KR102688511B1 - 나선형 스프링을 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 방법은 다음의 순차적인 단계를 포함한다 : a) 결정된 평면(P)에서 연장되며, 결정된 상기 평면(P)에 나란한 제 1 레이어(2)를 지지하는 기판(1)을 제공하는 단계; b) 상기 제 1 레이어(2)에 하나 이상의 관통 홀(3)을 형성하는 단계; c) 재료의 하나 이상의 브릿지(7)를 형성하도록 하나 이상의 상기 관통 홀(3)을 채우는 제 2 레이어(4)를 상기 제 1 레이어(2) 상에 배치하는 단계; d) 상기 제 2 레이어(4) 또는 상기 기판(1)으로 된 에칭 레이어(6a)에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 에칭하는 단계로서, 상기 제 2 레이어(4) 및 상기 기판(1) 중 하나에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)은 에칭되지 않고 지지체(6b)를 형성하며, 재료의 하나 이상의 브릿지(7)는 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 결정된 상기 평면(P)에 수직하게 지지체(6b)에 연결하는, 나선형 스프링(5)을 에칭하는 단계; e)상기 제 1 레이어(2)를 제거하는 단계로서, 하나 이상의 상기 나선형 스프링(5)은 재료의 상기 브릿지(7)에 의해 지지체((6b)에 부착되어 남게되는, 제 1 레이어(2)를 제거하는 단계; f) 하나 이상의 나선형 스프링(5)가 하나 이상의 열처리를 받게 하는 단계; 및 g) 상기 지지체(6b)에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 분리하는 단계
Description
본 발명은 나선 스프링의 제조 방법, 즉 나선 형상의 탄성 블레이드를 포함하는 스프링에 관한 것이다. 일반적인 적용예에서, 나선형 스프링은 시계 무브먼트의 공진기와 함께 밸런스부를 갖도록 고안된다. 이러한 시계 나선형 스프링은 일반적으로 내부 단부에 의해 콜릿을 통해 밸런스 샤프트에 그리고 외부 단부에 의해 스터드 또는 다른 고정 부재를 통해 "밸런스 콕"이라는 무브먼트의 브릿지에 고정된다.
본 출원인의 특허 출원 EP3181938은, a)소정의 강성의 나선형 스프링을 얻기 위해 필요한 치수보다 큰 치수로 나선형 스프링이 형성되고, b)이렇게 형성된 나선 스프링의 강성이 결정되고, c)미리 정해진 강성의 나선 스프링을 얻기 위해 제거 될 재료의 두께가 계산되고, d) 단계(a) 동안에 형성된 나선형 스프링으로부터 계산된 재료의 두께가 제거되는, 단계에 따른 소정의 강성의 나선형 스프링을 제조하는 방법을 설명한다. 이러한 방법은 치수 정확도를 증가시키고 단일 웨이퍼 또는 상이한 웨이퍼로부터 형성된 나선형 스프링 사이의 제조 분산을 감소시킬 수 있다. 단계 (b), (c) 및 (d)를 반복함으로써 치수 품질이 개선될 수 있다. 단계 (a)는 예를 들어 실리콘 웨이퍼를 에칭함으로써 수행된다. 단계 (d)는 제거될 물질의 두께를 실리콘 산화물로 변환한 다음 실리콘 산화물을 제거하기 위해, 예를 들어 열 산화에 의해 실리콘 나선형 스프링을 산화시키는 것으로 이루어질 수 있다. 단계 (d) 후에, "열 보상"이라 불리는 동작이 나선형 스프링을 강성 있게 하며, 나선형 스프링이 부분을 형성하도록 의도된 공진기의 진동수가 정밀할수록 열 변화에 영향을 덜 받는다. 실리콘 나선형 스프링의 경우, 후자는 특허 EP 1422436의 개시 내용에 따라 예를 들어 열 산화에 의해 실리콘 산화물 층으로 코팅될 수 있다. 이러한 실리콘 산화물층은 또한 실리콘 나선형 스프링의 기계적 강도를 증가시키는 역할을 한다.
본 출원인의 또다른 특허인 EP 3181939는 소정의 강성의 나선형 스프링을 제조하는 방법을 설명하는데, 이에 따르면 a) 소정의 강성의 나선형 스프링을 얻기 위해 필요한 치수보다 낮은 치수로 나선 스프링이 형성되고, b) 이렇게 형성된 나선 스프링의 강성이 결정되며, c) 소정의 강성의 나선 스프링을 얻기 위해 누락된 재료의 두께가 계산되고, d) 단계 (a) 동안 형성된 나선형 스프링이 누락된 재료의 두께를 보상하기 위해 수정되며, 단계 b), c) 및 d)가 반복될 수 있다. 이 방법은 또한 치수 정확도를 증가시키고 단일 웨이퍼 또는 상이한 웨이퍼로부터 형성된 나선형 스프링 사이의 제조 분산을 감소시킬 수 있다. 단계 (a)는 예를 들어 실리콘 웨이퍼를 에칭함으로써 수행된다. 단계 (d) 후에, 나선형 스프링을 더 강성 있게 하기 위하여, 열적 보상 작업이 수행되어, 나선형 스프링이 부분을 형성하도록 의도한 공조기의 진동수가 정확할수록 열적 변화에 덜 민감하게 된다. 실리콘 나선 스프링의 경우, 후자는 특허 EP 1422436의 개시 내용에 따라 실리콘 산화물 레이어로 코팅될 수 있다. 이 실리콘 산화물 레이어는 또한 실리콘 나선형 스프링의 기계적 강도를 증가시키는 역할을 한다.
상기 방법의 전형적인 실시예에 따르면, 단계 a)에서 단일 실리콘 웨이퍼에 여러 개의 나선형 스프링이 동시에 형성된다. 이들 나선형 스프링은 단계 b), c) 및 d) 동안뿐만 아니라 열 보상 작동 동안 재료의 브릿지에 의해 웨이퍼에 부착된 상태로 유지되고, 웨이퍼로부터 분리된다. 이들 재료의 브릿지는 특허 출원 EP 3181938의 도 7 및 특허 출원 EP 3181939의 도 6에 도시된 바와 같이, 나선형 스프링의 외측 턴(turn)을 웨이퍼에 방사상으로 연결한다. 나선형 스프링의 다른 턴 및 콜릿은 웨이퍼에 부착될 수 없다.
나선형 스프링을 웨이퍼에 부착하는 이러한 방식은 나선형 스프링이 제조될 때, 특히 실리콘 나선형 스프링의 경우 열 산화 작업을 받을 때 변형없이 나선형 스프링이 유지되는 것을 허용하지 않는다는 것을 쉽게 이해할 수 있다. 웨이퍼가 수평 위치에 있을 때, 나선형 스프링은 평평하게 유지되지 않고 분지의 형상을 취한다. 수직 위치에서, 턴의 상대 위치가 수정되며, 특정 턴이 한쪽에서 서로 더 가까이 이동하고, 다른 쪽에서 서로 멀어진다. 실온에서 이러한 변형은 탄성을 유지하기 때문에 아무런 영향을 미치지 않는다. 다른 한편으로, 나선형 스프링이 1000
보다 높은 온도에서 노(furnace)에 배치되는 열처리 동안, 이들 변형은 영구적으로 되고 실리콘의 강성의 감소에 의해 강화된다. 결과적인 나선형 스프링은 그 내부 단부와 외부 단부 사이에 각 턴의 높이보다 큰 높이 차이를 가질 수 있다. 이것은 일단 무브먼트에 장착된 나선형 스프링의 크기를 증가시켜 정상적인 기능 또는 충격 중에 다른 구성 요소와 접촉하여 손상을 일으킬 수 있다. 나선형 스프링의 이러한 영구적인 변형은 운동의 정상적인 기능 동안 또는 충격 중에 턴이 서로 닿아 접촉하게 하거나 밸런스 콕과 같은 움직임의 일부에 달라 붙게 한다. 속도를 설정하기 위한 인덱스 어셈블리와 같은 움직임의 다른 구성 요소에 대한 액세스가 방지 될 수 있습니다. 또한, 이러한 영구 변형은 등시성(isochronism)에 영향을 줄 수 있다.
이러한 영구 변형의 수준은 턴의 중량 및 강성, 노에서 소비한 시간 및 노의 온도에 따라 가변적이다. 이러한 마지막 두 매개 변수 중 하나를 변경하여 생산성을 떨어뜨리면 이것이 감소될 수 있다.
또한, 출원인의 특허 EP 0732635에는 재료의 브릿지를 형성하게 되는 부분이 남아 있는 동안에 기판에 캐비티가 파여진 것에 따라 마이크로 기계 부품을 제조하는 방법이 설명되고 있는데, 결정질 재료 플레이트는 기판 상에 용접되며, 마이크로 기계 부품은 결정질 재료 플레이트에서 에칭되며, 이러한 부품 및 동일한 배치(batch) 상의 다른 부품은 재료의 브릿지에 의해 기판 상에서 유지된다. 이러한 방법은 부품에 수행된 하나 이상의 추가 처리에 의해 계속되고, 부품을 기판으로부터 분리하기 위해 재료 브릿지의 파열에 의해 종료된다. 이러한 방법으로, 에칭 동안 결정질 재료 플레이트와 기판 사이의 열 교환은 양호한 에칭 균질성을 보장하기에 불충분하다. 또한, 용접 작업이 필요하다.
본 발명은 전술한 단점을 해결하거나 적어도 이를 약화시키는 것을 목표로 한다.
이를 위해 청구항 1에 따른 방법을 제안하며, 특정 실시예는 종속항에 정의되어 있다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 이루어진 다음의 상세한 설명을 읽으면 명백해질 것이다.
도 1 내지 도 8은 본 발명에 따른 하나 이상의 나선형 스프링을 제조하는 방법의 연속 단계를 도시하는 단면도이다.
도 9는 제조될 때 지지체에 대한 부착 지점의 위치를 개략적으로 도시 한 나선형 스프링의 평면도이다.
도 1 내지 도 8은 본 발명에 따른 하나 이상의 나선형 스프링을 제조하는 방법의 연속 단계를 도시하는 단면도이다.
도 9는 제조될 때 지지체에 대한 부착 지점의 위치를 개략적으로 도시 한 나선형 스프링의 평면도이다.
도 1에 도시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 방법의 제 1 단계는 평면(P)으로 연장되고 평면(P)에 평행 한 상면에 실리콘 산화물(SiO2) 층을 갖는 실리콘 기판(1)을 제공하는 것으로 이루어진다. 기판(1)의 두께(높이)는 제조될 나선형 스프링(들)의 두께(높이)와 동일하거나, 즉 일반적으로 120㎛이거나, 또는 아래에서 설명되는 바와 같이 후자가 기판(1) 또는 다른 층에 형성되는지에 따라 제조될 나선형 스프링(들)의 두께보다 더 작을 수 있다. 두 번째 경우에, 기판(1)은 변형을 방지하기 위해 일반적으로 수십 마이크로 미터의 두께로 충분히 두껍다. 실리콘 산화 레이어(2)의 두께는 예를 들어 3㎛이다. 기판(1)의 실리콘은 결정 배향이 어떻게 되든간에, 단결정, 다결정 또는 비정질일 수 있다.
실리콘 산화 레이어(2)은 예를 들어 포토리소그래피에 의해 패터닝되어, 관통홀(3) 중 하나만이 보이고 있는 도 2에 도시된 바와 같이 그 내부에 관통 홀(3)을 형성한다. 구체적으로, 레이어(2)는 마스크를 통해 에칭된다. 에칭은 습식 또는 건식일 수 있지만, 보다 나은 정확성을 위해 플라즈마를 이용한 건식인 것이 바람직하다. 이와 같이 만들어진 구멍(3)의 직경은 제조될 나선형 스프링의 블레이드의 폭보다 작은 것이 바람직하다. 일반적으로, 홀(3)은 직경이 약 5㎛이고 제조될 나선형 스프링의 블레이드의 폭은 약 30㎛이다.
다음 단계(도 3)에서, 단결정, 다결정 또는 비정질 실리콘은 예를 들어 에피택시에 의해 실리콘 산화물 레이어(2) 상에서 성장하여 실리콘 레이어(4)를 형성한다. 이 단계 동안, 실리콘 산화물 레이어(2)의 홀(3)은 레이어(4)의 실리콘으로 채워진다. 실리콘 레이어(4)의 두께는 제조될 나선형 스프링(들)의 두께와 동일하게, 즉 120㎛이거나, 후자가 레이어(4) 또는 기판(1)에 형성되는지에 따라 제조될 나선형 스프링(들)의 두께보다 작을 수 있다. 제 2 경우에, 레이어(4)는 그것의 변형을 방지하기 위해 전형적으로 수십 마이크로 미터의 두께로 충분히 두껍다. 특히 제 1 경우에서, 그리고 레이어(4)의 상부 표면의 상태에 따라, 이러한 상부 표면은 예를 들어 실리콘 산화물 레이어(2)의 패터닝에 의해 야기된 성장 결함을 제거하고 및/또는 실리콘 레이어(4)의 두께를 조정하기 위하여 예를 들어 화학적 기계적 연마(CMP)를 통해 연마될 수 있다.
다음으로(도 4 참조), 실리콘 레이어(4) 또는 실리콘 기판(1)은 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 형성하기 위해 심 반응 이온 에칭(DRIE: Dep Reactive Ion Etching)에 의해 패턴화된다. 본 발명에서, 레이어(4) 및 패터닝된 기판(1) 중 하나는 "에칭 레이어"으로 지칭되고 참조 부호 6a로 표시되며, 레이어(4) 및 기판(1) 중 다른 하나는 "지지체"로 지칭되고 참조 부호 6b로 표시된다. 도 4는 나선형 스프링(5)이 레이어(4)에서 에칭되고 기판(1)이 지지체(6b)를 형성하는 변형예를 나타낸다. 도 4에는 이들 나선형 스프링(5) 중 하나의 턴의 단면만이 도시되어있다. 각각의 나선형 스프링(5)은 밸런스 샤프트에 후속 장착을 위해 콜릿과 동시에 그리고 원피스로 형성될 수 있다.
이러한 DRIE 단계 동안, 에칭을 위해 마스크가 사용되고, 플라즈마의 코어 온도는 180 
정도이다. 지지체(6b)는, 예를 들어 에칭 레이어(6a)으로부터 가장 먼 지지체(6b)의 표면을 헬륨 스캐닝함으로써 및/또는 지지체(6b)를 지지하는 척을 냉각시키는 순환하는 온도 제어 냉각 액체에 의해 약 20 
로 냉각된다. 지지체(6b)의 이러한 냉각은 실리콘 산화물 레이어(2) 및 에칭 레이어(6a)을 통해 마스크를 냉각 시키므로, 마스크가 타거나 에칭 품질이 영향을 받는 것을 방지한다. 마스크의 이러한 냉각은 특히 지지체(6b)와 에칭 레이어(6a) 사이의 열 교환에 의해 가능해진다. 실리콘 산화물 레이어(2)을 통한 지지체(6b)와 에칭 레이어(6a) 사이의 연속적인 접촉은 특허 EP 0732635에 따른 방법과 관련하여 이들 열 교환을 개선시킨다. 이 후자는 실제로 에칭 구역에서 기판과 결정질 재료 플레이트는 이전에 기판에서 파인 캐비티로 인해 에칭 동안 재료의 브릿지에 의해서만 연결된다. 이는 제조 과정에서 열 교환 및 에칭 균일성에 영향을 미친다.
본 발명에서, 에칭 레이어(6a)에 형성된 나선형 스프링(5)은 실리콘 산화물 레이어(2) 및 홀(3)을 채우는 실리콘에 의해 평면(P)에 수직으로 지지체(6b)에 연결된다. 홀(3)을 채우는 실리콘은 나선형 스프링(5) 및 지지부(6b)와 일체로 된 재료의 브릿지(7)를 형성한다. 홀(3)의 형상과 크기를 갖는 이러한 재료의 브릿지(7)는 일반적으로 원형 단면을 갖는 원통형이지만, 다각형 단면 또는 직사각형 단면을 갖는 원통과 같은 다른 형상을 가질 수 있다. 이들은 나선형 스프링(5)의 바닥 또는 상부에 위치된다. 바람직하게는, 평면(P)으로 돌출되어서(in projection into plane), 재료(7)의 각각의 브릿지는 나선형 스프링(5)의 블레이드의 양 측면(5a, 5b) 사이에 완전히 위치하며, 이 블레이드의 폭(L)의 일부만, 예를 들어 이 폭(L)의 50 % 미만 또는 심지어 30 % 미만 또는 심지어 20 % 미만으로만 차지하며, 블레이드의 중성 섬유와 대면하는 양측(5a, 5b)에 대해 중심이 맞춰져 있다. 바람직하게는, 이들 재료 브릿지(7)는 도 9에 개략적으로 도시된 바와 같이 각각의 나선형 스프링(5)의 전체 길이에 걸쳐 분포된다.
본 발명에 따른 방법의 다음 단계에서, 실리콘 산화물 레이어(2)는 예를 들어 화학적 공격에 의해 제거된다(도 5). 나선형 스프링(5)은 그 후 재료의 브릿지(7)에 의해서만 지지부(6b)에 연결된다.
이어서, 특허 출원 EP 3181938에 설명된 방법은 나선형 스프링(5)에 소정의 강성을 제공하기 위해 수행된다. 보다 정확하게는, 일부 나선형 스프링(5)은 지지체(6b)로부터 분리되고 소정의 관성을 갖는 밸런스에 연결되며, 발진 주파수가 측정되고, 그 평균이 계산되고, 나선형 스프링(5)에 대한 강성 값이 이로부터 추론되고, 나선 스프링(5)으로부터 제거될 재료의 두께가 소정의 강성을 얻기 위해 계산되고, 이 재료의 두께가 지지체(6b)에 부착된 나선형 스프링(5)로부터 제거된다. 나선형 스프링(5)의 치수 정확도를 개선하기 위해 이들 단계를 반복할 수 있다. 계산된 재료의 두께를 제거하기 위해, 나선형 스프링(5)은 산화 된 다음 탈산된다. 이를 위해, 지지체(6b) - 나선형 스프링(5) 조립체는 800 내지 1200
의 온도 및 소정의 두께의 실리콘 산화물(SiO2)이 표면에 얻어 질 때까지 산화 분위기에 노출되도록 노의 내부에 배치된다. 이러한 실리콘 산화물 레이어는 두께의 대략 절반과 같은 깊이에 걸쳐 실리콘을 소비함으로써 형성된다. 이러한 열처리 후, 소정의 강성에 대응하여 치수가 감소된 나선형 스프링(5)을 얻기 위해, 예를 들어 화학적 공격에 의해 실리콘 산화물 레이어가 제거된다(도 6). 나선형 스프링(5)의 이러한 산화/탈산은 또한 특허 출원 EP 3181938에 설명된 바와 같이, 심 반응성 이온 에칭이 나선형 스프링(5)의 측면에서 생성되는 리플을 크게 감소시킬 수 있다.
도 7에 도시된 본 발명에 따른 방법의 다음 단계는, 특허 EP 1422436의 교시에 따라, 실리콘에 대하여 부호가 반대인 탄성 계수의 제 1 열적 계수를 갖는 재료로 만들어진 열 보상 레이어(8)로 나선형 스프링(5)을 코팅하는 것으로 이루어질 수 있다. 이러한 열 보상 레이어(8)는 전형적으로 실리콘 산화물(SiO2)로 만들어진다. 전술한 바와 같이, 지지체(6b)-나선형 스프링(5) 조립체를 노 내에 배치하여 800 내지 1200 
의 온도 및 소정의 두께의 실리콘 산화물이 얻어질 때까지 산화 분위기에 노출시킴으로써 열 산화에 의해 형성될 수 있다. 실리콘 산화물은 그 두께의 대략 절반과 같은 깊이에 걸쳐 실리콘을 소비함으로써 형성되기 때문에, 도 6에 도시된 나선형 스프링(5)과 지지체(6b) 사이의 거리(d)는 열 보상 레이어(8)의 두께보다 커야 하고, 이에 따라 서로 접하는 것을 방지할 수 있게 된다. 따라서, 예를 들어, 이러한 거리(d)는 3㎛의 열 보상 레이어(8)의 두께에 대해, 3㎛보다 크거나, 심지어 4㎛보다 크거나, 또는 5 또는 6㎛보다 크다. 열 보상 레이어(8)은, 특히 실리콘 산화물로 제조될 때, 나선형 스프링(5)의 기계적 강도를 증가시키는 기능을 갖는다.
나선형 스프링 당 재료의 브릿지(7)(bridge)의 수는 노를 통과하는 동안 턴이 붕괴되고 지지체(6b)와 접촉하는 것을 방지하기에 충분히 높게 선택된다. 이 수는 특히 나선형 스프링(5)의 강성에 의존한다. 이는 산화 단계 동안 지지체(6b)가 나선형 스프링(5) 위에 있게 하는 방식으로 지지부(6b)-나선형 스프링(5) 조립체를 배열함으로써 감소될 수 있다.
각각의 나선형 스프링(5)을 따라 분포된 재료의 브릿지(7)에 추가하여, 재료의 브릿지는 프레임 브릿지에 고정되도록 의도된 콜릿 및/또는 나선형 스프링의 단단한 외부 단부에 제공될 수 있다. 재료의 브릿지는 또한 레이스(lace)를 형성하기 위해 나선형 스프링(5)을 측면으로 서로 연결하도록 유지될 수 있다.
나선형 스프링(5)을 지지체(6b)에 연결하는 이러한 재료의 브릿지 또는 부착부(7)는 열 산화 단계 동안 나선형 스프링(5)의 영구(소성) 변형을 피하거나 적어도 감소시킬 수 있다. 실제로, 실리콘은 실온에서 취성 재료(탄 성적으로만 변형될 수 있음)이지만 800 
내지 1000 
의 온도에서 연성 거동을 갖는 것으로 보인다. 노 내부에 나선형 스프링(5)을 위치시키는 동안 원래 탄성적이고 가역적인 나선형 스프링(5)의 변형은 열처리 동안 영구적으로 될 수 있다. 지지체(6b)와 재료의 브릿지(bridge)는 나선형 스프링(5)의 변형을 제한하며, 따라서 나선형 스프링(5)은 제조가 끝날 때 이론적인 형태와 유사한 형상을 가질 수 있다.
도 8에 도시된 본 발명에 따른 방법의 마지막 단계에서, 나선형 스프링(5)은 공구에 의해 재료의 브릿지(7)를 파괴함으로써 지지체(6b)로부터 해제된다. 변형예에서, 나선형 스프링(5)은 나선형 스프링(5)으로부터 가장 먼 지지부(6b)의 면으로부터 수행된 마스크를 이용한 에칭 작업에 의해 재료의 브릿지(7)를 제거함으로써 해제될 수 있다.
나선형 스프링(5)을 해제하기 위해 사용된 수단이 무엇이든, 재료의 브릿지(7)가 있는 나선형 스프링(5)의 영역은 열 보상 레이어(8)에 의해 덮이지 않는다. 그러나, 이들 영역은 나선형 스프링(5)의 중립 섬유를 향하기 때문에 나선형 스프링(5)의 기능 동안 굽힘 하중이 거의 가해지지 않을 것이다. 따라서 기계적 강도가 더 낮을 수 있다. 열적 보상은 나선형 스프링(5)의 측면에서 매우 유용하지만 상하에서 덜 유용하다. 따라서, 재료의 브릿지(7)의 영역에서 열 보상 레이어의 부족은 온도 변화와 관련하여 나선형 스프링(5)의 거동에 거의 영향을 미치지 않을 것이다.
그러나, 재료의 브릿지(7)의 파열 또는 제거 후에 나선형 스프링(5)의 영역에 열적 보상 레이어가 없게 되는 것을 방지하는 것이 바람직한 경우, 홀(3)의 직경, 따라서 재료의 브릿지(7)의 직경이 감소되어, 재료의 브릿지(7)는 열 보상 레이어(8)의 형성 후에 실리콘 산화물로만 구성된다.
본 발명의 변형예에서, 각각의 나선형 스프링(5)의 재료의 브릿지(7)는 평면(P)으로 돌출되어 나선형 스프링(5)의 블레이드의 나선형 모양을 따르는 연속 나선형을 형성하는 단일 재료 브릿지로 대체된다. 바람직하게는, 여전히 평면(P)으로 돌출되어, 이 재료의 브릿지는 블레이드의 양측(5a, 5b) 사이에 완전히 위치하고, 이러한 블레이드의 폭(L)의 일부만을 차지하며, 예를 들어 폭(L)의 50 % 미만, 30% 미만 또는 20% 미만을 차지하며, 블레이드의 양측(5a, 5b)에 대해 중심이 맞춰진다.
본 발명은 상기 언급된 재료, 실리콘 및 실리콘 산화물로 제한되지 않는다. 본 발명은 다른 재료, 특히 에칭 레이어(6a)과 관련하여, 에칭에 의해 패터닝될 수 있는 임의의 재료에 적용될 수 있음은 물론이다. 본 발명은 실온에서 취성이고 연성이 있거나 고온에서 연성이 있는 실리콘, 유리 또는 세라믹과 같은 재료에 특히 유리하다.
2: 실리콘 산화물 레이어 3: 홀
5: 나선형 스프링
6a: 에칭 레이어
6b: 지지체 7: 브릿지
5: 나선형 스프링
6a: 에칭 레이어
6b: 지지체 7: 브릿지
Claims (23)
- 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은
a) 결정된 평면(P)에서 연장되며, 결정된 상기 평면(P)에 나란한 제 1 레이어(2)를 지지하는 기판(1)을 제공하는 단계;
b) 상기 제 1 레이어(2)에 하나 이상의 관통 홀(3)을 형성하는 단계;
c) 재료의 하나 이상의 브릿지(7)를 형성하도록 하나 이상의 상기 관통 홀(3)을 채우는 제 2 레이어(4)를 상기 제 1 레이어(2) 상에 배치하는 단계;
d) 상기 제 2 레이어(4) 또는 상기 기판(1)으로 된 에칭 레이어(6a)에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 에칭하는 단계로서, 상기 제 2 레이어(4) 및 상기 기판(1) 중 하나에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)은 에칭되지 않고 지지체(6b)를 형성하며, 재료의 하나 이상의 브릿지(7)는 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 결정된 상기 평면(P)에 수직하게 상기 지지체(6b)에 연결하는, 나선형 스프링(5)을 에칭하는 단계;
e)상기 제 1 레이어(2)를 제거하는 단계로서, 하나 이상의 상기 나선형 스프링(5)은 재료의 상기 브릿지(7)에 의해 상기 지지체(6b)에 부착되어 남게되는, 제 1 레이어(2)를 제거하는 단계;
f) 하나 이상의 나선형 스프링(5)가 하나 이상의 열처리를 받게 하는 단계; 및
g) 상기 지지체(6b)에서 하나 이상의 나선형 스프링(5)을 분리하는 단계;를 순차적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 노의 내부에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 800℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 열 산화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 단계 f) 및 상기 단계 g) 사이에, 탈산 단계를 포함하되,
상기 열 산화 단계 및 탈산 단계는 소정의 강성을 획득하기 위하여 하나 이상의 나선형 스프링(5)의 치수를 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 4 항에 있어서,
상기 열 산화 단계는 하나 이상의 나선형 스프링(5) 상에 열 보상 레이어(8)를 형성하도록 된 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 레이어(6a)는 실온에서 취성을 가지는 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 레이어(6a)는 실리콘 또는 실리콘계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 레이어(6a)는 유리 또는 유리계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 에칭 레이어(6a)는 세라믹 또는 세라믹계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 지지체(6b)는 실리콘 또는 실리콘계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 레이어(2)는 실리콘 산화물 또는 실리콘 산화물계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
단계 b)는 포토리소그래피에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
단계 c)는 에피택시에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
단계 d)는 심 반응성 이온 에칭(deep reactive ion etching)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 지지체(6b)는 단계 d) 동안에 냉각되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
재료의 하나 이상의 브릿지(7)는 각각의 나선형 스프링(5)의 실질적으로 전체 길이에 분포되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
결정된 상기 평면(P)으로 돌출되어, 재료의 각각의 브릿지(7)는 하나 이상의 나선형 스프링(5)의 블레이드의 2개의 측면(5a, 5b) 사이에 전체가 위치되며, 상기 블레이드의 폭(L)의 일부만을 차지하는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 18 항에 있어서,
결정된 상기 평면(P)으로 돌출되어, 재료의 각각의 브릿지(7)는 하나 이상의 나선형 스프링(5)의 블레이드의 2개의 측면(5a, 5b)에 대하여 실질적으로 중심이 맞춰지는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 900℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 1000℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 1100℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 열처리 또는 하나 이상의 상기 열처리는 1200℃ 이상의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나선형 스프링을 제조하는 방법.
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Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
| EP3543796A1 (fr) * | 2018-03-21 | 2019-09-25 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un spiral en silicium |
| CH716605A1 (fr) * | 2019-09-16 | 2021-03-31 | Richemont Int Sa | Procédé de fabrication d'une pluralité de résonateurs sur une plaquette. |
| EP3865954A1 (fr) * | 2020-02-12 | 2021-08-18 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'un dispositif à lames flexibles monobloc en silicium, pour l'horlogerie |
| EP3882710A1 (fr) | 2020-03-19 | 2021-09-22 | Patek Philippe SA Genève | Procédé de fabrication d'un composant horloger à base de silicium |
| EP3882714A1 (fr) | 2020-03-19 | 2021-09-22 | Patek Philippe SA Genève | Procédé de fabrication d'un composant horloger en silicium |
| EP3907565A1 (fr) | 2020-05-07 | 2021-11-10 | Patek Philippe SA Genève | Procede de fabrication d'un composant horloger en silicium |
| EP4312084A1 (fr) | 2022-07-26 | 2024-01-31 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un spiral en silicium |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101361027A (zh) | 2005-11-25 | 2009-02-04 | 斯沃奇集团研究和开发有限公司 | 由绝热玻璃制成的用于钟表机构机芯的螺旋游丝及其制造方法 |
| US20140356638A1 (en) | 2013-05-21 | 2014-12-04 | Master Dynamic Limited | Method and apparatus for fabricating a colored component for a watch |
| EP2685325B1 (de) | 2012-07-11 | 2016-04-06 | Diamaze Microtechnology S.A. | Spiralfeder, Verfahren zu deren Herstellung, Verwendungsmöglichkeiten sowie mikromechanisches Getriebe |
| CN105892259A (zh) | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 动力专家有限公司 | 硅游丝 |
| WO2017006228A1 (de) | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Damasko Uhrenmanufaktur KG | Spiralfeder und verfahren zu deren herstellung |
| JP2017090267A (ja) | 2015-11-11 | 2017-05-25 | シチズン時計株式会社 | 機械部品 |
| JP2017111133A (ja) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | セー エス ウー エム・サントル・スイス・デレクトロニク・エ・ドゥ・ミクロテクニク・エス アー・ルシェルシュ・エ・デヴェロプマン | 材料を局所的に除去することによって所定の剛性をもつひげぜんまいを製作する方法 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2731715B1 (fr) | 1995-03-17 | 1997-05-16 | Suisse Electronique Microtech | Piece de micro-mecanique et procede de realisation |
| DE60206939T2 (de) * | 2002-11-25 | 2006-07-27 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. | Spiraluhrwerkfeder und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6952041B2 (en) | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
| JP5606675B2 (ja) * | 2005-05-14 | 2014-10-15 | カーボンタイム・リミテッド | バランスばね及びその形成方法 |
| EP2104007A1 (fr) * | 2008-03-20 | 2009-09-23 | Nivarox-FAR S.A. | Spiral monobloc en matériau à base de silicium et son procédé de fabrication |
| EP2105807B1 (fr) * | 2008-03-28 | 2015-12-02 | Montres Breguet SA | Spiral à élévation de courbe monobloc et son procédé de fabrication |
| JP2011082945A (ja) | 2009-09-08 | 2011-04-21 | Seiko Epson Corp | 屈曲振動片、屈曲振動子、および電子デバイス |
| CH702151A1 (fr) * | 2009-11-10 | 2011-05-13 | Cartier Creation Studio Sa | Procede de realisation de pieces micromecaniques, notamment en verre ceramique. |
| WO2016093354A1 (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | シチズンホールディングス株式会社 | 時計部品および時計部品の製造方法 |
| CH711501B1 (fr) * | 2015-09-08 | 2020-04-30 | Nivarox Sa | Procédé de fabrication d'une pièce micromécanique horlogère et ladite pièce micromécanique horlogère. |
| EP3159746B1 (fr) * | 2015-10-19 | 2018-06-06 | Rolex Sa | Spiral en silicium fortement dopé pour pièce d'horlogerie |
| EP3181938B1 (fr) * | 2015-12-18 | 2019-02-20 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Procede de fabrication d'un spiral d'une raideur predeterminee par retrait de matiere |
| EP3181939B1 (fr) | 2015-12-18 | 2019-02-20 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Procede de fabrication d'un spiral d'une raideur predeterminee par ajout de matiere |
| EP3211486B1 (fr) * | 2016-02-25 | 2018-09-26 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Procede de fixation d'un spiral pour mouvement d'horlogerie mecanique |
| US20170285573A1 (en) * | 2016-11-30 | 2017-10-05 | Firehouse Horology, Inc. | Crystalline Compounds for Use in Mechanical Watches and Methods of Manufacture Thereof |
| CH711828A2 (fr) | 2017-02-22 | 2017-05-31 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa - Rech Et Développement | Pièce d'horlogerie micromécanique multi-niveaux et son procédé de fabrication. |
| EP3495894B1 (fr) * | 2017-12-05 | 2023-01-04 | Rolex Sa | Procédé de fabrication d'un composant horloger |
-
2019
- 2019-02-18 TW TW108105285A patent/TWI774925B/zh active
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- 2019-02-21 EP EP19710495.3A patent/EP3759554B1/fr active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101361027A (zh) | 2005-11-25 | 2009-02-04 | 斯沃奇集团研究和开发有限公司 | 由绝热玻璃制成的用于钟表机构机芯的螺旋游丝及其制造方法 |
| EP2685325B1 (de) | 2012-07-11 | 2016-04-06 | Diamaze Microtechnology S.A. | Spiralfeder, Verfahren zu deren Herstellung, Verwendungsmöglichkeiten sowie mikromechanisches Getriebe |
| US20140356638A1 (en) | 2013-05-21 | 2014-12-04 | Master Dynamic Limited | Method and apparatus for fabricating a colored component for a watch |
| CN105892259A (zh) | 2015-02-17 | 2016-08-24 | 动力专家有限公司 | 硅游丝 |
| WO2017006228A1 (de) | 2015-07-03 | 2017-01-12 | Damasko Uhrenmanufaktur KG | Spiralfeder und verfahren zu deren herstellung |
| JP2017090267A (ja) | 2015-11-11 | 2017-05-25 | シチズン時計株式会社 | 機械部品 |
| JP2017111133A (ja) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | セー エス ウー エム・サントル・スイス・デレクトロニク・エ・ドゥ・ミクロテクニク・エス アー・ルシェルシュ・エ・デヴェロプマン | 材料を局所的に除去することによって所定の剛性をもつひげぜんまいを製作する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200379408A1 (en) | 2020-12-03 |
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