KR102707659B1 - 스퍼터링 타겟 접합체 - Google Patents
스퍼터링 타겟 접합체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102707659B1 KR102707659B1 KR1020210158874A KR20210158874A KR102707659B1 KR 102707659 B1 KR102707659 B1 KR 102707659B1 KR 1020210158874 A KR1020210158874 A KR 1020210158874A KR 20210158874 A KR20210158874 A KR 20210158874A KR 102707659 B1 KR102707659 B1 KR 102707659B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sputtering target
- backing plate
- thermal expansion
- bubble discharge
- expansion coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] Chemical class [Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Zn].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Ag].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn].[Sn] RZJQYRCNDBMIAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229920006333 epoxy cement Polymers 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
도 2는 종래기술에서 열팽창 계수의 차이로 인하여, 확산접합 이후에 휨 현상이 발생하는 과정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 접합체를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 스퍼터링 타겟 접합체를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 접합체의 홈부 단면을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 접합체에서 백킹 플레이트에 홈부가 형성된 모습을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명에 의한 스퍼터링 타겟 접합체에에서 백킹 플레이트에 홈부가 형성된 모습을 나타낸 사진이다.
20 : 백킹 플레이트
21 : 홈부
w : 홈부의 폭
h : 홈부의 깊이
22 : 제1 기포배출부
23 : 제2 기포배출부
30 : 접합면
100 : 스퍼터링 타겟 접합체
Claims (7)
- 일정한 열팽창 계수를 가지는 스퍼터링 타겟; 및
상기 스퍼터링 타겟과 접합되고, 일정한 열팽창 계수를 가지는 백킹 플레이트;를 포함하고,
상기 스퍼터링 타겟의 열팽창 계수와 상기 백킹 플레이트의 열팽창 계수는 서로 다르고,
상기 백킹 플레이트의 열팽창 계수는 상기 상기 스퍼터링 타겟의 열팽창 계수보다 크고,
상기 백킹 플레이트는
상기 스퍼터링 타겟이 접합하는 면에 형성되고,
단면이 ‘V’자 모양을 형성하는 홈부를 포함하고,
상기 홈부의 폭은 0.5 내지 2 밀리미터(mm)이고,
상기 홈부의 깊이는 0.75 내지 6 밀리미터(mm)이고,
상기 백킹 플레이트에서 상기 홈부가 차지하는 면적은
상기 백킹 플레이트와 상기 스퍼터링 타겟이 접합하는 면적의 3 내지 20%이고,
상기 백킹 플레이트는
상기 스퍼터링 타겟이 상기 백킹 플레이트와 접합하는 과정에서 발생하는 기포가 확산되어 배출되어 지는 기포배출부를 더 포함하고,
상기 기포배출부는
상기 홈부와 연결되어 있는 제1 기포배출부 및
상기 홈부에는 연결되지 않고 상기 제1 기포배출부에만 연결되어 있는 제2 기포배출부를 포함하고,
상기 접합하는 과정에서 상기 홈부에서 발생한 기포는 상기 제1 기포배출부로 확산되어 이동하고, 상기 제1 기포배출부로 확산되어 이동한 기포는 다시 상기 제1 기포배출부에만 연결되어 있는 제2 기포배출부를 통하여 외부로 배출되고,
상기 홈부는 상기 백킹 플레이트의 상기 스퍼터링 타겟이 접합하는 면에 동심원 모양으로 최소한 2개 이상 형성되고, 상기 제1 기포배출부는 상기 최소한 2개 이상의 동심원 모양의 홈부와 최소한 2개 이상의 접점을 통하여 연결되고, 상기 제2 기포배출부는 상기 제1 기포배출부의 양단에 형성되면서 상기 백킹 플레이트의 외곽에 형성되어 외부와 연결되는 것을 특징으로 하는
스퍼터링 타겟 접합체. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210158874A KR102707659B1 (ko) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 스퍼터링 타겟 접합체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210158874A KR102707659B1 (ko) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 스퍼터링 타겟 접합체 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230072292A KR20230072292A (ko) | 2023-05-24 |
KR102707659B1 true KR102707659B1 (ko) | 2024-09-19 |
Family
ID=86540891
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210158874A Active KR102707659B1 (ko) | 2021-11-17 | 2021-11-17 | 스퍼터링 타겟 접합체 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102707659B1 (ko) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200981892Y (zh) * | 2006-08-25 | 2007-11-28 | 上海贺利氏工业技术材料有限公司 | 一种低熔点金属与背板的结构 |
JP2013227619A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Tungsten Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット |
JP2017524831A (ja) | 2014-06-27 | 2017-08-31 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
CN107457495A (zh) | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 背板及其制造方法以及靶材组件的制造方法 |
JP2020128583A (ja) | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004038059A2 (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-06 | Honeywell International Inc | Target designs and related methods for enhanced cooling and reduced deflection and deformation |
WO2008001547A1 (fr) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | élément de liaison pour cible de pulvérisation cathodique/plaque de support |
JP5952653B2 (ja) | 2012-06-26 | 2016-07-13 | 株式会社コベルコ科研 | ターゲット接合体 |
JP6231428B2 (ja) | 2013-04-30 | 2017-11-15 | 株式会社コベルコ科研 | Li含有酸化物ターゲット接合体およびその製造方法 |
WO2015068625A1 (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体 |
CN106536787B (zh) * | 2014-07-31 | 2019-02-22 | 捷客斯金属株式会社 | 将防腐蚀性金属与Mo或Mo合金扩散接合而得到的背衬板、以及具备该背衬板的溅射靶-背衬板组件 |
-
2021
- 2021-11-17 KR KR1020210158874A patent/KR102707659B1/ko active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN200981892Y (zh) * | 2006-08-25 | 2007-11-28 | 上海贺利氏工业技术材料有限公司 | 一种低熔点金属与背板的结构 |
JP2013227619A (ja) | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Nippon Tungsten Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット |
JP2017524831A (ja) | 2014-06-27 | 2017-08-31 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
CN107457495A (zh) | 2016-06-06 | 2017-12-12 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 背板及其制造方法以及靶材组件的制造方法 |
JP2020128583A (ja) | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230072292A (ko) | 2023-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100515906B1 (ko) | 파티클 발생이 적은 스퍼터링 타겟트 | |
JP4672834B2 (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
US7550055B2 (en) | Elastomer bonding of large area sputtering target | |
US7114643B2 (en) | Friction fit target assembly for high power sputtering operation | |
US6287437B1 (en) | Recessed bonding of target for RF diode sputtering | |
KR20010049969A (ko) | 클래드 중공 음극 마그네트론 스퍼터 타겟의 제조방법 | |
US5674367A (en) | Sputtering target having a shrink fit mounting ring | |
KR101338714B1 (ko) | 타깃 배킹 플레이트 조립체 | |
CN105513952A (zh) | 用于pvd腔室的溅射靶材 | |
KR20010015222A (ko) | 구리 및 구리 합금 스퍼터링 타겟의 제조 및 접합 방법 | |
KR102707659B1 (ko) | 스퍼터링 타겟 접합체 | |
KR100616765B1 (ko) | 확산 접합된 스퍼터 타켓 조립체 및 그 제조 방법 | |
EP1087033A1 (en) | Extended life sputter targets | |
CN108220892B (zh) | 溅射靶-背衬板接合体 | |
KR102815335B1 (ko) | 스퍼터링 타겟 접합방법 | |
JP2002220660A (ja) | スパッタリング装置 | |
CN110546298B (zh) | 异形溅射靶及其制备方法 | |
JP2023509012A (ja) | 圧電材料の堆積のための方法及び装置 | |
KR20040072728A (ko) | 웨이퍼 표면의 에칭 방법, 전기 부품의 어태치먼트의 제공 방법, 증착 제공 방법 및 웨이퍼 표면의 준비 방법 | |
US6723213B2 (en) | Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same | |
JP2001164361A (ja) | スパッタリングターゲット冷却構造 | |
US20250197987A1 (en) | Molybdenum sputtering target assembly and method of making | |
JP4566367B2 (ja) | パーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット | |
WO2004065046A2 (en) | Brittle material sputtering target assembly and method of making same | |
JPH08193264A (ja) | ターゲットの冷却方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20211117 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20240129 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20240910 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240911 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240911 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |