KR102786251B1 - 열전도성 박막 형상 경화물 및 그 제조 방법, 및 열전도성 부재 - Google Patents

Abstract

취급 가능한 실리콘 조성물의 경화물로서, 부재에의 전사성, 박리 후의 취급성이 양호하고, 고온하에서도 발열성 소자와 양호한 접착 강도를 나타내는, 열전도성 박막 형상 경화물을 제공한다. (a) 1 분자에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산: 100질량부, (b) 열전도성 충전제: 200∼2,000질량부, (c) 1 분자에 2개 이상의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산: Si-H/알케닐기가 0.5∼50.0이 되는 양, (d) 백금족 금속계 화합물: 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량), (e) 반응제어제: 필요량, (f) 실리콘 레진: 50∼300질량부, (g) 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분: 0.1∼20질량부를 함유하는 실리콘 조성물을 경화시킨 열전도성 박막 형상 경화물.

Description

열전도성 박막 형상 경화물 및 그 제조 방법, 및 열전도성 부재

본 발명은 열전도성 경화물, 특히는 발열성 소자의 냉각을 위해, 발열성 소자의 열 경계면과, 히트싱크 또는 회로기판 등의 방열 부재와의 사이에 개재할 수 있는, 열전도성 박막 형상 경화물 및 그 제조 방법, 및 열전도성 부재에 관한 것이다.

컨버터나, 전원 등의 전자기기에 사용되는 트랜지스터나 다이오드, 조명이나 디스플레이의 광원이 되는 LED 소자 등의 반도체는, 고성능화·고속화·소형화·고집적화에 따라, 그것 자신이 대량의 열을 발생하게 되고, 그 열에 의한 기기의 온도상승은 동작 불량, 파괴를 일으킨다. 그 때문에 동작 중의 반도체의 온도 상승을 억제하기 위한 많은 열방산 방법 및 그것에 사용하는 열방산 부재가 제안되었다.

종래, 전자기기 등에서는, 동작 중의 반도체의 온도 상승을 억제하기 위해, 알루미늄이나, 구리 등 열전도율이 높은 금속판을 사용한 히트싱크나, 하우징 등의 냉각 부재에, 열전도성 재료를 통하여 반도체로부터 발생하는 열을 전달하여 분위기와의 온도차에 의해 외부로 방열시키고 있었다. 열전도성 재료로서는 절연성을 가지는 열전도성 시트가 많이 사용되고 있다. 그리고 냉각 부재와 반도체를 고정하는 경우, 나사나 클립 등이 사용되고 있다. 또한, 그 사이에 개재하는 열전도성 시트도 나사나 클립에 의한 가압으로 고정되고 있다. 그러나, 나사나 클립을 사용하는 고정 방법은 나사나 클립을 준비하고, 하우징, 반도체 소자, 기판 등에 나사 고정을 위한 구멍을 뚫고, 고정한다고 하는 공정을 거치지 않으면 안 되어, 부품수, 공정 모두 증가해 버려, 제조 효율을 생각한 경우, 대단히 불리하다. 또한, 나사나 클립과 같은 부품 때문에, 전자기기 자체의 소형화나 초박형화가 저지되어 버려, 제품 설계상에서도 대단히 불리하다. 그래서, 냉각 부재와 반도체와의 사이에 개재시키는 열전도성 시트에 점착성을 부여하여, 하우징과 반도체 소자를 고정하는 방법이 고려된다.

구체적으로는, 열전도성 시트의 양면에 점착제를 도포하여 점착제 코팅 열전도성 시트로 하는 방법이 있지만, 점착제 자체에는 열전도성이 없기 때문에, 점착제 코팅 열전도성 시트는 열의 전달이 현저하게 나빠진다. 그래서, 점착재에 열전도성 충전재를 충전한 열전도성 점착테이프가 알려져 있다(특허문헌 1: 일본 특개 2014-34652호 공보, 특허문헌 2: 일본 특개 2014-62220호 공보, 특허문헌 3: 일본 특개 2002-121529호 공보). 특히, 그 내열성, 내한성, 내구성으로, 실리콘을 폴리머로서 사용한 열전도성 실리콘 점착테이프가 알려져 있다(특허문헌 4: 일본 특허 제5283346호 공보). 그러나, 점착테이프는 일반적인 접착 재료와 비교하여 특히 고온에서의 접착 강도가 뒤떨어진다고 하는 과제가 있었다. 또 가열 경화형의 접착제에 따라서는, 도포시의 작업 공정이 번잡하게 되기 때문에, 점착 시트보다도 작업성이 뒤떨어진다고 하는 과제가 있었다.

일본 특개 2014-34652호 공보 일본 특개 2014-62220호 공보 일본 특개 2002-121529호 공보 일본 특허 제5283346호 공보

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 단층·박막이어도 용이하게 취급 가능한 실리콘 조성물의 경화물로서, 부재에의 전사성, 박리 후의 취급성이 양호하며, 고온하에서도 발열성 소자와 양호한 접착 강도를 나타내는, 열전도성 박막 형상 경화물 및 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 열전도성 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 부가 반응 경화형의 실리콘 고무 조성물에 열전도성 충전제를 배합함과 아울러, 실리콘 레진 및, 특정 접착 성분을 적당량 배합한 실리콘 조성물의 열전도성 박막 형상 경화물이, 후술하는 실시예에 나타낸 바와 같이, 부재에의 전사성, 박리 후의 취급성이 양호하며, 또한 고온하에서도 발열성 소자와 양호한 접착 강도를 나타내고, 발열성 소자와 방열 부재의 사이에 개재하여 발열성 소자로부터 발생하는 열을 방열 부재에 전달하기 위한 열전도성 부재로서 대단히 유효한 것을 발견하고, 본 발명을 이루게 된 것이다.

따라서, 본 발명은 하기 열전도성 박막 형상 경화물 및 그 제조 방법, 및 열전도성 부재를 제공한다.

1. (a) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산: 100질량부,

(b) 열전도성 충전제: 200∼2,000질량부,

(c) 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산: ((c) 성분의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 개수)/((a) 성분의 알케닐기의 개수)가 0.5∼50.0이 되는 양,

(d) 백금족 금속계 화합물: 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량),

(e) 반응제어제: 필요량,

(f) 실리콘 레진: 50∼300질량부, 및

(g) 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분: 0.1∼20질량부

(g-1) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물

(n은 1∼15의 정수이다.)

(g-2) 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물

을 함유하는 실리콘 조성물을 경화시킨 열전도성 박막 형상 경화물.

2. (f) 성분이 R¹ ₃SiO_{1 /2} 단위(R¹은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기를 나타낸다.)와 SiO_{4 / 2} 단위를 포함하고, (R¹ ₃SiO_{1 / 2} 단위)/(SiO_4/2 단위)로 표시되는 몰비가 0.1∼3.0인 실리콘 레진인 1 기재의 열전도성 박막 형상 경화물.

3. 또한, 실리콘 조성물이 하기 (h-1) 및 (h-2)

(h-1): 하기 일반식 (2)

R² _aR³ _bSi(OR⁴)_{4 -a- b} (2)

(식 중, R²는 독립적으로 탄소 원자수 6∼15의 알킬기이고, R³은 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1∼8의 1가 탄화수소기이고, R⁴는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이고, a는 1∼3의 정수, b는 0∼2의 정수이며, 단, a+b는 1∼3의 정수이다.)

로 표시되는 알콕시실란 화합물

(h-2): 하기 일반식 (3)

(식 중, R⁵는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이며, c는 5∼100의 정수이다.)

으로 표시되는 분자쇄 편말단이 트리알콕시기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산으로부터 선택되는 1종 이상의 표면처리제: 0.1∼40질량부를 함유하는 1 또는 2 기재의 열전도성 박막 형상 경화물.

4. (b) 성분이 금속, 산화물 및 질화물로부터 선택되는 열전도성 충전제인 1∼3 중 어느 하나에 기재된 열전도성 박막 형상 경화물.

5. 상기 실리콘 조성물을 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시키는 공정을 포함하는, 1∼4 중 어느 하나에 기재된 열전도성 박막 형상 경화물을 제조하는 제조 방법.

6. 표면 이형 처리에 사용하는 처리 성분이 불소 치환기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘인 5 기재의 제조 방법.

7. 상기 실리콘 조성물을 실리콘 접착제용의 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시킨, 상기 기재와 열전도성 박막 형상 경화물을 가지는 열전도성 부재.

8. 표면 이형 처리에 사용하는 처리 성분이 불소 치환기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘인 7 기재의 열전도성 부재.

본 발명의 열전도성 박막 형상 경화물은 부재에의 전사성, 단층, 박막이어도, 박리 후의 취급성이 양호하고, 발열성 소자나 방열 부재에 점착되어 용이하게 고정할 수 있다. 또한, 고온하에서도 발열성 소자와 양호한 접착 강도를 나타낸다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.

[(a) 성분]

(a) 성분은 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산이며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당하게 조합하여 사용할 수 있다. (a) 성분으로서 구체예에는, 하기 평균 구조식 (4)∼(6)으로 표시되는 것을 들 수 있다.

(식 중, R⁶은 독립적으로 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기, X는 알케닐기이다. d 및 e는 각각 0 또는 1 이상의 정수, f는 1 이상의 정수, g는 2 이상의 정수이다.)

R⁶의 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 바이페닐릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 메틸벤질기 등의 아랄킬기, 및 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환된 기, 예를 들면, 클로로메틸기, 2-브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기, 시아노에틸기, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실기 등의 탄소 원자수가 1∼10, 특히 탄소 원자수가 1∼6의 것을 들 수 있고, 이것들 중에서도 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등의 탄소 원자수 1∼3의 비치환 또는 치환의 알킬기, 및 페닐기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기 등의 비치환 또는 치환의 페닐기이다. 또한, R⁶은 모두가 동일하여도 상이하여도 된다. R⁶에는 내용제성 등의 특수한 특성을 요구받지 않는 한, 비용, 그 입수 용이성, 화학적 안정성, 환경 부하 등의 점에서, 모두 메틸기가 선택되는 것이 바람직하다.

X의 알케닐기로서는, 예를 들면, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 등의, 탄소 원자수 2∼8의 것을 들 수 있고, 그중에서도 비닐기, 알릴기 등의 저급 알케닐기가 바람직하고, 비닐기가 보다 바람직하다.

d는 0 또는 1 이상의 정수이며, 10≤d≤10,000이 바람직하고, 보다 바람직하게는 50≤d≤2,000이며, 더욱 바람직하게는 100≤d≤1,000이다.

e는 0 또는 1 이상의 정수이며, 0≤e/(d+e)≤0.5가 바람직하고, 0≤e/(d+e)≤0.1이 보다 바람직하다.

f는 1 이상의 정수이며, 0<f/(d+f)≤0.5가 바람직하고, 0<f/(d+f)≤0.1이 보다 바람직하다.

g는 2 이상의 정수이며, 0<g/(d+g)≤0.5가 바람직하고, 0<g/(d+g)≤0.1이 보다 바람직하다.

(a) 성분의 오가노폴리실록산은 오일 형상이어도 검 형상이어도 되고, 또 1종 단독으로 사용해도, 복수의 다른 점도의 것을 병용해도 상관없다. 그 평균 중합도는 10∼100,000이 바람직하고, 100∼10,000이 더욱 바람직하다. 또한, 중합도는 톨루엔을 전개 용매로 한 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 분석에 있어서의 폴리스티렌 환산값으로서 구할 수 있고, 수평균 중합도이다(이하, 동일).

[(b) 성분]

(b) 성분의 열전도성 충전제는 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는, 비자성의 구리, 알루미늄 등의 금속, 산화알루미늄(알루미나), 실리카, 마그네시아, 벵갈라, 베릴리아, 티타니아, 산화지르코늄 등의 산화물, 질화알루미늄, 질화규소, 질화붕소 등의 질화물, 인공 다이아몬드, 탄화규소 등을 들 수 있다. 그중에서도, 금속, 산화물, 질화물이 바람직하고, 산화알루미늄, 질화붕소, 수산화알루미늄이 보다 바람직하다.

열전도성 충전제의 평균 입경은 0.1∼100㎛가 바람직하고, 0.5∼50㎛가 보다 바람직하고, 0.5∼30㎛가 더욱 바람직하다. 이들 열전도성 충전제는 1종 단독으로 사용해도 되고, 복수종을 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 평균 입경이 다른 입자를 2종 이상 사용하는 것도 가능하다. 또한, 본 발명에 있어서, 평균 입경은 마이크로 트랙(레이저 회절착란법)에 의한 체적평균 입경(MV값)이며, 예를 들면, 마이크로 트랙 입도분포 측정 장치 MT3300EX(니키소 가부시키가이샤)에 의해 측정할 수 있다.

(b) 성분의 배합량은 (a) 성분 100질량부에 대하여 200∼2,000질량부이며, 바람직하게는 500∼1,500질량부이다. 열전도성 충전제의 배합량이 지나치게 많으면 유동성이 상실되어, 성형이 곤란하게 되고, 지나치게 적으면 원하는 열전도성을 얻을 수 없다.

[(c) 성분]

1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산은 분자쇄에 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자(즉 Si-H기)를 적어도 2개, 바람직하게는 3개 이상 가지는 것이다. 또한, (c) 성분의 오가노하이드로젠폴리실록산은 페닐렌계 골격을 가지는 것이 아니다. 이러한 오가노하이드로젠폴리실록산으로서, 구체적으로는, 하기 평균 구조식 (7)∼(9)로 표시되는 것을 들 수 있다.

(식 중, R⁷은 독립적으로 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, h는 0 또는 1 이상의 정수, i는 2 이상의 정수, j는 1 이상의 정수, k는 0 또는 1 이상의 정수이다.)

상기 식 (7)∼(9) 중, R⁷의 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 바이페닐릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 메틸벤질기 등의 아랄킬기, 및 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환된 기, 예를 들면, 클로로메틸기, 2-브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기, 시아노에틸기, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실기 등의 탄소 원자수가 1∼10, 특히 탄소 원자수가 1∼6의 것을 들 수 있고, 이것들 중에서도, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등의 탄소 원자수 1∼3의 비치환 또는 치환의 알킬기 및 페닐기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기 등의 비치환 또는 치환의 페닐기이다. 또한, R⁷은 모두가 동일하여도 상이하여도 되지만, R⁶과 동일한 치환기인 것이 바람직하다. R⁷은 R⁶과 마찬가지로, 내용제성 등의 특수한 특성을 요구받지 않는 한, 비용, 그 입수 용이성, 화학적 안정성, 환경 부하 등의 점에서, 모두 메틸기가 바람직하다.

또한, 식 중의 h는 0 또는 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 0∼500이며, 보다 바람직하게는 5∼100이다. i는 2 이상의 정수이며, 바람직하게는 2∼100이고, 보다 바람직하게는 2∼50이다. j는 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 1∼100이고, 보다 바람직하게는 1∼50이다. k는 0 또는 1 이상의 정수이며, 바람직하게는 0∼100이고, 보다 바람직하게는 0∼50이다. (c) 성분의 평균 중합도는 5∼100이 바람직하고, 10∼50이 보다 바람직하다.

(c) 성분의 배합량은 ((c) 성분의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자(Si-H기)의 개수)/((a) 성분의 알케닐기의 개수)로 표시되는 비가 0.5∼50.0이 되는 양이며, 1.0∼30.0이 되는 양이 바람직하고, 2.0∼20.0이 되는 양이 보다 바람직하다. (c) 성분의 Si-H기의 양이 (a) 성분 중의 알케닐기 1개에 대하여 0.5 미만에서는, 성형한 시트의 경화가 그다지 진행되지 않아, 성형한 시트의 강도가 불충분하여, 성형체로서 취급할 수 없게 되는 등의 문제가 발생한다. 50.0을 초과하는 양에서는, 성형 후의 시트에 점착감이 불충분하게 되어, 자신의 점착으로 자신을 고정할 수 없다고 하는 문제가 발생한다.

[(d) 성분]

(d) 성분은 백금족 금속계 화합물이며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당하게 조합하여 사용할 수 있다. (d) 성분의 백금족 금속계 화합물(백금족계 경화 촉매)은 (a) 성분 중의 알케닐기와, (c) 성분 중의 Si-H기와의 부가 반응을 촉진하기 위한 촉매이며, 히드로실릴화 반응에 사용되는 촉매로서 주지의 촉매를 들 수 있다. 그 구체예로서는, 예를 들면, 백금(백금흑을 포함함), 로듐, 팔라듐 등의 백금족 금속 단체, H₂PtCl₄·m'H₂O, H₂PtCl₆·m'H₂O, NaHPtCl₆·m'H₂O, KHPtCl₆·m'H₂O, Na₂PtCl₆·m'H₂O, K₂PtCl₄·m'H₂O, PtCl₄·m'H₂O, PtCl₂, Na₂HPtCl₄·m'H₂O(단, 식 중, m'은 0∼6의 정수이며, 바람직하게는 0 또는 6이다.) 등의 염화백금, 염화백금산 및 염화백금산염, 알코올 변성 염화백금산, 염화백금산과 올레핀의 복합체, 백금흑, 팔라듐 등의 백금족 금속을 산화알루미늄, 실리카, 카본 등의 담체에 담지시킨 것, 로듐-올레핀 복합체, 클로로트리스(트리페닐포스핀)로듐(윌킨슨 촉매), 염화백금, 염화백금산 또는 염화백금산염과 비닐기 함유 실록산의 복합체 등을 들 수 있다.

(d) 성분의 사용량은 소위 촉매량이면 되고, 통상, 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량)이며, 0.5∼200ppm이 바람직하고, 1.0∼100ppm이 더욱 바람직하다.

[(e) 성분]

(e) 성분의 반응제어제는 (d) 성분의 존재하에서 진행되는 (a) 성분과 (c) 성분의 반응속도를 조정하는, 부가 반응 제어제이며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당하게 조합하여 사용할 수 있다. (e) 성분의 예로서 에티닐메틸리덴카르비놀 등의 아세틸렌알코올 화합물, 아민 화합물, 인 화합물, 유황 화합물 등을 들 수 있지만, 이 중에서도 아세틸렌 알코올 화합물이 바람직하다.

(e) 성분의 배합량은 원하는 반응속도로 조정할 수 있는 필요량이라면 임의이지만, (a) 성분 100질량부에 대하여 0.01∼2.0질량부가 바람직하다.

[(f) 성분]

본 발명에 사용되는 (f) 성분의 실리콘 레진은 본 발명의 경화물에 점착성을 부여시키기 위해 첨가된다. (f) 성분으로서는 R¹ ₃SiO_{1 /2} 단위(M 단위)(R¹은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기를 나타냄)와 SiO_{4 /2} 단위(Q 단위)를 포함하고, (R¹ ₃SiO_{1 / 2} 단위)/(SiO_{4 / 2} 단위)로 표시되는 몰비가 0.1∼3.0의 실리콘 레진이 바람직하고, 0.6∼1.4가 보다 바람직하고, 0.7∼1.3이 더욱 바람직하다. 상기 M/Q이 0.1 미만의 경우, M/Q가 3.0을 초과하는 경우에는, 원하는 점착력이 얻어지지 않게 될 우려가 있다.

R¹은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 비페닐릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 메틸벤질기 등의 아랄킬기, 및 이들 기의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부가, 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환된 기, 예를 들면, 클로로메틸기, 2-브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기, 시아노에틸기, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실기 등의 탄소 원자수가 1∼10, 특히 탄소 원자수가 1∼6의 것을 들 수 있고, 이것들 중에서도 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등의 탄소 원자수 1∼3의 비치환 또는 치환의 알킬기 및 페닐기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기 등의 비치환 또는 치환의 페닐기이다. 또한, R¹은 모두가 동일하여도 상이하여도 되지만, R⁶과 동일한 치환기인 것이 바람직하다. R¹은 R⁶과 마찬가지로, 내용제성 등의 특수한 특성을 요구받지 않는 한, 비용, 그 입수 용이성, 화학적 안정성, 환경 부하 등의 점에서, 모두 메틸기가 바람직하다.

(f) 성분의 배합량은, (a) 성분 100질량부에 대하여, 50∼300질량부이며, 60∼200질량부가 바람직하고, 70∼150질량부가 보다 바람직하다. (f) 성분의 첨가량이 50질량부 미만 및 300질량부를 초과하는 경우에는, 원하는 점착성이 얻어지지 않게 된다. (f) 성분 그 자체는 실온에서 고체 또는 점조한 액체이지만, 용제에 용해한 상태에서 사용하는 것도 가능하다. 그 경우, 조성물에의 첨가량은 용제분을 제외한 양으로 결정된다.

[(g) 성분]

(g) 성분은 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분이며, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 적당하게 조합하여 사용할 수 있다. (g) 성분을 조성물에 배합함으로써, 그 경화물이 고온하에서도 양호한 접착성을 가질 수 있다.

(g-1) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물

(n은 1∼15의 정수이다.)

(g-2) 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물

(g-1) 성분은 상기 일반식 (1)로 표시되는 화합물이며, 접착성의 점에서, n은 1∼15의 정수이고, 2∼10이 바람직하고, 4∼10이 보다 바람직하다.

(g-2) 성분은 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자(Si-H기)를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물이다. 또한, 본 발명에 있어서 「페닐렌계 골격」이란 2∼6가, 특히는 2∼4가의, 페닐렌 골격이나, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격 등의 방향 다환 골격을 포함하는 것이다.

상기 유기 규소 화합물로서는 1 분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1∼4개의 페닐렌계 골격을 가지고, 또한 1 분자 중에 적어도 1개, 바람직하게는 1∼20개, 더욱 바람직하게는 2∼10개 정도의 Si-H기(즉 규소 원자에 결합한 수소 원자)를 가지는 것이 바람직하다. 또한, 글리시독시기 등의 에폭시기, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 메틸디메톡시실릴기 등의 알콕시실릴기, 에스테르기, 아크릴기, 메타크릴기, 무수 카르복시기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아미드기 등의 작용기를 1종 또는 2종 이상 포함해도 된다. 규소 원자수는 1∼100이며, 바람직하게는 2∼30, 보다 바람직하게는 2∼20, 더욱 바람직하게는 4∼10이다. 구조는 특별히 한정되지 않고, 직쇄상 또는 환상의 오가노실록산 올리고머나 오가노실란 등의 유기 규소 화합물을 적합하게 사용할 수 있다.

이러한 화합물로서, 구체적으로는, 하기에 나타내는 화합물을 예시할 수 있다.

(p는 독립적으로 1∼4이다.)

〔식 중, X는

이고, Y는 하기

(R'는 하기

로부터 선택되는 기이며, R_w, R_x는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기이다. p는 1∼4, q는 1∼50, r은 0∼100, 바람직하게는 q는 1∼20, r은 1∼50이다.)

로 표시되는 기, R''은

(R_w, R_x는 상기와 같고, y=1∼100이다.)

로부터 선택되는 기이며, Y'은

(R_w, R_x는 상기와 같으며, p는 1∼4, q는 1∼50, r은 0∼100, 바람직하게는 q는 1∼20, r은 1∼50이다.)

z는 1∼50이다.]

또한, 상기 R_w, R_x의 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는 탄소 원자수 1∼12, 특히 1∼8의 것이 바람직하고, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기, 알케닐기 등을 들 수 있는 것 이외에, 치환의 1가 탄화수소기로서 알콕시기, 아크릴기, 메타크릴기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아미노기, 알킬아미노기 등으로 치환한 것을 들 수 있다.

(g-2) 성분으로서는, 상기의 예시 화합물에 있어서, 또한, 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 메틸디메톡시실릴기 등의 알콕시실릴기, 아크릴기, 메타크릴기, 에스테르기, 무수 카르복시기, 이소시아네이트기, 아미노기, 아미드기 등을 도입한 유기 규소 화합물도 사용할 수 있다.

(g-2) 성분의 유기 규소 화합물의 규소 원자와 결합하는 수소 원자(Si-H기)의 함유량으로서는 0.001∼0.01몰/g인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.002∼0.01몰/g이다. 충분한 접착성의 점에서, 0.001몰/g 이상이 바람직하고, 0.01몰/g보다 많으면 (g-2) 성분의 유기 규소 화합물이 실온에서 불안정한 물질로 되어 버리는 경우가 있다.

(g) 성분의 배합량은 (a) 성분 100질량부에 대하여 0.1∼20질량부이며, 0.5∼15질량부가 바람직하고, 1.0∼10질량부가 보다 바람직하다. (g) 성분의 첨가량이 0.1질량부 미만 및 20질량부를 초과하는 경우에는, 원하는 접착성이 얻어지지 않게 된다. 또한, 조성물 전체로서는 Si-H기의 개수/알케닐기의 개수로 표시되는 비가 0.5∼50.0이 되는 양이 바람직하고, 1.0∼30.0이 되는 양이 보다 바람직하고, 2.0∼20.0이 되는 양이 더욱 바람직하다.

[(h) 성분]

본 발명의 실리콘 조성물은 하기 (h-1) 및 (h-2)로부터 선택되는 1종 이상의 표면처리제를 함유하는 것이 바람직하다. 표면처리제를 배합함으로써, 실리콘 조성물 조제 시에, (b) 성분인 열전도성 충전재를, (a) 성분으로 이루어지는 매트릭스 중에 균일하게 분산시킬 수 있다.

(h-1): 하기 일반식 (2)

R² _aR³ _bSi(OR⁴)_{4 -a- b} (2)

(식 중, R²는 독립적으로 탄소 원자수 6∼15의 알킬기이고, R³은 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1∼8의 1가 탄화수소기이고, R⁴는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이고, a는 1∼3의 정수, b는 0∼2의 정수이며, 단, a+b는 1∼3의 정수이다.)

로 표시되는 알콕시실란 화합물

R²로 표시되는 알킬기로서는, 예를 들면, 헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기, 테트라데실기 등을 들 수 있다. 이 R²로 표시되는 알킬기의 탄소 원자수가 6∼15의 범위를 충족시키면 (C) 성분의 젖음성이 충분히 향상되어, 취급성이 좋고, 조성물의 저온 특성이 양호하게 된다.

R³으로 표시되는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등의 시클로알킬기, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 바이페닐릴기 등의 아릴기, 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 메틸벤질기 등의 아랄킬기, 및 이들 기에 탄소 원자가 결합하고 있는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소, 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환된 기, 예를 들면, 클로로메틸기, 2-브로모에틸기, 3-클로로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기, 시아노에틸기, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-노나플루오로헥실기 등을 들 수 있고, 대표적인 것은 탄소 원자수가 1∼10, 특히 대표적인 것은 탄소 원자수가 1∼6의 것이고, 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 클로로메틸기, 브로모에틸기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등의 탄소 원자수 1∼3의 비치환 또는 치환의 알킬기 및 페닐기, 클로로페닐기, 플루오로페닐기 등의 비치환 또는 치환의 페닐기를 들 수 있다.

(h-2): 하기 일반식 (3)

(식 중, R⁵는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이며, c는 5∼100의 정수이다.)

으로 표시되는 분자쇄 편말단이 트리알콕시기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산

또한, R⁵로 표시되는 알킬기는 상기 일반식 (2) 중의 R⁴로 표시되는 알킬기와 동종의 것을 들 수 있다.

표면처리제로서 (h-1) 성분과 (h-2) 성분의 어느 한쪽이어도 양쪽을 조합해도 된다. (h) 성분의 배합량은, (a) 성분 100질량부에 대하여, 0.1∼40질량부가 바람직하고, 1∼20질량부가 보다 바람직하다. (h) 성분의 배합량이 0.1질량부 미만 시는, (b) 성분을 (a) 성분에 충전하기 어렵게 될 우려가 있고, 또한 40질량부를 초과하는 경우에는, 경화물의 접착 강도가 저하되어 버릴 우려가 있다.

[기타 성분]

본 발명의 실리콘 조성물에는, 이 밖에, 열전도성 충전제의 표면처리제, 착색을 위한 안료·염료, 난연성 부여제, 그 밖의 기능을 향상시키기 위한 여러 첨가제를 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 첨가하는 것이 가능하다.

[열전도성 박막 형상 경화물]

열전도성 박막 형상 경화물은, 예를 들면, 상기 필수 성분 및 임의 성분을 균일하게 혼합하여 실리콘 조성물을 얻고, 이 실리콘 조성물을, 기재, 바람직하게는 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시키는 공정을 포함하는 제조 방법으로 얻을 수 있다.

기재 위로의 성형 방법은 바 코터, 나이프 코터, 콤마 코터, 스핀 코터 등을 사용하여 기재 위에 액상의 재료를 도포하는 것 등을 들 수 있지만, 상기 기재 방법에 한정되는 것은 아니다.

또한, 성형 후에 가열시키기 위한 가열온도 조건은 용제를 첨가한 경우는 사용한 용제가 휘발하고, (a) 성분과 (c) 성분이 반응할 수 있을 정도의 온도이면 되고, 생산성 등의 관점에서 60∼150℃가 바람직하고, 80∼150℃가 보다 바람직하다. 60℃ 미만에서는, 경화 반응이 늦어 생산성이 나빠져 버리고, 150℃를 초과하면, 기재로서 사용하는 필름이 변형되어 버릴 우려가 있다. 또한, 경화 시간은 통상 0.5∼30분, 바람직하게는 1∼20분이다.

열전도성 박막 형상 경화물의 두께는 20∼1,000㎛이며, 더욱 바람직하게는 30∼500㎛이다. 성형 두께가 20㎛ 미만에서는, 취급이 나쁘고, 또한 점착감이 저하되어 버릴 우려가 있다. 한편, 성형 두께가 1,000㎛를 초과하면 원하는 열전도성이 얻어지지 않게 될 우려가 있다. 또한, 도공 형성 시에는, 점도 조정을 위해 톨루엔이나 크실렌 등의 용제를 첨가하는 것도 가능하다.

기재로서는 종이나 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름에, 실리콘 접착제용의 표면 이형 처리를 시행한 기재가 바람직하다. 필름의 두께는 15∼100㎛가 바람직하다. 처리 방법으로서는 그라비아 코터나 키스 코터에 의해, PET 위에 표면 이형 처리 성분을 도포한다. 표면 이형 처리에 사용하는 표면 이형 처리 성분으로서는 비디메틸실리콘계 폴리머가 바람직하고, 퍼플루오로알킬기나, 퍼플루오로폴리에테르기 등의 불소 치환기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘이 보다 바람직하다. 구체적으로는, 상기 퍼플루오로폴리에테르기는 하기 식 (10)∼(12)로 나타낼 수 있다.

또한, 이러한 불소 치환기를 가지는 변성 실리콘으로서 구체적으로는 신에츠카가쿠고교(주)제의 X-70-201, X-70-258 등을 들 수 있다.

경화 후의 열전도성 박막 형상 경화물은 기재(필름)과 동일한 이형 처리 필름을 세퍼레이터 필름으로 하여, 기재와는 반대의 면에 첩합함으로써, 수송, 정척 컷 등의 취급을 용이하게 할 수 있다. 이때, 기재 필름과는 이형제의 처리량이나 종류, 필름의 재질을 바꾸어, 기재 필름과 세퍼레이터 필름의 박리력의 경중을 만드는 것도 가능하다. 이렇게 하여 얻어진 열전도성 경화물은 세퍼레이터 필름 또는 기재(필름)를 박리한 후, 발열 소자 또는 방열 부재에 붙이고, 그 후, 나머지의 필름을 박리함으로써, 박막이더라도 용이하게 배치할 수 있고, 또한 우수한 열전도 특성을 나타낸다.

또한, 열전도성 박막 형상 경화물의 열전도율은 0.7W/mK 이상이 바람직하고, 1W/mK 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 한정되지 않지만 5W/mK 이하로 할 수 있다. 또한, 열전도율의 측정 방법은 실시예 기재의 방법이다.

150℃하에서의 알루미늄에 대한 전단 접착 강도는 0.5MPa 이상이 바람직하고, 상한은 특별히 한정되지 않지만 15MPa 이하로 할 수 있고, 1∼5MPa가 보다 바람직하다. 또한, 150℃하에서의 알루미늄에 대한 전단 접착 강도의 측정 방법은 실시예 기재의 방법이다.

[열전도성 부재]

상기 실리콘 조성물을 기재, 바람직하게는 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시킨, 상기 기재와 열전도성 박막 형상 경화물을 가지는 열전도성 부재를 얻을 수 있다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 제시하여, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다. 특별히 표기가 없는 조성물의 「%」는 질량%이며, Me는 메틸기를 나타낸다.

하기 실시예 및 비교예에 사용되고 있는 (a)∼(h) 성분을 하기에 나타낸다.

(a) 성분: 평균 중합도 8,000의 디메틸비닐기로 양쪽 말단 밀봉된 디메틸폴리실록산

(b) 성분:

(b-1) 평균 입경 1㎛: 입상 산화 알루미늄

(b-2) 평균 입경 1㎛: 구상 산화 알루미늄

(b-3) 평균 입경 10㎛: 구상 산화 알루미늄

(b-4) 평균 입경 10㎛: 입상 질화 붕소

(b-5) 평균 입경 45㎛: 구상 산화 알루미늄

(c) 성분: 하기 식으로 표시되는 평균 중합도 8인 측쇄에 Si-H기를 가지는 하이드로젠 폴리실록산

(d) 성분:

5% 염화백금산 2-에틸헥산올 용액

(e) 성분:

부가 반응 제어제로서 에티닐메틸리덴카르비놀

(f) 성분:

실리콘 레진 톨루엔 용액(불휘발분 60%, (R¹ ₃SiO_{1 / 2} 단위: M 단위)/(SiO_{4 / 2} 단위: Q 단위), M/Q(몰비)=1.15), R¹은 메틸기), 표 중에 ()로 실리콘 레진의 양을 나타낸다.

(g) 성분:

(g-1) 성분: 하기 식으로 표시되는 성분

(g-2) 성분: 하기 식으로 표시되는 성분

(h) 성분: 하기 식으로 표시되는 평균 중합도 30인 편말단이 트리메톡시실릴기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산

[실시예 및 비교예]

<실리콘 조성물의 조제>

(a), (b), (c), (e), (f), (h) 성분을 시나가와식 만능 교반기에 장입하고, 60분간 혼합하고, 이어서 (d) 성분을 첨가하고, 균일하게 혼합하고, 또한 (g) 성분을 첨가하여 실리콘 조성물을 얻었다.

<경화물의 성형>

얻어진 실리콘 조성물에 대하여, 톨루엔을 적당량 첨가하고, 표면 이형 처리(퍼플루오로알킬기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘)된 38㎛ 두께의 PET 필름 위에 도포하고, 80℃에서 톨루엔을 휘발시켰다. 이어서 120℃·10분으로 경화시켜, 두께 200㎛의 열전도성 박막 형상 경화물을 가지는 열전도성 점착테이프를 얻었다.

[평가 방법]

열전도성 박막 형상 경화물에 대하여 하기 평가를 행했다.

○전사성: 열전도성 박막 형상 경화물을 알루미늄판에 붙였을 때, 원하는 밀착성이 얻어지는지를 평가했다. 밀착성이 얻어지는 것을 「○」, 밀착성에 어려움이 있는 것을 「×」로 했다.

○박리 후의 취급성: 열전도성 점착테이프를 벗긴 후의 열전도성 박막 형상 경화물의 손에 의한 취급성을 본체 형상에 착목하여 평가했다. 취급성이 좋은 것을 「○」, 취급성에 어려움이 있는 것을 「×」로 했다.

○열전도율: 열전도성 점착테이프를 알루미늄 플레이트에 끼우고, 실온/20psi/1h 압착 후, 레이저 플래시법으로 열저항을 측정하여, 두께와 열저항의 관계로부터 도출했다.

○알루미늄에 대한 전단 접착 강도: 열전도성 점착테이프를 가로세로 10×10mm의 알루미늄 플레이트에 끼우고, 120℃/20psi/1h 압착 후, 150℃하에서의 박리 전단강도를 측정했다.

실시예 1∼6에서는, 경화 후의 전사성과 취급성이 우수하고, 또한 열전도율과 고온 실장시의 접착 강도에서도, 좋은 열전도성 경화물이 얻어졌다.

비교예 1에서는, (b) 성분인 열전도성 충전제가 200질량부 이하이기 때문에, 원하는 열전도율을 얻을 수 없었다.

비교예 2에서는, (c) 성분인 오가노하이드로젠폴리실록산의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자와 (a) 성분의 알케닐기와의 몰비가 0.5보다 작아지기 때문에, 경화물의 취급성에 어려움이 있었다.

비교예 3에서는, (f) 성분인 실리콘 레진이 50질량부보다 적기 때문에, 경화물의 전사성에 어려움이 있었다.

비교예 4∼6에서는, (g) 성분인 접착 성분이 0.1∼20질량부의 범위에 없기 때문에, 원하는 고온하에서의 전단 접착 강도를 얻을 수 없었다.

이상 기술한 바와 같이, 본 발명은 취급성이 용이하고, 부재에의 전사성도 우수하며, 고온 실장 시에 양호한 접착 강도를 가지는 열전도성 경화물을 제공한다.

Claims (8)

1. (a) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산: 100질량부,
   (b) 열전도성 충전제: 200∼2,000질량부,
   (c) 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산: ((c) 성분의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 개수)/((a) 성분의 알케닐기의 개수)가 0.5∼50.0이 되는 양,
   (d) 백금족 금속계 화합물: 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량),
   (e) 반응제어제: 0.01~2.0질량부,
   (f) 실리콘 레진: 50∼300질량부, 및
   (g) 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분: 0.1∼20질량부
   (g-1) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물
   
   (n은 1∼15의 정수이다.)
   (g-2) 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물
   을 함유하는 실리콘 조성물을 경화시킨 열전도성 박막 형상 경화물.
2. 제1항에 있어서, (f) 성분이 R¹ ₃SiO_{1 / 2} 단위(R¹은 지방족 불포화 결합을 함유하지 않는 비치환 또는 치환의 1가 탄화수소기를 나타낸다.)와 SiO_{4 / 2} 단위를 포함하고, (R¹ ₃SiO_{1 / 2} 단위)/(SiO_4/2 단위)로 표시되는 몰비가 0.1∼3.0인 실리콘 레진인 것을 특징으로 하는 열전도성 박막 형상 경화물.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 실리콘 조성물이 하기 (h-1) 및 (h-2)
   (h-1): 하기 일반식 (2)
   R² _aR³ _bSi(OR⁴)_{4 -a- b} (2)
   (식 중, R²는 독립적으로 탄소 원자수 6∼15의 알킬기이고, R³은 독립적으로 비치환 또는 치환의 탄소 원자수 1∼8의 1가 탄화수소기이고, R⁴는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이고, a는 1∼3의 정수, b는 0∼2의 정수이며, 단, a+b는 1∼3의 정수이다.)
   로 표시되는 알콕시실란 화합물
   (h-2): 하기 일반식 (3)
   
   (식 중, R⁵는 독립적으로 탄소 원자수 1∼6의 알킬기이며, c는 5∼100의 정수이다.)
   으로 표시되는 분자쇄 편말단이 트리알콕시기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산
   으로부터 선택되는 1종 이상의 표면처리제: 0.1∼40질량부를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 열전도성 박막 형상 경화물.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, (b) 성분이 금속, 산화물 및 질화물로부터 선택되는 열전도성 충전제인 것을 특징으로 하는 열전도성 박막 형상 경화물.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   (a) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산: 100질량부,
   (b) 열전도성 충전제: 200∼2,000질량부,
   (c) 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산: ((c) 성분의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 개수)/((a) 성분의 알케닐기의 개수)가 0.5∼50.0이 되는 양,
   (d) 백금족 금속계 화합물: 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량),
   (e) 반응제어제: 0.01~2.0질량부,
   (f) 실리콘 레진: 50∼300질량부,
   (g) 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분: 0.1∼20질량부
   (g-1) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물
   
   (n은 1∼15의 정수이다.)
   (g-2) 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물
   을 함유하는 실리콘 조성물을, 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전도성 박막 형상 경화물을 제조하는 제조 방법.
6. 제5항에 있어서, 표면 이형 처리에 사용하는 처리 성분이 불소 치환기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘인 것을 특징으로 하는 제조 방법.
7. (a) 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산: 100질량부,
   (b) 열전도성 충전제: 200∼2,000질량부,
   (c) 1 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자에 직접 결합하는 수소 원자를 가지는 오가노하이드로젠폴리실록산: ((c) 성분의 규소 원자에 직접 결합한 수소 원자의 개수)/((a) 성분의 알케닐기의 개수)가 0.5∼50.0이 되는 양,
   (d) 백금족 금속계 화합물: 백금족 금속계 원소량으로 (a) 성분에 대하여 0.1∼1,000ppm(질량),
   (e) 반응제어제: 0.01~2.0질량부,
   (f) 실리콘 레진: 50∼300질량부, 및
   (g) 하기 (g-1) 및 (g-2)로부터 선택되는 접착 성분: 0.1∼20질량부
   (g-1) 하기 일반식 (1)로 표시되는 화합물
   
   (n은 1∼15의 정수이다.)
   (g-2) 1 분자 중에 페닐렌계 골격을 적어도 1개 가지고, 또한 적어도 1개의 규소 원자와 결합하는 수소 원자를 가지는 규소 원자수 1∼100의 유기 규소 화합물
   을 함유하는 실리콘 조성물을, 실리콘 접착제용의 표면 이형 처리된 기재에 박막 형상으로 성형하여 경화시킨, 상기 기재와 열전도성 박막 형상 경화물을 가지는 열전도성 부재.
8. 제7항에 있어서, 표면 이형 처리에 사용하는 처리 성분이 불소 치환기를 주쇄에 포함하는 변성 실리콘인 것을 특징으로 하는 열전도성 부재.