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KR102694231B1 - 발광 소자 - Google Patents

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KR102694231B1
KR102694231B1 KR1020170026707A KR20170026707A KR102694231B1 KR 102694231 B1 KR102694231 B1 KR 102694231B1 KR 1020170026707 A KR1020170026707 A KR 1020170026707A KR 20170026707 A KR20170026707 A KR 20170026707A KR 102694231 B1 KR102694231 B1 KR 102694231B1
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electrode
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유야 야마카미
다이스케 모리타
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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 신뢰성을 유지하면서 높은 광 추출 효율을 가진 발광 소자를 제공한다.
[해결 수단] 발광 소자는, 반도체 적층체와, 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과, 반도체 적층체의 하면 중 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과, 상부 전극의 표면과 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고, 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 보호막의 두께는 상부 전극의 표면과 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 한다.

Description

발광 소자{LIGHT-EMITTING ELEMENT}
이 발명은 발광 소자에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 반도체 적층체의 상면 측에 본딩 전극이 형성되고, 반도체 적층체의 하면 측에 금속 전극이 형성되며, 반도체 적층체의 표면에 보호막이 형성된 발광 소자가 기재되어 있다.
일본특허공개 제2014-236070호
상술한 발광 소자에서는, 반도체 적층체의 상면에 균일한 두께를 갖는 보호막이 형성되어 있기 때문에 보호막의 두께가 얇을 경우 반도체 적층체가 열화할 우려가 있다. 또한 보호막의 두께를 두껍게 하면 반도체 적층체의 열화를 억제할 수 있지만, 한편으로 반도체 적층체로부터의 빛이 보호막에 의해 흡수되기 쉽기 때문에 광 추출 효율이 저하되어 버린다. 이에 본 발명은 반도체 적층체의 열화가 억제된 높은 광 추출 효율을 갖는 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태에 관한 발광 소자는, 반도체 적층체와, 상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과, 상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과, 상기 상부 전극의 표면과 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께는, 상기 상부 전극의 표면과 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속해서 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 발광 소자이다.
이상의 구성으로 함으로써, 반도체 적층체의 열화가 억제되고 광 추출 효율이 높은 발광 소자를 얻을 수 있다.
도 1은 실시형태 1과 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타낸 상면도이다.
도 2는 실시형태 1과 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타낸 부분 단면도이며, 도 1의 A-A선에 있어서의 단면을 나타낸다.
도 3은 실시형태 1과 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 4는 실시형태 2와 관련된 발광 소자의 구성을 모식적으로 나타낸 부분 단면도이며, 도 1의 A-A선의 단면을 나타낸다.
<실시형태 1>
도 1은 본 실시형태와 관련된 발광 소자(100)를 상면에서 본 모습을 나타낸 도면이다. 도 2는 발광 소자(100)의 구성을 설명하기 위한 부분 단면도이다. 도 3은 발광 소자(100)에서 반도체 적층체(10)의 상면 및 하면에 설치되어 있는 부재가 배치된 영역을 설명하기 위한 상면도이다. 도 4는 실시형태 2에 관련된 발광 소자(200)의 구성을 설명하기 위한 부분 단면도이다. 또한, 도 3에서 빗금으로 표시한 영역은 상면에서 보았을 때 하부 전극(12)이 설치된 영역을 나타낸 것으로, 단면을 나타내는 것은 아니다.
발광 소자(100)는, 반도체 적층체(10)와, 반도체 적층체(10)의 상면의 일부에 설치된 상부 전극(11)과, 반도체 적층체(10)의 하면 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극(12)과, 상부 전극(11)의 표면과 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)을 구비하고 있다. 그리고 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께는, 상부 전극(11)의 표면과 상부 전극(11)이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)의 두께보다 얇게 구성되어 있다.
이러한 구성에 의해, 반도체 적층체의 열화를 억제하면서 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 이하, 이 점에 대하여 설명한다.
발광 소자(100)에서는 반도체 적층체(10)의 상면이 주로 광을 추출하는 측의 면이 된다. 그리고, 반도체 적층체(10)의 표면은 반도체 적층체(10)의 열화를 억제하기 위해 투광성을 갖는 보호막(13)에 의해 피복되어 있다. 그러나, 반도체 적층체(10)로부터의 광의 일부가 보호막(13)에 의해 흡수됨으로써 출력이 저감된다. 특히, 발광 소자(100)에서는 상면에서 보았을 때 상부 전극(11)과 하부 전극(12)을 다른 영역에 배치하고 있기 때문에, 상면에서 보면 하부 전극(12)의 바로 위 영역이 강하게 빛나는 경향을 갖는다. 이 때문에, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 있어서 광의 일부가 보호막에 흡수되기 쉽다. 한편, 보호막(13) 중 외부로부터 전력이 공급되는 개구부나 보호막(13)이 얇게 형성되어 있는 부분은, 수분이 침입할 염려가 있다. 나아가, 반도체 적층체(10)의 상면 중 상부 전극(11)이 설치된 영역의 근방 영역(이하, 간단히 "근방 영역"이라고도 함)은, 다른 영역과 비교하여 높은 전류 밀도로 되고, 높은 광 밀도로 된다. 이러한 수분과 높은 광 밀도에 기인하여, 근방 영역에서의 반도체 적층체(10)가 산화함으로써 열화되기 쉬운 경향을 갖는다.
이에 본 실시형태에서는 반도체 적층체(10)의 상면 중 하부 전극(12)의 바로 위에 위치하는 영역에 설치되는 보호막(13)의 두께를 얇게 함으로써, 보호막(13)에 의한 광의 흡수를 경감시켜 광 추출 효율을 향상시키고 있다. 한편, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 설치되는 보호막(13)의 두께를 두껍게 형성하고 있다. 이에 의해, 반도체 적층체(10)가 열화되기 쉬운 경향에 있는 근방 영역에 있어서 반도체 적층체(10)의 열화를 억제할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 있어서는 발광 소자(100)의 신뢰성을 유지하면서도 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도면을 참조하면서 발광 소자(100)의 구성에 대해 설명한다.
반도체 적층체(10)는, 도 2에서 나타내듯이, 발광 소자(100)의 아래쪽이 되는 기판(16)이 배치되어 있는 측으로부터 순서대로, p측 반도체층(10p), 활성층(10a), n측 반도체층(10n)을 구비한다. 반도체 적층체(10)의 상면에서 본 형상은, 한 변이 약 2mm인 대략 정방형이다. n측 반도체층(10n), 활성층(10a) 및 p측 반도체층(10p)은, 예를 들어, InXAlYGa1 -X- YN(0≤X, 0≤Y, X+Y<1) 등의 질화물 반도체를 사용할 수 있다.
반도체 적층체(10)의 n측 반도체층(10n)의 상면을 거친 면으로 할 수도 있다. 상면을 거친 면으로 함으로써, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들면, 복수의 볼록부를 형성함으로써 거친 면으로 하는 경우, 볼록부의 높이는 광 추출 효율을 적절하게 향상시키기 위해, 0.2~3.0㎛으로 하는 것이 바람직하고, 0.4~1.5㎛으로 하는 것이 더욱 바람직하다.
상부 전극(11)은 도 2에 도시한 바와 같이 반도체 적층체(10)의 상면의 일부에 설치되고, n측 반도체층(10n)과 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 본 실시형태에서 상부 전극(11)은 n 전극으로서 기능한다.
상부 전극(11)은, 외부 접속부(11a)와, 외부 접속부(11a)로부터 연장된 연장부(11b)를 구비하고 있다. 외부 접속부(11a)는 와어어 등의 외부 부재와 접속하기 위한 영역이고, 연장부(11b)는 외부 접속부(11a)에 공급된 전류를 보다 넓은 영역으로 확산시키기 위한 전극이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 반도체 적층체(10)의 상면에는 복수의 외부 접속부(11a)가 설치되어 있으며, 각각의 외부 접속부(11a)에 연장부(11b)가 설치되어 있다. 상부 전극(11)으로는, 예를 들면, Ni, Au, W, Pt, Al, Rh, Ti 등의 금속을 사용할 수 있다.
하부 전극(12)은 반도체 적층체(10)의 하면의 일부에 설치되고, p측 반도체층(10p)에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 본 실시형태에서 하부 전극(12)은 p 전극으로서 기능한다. 도 3에서 왼쪽 위 방향의 사선으로 해칭한 영역에 하부 전극(12)이 설치되어 있다. 도 3에서 알 수 있듯이, 하부 전극(12)은 반도체 적층체(10)의 하면 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역과 이격된 영역에 설치되어 있다. 이에 의해, 반도체 적층체(10) 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역 이외로 전류가 흐르기 쉬워지고, 반도체 적층체(10)의 넓은 범위로 전류가 확산됨으로써, 발광 소자(100)의 발광 영역을 증가시킬 수 있다.
하부 전극(12)은 반도체 적층체(10)로부터의 광을 상면 측으로 반사시켜, 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시키는 기능을 갖는다. 이를 위해, 하부 전극(12)은 높은 반사율을 갖는 금속을 이용하여 형성하는 것이 바람직하고, 예를 들어 Ag, Al 등의 금속 또는 이들 금속을 주성분으로 하는 합금을 사용할 수 있다.
보호막(13)은 발광 소자(100)를 보호하는 기능을 갖는다. 보호막(13)은 상부 전극(11)이 형성되지 않은 반도체 적층체(10)의 상면 및 상부 전극(11)의 표면에 설치되어 있다. 또한 외부와의 접속을 확보하기 위해, 외부 접속부(11a)의 일부 영역에는 보호막(13)은 설치되어 있지 않고, 이 영역에 도전성의 와이어 등이 본딩되어 외부 전원과 전기적으로 접속된다.
하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께는, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)의 두께보다 얇다. 다시 말해, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)의 두께는, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께보다 두껍다. 이에 의해, 반도체 적층체(10)의 열화를 억제할 수 있으며, 동시에 반도체 적층체(10)로부터의 광을 효율적으로 추출할 수 있다. 또한, 여기서 말하는 보호막(13)의 "두께"란, 보호막(13)이 형성되는 각 부재의 표면에 수직을 이루는 방향에 있어서의 보호막의 두께를 지칭한다.
발광 소자(100)에 있어서, 보호막(13)은 상면에서 보았을 때 하부 전극(12)의 바로 위 영역만이 부분적으로 얇게 형성되어 있다. 즉, 그 이외의 영역에서는 보호막(13)은 비교적 두껍게 형성되어 있다. 이에 의해, 광 추출 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
보호막(13)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 적층체(10)의 주변부에 있어서도 비교적 두껍게 형성되어 있다. 반도체 적층체(10)의 주변부, 특히 반도체 적층체(10)의 상면과 측면에 걸쳐 형성되는 보호막(13)은 얇게 형성되기 쉽다. 이 때문에, 반도체 적층체(10)의 주변부에 있어서의 보호막(13)을 비교적 두껍게 형성함으로써, 반도체 적층체(10)를 보호하고, 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께는, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 설치된 보호막(13) 두께의 40% 이하인 것이 바람직하고, 35% 이하인 것이 더욱 바람직하다. 예를 들어, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께를 0.2㎛로 하고, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)의 두께를 0.7㎛로 하는 것이 바람직하다. 이로써, 상부 전극(11)의 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 열화를 억제하여 신뢰성을 유지하면서도, 반도체 적층체(10)로부터 광을 효율적으로 추출할 수 있다.
하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께는, 0.2~0.3㎛로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 어느 정도 보호 기능을 갖추면서도 반도체 적층체(10)로부터의 광의 흡수를 보다 줄일 수 있다. 또한, 상부 전극(11)의 표면과 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된 보호막(13)의 두께는 0.5~1.0㎛로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 수분이 보호막(13)을 투과하여 반도체 적층체(10)에 도달하는 것이 어렵게 되기 때문에 반도체 적층체(10)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 반도체 적층체(10)를 외적인 충격 등으로부터 보호할 수 있기 때문에 발광 소자(100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
보호막(13)은, 연장부(11b)의 표면과 연장부(11b)가 설치된 영역의 근방 영역을 포함하는 반도체 적층체(10)의 상면에 연속하여 설치된다. 이때, 연장부(11b)의 표면과 연장부(11b)가 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 상면에 설치된 보호막(13)의 두께는, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께보다 두껍게 형성된다. 이에 의해, 반도체 적층체(10)의 상면의 넓은 범위에서 보호막(13)에 의한 효과가 얻어지기 때문에 신뢰성 및 광 추출 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 상부 전극(11)은 반도체 적층체(10)의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극(111)과, 제1 상부 전극(111) 상에 설치된 제2 상부 전극(112)을 구비하는 것이 바람직하다. 상부 전극(11)이 이와 같은 다층 구조를 가지는 경우, 보호막(13)의 단부는 제1 상부 전극(111)과 제2 상부 전극(112) 사이에 개재되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제2 상부 전극(112)이 설치되어 있지 않는 경우와 비교하여, 상부 전극(111)과 보호막(13) 사이로부터의 수분의 침투를 억제하여, 반도체 적층체(10)의 열화를 억제할 수 있다. 이와 같은 다층 구조는, 상부 전극(11) 중 외부 접속부(11a)가 되는 영역에만 설치되어 있으면 좋다. 이에 의해 상부 전극(11)에 의한 광 흡수가 경감되고, 출력의 감소를 억제할 수 있다.
반도체 적층체(10)의 상면 중 상부 전극(11)이 설치되는 영역의 근방 영역은, 그 외연이 상면에서 보았을 때 상부 전극(11)의 단부로부터 15㎛ 이상, 30㎛ 이하의 거리에 있는 것이 바람직하다. 즉, 보호막(13)의 두께가 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)보다 두꺼운 영역의 외연을, 상부 전극(11)의 단부로부터의 거리가 15㎛ 이상, 30㎛ 이하인 영역에 위치시키는 것이 바람직하다. 근방 영역의 외연을 상부 전극(11)의 단부로부터 15㎛ 이상 떨어뜨려 놓음으로써 근방 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)의 열화를 억제할 수 있다. 나아가, 근방 영역의 외연을 상부 전극(11)의 단부로부터 30㎛ 이하로 함으로써 반도체 적층체(10)의 열화를 억제하면서 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
연장부(11b)가 설치되는 영역의 근방 영역은 외부 접속부(11a)가 설치되는 근방 영역과 비교하여 전류 밀도가 낮아지기 때문에 반도체 적층체(10)의 열화가 생기기 어렵다. 이에, 상면에서 보았을 때 보호막(13) 중 두꺼운 부분이 연장부(11b)로부터 튀어나오는 거리는 보호막(13) 중 두꺼운 부분이 외부 접속부(11a)로부터 튀어나오는 거리보다 짧은 것이 바람직하다. 예를 들어, 보호막(13) 중 두꺼운 부분이 연장부(11b)로부터 튀어나오는 거리를 15㎛로 하고, 보호막(13) 중 두꺼운 부분이 외부 접속부(11a)로부터 튀어나오는 거리를 20㎛로 할 수 있다. 연장부(11b)가 설치되는 영역의 근방 영역에 있어서, 보호막(13)을 두껍게 형성하는 영역을 감소시켰다고 하더라도 발광 소자(100)의 신뢰성을 유지할 수 있기 때문에 보호막(13)에 의한 반도체 적층체(10)로부터의 광의 흡수를 더욱 경감시키고, 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
보호막(13)으로는 절연성의 관점에서 예를 들면 SiO2, SiON, SiN을 이용할 수 있다. 본 실시형태에서는 보호막(13)에 SiO2를 이용하고 있다.
보호막(13)은 스퍼터링법, 증착법 등을 이용하여 형성할 수 있다. 본 실시형태와 같은 다른 두께를 갖는 보호막(13)을 형성하는 방법으로서는, 우선 반도체 적층체(10)의 상면에 소정의 두께를 갖는 보호막을 형성한다. 이어서 보호막을 얇게 하고 싶은 부분에 개구를 갖는 마스크를 보호막상에 설치하고, 그 마스크를 통하여 보호막을 에칭하고, 마스크를 제거함으로써 형성할 수 있다. 또는, 우선 반도체 적층체(10)의 상면에 소정의 두께를 갖는 보호막을 형성한다. 이어서 보호막을 두껍게 하고 싶은 부분에 개구를 가지는 마스크를 보호막 상에 설치하고, 마스크를 통하여 보호막을 더 형성한다. 그 후, 마스크를 제거함으로써 형성할 수 있다. 이와 같은 형성 방법에 의해 소망의 두께를 갖춘 보호막(13)을 형성한다.
절연 부재(14)는 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이 반도체 적층체(10)의 하면 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역을 포함하는 영역에 설치되어 있다. 이에 의해, 상부 전극(11)의 바로 아래 영역에 전류가 공급되기 어렵게 되어, 반도체 적층체(10) 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역 이외의 영역이 주된 발광 영역이 된다. 여기서, 상부 전극(11)의 바로 아래 영역에 있어서의 반도체 적층체(10)로부터의 광은, 상부 전극(11)에 의해 반사 또는 흡수되기 쉬워, 발광 소자(100)로부터 추출하는 것이 어렵다. 이 때문에, 반도체 적층체(10) 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역 이외의 영역을 주된 발광 영역으로 함으로써, 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 본 실시형태에서는 반도체 적층체(10) 중 상부 전극(11)의 바로 아래 영역 이외의 영역, 즉, 하부 전극(12)이 설치된 영역을 주된 발광 영역으로 하여, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에 설치된 보호막(13)의 두께를 얇게 하고 있다. 이로써, 발광 소자(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
절연 부재(14)는 도 3에 도시한 바와 같이 상면에서 보았을 때 상부 전극(11)의 외부 접속부(11a)의 바로 아래 영역과 상부 전극(11)의 연장부(11b)의 바로 아래 영역을 포함하는 영역에 설치되어 있다. 또한, 절연 부재(14)는 상면에서 보았을 때 상부 전극(11)의 바로 아래 영역에 상부 전극(11)이 설치되어 있는 영역보다 크게 형성되어 있다. 이에 의해, 전술한 절연 부재(14)에 의한 효과가 얻어지는 영역이 증가하고, 발광 소자(100)의 광 추출면에 있어서의 휘도 얼룩을 개선할 수 있다.
절연 부재(14)로는 전술한 보호막(13)과 마찬가지의 재료를 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는 보호막(13)으로 SiO2를 사용하고 있다.
절연 부재(14)의 두께는 절연성을 확보할 수 있도록 0.05㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 제조 비용을 줄이기 위해 절연 부재(14)의 두께는 1㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.
접합 부재(15)는 반도체 적층체(10)와 기판(16) 사이에 설치되고, 양자를 접합시키기 위해 설치된다. 이 때, 반도체 적층체(10)에 설치된 하부 전극(12)과 기판(16)은 접합 부재(15)를 통해 도통하고 있다. 접합 부재(15)는 반도체 적층체(10)의 하면의 대략 전체 영역과 기판(16)의 상면에 각각 도전성 부재를 설치하고, 이들 도전성 부재를 접합함으로써 형성된다. 접합 부재(15)로는 접합성 및 전도성의 관점에서 예를 들면 AuSn, NiSn, AgSn 등을 주성분으로 하는 땜납 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
기판(16)은 도전성을 가지고, 반도체 적층체(10)의 아래 쪽에 설치되어 있다. 기판(16)으로는 예를 들어 CuW, Si, Mo을 사용할 수 있다.
<실시형태 2>
본 실시형태와 관련한 발광 소자(200)에 대해서, 도 4를 참조하여 설명한다.
발광 소자(200)는 보호막(13)의 구성이 실시형태 1과 다르고, 그 밖의 구성은 실시형태 1과 같다.
도 4에 도시한 바와 같이, 하부 전극(12)의 바로 위 영역에는 상기 보호막(13)이 설치되어 있지 않다. 즉, 반도체 적층체(10)의 상면 중 하부 전극(12)의 바로 위 영역은 보호막(13)으로부터 노출되어 있다. 이와 같은 형태에 있어서도 실시형태 1과 마찬가지로 발광 소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 반도체 적층체(10)로부터의 광이 보호막(13)에 흡수되는 일이 없는 영역이 존재하기 때문에, 실시형태 1과 비교하여, 신뢰성은 낮아지지만 큰 광 추출 효율을 갖는다.
이상 실시형태 1 및 실시형태 2에 대해 설명하였지만 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
10: 반도체 적층체
10n: n측 반도체층
10a: 활성층
10p: p측 반도체층
11: 상부 전극
11a: 외부 접속부
11b: 연장부
111: 제1 상부 전극
112: 제2 상부 전극
12: 하부 전극
13: 보호막
14: 절연 부재
15: 접합 부재
16: 기판
100, 200: 발광 소자

Claims (13)

  1. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
    상기 보호막은 절연성을 갖는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보호막은 상면에서 보았을 때 상기 하부 전극의 바로 위 영역만이 얇게 형성되어 있는, 발광 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께는, 상기 상부 전극의 표면과 상기 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막의 두께의 40% 이하인, 발광 소자.
  4. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격되어 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면과, 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에는 상기 보호막이 설치되어 있지 않고,
    상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
    상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되어 있는, 발광 소자.
  5. 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역을 포함하는 영역에는 절연 부재가 설치되어 있는, 발광 소자.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
    상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되고,
    상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께보다 두꺼운 부분을 갖는, 발광 소자.
  7. 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
    상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자.
  8. 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 전극은 Ag 또는 Ag를 성분으로서 포함하는 합금으로 이루어진, 발광 소자.
  9. 제1항, 제2항, 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상면에서 보았을 때 상기 근방 영역의 외연은 상기 상부 전극의 단부로부터 15㎛ 이상, 30㎛ 이하의 거리에 있는, 발광 소자.
  10. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께는, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막의 두께의 40% 이하인, 발광 소자.
  11. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
    상기 상부 전극은, 외부와 접속하기 위한 외부 접속부와, 상기 외부 접속부로부터 연장되어 설치된 연장부를 구비하고,
    상기 보호막은, 상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 연장부가 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치되고,
    상기 연장부의 표면과, 상기 연장부가 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 설치된 상기 보호막의 두께보다 두꺼운 부분을 갖는, 발광 소자.
  12. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격된 영역에 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면, 상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면, 및 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역으로서, 상기 상부 전극이 설치된 영역과 상기 하부 전극의 바로 위 영역과의 사이의 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 설치된 상기 보호막은, 상기 상부 전극의 표면과, 상기 상부 전극이 설치된 영역의 근방 영역에 있어서의 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 상기 보호막의 두께보다 얇은 부분을 갖고,
    상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
    상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자.
  13. 발광 소자로서,
    반도체 적층체와,
    상기 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 상부 전극과,
    상기 반도체 적층체의 하면 중 상기 상부 전극의 바로 아래 영역으로부터 이격되어 설치된 광 반사성을 갖는 하부 전극과,
    상기 상부 전극의 표면과, 상기 반도체 적층체의 상면에 연속하여 설치된 보호막을 구비하고,
    상기 하부 전극의 바로 위 영역에는 상기 보호막이 설치되어 있지 않고,
    상기 상부 전극은 반도체 적층체의 상면의 일부에 설치된 제1 상부 전극과 상기 제1 상부 전극 상에 설치된 제2 상부 전극을 구비하고,
    상기 보호막의 단부는 상기 제1 상부 전극과 상기 제2 상부 전극의 사이에 개재되어 있는, 발광 소자.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10217895B2 (en) * 2017-06-22 2019-02-26 Epistar Corporation Method of forming a light-emitting device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101014155B1 (ko) * 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101047721B1 (ko) 2010-03-09 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2011249510A (ja) 2010-05-26 2011-12-08 Toshiba Corp 発光素子
US20120080689A1 (en) 2009-05-22 2012-04-05 Showa Denko K.K. Light emitting diode, light emitting diode lamp, and lighting apparatus
JP2013179183A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US20140367722A1 (en) 2011-12-23 2014-12-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method for manufacturing same

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19517697A1 (de) * 1995-05-13 1996-11-14 Telefunken Microelectron Strahlungsemittierende Diode
JP2003168823A (ja) * 2001-09-18 2003-06-13 Toyoda Gosei Co Ltd Iii族窒化物系化合物半導体発光素子
AU2003207287B2 (en) 2002-01-28 2007-12-13 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
JP4572597B2 (ja) * 2003-06-20 2010-11-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP2006041403A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2006253298A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
JP4297084B2 (ja) 2005-06-13 2009-07-15 住友電気工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
US7675670B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-09 Miradia Inc. Fabrication of a high fill ratio silicon spatial light modulator
JP2008192782A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Toyota Central R&D Labs Inc 電極及びそれを有するiii族窒化物系化合物半導体発光素子
JP5169012B2 (ja) * 2007-05-08 2013-03-27 日立電線株式会社 半導体発光素子
US8115222B2 (en) * 2008-01-16 2012-02-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and fabrication method for the semiconductor light emitting device
KR101438818B1 (ko) * 2008-04-01 2014-09-05 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 소자
CN102067336B (zh) * 2008-08-19 2012-11-28 晶能光电(江西)有限公司 基于应力可调InGaAlN薄膜的发光器件
JP5376866B2 (ja) * 2008-08-22 2013-12-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2011035017A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Hitachi Cable Ltd 発光素子
KR101072034B1 (ko) 2009-10-15 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101654340B1 (ko) * 2009-12-28 2016-09-06 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드
US9136436B2 (en) * 2010-02-09 2015-09-15 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
JP4997304B2 (ja) 2010-03-11 2012-08-08 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2011192708A (ja) 2010-03-12 2011-09-29 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP2011198992A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子
JP5725927B2 (ja) * 2010-05-18 2015-05-27 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. 高効率発光ダイオード及びその製造方法
KR20120022091A (ko) * 2010-08-25 2012-03-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
JP5737066B2 (ja) * 2010-08-26 2015-06-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
KR101707118B1 (ko) * 2010-10-19 2017-02-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 발광 소자의 제조 방법
JP5404596B2 (ja) * 2010-12-27 2014-02-05 株式会社東芝 発光素子およびその製造方法
CN103283045B (zh) * 2010-12-28 2016-08-17 首尔伟傲世有限公司 高效发光二极管
JP2012142508A (ja) 2011-01-06 2012-07-26 Hitachi Cable Ltd 半導体素子用ウェハ
WO2012141031A1 (ja) * 2011-04-11 2012-10-18 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101795044B1 (ko) * 2011-07-07 2017-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20130120615A (ko) * 2012-04-26 2013-11-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP2014060294A (ja) 2012-09-18 2014-04-03 Ushio Inc Led素子及びその製造方法
DE102012110836A1 (de) * 2012-11-12 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips
JP2014170815A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Ushio Inc Led素子
KR101967837B1 (ko) * 2013-03-11 2019-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP5974980B2 (ja) * 2013-05-31 2016-08-23 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子
JP6331906B2 (ja) * 2013-09-13 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
TWI637534B (zh) * 2013-11-29 2018-10-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置
KR102142711B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2015177132A (ja) * 2014-03-17 2015-10-05 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP6595801B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-23 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
KR102181458B1 (ko) * 2014-06-12 2020-11-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5880633B2 (ja) * 2014-07-11 2016-03-09 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
US10126831B2 (en) * 2015-10-16 2018-11-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Compact light emitting diode chip, light emitting device and electronic device including the same
JP6617875B2 (ja) * 2015-12-10 2019-12-11 ウシオ電機株式会社 Led素子及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120080689A1 (en) 2009-05-22 2012-04-05 Showa Denko K.K. Light emitting diode, light emitting diode lamp, and lighting apparatus
KR101047721B1 (ko) 2010-03-09 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101014155B1 (ko) * 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP2011249510A (ja) 2010-05-26 2011-12-08 Toshiba Corp 発光素子
US20140367722A1 (en) 2011-12-23 2014-12-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method for manufacturing same
JP2013179183A (ja) 2012-02-28 2013-09-09 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法

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