KR102680862B1

KR102680862B1 - 반도체 발광장치

Info

Publication number: KR102680862B1
Application number: KR1020160172480A
Authority: KR
Inventors: 김정성; 박창수; 박정규; 최태영
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2016-12-16
Filing date: 2016-12-16
Publication date: 2024-07-03
Anticipated expiration: 2036-12-16
Also published as: US10121945B2; KR20180070149A; CN108206235B; US20180175265A1; CN108206235A

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체와, 제1 및 제2 전극이 배치된 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 가지며, 상기 제1 면이 상기 바닥면을 향하도록 상기 오목부에 탑재된 LED 칩과, 상기 제1 및 제2 전극을 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 도전성 범프들과, 상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 제1 파장변환 물질을 함유하는 파장변환 필름과, 상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합하는 광투과성 접합층과, 상기 LED 칩을 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 LED 칩의 제1 면과 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부와, 상기 파장변환 필름과 상기 반사성 수지부 상에 배치되며, 제2 파장변환 물질을 함유하는 광투과성 수지를 갖는 파장변환 수지층을 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.

Description

반도체 발광장치{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은 반도체 발광장치에 관한 것이다.

반도체 발광다이오드는 전기에너지를 이용하여 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광다이오드는 조명장치 및 대형 액정디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD)용 백라이트(backlight) 장치의 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.

일반적으로, 발광 다이오드는 응용 장치에 장착되기 용이하도록 다양한 형태로 패키징된 발광장치로 제공될 수 있다. 이러한 발광다이오드의 패키징 과정에서 다른 구성요소에 의한 광손실이나 전반사로 인해 광효율 저하를 방지하고, 신뢰성 있는 패키지 구조가 요구되고 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제 중 하나는 광손실을 최소화하여 광효율을 개선한 반도체 발광장치를 제공하는데 있다.

본 발명의 일 실시예는, 경사진 제1 반사면을 갖는 측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체와, 상기 오목부의 바닥면에 탑재되며 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 제1 및 제2 전극을 갖는 반도체 발광소자(lighting emitting element)와, 상기 반도체 발광소자를 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 제1 반사면과 연결된 제2 반사면을 제공하는 굴곡진 상면을 가지고, 상기 반도체 발광소자와 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부와, 상기 반도체 발광소자 상에 배치된 파장변환 수지층;을 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.

여기서, 상기 반도체 발광소자는, 상기 제1 및 제2 전극이 배치되며 상기 오목부의 바닥면을 마주하는 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 갖는 LED 칩과, 상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 상기 파장변환 수지층 아래에 위치한 파장변환 필름과, 상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합시키고 상기 LED 칩의 측면들로 연장되며 상기 바닥면을 향하여 경사진 표면을 갖는 광투과성 접합층을 포함하며, 상기 파장변환 수지층은 제1 파장변환 물질을 포함하며, 상기 파장변환 필름은 제2 파장변환 물질을 포함한다.

본 발명의 일 실시예는, 측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체와, 제1 및 제2 전극이 배치된 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 가지며, 상기 제1 면이 상기 바닥면을 향하도록 상기 오목부에 탑재된 LED 칩과, 상기 제1 및 제2 전극을 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 도전성 범프들과, 상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 제1 파장변환 물질을 함유하는 파장변환 필름과, 상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합시키고, 제2 파장변환 물질을 함유하는 광투과성 접합물질로 이루어진 광투과성 접합층과, 상기 LED 칩을 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 LED 칩의 제1 면과 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부를 포함하는 반도체 발광장치를 제공한다.

서로 다른 파장변환 물질을 광방출경로를 따라 다른 지점에 위치한 구성요소에 분산하여 배치함으로써 변환된 광의 손실을 방지할 수 있다. 구조적으로 안정되면서도 광추출에 유리한 반사면을 제공함으로써 광효율을 개선할 수 있다. 반사성 수지부를 이용하여 패키지의 광흡수요소(예, 도전성 범프, 제너 다이오드)에 의한 광 손실을 효과적으로 방지할 수 있다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이다.
도2는 도1에 도시된 반도체 발광장치를 X1-X1'으로 절개하여 본 측단면도이다.
도3은 도1에 도시된 반도체 발광장치에 채용 가능한 발광소자를 나타내는 평면도이다.
도4는 도3에 도시된 발광소자를 X2-X2'로 절개하여 본 측단면도이다.
도5는 도3에 도시된 발광 소자에 채용 가능한 LED 칩을 나타내는 측단면도이다.
도6a 내지 도6e는 도1에 도시된 반도체 발광장치의 제조방법을 나타내는 주요 공정별 단면도이다.
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도8은 도7에 도시된 반도체 발광장치에 채용 가능한 발광소자를 나타내는 측단면도이다.
도9a 내지 도9c는 도8에 도시된 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 주요 공정별 단면도이다.
도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 분해 사시도이다.
도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 장치를 나타내는 분해 사시도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세히 설명한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 평면도이며, 도2는 도1에 도시된 반도체 발광장치를 X1-X1'으로 절개하여 본 측단면도이다.

도1 및 도2를 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 발광장치(50)는, 오목부(C)를 갖는 패키지 본체(10)와, 상기 오목부(C) 내에 탑재된 반도체 발광소자(30)와, 상기 오목부(C) 내에서 상기 반도체 발광소자(30)를 둘러싸는 반사성 수지부(42)를 포함한다.

상기 패키지 본체(10)는 상기 오목부(C)를 정의하는 측벽(11)을 가지며, 상기 오목부(C)의 바닥면에 노출된 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)을 포함한다. 도1을 참조하면, 상기 오목부(C)의 평면 형상은 원형으로 예시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 오목부(C)의 평면 형상은 칩 형상에 대응되는 형상을 가질 수 있다.

상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)은 상기 패키지 본체(10)의 외부 표면(예, 하면 또는 측면)으로 연장될 수 있다. 상기 패키지 본체(10)는 절연성 수지일 수 있다. 일부 예에서, 상기 패키지 본체(10)는 반사성 분말이 분산된 몰딩 수지체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 백색 분말은 TiO₂, Al₂O₃, Nb₂O₅ 또는 ZnO과 같은 세라믹 분말을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)은 상기 패키지 본체(10)의 연결부(16)에 의해 결속된 한 쌍의 리드 프레임일 수 있다. 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)는 Au, Cu, Ag, Al와 같은 금속을 포함할 수 있다.

상기 패키지 본체(10)의 측벽(11)은 상기 오목부(C)에서 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)의 표면과 이루는 각이 비교적 큰 각도(θ1)를 이룬다. 이러한 측벽(11)의 각도(θ1)를 증가시킴으로써 상기 패키지 본체(11)와 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12bb)이 접하는 영역에서 몰딩체의 크랙 발생을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 측벽(11)의 각도(θ1)는 80°이상일 수 있으며, 특정 예에서 거의 수직일 수 있다.

상기 반도체 발광소자(30)는, 서로 반대에 위치한 제1 및 제2 면(20A,20B)과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들(20C)을 갖는 반도체 발광다이오드(LED) 칩(20)을 포함한다.

도2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광소자(30)는 상기 LED 칩(20)의 제1 면(20A)이 상기 오목부(C)의 바닥면을 향하도록 상기 오목부(C) 내에 탑재될 수 있다. 상기 LED 칩(20)은 상기 제1 면에 배치된 제1 및 제2 전극(29a,29b)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 전극(29a,29b)은 솔더와 같은 도전성 범프(15a,15b)를 이용하여 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b) 각각에 연결될 수 있다.

도3 및 도4를 참조하면, 본 실시예에 채용된 반도체 발광소자(30)가 개별 디바이스로 도시되어 있다. 본 실시예에서, 상기 반도체 발광소자(30)는 도4에 도시된 형태로 먼저 제조된 후에 패키지 본체(10)에 탑재될 수 있으나, 이와 달리 LED 칩(20)을 패키지 본체(10)에 탑재한 후에 상기 반도체 발광소자의 다른 구성(파장변환 필름 등)을 부가하는 방식이 사용될 수도 있다(도6a 내지 도6e 참조).

도4에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광소자(30)는 상기 LED 칩(20)의 제2 면(20B)에 배치된 파장변환 필름(32)과, 상기 LED 칩(20)과 상기 파장변환 필름(32)을 접합하는 광투과성 접합층(34)을 포함할 수 있다.

상기 파장변환 필름(32)은 상기 LED 칩(20)으로부터 방출된 광의 일부를 방출 파장과 다른 제1 파장의 광으로 변환하는 제1 파장변환물질(P1)을 포함한다. 상기 파장변환 필름(32)은 상기 제1 파장변환 물질(P1)이 분산된 수지층 또는 세라믹 형광체 필름일 수 있다. 예를 들어, 상기 파장변환 필름(32)은 형광체 또는 양자점과 같은 제1 파장변환 물질(P1)이 함유된 글래스층일 수 있다.

상기 파장변환 필름(32)은 상기 반도체 발광다이오드 칩(20)의 면적보다 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 파장변환 필름(32)은 상기 LED 칩(20)의 제2 면(20B)을 덮도록 배치될 수 있다. 도3에 도시된 바와 같이, 상기 파장변환 필름(32)은 LED 칩(20)에 의해 커버되지 않으면서 LED 칩(20)을 둘러싸는 외주 영역을 가지며, 그 외주 영역을 따라 광투과성 접합층(34)이 연장될 수 있다.

본 실시예에 채용된 광투과성 접합층(34)은 도4에 도시된 바와 같이, 상기 파장변환 필름(32)과 상기 LED 칩(20) 사이에 위치한 접착 영역(34a)과, 상기 LED 칩(20)의 측면(20C)을 따라 위치한 측부 연장 영역(34b)을 가질 수 있다. 상기 측부 연장 영역(34b)은 상기 LED 칩(20)의 측면들(20C)로 연장되며 상기 오목부(C)의 바닥면을 향하여 경사진 표면(34S)을 갖는다.

상기 측부 연장 영역(34b)은 상기 광투과성 필름(32)에 가까울수록 증가하는 폭을 가질 수 있다. 이러한 측부 연장 영역(34b)의 단면 형상은 광투과성 접합층(34)을 위한 수지의 점도 및/또는 양에 따라 달라질 수 있다(도6b 및 도6c 참조). 예를 들어, 상기 광투과성 접합층(34)은 실리콘(silicone), 에폭시, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리 아마이드 또는 벤조사이클로부텐을 포함할 수 있다.

도2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 발광소자(30)는 오목부(C) 내에 탑재되어 상기 반사성 수지부(42)에 의해 둘러싸일 수 있다. 상기 반사성 수지부(42)는 반사성 분말이 함유된 광투과성 수지로 이루어질 수 있다. 본 실시예에 채용된 측면 연장 영역(34)은 파장변환물질이 함유된 광투과성 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 광투과성 수지는 실리콘(silicone) 수지일 수 있다. 실리콘 수지의 굴절률은 1.38∼1.8 범위에서 선택될 수 있다. 상기 반사성 분말은 백색 세라믹 분말 또는 금속 분말일 수 있다. 예를 들어, 상기 세라믹 분말은 TiO₂, Al₂O₃, Nb₂O₅ 및 ZnO로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 상기 금속 분말은 Al 또는 Ag와 같은 물질일 수 있다.

본 실시예에서, 상기 반사성 수지부(42)는 상기 광투과성 접합층(34)과의 계면을 가질 수 있다. 이러한 계면은 측부 연장 영역(34b)의 경사면(34S)을 따라 제공되며, 상기 LED 칩(20)의 측방향으로 진행하는 빛에 대해 반사면으로 작용할 수 있다. 즉, 상기 계면은 상기 LED 칩(20)의 측방향으로 진행하는 빛은 상기 파장변환 필름(32)으로 향하도록 반사될 수 있고, 반도체 발광장치(50)의 광추출효율을 개선할 수 있다.

한편, 상기 반사성 수지부(42)는 상기 LED 칩의 제1 면과 상기 오목부의 바닥면 사이에서 상기 반도체 상기 도전성 범프(15a,15b)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 상기 반사성 수지부(42)를 이용하여 도전성 범프들(15a,15b)에 광이 흡수되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 반사성 수지부(42)는 상기 LED 칩(20)의 제1 면(20A)과 상기 오목부(C)의 바닥면 사이의 공간을 거의 충전함으로써 아래 방향으로 진행하는 광을 원하는 추출 방향(예, 파장변환 필름(32)의 방향)으로 가이드할 수 있다.

본 실시예에서, 도2에 도시된 바와 같이, 상기 패키지 본체(10)의 측벽(11)은 경사진 제1 반사면(R1)을 가질 수 있다. 상기 반사성 수지부(42)의 상면은 상기 제1 반사면(R1)에 연결된 제2 반사면(R2)으로 제공될 수 있다. 상기 제1 및 제2 반사면(R1,R2)은 광추출에 유리하도록 대체로 낮은 경사각을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 반사면(R1,R2)의 경사각은 20∼40°범위일 수 있다. 상기 제1 및 제2 반사면(R1,R2)의 경사각은 서로 다르게 설정될 수 있다.

상기 반사성 수지부(42)는 액상 수지의 경화공정에 의해 형성되므로, 상기 제2 반사면(R2)은 메니스커스(meniscus)와 유사한 곡면을 가질 수 있다. 이러한 경사진 반사면(R2)을 제공하기 위해서, 상기 반사성 수지부(42)의 상면은 상기 측벽(11)에 접하는 제1 레벨(L1)이 상기 LED 칩(20)에 인접한 제2 레벨(L2)보다 높게 형성될 수 있다. 상기 제2 레벨(L2)은 파장변환 필름(32) 상단에 의해 결정될 수 있다.

도2를 참조하면, 파장변환 수지층(45)은 상기 파장변환 필름(32) 상에 배치될 수 있다. 상기 파장변환 수지층(45)은 상기 반사성 수지부(42) 상면의 적어도 일부에 연장될 수 있다. 상기 파장변환 수지층(45)은 제2 파장변환 물질(P2)을 함유하는 광투과성 수지로 형성될 수 있다. 상기 제2 파장변환 물질(P2)은 상기 LED 칩(20)으로부터 방출된 광의 일부를 방출 파장과 다른 제2 파장의 광으로 변환하는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 상기 제2 파장변환 물질(P2)은 상기 제1 파장변환 물질(P1)의 변환 광의 파장보다 짧은 파장의 변환된 광을 제공할 수 있다.

예를 들어, 상기 반도체 발광장치(50)는 백색 광을 방출할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 LED 칩(20)은 청색광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 LED 칩(20)은 440㎚∼460㎚ 범위인 주파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 제1 파장변환 물질(P1)은 청색광의 일부를 적색으로 변환하는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 상기 제2 파장변환 물질(P2)은 청색광의 일부를 황색 및/또는 녹색으로 변환하는 형광체 또는 양자점일 수 있다.

본 실시예에 채용된 파장변환 필름(32)은 소정의 광투과율을 갖도록 구성하여 파장변환 수지층(45)에 LED 칩의 방출광을 제공할 수 있다. 상기 파장변환 필름(32)의 원하는 광투과율은 제1 파장변환 물질(P1)의 함유율을 적절히 조절함으로써 얻어질 수 있다. 예를 들어, 상기 파장변환 필름(32) 중 제1 파장변환물질(P1)은 5∼30 vol% 범위로 함유될 수 있다.

본 실시예에 채용 가능한 LED 칩(20)의 일 예가 도5에 도시되어 있다.

도5를 참조하면, 상기 LED 칩(20)은, 기판(21)과, 상기 기판(21) 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층(24), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(26)을 포함한다.

상기 기판(21)은 사파이어와 같은 절연성 기판일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 기판(21)은 절연성 외에도 도전성 또는 반도체 기판일 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(21)은 사파이어 외에도 SiC, Si, MgAl₂O₄, MgO, LiAlO₂, LiGaO₂, GaN일 수 있다. 상기 기판(21)의 상면에는 요철(P)이 형성될 수 있다. 상기 요철(P)은 광추출효율을 개선하면서 성장되는 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다.

상기 기판(21)과 상기 제1 도전형 반도체층(24) 사이에 버퍼층(22)이 배치될수 있다. 상기 버퍼층(22)은 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1)일수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(22)는 GaN, AlN, AlGaN, InGaN일 수 있다. 일부 예에서는, 복수의 층을 조합하거나, 조성을 점진적으로 변화시켜 사용할 수도 있다.

상기 제1 도전형 반도체층(24)은 n형 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체일 수 있으며, n형 불순물은 Si일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 도전형 반도체층(24)은 n형 GaN을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(26)은 p형 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x<1, 0≤y<1, 0≤x+y<1)을 만족하는 질화물 반도체층일 수 있으며, p형 불순물은 Mg일 수 있다. 다른 예에서, 상기 제2 도전형 반도체층(26)은 서로 다른 조성을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.

상기 활성층(25)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 양자우물층과 양자장벽층은 서로 다른 조성을 갖는 In_xAl_yGa₁ _-x- _yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)일 수 있다. 특정 예에서, 상기 양자우물층은 In_xGa₁ _- _xN (0<x≤1)이며, 상기 양자장벽층은 GaN 또는 AlGaN일 수 있다. 양자우물층과 양자장벽층의 두께는 각각 1㎚∼50㎚ 범위일 수 있다. 상기 활성층(25)은 다중 양자우물 구조에 한정되지 않고, 단일 양자우물 구조일 수 있다.

상기 제1 및 제2 전극(29a,29b)은, 동일한 제1 면(20A)에 위치하도록, 상기 제1 도전형 반도체층(24)의 메사 에칭된 영역과 상기 제2 도전형 반도체층(26)에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(29a)은 이에 한정되지 않지만, Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다. 상기 제2 전극(29b)은 Al, Au, Cr, Ni, Ti, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 제2 전극(29b)은 투명 전도성 산화물 또는 투명 전도성 질화물과 같은 투명 전극이거나, 그래핀(graphene)을 포함할 수 있다..

도6a 내지 도6e는 도1에 도시된 반도체 발광장치의 제조방법을 나타내는 주요 공정별 단면도이다.

도6a을 참조하면, LED 칩(20)을 패키지 본체(10)의 오목부(C)에 탑재한다.

상기 LED 칩(20)은 상기 제1 면(20A)이 상기 오목부의 바닥면과 마주하도록 탑재될 수 있다. 상기 LED 칩(20)의 제1 면(20A)에 위치한 제1 및 제2 전극(29a,29b)은 솔더볼과 같은 도전성 범프(15a,15b)을 이용하여 각각 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)에 연결될 수 있다.

도6b을 참조하면, LED 칩(20)의 제2 면(20B)에 미경화된 접합용 수지(34')를 적하한다.

이러한 적하공정은 디스펜싱 장치(D)를 이용하여 구현될 수 있다. 상기 접합용 수지(34')는 실리콘, 에폭시 또는 그 조합으로 이루어진 수지일 수 있다. 본 공정에서는, 접합에 필요한 양보다 많은 양으로 적하할 수 있다. 즉, 후속되는 접합공정에서 LED 칩(20)의 측면을 따라 접합용 수지(34')의 일부가 흘러 내려 경사부를 형성할 정도의 충분한 양으로 제공될 수 있다. 상기 접합용 수지는 분말형태의 광분산재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광분산재는 SiO₂, TiO₂ 또는 Al₂O₃을 포함할 수 있다.

도6c을 참조하면, 파장변환 필름(32)을 접합용 수지(34')가 적용된 LED 칩(20)의 제2 면(20B)에 배치한다.

상기 파장변환 필름(32)은 제1 파장변환 물질(P1)을 함유한 필름일 수 있다. 상기 파장변환 필름(32)의 배치과정에서, 접합용 수지(34')의 일부는 LED 칩(20)의 측면(20C)을 따라 흘러내리고, 경화 전까지 흘러내린 부분이 표면 장력에 의해 상기 칩(20)의 측면에서 경사면(S)을 이루면서 유지될 수 있다. 이러한 경사면(S)의 형상은 접합용 수지(34')의 점도이나 파장변환 필름(32)의 외주 영역(LED 칩의 바깥 부분)의 면적에 따라 조절될 수 있다. 예를 들어, 큰 면적의 파장변환 필름(32)을 사용하여 외주 영역을 확장하고, 접합용 수지(34')의 점도를 적정한 수준으로 높임으로써 바닥면에 대한 경사각(θ2)을 낮출 수 있으며, 경사면을 이루는 수지 부분을 확장시킬 수 있다.

도6d를 참조하면, 파장변환 필름(32)이 LED 칩(20)의 제2 면(20B)에 접합되도록 접합용 수지(34')를 경화시킨다.

본 경화 공정에서, 접합용 수지(34')가 경화되어 광투과성 접합층(34)을 형성할 수 있다. 상기 광투과성 접합층(34)은 상기 파장변환 필름(32)과 상기 LED 칩(20) 사이에 위치한 접착 영역(34a)을 포함한다. 또한, 상기 LED 칩(20)의 측면을 따라 경사지게 흘러내린 접합용 수지(42') 부분은 측부 연장 영역(34b)로 제공될 수 있다. 상기 측부 연장 영역(34b)은 상기 LED 칩(20)의 측면(20C)에 위치하며 상기 오목부(C)의 바닥면을 향하여 경사진 면(34S)을 제공하도록 구성될 수 있다. 본 공정에 의해, 상기 측부 연장 영역(34b)은 광추출에 유리한 경사진 면을 제공함으로써 상기 LED 칩(20)의 측면에서의 내부 전반사를 감소시켜 광추출효율을 개선할 수 있다.

도6e을 참조하면, LED 칩(20)을 둘러싸도록 오목부(C) 내에 반사성 수지부(42)를 형성할 수 있다.

상기 반사성 수지부(42)는 상기 광투과성 접합층(34)의 측부 연장 영역(34b)와의 계면을 형성하고, 이러한 경사진 계면은 상기 파장변환 필름(32)을 향해 빛을 안내시키는 반사면으로 제공될 수 있다. 상기 반사성 수지부(42)는 반사성 분말이 함유된 광투과성 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사성 분말은 TiO₂, Al₂O₃, Nb₂O₅, Al₂O₃ 또는 ZnO인 백색 세라믹 분말일 수 있다.

도6e에 도시된 결과물의 파장변환 필름(32) 상에 파장변환 수지층(42)을 추가적으로 형성함으로써, 도2에 도시된 반도체 발광장치(50)가 제조될 수 있다. 상기 파장변환 수지층(42)은 제2 파장변환 물질(P2)을 함유한 광투과성 액상 수지를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 파장변환 수지층(42) 형성은 디스펜싱 공정을 이용하여 수행될 수 있다.

도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이며, 도8은 도7에 도시된 반도체 발광장치에 채용 가능한 발광소자를 나타내는 측단면도이다.

도7에 도시된 반도체 발광장치(50A)은 파장변환물질의 배치만을 제외하고 도1에 도시된 반도체 발광장치(50)과 유사한 것으로 이해할 수 있다. 본 실시예의 구성요소는 특별히 반대되는 설명이 없는 한 도2에 도시된 반도체 발광장치(50)의 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 설명을 참조하여 이해될 수 있다.

본 실시예에서는, 광투과성 접합층(34)은 제1 파장변환 물질(P1)을 함유한 광투성 접합 수지로 이루어지며, 파장변환 필름(32)은 제2 파장변환 물질(P2)을 포함한다. 상기 LED 칩(20)은 청색 LED 칩 또는 UV LED 칩일 수 있다. 상기 제1 파장변환 물질(P1)은 상기 LED 칩(20)으로부터 방출된 광의 일부를 그와 다른 제1 파장을 변환하는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 상기 제2 파장변환 물질(P2)은 상기 LED 칩(20)의 방출광을 상기 제1 광의 파장보다 짧은 파장의 제2 광으로 변환하는 형광체 또는 양자점일 수 있다. 상기 광투과성 접합 수지는, 실리콘, 에폭시, 폴리아크릴레이트, 폴리이미드, 폴리 아마이드 또는 벤조사이클로부텐을 포함할 수 있다.

본 실시예에 채용된 수지층(45A)에는 파장변환 물질이 함유되지 않을 수 있다. 물론, 필요에 따라 추가적인 파장변환 물질을 수지층에 함유시킬 수 있다.

도8에 도시된 반도체 발광소자(30A)에서, 광투과성 접합층(34)은 상기 광투과성 필름(32)과 상기 LED 칩(20) 사이에 위치한 접착 영역(34a)과, 상기 LED 칩(20)의 측면(20C)을 따라 위치한 측부 연장 영역(34b)를 가질 수 있다. 광투과성 접합층(34)의 접착영역(34a)은 접합강도를 유지하기 위한 적정한 두께(t)를 가질 수 있다. 예를 들어, 접합층의 구성물질에 따라 다를 수 있으나, 접착 영역(34a)의 두께(t)는 적어도 15㎛일 수 있다. 접착영역(34a)의 두께(t)는 원하는 접합 강도 외에 채용되는 형광체와 같은 파장변환물질의 크기와 양에 따라 변경될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 접착 영역(34a)의 두께(t)는 채용되는 형광체의 입도(d50)(예, 5∼40㎛)보다는 큰 두께로 설계될 수 있으며, 많은 양의 형광체가 요구될 경우에 그 입도보다 훨씬 크게 증가될 수 있다. 일부 예에서, 상기 접합 영역(34a)의 두께(t)는 50㎛이상일 수 있다.

본 실시예에 채용된 복수의 파장변환물질들(P1,P2)은, 변환 파장에 따라 광투과성 필름(32)과 광투과성 접합층(34)으로 구분되어 배치될 수 있다. 상기 LED 칩(20)과 인접한 광투과성 접합층(34)에는 상대적으로 장파장의 광을 제공하기 위한 제2 파장변환 물질(P2)이 도입되는 반면에, 상기 광투과성 필름(32)에는 상대적으로 단파장의 광을 제공하기 위한 제1 파장변환 물질(P1)이 도입된다.

앞선 실시예에 따른 공정(도6a 내지 도6e)은 베어 LED 칩을 이용하는 공정으로 설명하였으나, 이와 달리 도4에 도시된 반도체 발광소자를 미리 제조한 후에 패키지 제조공정을 수행하는 방식으로 구현될 수 있다.

도9a 내지 도9c는 도8에 도시된 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 주요 공정별 단면도이다.

도9a를 참조하면, 파장변환 필름(32)을 베이스 필름(31) 상에 배치하고, 파장변환 필름 상에 미경화 상태의 접합용 수지(34)를 적하시킨다.

상기 파장변환 필름(32)은 제1 파장변환 물질(P1)을 포함할 수 있다. 상기 파장변환 필름(32)은 다양한 형태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장변환 필름(32)은 수지층 또는 세라믹 필름일 수 있다. 일부 예에서, 상기 파장변환 필름(32)은 형광체 또는 양자점과 같은 제1 파장변환 물질(P1)이 함유된 글래스층일 수 있다. 이러한 글래스층은 저온(예, 400℃이하) 소성 글래스일 수 있다. 이러한 적하 위치 및 영역은 원하는 반도체 발광장치의 면적을 고려하여 규칙적으로 배열될 수 있다.

도9b에 도시된 바와 같이, 상기 접합 수지(34") 상에 상기 복수의 LED 칩(20)을 배치할 수 있다.

이러한 배치과정에서, 상기 접합에 사용된 양을 제외하고, 미경화된 접합 수지(34")는 LED 칩(20)의 측면에 따라 상승할 수 있다. 이러한 측면에 따른 상승 정도와 표면 형상은 접합 수지(34")의 점도 및 양을 이용하여 조절할 수 있다. 접합 수지(34')의 점도는 분말 타입의 칙소재를 첨가시킴으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 칙소재로는 실리카(silica) 입자가 사용될 수 있다.

도9c를 참조하면, 파장변환 필름(32)과 LED 칩(20)이 접합되도록 접합용 수지(34")를 경화시켜 광투과성 접합층(34)을 형성할 수 있다.

상기 광투과성 접합층(34)은 상기 파장변환 필름(32)과 상기 LED 칩(20) 사이에 위치한 접착 영역(34a)을 포함하고, 상기 LED 칩(20)의 측면을 따라 경사지게 흘러내린 부분은 측부 연장 영역(34b)으로 제공될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 이러한 측부 연장 영역(34b)은 광추출에 유리한 경사진 면(34S)을 제공함으로써 상기 LED 칩(20)의 측면에서의 내부 전반사를 감소시켜 광추출효율을 개선할 수 있다. 일부 실시에에서, 상기 경사진 표면(34S)은 미경화 상태의 접합 수지에 의해 형성된 오목한 면, 즉 메니스커스 형상을 가질 수 있다. 이어, 절단선(CL)을 따라 소자 단위로 절단함으로써 도8에 도시된 반도체 발광소자(30A)를 얻을 수 있다.

도10은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광장치를 나타내는 측단면도이다.

도10에 도시된 반도체 발광장치(50B)은 패키지 본체(10') 구조와 제너 다이오드(49)가 포함된 점을 제외하고 도1에 도시된 반도체 발광장치(50)과 유사한 것으로 이해할 수 있다. 본 실시예의 구성요소는 특별히 반대되는 설명이 없는 한, 도1에 도시된 반도체 발광장치(50)의 동일하거나 유사한 구성요소에 대한 설명을 참조하여 이해될 수 있다.

상기 패키지 본체(10')는 앞선 실시예와 유사하게 상기 오목부(C)를 정의하는 측벽(11')을 갖는다. 상기 측벽(11')은 상기 오목부(C)의 바닥면에서 거의 수직으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 패키지 본체(10')는 별도의 경사진 반사면을 갖지 않도록 구성하는 대신에, 반사성 수지층(42B)의 상면을 이용하여 반사면을 제공할 수 있다. 상기 반사성 수지부(42B)의 상면을 상기 측벽(11')의 상단에 접하는 제1 레벨(L1)에서 상기 LED 칩(20)에 인접한 제2 레벨(L2)로 연장되도록 구성함으로써 경사진 반사면(R3)을 제공할 수 있다. 이러한 경사진 반사면(R3)은 20∼40°범위의 낮은 경사각을 가지며, 전체적으로 메니스커스 형상과 같은 곡면을 가질 수 있다. 상기 패키지 본체(10')는, 반사성 분말이 분산된 몰딩 수지체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 백색 분말은 TiO₂, Al₂O₃, Nb₂O₅ 또는 ZnO과 같은 세라믹 분말을 포함할 수 있다.

상기 패키지 본체(10')는 상기 제1 및 제2 배선 전극(12a,12b)과 함께 제너다이오드(49)를 연결하기 위한 제3 배선 전극(12c)을 더 포함할 수 있다. 상기 제3 배선 전극(12c)은 오목부(C)의 일측에 마련될 수 있다. 상기 오목부(C)의 바닥면은 평탄한 면으로 이루어지며, 제너 다이오드(49)는 상기 평탄한 면 상에 LED 칩(20)과 함께 배치되어 제3 배선 전극(12c)에 전기적으로 연결될 수 있다.

본 실시예에 채용된 제너 다이오드(49)는 광을 흡수하는 요소로 작용할 수 있지만, 오목부(C) 내에서 반사성 수지부(42B)에 의해 둘러싸이므로, 제너 다이오드(49)에 의한 광효율 저하를 방지할 수 있다. 도10에 도시된 바와 같이, 파장변환 수지층(45B)은 앞선 실시예에 비해 얇게 제공될 수 있으며, 제2 파장변환 물질(P2)이 조밀하게 배치될 수 있다.

도11은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타내는 분해사시도이다.

도11을 참조하면, 디스플레이 장치(3000)는, 백라이트 유닛(3100), 광학시트(3200) 및 액정 패널과 같은 화상 표시 패널(3300)을 포함할 수 있다.

백라이트 유닛(3100)은 바텀케이스(3110), 반사판(3120), 도광판(3140) 및 도광판(3140)의 적어도 일 측면에 제공되는 광원모듈(3130)을 포함할 수 있다. 광원모듈(3130)은 인쇄회로기판(3131) 및 광원(3132)을 포함할 수 있다. 여기에 사용되는 광원(3132)은 앞서 설명된 실시예에 따른 반도체 발광장치일 수 있다.

광학시트(3200)는 도광판(3140)과 화상 표시 패널(3300)의 사이에 배치될 수 있으며, 확산시트, 프리즘시트 또는 보호시트와 같은 여러 종류의 시트를 포함할 수 있다.

화상 표시 패널(3300)은 광학시트(3200)를 출사한 광을 이용하여 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 어레이 기판(3320), 액정층(3330) 및 컬러 필터 기판(3340)을 포함할 수 있다. 어레이 기판(3320)은 매트릭스 형태로 배치된 화소 전극들, 상기 화소 전극에 구동 전압을 인가하는 박막 트랜지스터들 및 상기 박막 트랜지스터들을 작동시키기 위한 신호 라인들을 포함할 수 있다. 컬러 필터 기판(3340)은 투명기판, 컬러 필터 및 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터는 백라이트 유닛(3100)으로부터 방출되는 백색광 중 특정 파장의 광을 선택적으로 통과시키기 위한 필터들을 포함할 수 있다. 액정층(3330)은 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 재배열되어 광투과율을 조절할 수 있다. 광투과율이 조절된 광은 컬러 필터 기판(3340)의 상기 컬러 필터를 통과함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 영상 신호를 처리하는 구동회로 유닛 등을 더 포함할 수 있다.

도12는 본 발명의 일 실시예에 따른 벌브형 조명장치를 나타내는 분해사시도이다.

도12에 도시된 조명 장치(4200)는 소켓(4210), 전원부(4220), 방열부(4230), 광원모듈(4240) 및 광학부(4250)를 포함할 수 있다. 본 발명의 예시적 실시예에 따라, 광원모듈(4240)은 발광다이오드 어레이를 포함할 수 있고, 전원부(4220)는 발광다이오드 구동부를 포함할 수 있다.

소켓(4210)은 기존의 조명 장치와 대체 가능하도록 구성될 수 있다. 조명 장치(4200)에 공급되는 전력은 소켓(4210)을 통해서 인가될 수 있다. 도시된 바와 같이, 전원부(4220)는 제1 전원부(4221) 및 제2 전원부(4222)로 분리되어 조립될 수 있다. 방열부(4230)는 내부 방열부(4231) 및 외부 방열부(4232)를 포함할 수 있고, 내부 방열부(4231)는 광원모듈(4240) 및/또는 전원부(4220)와 직접 연결될 수 있고, 이를 통해 외부 방열부(4232)로 열이 전달되게 할 수 있다. 광학부(4250)는 내부 광학부(미도시) 및 외부 광학부(미도시)를 포함할 수 있고, 광원모듈(4240)이 방출하는 빛을 고르게 분산시키도록 구성될 수 있다.

광원모듈(4240)은 전원부(4220)로부터 전력을 공급받아 광학부(4250)로 빛을 방출할 수 있다. 광원모듈(4240)은 하나 이상의 광원(4241), 회로기판(4242) 및 컨트롤러(4243)를 포함할 수 있고, 컨트롤러(4243)는 발광다이오드(4241)들의 구동 정보를 저장할 수 있다. 여기에 사용되는 광원(4241)은 앞서 설명된 실시예에 따른 반도체 발광장치일 수 있다.

본 실시예에 따른 조명 장치(4300)에서 광원 모듈(4240)의 상부에 반사판(4310)이 포함되어 있으며, 반사판(4310)은 광원으로부터의 빛을 측면 및 후방으로 고르게 퍼지게 하여 눈부심을 줄일 수 있다.

반사판(4310)의 상부에는 통신 모듈(4320)이 장착될 수 있으며 상기 통신 모듈(4320)을 통하여 홈-네트워크(home-network) 통신을 구현할 수 있다. 예를 들어, 상기 통신 모듈(4320)은 지그비(Zigbee), 와이파이(WiFi) 또는 라이파이(LiFi)를 이용한 무선 통신 모듈일 수 있으며, 스마트폰 또는 무선 컨트롤러를 통하여 조명 장치의 온(on)/오프(off), 밝기 조절 등과 같은 가정 내외에 설치되어 있는 조명을 컨트롤 할 수 있다. 또한 상기 가정 내외에 설치되어 있는 조명 장치의 가시광 파장을 이용한 라이파이 통신 모듈을 이용하여 TV, 냉장고, 에어컨, 도어락, 자동차 등 가정 내외에 있는 전자 제품 및 자동차 시스템의 컨트롤을 할 수 있다. 상기 반사판(4310)과 통신 모듈(4320)은 커버부(4330)에 의해 커버될 수 있다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

10, 10': 패키지 본체
12a,12b: 제1 및 제2 배선 전극
15a,15b: 도전성 범프
20: 반도체 발광다이오드(LED) 칩
29a,29b: 제1 및 제2 전극
32: 파장변환 필름
34: 광투과성 접합층
42: 반사성 수지부
45: 파장변환 수지층

Claims

측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체;
제1 및 제2 전극이 배치된 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 가지며, 상기 제1 면이 상기 바닥면을 향하도록 상기 오목부에 탑재된 LED 칩;
상기 제1 및 제2 전극을 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 도전성 범프들;
상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 제1 파장변환 물질을 함유하는 파장변환 필름;
상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합하는 광투과성 접합층;
상기 LED 칩을 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 LED 칩의 제1 면과 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부; 및
상기 파장변환 필름과 상기 반사성 수지부 상에 배치되며, 제2 파장변환 물질을 함유하는 광투과성 수지를 갖는 파장변환 수지층;을 포함하고,
상기 반사성 수지부의 상면은 상기 오목부의 측벽에 접하는 레벨이 상기 LED 칩에 인접한 레벨보다 높게 형성되는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서,
상기 반사성 수지부의 상면은 경사진 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
삭제
제2항에 있어서,
상기 패키지 본체의 측벽은 경사진 반사면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제4항에 있어서,
상기 반사성 수지부의 경사진 곡면은 상기 경사진 반사면에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제4항에 있어서,
상기 파장변환 수지층은 상기 측벽의 경사진 반사면에 연장되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환 물질과 상기 제2 파장변환 물질은 상기 LED 칩으로부터 방출되는 광을 서로 다른 파장의 광으로 변환시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 파장변환 물질은 적색 형광체를 포함하며, 상기 제2 파장변환 물질은 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서,
상기 광투과성 접합층은 상기 LED 칩의 측면들로 연장되어 상기 바닥면을 향하여 경사진 표면을 갖는 측부 연장 영역을 포함하며,
상기 반사성 수지부는 상기 측부 연장 영역의 경사면을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서,
상기 광투과성 접합층은 광분산성 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 파장변환물질은 상기 파장변환 필름 전체에 대해서 5∼30 vol%로 함유된 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제1항에 있어서
상기 오목부의 바닥면은 평탄한 면으로 이루어지며,
상기 평탄한 면 상에 배치되어 상기 반사성 수지부에 둘러싸인 제너 다이오드를 더 포함하는 반도체 발광장치.
경사진 제1 반사면을 갖는 측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체;
상기 오목부의 바닥면에 탑재되며 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 제1 및 제2 전극을 갖는 반도체 발광소자;
상기 반도체 발광소자를 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 제1 반사면과 연결된 제2 반사면을 제공하는 굴곡진 상면을 가지고, 상기 반도체 발광소자와 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부; 및
상기 반도체 발광소자 상에 배치된 파장변환 수지층;을 포함하며,
상기 반도체 발광소자는,
상기 제1 및 제2 전극이 배치되며 상기 오목부의 바닥면을 마주하는 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 갖는 LED 칩과,
상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 상기 파장변환 수지층 아래에 위치한 파장변환 필름과,
상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합시키고 상기 LED 칩의 측면들로 연장되며 상기 바닥면을 향하여 경사진 표면을 갖는 광투과성 접합층을 포함하며,
상기 파장변환 수지층은 제1 파장변환 물질을 포함하며, 상기 파장변환 필름은 제2 파장변환 물질을 포함하고,
상기 반사성 수지부의 상면은 상기 오목부의 측벽에 접하는 레벨이 상기 LED 칩에 인접한 레벨보다 높게 형성되는 반도체 발광장치.
제13항에 있어서,
상기 제1 파장변환 물질은 적색 형광체를 포함하며, 상기 제2 파장변환 물질은 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제13항에 있어서,
상기 파장변환 수지층은 상기 반사성 수지부의 제2 반사면과 상기 측벽의 제 1 반사면을 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
측벽으로 둘러싸인 오목부를 가지며 상기 오목부의 바닥면에 배치된 제1 및 제2 배선 전극을 갖는 패키지 본체;
제1 및 제2 전극이 배치된 제1 면과 상기 제1 면과 반대에 위치한 제2 면과 상기 제1 및 제2 면 사이에 위치한 측면들을 가지며, 상기 제1 면이 상기 바닥면을 향하도록 상기 오목부에 탑재된 LED 칩;
상기 제1 및 제2 전극을 상기 제1 및 제2 배선 전극에 각각 연결된 도전성 범프들;
상기 LED 칩의 제2 면에 배치되며 제1 파장변환 물질을 함유하는 파장변환 필름;
상기 LED 칩의 제2 면과 상기 파장변환 필름 사이에 배치되어 상기 LED 칩과 상기 파장변환 필름을 접합시키고, 제2 파장변환 물질을 함유하는 광투과성 접합물질로 이루어진 광투과성 접합층; 및
상기 LED 칩을 둘러싸도록 상기 오목부 내에 배치되며, 상기 LED 칩의 제1 면과 상기 오목부의 바닥면 사이의 공간에 충전된 반사성 수지부;를 포함하고,
상기 반사성 수지부의 상면은 상기 오목부의 측벽에 접하는 레벨이 상기 LED 칩에 인접한 레벨보다 높게 형성되는 반도체 발광장치.
제16항에 있어서,
상기 제1 파장변환 물질은 녹색 형광체 및 황색 형광체 중 적어도 하나를 포함하며, 상기 제1 파장변환 물질은 적색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제16항에 있어서,
상기 광투과성 접합층은 상기 LED 칩의 측면들로 연장되며 상기 바닥면을 향하여 경사진 표면을 갖는 측부 연장 영역을 가지며, 상기 측부 연장 영역은 상기 제1 파장변환 물질이 함유되는 반도체 발광장치.
제16항에 있어서,
상기 오목부의 측벽은 경사진 제1 반사면을 가지며, 상기 반사성 수지부는 상기 제1 반사면에 연결되며 굴곡진 제2 반사면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치.
제16항에 있어서,
상기 오목부 내에서 상기 파장변환 필름과 상기 반사성 수지부 상에 배치된 광투과성 수지층을 더 포함하는 반도체 발광장치.