KR102694231B1 - 발광 소자 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 146
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 111
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 19
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910017750 AgSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H01L33/36—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H01L33/02—
-
- H01L33/40—
-
- H01L33/62—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H01L2933/0016—
-
- H01L2933/0066—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
- H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
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Abstract
[해결 수단] 발광 소자는, 반도체 적층체와, 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과, 반도체 적층체의 하면 중 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과, 상부 전극의 표면과 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고, 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 보호막의 두께는 상부 전극의 표면과 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 한다.
Description
도 2는 실시형태 1과 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타낸 부분 단면도이며, 도 1의 A-A선에 있어서의 단면을 나타낸다.
도 3은 실시형태 1과 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 4는 실시형태 2와 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타낸 부분 단면도이며, 도 1의 A-A선의 단면을 나타낸다.
10n: n측 반도체층
10a: 활성층
10p: p측 반도체층
11: 상부 전극
11a: 외부 접속부
11b: 연장부
111: 제1 상부 전극
112: 제2 상부 전극
12: 하부 전극
13: 보호막
14: 절연 부재
15: 접합 부재
16: 기판
100, 200: 발광 소자
Claims (13)
- 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
상기 보호막은 절연성을 갖는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 보호막은 상면에서 보았을 때 상기 하부 전극의 바로 위 영역만이 얇게 형성되어 있는, 발광 소자. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께는, 상기 상부 전극의 표면과 상기 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막의 두께의 40% 이하인, 발광 소자. - 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격되어 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면과, 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에는 상기 보호막이 설치되어 있지 않고,
상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되어 있는, 발광 소자. - 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역을 포함하는 영역에는 절연 부재가 설치되어 있는, 발광 소자. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되고,
상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께보다 두꺼운 부분을 갖는, 발광 소자. - 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자. - 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하부 전극은 Ag 또는 Ag를 성분으로서 포함하는 합금으로 이루어진, 발광 소자. - 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상면에서 보았을 때 상기 근방 영역의 외연은 상기 상부 전극의 단부로부터 15㎛ 이상, 30㎛ 이하의 거리에 있는, 발광 소자. - 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께는, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막의 두께의 40% 이하인, 발광 소자. - 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되고,
상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께보다 두꺼운 부분을 갖는, 발광 소자. - 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자. - 발광 소자로서,
반도체 적층체와,
상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격되어 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
상기 상부 전극의 표면과, 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
상기 하부 전극의 바로 위 영역에는 상기 보호막이 설치되어 있지 않고,
상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-056443 | 2016-03-22 | ||
JP2016056443A JP6668863B2 (ja) | 2016-03-22 | 2016-03-22 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170110005A KR20170110005A (ko) | 2017-10-10 |
KR102694231B1 true KR102694231B1 (ko) | 2024-08-09 |
Family
ID=58360935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170026707A Active KR102694231B1 (ko) | 2016-03-22 | 2017-02-28 | 발광 소자 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9947832B2 (ko) |
EP (1) | EP3223321B1 (ko) |
JP (1) | JP6668863B2 (ko) |
KR (1) | KR102694231B1 (ko) |
CN (1) | CN107221592B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10217895B2 (en) * | 2017-06-22 | 2019-02-26 | Epistar Corporation | Method of forming a light-emitting device |
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---|---|---|---|---|
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JP6668863B2 (ja) | 2020-03-18 |
CN107221592B (zh) | 2021-07-27 |
US10403795B2 (en) | 2019-09-03 |
EP3223321B1 (en) | 2024-05-01 |
EP3223321A1 (en) | 2017-09-27 |
US20170279007A1 (en) | 2017-09-28 |
CN107221592A (zh) | 2017-09-29 |
JP2017174873A (ja) | 2017-09-28 |
US20180204981A1 (en) | 2018-07-19 |
KR20170110005A (ko) | 2017-10-10 |
US9947832B2 (en) | 2018-04-17 |
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JP2023113378A (ja) | 発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20170228 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20211214 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20170228 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20231020 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20240620 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240807 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240807 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |