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KR102655499B1 - Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and wire bonding device - Google Patents

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and wire bonding device Download PDF

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KR102655499B1
KR102655499B1 KR1020217034716A KR20217034716A KR102655499B1 KR 102655499 B1 KR102655499 B1 KR 102655499B1 KR 1020217034716 A KR1020217034716 A KR 1020217034716A KR 20217034716 A KR20217034716 A KR 20217034716A KR 102655499 B1 KR102655499 B1 KR 102655499B1
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KR
South Korea
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wire
electrode
bonding
capillary
target point
Prior art date
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KR1020217034716A
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Korean (ko)
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KR20210143287A (en
Inventor
나오키 세키네
선 기 박
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
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Publication date
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Abstract

반도체 장치(10)는 전극 패드(13)를 포함하는 회로 기판(11)과, 전극 패드(13)에 대하여 전기적으로 접속되는 전극 패드(14)를 포함하는 반도체칩(12)과, 일단이 전극 패드(13)에 접속되고, 타단이 전극 패드(14)에 접속된 와이어(20)를 갖춘다. 와이어(20)는 전극 패드(13)를 따라 뻗고, 일부가 가압되어 전극 패드(13)와 전기적으로 접합된 제1 와이어부(24)와, 제1 와이어부(24)에 접촉하지 않도록, 전극 패드(13)와 교차하는 방향으로 뻗는 제2 와이어부(26)와, 전극 패드(13)를 향해 뻗는 제3 와이어부(27)와, 제1 와이어부(24)를 제2 와이어부(26)에 접속하는 제1 구부림부(28)와, 제2 와이어부(26)를 제3 와이어부(27)에 접속하는 제2 구부림부(29)를 가진다. The semiconductor device 10 includes a circuit board 11 including electrode pads 13, a semiconductor chip 12 including electrode pads 14 electrically connected to the electrode pads 13, and one end of which is an electrode. It is provided with a wire 20 connected to the pad 13 and the other end connected to the electrode pad 14. The wire 20 extends along the electrode pad 13, and a portion of the wire 20 is pressed so as not to contact the first wire portion 24 and the first wire portion 24, which is electrically bonded to the electrode pad 13. The second wire portion 26 extending in a direction intersecting the pad 13, the third wire portion 27 extending toward the electrode pad 13, and the first wire portion 24 are connected to the second wire portion 26. ) and a second bent portion 29 connecting the second wire portion 26 to the third wire portion 27.

Description

반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 와이어 본딩 장치Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and wire bonding device

본 발명은 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 와이어 본딩 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a wire bonding device.

회로 기판에 설치된 전극은 회로 기판에 설치된 반도체칩의 전극에 대해 금속제의 극히 가는 와이어에 의해 전기적으로 접속된다. 이러한 접속 기술은 소위 와이어 본딩이라고 부르고 있다. 와이어 본딩의 일종인 웨지 본딩은 와이어를 전극에 가압한 상태에서 열 및 초음파와 같은 에너지를 부여함으로써 와이어를 전극에 물리적 및 전기적으로 접속한다. 예를 들면, 특허문헌 1, 2는 웨지 본딩에 관한 기술을 개시한다. The electrode installed on the circuit board is electrically connected to the electrode of the semiconductor chip installed on the circuit board by an extremely thin metal wire. This connection technology is called wire bonding. Wedge bonding, a type of wire bonding, connects a wire to an electrode physically and electrically by applying energy such as heat and ultrasonic waves while pressing the wire to the electrode. For example, Patent Documents 1 and 2 disclose technology related to wedge bonding.

일본 특개 2007-273991호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2007-273991 일본 특개 2016-062962호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2016-062962

와이어는 와이어의 양단에 접속된 전극 간의 전기적인 접속을 유지하는 것이 요구된다. 예를 들면, 와이어가 절단된 경우 및 와이어가 전극으로부터 박리된 경우에는, 전기적인 접속을 유지할 수 없다. 그래서, 본딩된 와이어에는, 풀(pull) 강도라고 불리는 기계적인 강도가 요구된다. 풀 강도란 양단이 전극에 접속된 와이어를 잡아당긴 상태에서, 와이어의 절단 또는 와이어와 전극과의 박리가 발생하는 하중이다. The wire is required to maintain electrical connection between electrodes connected to both ends of the wire. For example, if the wire is cut or peeled from the electrode, electrical connection cannot be maintained. So, for bonded wires, mechanical strength called pull strength is required. Pull strength is a load that causes cutting of the wire or separation of the wire and the electrode while the wire connected to the electrodes at both ends is pulled.

당해 기술분야에서는 풀 강도의 향상이 요망되고 있다. 그래서, 본 발명은 풀 강도가 향상된 반도체 장치, 당해 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In this technical field, there is a demand for improvement in glue strength. Therefore, the purpose of the present invention is to provide a semiconductor device with improved pull strength, a manufacturing method for the semiconductor device, and a wire bonding device for manufacturing the semiconductor device.

본 발명의 하나의 예인 반도체 장치는 제1 전극과, 제1 전극과 전기적으로 접속되는 제2 전극과, 일단이 제1 전극에 접합되고, 타단이 제2 전극에 접합된 본딩 와이어를 갖춘다. 본딩 와이어는 제1 전극의 표면을 따라 뻗고, 일부가 가압되어 제1 전극과 전기적으로 접합된 제1 와이어부와, 제1 와이어부에 접촉하지 않도록, 제1 전극의 표면으로부터 기립하는 방향으로 뻗는 제2 와이어부와, 제2 전극을 향해 뻗고, 단부가 가압되어 제2 전극과 전기적으로 접합된 제3 와이어부와, 제1 와이어부가 뻗는 방향을 제2 와이어부가 뻗는 방향으로 구부리는 제1 구부림부와, 제2 와이어부가 뻗는 방향을 제3 와이어부가 뻗는 방향으로 구부리는 제2 구부림부를 가진다. A semiconductor device that is an example of the present invention includes a first electrode, a second electrode electrically connected to the first electrode, and a bonding wire with one end bonded to the first electrode and the other end bonded to the second electrode. The bonding wire extends along the surface of the first electrode, and extends in a direction to stand up from the surface of the first electrode so as not to contact the first wire portion and the first wire portion, where a portion is pressed and electrically bonded to the first electrode. A second wire portion, a third wire portion extending toward the second electrode, an end of which is pressed and electrically connected to the second electrode, and a first bend that bends the direction in which the first wire portion extends in the direction in which the second wire portion extends. and a second bending portion that bends the direction in which the second wire section extends to the direction in which the third wire section extends.

본딩 와이어는, 제1 전극에 접합된 개소와 제2 전극에 접합된 개소와의 사이에, 제1 와이어부의 일부, 제2 와이어부, 제1 구부림부 및 제2 구부림부가 설치되어 있다. 즉, 제1 전극에 접합된 개소와 제2 전극에 접합된 개소와의 사이에는, 충분한 길이의 본딩 와이어가 풀어 내어져 있다. 그리고, 본딩 와이어는, 제1 구부림부 및 제2 구부림부를 포함한다. 또한, 본딩 와이어는, 제1 전극을 따라 뻗는 제1 와이어부를 가지고 있다. 이것들의 구성에 의하면, 본딩 와이어에 풀 스트레스가 작용했을 때, 제1 전극에 접합된 개소에 대하여, 직접적으로 부하가 작용하지 않는다. 부하는 제1 와이어부의 일부, 제2 와이어부, 제3 와이어부, 제1 구부림부 및 제2 구부림부에 의해 부담된다. 이들 부위는 제1 전극에 접합된 개소와 같이 단면 형상이 변화되는 것과 같은 가공을 받지 않았으므로, 적어도 본딩 와이어가 원래 가지는 강도를 유지하고 있다. 따라서, 본딩 와이어는 풀 강도를 향상시킬 수 있다. The bonding wire has a portion of the first wire portion, a second wire portion, a first bent portion, and a second bent portion provided between the portion joined to the first electrode and the portion bonded to the second electrode. That is, a bonding wire of sufficient length is extended between the location where the first electrode is joined and the location where the second electrode is connected. And, the bonding wire includes a first bent portion and a second bent portion. Additionally, the bonding wire has a first wire portion extending along the first electrode. According to these structures, when full stress is applied to the bonding wire, no load is applied directly to the location where the first electrode is joined. The load is borne by a portion of the first wire portion, the second wire portion, the third wire portion, the first bent portion, and the second bent portion. Since these parts have not been processed to change the cross-sectional shape like the parts joined to the first electrode, they at least maintain the original strength of the bonding wire. Therefore, the bonding wire can improve the pull strength.

상기의 반도체 장치에 있어서, 제1 와이어부는 제1 전극과 전기적으로 접합한 접합부와, 접합부와 제2 와이어부에 연속되는 연장부를 포함해도 된다. 연장부의 길이는 접합부의 길이보다 길어도 된다. 이 구성에 의하면, 본딩 와이어의 풀 강도를 적합하게 향상시킬 수 있다. In the above semiconductor device, the first wire portion may include a joint portion electrically connected to the first electrode and an extension portion continuous between the joint portion and the second wire portion. The length of the extension portion may be longer than the length of the joint portion. According to this configuration, the pull strength of the bonding wire can be appropriately improved.

상기의 반도체 장치의 제1 구부림부에 있어서, 제1 와이어부가 뻗는 제1 방향과 제2 와이어부가 뻗는 제2 방향이 이루는 각도는 90도 이하이어도 된다. 이 구성에 의하면, 본딩 와이어의 풀 강도를 적합하게 향상시킬 수 있다. In the first bent portion of the semiconductor device described above, the angle formed by the first direction in which the first wire portion extends and the second direction in which the second wire portion extends may be 90 degrees or less. According to this configuration, the pull strength of the bonding wire can be appropriately improved.

상기의 반도체 장치의 제2 구부림부에 있어서, 제2 와이어부가 뻗는 제2 방향과 제3 와이어부가 뻗는 제3 방향이 이루는 각도는 90도 이하이어도 된다. 이 구성에 의하면, 본딩 와이어의 풀 강도를 적합하게 향상시킬 수 있다. In the second bent portion of the semiconductor device described above, the angle formed by the second direction in which the second wire portion extends and the third direction in which the third wire portion extends may be 90 degrees or less. According to this configuration, the pull strength of the bonding wire can be appropriately improved.

상기의 반도체 장치의 제1 구부림부는 본딩 와이어가 소성 변형한 부분이어도 된다. 이 구성에 의하면, 본딩 와이어의 풀 강도를 적합하게 향상시킬 수 있다. The first bent portion of the semiconductor device described above may be a portion where the bonding wire is plastically deformed. According to this configuration, the pull strength of the bonding wire can be appropriately improved.

상기의 반도체 장치의 제2 구부림부는 본딩 와이어가 소성 변형한 부분이어도 된다. 이 구성에 의하면, 본딩 와이어의 풀 강도를 적합하게 향상시킬 수 있다. The second bent portion of the semiconductor device described above may be a portion where the bonding wire is plastically deformed. According to this configuration, the pull strength of the bonding wire can be appropriately improved.

본 발명의 다른 형태는 제1 전극과, 제1 전극과 전기적으로 접속되는 제2 전극과, 일단이 제1 전극에 접합되고, 타단이 제2 전극에 접합된 본딩 와이어를 갖추는 반도체 장치의 제조 방법이다. 반도체 장치의 제조 방법은 캐필러리를 사용하여, 제1 전극에 본딩 와이어의 일단을 접합한 후에, 본딩 와이어의 접합부보다도 제2 전극측이며 접합부보다 상방의 위치로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리의 선단을 이동시키는 제1 공정과, 제1 전극을 향해 캐필러리의 선단을 하강시켜 본딩 와이어의 일부를 제1 전극에 누름으로써, 제1 구부림부를 형성하는 제2 공정과, 제1 구부림부보다 접합부측이며 접합부보다 상방의 위치로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리의 선단을 이동시키는 제3 공정과, 제1 전극을 향해 캐필러리의 선단을 하강시킴으로써, 제2 구부림부를 형성하는 제4 공정을 포함한다. Another aspect of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device comprising a first electrode, a second electrode electrically connected to the first electrode, and a bonding wire with one end bonded to the first electrode and the other end bonded to the second electrode. am. The method of manufacturing a semiconductor device is to bond one end of a bonding wire to a first electrode using a capillary, then unwind the bonding wire to a position above the joint and toward the second electrode relative to the joint of the bonding wire. A first step of moving the tip, a second step of forming a first bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode and pressing a part of the bonding wire to the first electrode, and forming a joint portion than the first bent portion. It includes a third step of moving the tip of the capillary while unwinding the bonding wire to a position above the joint, and a fourth step of forming a second bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode. .

상기의 제조 방법에 의하면, 제1 구부림부 및 제2 구부림부를 포함하는 본딩 와이어의 단부를 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 풀 강도를 향상시킬 수 있다. According to the above manufacturing method, the end of the bonding wire including the first bent portion and the second bent portion can be formed. Therefore, the pull strength of the bonding wire in the semiconductor device can be improved.

본 발명의 다른 형태에 있어서, 제1 공정은 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 공정과, 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 제2 전극측으로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 이동시키는 공정을 포함해도 된다. 이들 공정에 의하면, 제1 와이어부를 확실하게 형성할 수 있다. In another form of the present invention, the first step includes a step of raising the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode, and intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. A step of moving the capillary while unwinding the bonding wire toward the second electrode along the direction may be included. According to these processes, the first wire portion can be formed reliably.

본 발명의 다른 형태에 있어서, 제3 공정은 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 공정과, 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 접합부측으로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 이동시키는 공정을 포함해도 된다. 이들 공정에 의하면, 제2 와이어부를 확실하게 형성할 수 있다. In another form of the present invention, the third process includes a process of raising the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode, and intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. You may also include a step of moving the capillary while unwinding the bonding wire toward the joint along the direction. According to these processes, the second wire portion can be formed reliably.

본 발명의 다른 형태는, 제4 공정 후에, 캐필러리를 사용하여, 제2 전극에 본딩 와이어의 타단을 접합하는 제5 공정을 더 가져도 된다. 제5 공정은 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 공정과, 제2 전극 위의 위치로 캐필러리의 선단을 이동시키는 공정과, 제2 전극에 본딩 와이어의 타단을 접합하는 공정을 포함해도 된다. 이들 공정에 의하면, 제1 전극을 제2 전극에 접속하는 본딩 와이어를 형성할 수 있다. Another form of the present invention may further include, after the fourth step, a fifth step of joining the other end of the bonding wire to the second electrode using a capillary. The fifth step is a step of raising the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode, a step of moving the tip of the capillary to a position above the second electrode, and A process of joining the other end of the bonding wire may be included. According to these processes, a bonding wire connecting the first electrode to the second electrode can be formed.

본 발명의 또 다른 형태는 제1 전극과, 제1 전극과 전기적으로 접속되는 제2 전극과, 일단이 제1 전극에 접합되고, 타단이 제2 전극에 접합된 본딩 와이어를 갖추는 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치이다. 와이어 본딩 장치는 이동 가능하게 구성된 캐필러리를 포함하는 본딩 유닛과, 본딩 유닛의 동작을 제어하는 제어 유닛을 갖춘다. 제어 유닛은, 캐필러리를 사용하여, 제1 전극에 본딩 와이어의 일단을 접합한 후에, 본딩 와이어의 접합부보다 제2 전극측이며 접합부보다 상방의 위치로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리의 선단을 이동시키는 제1 제어 신호와, 제1 전극을 향해 캐필러리의 선단을 하강시켜 본딩 와이어의 일부를 제1 전극에 누름으로써, 제1 구부림부를 형성시키는 제2 제어 신호와, 제1 구부림부보다 접합부측이며 접합부보다 상방의 위치로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리의 선단을 이동시키는 제3 제어 신호와, 제1 전극을 향해 캐필러리의 선단을 하강시킴으로써, 제2 구부림부를 형성시키는 제4 제어 신호를 본딩 유닛에 제공해도 된다. Another aspect of the present invention is to manufacture a semiconductor device having a first electrode, a second electrode electrically connected to the first electrode, and a bonding wire with one end bonded to the first electrode and the other end bonded to the second electrode. It is a wire bonding device that A wire bonding device includes a bonding unit including a movable capillary, and a control unit that controls the operation of the bonding unit. After bonding one end of the bonding wire to the first electrode using a capillary, the control unit unwraps the bonding wire to a position that is closer to the second electrode than the joint of the bonding wire and above the joint, and moves the tip of the capillary. A first control signal to move, a second control signal to form a first bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode and pressing a part of the bonding wire to the first electrode, and a joint portion than the first bent portion. A third control signal that moves the tip of the capillary while unwinding the bonding wire to a position above the joint and a fourth control signal that lowers the tip of the capillary toward the first electrode to form a second bent portion. It may be provided to the bonding unit.

이 와이어 본딩 장치에 의하면, 제1 구부림부 및 제2 구부림부를 포함하는 본딩 와이어의 단부를 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 장치에 있어서의 본딩 와이어의 풀 강도를 향상시킬 수 있다. According to this wire bonding device, the end of the bonding wire including the first bent portion and the second bent portion can be formed. Therefore, the pull strength of the bonding wire in the semiconductor device can be improved.

또 다른 형태에 있어서, 제1 제어 신호는 제1 전극의 표면에 있어서서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와, 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 제2 전극측으로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 이동시키는 제어 신호를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 제1 와이어부를 확실하게 형성할 수 있다. In another form, the first control signal includes a control signal for raising the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode, and the normal direction on the surface of the first electrode A control signal that moves the capillary while unwinding the bonding wire toward the second electrode along the intersecting direction may be included. According to this configuration, the first wire portion can be formed reliably.

또 다른 형태에 있어서, 제3 제어 신호는 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와, 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 접합부측으로 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 이동시키는 제어 신호를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 제2 와이어부를 확실하게 형성할 수 있다. In another form, the third control signal is a control signal for raising the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode and intersects the normal direction on the surface of the first electrode. A control signal that moves the capillary while unwinding the bonding wire toward the joint along the direction may be included. According to this configuration, the second wire portion can be formed reliably.

또 다른 형태에 있어서, 제어 유닛은, 캐필러리를 사용하여, 제2 전극에 본딩 와이어의 타단을 접합하는 제5 제어 신호를 또한 본딩 유닛에 제공해도 된다. 제5 제어 신호는 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 본딩 와이어를 풀어내면서 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와, 제2 전극 위의 위치로 캐필러리의 선단을 이동시키는 제어 신호와, 제2 전극에 본딩 와이어의 타단을 접합시키는 제어 신호를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 제1 전극을 제2 전극에 접속하는 본딩 와이어를 형성할 수 있다. In another form, the control unit may further provide the bonding unit with a fifth control signal for bonding the other end of the bonding wire to the second electrode using a capillary. The fifth control signal is a control signal that raises the capillary while unwinding the bonding wire along the normal direction on the surface of the first electrode, and a control signal that moves the tip of the capillary to a position on the second electrode; A control signal for bonding the other end of the bonding wire to the second electrode may be included. According to this configuration, a bonding wire connecting the first electrode to the second electrode can be formed.

본 발명에 의하면, 풀 강도가 향상된 반도체 장치, 당해 반도체 장치의 제조 방법 및 당해 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치가 제공된다. According to the present invention, a semiconductor device with improved pull strength, a manufacturing method for the semiconductor device, and a wire bonding device for manufacturing the semiconductor device are provided.

도 1은 와이어 본딩 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 반도체 장치의 일부를 확대하여 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 와이어의 단부를 확대하여 도시하는 도면이다.
도 4는 와이어의 형상과 캐필러리의 목표점을 도시하는 도면이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 주요한 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 6의 (a)부, (b)부 및 (c)부는 반도체 장치의 제조 방법이 가지는 주요한 공정을 도시하는 도면이다.
도 7의 (a)부, (b)부 및 (c)부는 반도체 장치의 제조 방법이 가지는 도 6에 이어지는 주요한 공정을 도시하는 도면이다.
도 8의 (a)부 및 (b)부는 반도체 장치의 제조 방법이 가지는 도 7에 이어지는 주요한 공정을 도시하는 도면이다.
도 9는 반도체 장치의 제조 방법이 가지는 도 8에 이어지는 주요한 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은 실시예에 따른 와이어의 단부를 확대하여 촬영한 사진이다.
도 11은 비교예에 따른 와이어의 단부를 확대하여 도시하는 도면이다. 1 is a diagram showing the configuration of a wire bonding device.
FIG. 2 is an enlarged view showing a portion of a semiconductor device.
FIG. 3 is an enlarged view showing the end of the wire shown in FIG. 2.
Fig. 4 is a diagram showing the shape of the wire and the target point of the capillary.
Fig. 5 is a flowchart showing major steps in the semiconductor device manufacturing method.
Parts (a), (b), and (c) of FIG. 6 are diagrams showing the main processes of the semiconductor device manufacturing method.
Parts (a), (b), and (c) of FIG. 7 are diagrams showing the main processes following FIG. 6 of the semiconductor device manufacturing method.
Parts (a) and (b) of FIG. 8 are diagrams showing the main processes following FIG. 7 in the semiconductor device manufacturing method.
FIG. 9 is a diagram showing the main processes following FIG. 8 of the semiconductor device manufacturing method.
Figure 10 is an enlarged photograph of the end of a wire according to an embodiment.
Figure 11 is an enlarged view showing the end of a wire according to a comparative example.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for carrying out the invention)

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 형태를 상세하게 설명한다. 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. In the description of the drawings, like elements are given the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

[와이어 본딩 장치][Wire bonding device]

도 1에 도시하는 와이어 본딩 장치(1)는, 예를 들면, 프린트 기판 등의 전극에, 당해 프린트 기판에 설치된 반도체 소자의 전극을 가는 직경의 금속 와이어를 사용하여 전기적으로 접속한다. 와이어 본딩 장치(1)는 와이어에 대하여 열, 초음파 또는 압력을 제공하여 와이어를 전극에 접속한다. 와이어 본딩 장치(1)는 반송 유닛(2)과, 본딩 유닛(3)과, 제어 유닛(4)을 가진다. The wire bonding device 1 shown in FIG. 1 electrically connects, for example, an electrode of a semiconductor element installed on the printed board to an electrode of a printed board using a metal wire of a thin diameter. The wire bonding device 1 connects the wire to an electrode by providing heat, ultrasonic waves, or pressure to the wire. The wire bonding device (1) has a conveyance unit (2), a bonding unit (3), and a control unit (4).

반송 유닛(2)은 피처리 부품인 반도체 장치(10)를 본딩 에리어에 반송한다. 본딩 유닛(3)은 이동 기구(6)와, 본딩 툴(7)과, 캐필러리(8)를 포함한다. 이동 기구(6)는 캐필러리(8)를 이동시킨다. 본딩 툴(7)의 선단에는, 캐필러리(8)가 착탈 가능하게 설치된다. 캐필러리(8)는 와이어에 대하여 열, 초음파 또는 압력을 제공한다. 제어 유닛(4)은 본딩 유닛(3)의 동작을 포함하는 와이어 본딩 장치(1)의 전체의 동작을 제어한다. 제어 유닛(4)은 몇 개의 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다. 예를 들면, 제어 신호는, 반도체 장치(10)에 대한 캐필러리(8)의 위치를 제어하기 위한 신호와, 열, 초음파 또는 압력의 제공의 개시 및 정지를 위한 신호를 포함한다. 제어 유닛(4)에 대해서는 후술한다. The transport unit 2 transports the semiconductor device 10, which is a component to be processed, to the bonding area. The bonding unit 3 includes a moving mechanism 6, a bonding tool 7, and a capillary 8. The moving mechanism 6 moves the capillary 8. A capillary 8 is detachably installed at the tip of the bonding tool 7. The capillary 8 provides heat, ultrasound or pressure to the wire. The control unit 4 controls the overall operation of the wire bonding device 1, including the operation of the bonding unit 3. Control unit 4 provides several control signals to bonding unit 3. For example, the control signal includes a signal for controlling the position of the capillary 8 with respect to the semiconductor device 10 and a signal for starting and stopping the provision of heat, ultrasonic waves, or pressure. The control unit 4 will be described later.

[반도체 장치][Semiconductor device]

도 2는 도 1에 도시된 반도체 장치(10)의 일부를 확대하여 도시한다. 반도체 장치(10)는, 예를 들면, 회로 기판(11)(제1 전자부품)과, 반도체칩(12)(제2 전자부품)과, 와이어(20)(본딩 와이어)를 가진다. 반도체칩(12)은 회로 기판(11)의 주면(11a)에 대하여 다이 본드 등에 의해 고정되어 있다. 회로 기판(11)은 하나 또는 복수의 전극 패드(13)(제1 전극)를 가진다. 전극 패드(13)는 회로 기판(11)의 주면(11a)에 설치되어 있다. 또, 반도체칩(12)도 하나 또는 복수의 전극 패드(14)(제2 전극)를 가진다. 전극 패드(14)는 반도체칩(12)의 주면(12a)에 설치되어 있다. FIG. 2 shows an enlarged portion of the semiconductor device 10 shown in FIG. 1 . The semiconductor device 10 includes, for example, a circuit board 11 (a first electronic component), a semiconductor chip 12 (a second electronic component), and a wire 20 (a bonding wire). The semiconductor chip 12 is fixed to the main surface 11a of the circuit board 11 by a die bond or the like. The circuit board 11 has one or more electrode pads 13 (first electrodes). The electrode pad 13 is installed on the main surface 11a of the circuit board 11. Additionally, the semiconductor chip 12 also has one or more electrode pads 14 (second electrodes). The electrode pad 14 is installed on the main surface 12a of the semiconductor chip 12.

와이어(20)는 전극 패드(13)를 전극 패드(14)에 전기적으로 접속한다. 예를 들면, 와이어(20)는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및 이것들의 합금에 의해 형성된다. 또, 와이어(20)의 직경은 일례로서 20 마이크로미터이다. 와이어(20)의 일방의 단부(21)(일단)는 회로 기판(11)의 전극 패드(13)에 물리적 및 전기적으로 접속되어 있다. 와이어(20)의 타방의 단부(22)(타단)는 반도체칩(12)의 전극 패드(14)에 물리적 및 전기적으로 접속되어 있다. The wire 20 electrically connects the electrode pad 13 to the electrode pad 14. For example, the wire 20 is formed of gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), and alloys thereof. Additionally, the diameter of the wire 20 is 20 micrometers as an example. One end 21 (one end) of the wire 20 is physically and electrically connected to the electrode pad 13 of the circuit board 11. The other end 22 (the other end) of the wire 20 is physically and electrically connected to the electrode pad 14 of the semiconductor chip 12.

도 3은 와이어(20)의 단부(21)를 확대하여 모식적으로 도시한다. 일체물인 와이어(20)는 그 형상 및 기계적 성질에 따른 몇 개의 부분을 포함한다. Figure 3 schematically shows an enlarged end portion 21 of the wire 20. The integrated wire 20 includes several parts depending on its shape and mechanical properties.

와이어(20)는 제1 와이어부(24)와, 제2 와이어부(26)와, 제3 와이어부(27)와, 제1 구부림부(28)과, 제2 구부림부(29)를 포함한다. The wire 20 includes a first wire portion 24, a second wire portion 26, a third wire portion 27, a first bent portion 28, and a second bent portion 29. do.

제1 와이어부(24)는 전극 패드(13)의 표면을 따라 뻗는다. 제1 와이어부(24)의 일부는 가압되어 있다. 가압된 부분은 전극 패드(13)와 전기적으로 접속하고 있다. 제1 와이어부(24)는 전극 패드(13)와 전기적으로 접속된 본딩부(24a)(접합부)와, 본딩부(24a)로부터 제2 와이어부(26)에 연속되는 연장부(24b)를 포함한다. The first wire portion 24 extends along the surface of the electrode pad 13. A portion of the first wire portion 24 is pressed. The pressed portion is electrically connected to the electrode pad 13. The first wire portion 24 includes a bonding portion 24a (joining portion) electrically connected to the electrode pad 13 and an extension portion 24b continuous from the bonding portion 24a to the second wire portion 26. Includes.

본딩부(24a)는 전극 패드(13)에 대하여 물리적 및 전기적으로 접속되어 있다. 여기에서 말하는 물리적으로 접속되어 있다는 것은 와이어(20)가 전극 패드(13)에 접합되어 있는 것을 말한다. 예를 들면, 본딩부(24a)는 인장력에 대한 저항력(반력)을 생기게 하는 부분이라고 정의해도 된다. 또, 전기적으로 접속되어 있다는 것은 와이어(20)와 전극 패드(13)와의 사이의 전기 저항이 극히 작은 상태를 말한다. The bonding portion 24a is physically and electrically connected to the electrode pad 13. Physically connected here means that the wire 20 is joined to the electrode pad 13. For example, the bonding portion 24a may be defined as a portion that generates resistance (reaction force) to tensile force. Additionally, being electrically connected refers to a state in which the electrical resistance between the wire 20 and the electrode pad 13 is extremely small.

본딩부(24a)는 소위 웨지 본딩에 의해 형성된다. 웨지 본딩에서는, 캐필러리(8)가 와이어(20)를 전극 패드(13)에 대하여 가압한다. 이 가압된 상태에서, 캐필러리(8)는 와이어(20)에 에너지(열, 초음파 등)를 제공한다. 그 결과, 가압된 부분이 눌려 찌부러져 편평 형상으로 변형된다. 그 결과, 와이어(20)는 전극 패드(13)에 대하여 압착된다. 즉, 본딩부(24a)는 와이어(20)의 직경보다도 작은 두께를 가지는 부분이라고 정의해도 좋다. The bonding portion 24a is formed by so-called wedge bonding. In wedge bonding, the capillary 8 presses the wire 20 against the electrode pad 13. In this pressurized state, the capillary 8 provides energy (heat, ultrasonic waves, etc.) to the wire 20. As a result, the pressed portion is crushed and deformed into a flat shape. As a result, the wire 20 is pressed against the electrode pad 13. In other words, the bonding portion 24a may be defined as a portion having a thickness smaller than the diameter of the wire 20.

연장부(24b)는 제1 와이어부(24)의 일부분이다. 연장부(24b)는 본딩부(24a)로부터 연속하여 뻗는다. 연장부(24b)는 와이어(20)의 단면 형상을 유지하고 있다. 연장부(24b)의 단면 형상은 거의 원형이다. 연장부(24b)는 전극 패드(13)의 주면(13a)을 따라 뻗어 있다. 연장부(24b)의 길이는, 예를 들면, 캐필러리(8)의 선단의 직경과 같아도 된다. 또, 연장부(24b)의 길이는, 예를 들면, 캐필러리(8)의 선단의 직경보다 커도 된다. 연장부(24b)는, 전극 패드(13)에 대하여 물리적 및 전기적으로 접속되는 것을 요하지 않는 점에서, 본딩부(24a)와 다르다. 예를 들면, 연장부(24b)는 전극 패드(13)에 접촉해 있어도 된다. 이 상태에 의하면, 연장부(24b)는 전극 패드(13)에 대하여 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 연장부(24b)는 주면(13a)의 법선 방향을 향하는 인장력에 대하여 저항할 수 없다. 따라서, 물리적으로 접속되어 있다고는 할 수 없다. 그러나, 연장부(24b)의 상태는 전극 패드(13)에 대하여 물리적으로 접속되어 있는 상태를 배제하지 않는다. 즉, 연장부(24b)는 전극 패드(13)에 대하여 물리적으로 접속되어 있어도 된다. 또한, 연장부(24b)는 전극 패드(13)에 대하여 접촉되어 있지 않고, 연장부(24b)는 전극 패드(13)의 주면(13a)으로부터 약간 이간되어 있어도 된다. 이간된 상태에 의하면, 연장부(24b)는, 전극 패드(13)에 대하여 전기적으로 접속되어 있지 않다. 또, 이간된 상태에 의하면, 연장부(24b)는 물리적으로도 접속되어 있지 않다. The extension portion 24b is a part of the first wire portion 24. The extension portion 24b extends continuously from the bonding portion 24a. The extension portion 24b maintains the cross-sectional shape of the wire 20. The cross-sectional shape of the extension portion 24b is substantially circular. The extension portion 24b extends along the main surface 13a of the electrode pad 13. The length of the extension portion 24b may be, for example, the same as the diameter of the tip of the capillary 8. Additionally, the length of the extension portion 24b may be larger than the diameter of the tip of the capillary 8, for example. The extension portion 24b differs from the bonding portion 24a in that it is not required to be physically and electrically connected to the electrode pad 13. For example, the extension portion 24b may be in contact with the electrode pad 13. According to this state, the extension portion 24b is electrically connected to the electrode pad 13. Meanwhile, the extension portion 24b cannot resist the tensile force directed in the direction normal to the main surface 13a. Therefore, it cannot be said that they are physically connected. However, the state of the extension portion 24b does not exclude that it is physically connected to the electrode pad 13. That is, the extension portion 24b may be physically connected to the electrode pad 13. Additionally, the extension portion 24b may not be in contact with the electrode pad 13, and the extension portion 24b may be slightly spaced from the main surface 13a of the electrode pad 13. According to the spaced apart state, the extension portion 24b is not electrically connected to the electrode pad 13. Moreover, according to the spaced apart state, the extension portions 24b are not physically connected.

제2 와이어부(26)는 후술하는 제1 구부림부(28)를 통하여 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)에 연속된다. 제2 와이어부(26)는 전극 패드(13)의 주면(13a)과 교차하는 방향(D2)으로 뻗는다. 예를 들면, 제2 와이어부(26)는 주면(13a)의 법선 방향으로 뻗어 있다고 정의해도 된다. 즉, 제2 와이어부(26)는 주면(13a)으로부터 기립하는 와이어(20)의 일부이다. 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)(제2 방향)과 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)가 뻗는 방향(D1)(제1 방향)이 이루는 각도(A1)는 직각 이하(90도 이하)이어도 된다. 바꾸어 말하면, 방향 D1, D2가 이루는 각도(A1)는 예각이다. 일례로서, 각도(A1)는, 일례로서, 20도 이상 60도 이하로 해도 된다. 즉, 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)은 주면(13a)의 법선 방향의 성분과, 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)가 뻗는 방향(D1)과는 역방향의 성분을 포함한다. 따라서, 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)은 주면(13a)의 법선 방향에 대해 기울어져 있다. 한편, 방향 D1, D2가 이루는 각도는 0도보다 크다. 즉, 방향(D2)은 방향(D1)에 대하여 평행하지 않다. 바꾸어 말하면, 제2 와이어부(26)는 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)에 대하여 접촉하지 않는다. 제2 와이어부(26)의 길이는, 예를 들면, 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)와 동일한 정도로 해도 된다. 제2 와이어부(26)는, 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)와 마찬가지로, 와이어(20)의 단면 형상을 유지하고 있다. 제2 와이어부(26)의 단면 형상은 거의 원형이다. The second wire portion 26 is continuous with the extension portion 24b of the first wire portion 24 through the first bent portion 28, which will be described later. The second wire portion 26 extends in a direction D2 intersecting the main surface 13a of the electrode pad 13. For example, the second wire portion 26 may be defined as extending in the direction normal to the main surface 13a. That is, the second wire portion 26 is a part of the wire 20 that rises from the main surface 13a. The angle A1 formed between the direction D2 (second direction) in which the second wire portion 26 extends and the direction D1 (first direction) in which the extension portion 24b of the first wire portion 24 extends is It may be a right angle or less (90 degrees or less). In other words, the angle A1 formed by the directions D1 and D2 is an acute angle. As an example, the angle A1 may be 20 degrees or more and 60 degrees or less. That is, the direction D2 in which the second wire portion 26 extends is the component of the normal direction of the main surface 13a and the direction opposite to the direction D1 in which the extension portion 24b of the first wire portion 24 extends. Contains ingredients. Accordingly, the direction D2 in which the second wire portion 26 extends is inclined with respect to the normal direction of the main surface 13a. Meanwhile, the angle formed by directions D1 and D2 is greater than 0 degrees. That is, direction D2 is not parallel to direction D1. In other words, the second wire portion 26 does not contact the extension portion 24b of the first wire portion 24. The length of the second wire portion 26 may be, for example, the same as the extension portion 24b of the first wire portion 24. The second wire portion 26 maintains the cross-sectional shape of the wire 20, similar to the extension portion 24b of the first wire portion 24. The cross-sectional shape of the second wire portion 26 is substantially circular.

제3 와이어부(27)는 후술하는 제2 구부림부(29)를 통하여 제2 와이어부(26)에 연속된다. 제3 와이어부(27)의 단부는 반도체칩(12)의 전극 패드(14)에 접속되어 있다. 따라서, 제3 와이어부(27)의 길이는 전극 패드(13)로부터 전극 패드(14)까지의 거리와 대략 같다. 제3 와이어부(27)의 형상은 원호이다. 따라서, 제3 와이어부(27)의 형상은 전극 패드(13)로부터 전극 패드(14)까지의 직선거리보다 길다. 제3 와이어부(27)는 회로 기판(11)의 전극 패드(13)로부터 반도체칩(12)의 전극 패드(14)를 향해 뻗어 있다. 예를 들면, 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)과 제3 와이어부(27)가 뻗는 방향(D3)(제3 방향)이 이루는 각도(A2)는 직각보다 크다(90도 이상). 즉, 각도(A2)는 둔각이다. 각도(A2)는, 일례로서, 90도 이상 120도 이하로 해도 된다. 제3 와이어부(27)는, 전극 패드(14)에 접속된 단부를 제외하고, 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)와 마찬가지로 와이어(20)의 단면 형상을 유지하고 있다. 제3 와이어부(27)의 단면 형상은 거의 원형이다. The third wire portion 27 is continuous to the second wire portion 26 through a second bent portion 29, which will be described later. The end of the third wire portion 27 is connected to the electrode pad 14 of the semiconductor chip 12. Accordingly, the length of the third wire portion 27 is approximately equal to the distance from the electrode pad 13 to the electrode pad 14. The shape of the third wire portion 27 is an arc. Accordingly, the shape of the third wire portion 27 is longer than the straight line distance from the electrode pad 13 to the electrode pad 14. The third wire portion 27 extends from the electrode pad 13 of the circuit board 11 toward the electrode pad 14 of the semiconductor chip 12. For example, the angle A2 formed between the direction D2 in which the second wire part 26 extends and the direction D3 in which the third wire part 27 extends (the third direction) is greater than a right angle (more than 90 degrees). ). That is, the angle A2 is an obtuse angle. As an example, the angle A2 may be 90 degrees or more and 120 degrees or less. The third wire portion 27 maintains the cross-sectional shape of the wire 20 similar to the extension portion 24b of the first wire portion 24 except for the end portion connected to the electrode pad 14. The cross-sectional shape of the third wire portion 27 is substantially circular.

제1 구부림부(28)는 제1 와이어부(24)와 제2 와이어부(26)의 사이에 마련되어 있다. 즉, 제1 구부림부(28)는 제1 와이어부(24)의 연장부(24b)가 뻗는 방향(D1)을 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)으로 변화시킨다. 제1 구부림부(28)의 형상은 원호이다. 제1 구부림부(28)는 구부림 가공이 시행된 와이어(20)의 일부이다. 제1 구부림부(28)를 형성하는 구부림 가공의 상세에 대해서는 후술한다. 이 구부림 가공은 와이어(20)에 소성 변형을 생기게 한다. 소성 변형에 의하면, 제1 구부림부(28)에는, 가공 경화가 생긴다. 따라서, 제1 구부림부(28)의 강도는 애초의 와이어(20)가 가지는 강도보다도 높은 경우가 있다. The first bent portion 28 is provided between the first wire portion 24 and the second wire portion 26. That is, the first bent portion 28 changes the direction D1 in which the extension portion 24b of the first wire portion 24 extends to the direction D2 in which the second wire portion 26 extends. The shape of the first bent portion 28 is an arc. The first bent portion 28 is a part of the wire 20 on which bending processing has been performed. Details of the bending process to form the first bent portion 28 will be described later. This bending process causes plastic deformation in the wire 20. According to plastic deformation, work hardening occurs in the first bent portion 28. Therefore, the strength of the first bent portion 28 may be higher than the strength of the original wire 20.

제2 구부림부(29)는 제2 와이어부(26)와 제3 와이어부(27)의 사이에 마련되어 있다. 즉, 제2 구부림부(29)는 제2 와이어부(26)가 뻗는 방향(D2)을 제3 와이어부(27)가 뻗는 방향(D3)으로 변화시킨다. 제2 구부림부(29)의 형상은 제1 구부림부(28)와 마찬가지로 원호이다. 제2 구부림부(29)는 구부림 가공이 시행된 와이어(20)의 일부이다. 제2 구부림부(29)를 형성하는 구부림 가공의 상세에 대해서는, 후술한다. 따라서, 제1 구부림부(28)와 마찬가지로, 제2 구부림부(29)는 소성 변형을 일으킨 부위이며, 가공경화가 발생해 있다. The second bent portion 29 is provided between the second wire portion 26 and the third wire portion 27. That is, the second bent portion 29 changes the direction D2 in which the second wire portion 26 extends to the direction D3 in which the third wire portion 27 extends. The shape of the second bent portion 29 is circular like the first bent portion 28. The second bent portion 29 is a part of the wire 20 on which bending processing has been performed. Details of the bending process to form the second bent portion 29 will be described later. Therefore, like the first bent portion 28, the second bent portion 29 is a portion where plastic deformation has occurred and work hardening has occurred.

[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing method of semiconductor device]

상기한 반도체 장치(10)는 와이어 본딩 장치(1)에 의해 제조된다. 이하, 도 3, 도 4, 도 5 및 도 6을 참조하면서, 와이어 본딩 장치(1)에 있어서의 제어 유닛(4)의 제어 동작을 설명한다. 또한, 반도체 장치(10)의 제조 방법을 설명한다. The semiconductor device 10 described above is manufactured by the wire bonding device 1. Hereinafter, the control operation of the control unit 4 in the wire bonding device 1 will be described with reference to FIGS. 3, 4, 5, and 6. Additionally, the manufacturing method of the semiconductor device 10 will be described.

도 4는 와이어(20)의 형상과 캐필러리(8)의 목표점을 도시한다. 제어 유닛(4)은 미리 설정된 제1 목표점(P1)∼제9 목표점(P9)(제9 목표점은 도 9 참조)에 관한 정보를 가진다. 제어 유닛(4)은 제1 목표점(P1)∼제9 목표점(P9)으로 캐필러리(8)가 차례로 이동하도록, 본딩 유닛(3)에 제어 신호를 제공한다. 또, 제어 유닛(4)은 이동 중에 있어서의 와이어(20)의 풀어내기의 허가와 풀어내기의 정지를 제어하는 제어 신호도 본딩 유닛(3)에 제공한다. 또, 제어 유닛(4)은 캐필러리(8)로부터의 초음파 등의 제공의 허가와 정지를 제어하는 제어 신호도 본딩 유닛(3)에 제공한다. Figure 4 shows the shape of the wire 20 and the target point of the capillary 8. The control unit 4 has information about the preset first target point P1 to the ninth target point P9 (see Fig. 9 for the ninth target point). The control unit 4 provides a control signal to the bonding unit 3 so that the capillary 8 moves sequentially from the first target point P1 to the ninth target point P9. Additionally, the control unit 4 also provides a control signal to the bonding unit 3 to control permission to unwind and stop the unwinding of the wire 20 during movement. Additionally, the control unit 4 also provides a control signal to the bonding unit 3 to control permission and stop of provision of ultrasonic waves from the capillary 8.

제1 목표점(P1)은 와이어(20)를 전극 패드(13)에 본딩하는 위치를 나타낸다. 바꾸어 말하면, 제1 목표점(P1)은 본딩부(24a)를 형성하는 위치이다. 와이어(20)의 본딩 시에는, 와이어(20)를 전극 패드(13)의 주면(13a)에 가압한다. 따라서, 제1 목표점(P1)은 전극 패드(13)의 주면(13a) 위에 설정된다. 보다 상세하게는, 주면(13a)으로부터 제1 목표점(P1)까지의 거리는 와이어(20)의 직경과 동등 또는 와이어(20)의 직경보다도 조금 작다. The first target point P1 represents a position at which the wire 20 is bonded to the electrode pad 13. In other words, the first target point P1 is a position where the bonding portion 24a is formed. When bonding the wire 20, the wire 20 is pressed against the main surface 13a of the electrode pad 13. Accordingly, the first target point P1 is set on the main surface 13a of the electrode pad 13. More specifically, the distance from the main surface 13a to the first target point P1 is equal to or slightly smaller than the diameter of the wire 20.

제2 목표점(P2)은 연장부(24b)의 일부를 형성하기 위한 위치이다. 제2 목표점(P2)은 제1 목표점(P1)의 바로 위에 설정된다. 이하의 설명에 있어서, 주면(13a)의 법선을 따라 주면(13a)으로부터 벗어나는 방향을 「상측 방향」이라고 부른다. 또, 법선을 따라 주면(13a)에 근접하는 방향을 「하측 방향」이라고 부른다. 제2 목표점(P2)은 제1 목표점(P1)을 지나는 주면(13a)의 법선 위에 설정된다. 주면(13a)으로부터 제2 목표점(P2)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제1 목표점(P1)까지의 거리보다 크다. 제1 목표점(P1)으로부터 제2 목표점(P2)까지의 거리는, 예를 들면, 연장부(24b)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. The second target point P2 is a position to form a part of the extension portion 24b. The second target point (P2) is set immediately above the first target point (P1). In the following description, the direction deviating from the main surface 13a along the normal line of the main surface 13a is called the “upward direction.” Additionally, the direction approaching the main surface 13a along the normal line is called the “downward direction.” The second target point (P2) is set on the normal line of the main surface (13a) passing through the first target point (P1). The distance from the main surface 13a to the second target point P2 is greater than the distance from the main surface 13a to the first target point P1. The distance from the first target point P1 to the second target point P2 may be determined based on the length of the extension portion 24b, for example.

제3 목표점(P3)도 연장부(24b)의 일부를 형성하기 위한 위치이다. 제3 목표점(P3)은 제2 목표점(P2)에 대하여 법선에 직교하는 축선을 따라 이간한 위치에 설정된다. 이하의 설명에 있어서, 제2 목표점(P2)에 대하여 법선에 직교하는 축선을 「평행 축선」이라고 칭한다. 평행 축선을 따라 전극 패드(13)로부터 전극 패드(14)를 향하는 방향을 「순방향」이라고 부른다. 평행 축선을 따라 전극 패드(14)로부터 전극 패드(13)를 향하는 방향을 「역방향」이라고 부른다. 즉, 제3 목표점(P3)은 제2 목표점(P2)으로부터 순방향으로 소정 거리만큼 이간한 위치에 설정된다. 예를 들면, 제2 목표점(P2)으로부터 제3 목표점(P3)까지의 거리는, 예를 들면, 연장부(24b)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. 즉, 제2 목표점(P2)으로부터 제3 목표점(P3)까지의 거리는, 제1 목표점(P1)으로부터 제2 목표점(P2)까지의 거리와 동등하해도 되고, 커도 되고, 짧아도 된다. The third target point P3 is also a position to form a part of the extension portion 24b. The third target point P3 is set at a position spaced apart from the second target point P2 along an axis perpendicular to the normal line. In the following description, the axis orthogonal to the normal to the second target point P2 is referred to as the “parallel axis.” The direction from the electrode pad 13 to the electrode pad 14 along the parallel axis is called “forward direction.” The direction from the electrode pad 14 to the electrode pad 13 along the parallel axis is called “reverse direction.” That is, the third target point P3 is set at a position spaced apart from the second target point P2 by a predetermined distance in the forward direction. For example, the distance from the second target point P2 to the third target point P3 may be determined based on the length of the extension portion 24b, for example. That is, the distance from the second target point P2 to the third target point P3 may be equal to, greater than, or shorter than the distance from the first target point P1 to the second target point P2.

제4 목표점(P4)은 제1 구부림부(28)를 형성하기 위한 위치이다. 제4 목표점(P4)은 제3 목표점(P3)에 대하여 하측 방향으로 이간하도록 설정된다. 따라서, 제3 목표점(P3)으로부터 제4 목표점(P4)으로의 이동이란 하측 방향으로의 이동이다. 제4 목표점(P4)은 제1 목표점(P1)보다도 전극 패드(14)에 가깝다. 제4 목표점(P4)은 주면(13a)에 포함되어도 되고, 주면(13a)으로부터 소정 거리만큼 이간해도 된다. 주면(13a)으로부터 제4 목표점(P4)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제1 목표점(P1)까지의 거리에 무관해도 된다. 즉, 주면(13a)으로부터 제4 목표점(P4)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제1 목표점(P1)까지의 거리와 동등해도 된다. 주면(13a)으로부터 제4 목표점(P4)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제1 목표점(P1)까지의 거리보다 작아도 된다. 제3 목표점(P3)으로부터 제4 목표점(P4)까지의 거리는, 예를 들면, 제2 와이어부(26)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. The fourth target point P4 is a position for forming the first bent portion 28. The fourth target point P4 is set to be spaced downward with respect to the third target point P3. Therefore, movement from the third target point P3 to the fourth target point P4 is movement in the downward direction. The fourth target point P4 is closer to the electrode pad 14 than the first target point P1. The fourth target point P4 may be included in the main surface 13a or may be separated from the main surface 13a by a predetermined distance. The distance from the main surface 13a to the fourth target point P4 may be independent of the distance from the main surface 13a to the first target point P1. That is, the distance from the main surface 13a to the fourth target point P4 may be equal to the distance from the main surface 13a to the first target point P1. The distance from the main surface 13a to the fourth target point P4 may be smaller than the distance from the main surface 13a to the first target point P1. The distance from the third target point P3 to the fourth target point P4 may be determined based on the length of the second wire portion 26, for example.

제5 목표점(P5)은 제2 와이어부(26)를 형성하기 위한 위치이다. 제5 목표점(P5)은 제4 목표점(P4)의 상측 방향에 위치한다. 따라서, 법선 방향에 있어서, 제3 목표점(P3), 제4 목표점(P4) 및 제5 목표점(P5)은 동일한 선상에 설정된다. 즉, 제4 목표점(P4)으로부터 제5 목표점(P5)으로의 이동이란 상측 방향으로의 이동이다. 또, 제5 목표점(P5)은 제4 목표점(P4)보다도 상방에 설정된다. 예를 들면, 주면(13a)으로부터 제5 목표점(P5)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제4 목표점(P4)까지의 거리보다 크다. 한편, 도 7의 (b)부는 주면(13a)으로부터 제5 목표점(P5)까지의 거리가 주면(13a)으로부터 제3 목표점(P3)까지의 거리보다도 작은 경우를 예시한다. 주면(13a)으로부터 제5 목표점(P5)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제3 목표점(P3)까지의 거리와 같아도 된다. 주면(13a)으로부터 제5 목표점(P5)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제3 목표점(P3)까지의 거리보다 커도 된다. 제4 목표점(P4)으로부터 제5 목표점(P5)까지의 거리는, 예를 들면, 제2 와이어부(26)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. The fifth target point P5 is a position for forming the second wire portion 26. The fifth target point P5 is located above the fourth target point P4. Accordingly, in the normal direction, the third target point P3, fourth target point P4, and fifth target point P5 are set on the same line. In other words, movement from the fourth target point P4 to the fifth target point P5 is movement in the upward direction. Additionally, the fifth target point P5 is set above the fourth target point P4. For example, the distance from the main surface 13a to the fifth target point P5 is greater than the distance from the main surface 13a to the fourth target point P4. Meanwhile, part (b) of FIG. 7 illustrates a case where the distance from the main surface 13a to the fifth target point P5 is smaller than the distance from the main surface 13a to the third target point P3. The distance from the main surface 13a to the fifth target point P5 may be the same as the distance from the main surface 13a to the third target point P3. The distance from the main surface 13a to the fifth target point P5 may be greater than the distance from the main surface 13a to the third target point P3. The distance from the fourth target point P4 to the fifth target point P5 may be determined based on the length of the second wire portion 26, for example.

제6 목표점(P6)도 제2 와이어부(26)를 형성하기 위한 위치이다. 제6 목표점(P6)은 제5 목표점(P5)에 대하여 역방향으로 이간한다. 즉, 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)으로의 이동이란 역방향으로의 이동이다. 또한, 도 7의 (c)부는, 수평 방향에 있어서, 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)까지의 거리가 제5 목표점(P5)으로부터 제1 목표점(P1) 또는 제2 목표점(P2)까지의 거리보다도 큰 경우를 예시한다. 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)까지의 거리는 제5 목표점(P5)으로부터 제1 목표점(P1) 또는 제2 목표점(P2)까지의 평행 축선을 따른 거리와 같아도 된다. 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)까지의 거리는 제5 목표점(P5)으로부터 제1 목표점(P1) 또는 제2 목표점(P2)까지의 평행 축선을 따른 거리보다 작아도 된다. 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)까지의 거리는, 예를 들면, 제2 와이어부(26)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. The sixth target point P6 is also a position for forming the second wire portion 26. The sixth target point (P6) is spaced in the opposite direction with respect to the fifth target point (P5). In other words, movement from the fifth target point (P5) to the sixth target point (P6) is movement in the reverse direction. In addition, in part (c) of FIG. 7, in the horizontal direction, the distance from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 is from the fifth target point P5 to the first target point P1 or the second target point ( This example illustrates the case where the distance to P2) is greater. The distance from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 may be the same as the distance along the parallel axis from the fifth target point P5 to the first target point P1 or the second target point P2. The distance from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 may be smaller than the distance along the parallel axis from the fifth target point P5 to the first target point P1 or the second target point P2. The distance from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 may be determined based on the length of the second wire portion 26, for example.

제7 목표점(P7)은 제2 구부림부(29)를 형성하기 위한 위치이다. 제7 목표점(P7)은 제6 목표점(P6)에 대하여 하측 방향으로 이간하도록 설정된다. 즉, 제7 목표점(P7)은 제6 목표점(P6)보다도 전극 패드(13)에 가깝다. 즉, 제6 목표점(P6)으로부터 제7 목표점(P7)으로의 이동이란 하측 방향으로의 이동이다. 예를 들면, 주면(13a)으로부터 제7 목표점(P7)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제6 목표점(P6)까지의 거리보다 작다. 제6 목표점(P6)으로부터 제7 목표점(P7)까지의 거리는 와이어(20)에 소성 변형을 일으키기 위해 요구되는 이동량에 기초하여 결정되어도 된다. 이 와이어(20)에 소성 변형을 일으키기 위해 요구되는 이동량이란, 예를 들면, 와이어(20)의 직경에 기초하여 결정해도 된다. 일례로서, 제6 목표점(P6)으로부터 제7 목표점(P7)까지의 거리는 와이어(20)의 직경의 1.5배 정도로 해도 된다. The seventh target point P7 is a position for forming the second bent portion 29. The seventh target point P7 is set to be spaced downward with respect to the sixth target point P6. That is, the seventh target point P7 is closer to the electrode pad 13 than the sixth target point P6. In other words, movement from the sixth target point P6 to the seventh target point P7 is movement in the downward direction. For example, the distance from the main surface 13a to the seventh target point P7 is smaller than the distance from the main surface 13a to the sixth target point P6. The distance from the sixth target point P6 to the seventh target point P7 may be determined based on the amount of movement required to cause plastic deformation in the wire 20. The amount of movement required to cause plastic deformation in the wire 20 may be determined based on the diameter of the wire 20, for example. As an example, the distance from the sixth target point P6 to the seventh target point P7 may be about 1.5 times the diameter of the wire 20.

제8 목표점(P8)은 제3 와이어부(27)를 형성하기 위한 위치이다. 제8 목표점(P8)은 제7 목표점(P7)의 상측 방향에 위치한다. 따라서, 법선 방향에 있어서, 제6 목표점(P6), 제7 목표점(P7) 및 제8 목표점(P8)은 동일한 선상에 설정된다. 즉, 제7 목표점(P7)으로부터 제8 목표점(P8)으로의 이동이란 상측 방향으로의 이동이다. 또, 제8 목표점(P8)은 제7 목표점(P7)보다도 상방에 설정된다. 예를 들면, 주면(13a)으로부터 제8 목표점(P8)까지의 거리는 주면(13a)으로부터 제7 목표점(P7)까지의 거리보다 크다. 제7 목표점(P7)으로부터 제8 목표점(P8)까지의 거리는, 예를 들면, 제3 와이어부(27)의 길이에 기초하여 결정해도 된다. The eighth target point P8 is a position for forming the third wire portion 27. The eighth target point P8 is located above the seventh target point P7. Accordingly, in the normal direction, the sixth target point P6, the seventh target point P7, and the eighth target point P8 are set on the same line. That is, movement from the seventh target point P7 to the eighth target point P8 is movement in the upward direction. Additionally, the eighth target point P8 is set above the seventh target point P7. For example, the distance from the main surface 13a to the eighth target point P8 is greater than the distance from the main surface 13a to the seventh target point P7. The distance from the seventh target point P7 to the eighth target point P8 may be determined based on the length of the third wire portion 27, for example.

제9 목표점(P9)(도 9 참조)도 제3 와이어부(27)를 형성하기 위한 위치이다. 제9 목표점(P9)은 반도체칩(12) 위에 설정된다. 보다 상세하게는, 반도체칩(12)의 전극 패드(14) 위에 설정된다. 따라서, 제8 목표점(P8)으로부터 제9 목표점(P9)으로의 이동이란 순방향으로의 이동이다. The ninth target point P9 (see FIG. 9) is also a position for forming the third wire portion 27. The ninth target point P9 is set on the semiconductor chip 12. More specifically, it is set on the electrode pad 14 of the semiconductor chip 12. Therefore, movement from the eighth target point P8 to the ninth target point P9 is movement in the forward direction.

<제1 공정><First process>

제어 유닛(4)은 제1 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다(도 5의 공정 S10, 도 6의 (a)부, 동 (b)부 및 동 (c)부 참조). 제1 제어 신호는 캐필러리(8)를 제1 목표점(P1)으로 이동시키는 동작과, 캐필러리(8)로부터 소정 기간만큼 초음파를 방사시키는 동작(공정 S11)과, 캐필러리(8)를 제2 목표점(P2)으로 이동시키는 동작(공정 S12)과, 캐필러리(8)를 제3 목표점(P3)으로 이동시키는 동작(공정 S13)과, 와이어(20)의 풀어내기를 허가하는 동작을 포함한다. The control unit 4 provides a first control signal to the bonding unit 3 (see step S10 in FIG. 5, parts (a), (b), and (c) of FIG. 6). The first control signal includes an operation of moving the capillary 8 to the first target point P1, an operation of emitting ultrasonic waves from the capillary 8 for a predetermined period (step S11), and an operation of moving the capillary 8 to the first target point P1. ) to the second target point P2 (process S12), an operation to move the capillary 8 to the third target point P3 (process S13), and unwinding of the wire 20 is permitted. Includes actions.

제1 제어 신호를 받은 본딩 유닛(3)은, 우선, 캐필러리(8)를 제1 목표점(P1)으로 이동시킨다. 이때, 캐필러리(8)의 선단은 와이어(20)를 전극 패드(13)에 대하여 가압하고 있다. 다음에 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)의 선단으로부터 소정 기간만큼 초음파를 방사한다. 그러면, 캐필러리(8)의 선단에 가압되어 있던 와이어(20)의 일부는 편평 형상으로 변형된다. 이 변형에 의해, 와이어(20)는 전극 패드(13)에 대하여 접합된다. 그 결과, 본딩부(24a)가 형성된다. The bonding unit 3 that has received the first control signal first moves the capillary 8 to the first target point P1. At this time, the tip of the capillary 8 presses the wire 20 against the electrode pad 13. Next, the bonding unit 3 radiates ultrasonic waves from the tip of the capillary 8 for a predetermined period of time. Then, part of the wire 20 pressed against the tip of the capillary 8 is deformed into a flat shape. By this modification, the wire 20 is joined to the electrode pad 13. As a result, the bonding portion 24a is formed.

다음에 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제1 목표점(P1)으로부터 제2 목표점(P2)으로 이동시킨다(공정 S12, 도 6의 (b)부 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제1 목표점(P1)으로부터 제2 목표점(P2)으로 이동시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)는 연장부(24b)를 구성한다. Next, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the first target point P1 to the second target point P2 (step S12, see part (b) of FIG. 6). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the first target point P1 to the second target point P2 while unwinding the wire 20. The wire 20 unwound here constitutes the extension portion 24b.

다음에 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제2 목표점(P2)으로부터 제3 목표점(P3)으로 이동시킨다(공정 S13, 도 6의 (c)부 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제2 목표점(P2)으로부터 제3 목표점(P3)으로 이동시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)도 연장부(24b)를 구성한다. Next, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the second target point P2 to the third target point P3 (step S13, see part (c) of FIG. 6). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the second target point P2 to the third target point P3 while unwinding the wire 20. The wire 20 unwound here also constitutes the extension portion 24b.

또한, 공정 S12, S13은 캐필러리(8)를 제1 목표점(P1)으로부터 제3 목표점(P3)으로 이동시킬 수 있으면 된다. 예를 들면, 공정 S12, S13에 상당하는 공정으로서, 제1 목표점(P1)으로부터 제3 목표점(P3)으로 직접적으로 캐필러리(8)를 이동시켜도 된다. 바꾸어 말하면, 캐필러리(8)는 제2 목표점(P2)을 경유하지 않아도 된다. 예를 들면, 제1 목표점(P1)과 제3 목표점(P3)을 잇는 직선의 궤적을 따라, 캐필러리(8)를 이동시켜도 된다. 또, 제1 목표점(P1)과 제3 목표점(P3)을 지나는 원호의 궤적을 따라 캐필러리(8)를 이동시켜도 된다. In addition, steps S12 and S13 just need to be able to move the capillary 8 from the first target point P1 to the third target point P3. For example, as a process corresponding to steps S12 and S13, the capillary 8 may be moved directly from the first target point P1 to the third target point P3. In other words, the capillary 8 does not need to pass through the second target point P2. For example, the capillary 8 may be moved along a straight line connecting the first target point P1 and the third target point P3. Additionally, the capillary 8 may be moved along the trajectory of an arc passing through the first target point P1 and the third target point P3.

<제2 공정><Second process>

제어 유닛(4)은 제2 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다(도 5의 공정 S20 및 도 7의 (a)부 참조). 제2 제어 신호는 캐필러리(8)를 제4 목표점(P4)으로 이동시키는 동작을 포함한다. The control unit 4 provides a second control signal to the bonding unit 3 (see process S20 in FIG. 5 and part (a) of FIG. 7). The second control signal includes an operation to move the capillary 8 to the fourth target point P4.

제2 제어 신호를 받은 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제3 목표점(P3)으로부터 제4 목표점(P4)으로 하강시킨다(공정 S20). 이때, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 금지해도 된다. 이때, 캐필러리(8) 내에 존재하는 와이어(20)의 일부분과, 공정 S12, S13에 있어서 캐필러리(8)로부터 풀어 내어진 와이어(20)의 다른 부분과는 소정의 구부림 각도를 가지고 연속하고 있다. 구체적으로는, 캐필러리(8)의 내부에 존재하는 와이어(20)의 일부분은 주면(13a)의 법선 방향과 일치하고 있다. 한편, 캐필러리(8)로부터 풀어 내어져 있는 와이어(20)의 다른 부분은 당해 법선 방향에 대하여 기울어져 있다. 예를 들면, 와이어(20)의 다른 부분은 제1 목표점(P1)과 제3 목표점(P3)을 잇는 가상선을 따르고 있는 것으로 해도 된다. 따라서, 와이어(20)의 일부분과 와이어(20)의 다른 부분과의 접속 부분은 구부러져 있다. 이 접속 부분은 캐필러리(8)의 선단 부분에 만들어져 있다. The bonding unit 3, which has received the second control signal, lowers the capillary 8 from the third target point P3 to the fourth target point P4 (process S20). At this time, the bonding unit 3 may prohibit unwinding of the wire 20 from the capillary 8. At this time, the part of the wire 20 existing in the capillary 8 has a predetermined bending angle with the other part of the wire 20 unwound from the capillary 8 in steps S12 and S13. It's continuing. Specifically, a portion of the wire 20 existing inside the capillary 8 coincides with the normal direction of the main surface 13a. On the other hand, the other part of the wire 20 unwound from the capillary 8 is inclined with respect to the normal direction. For example, the other portion of the wire 20 may follow an imaginary line connecting the first target point P1 and the third target point P3. Accordingly, the connection portion between one part of the wire 20 and another part of the wire 20 is bent. This connection portion is made at the tip of the capillary 8.

이 상태에 있어서, 캐필러리(8)를 하강시키면, 와이어(20)의 일부분과 와이어(20)의 다른 부분 사이의 각도가 작아진다. 구체적으로는, 와이어(20)의 일부분과 와이어(20)의 다른 부분 사이의 각도는 직각에 근접한다. 즉, 와이어(20)의 일부분과 와이어(20)의 다른 부분과의 접속 부분에는, 구부림 가공이 시행된다. 그리고, 이 구부림의 정도가 커지면, 와이어(20)의 일부분과 와이어(20)의 다른 부분과의 접속 부분에 있어서의 변형은 탄성 변형으로부터 소성 변형으로 이행한다. 접속 부분이 소성 변형하면, 접속부는 원래의 형상으로 돌아오지 않고, 형상을 유지한다. 이 상태는 소위 와이어(20)에 「구부림 자국」이 생긴 상태이다. 즉, 제2 제어 신호에 의한 캐필러리(8)의 하강은 와이어(20)에 「구부림 자국」을 만드는 공정이다. 그리고, 제2 제어 신호에 의한 캐필러리(8)의 하강에 의해 만들어진 「구부림 자국」을 포함하는 부분은 본 실시형태에 있어서의 제1 구부림부(28)이다. In this state, when the capillary 8 is lowered, the angle between a part of the wire 20 and another part of the wire 20 decreases. Specifically, the angle between one portion of the wire 20 and another portion of the wire 20 approaches a right angle. That is, bending processing is performed on the connection portion between a part of the wire 20 and another part of the wire 20. And, as the degree of this bending increases, the deformation at the connection portion between one part of the wire 20 and another part of the wire 20 changes from elastic deformation to plastic deformation. When the connected portion is plastically deformed, the connected portion does not return to its original shape and maintains its shape. This state is a state in which so-called “bend marks” are formed on the wire 20. That is, lowering the capillary 8 by the second control signal is a process of creating a “bend mark” on the wire 20. And, the portion containing the “bend mark” created by the lowering of the capillary 8 by the second control signal is the first bent portion 28 in this embodiment.

<제3 공정><Third process>

제어 유닛(4)은 제3 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다(도 5의 공정 S30 및 도 7의 (b)부 및 (c)부 참조). 제3 제어 신호는 캐필러리(8)를 제5 목표점(P5)으로 이동시키는 동작(공정 S31)과, 캐필러리(8)를 제6 목표점(P6)으로 이동시키는 동작(공정 S32)과, 와이어(20)의 풀어내기를 허가하는 동작을 포함한다. The control unit 4 provides a third control signal to the bonding unit 3 (see process S30 in FIG. 5 and parts (b) and (c) of FIG. 7). The third control signal includes an operation of moving the capillary 8 to the fifth target point P5 (process S31), an operation of moving the capillary 8 to the sixth target point P6 (process S32), and , including an operation permitting unwinding of the wire 20.

제3 제어 신호를 받은 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제4 목표점(P4)으로부터 제5 목표점(P5)으로 이동시킨다(공정 S31, 도 7의 (b)부 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제4 목표점(P4)으로부터 제5 목표점(P5)으로 이동시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)는 제2 와이어부(26)를 구성한다. The bonding unit 3, which has received the third control signal, moves the capillary 8 from the fourth target point P4 to the fifth target point P5 (step S31, see part (b) of FIG. 7). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the fourth target point P4 to the fifth target point P5 while unwinding the wire 20. The wire 20 unwound here constitutes the second wire portion 26.

다음에 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)으로 이동시킨다(공정 S32, 도 7의 (c)부 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제5 목표점(P5)으로부터 제6 목표점(P6)으로 이동시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)도 제2 와이어부(26)를 구성한다. Next, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 (step S32, see part (c) of FIG. 7). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the fifth target point P5 to the sixth target point P6 while unwinding the wire 20. The wire 20 unwound here also constitutes the second wire portion 26.

또한, 이 공정 S30에서는, 캐필러리(8)를 제4 목표점(P4)으로부터 제6 목표점(P6)으로 이동시킬 수 있으면 된다. 예를 들면, 공정 S30은 제4 목표점(P4)으로부터 제6 목표점(P6)으로 직접적으로 캐필러리(8)를 이동시켜도 된다. 바꾸어 말하면, 공정 S30에 있어서, 캐필러리(8)는 제5 목표점(P5)을 경유하지 않아도 된다. 예를 들면, 공정 S30에서는, 제4 목표점(P4)과 제6 목표점(P6)을 잇는 직선의 궤적을 따라, 캐필러리(8)를 이동시켜도 된다. In addition, in this step S30, it is sufficient to move the capillary 8 from the fourth target point P4 to the sixth target point P6. For example, step S30 may move the capillary 8 directly from the fourth target point P4 to the sixth target point P6. In other words, in step S30, the capillary 8 does not need to pass through the fifth target point P5. For example, in step S30, the capillary 8 may be moved along a straight line connecting the fourth target point P4 and the sixth target point P6.

<제4 공정><Fourth process>

제어 유닛(4)은 제4 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다(도 5의 공정 S40 및 도 8의 (a)부 참조). 제4 제어 신호는 캐필러리(8)를 제7 목표점(P7)으로 이동시키는 동작을 포함한다. The control unit 4 provides a fourth control signal to the bonding unit 3 (see process S40 in FIG. 5 and part (a) of FIG. 8). The fourth control signal includes an operation to move the capillary 8 to the seventh target point P7.

제4 제어 신호를 받은 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제6 목표점(P6)으로부터 제7 목표점(P7)으로 하강시킨다(공정 S40). 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 금지해도 된다. 이때, 캐필러리(8) 내에 존재하는 와이어(20)의 일부분과, 공정 S30에 있어서 캐필러리(8)로부터 풀어 내어진 와이어(20)의 다른 부분과는 소정의 구부림 각도를 가지고 연속되어 있다. 즉, 와이어(20)의 일부분과 풀어 내어진 부분과의 관계는 공정 S20에서 설명한 관계와 유사하다. 그러면, 캐필러리(8)를 하강하면, 와이어(20)의 일부분과, 풀어 내어진 부분 사이의 접속 부분의 각도가 작아진다. 그리고, 구부림의 정도가 와이어(20)를 구성하는 재료가 가지는 소성 영역에 도달하면, 와이어(20)의 일부분과, 풀어 내어진 부분 사이의 접속 부분에 소성 변형이 일어난다. 이 소성 변형을 일으킨 부분도, 공정 S12, S13과 마찬가지로, 「구부림 자국」을 만든 부분으로 부를 수 있다. 따라서, 와이어(20)의 일부분과 풀어 내어진 부분의 사이는 구부려진 형상을 유지한다. 그 결과, 와이어(20)의 일부분과 풀어 내어진 부분 사이에는, 제2 구부림부(29)가 생긴다. The bonding unit 3, which has received the fourth control signal, lowers the capillary 8 from the sixth target point P6 to the seventh target point P7 (process S40). The bonding unit 3 may prohibit unwinding of the wire 20 from the capillary 8. At this time, a portion of the wire 20 existing in the capillary 8 is continuous with another portion of the wire 20 unwound from the capillary 8 in step S30 at a predetermined bending angle. there is. That is, the relationship between the portion of the wire 20 and the unwound portion is similar to the relationship described in step S20. Then, when the capillary 8 is lowered, the angle of the connection portion between the part of the wire 20 and the unwound portion decreases. And, when the degree of bending reaches the plastic region of the material constituting the wire 20, plastic deformation occurs at the connection portion between the part of the wire 20 and the unwound portion. The part where this plastic deformation occurred can also be called the part where a “bend mark” was created, as in steps S12 and S13. Accordingly, the bent shape is maintained between a portion of the wire 20 and the unwound portion. As a result, a second bent portion 29 is formed between a portion of the wire 20 and the unwound portion.

<제5 공정><Fifth Process>

제어 유닛(4)은 제5 제어 신호를 본딩 유닛(3)에 제공한다(도 5의 공정 S50 및 도 8의 (b)부 및 도 9 참조). 제5 제어 신호는 캐필러리(8)를 제8 목표점(P8)으로 이동시키는 동작(공정 S51)과, 캐필러리(8)를 제9 목표점(P9)으로 이동시키는 동작(공정 S52)과, 와이어(20)의 풀어내기를 허가하는 동작과, 캐필러리(8)로부터 소정 기간만큼 초음파를 방사시키는 동작(공정 S53)을 포함한다. The control unit 4 provides the fifth control signal to the bonding unit 3 (see process S50 in FIG. 5 and part (b) of FIG. 8 and FIG. 9). The fifth control signal includes an operation of moving the capillary 8 to the eighth target point P8 (process S51), an operation of moving the capillary 8 to the ninth target point P9 (process S52), and , an operation to permit unwinding of the wire 20, and an operation to radiate ultrasonic waves from the capillary 8 for a predetermined period (step S53).

제5 제어 신호를 받은 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제7 목표점(P7)으로부터 제8 목표점(P8)으로 이동시킨다(공정 S51, 도 8의 (b)부 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제7 목표점(P7)으로부터 제8 목표점(P8)으로 상승시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)는 제3 와이어부(27)의 일부를 구성한다. The bonding unit 3, which has received the fifth control signal, moves the capillary 8 from the seventh target point P7 to the eighth target point P8 (step S51, see part (b) of FIG. 8). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 unwinds the wire 20 and raises the capillary 8 from the seventh target point P7 to the eighth target point P8. The wire 20 unwound here constitutes a part of the third wire portion 27.

다음에, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)를 제8 목표점(P8)으로부터 제9 목표점(P9)으로 이동시킨다(공정 S52, 도 9 참조). 또한, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)로부터의 와이어(20)의 풀어내기를 허가한다. 즉, 본딩 유닛(3)은 와이어(20)를 풀어내면서 캐필러리(8)를 제8 목표점(P8)으로부터 제9 목표점(P9)으로 이동시킨다. 여기에서 풀어 내어진 와이어(20)도 제2 와이어부(26)의 다른 일부를 구성한다. Next, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the eighth target point P8 to the ninth target point P9 (step S52, see FIG. 9). Additionally, the bonding unit 3 allows unwinding of the wire 20 from the capillary 8. That is, the bonding unit 3 moves the capillary 8 from the eighth target point P8 to the ninth target point P9 while unwinding the wire 20. The wire 20 unwound here also constitutes another part of the second wire portion 26.

다음에, 본딩 유닛(3)은 캐필러리(8)의 선단으로부터 소정 기간만큼 초음파를 방사한다(공정 S52, 도 9 참조). 그러면, 캐필러리(8)의 선단에 가압되어 있던 와이어(20)의 일부는 편평 형상으로 변형된다. 이 변형에 의해, 와이어(20)는 전극 패드(14)에 대하여 접합된다. Next, the bonding unit 3 radiates ultrasonic waves from the tip of the capillary 8 for a predetermined period (step S52, see FIG. 9). Then, part of the wire 20 pressed against the tip of the capillary 8 is deformed into a flat shape. By this modification, the wire 20 is joined to the electrode pad 14.

상기의 공정을 거쳐 형성된 와이어(20)에 의하면, 풀 강도를 향상시킬 수 있다. 이하, 비교예의 반도체 장치(110)와 비교하면서, 본 실시형태의 반도체 장치(10)의 작용 효과에 대해 설명한다. According to the wire 20 formed through the above process, the pull strength can be improved. Hereinafter, the effects of the semiconductor device 10 of this embodiment will be described while comparing it with the semiconductor device 110 of the comparative example.

도 11은 비교예의 반도체 장치(110)가 가지는 와이어(120)의 단부를 나타낸다. 와이어(120)는 전극 패드(113)에 접속된 본딩부(123)와, 다른 전극 패드를 향해 뻗는 와이어부(124)를 가진다. 즉, 와이어(120)는 제1 와이어부(24), 제2 와이어부(26), 제3 와이어부(27), 제1 구부림부(28) 및 제2 구부림부(29)에 상당하는 부위를 갖지 않는다. 이러한 와이어(120)에 풀 스트레스를 가하면, 그 부하는 본딩부(123)로부터 비스듬히 상방으로 뻗는 부분(소위 네크(125))에 작용한다. 이 네크(125)는, 본딩부(123)의 일부를 포함하기 때문에, 그 두께가 얇다. 따라서, 네크(125)에 있어서의 강도는 와이어(120)가 가지는 강도보다도 낮다. FIG. 11 shows the end of the wire 120 of the semiconductor device 110 of the comparative example. The wire 120 has a bonding portion 123 connected to the electrode pad 113 and a wire portion 124 extending toward another electrode pad. That is, the wire 120 corresponds to the first wire portion 24, the second wire portion 26, the third wire portion 27, the first bent portion 28, and the second bent portion 29. do not have When full stress is applied to the wire 120, the load acts on the portion extending diagonally upward from the bonding portion 123 (the so-called neck 125). Since this neck 125 includes a part of the bonding portion 123, its thickness is thin. Therefore, the strength of the neck 125 is lower than that of the wire 120.

한편, 본 실시형태의 와이어(20)는 본딩부(24a)와, 제3 와이어부(27)의 사이에, 연장부(24b), 제2 와이어부(26), 제1 구부림부(28), 제2 구부림부(29)가 설치되어 있다. 즉, 본딩부(24a)와, 제3 와이어부(27)의 사이에는, 충분한 길이의 와이어가 풀어 내어져 있다. 그리고, 와이어(20)는, 가공경화를 일으킨 제1 구부림부(28) 및 제2 구부림부(29)를 포함한다. 또한, 와이어(20)는 본딩부(24a)로부터 전극 패드(13)를 따라 뻗는 연장부(24b)를 가지고 있다. 이들 구성에 의하면, 와이어(20)에 풀 스트레스가 작용했을 때, 본딩부(24a)와 연장부(24b)와의 접속 부분에 대하여, 직접적으로 부하가 작용하지 않는다. 부하는 본딩부(24a)와 제3 와이어부(27)와의 사이에 풀어 내어진 와이어와, 가공경화를 일으킨 제1 구부림부(28) 및 제2 구부림부(29)에 의하여, 부담된다. 이들 부위는 본딩부(24a)와 같이 단면 형상이 변화되는 것과 같은 가공을 받지 않았으므로, 적어도 와이어(20)가 원래 가지는 강도를 유지하고 있다. 또한, 이들 부위에 있어서의 제1 구부림부(28) 및 제2 구부림부(29)는 가공경화에 의해 더욱 강도가 높아져 있을 수도 있다. 따라서, 와이어(20)는 풀 강도를 향상시킬 수 있다. On the other hand, the wire 20 of this embodiment has an extension part 24b, a second wire part 26, and a first bent part 28 between the bonding part 24a and the third wire part 27. , the second bent portion 29 is installed. That is, a wire of sufficient length is extended between the bonding portion 24a and the third wire portion 27. And, the wire 20 includes a first bent portion 28 and a second bent portion 29 that have undergone work hardening. Additionally, the wire 20 has an extension portion 24b extending from the bonding portion 24a along the electrode pad 13. According to these structures, when full stress is applied to the wire 20, no load is applied directly to the connection portion between the bonding portion 24a and the extension portion 24b. The load is borne by the wire unwound between the bonding portion 24a and the third wire portion 27, and the first bent portion 28 and the second bent portion 29 that have undergone work hardening. Since these parts have not been processed to change the cross-sectional shape like the bonding portion 24a, they at least maintain the original strength of the wire 20. Additionally, the first bent portion 28 and the second bent portion 29 in these areas may have further increased strength through work hardening. Accordingly, the wire 20 can improve pull strength.

비교예로서, 직경이 20마이크로미터인 와이어를, 도 11에 도시하는 바와 같은 형상으로 하여 전극 패드 사이에 건너 걸쳤다. 또, 와이어는 금, 은, 알루미늄 및 구리의 각각에 대해 준비했다. 그 결과, 풀 강도의 최저값은 1.0gf인 것을 알았다. 다음에 같은 와이어를, 실시형태에 따른 제조 방법을 사용하여 전극 패드 사이에 건너 걸쳤다. 도 10은 그 1 예를 도시한다. 그 결과, 풀 강도의 최저값은 2.5gf인 것을 알았다. 즉, 실시형태에 따른 와이어 본딩 장치(1)를 사용하여 실시형태에 따른 제조 방법에 의한 와이어 본딩을 행한 경우에는, 풀 강도를 2.5배 정도 향상시킬 수 있는 것을 알았다. As a comparative example, a wire with a diameter of 20 micrometers was formed into a shape as shown in FIG. 11 and was passed between electrode pads. Additionally, wires were prepared for each of gold, silver, aluminum, and copper. As a result, it was found that the lowest value of full strength was 1.0 gf. Next, the same wire was passed between the electrode pads using the manufacturing method according to the embodiment. Figure 10 shows one example. As a result, it was found that the lowest value of full strength was 2.5gf. That is, it was found that when wire bonding was performed using the wire bonding device 1 according to the embodiment and the manufacturing method according to the embodiment, the pull strength could be improved by about 2.5 times.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 형태로 실시해도 된다. Although the embodiment of the present invention has been described above, it is not limited to the above embodiment and may be implemented in various forms.

1…와이어 본딩 장치, 2…반송 유닛, 3…본딩 유닛, 4…제어 유닛, 6…이동 기구, 7…본딩 툴, 8…캐필러리, 10…반도체 장치, 11…회로 기판(제1 전자부품), 12…반도체칩(제2 전자부품), 13…전극 패드(제1 전극), 14…전극 패드(제2 전극), 20…와이어(본딩 와이어), 21…단부(일단), 22…단부(타단), 24…제1 와이어부, 24a…본딩부(접합부), 24b…연장부, 26…제2 와이어부, 27…제3 와이어부, 28…제1 구부림부, 29…제2 구부림부, 110…반도체 장치, 120…와이어, 113…전극 패드, 123…본딩부, 124…와이어부, 125…네크.One… Wire bonding device, 2… Conveyance unit, 3… Bonding unit, 4… Control unit, 6… Mobile devices, 7… Bonding tool, 8… Capillary, 10… Semiconductor device, 11... Circuit board (first electronic component), 12... Semiconductor chip (second electronic component), 13… Electrode pad (first electrode), 14... Electrode pad (second electrode), 20... Wire (bonding wire), 21… End (one end), 22… End (other end), 24… First wire portion, 24a... Bonding portion (junction portion), 24b… Extension, 26… Second wire section, 27... Third wire section, 28... First bend, 29... Second bend, 110... Semiconductor device, 120... Wire, 113… Electrode pad, 123... Bonding department, 124... Wire section, 125… Nek.

Claims (16)

제1 전극과, 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 제2 전극과, 일단이 상기 제1 전극에 접합되고, 타단이 상기 제2 전극에 접합된 본딩 와이어를 갖추는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
캐필러리를 사용하여, 상기 제1 전극에 상기 본딩 와이어의 일단을 접합한 후에, 상기 본딩 와이어의 접합부보다도 상기 제2 전극측이며 상기 접합부보다 상방의 위치에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 제1 공정과,
상기 제1 전극을 향하여 상기 캐필러리의 선단을 하강시켜 상기 본딩 와이어의 일부를 상기 제1 전극에 내리누름으로써, 제1 구부림부를 형성하는 제2 공정과,
상기 제1 구부림부보다 상기 접합부측이며 상기 접합부보다 상방의 위치에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 제3 공정과,
상기 제1 전극을 향해 상기 캐필러리의 선단을 하강시킴으로써, 제2 구부림부를 형성하는 제4 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device comprising a first electrode, a second electrode electrically connected to the first electrode, and a bonding wire with one end bonded to the first electrode and the other end bonded to the second electrode,
After bonding one end of the bonding wire to the first electrode using a capillary, the bonding wire is unwound to a position above the bonding portion on the side of the second electrode and above the bonding portion of the bonding wire, while the capillary is connected to the first electrode. A first step of moving the tip of the lee,
A second step of forming a first bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode and pressing a portion of the bonding wire against the first electrode;
A third step of moving the tip of the capillary while unwinding the bonding wire to a position closer to the joint than the first bent portion and above the joint;
A method of manufacturing a semiconductor device including a fourth step of forming a second bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode. 제1항에 있어서,
상기 제1 공정은
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 공정과,
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 상기 제2 전극측에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 이동시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.According to paragraph 1,
The first process is
A step of raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
A method of manufacturing a semiconductor device including a step of moving the capillary while unwinding the bonding wire toward the second electrode along a direction intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제3 공정은
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 공정과,
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 상기 접합부측에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 이동시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.According to claim 1 or 2,
The third process is
A step of raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
A method of manufacturing a semiconductor device including a step of moving the capillary while unwinding the bonding wire to the joint side along a direction intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제4 공정의 후에, 상기 캐필러리를 사용하여, 상기 제2 전극에 상기 본딩 와이어의 타단을 접합하는 제5 공정을 더 가지고,
상기 제5 공정은
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 공정과,
상기 제2 전극 위의 위치에 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 공정과,
상기 제2 전극에 상기 본딩 와이어의 타단을 접합하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.According to claim 1 or 2,
After the fourth step, there is further a fifth step of bonding the other end of the bonding wire to the second electrode using the capillary,
The fifth process is
A step of raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
A step of moving the tip of the capillary to a position above the second electrode;
A method of manufacturing a semiconductor device including a step of bonding the other end of the bonding wire to the second electrode. 제1 전극과, 상기 제1 전극과 전기적으로 접속되는 제2 전극과, 일단이 상기 제1 전극에 접합되고, 타단이 상기 제2 전극에 접합된 본딩 와이어를 갖추는 반도체 장치를 제조하는 와이어 본딩 장치로서,
이동 가능하게 구성된 캐필러리를 포함하는 본딩 유닛과,
상기 본딩 유닛의 동작을 제어하는 제어 유닛을 갖추고,
상기 제어 유닛은,
상기 캐필러리를 사용하여, 상기 제1 전극에 상기 본딩 와이어의 일단을 접합한 후에, 상기 본딩 와이어의 접합부보다 상기 제2 전극측이며 상기 접합부보다 상방의 위치에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 제1 제어 신호와,
상기 제1 전극을 향해 상기 캐필러리의 선단을 하강시켜 상기 본딩 와이어의 일부를 상기 제1 전극에 내리누름으로써, 제1 구부림부를 형성시키는 제2 제어 신호와,
상기 제1 구부림부보다 상기 접합부측이며 상기 접합부보다 상방의 위치에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 제3 제어 신호와,
상기 제1 전극을 향해 상기 캐필러리의 선단을 하강시킴으로써, 제2 구부림부를 형성시키는 제4 제어 신호를 상기 본딩 유닛에 제공하는 와이어 본딩 장치.A wire bonding device for manufacturing a semiconductor device including a first electrode, a second electrode electrically connected to the first electrode, and a bonding wire with one end bonded to the first electrode and the other end bonded to the second electrode. as,
A bonding unit including a capillary configured to be movable,
Equipped with a control unit that controls the operation of the bonding unit,
The control unit is,
After bonding one end of the bonding wire to the first electrode using the capillary, the bonding wire is unwound to a position that is closer to the second electrode than the joint of the bonding wire and above the joint. A first control signal for moving the tip of the filler,
a second control signal for forming a first bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode and pressing a portion of the bonding wire against the first electrode;
a third control signal for moving the tip of the capillary while unwinding the bonding wire to a position closer to the joint than the first bent portion and above the joint;
A wire bonding device that provides a fourth control signal to the bonding unit to form a second bent portion by lowering the tip of the capillary toward the first electrode. 제5항에 있어서,
상기 제1 제어 신호는
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와,
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 상기 제2 전극측에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 이동시키는 제어 신호를 포함하는 와이어 본딩 장치.According to clause 5,
The first control signal is
a control signal for raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
A wire bonding device comprising a control signal for moving the capillary while unwinding the bonding wire toward the second electrode along a direction intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제3 제어 신호는
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와,
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향과 교차하는 방향을 따라, 상기 접합부측에 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 이동시키는 제어 신호를 포함하는 와이어 본딩 장치.According to claim 5 or 6,
The third control signal is
a control signal for raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
A wire bonding device comprising a control signal that moves the capillary while unwinding the bonding wire to the joint side along a direction intersecting the normal direction on the surface of the first electrode. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 제어 유닛은, 상기 캐필러리를 사용하여, 상기 제2 전극에 상기 본딩 와이어의 타단을 접합하는 제5 제어 신호를 또한 상기 본딩 유닛에 제공하고,
상기 제5 제어 신호는
상기 제1 전극의 표면에 있어서의 법선 방향을 따라 상기 본딩 와이어를 풀어내면서 상기 캐필러리를 상승시키는 제어 신호와,
상기 제2 전극 위의 위치에 상기 캐필러리의 선단을 이동시키는 제어 신호와,
상기 제2 전극에 상기 본딩 와이어의 타단을 접합시키는 제어 신호를 포함하는 와이어 본딩 장치.According to claim 5 or 6,
The control unit further provides the bonding unit with a fifth control signal for bonding the other end of the bonding wire to the second electrode using the capillary,
The fifth control signal is
a control signal for raising the capillary while unwinding the bonding wire along a normal direction on the surface of the first electrode;
a control signal for moving the tip of the capillary to a position above the second electrode;
A wire bonding device including a control signal for bonding the other end of the bonding wire to the second electrode. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW429489B (en) * 1999-08-31 2001-04-11 Advanced Semiconductor Eng Wire structure and wire bonding method of stacked chip
JP3915723B2 (en) * 2003-03-25 2007-05-16 株式会社デンソー Wire bonding method
TWI263286B (en) * 2004-02-06 2006-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Wire bonding method and semiconductor package using the method
JP3946730B2 (en) * 2004-04-26 2007-07-18 株式会社カイジョー Bond wire loop shape, semiconductor device having the loop shape, and wire bonding method
CH697970B1 (en) 2006-03-30 2009-04-15 Oerlikon Assembly Equipment Ag A process for preparing a Wedge Wedge wire bridge.
TWI349975B (en) * 2007-10-22 2011-10-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Wire bonding structure and method
JP4417427B1 (en) * 2009-05-28 2010-02-17 株式会社新川 Semiconductor device
JP5263042B2 (en) * 2009-07-10 2013-08-14 三菱電機株式会社 Semiconductor device, wire bonding method, and wire bonding apparatus
JP5898049B2 (en) * 2012-11-09 2016-04-06 株式会社新川 Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP5700482B2 (en) * 2012-11-16 2015-04-15 株式会社新川 Wire bonding apparatus and semiconductor device manufacturing method
TWI518814B (en) * 2013-04-15 2016-01-21 新川股份有限公司 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6196092B2 (en) * 2013-07-30 2017-09-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device
TWI557821B (en) * 2014-02-21 2016-11-11 新川股份有限公司 Manufacturing method of semiconductor device and wire bonding device
TWI585927B (en) * 2014-02-21 2017-06-01 新川股份有限公司 Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, and wire bonding device
JP2016062962A (en) 2014-09-16 2016-04-25 株式会社東芝 Wire bonding device and semiconductor device

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