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KR102722244B1 - 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR102722244B1
KR102722244B1 KR1020180125943A KR20180125943A KR102722244B1 KR 102722244 B1 KR102722244 B1 KR 102722244B1 KR 1020180125943 A KR1020180125943 A KR 1020180125943A KR 20180125943 A KR20180125943 A KR 20180125943A KR 102722244 B1 KR102722244 B1 KR 102722244B1
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고, 상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며, 상기 복수개의 측정부는 4개 이상의 측정부를 포함하고, 각각의 측정부는 상기 사각형의 2개의 변과 나란한 변을 포함한다.

Description

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTORINFG METHOD THEREOF}
본 개시는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 마스크의 오정렬을 계측할 수 있는 정렬 마크를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 평판 표시 장치(Flat panel display)에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라스마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device:OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoreticdisplay device) 등이 있다.
이와 같은 평판 표시 장치의 제조 공정 중 다양한 패턴들이 형성되는데, 이러한 패턴들을 형성하기 위해 노광 장치가 이용된다. 노광 장치는 패턴 마스크에 형성된 패턴에 맞추어 대상물을 감광시킨다.
그런데 표시 장치가 대형화되면서, 패턴 마스크의 크기에 제한이 있어, 패턴 마스크에 의해 표시 기판을 한번에 노광하기 어려운 문제점이 있다. 이에 패턴 마스크를 표시 기판 상에 순차적으로 정렬하여 노광하는 방식을 이용한다.
실시예들은 마스크의 오정렬을 계측할 수 있는 정렬 마크를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고, 상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며, 상기 복수개의 측정부는 4개 이상의 측정부를 포함하고, 각각의 측정부는 상기 사각형의 2개의 변과 나란한 변을 포함한다.
상기 정렬 마크는 상기 비표시 영역의 제1 방향으로의 1/4 지점부터 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치할 수 있다.
상기 복수개의 측정부는 상기 사각형의 제1 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제4 변에 인접하여 위치하는 제1 측정부, 상기 사각형의 제1 변 및 제2 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제2 변에 인접하여 위치하는 제2 측정부, 상기 사각형의 제2 변 및 제3 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제2 변과 상기 제3 변에 인접하여 위치하는 제3 측정부, 상기 사각형의 제3 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제3 변 및 제4 변에 인접하여 위치하는 제4 측정부를 포함할 수 있다.
상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값과, 상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값과, 상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 중심부는 상기 표시 영역의 게이트선과 동일한 물질을 포함하고, 상기 측정부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질 또는 상기 표시 영역의 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 중심부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질을 포함하고, 상기 측정부는 상기 표시 영역의 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 비표시 영역에 위치하는 복수개의 구동부를 더 포함하고, 상기 정렬 마크는 복수개의 구동부 사이에 위치할 수 있다.
상기 비표시 영역은 제조 공정 중 2 이상의 마스크가 중첩되는 영역을 포함하고, 상기 정렬 마크는 상기 마스크 중첩 영역 내에 위치할 수 있다.
상기 정렬 마크의 가로 길이는 15 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다.
상기 정렬 마크의 세로 길이는 15 ㎛ 내지 30 ㎛일 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고, 상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며, 상기 정렬 마크는 상기 비표시 영역의 제1 방향으로의 1/4 지점 내지 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치하고, 상기 정렬마크의 상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함한다.
상기 측정부는 상기 사각형의 중심부를 둘러싸는 사각형 고리의 형태인 제1 측정부, 상기 제1 측정부를 둘러싸는 사각형 고리의 형태인 제2 측정부를 포함할 수 있다.
상기 측정부는 상기 사각형의 제1 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제2 측정부 및 제3 측정부, 상기 사각형의 제2 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제4 측정부 및 제5 측정부, 상기 사격형의 제3 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제6 측정부 및 제7 측정부, 상기 사각형의 제4 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제8 측정부 및 제1 측정부를 포함할 수 있다.
상기 측정부는 상기 사각형의 제1 변과 나란하게 위치하는 제5 측정부 및 상기 제1 변과 제5 측정부 사이에 위치하는 제1 측정부, 상기 사각형의 제2 변과 나란하게 위치하는 제6 측정부 및 상기 제2 변과 상기 제6 측정부 사이에 위치하는 제2 측정부, 상기 사각형의 제3 변과 나란하게 위치하는 제7 측정부 및 상기 제3 변과 상기 제7 측정부 사이에 위치하는 제3 측정부, 상기 사각형의 제4 변과 나란하게 위치하는 제8 측정부 및 상기 제4 변과 상기 제8 측정부 사이에 위치하는 제4 측정부를 포함할 수 있다.
상기 비표시 영역에 위치하는 복수개의 구동부를 더 포함하고, 상기 정렬 마크는 복수개의 구동부 사이에 위치할 수 있다.
상기 비표시 영역은 제조 공정 중 2 이상의 마스크가 중첩되는 영역을 포함하고, 상기 정렬 마크는 상기 마스크 중첩 영역 내에 위치할 수 있다.
상기 중심부는 상기 표시 영역의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질을 포함하고, 상기 측정부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질 또는 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 표시 영역의 제1 도전층을 형성하면서 이와 동일 공정으로 상기 비표시 영역에 위치하는 중심부를 형성하는 단계, 상기 표시 영역에 제1 마스크를 이용하여 제2 도전층을 형성하고 이와 동일 공정으로 상기 중심부를 둘러싸는 제1 측정부 및 제2 측정부를 형성하는 단계, 상기 표시 영역에 제2 마스크를 이용하여 제2 도전층을 형성하고 이와 동일 공정으로 상기 중심부를 둘러싸는 제3 측정부 및 제4 측정부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 중심부는 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크가 중첩되는 영역에 형성된다.
상기 중심부는 사각형이고, 상기 제1 측정부는 상기 사각형의 제1 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제4 변에 인접하여 위치하고, 상기 제2 측정부는 상기 사각형의 제1 변 및 제2 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제2 변에 인접하여 위치하고, 상기 제3 측정부는 상기 사각형의 제2 변 및 제3 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제2 변과 상기 제3 변에 인접하여 위치하고, 상기 제3 측정부는 상기 사각형의 제3 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제3 변 및 제4 변에 인접하여 위치할 수 있다.
상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
상기 중심부는 표시 영역의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질을 포함하고, 상기 측정부는 표시 영역의 데이터선 또는 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값과, 상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값과, 상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
실시예들에 따르면, 마스크의 오정렬을 계측할 수 있는 정렬 마크를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 것이다.
도 2는 표시 패널의 제조 공정 중 복수개의 마스크를 사용하는 구성을 도시한 것이다.
도 3은 정렬 마크를 도시한 것이다.
도 4 및 도 5는 제1 마스크와 제2 마스크의 정렬 오차가 발생한 경우의 정렬 마크의 형상을 도시한 것이다.
도 6은 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크를 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크의 형상을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크의 형상을 도시한 것이다.
도 9는 정렬 마크의 구체적인 위치를 도시한 것이다.
도 10은 다른 일 실시예에서 정렬 마크의 위치를 도시한 것이다.
도 11 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 과정을 도시한 공정도이다.
도 16 내지 도 20은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정도이다.
도 21은 일 실시예에 따른 표시 영역의 화소 배치도이고, 도 22는 도 21의 표시 장치를 XXII- XXXII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역의 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
그럼 이하에서 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 대한 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 것이다. 도 1을 참고로 하면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 표시 패널(1000)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 트랜지스터와 연결된 화소 전극을 포함하는 복수의 화소가 위치하여 영상을 표시하는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 구동부 등이 위치하며 영상을 표시하지 않는 영역이다. 도 1을 참고로 하면, 본 발명은 비표시 영역(NDA)에 위치하는 하나 이상의 정렬 마크(AM)를 포함한다.
도 1에는 정렬 마크(AM)가 표시 영역(DA)의 제2 방향(D2)으로의 양 가장자리에 인접하여 위치하는 구성을 도시하였으나, 이는 일 예시일 뿐으로 정렬 마크(AM)는 표시 영역(DA)의 일 가장자리에만 위치할 수 있다. 도 1에는 표시 영역(DA)을 사이에 두고 상부에 2개, 하부에 2개의 정렬 마크(AM)가 도시되었으나 이는 일례일 뿐이며, 정렬 마크(AM)의 수는 표시 영역 중 한 층(예를 들어, 화소 전극)을 형성하기 위해 사용되는 마스크의 수에 따라 달라질 수 있다. 이후 상세하게 설명하겠으나, 표시 영역의 한 층의 제조에 사용되는 마스크가 2개라면, 정렬 마크(AM)는 1개 또는 2개 위치할 수 있다. 또한, 표시 장치의 한 층에 사용되는 마스크의 수가 3개인 경우, 정렬 마크(AM)는 2개 내지 4개 위치할 수 있다. 즉, 표시 장치의 한 층을 형성할 때 사용하는 마스크의 수가 n개인 경우, 정렬 마크는 n-1 내지 2*(n-1)개 위치할 수 있다. 이후 보다 상세하게 설명하겠으나, 정렬 마크(AM)는 표시 영역 제조 시 마스크가 중첩되는 영역에 위치할 수 있다. 정렬 마크(AM)의 구체적인 위치 관계에 대하여는 이후 보다 상세하게 설명한다.
도 1을 참고로 하면, 정렬 마크(AM)는 사각형의 중심부(700) 및 중심부(700)를 둘러싸고 위치하는 복수개의 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 포함한다. 측정부는 제1 측정부(710a), 제2 측정부(710b), 제3 측정부(710c) 및 제4 측정부(710d)를 포함할 수 있다.
각 측정부는 중심부(700)와 이격되어 위치한다. 중심부(700) 사각형의 중심을 지나는 가상의 수직선 및 수평선으로 정렬 마크(AM)를 제1 사분면(LA1), 제2 사분면(LA2), 제3 사분면(LA3), 제4 사분면(LA4)으로 구분할 수 있다. 이때, 제1 측정부(710a)는 제1 사분면(LA1) 안에 위치하고, 제2 측정부(710b)는 제2 사분면(LA2)안에 위치하며, 제3 측정부(710c)는 제3 사분면(LA3) 안에 위치하고, 제4 측정부(710d)는 제4 사분면(LA4)안에 위치할 수 있다.
제1 측정부(710a)는 중심부(700)의 사각형의 2개의 변과 나란한 변을 포함한다. 즉, 제1 측정부(710a)는 제1 방향(D1)으로 평행한 변과, 제1 방향과 수직인 제2 방향(D2)과 평행한 변을 포함한다. 제1 측정부(710a)의 제1 방향(D1)과 평행한 변과 제2 방향(D2)과 평행한 변은 모서리에서 직각으로 만날 수 있다. 마찬가지로, 제2 측정부(710b), 제3 측정부(710c) 및 제4 측정부(710d) 각각 중심부(700) 사각형에 대하여 제1 방향(D1)으로 평행인 변과 제2 방향(D2)으로 평행한 변을 포함한다.
보다 구체적으로 설명하면, 제1 측정부(710a)는 중심부(700 사각형의 제1 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며, 제1 변과 제4 변에 인접하여 위치할 수 있다. 제2 측정부(710b)는 중심부(700) 사각형의 제1 변 및 제2 변과 나란한 변을 포함하며 제1 변과 제2 변에 인접하여 위치할 수 있다. 제3 측정부(710c)는 중심부(700) 사각형의 제2 변 및 제3 변과 나란한 변을 포함하며 제2 변과 제3 변에 인접하여 위치할 수 있다. 제4 측정부(710d)는 중심부(700) 사각형의 제3 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 제3 변 및 제4 변에 인접하여 위치할 수 있다.
각 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)와 중심부(700) 사각형 사이의 거리 비교를 통해 제조 공정에서 마스크의 정렬을 확인할 수 있다. 구체적인 정렬 확인 방법은 후술한다.
정렬 마크(AM) 중 중심부(700)와 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 중심부(700)가 표시 영역(DA)의 게이트선과 동일한 물질을 포함하고, 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)는 데이터선과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 중심부(700)가 표시 영역(DA)의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질을 포함하고, 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)가 표시 영역(DA)의 화소 전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
즉, 중심부(700)와 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)는 서로 다른 단계에서 형성되며, 중심부(700)는 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)보다 먼저 형성될 수 있다.
이렇게 중심부(700)과 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 포함하는 정렬 마크(AM)를 통해 복수개의 마스크를 이용한 표시 영역(DA)의 형성 과정에서 마스크의 정렬을 확인할 수 있다. 따라서 제조 공정 중 마스크의 오정렬을 정확하게 계측하고 보정할 수 있다.
도 2는 표시 패널의 제조 공정 중 복수개의 마스크를 사용하는 구성을 도시한 것이다. 표시 영역(DA)이 대형인 표시 패널의 경우, 표시 영역(DA)을 구성하는 각 층(예를 들어 게이트선, 데이터선, 화소 전극 등)을 형성할 때 단일 마스크로 형성하기 어렵다. 따라서 복수개의 마스크를 순차적으로 서로 다른 영역에 적용하여 각 층을 형성하게 된다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 제1 마스크(A), 제2 마스크(B), 제3 마스크(C)를 이용하여 하나의 층을 패터닝할 수 있다. 이때, 각 마스크가 중첩하는 영역이 발생한다. 도 2에서 A+B, B+C로 표시된 영역이 마스크의 중첩 영역으로, 이 영역은 서로 다른 마스크에 의해 2번 패터닝 된다.
이때, 이러한 중첩 영역(예를 들어, A+B)에서 제1 마스크(A)와 제2 마스크(B)의 정렬이 흐트러지는 경우, 표시 영역 내부에서 구조물의 불량을 유발하게 된다. 즉, 중첩 영역은 제1 마스크(A)와 제2 마스크(B)에 의해 2번 노광되고, 제1 마스크(A)와 제2 마스크(B)가 정확하게 정렬되지 않으면 마스크 중첩 영역에서 쇼트가 유발되거나 화소 전극이 정상적으로 형성되지 않는 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 이러한 중첩 영역에서 마스크의 정렬을 유지하는 것이 중요하고, 이를 위해서는 각 마스크 정렬 및 패터닝 공정에서 정렬이 틀어진 정도를 정확하게 계측하는 것이 중요하다. 그러나 마스크의 틀어짐을 정확히 계측하기가 쉽지 않으며, 최종 제조된 표시 패널의 구조 분석으로는 어떤 마스크가 어느 방향으로 어느 정도 틀어졌는지 가늠하기가 용이하지 않다.
그러나 본 실시예에 따른 표시 장치는 각 마스크를 이용한 패터닝 공정과 동시 공정으로 형성되는 정렬 마크(AM)를 포함하고 있으며, 정렬 마크(AM)의 중심부(700)와 측정부(710a, 710b, 710c, 710d) 사이의 거리 측정을 통해 마스크의 정렬 오차를 정확하게 계산할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이 정렬 마크(AM)는 마스크의 중첩 영역(A+B, B+C)에 위치한다. 이는 정렬 마크(AM)의 각 부분이 각각의 서로 다른 마스크에 의한 패턴 형성 공정과 동시 공정으로 형성되기 때문이다.
도 3은 정렬 마크(AM)만을 도시한 것이다. 도 3을 참고로 하면 정렬 마크(AM)는 사각형의 중심부(700) 및 중심부(700)를 둘러싸고 위치하는 복수개의 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 포함한다.
상기 측정부 중 제1 측정부(710a) 와 제3 측정부(710c)는 제1 마스크(A)에 의한 표시 영역(DA)의 패터닝 공정과 동시에 형성된다. 또한 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)는 제2 마스크(B)에 의한 표시 영역(DA)의 패터닝 공정과 동시에 형성된다. 따라서 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)의 중심부(700)까지의 거리의 차와, 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)의 중심부(700)까지의 거리의 차이를 비교하여 마스크의 정렬 오차를 정확하게 계측할 수 있다.
도 3에 도시된 정렬 마크(AM)는 마스크의 정렬 오차가 발생하지 않은 표시 장치의 정렬 마크이다. 이 경우, 제1 측정부(710a)와 중심부(700)까지의 제1 방향(D1)으로의 거리(②)에서, 제3 측정부(710c)와 중심부(700)까지의 제1 방향(D1)으로 거리(ⓑ)를 뺀 값과, 제2 측정부(710b)와 중심부(700)까지의 제1 방향(D1)으로의 거리(④)에서, 제4 측정부(710d)와 중심부(700)까지의 제1 방향(D1)으로 거리(ⓓ)를 뺀 값이 동일하다.
즉, 도 3에서 ② - ⓑ = ④ - ⓓ 이고, 이 경우 제1 마스크와 제2 마스크가 제1 방향(D1)으로 오차 없이 정렬되었음을 확인할 수 있다. 실질적으로, ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 차이가 0.8 ㎛ 이하인 경우는 오차 없이 정렬된 것으로 취급된다. 즉, 본 실시에에 따른 표시 장치에서 정렬 마크(AM)의 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 차이는 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
마찬가지로, 제1 측정부(710a)와 중심부(700)까지의 제2 방향(D2)으로의 거리(①)에서, 제3 측정부(710c)와 중심부(700)까지의 제2 방향(D2)으로 거리(ⓐ)를 뺀 값과, 제2 측정부(710b)와 중심부(700)까지의 제2 방향(D2)으로의 거리(③)에서, 제4 측정부(710d)와 중심부(700)까지의 제2 방향(D2)으로 거리(ⓒ)를 뺀 값이 동일하다.
즉, 도 3에서 ① - ⓐ = ③ - ⓒ 이고, 이 경우 제1 마스크와 제2 마스크가 제2 방향(D2)으로 오차 없이 정렬되었음을 확인할 수 있다. 실질적으로, ① - ⓐ 의 값과 ③ - ⓒ 의 값의 차이가 0.8 ㎛ 이하인 경우는 오차 없이 정렬된 것으로 취급된다. 즉, 본 실시에에 따른 표시 장치에서 ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ 의 값의 차이는 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛일 수 있다.
따라서 ② - ⓑ = ④ - ⓓ 이고, ① - ⓐ = ③ - ⓒ인 경우 제1 마스크 및 제2 마스크가 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 오차 없이 정렬되었다는 것을 확인할 수 있다. 또한 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값 차이가 - 0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛이고, ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ의 값의 차이가 - 0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛ 인 경우에도, 제1 마스크 및 제2 마스크가 오차 없이 정렬된 것으로 취급할 수 있다.
도 3에서 정렬 마크(AM)의 제1 방향(D1)으로의 크기(L1)는 15 um 내지 30 ㎛일 수 있다. 또한 정렬 마크(AM)의 제2 방향(D2)으로의 크기(L2)는 15 um 내지 30 ㎛일 수 있다.
도 4 및 도 5는 제1 마스크와 제2 마스크의 정렬 오차가 발생한 경우의 정렬 마크의 형상을 도시한 것이다.
도 4에 도시된 정렬 마크는, ① - ⓐ < ③ - ⓒ 이다. 따라서 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d) 형성에 사용된 제2 마스크가 제2 방향(D2)으로 오정렬 되었음을 확인할 수 있다. 또한 상기 ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ의 값의 비교를 통해, 구체적으로 얼만큼 오정렬 되었는지를 확인할 수 있다.
도 5에 도시된 정렬 마크는 ② - ⓑ > ④ - ⓓ이다. 따라서, 제1 측정부(710a) 및 제2 측정부(710c) 형성에 사용된 제1 마스크가 제1 방향(D1)으로 오정렬 되었음을 확인할 수 있다. 구체적으로 상기 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 비교를 통해 구체적으로 얼만큼 오정렬 되었는지를 확인할 수 있다.
도 1 내지 도 5에서는 사각형의 중심부(700) 및 L자 형상의 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 도시하였으나, 정렬 마크(AM)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다.
측정부는 사각형의 중심부(700)에 대하여 도 3에 도시한 바와 같은 거리(①,②,③,④,ⓐ,ⓑ,ⓒ,ⓓ)를 측정할 수 있는 형상이라면 제한되지 않는다. 상기 거리 중 ①,②,ⓐ,ⓑ는 제1 마스크(A)와 동일 공정으로 형성된 측정부의 각 부분과 중심부(700) 사이의 거리이고, ③,④,ⓒ,ⓓ는 제2 마스크(B)와 동일 공정으로 형성된 측정부의 각 부분과 중심부(700)사이의 거리이다.
일례로, 정렬 마크(AM)는 도 6에 도시된 바와 같은 형상을 가질 수 있다. 도 6은 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크를 도시한 것이다. 도 6을 참고로 하면 사각형의 중심부(700)를 둘러싸는 제1 측정부(711a), 제2 측정부(711b), 제3 측정부(711c), 제4 측정부(711d), 제5 측정부(711e), 제6 측정부(711f), 제7 측정부(711g), 제8 측정부(711h)를 포함한다. 제1 측정부(711a), 제2 측정부(711b), 제5 측정부(711e) 및 제6 측정부(711f)는 제1 마스크에 의한 패터닝 공정과 동일 공정으로 형성될 수 있고, 제3 측정부(711c), 제4 측정부(711d), 제7 측정부(711g) 및 제8 측정부(711h)는 제2 마스크에 의한 패터닝 공정과 동일 공정으로 형성될 수 있다.
이 경우에도 도 3에서와 동일하게 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 비교를 통해 제1 방향(D1)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있고, ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ의 값의 비교를 통해 제2 방향(D2)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크(AM)의 형상을 도시한 것이다. 도 7을 참고로 하면 본 실시예에 다른 정렬 마크(AM)는 중심부(700) 및 중심부를 둘러싸는 제1 측정부(721), 제1 측정부(721)를 둘러싸는 제2 측정부(722)를 포함한다.
제1 측정부(721)는 제1 마스크에 의한 패터닝 공정과 동일 공정으로 형성되고, 제2 측정부(722)는 제2 마스크에 의한 패터닝 공정과 동일 공정으로 형성된다. 도 7의 실시예의 경우에도 도 3에서와 동일하게 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 비교를 통해 제1 방향(D1)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있고, ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ의 값의 비교를 통해 제2 방향(D2)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정렬 마크(AM)의 형상을 도시한 것이다. 도 8을 참고로 하면 본 실시예에 따른 정렬 마크(AM)는 중심부(700) 및 중심부를 둘러싸는 제1 측정부(730a), 제2 측정부(730b), 제3 측정부(730c) 및 제4 측정부(730d)를 포함한다. 또한, 제1 측정부(730a), 제2 측정부(730b), 제3 측정부(730c) 및 제4 측정부(730d)를 둘러싸는 제5 측정부(730e), 제6 측정부(730f), 제7 측정부(730g), 제8 측정부(730h)를 포함한다.
도 8의 실시예의 경우에도 도 3에서와 동일하게 ② - ⓑ의 값과 ④ - ⓓ의 값의 비교를 통해 제1 방향(D1)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있고, ① - ⓐ의 값과 ③ - ⓒ의 값의 비교를 통해 제2 방향(D2)으로의 정렬 오차를 확인할 수 있다.
이러한 정렬 마크(AM)는 표시 패널(1000)의 비표시 영역(NDA)에 위치할 수 있다. 구체적으로, 정렬 마크(AM)는 비표시 영역(NDA)의 복수개의 구동부(800) 사이에 위치할 수 있다. 도 9는 정렬 마크(AM)의 구체적인 위치를 도시한 것이다.
도 9를 참고로 하면, 비표시 영역(NDA)에 복수개의 구동부(800)가 위치하고 구동부(800)에서 배선이 팬아웃 형태로 뻗어나와 표시 영역(DA)으로 연결되어 있다. 따라서 도 9에 도시된 바와 같이 복수개의 구동부(800) 및 이와 연결된 배선 사이의 빈 공간에 정렬 마크(AM)가 위치할 수 있다.
정렬 마크(AM)는 표시 영역(DA)의 제조에 사용되는 복수개의 마스크의 중첩 영역에 위치할 수 있다. 구체적으로 정렬 마크(AM)는 표시 영역(DA)의 제1 방향으로의 폭 중 1/4 내지 3/4 지점과 이웃한 비표시 영역(NDA)에 하나 이상 위치할 수 있다. 이는 마스크가 2개 이상 사용되는 경우, 마스크의 중첩 영역은 표시 영역(DA)의 제1 방향으로의 1/4 내지 3/4 지점에 위치하기 때문이다. 도 9에서는 정렬 마크(AM)가 표시 영역(DA)의 일 측면에만 위치하는 구성을 도시하였으나 정렬 마크(AM)는 표시 영역(DA)을 사이에 두고 양 측면에 위치할 수 있다.
또한, 도 9에서는 중첩 영역 당 하나의 정렬 마크(AM)가 위치하는 구성만 도시되었으나 정렬 마크(AM)의 수는 이에 제한되지 않는다.
도 9에서는 정렬 마크(AM)가 표시 패널(1000)내에 위치하는 구성을 도시하였으나 정렬 마크(AM)는 표시 패널(1000) 밖에 위치할 수도 있다. 도 10은 정렬 마크(AM)가 표시 패널(1000) 밖에 위치하는 모기판(2000)을 도시한 것이다. 도 10을 참고로 하면, 정렬 마크(AM)는 복수개의 표시 패널(1000)이 제조되는 모기판(2000)에 위치하고 표시 패널(1000) 상에 위치하지 않을 수도 있다. 이 경우, 정렬 마크(AM)는 제조 공정 중 마스크의 정렬을 확인하기 위해 사용된 후 절단 공정등을 통해 제거되어 최종 표시 패널(1000) 상에는 위치하지 않을 수 있다.
그러면 이하에서 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 11 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 과정을 도시한 공정 단면도이다.
먼저 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 기판(110)을 준비한다. 표시 영역(DA)은 트랜지스터, 화소 전극 등이 위치하게 되는 영역이다.
다음 도 12를 참고로 하면, 표시 영역(DA)과 인접한 비표시 영역(NDA)에 중심부(700)를 형성한다. 이때 중심부(700)는 표시 영역(DA) 내의 게이트선 형성 공정과 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 따라서 중심부(700)는 표시 영역(DA) 내의 게이트선과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
중심부(700)의 형성 위치는 이후 공정에서 마스크가 중첩되는 영역이다. 따라서 구체적인 위치는 표시 패널의 한 층을 제조하기 위한 공정에서 몇 개의 마스크가 사용되느냐에 따라 달라질 수 있다. 구체적으로 표시 패널의 한 층을 제조하기 위한 공정에서 2개의 마스크를 사용하는 경우 중심부(700)는 표시 패널의 제1 방향(D1)으로의 1/2 지점 부근에 위치할 수 있다. 또한 표시 패널의 한 층을 제조하기 위한 공정에서 3개의 마스크를 사용하는 경우 중심부(700)는 표시 패널의 제1 방향으로의 1/3 지점 및 2/3 지점 부근에 각각 위치할 수 있다. 따라서 표시 패널이 2개 이상의 마스크를 사용하는 경우, 중심부(700)는 표시 패널의 제1 방향으로의 1/4 내지 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치할 수 있다.
다음, 도 13을 참고로 하면 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역의 한 층을 형성한다. 이때 형성되는 표시 영역의 층은 데이터선을 포함하는 도전층일 수 있다. 또는, 화소 전극을 포함하는 전극층일 수도 있다. 이때, 중심부(700)의 모서리에 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)가 함께 형성된다. 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)는 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역 내에 패터닝된 층과 동일한 물질을 포함한다. 즉, 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역(DA)에 데이터선이 패터닝된 경우 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)는 데이터선 물질을 포함하고, 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역(DA)에 화소 전극이 패터닝된 경우 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)는 화소 전극 물질을 포함한다.
도 13에는 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)가 L자 형상을 갖는 구조를 예시하였으나 이에 제한되지 않으며, 중심부(700)와 일정 거리를 두고 이격된 구조라면 다양한 모양으로 형성될 수 있다.
다음 도 14를 참고로 하면 제2 마스크(B)를 이용하여 표시 영역 내의 한 층을 형성하고, 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)를 동시에 형성한다. 이 때, 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)가 형성되는 영역은 제1 마스크(A)와 제2 마스크(B)의 중첩 영역이다. 표시 영역 내 제2 마스크(B)에 의해 형성되는 층은 제1 마스크(A)에 의해 형성되는 층과 동일하다. 따라서 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d) 또한 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)와 동일한 물질을 포함한다. 도 14를 참고로 하면 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)는 중심부(700) 사각형의 모서리 중 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)가 형성되지 않은 모서리에 형성될 수 있다.
다음 도 15를 참고로 하면, 제3 마스크(C)를 이용하여 표시 영역 내의 한 층을 형성하고, 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)를 동시에 형성한다. 이 경우에도 제3 마스크(C)에 의해 형성되는 층은 제1 마스크(A) 및 제2 마스크(B)에 의해 형성되는 층과 동일하다. 이러한 과정으로 중심부(700) 및 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 포함하는 정렬 마크(AM)가 형성된다.
도 11 내지 도 15는 표시 패널(1000) 내 비표시 영역(NDA)에 정렬 마크(AM)가 위치하는 표시 장치의 제조 공정을 도시한 것이다. 도 16 내지 도 20을 통해 표시 패널(1000) 외부에 정렬 마크(AM)가 위치하는 표시 장치의 제조 공정을 설명한다. 도 16 내지 도 20은 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 공정을 나타낸 공정도이다.
도 16을 참고로 하면, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 표시 패널(1000)이 위치하는 모기판(2000)을 준비한다. 도 16에는 편의상 하나의 표시 패널(1000)이 도시되었으나, 표시 패널(1000)은 모기판(2000)에 복수개 위치할 수 있다.
다음 도 17을 참고로 하면 중심부(700)를 형성한다. 이때 중심부(700)는 표시 영역(DA) 내의 게이트선 형성 공정과 동일한 공정으로 형성될 수 있다. 따라서 중심부(700)는 표시 영역(DA) 내의 게이트선과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
중심부(700)의 형성 위치는 이후 공정에서 마스크가 중첩되는 영역이다. 표시 패널이 2개 이상의 마스크를 사용하는 경우, 중심부(700)는 표시 패널의 제1 방향으로의 1/4 내지 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치할 수 있다.
다음, 도 18을 참고로 하면 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역의 한 층을 형성한다. 이때 형성되는 표시 영역의 층은 데이터선 또는 화소 전극일 수 있다. 이때, 중심부(700)의 모서리에 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)가 함께 형성된다. 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)는 제1 마스크(A)를 이용하여 표시 영역 내에 패터닝된 층과 동일한 물질을 포함한다.
다음 도 19를 참고로 하면 제2 마스크(B)를 이용하여 표시 영역 내의 한 층을 형성하고, 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)를 동시에 형성한다. 이‹š 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)가 형성되는 영역은 제1 마스크(A)와 제2 마스크(B)의 중첩 영역이다. 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d) 또한 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)와 동일한 물질을 포함한다. 도 19를 참고로 하면 제2 측정부(710b) 및 제4 측정부(710d)는 중심부(700) 사각형의 모서리 중 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)가 형성되지 않은 영역에 형성될 수 있다.
다음 도 20을 참고로 하면, 제3 마스크(C)를 이용하여 표시 영역 내의 한 층을 형성하고, 제1 측정부(710a) 및 제3 측정부(710c)를 동시에 형성한다. 이 경우에도 제3 마스크(C)에 의해 형성되는 층은 제1 마스크(A) 및 제2 마스크(B)에 의해 형성되는 층과 동일하다. 이러한 과정으로 중심부(700) 및 측정부(710a, 710b, 710c, 710d)를 포함하는 정렬 마크(AM)가 형성된다.
다음 모기판(2000)에서 표시 패널(1000)을 절단하여 표시 장치를 형성할 수 있다. 따라서 최종 제조되는 표시 패널(1000)에는 정렬 마크(AM)가 위치하지 않으며, 정렬 마크(AM)는 제조 공정 중에만 위치할 수 있다.
도 11 내지 도 15, 도 16 내지 도 20에서는 3개의 마스크를 이용하는 공정을 예시로 하여 설명하였으나 마스크의 수가 달라지는 경우에도 이와 동일한 공정으로 정렬 마크(AM)가 형성될 수 있다. 즉 마스크의 수에 따라 정렬 마크(AM)의 수가 달라질 뿐, 구체적인 형성 원리는 도 11 내지 도 15, 도 16 내지 도 20에서 설명한 바와 동일하다. 또한, 도 11 내지 도 15, 도 16 내지 도 20에서는 정렬 마크(AM)가 도 1과 동일한 형상을 갖는 구조를 예시로 하여 제조 공정을 설명하였으나, 정렬 마크(AM)가 도 6 내지 도 8에 도시된 형상을 갖는 경우에도 유사한 방법으로 제조될 수 있다. 즉, 각 정렬 마크를 구성하는 측정부의 일부는 제1 마스크와 동일한 공정으로 형성되고, 다른 일부는 제2 마스크와 동일한 공정으로 형성될 수 있다.
그러면 이하에서 표시 패널(1000)의 표시 영역(DA)의 하나의 화소에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 21은 일 실시예에 따른 표시 영역의 화소 배치도이고, 도 22는 도 21의 표시 장치를 XXII- XXXII' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 21 및 도 22를 참고로 하면, 표시 패널은 제1 기판(100) 및 이와 중첩하는 제2 기판(200), 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 위치하며 액정 분자(31)를 포함하는 액정층(3)을 포함한다.
제1 기판(100)에 대하여 먼저 설명한다. 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 제1 베이스 기판(110)의 일면에 게이트선(121) 및 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다.
게이트선(121)은 제1 방향(D1)으로 뻗을 수 있다. 게이트 도전체는 다양한 금속 또는 도전체를 포함할 수 있으며, 다중막 구조를 가질 수 있다. 게이트 도전체와 액정층(3) 사이에는 게이트 절연막(140)이 위치한다. 게이트 절연막(140)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(140)의 일면에 반도체층(154)이 위치한다.
데이터선(171)은 반도체층(154)과 액정층(3) 사이에 위치하며, 제2 방향(D2)으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 소스 전극(173)은 데이터선(171)으로부터 뻗어 나와 게이트 전극(124)과 중첩할 수 있다. 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 도 21에 도시한 바와 같이 소스 전극(173)의 중앙을 향하여 연장된 막대 모양일 수 있다.
반도체층(154)의 일부는, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이 영역에서, 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 중첩하지 않을 수 있다. 반도체층(154)은 이러한 미중첩 부분을 제외하고 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 실질적으로 동일한 평면 형태를 가질 수 있다.
하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 하나의 박막 트랜지스터를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체층(154) 영역이다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 액정층(3) 사이에는 보호막(180)이 위치한다. 보호막(180)은 질화 규소나 산화 규소 따위의 무기 절연 물질, 유기 절연 물질, 저유전율 절연 물질 등을 포함할 수 있다.
보호막(180)은 드레인 전극(175)의 일부와 중첩하는 접촉 구멍(185)을 갖는다.
보호막(180)과 액정층(3) 사이에는 제1 전극(191)이 위치한다. 제1 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 제1 전극(191)은 화소 전극일 수 있다.
제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 차광 부재(220), 컬러 필터(230), 평탄화층(250) 및 제2 전극(270)을 포함한다.
제2 베이스 기판(210)에 차광 부재(220) 및 컬러 필터(230)가 위치한다. 차광 부재(220)는 데이터선(171)과 중첩하여, 제2 방향(D2)으로 뻗을 수 있다. 도시하지는 않았으나, 차광 부재는 게이트선(121)과 중첩하여 제1 방향으로 뻗은 가로부를 더 포함할 수도 있다. 다만 차광 부재(220)는 생략될 수 있다.
다음 차광 부재(220)와 컬러 필터(230)를 덮는 평탄화층(250)이 위치한다. 평탄화층(250)은 실시예에 따른 생략될 수 있다. 평탄화층(250)과 중첩하여 제2 전극(270)이 위치한다. 제2 전극(270)은 공통 전극일 수 있다.
이상에서는 표시 영역(DA)이 액정 표시 장치인 경우를 예시로 하여 설명하였으나, 표시 영역(DA)는 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치일 수도 있다.
도 23은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 도 23을 참고로 하면, 제1 베이스 기판(110)에 산화규소 또는 질화규소 등으로 만들어진 버퍼층(111)이 위치한다.
버퍼층(111) 상에 반도체층(154)이 위치한다. 반도체층(154)은 p형 불순물로 도핑된 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)을 포함하고, 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155) 사이에 위치한 채널 영역(151)을 포함한다.
게이트 절연막(140)은 반도체층(154) 및 버퍼층(111) 상에 위치하며 산화규소 또는 질화규소를 포함할 수 있다. 게이트 전극(124)은 반도체층(154)의 채널 영역(151)과 중첩하며, 게이트 절연막(140) 위에 위치한다.
층간 절연막(160)은 게이트 전극(124) 및 게이트 절연막(140) 상에 위치한다. 층간 절연막(160)은 제1 접촉 구멍(165) 및 제2 접촉 구멍(163)을 갖는다.
데이터선(171), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체는 층간 절연막(160) 상에 위치한다.
드레인 전극(175)은 제1 접촉 구멍(165)을 통하여 드레인 영역(155)에 연결되어 있다. 또한, 소스 전극(173)은 제2 접촉 구멍(163)을 통하여 소스 영역(153)에 연결되어 있다.
보호막(180)은 데이터 도전체(171, 173, 175) 및 층간 절연막(160) 상에 위치하며, 보호막(180)은 접촉 구멍(185)을 갖는다.
제1 전극(191)은 보호막(180) 상에 위치한다. 제1 전극(191)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있다. 격벽(361)은 보호막(180) 상에 위치한다. 제1 전극(191)과 중첩하여 발광 소자층(370)이 위치하고, 발광 소자층(370)과 중첩하도록 제2 전극(270)이 위치한다. 제2 전극(270)은 공통 전극일 수 있다.
이때, 제1 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드일 수 있고, 제2 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드일 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(191)이 캐소드가 되고, 제2 전극(270)이 애노드가 될 수도 있다.
발광 소자층(370)은 발광층, 전자 전달층, 정공 전달층등을 포함할 수 있다.
제2 전극(270)과 중첩하여 봉지층(390)이 위치한다. 봉지층(390)은 유기물 또는 무기물을 포함할 수 있으며, 또는 유기물과 무기물이 번갈아 적층되어 있을 수도 있다. 봉지층(390)은 외부의 수분, 열, 기타 오염으로부터 표시 장치를 보호할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
AM: 정렬 마크 700: 중심부
1000: 표시 패널 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 800: 구동부
2000: 모기판 110: 제1 베이스 기판
121: 게이트선 171: 데이터선
154: 반도체층 191: 제1 전극
270: 제2 전극

Claims (25)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고,
    상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며,
    상기 복수개의 측정부는 4개 이상의 측정부를 포함하고,
    각각의 측정부는 상기 사각형의 2개의 변과 나란한 변을 포함하고,
    상기 복수개의 측정부는 서로 분리되어 위치하고,
    상기 복수개의 측정부는,
    상기 사각형의 제1 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제4 변에 인접하여 위치하는 제1 측정부,
    상기 사각형의 제1 변 및 제2 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제2 변에 인접하여 위치하는 제2 측정부,
    상기 사각형의 제2 변 및 제3 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제2 변과 상기 제3 변에 인접하여 위치하는 제3 측정부,
    상기 사각형의 제3 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제3 변 및 제4 변에 인접하여 위치하는 제4 측정부를 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 정렬 마크는 상기 비표시 영역의 제1 방향으로의 1/4 지점부터 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치하는 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값과,
    상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛인 표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값과,
    상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛인 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 중심부는 상기 표시 영역의 게이트선과 동일한 물질을 포함하고,
    상기 측정부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질 또는 상기 표시 영역의 화소 전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 중심부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질을 포함하고,
    상기 측정부는 상기 표시 영역의 화소 전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 비표시 영역에 위치하는 복수개의 구동부를 더 포함하고,
    상기 정렬 마크는 상기 복수개의 구동부 사이에 위치하는 표시 장치
  10. 제1항에서,
    상기 비표시 영역은 제조 공정 중 2 이상의 마스크가 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 정렬 마크는 상기 마스크 중첩 영역 내에 위치하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 정렬 마크의 가로 길이는 15 ㎛ 내지 30 ㎛인 표시 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 정렬 마크의 세로 길이는 15 ㎛ 내지 30 ㎛인 표시 장치.
  13. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고,
    상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며,
    상기 정렬 마크는 상기 비표시 영역의 제1 방향으로의 1/4 지점 내지 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치하고,
    상기 정렬마크의 상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함하고,
    상기 측정부는 상기 사각형의 제1 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제2 측정부 및 제3 측정부,
    상기 사각형의 제2 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제4 측정부 및 제5 측정부,
    상기 사격형의 제3 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제6 측정부 및 제7 측정부,
    상기 사각형의 제4 변과 나란한 가상의 직선 상에 위치하며 서로 이격된 제8 측정부 및 제1 측정부를 포함하는 표시 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판의 비표시 영역에 위치하는 정렬 마크를 포함하고,
    상기 정렬 마크는 사각형의 중심부 및 상기 중심부를 둘러싸는 복수개의 측정부를 포함하며,
    상기 정렬 마크는 상기 비표시 영역의 제1 방향으로의 1/4 지점 내지 3/4 지점 사이에 하나 이상 위치하고,
    상기 정렬마크의 상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함하고
    상기 측정부는 상기 사각형의 제1 변과 나란하게 위치하는 제5 측정부 및 상기 제1 변과 제5 측정부 사이에 위치하는 제1 측정부,
    상기 사각형의 제2 변과 나란하게 위치하는 제6 측정부 및 상기 제2 변과 상기 제6 측정부 사이에 위치하는 제2 측정부,
    상기 사각형의 제3 변과 나란하게 위치하는 제7 측정부 및 상기 제3 변과 상기 제7 측정부 사이에 위치하는 제3 측정부,
    상기 사각형의 제4 변과 나란하게 위치하는 제8 측정부 및 상기 제4 변과 상기 제8 측정부 사이에 위치하는 제4 측정부를 포함하는 표시 장치.
  17. 제13항에서,
    상기 비표시 영역에 위치하는 복수개의 구동부를 더 포함하고,
    상기 정렬 마크는 상기 복수개의 구동부 사이에 위치하는 표시 장치
  18. 제13항에서,
    상기 비표시 영역은 제조 공정 중 2 이상의 마스크가 중첩되는 영역을 포함하고,
    상기 정렬 마크는 상기 마스크 중첩 영역 내에 위치하는 표시 장치.
  19. 제13항에서,
    상기 중심부는 상기 표시 영역의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질을 포함하고,
    상기 측정부는 상기 표시 영역의 데이터선과 동일한 물질 또는 화소 전극과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  20. 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 표시 영역의 제1 도전층을 형성하면서 이와 동일 공정으로 상기 비표시 영역에 위치하는 중심부를 형성하는 단계:
    상기 표시 영역에 제1 마스크를 이용하여 제2 도전층을 형성하고, 이와 동일 공정으로 상기 중심부를 둘러싸는 제1 측정부 및 제2 측정부를 형성하는 단계:
    상기 표시 영역에 제2 마스크를 이용하여 제2 도전층을 형성하고, 이와 동일 공정으로 상기 중심부를 둘러싸는 제3 측정부 및 제4 측정부를 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 중심부는 상기 제1 마스크와 상기 제2 마스크가 중첩되는 영역에 형성되고,
    상기 제1 측정부, 상기 제2 측정부, 상기 제3 측정부 및 상기 제4 측정부는 서로 분리되고,
    상기 중심부는 사각형이고,
    상기 제1 측정부는 상기 사각형의 제1 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제4 변에 인접하여 위치하고,
    상기 제2 측정부는 상기 사각형의 제1 변 및 제2 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제1 변과 상기 제2 변에 인접하여 위치하고,
    상기 제3 측정부는 상기 사각형의 제2 변 및 제3 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제2 변과 상기 제3 변에 인접하여 위치하고,
    상기 제3 측정부는 상기 사각형의 제3 변 및 제4 변과 나란한 변을 포함하며 상기 제3 변 및 제4 변에 인접하여 위치하는 표시 장치의 제조 방법.
  21. 삭제
  22. 제20항에서,
    상기 중심부와 상기 측정부는 서로 다른 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제20항에서,
    상기 중심부는 표시 영역의 게이트선 또는 데이터선과 동일한 물질을 포함하고,
    상기 측정부는 표시 영역의 데이터선 또는 화소 전극 물질과 동일한 물질을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제20항에서,
    상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값과,
    상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제2 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제2 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛인 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제20항에서,
    상기 중심부에서 상기 제1 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제3 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값과,
    상기 중심부에서 상기 제2 측정부까지의 제1 방향으로의 거리에서 상기 중심부에서 상기 제4 측정부까지의 제1 방향으로의 거리를 뺀 값의 차이가 -0.8 ㎛ 내지 0.8 ㎛인 표시 장치의 제조 방법.
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