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KR102683788B1 - 실리콘 포토멀티플라이어 - Google Patents

실리콘 포토멀티플라이어 Download PDF

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KR102683788B1
KR102683788B1 KR1020180148838A KR20180148838A KR102683788B1 KR 102683788 B1 KR102683788 B1 KR 102683788B1 KR 1020180148838 A KR1020180148838 A KR 1020180148838A KR 20180148838 A KR20180148838 A KR 20180148838A KR 102683788 B1 KR102683788 B1 KR 102683788B1
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KR
South Korea
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doping region
concentration doping
low
region
concentration
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KR1020180148838A
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류진화
윤용선
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한국전자통신연구원
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L27/146—
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Abstract

본 발명에 따른 실리콘 포토멀티플라이어는 기판, 상기 기판 내에 배치되는 고농도 도핑영역, 상기 기판 내에 배치되고, 평면적 관점에서 상기 고농도 도핑영역 주위를 둘러싸는 저농도 도핑 영역을 포함할 수 있다. 상기 고농도 도핑영역은 상기 저농도 도핑영역에 연결되고, 상기 저농도 도핑영역의 깊이는 상기 고농도 도핑영역의 깊이보다 깊을 수 있다.

Description

실리콘 포토멀티플라이어{Silicon photomultiplier}
본 발명은 실리콘 포토멀티플라이어에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 실리콘 포토멀티플라이어의 셀 수광부 모서리의 전기장 집중효과(edge field effect)를 제어하는 기술에 관한 것이다.
실리콘 포토멀티플라이어는 각각의 셀들이 복수개로 연결된 다중 셀로 구성되어, 개별 셀들에서 발생된 전류 신호의 강도를 측정하여 당해 소자 영역에 입사된 광자의 수를 판별하게 된다.
따라서 실리콘 포토멀티플라이어의 성능은 소자 전체 면적에서 개별 셀의 면적 및 셀의 개수에 직접적으로 의존된다. 소자의 성능 향상을 위해서는 고밀도의 셀 패턴을 구성해야 한다. 실리콘 포토멀티플라이어 소자의 셀 수광부는 평면 다이오드 구조로 구성되어 있으며, 여기서 이송 전하의 광 여기가 발생할 때 전기적 항복이 일어난다. 따라서 셀 수광부의 특성 향상은 고감도 실리콘 포토멀티플라이어 소자 구현을 필요로 한다.
본 발명의 일 기술적 과제는 전계(electric field)가 급격히 증가하는 부분의 필드(field)를 낮추어 그 부분에서 항복 현상(breakdown)이 일어나는 것을 방지하는 것에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 실리콘 포토멀티플라이어는 기판, 상기 기판 내에 배치되는 고농도 도핑영역, 상기 기판 내에 배치되고, 평면적 관점에서 상기 고농도 도핑영역 주위를 둘러싸는 저농도 도핑 영역을 포함할 수 있고, 상기 고농도 도핑영역은 상기 저농도 도핑영역에 연결되고, 상기 저농도 도핑영역의 깊이는 상기 고농도 도핑영역의 깊이보다 깊을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 저농도 도핑영역을 가지는 실리콘 포토멀티플라이어는 전계(electric field)가 급격히 증가하는 필드(field)를 감소시킴으로서, 그 부분에서 항복 현상(breakdown)이 일어나는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명인 실리콘 멀티플라이어의 개념을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'의 단면을 나타낸 개념도이다.
도 3, 도, 5, 도 6, 도 8, 및 도 9는 본 발명의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 4는 제1 마스크 레이아웃을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제2 마스크 레이아웃을 나타낸 평면도이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 사용되는 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 통상적으로 알려진 의미로 해석될 수 있다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘 포토멀티플라이어의 평면도이다. 도 2는 도1의 A-A’선에 따른 단면도이다
도1 및 도2를 참조하면 본 발명에 따른 실리콘 포토멀티플라이어는 기판(100), 저농도 도핑영역(130L), 고농도 도핑영역(130H), 트렌치 절연체(140), 제1 절연막(150), 제2 절연막(160), 소멸 저항(170), 제3 절연막(180) 및 금속 배선(190)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 실리콘 기판을 포함할 수 있다. 기판(100)은 매몰층(110) 및 매몰층(110) 상부에 위치하는 중간층(120)을 포함할 수 있다. 중간층(120)은 제1 영역들(RG1) 및 제2 영역(RG2)을 포함할 수 있다. 트렌치 절연체(140)가 중간층(120)의 제2 영역(RG2) 내에 배치되어 제1 영역들(RG1)을 정의할 수 있다.
중간층(120)의 제1 영역들(RG1)의 각각 내에 저농도 도핑영역(130L) 및 고농도 도핑영역(130H)이 제공될 수 있다. 저농도 도핑영역(130L)은 평면적 관점에서 고농도 도핑영역(130H)을 둘러싸도록 배치될 수 있다.
제1 영역(RG1) 내의 저농도 도핑영역(130L), 고농도 도핑영역(130H), 제1 영역(RG1) 상의 소멸 저항(170) 및 금속 배선(190)에 의해서 셀(Cell)(CL)이 정의될 수 있다. 즉 셀(CL)은 제1 영역(RG1) 내의 저농도 도핑영역(130L), 고농도 도핑영역(130H), 제1 영역(RG1) 상의 소멸 저항(170) 및 금속 배선(190)을 포함할 수 있다.
셀들(CL)은 트렌치 절연체(140)에 의해 서로 이격될 수 있고, 평면적 관점에서 2차원적으로 배열될 수 있다. 다시 말하면 트렌치 절연체(140)는 셀들(CL)의 각각을 평면적으로 둘러쌀 수 있다.
매몰층(110), 중간층(120), 저농도 도핑영역(130L) 및 고농도 도핑영역(130H)은 실리콘을 포함할 수 있다. 일 예로 고농도 도핑영역(130H), 저농도 도핑영역(130L), 중간층(120), 및 매몰층(110)은 순서대로 N+, N-, P, P+의 도핑 구조를 가질 수 있다. 다른 예로 고농도 도핑영역(130H), 저농도 도핑영역(130L), 중간층(120), 및 매몰층(110)은 순서대로 P+, P-, N, N+의 도핑 구조를 가질 수 있다.
단면적 관점에서 고농도 도핑영역(130H)의 깊이(H1)는 저농도 도핑영역(130L)의 깊이(L1)보다 얕을 수 있고, 고농도 도핑영역(130H)의 폭은 저농도 도핑영역(130L)의 폭보다 길 수 있다.
고농도 도핑영역(130H)는 활성층의 역할을 할 수 있다. 이하 설명에서 활성층은 고농도 도핑영역(130H)을 가리키는 것으로 기술되었다.
빛이 실리콘 포토멀티플라이어의 상면(활성층(130H))에 입사되는 경우 광 여기(photoexcitation)가 일어남에 따라서, 이송 전하(charge carrier)가 발생될 수 있다. 실리콘 포토멀티플라이어는 가이거 모드(Geiger mode)로 작동될 수 있다. 가이거 모드에서는 이송전하의 수가 내부 정전기장에 의한 가속의 결과로 발생하는 충돌 이온화(Impact ionization)를 통해 기하급수적으로 증가할 수 있다.
이 때 셀(CL)의 각각의 모서리 부분에서는 이송 전하들에 의하여 전기장 집중효과(edge field effect)가 발생할 수 있다. 그 결과 높은 운동 에너지를 가지는 이송 전하들에 의하여, 핫 캐리어 효과(hot carrier effect) 및 항복 현상(breakdown)이 일어날 수 있다.
저농도 도핑영역(130L)은 불순물의 도핑 농도가 낮기 때문에 전기장이 감소될 수 있다. 저농도 도핑영역(130L)은 셀(CL)의 외곽부에 위치함으로써, 셀(CL) 모서리 부분의 전기장 집중효과가 감소될 수 있다. 저농도 도핑영역(130L)은 고농도 도핑영역(130H)보다 깊게 형성됨으로써, 고농도 도핑영역(130H)의 깊이와 동일하거나, 얕게 형성된 경우보다 효과적으로 전기장이 감소될 수 있다.
트렌치 절연체(140)는 셀(CL)의 전류가 누화(leakage)되어 인접한 셀(CL)로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 트렌치 절연체(140)는 전기적 및 광학적 차폐 기능을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 일 예로 트렌치 절연체(140)는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
중간층(120)의 제1 영역들(RG1) 상에 제1 절연막(150) 및 제2 절연막(160)이 차례로 제공될 수 있다. 일 예로 제1 절연막(150)은 트렌치 절연체(140)와 동일한 물질(예를 들어 실리콘 산화물)을 포함할 수 있다. 트렌치 절연체(140)가 제1 절연막(150)과 동일한 물질을 포함하는 경우 그들 사이의 경계 없이 일체로 결합할 수 있다. 일 예로 제2 절연막(160)은 실리콘 질화물(예를 들어 Si3N4)을 포함할 수 있다.
소멸 저항(170)은 제1 부분(171), 제2 부분(172) 및 제3 부분(173)을 포함할 수 있다. 제1 부분(171) 및 제2 부분(172)은 중간층(120)의 제1 영역(RG1) 상에 제공될 수 있고, 제3 부분(173)은 제1 부분(171) 및 제2 부분(172)을 연결 할 수 있다.
소멸 저항의 제1 부분(171)은 제1 절연막(150) 및 제2 절연막(160)을 관통하여 저농도 도핑영역(130L)의 상면과 접촉할 수 있다. 소멸 저항의 제2 부분(172)은 제1 절연막(150) 및 제2 절연막(160)을 관통하여 활성층(130H)의 상면과 접촉할 수 있다(미도시). 소멸 저항(170)은 고저항 물질을 포함할 수 있고, 일 예로 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 소멸 저항(170)은 항복 현상에 의한, 순간전류가 흐를 때 셀(CL)을 보호하고, 셀(CL)에 걸리는 전압을 항복 전압 이하로 내려 항복 상태를 해소할 수 있다.
제3 절연막(180)은 소멸 저항들(170), 트렌치 절연체(140), 및 제2 절연막(160)의 적어도 일부를 덮을 수 있다. 일 예로 제3 절연막(180)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
제3 절연막(180) 상에 금속 배선들(190)이 제공될 수 있다. 금속 배선들(190)은 일 예로 알루미늄을 포함할 수 있다. 각각의 금속 배선들(190)은 제3 절연막(180)을 관통하여 소멸 저항들(170)의 제1 부분(171)의 상면들과 접촉할 수 있다. 금속 배선들(190)은 외부회로와 연결되고, 활성층(130H)에서 생긴 전류는 소멸 저항들(170) 및 금속 배선들(190)을 통해 외부 회로로 흐를 수 있다.
도 3, 도, 5, 도 6, 도 8, 및 도 9는 본 발명의 제조방법을 나타낸 것이다. 도 4는 제1 마스크 레이아웃을 나타낸 평면도이다. 도 7은 제2 마스크 레이아웃을 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 매몰층(110) 및 매몰층(110) 상부에 위치하는 중간층(120)을 포함하는 기판(100)이 제공될 수 있다. 기판(100) 상에 차례로 제1 절연막(150) 및 제2 절연막(160)이 형성될 수 있다. 이후 중간층(120)에 트렌치(TR)가 형성하고, 트렌치(TR) 내에 트렌치 절연체(140)가 채워질 수 있다. 제2 절연막(160) 및 트렌치 절연체(140) 상에 포토레지스트층이 도포될 수 있다(미도시).
도 4를 참조하면 저농도 도핑영역(130L)을 정의하는 제1 마스크 레이아웃(200L)이 제공될 수 있다. 제1 마스크 레이아웃(200L)은 제1 패턴(MP1)을 가지며, 제1 패턴(MP1)은 후술할 제1 노광(exposure) 공정에서 빛이 통과하는 영역일 수 있다. 제1 패턴(MP1)은 폭(△L)을 가지며, 저농도 도핑영역(130L)의 폭은 제1 패턴(MP1)의 폭(△L)에 의해서 결정될 수 있다. 즉, 저농도 도핑영역(130L)은 제1 패턴(MP1)의 폭(△L)에 대응하는 폭을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 노광(exposure) 공정 및 제1 현상(develop) 공정을 통해 제2 절연막(160) 상에 패터닝된 제1 포토레지스트층(PR1)이 제공될 수 있다. 이어서 제1 이온주입 공정을 통하여 기판(100) 내에 저농도 도핑영역(130L)이 형성될 수 있다.
구체적으로 패터닝된 제1 포토레지스트층(PR1)은 제1 개구(OP1)를 가지고, 제1 개구(OP1)를 통해 기판(100) 상에 저농도 불순물이 주입될 수 있다. 저농도 불순물은 40KeV 내지 80KeV의 에너지로 주입될 수 있다. 패터닝된 제1 포토레지스트층(PR1)은 제1 이온 주입공정에서 이온 주입을 막는 마스크 역할을 할 수 있다.
도 6을 참조하면 패터닝된 제1 포토레지스트층(PR1)을 제거할 수 있다. 이후 다시 포토레지스트 층을 제2 절연막(160)상에 도포할 수 있다(미도시).
도 7을 참조하면 고농도 도핑영역(130H)을 정의하는 제2 마스크 레이아웃(200H)이 제공될 수 있다. 제2 마스크 레이아웃(200H)은 제2 패턴(MP2)을 가지며, 제2 패턴(MP2)은 후술할 제2 노광 공정에서 빛이 통과하는 영역일 수 있다. 제2 패턴(MP2)은 폭(△H)를 가지며, 고농도 도핑영역(130H)의 폭은 제2 패턴(MP2)의 폭(△H)에 의해서 결정될 수 있다. 즉 고농도 도핑영역(130H)은 제2 패턴의 폭(△H)에 대응하는 폭을 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 제2 노광공정 및 제2 현상공정을 통해 제2 절연막(160) 상에 패터닝된 제2 포토레지스트층(PR2)이 제공될 수 있다. 이어서 제2 이온주입 공정을 통하여 기판(100) 내에 고농도 도핑영역(130H)이 형성될 수 있다. 고농도 도핑영역(130H)은 저농도 도핑영역(130L)과 연결될 수 있다.
구체적으로 패터닝된 제2 포토레지스트층(PR2)은 제2 개구(OP2)를 가지고, 제2 개구(OP2)를 통해 고농도 불순물이 주입될 수 있다. 고농도 불순물은 5KeV내지 20KeV의 에너지로 주입될 수 있다. 패터닝된 제2 포토레지스트층(PR2)은 제2 이온 주입공정에서 이온 주입을 막는 마스크 역할을 할 수 있다.
제1 이온주입 공정 및 제2 이온 주입공정은 모두 이온 샤워(ion shower) 또는 이온 임플란터(ion implanter)방식에 의해 수행될 수 있다.
제1 이온주입 공정 및 제2 이온주입 공정을 비교하면 제1 이온 주입공정에 주입되는 이온의 농도가 제2 이온주입 공정에 주입되는 이온의 농도보다 낮을 수 있다. 제1 이온 주입공정에 주입되는 이온 주입 에너지는 제2 이온 주입공정에 주입되는 이온 주입 에너지보다 높을 수 있다. 결과적으로 제1 이온 주입공정에 의해 형성되는 저농도 도핑영역(130L)의 깊이는 제2 이온 주입공정에 의해 형성되는 고농도 도핑영역(130H)의 깊이보다 깊을 수 있다.
도 9를 참조하면 패터닝된 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거할 수 있다. 다시금 도 2를 참조하면 소멸 저항(170), 제3 절연막(180), 및 금속 배선(190)의 순차적 형성을 통해서 본 발명인 실리콘 포토멀티플라이어를 형성할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판
110: 매몰층
120: 중간층
130L: 저농도 도핑영역
130H: 고농도 도핑영역(활성층)
140: 트렌치 절연체
170: 소멸 저항
171, 172, 173: 소멸 저항의 제1 부분, 제2 부분, 제3 부분
150: 제1 절연막
160: 제2 절연막
TR: 트렌치
180: 제 3절연막
190: 금속 배선들
200L: 제1 마스크 레이아웃
MP1: 제1 마스크 패턴
200H: 제2 마스크 레이아웃
MP2: 제2 마스크 패턴
OP1: 제1 개구
OP2: 제2 개구

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판 내에 배치되는 고농도 도핑영역;
    상기 기판 내에 배치되고, 평면적 관점에서 상기 고농도 도핑영역 주위를 둘러싸는 저농도 도핑 영역을 포함하되,
    상기 고농도 도핑영역은 상기 저농도 도핑영역에 연결되고,
    상기 저농도 도핑영역의 깊이는 상기 고농도 도핑영역의 깊이보다 깊고,
    상기 고농도 도핑 영역 및 상기 저농도 도핑 영역은 서로 수직 방향으로 중첩하지 않는 실리콘 포토멀티플라이어.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 매몰층, 및 상기 매몰층 상에 위치하는 중간층을 포함하고,
    상기 고농도 도핑영역 및 및 상기 저농도 도핑영역은 상기 중간층 내에 제공되는 포토멀티플라이어.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 고농도 도핑영역 및 상기 저농도 도핑영역과
    상기 매몰층 및 상기 중간층은 불순물을 포함하는 도핑 구조를 가지고,
    상기 고농도 도핑영역의 불순물의 도핑농도는 상기 저농도 도핑영역의 불순물의 도핑농도보다 크고,
    상기 중간층의 도핑영역의 불순물의 도핑농도는 상기 매몰층의 불순물의 도핑농도보다 작고,
    상기 고농도 도핑영역 및 상기 저농도 도핑영역의 도전형은 상기 상기 매몰층 및 상기 중간층의 도전형과 서로 다른 형인 포토멀티플라이어.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 고농도 도핑영역은 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향에 따른 제1 폭을 가지고,
    상기 저농도 도핑영역은 상기 제1 방향에 따른 제2 폭을 가지고,
    상기 제1 폭은 상기 제2 폭보다 긴 포토멀티플라이어.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상의 소멸 저항을 더 포함하고,
    상기 소멸 저항은 제1 부분, 제2 부분 및 이들을 연결하는 제3 부분을 포함하고,
    상기 소멸 저항의 제1 부분은 상기 저농도 도핑영역과 연결되고, 상기 소멸 저항의 제2 부분은 상기 고농도 도핑영역과 연결되는 포토멀티플라이어.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 소멸 저항은 폴리실리콘을 포함하는 포토멀티플라이어.
  7. 기판;
    상기 기판 상에 제공되는 트렌치 절연체; 및
    상기 트렌치 절연체에 의해 정의되는 복수개의 셀들을 포함하고,
    상기 셀들의 각각은:
    상기 셀의 중심부에 위치하는 고농도 도핑영역; 및
    상기 셀의 외곽부에 위치하는 저농도 도핑영역; 및
    일 단이 상기 고농도 도핑영역과 연결되고, 타단이 상기 저농도 도핑영역과 연결되는 소멸 저항을 포함하고,
    상기 저농도 도핑영역의 깊이는 상기 고농도 도핑영역의 깊이보다 깊고,
    상기 소멸 저항은 고저항 물질을 포함하고,
    상기 기판, 상기 고농도 도핑 영역 및 상기 저농도 도핑 영역은 불순물을 포함하는 도핑 구조를 가지고,
    상기 기판의 도전형과 상기 상기 고농도 도핑 영역 및 상기 저농도 도핑 영역의 도전형은 서로 다르고,
    상기 고농도 도핑 영역 및 상기 저농도 도핑 영역은 서로 수직 방향으로 중첩하지 않는 포토멀티플라이어.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 상의 금속배선을 더 포함하고,
    상기 금속배선은 상기 소멸 저항의 상기 일 단과 연결되는 포토멀티플라이어.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 저농도 도핑영역 및 상기 고농도 도핑영역은 서로 같은 도전형의 불순물로 도핑되고,
    평면적 관점에서:
    상기 고농도 도핑영역의 면적은 상기 저농도 도핑영역의 면적보다 큰 포토멀티플라이어.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 고농도 도핑영역은 상기 저농도 도핑영역에 연결되고,
    상기 저농도 도핑영역은 상기 고농도 도핑영역을 둘러싸는 포토멀티플라이어.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100194668B1 (ko) 1995-12-05 1999-07-01 윤종용 전력용 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
KR101768704B1 (ko) * 2011-09-02 2017-08-17 한국전자통신연구원 포토멀티플라이어 및 그의 제조방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101648023B1 (ko) * 2010-12-21 2016-08-12 한국전자통신연구원 트렌치 분리형 실리콘 포토멀티플라이어
KR20140055040A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 국방과학연구소 광검출 효율이 향상된 실리콘 광증배관 소자
KR101771819B1 (ko) * 2015-12-18 2017-09-06 매그나칩 반도체 유한회사 Otp 비휘발성 메모리 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100194668B1 (ko) 1995-12-05 1999-07-01 윤종용 전력용 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터
KR101768704B1 (ko) * 2011-09-02 2017-08-17 한국전자통신연구원 포토멀티플라이어 및 그의 제조방법

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