에서는 광차단막을 증착하기 위하여 금속막을 증착하고 패터닝하는 사진식각 공정이 추가로 필요하다는 번거로움이 있다. 또한, 광 차단막이 하나의 단위 화소에서 데이터선과 평행한 부분인 화소 전극의 양쪽 가장자리에만 형성되어 있으므로 게이트선과 평행한 부분을 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스(black matrix)를 다른 기판에 넓게 형성하여 개구율이 떨어지는 문제점을 가지고 있다.However, such a conventional active matrix substrate and a method of manufacturing the same have a problem in that a photolithography process of depositing and patterning a metal film is additionally required to deposit a light blocking film. In addition, since the light blocking film is formed only at both edges of the pixel electrode which is a part parallel to the data line in one unit pixel, a black matrix for blocking light in a part parallel to the gate line is widely formed on the other substrate to open the aperture ratio. This has the problem of falling.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광차단막을 형성하는 공정을 최소화하고 블랙 매트릭스를 최소로 형성하여 개구율을 극대화하는데 있다.The present invention is to solve this problem, to minimize the process of forming the light blocking film and to minimize the formation of the black matrix to maximize the aperture ratio.

도 1 은 종래의 기술에 따른 액티브 매티릭스 기판의 구조를 도시한 평면도이고,1 is a plan view showing the structure of an active matrix substrate according to the prior art,

도 2 는 도 1에서 A-A 부분의 구조를 도시한 단면도이고,2 is a cross-sectional view showing the structure of the A-A portion in FIG.

도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 구조를 도시한 평면도이고,3 is a plan view showing the structure of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention,

도 4 내지 8 은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 평면도이고,4 to 8 are plan views showing a method of manufacturing an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention according to a process sequence thereof;

도 9 및 도 10 은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도이다.9 and 10 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention in the order of their processes.

이러한 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판은 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 다수의 게이트선과 데이터선이 형성되어 있고, 가장자리 둘레로 게이트 선 및 데이터선과 일부 중접되어 있는 화소 전극이 화소 영역에 형성되어 있다. 또한 화소 전극 상부의 가장자리 둘레에는 광차단막이 형성되어 있으며, 게이트선과 연결되어 있으며 데이터선과 평행하게 화소 영역의 가장자리에 게이트선의 분지가 형성되어 있다.In the active matrix substrate according to the present invention, a plurality of gate lines and data lines intersecting with each other to define a pixel region are formed, and pixel electrodes partially overlapping the gate lines and data lines are formed in the pixel region around the edges. A light blocking film is formed around the edge of the upper portion of the pixel electrode, and is connected to the gate line, and a branch of the gate line is formed at the edge of the pixel region in parallel with the data line.

이러한 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은 서로 교차하여 화소 영역을 정의하는 게이트선과 데이터선을 형성한다. 다음, 게이트선과 데이터선과 동일하게 형성되어 있는 게이트 전극, 데이터 전극 및 소스 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터를 형성하고 투명한 도전막 및 금속막을 차례로 증착하고 가장자리 부분이 게이트선 및 데이터선과 중첩되도록 패터닝하여 화소 전극을 형성한다. 이어 기판 상부에 화소 영역 이외의 부분에 보호막을 마스크로 하여 금속막을 패터닝하여 화소 전극의 가장자리 둘레에만 남기도록 하여 광차단막을 형성한다.The method of manufacturing an active matrix substrate according to the present invention crosses each other to form gate lines and data lines defining pixel regions. Next, the pixel electrode is formed by forming a thin film transistor including a gate electrode, a data electrode, and a source electrode formed in the same manner as the gate line and the data line, depositing a transparent conductive film and a metal film in sequence, and patterning the edge portion to overlap the gate line and the data line. Form. Subsequently, a light shielding film is formed by patterning a metal film using a protective film as a mask on portions other than the pixel area on the substrate so that only the edge of the pixel electrode is left.

이러한 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법에서는 화소 전극용 도전막과 광차단용 금속막을 차례로 형성하고 이후에 형성되는 보호막을 마스크로 하여 광차단막을 형성하게 된다. 또한 광차단막을 화소 전극의 둘레에 형성하므로 배선이 형성되어 있는 부분으로 투과하는 빛이 줄어든다.In the method of manufacturing an active matrix substrate according to the present invention, the conductive film for the pixel electrode and the light blocking metal film are sequentially formed, and then the light blocking film is formed using the protective film formed thereafter as a mask. In addition, since the light blocking film is formed around the pixel electrode, light transmitted to the portion where the wiring is formed is reduced.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법의 한 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.An embodiment of an active matrix substrate and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 구조를 도시한 평면도이다.3 is a plan view showing the structure of an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판은 투명한 절연 기판(100) 위에 다수의 게이트선(300)이 가로 방향으로 형성되어 있으며, 화소 영역을 정의하는 게이트선(300)의 분지(310)가 세로 방향으로 일부가 서로 연결되어 있는 두 부분으로 각각 형성되어 있다. 그리고 세로 방향으로 다수의 데이터선(500)고, 동일한 물질로 이루어진 소스 전극(510)이 가로 방향으로 화소 영역의 하부를 정의하면서 데이터선(500)과 분리되어 형성되어 있다.As shown in FIG. 3, in the active matrix substrate according to the present invention, a plurality of gate lines 300 are formed in a horizontal direction on a transparent insulating substrate 100, and a branch of the gate lines 300 defining a pixel region ( 310 is formed of two parts, each of which is connected to each other in the longitudinal direction. A plurality of data lines 500 in the vertical direction and a source electrode 510 made of the same material are formed to be separated from the data lines 500 while defining a lower portion of the pixel area in the horizontal direction.

여기서 데이터선(500)의 양쪽 가장자리는 게이트선(300)의 분지(310)와 일부 중첩되어 있으며, 게이트선(300)과 데이터선(500)이 교차하는 부분에는 소스 전극(510), 드레인 전극(520) 및 게이트 전극(320)을 단자로 하는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다.Here, both edges of the data line 500 partially overlap the branch 310 of the gate line 300, and the source electrode 510 and the drain electrode are disposed at the intersection of the gate line 300 and the data line 500. A thin film transistor (TFT) is formed using the terminal 520 and the gate electrode 320 as a terminal.

게이트선(300), 게이트선(300)의 분지(310) 및 소스 전극(510)으로 정의되는 화소 영역에는 가장자리 부분이 일부 중첩되어 투명한 화소 전극(700)이 형성되어 있으며, 화소 전극(700)의 가장자리 둘레에는 불투명한 물질로 이루어진 광차단막(110)이 형성되어 있다.In the pixel area defined by the gate line 300, the branch 310 of the gate line 300, and the source electrode 510, a portion of an edge thereof overlaps to form a transparent pixel electrode 700, and the pixel electrode 700 is formed. Around the edge of the light blocking film 110 made of an opaque material is formed.

이러한 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은 다음과 같이 이루어진다.The manufacturing method of the active matrix substrate according to the present invention is as follows.

도 4 내지 8은 본 발명의 실시예에 다른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 평면도이고, 도 9 및 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법을 그 공정 순서에 따라 도시한 단면도로서 도 4 내지 도 8에서 B 및 C 부분을 차례로 각각 도시한 것이다.4 to 8 are plan views showing an active matrix substrate manufacturing method according to the process sequence according to the embodiment of the present invention, and FIGS. 9 and 10 illustrate a method of manufacturing an active matrix substrate according to an embodiment of the present invention. Sections B and C in FIG. 4 to FIG. 8 are shown in sequence as shown in the order of the processes, respectively.

도 4에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법은 기판(100) 상부에 금속막을 형성하고 패터닝하여 가로 방향으로 게이트선(300)을 형성하고, 이와 연결되어 있으며 화소 영역을 정의하는 세로 방향의 게이트선(300)의 분지(310) 및 게이트 전극(320)을 형성한다(도 9a 및 도 10a 참조). 여기서 분지(310)는 두 부분으로 평행하고, 서로 연결되도록 형성하며, 이후에 형성되는 화소 전극과 데이터선 사이에 투과되는 빛을 차단하기 위한 광차단용으로 사용된다.As shown in FIG. 4, in the method of manufacturing an active matrix substrate according to an exemplary embodiment of the present invention, a gate layer 300 is formed in a horizontal direction by forming and patterning a metal film on the substrate 100, and connected to the pixel. A branch 310 and a gate electrode 320 of the vertical gate line 300 defining the region are formed (see FIGS. 9A and 10A). The branch 310 is formed to be parallel to each other and connected to each other, and is used for light blocking to block light transmitted between the pixel electrode and the data line.

이어 도 5에서 보는 바와 같이, 기판(100) 위에 질화막, 비정질 실리콘층, 고농도 N형 불순물로 도핑되어 있는 비정질 실리콘층을 차례로 증착하고, 비정질 실리콘층, 고농도 N형 불순물로 도핑되어 있는 비정질 실리콘층을 패터닝하여 게이트 절연막(200), 콘택층(410) 및 활성층(400)을 형성한다(도 9b 및 도 10b 참조).Subsequently, as shown in FIG. 5, a nitride film, an amorphous silicon layer, and an amorphous silicon layer doped with a high concentration N-type impurity are sequentially deposited on the substrate 100, and an amorphous silicon layer is doped with an amorphous silicon layer and a high concentration N-type impurity. Patterning to form the gate insulating film 200, the contact layer 410 and the active layer 400 (see Figs. 9b and 10b).

다음 도 6에서 보는 바와 같이, 기판(100) 위에 금속막을 증착하고 패터닝하여 게이트선(300)과 교차하는 데이터선(500) 및 드레인 전극(510)을 형성한다. 아울러, 게이트선(300)과 이웃하는 부분에 게이트선(300)과 평행하게 소스 전극(520)을 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다(도 9a 및 도 10c 참조). 여기서 데이터선(500)은 게이트선(300)의 분지(310)와 일부 중첩되도록 형성하여, 앞에서 언급한 바와 같이 광차단 기능을 갖도록 하며, 소스 전극(510)도 게이트선(300)과 평행하게 형성하여 광차단 기능을 갖도록 형성한다. 또한 화소 영역에서 게이트선(300) 및 그 분지(310)가 형성되지 않은 부분은 데이터선(500)의 폭을 조절하여 화소 영역 둘레를 형성하여 광차단 기능의 효과를 높이는 것도 가능하다.Next, as shown in FIG. 6, a metal film is deposited and patterned on the substrate 100 to form a data line 500 and a drain electrode 510 crossing the gate line 300. In addition, a thin film transistor TFT is formed by forming a source electrode 520 in a portion adjacent to the gate line 300 in parallel with the gate line 300 (see FIGS. 9A and 10C). The data line 500 is formed to partially overlap the branch 310 of the gate line 300 to have a light blocking function as described above, and the source electrode 510 is also parallel to the gate line 300. It is formed to have a light blocking function. In addition, the portion of the pixel area where the gate line 300 and the branch 310 are not formed may be formed around the pixel area by adjusting the width of the data line 500 to increase the effect of the light blocking function.

도 7에서 보는 바와 같이 기판(100) 상부에 전극용으로 사용되는 투명한 도전막 및 금속막을 차례로 증착하고 화소용 마스크로 패터닝하여 화소 전극(700)을 형성한다. 이때, 금속막(110a)은 데이터선(500)을 형성한 금속과 식각 선택비가 있는 금속을 사용한다. 화소 전극(700) 상부에는 금속막(110a)이 남아 있는 상태이며, 화소 영역의 둘레에 형성되어 있는 게이트선의 분지(310), 게이트선(300)의 일부 및 소스 전극(510)과 일부 중첩되어 있다(도 9d 및 도 10d 참조). 이 부분은 앞에서 설명한 바와 같이 광차단 기능을 가짐과 동시에 신호 인가시에는 보조 용량을 형성하는 기능을 갖는다.As shown in FIG. 7, the transparent conductive film and the metal film used for the electrode are sequentially deposited on the substrate 100 and patterned with a pixel mask to form the pixel electrode 700. In this case, the metal film 110a uses a metal having an etching selectivity with a metal on which the data line 500 is formed. The metal film 110a remains on the pixel electrode 700 and partially overlaps the branch 310 of the gate line, a portion of the gate line 300, and a source electrode 510 formed around the pixel area. (See FIGS. 9D and 10D). As described above, this part has a light blocking function and a function of forming a storage capacitor when a signal is applied.

마지막으로 도 8에서 보는 바와 같이, 기판(100) 위에 산화막 또는 질화막을 증착한 다음, 패터닝하여 화소 전극(700)의 중앙부가 노출되도록 하여 박막 트랜지스터(TFT), 게이트선(300), 게이트선(300)의 분지(310), 데이터선(500) 및 화소 전극(510)을 보호하기 위한 보호막(600)을 형성한다. 이어 보호(600)막을 마스크로 하여 화소 전극(700) 상부에 있는 금속막(100a)의 일부를 식각하여 광차단막(110)을 형성한다.Finally, as shown in FIG. 8, an oxide film or a nitride film is deposited on the substrate 100, and then patterned to expose the center portion of the pixel electrode 700 so as to expose the thin film transistor TFT, the gate line 300, and the gate line ( A passivation layer 600 is formed to protect the branch 310, the data line 500, and the pixel electrode 510 of 300. Subsequently, a portion of the metal film 100a on the pixel electrode 700 is etched by using the protective 600 film as a mask to form the light blocking film 110.

이러한 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에서는 화소 전극 위에 금속막을 차례로 증착한 다음 보호막을 마스크로 하여 화소 전극의 둘레에만 금속막을 남김으로써 남겨진 금속막을 광차단막으로 사용하고, 또한 이를 이용하여 보조 용량을 조절할 수 있다.In the active matrix substrate and the method of manufacturing the same according to the present invention, a metal film is sequentially deposited on the pixel electrode, and then the metal film is left as a light blocking film by leaving the metal film only around the pixel electrode using the protective film as a mask. The dose can be adjusted.

따라서 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법에서는 별도의 사진 식각공정이 없이 보호막을 마스크로 하여 광차단막을 형성함으로써 제조 공정을 단순화할 수 있고, 화소의 둘레로 광차단막을 형성하여 광차단 효과는 높일 수 있으며 또한, 상기와 같이 광차단막을 형성함으로써 다른 기판에 형성되는 블랙 매트릭스를 종래의 기술보다 좁은 폭으로 형성함으로써 개구율을 증대시키는 효과가 있다.Therefore, in the active matrix substrate and the manufacturing method thereof according to the present invention, the manufacturing process can be simplified by forming a light blocking film using a protective film as a mask without a separate photo etching process, and a light blocking film is formed around the pixel to form a light blocking effect. In addition, by forming the light blocking film as described above, the black matrix formed on the other substrate is formed to have a narrower width than in the prior art, thereby increasing the aperture ratio.

Claims (8)

투명한 절연 기판 위에 배열되어 있는 데이터선,Data lines arranged on a transparent insulating substrate, 상기 데이터선과 교차하여 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed to cross the data line; 상기 게이트선과 연결되어 있으며 상기 데이터선과 일부 중첩되어 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 광차단용 분지,A light blocking branch connected to the gate line and partially overlapping the data line to be formed in parallel with the data line; 상기 게이트선과 상기 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 형성되어 있으며, 상기 게이트선 및 데이터선의 일부와 가장자리 부분이 중첩되어 있는 화소 전극,A pixel electrode formed in the pixel area defined by the gate line and the data line, wherein a portion of the gate line and the data line and an edge portion overlap each other; 상기 화소 전극의 둘레에 형성되어 있는 광차단막을 포함하는 액티브 매트릭스 기판.An active matrix substrate comprising a light blocking film formed around the pixel electrode. 청구항 1에서,In claim 1, 상기 게이트선과 평행하게 형성되어 있으며 상기 화소 전극의 가장자리 부분이 연결되어 소스 전극을 더 포함하는 액티브 매트릭스 기판.An active matrix substrate formed in parallel with the gate line and connected to an edge portion of the pixel electrode to further include a source electrode. 청구항 2에서,In claim 2, 상기 소스 전극은 상기 광차단막의 일부와 중첩되어 있는 액티브 매트릭스 기판.And the source electrode overlaps a portion of the light blocking film. 청구항 3에서,In claim 3, 상기 광차단용 분지는 상기 데이터선의 양쪽 가장자리에 두 부분으로 각각 형성되어 있으며 일부가 서로 연결되어 있는 액티브 매트릭스 기판.And the light blocking branch is formed in two portions at both edges of the data line, and portions thereof are connected to each other. 청구항 4에서,In claim 4, 상기 광차단막 상부에 형성되어 있는 보호막을 더 포함하는 액티브 매트릭스 기판.And a passivation layer formed on the light blocking layer. 투명한 절연 기판 위에 다수의 게이트선을 형성하는 단계,Forming a plurality of gate lines on the transparent insulating substrate, 상기 게이트선 일부 위에 게이트 절연막 및 활성 영역을 형성하는 단계,Forming a gate insulating layer and an active region on a portion of the gate line; 상기 게이트선과 교차하여 화소 영역을 만드는 데이터선을 형성하는 단계,Forming a data line crossing the gate line to form a pixel region; 상기 기판 상부에 투명한 도전막과 불투명막을 증착하고 상기 게이트선과 상기 데이터선이 일부 중첩되는 부분을 경계로 상기 화소 영역을 제외한 부분을 식각하여 화소 전극을 형성하는 단계,Depositing a transparent conductive layer and an opaque layer on the substrate, and forming a pixel electrode by etching a portion except the pixel region on a portion where the gate line and the data line partially overlap each other; 상기 기판 위에 절연막을 증착하고 상기 화소 전극 상부에 있는 상기 불투명 막의 가장자리 둘레만 남기고 노출되도록 상기 절연막을 식각하여 보호막을 형성하는 단계,Depositing an insulating film on the substrate and etching the insulating film to form a passivation layer so as to leave the circumference of the opaque film on the pixel electrode. 상기 보호막을 마스크로 하여 상기 불투명막을 식각하여 광차단막을 형성하는 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.Forming a light blocking film by etching the opaque film using the protective film as a mask. 청구항 6에서,In claim 6, 상기 게이트선을 형성하는 동시에 상기 게이트선과 연결되어 있으며 상기 데이터선과 상기 화소 전극이 중첩되는 부분에 광차단용 분지를 형성하는 단계를 더 포함하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.And forming a light blocking branch on a portion of the gate line and connected to the gate line and overlapping the data line and the pixel electrode. 청구항 7에서,In claim 7, 상기 데이터선을 형성하는 동시에 상기 게이트선과 평행하고 상기 화소 전극의 일부와 중첩되는 소스 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.And forming a source electrode parallel to the gate line and overlapping a portion of the pixel electrode while forming the data line.
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