KR102645229B1 - Inspection jig and inspection method - Google Patents
Inspection jig and inspection method Download PDFInfo
- Publication number
- KR102645229B1 KR102645229B1 KR1020190050824A KR20190050824A KR102645229B1 KR 102645229 B1 KR102645229 B1 KR 102645229B1 KR 1020190050824 A KR1020190050824 A KR 1020190050824A KR 20190050824 A KR20190050824 A KR 20190050824A KR 102645229 B1 KR102645229 B1 KR 102645229B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- width
- inspection jig
- pixel size
- imaging means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/14—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation using light without selection of wavelength, e.g. sensing reflected white light
- G06K7/1404—Methods for optical code recognition
- G06K7/1408—Methods for optical code recognition the method being specifically adapted for the type of code
- G06K7/1417—2D bar codes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/14—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation using light without selection of wavelength, e.g. sensing reflected white light
- G06K7/1404—Methods for optical code recognition
- G06K7/1439—Methods for optical code recognition including a method step for retrieval of the optical code
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/10—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation
- G06K7/14—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by electromagnetic radiation, e.g. optical sensing; by corpuscular radiation using light without selection of wavelength, e.g. sensing reflected white light
- G06K7/1404—Methods for optical code recognition
- G06K7/146—Methods for optical code recognition the method including quality enhancement steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Dicing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
[과제] 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 정확하게 측정할 수 있는 검사 지그 및 검사 방법을 제공하는 것.
[해결수단] 가공 장치의 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 측정하기 위한 판상의 검사 지그 (100) 로서, 판체 (101) 의 표면에 폭이 상이한 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 과, 이 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 각 폭 (La, Lb, Lc) 의 실측값을 기록한 이차원 코드 (105) 를 갖는다.[Task] To provide an inspection jig and inspection method that can accurately measure the pixel size of an imaging device.
[Solution] A plate-shaped inspection jig 100 for measuring the pixel size of an imaging means of a processing device, comprising a first pattern 102, a second pattern 103, and a first pattern 102 having different widths on the surface of a plate 101. It has three patterns 104 and a two-dimensional code 105 in which the actual measured values of the widths (La, Lb, Lc) of the first pattern 102, the second pattern 103, and the third pattern 104 are recorded. .
Description
본 발명은 가공 장치에 형성되는 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 측정하기 위한 검사 지그 및 검사 지그를 사용한 검사 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inspection jig for measuring the pixel size of an imaging means formed in a processing device and an inspection method using the inspection jig.
일반적으로, 웨이퍼 등의 피가공물을 절삭 가공하는 가공 장치는, 가공 장치 상에서 촬상한 화상으로부터, 치핑이나 가공홈의 폭을 검출하는 커프 체크라는 동작을 실시한다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이 때, 치핑이나 가공홈의 폭의 계측에는, 촬상 수단의 픽셀 사이즈 (1 픽셀당 길이 ; 화상 분해능이라고도 한다) 가 사용된다.Generally, a processing device that cuts and processes workpieces such as wafers performs an operation called a kerf check that detects the width of chipping or processing grooves from images captured on the processing device (for example, see Patent Document 1). . At this time, the pixel size (length per pixel; also called image resolution) of the imaging means is used to measure the width of chipping or processing grooves.
그런데, 상기한 커프 체크를 정확하게 실시하기 위해서는, 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 정확하게 측정할 필요가 있다. 그러나, 종래의 구성에서는, 검사용 기준이 되는 패턴을 갖는 웨이퍼와 촬상 수단을 상대적으로 이동시킴으로써, 촬상 수단의 타깃이 되는 패턴을 소정 거리만큼 이동시키고, 패턴의 이동량을 픽셀의 변화량 (이동량) 으로 나눔으로써 가공 장치가 자동으로 픽셀 사이즈를 산출하는 픽셀 사이즈 메저라는 동작을 실시하고 있었다. 이 경우, 검사용 기준이 되는 패턴을 갖는 웨이퍼와 촬상 수단의 기계적인 이동량에 약간의 오차가 생기면, 산출된 픽셀 사이즈가 정확하지 않아, 픽셀 사이즈를 사용하여 계측되는 치핑이나 가공홈 폭이 정확하지 않을 가능성이 있었다.However, in order to accurately perform the above-described kerf check, it is necessary to accurately measure the pixel size of the imaging means. However, in the conventional configuration, the pattern that is the target of the imaging means is moved by a predetermined distance by relatively moving the wafer having the pattern as a standard for inspection and the imaging means, and the movement amount of the pattern is converted into the amount of change (movement amount) of the pixel. By dividing, the processing device was performing an operation called pixel size measurement, which automatically calculates the pixel size. In this case, if there is a slight error in the mechanical movement amount of the wafer with the pattern that serves as the standard for inspection and the imaging means, the calculated pixel size is not accurate, and the chipping or processing groove width measured using the pixel size is not accurate. There was a possibility that it wouldn't happen.
따라서, 본 발명의 목적은, 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 정확하게 측정할 수 있는 검사 지그 및 검사 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, the purpose of the present invention is to provide an inspection jig and an inspection method that can accurately measure the pixel size of an imaging means.
본 발명의 하나의 측면에 의하면, 가공 장치의 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 측정하기 위한 판상의 검사 지그로서, 표면에 패턴과, 그 패턴의 폭을 기록한 이차원 코드를 구비하는 검사 지그가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a plate-shaped inspection jig for measuring the pixel size of an imaging means of a processing device is provided, which includes a pattern on the surface and a two-dimensional code with the width of the pattern recorded.
이 구성에 의하면, 이차원 코드를 촬상 수단으로 판독함으로써, 이차원 코드에 기록된 패턴의 실제의 폭을 취득할 수 있기 때문에, 이 패턴의 실제의 폭을, 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 정확하게 산출할 수 있다. 또, 복수의 검사 지그를 갖고 있는 경우여도, 검사 지그에 형성되어 있는 이차원 코드를 촬상 수단에 의해 인식할 수 있기 때문에, 검사 지그의 오판독을 방지할 수 있다. 또한, 이차원 코드에 패턴의 실제의 폭을 기록해 둠으로써, 패턴의 폭을 미리 정한 소정 길이로 높은 정밀도로 제조하지 않아도, 고정밀도로 픽셀 사이즈를 측정할 수 있다.According to this configuration, by reading the two-dimensional code with an imaging means, the actual width of the pattern recorded in the two-dimensional code can be obtained, so the actual width of this pattern is divided by the number of pixels corresponding to the width of the pattern. This allows the pixel size to be accurately calculated. Moreover, even in the case of having a plurality of inspection jigs, the two-dimensional code formed on the inspection jig can be recognized by the imaging means, so misreading of the inspection jig can be prevented. Additionally, by recording the actual width of the pattern in the two-dimensional code, the pixel size can be measured with high precision even without manufacturing the pattern with high precision to a predetermined length.
이 구성에 있어서, 그 패턴은, 폭이 상이한 것이 복수 형성되어 있어도 된다. 이 구성에 의하면, 폭이 상이한 복수의 패턴을 각각 촬상하여 픽셀 사이즈를 산출함으로써, 예를 들어, 촬상 수단의 렌즈의 왜곡 등에 의한 오차를 저감시킬 수 있다.In this configuration, the pattern may be formed in plural patterns with different widths. According to this configuration, by calculating the pixel size by respectively imaging a plurality of patterns with different widths, errors due to, for example, distortion of the lens of the imaging means can be reduced.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 제어 수단과, 유지 수단과, 가공 수단과, 촬상 수단과, 촬상한 화상을 표시하는 화면을 구비하는 가공 장치에 있어서의 그 촬상 수단의 픽셀 사이즈를 측정하기 위한 검사 방법으로서, 표면에 패턴과 그 패턴의 폭을 기록한 이차원 코드를 갖는 검사 지그를, 그 유지 수단에 유지하는 유지 스텝과, 그 이차원 코드를 그 촬상 수단으로 판독하고, 그 패턴의 폭을 그 제어 수단에 기억시키는 판독 스텝과, 그 패턴과 그 촬상 수단을 평행하게 하는 평행 맞춤 스텝과, 그 패턴을 촬상하여 그 화면 상에서 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수를 측정하는 측정 스텝과, 그 판독 스텝에서 판독 입력한 그 패턴의 폭을 그 측정 스텝에서 측정한 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 산출하는 산출 스텝을 구비하는 검사 방법이 제공된다.According to another aspect of the present invention, an inspection for measuring the pixel size of the imaging means in a processing device including a control means, a holding means, a processing means, an imaging means, and a screen for displaying the captured image. As a method, an inspection jig having a two-dimensional code with a pattern and the width of the pattern written on the surface is held in the holding means, the two-dimensional code is read by the imaging means, and the width of the pattern is measured by the control means. A reading step to store the pattern in parallel, a parallel alignment step to parallelize the pattern and the imaging means, a measurement step to image the pattern and measure the number of pixels corresponding to the width of the pattern on the screen, and in the reading step An inspection method is provided that includes a calculation step for calculating the pixel size by dividing the width of the read pattern by the number of pixels measured in the measurement step.
본 발명에 의하면, 이차원 코드를 촬상 수단으로 판독함으로써, 이차원 코드에 기록된 패턴의 실제의 폭을 취득할 수 있기 때문에, 이 패턴의 실제의 폭을, 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 정확하게 산출할 수 있다.According to the present invention, by reading the two-dimensional code with an imaging means, the actual width of the pattern recorded in the two-dimensional code can be obtained, so the actual width of the pattern is divided by the number of pixels corresponding to the width of the pattern. This allows the pixel size to be accurately calculated.
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 검사 지그가 사용되는 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 제 1 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 3 은, 가공 장치의 제어 수단의 구성예를 나타내는 블록도이다.
도 4 는, 검사 방법의 순서를 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 화면에 표시된 검사 지그의 화상 데이터의 모식도이다.
도 6 은, 제 2 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 7 은, 제 3 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다.Fig. 1 is a perspective view showing a configuration example of a processing device in which the inspection jig according to the first embodiment is used.
Fig. 2 is a plan view showing a configuration example of an inspection jig according to the first embodiment.
Fig. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the control means of the processing device.
Fig. 4 is a flow chart showing the procedure of the inspection method.
Fig. 5 is a schematic diagram of image data of the inspection jig displayed on the screen.
Fig. 6 is a plan view showing a configuration example of an inspection jig according to the second embodiment.
Fig. 7 is a plan view showing a configuration example of an inspection jig according to the third embodiment.
본 발명의 실시형태에 관련된 검사 지그 및 검사 방법에 대해 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.An inspection jig and an inspection method related to an embodiment of the present invention will be described. The present invention is not limited to the content described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Additionally, the configurations described below can be combined appropriately. In addition, various omissions, substitutions, or changes in the structure may be made without departing from the gist of the present invention.
[제 1 실시형태][First Embodiment]
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 검사 지그가 사용되는 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다. 도 2 는, 제 1 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다. 도 3 은, 가공 장치의 제어 수단의 구성예를 나타내는 블록도이다. 가공 장치 (1) 는, 피가공물로서의 웨이퍼 (200) 를 절삭 가공하여, 웨이퍼 (200) 를 개개의 칩으로 분할하는 장치이다. 가공 장치 (1) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 척 테이블 (유지 수단) (10) 과, 가공 수단 (20) 과, 문형 프레임 (30) 과, 가공 이송 수단 (40) 과, 산출 이송 수단 (50) 과, 절입 (切入) 이송 수단 (60) 과, 촬상 수단 (70) 과, 표시 수단 (74) 과, 제어 수단 (80) 을 구비하고 있다.Fig. 1 is a perspective view showing a configuration example of a processing device in which the inspection jig according to the first embodiment is used. Fig. 2 is a plan view showing a configuration example of an inspection jig according to the first embodiment. Fig. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the control means of the processing device. The processing device 1 is a device that processes the
웨이퍼 (200) 는, 반도체 디바이스나 광 디바이스가 형성된 반도체 웨이퍼, 광 디바이스 웨이퍼, 무기 재료 기판, 연성 수지 재료 기판, 세라믹스 기판 혹은 유리 기판 등의 피가공물이다. 웨이퍼 (200) 는, 원판상으로 형성되고, 그 표면에 격자상으로 배열된 다수의 분할 예정 라인과, 이러한 분할 예정 라인에 의해 구획된 복수의 영역이 형성되고, 각 영역에는 IC, LSI 등의 디바이스가 각각 형성되어 있다. 웨이퍼 (200) 는, 예를 들어, 점착 테이프 (201) 를 개재하여 환상 프레임 (202) 에 지지되어 있다.The
척 테이블 (10) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 X 축 방향으로 형성된 개구부 (2a) 를 따라 이동 가능하게 배치 형성되어 있다. 척 테이블 (10) 은, 유지면 (11) 과, 복수의 유지부 (12) 를 구비하고 있다. 척 테이블 (10) 은, 원판상으로 형성되고, 도시되지 않은 회전 수단에 의해 유지면 (11) 의 중심에 직교하는 회전축으로 회전된다. 유지면 (11) 은, 척 테이블 (10) 의 연직 방향의 상단면이며, 수평면에 대해 평탄하게 형성되어 있다. 유지면 (11) 은, 예를 들어 포러스 세라믹 등으로 구성되어 있고, 도시되지 않은 진공 흡인원의 부압에 의해, 웨이퍼 (200) 를 흡인 유지한다. 복수의 유지부 (12) 는, 유지면 (11) 의 주위에 4 지점 배치 형성되고, 환상 프레임 (202) 을 협지하여 고정시킨다.The chuck table 10 is arranged to be movable along an opening 2a formed in the X-axis direction on the upper surface of the device
가공 수단 (20) 은, 척 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 가공하는 것이다. 가공 수단 (20) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 형성된 개구부 (2a) 를 Y 축 방향으로 걸치도록 장치 본체 (2) 에 세워서 형성된 문형 프레임 (30) 에, 산출 이송 수단 (50) 및 절입 이송 수단 (60) 을 개재하여 고정되어 있다. 가공 수단 (20) 은, 절삭 블레이드 (21) 와, 스핀들 (22) 과, 하우징 (23) 을 구비하고 있다. 절삭 블레이드 (21) 는, 극박의 원판상 또한 환상으로 형성된 절삭 지석이다. 스핀들 (22) 은, 그 선단에 절삭 블레이드 (21) 를 착탈 가능하게 장착한다. 하우징 (23) 은, 도시되지 않은 모터 등의 구동원을 갖고 있고, Y 축 방향의 회전축 둘레로 자유롭게 회전할 수 있도록 스핀들 (22) 을 지지한다. 스핀들 (22) 을 고속 회전시켜 절삭 블레이드 (21) 에 의해 웨이퍼 (200) 를 절삭한다.The processing means 20 processes the
가공 이송 수단 (40) 은, 척 테이블 (10) 과 가공 수단 (20) 을 X 축 방향으로 상대 이동시키는 것이다. 예를 들어, 가공 이송 수단 (40) 은, X 축 방향으로 연장되는 도시되지 않은 볼 나사나 펄스 모터 등의 구동원을 갖고 있고, 척 테이블 (10) 을 지지하는 도시되지 않은 X 축 이동 기대를 X 축 방향으로 이동시킨다. 또한, 개구부 (2a) 에는, X 축 이동 기대를 덮는 커버 부재 (41) 와, 커버 부재 (41) 의 전후에 X 축 방향으로 연장되는 벨로스 부재 (42) 가 배치 형성되어 있다.The processing transfer means 40 relatively moves the chuck table 10 and the processing means 20 in the X-axis direction. For example, the machining transfer means 40 has a drive source such as a ball screw or pulse motor (not shown) extending in the Move it in the axial direction. Additionally, in the opening 2a, a
산출 이송 수단 (50) 은, 척 테이블 (10) 과 가공 수단 (20) 을 Y 축 방향으로 상대 이동시키는 것이다. 예를 들어, 산출 이송 수단 (50) 은, Y 축 방향으로 연장된 1 쌍의 가이드 레일 (51) 과, 가이드 레일 (51) 과 평행하게 배치 형성된 볼 나사 (52) 와, 볼 나사 (52) 에 나사 결합된 도시되지 않은 너트에 고정되고, 가이드 레일 (51) 에 자유롭게 슬라이드할 수 있도록 배치 형성된 Y 축 이동 기대 (53) 와, 볼 나사 (52) 를 회전시키는 도시되지 않은 펄스 모터를 구비하고 있다. 산출 이송 수단 (50) 은, 펄스 모터에 의해 볼 나사 (52) 를 회전시킴으로써, 절입 이송 수단 (60) 을 지지하는 Y 축 이동 기대 (53) 를 Y 축 방향으로 이동시킨다.The calculation transfer means 50 relatively moves the chuck table 10 and the processing means 20 in the Y-axis direction. For example, the output conveying means 50 includes a pair of
절입 이송 수단 (60) 은, 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 과 직교하는 Z 축 방향으로 가공 수단 (20) 을 이동시키는 것이다. 예를 들어, 절입 이송 수단 (60) 은, Z 축 방향으로 연장되고, Y 축 이동 기대 (53) 에 고정된 1 쌍의 가이드 레일 (61) 과, 가이드 레일 (61) 과 평행하게 배치 형성된 볼 나사 (62) 와, 볼 나사 (62) 에 나사 결합된 도시되지 않은 너트에 고정되고, 가이드 레일 (61) 에 자유롭게 슬라이드할 수 있도록 배치 형성된 Z 축 이동 기대 (63) 와, 볼 나사 (62) 를 회전시키는 펄스 모터 (64) 를 구비하고 있다. 절입 이송 수단 (60) 은, 펄스 모터 (64) 에 의해 볼 나사 (62) 를 회전시킴으로써, 가공 수단 (20) 을 지지하는 Z 축 이동 기대 (63) 를 Z 축 방향으로 이동시킨다.The cutting feed means 60 moves the machining means 20 in the Z-axis direction orthogonal to the holding
촬상 수단 (70) 은, 광학계 (71) 와 촬상 본체 (72) 를 일체로 구비하여 구성되고, 산출 이송 수단 (50) 및 절입 이송 수단 (60) 을 개재하여 문형 프레임 (30) 에 고정되어 있다. 광학계 (71) 는, 척 테이블 (10) 에 유지된 웨이퍼 (200) 혹은 검사 지그 (100) (후술한다) 의 표면의 광학 이미지를 취득하는 것이다. 광학계 (71) 는, 하나 또는 복수의 렌즈 (도시 생략) 를 조합하여 구성되고, 웨이퍼 (200) 혹은 검사 지그 (100) 에 대해 소정 위치로 설정되고, 입사된 광을 결상 (結像) 하여 촬상 본체 (72) 에 광학 이미지를 형성한다.The imaging means 70 is comprised of an
촬상 본체 (72) 는, 광학계 (71) 가 취득한 웨이퍼 (200) 혹은 검사 지그 (100) 의 광학 이미지를 촬상하는 것으로, 예를 들어, CCD (Charge Coupled Device) 이미지 센서를 사용한 카메라 등이다. 촬상 본체 (72) 는, 광학 이미지를 광전 변환하여 화상 데이터를 제어 수단 (80) 에 출력한다.The
표시 수단 (74) 은, 예를 들어 터치 패널이며, 장치 본체 (2) 의 소정 위치에 배치 형성되어 있다. 표시 수단 (74) 은, 촬상 수단 (70) 이 촬상한 화상을 표시하거나, 오퍼레이터가 가공 조건 등을 입력하거나 하는 것이다.The display means 74 is, for example, a touch panel and is disposed at a predetermined position on the device
제어 수단 (80) 은, 가공 장치 (1) 의 각 구성 요소를 제어하는 것이다. 예를 들어, 제어 수단 (80) 은, 가공 이송 수단 (40), 산출 이송 수단 (50) 및 절입 이송 수단 (60) 의 펄스 모터를 구동하는 도시되지 않은 구동 회로에 접속되고, 구동 회로를 제어하여 척 테이블 (10) 의 X 축 방향의 위치나, 가공 수단 (20) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향의 위치를 결정한다. 또, 제어 수단 (80) 은, 촬상 수단 (70) 이 촬상한 화상 데이터에 기초하여, 척 테이블 (10) 상의 웨이퍼 (200) 의 치핑이나 가공홈의 폭을 검출하는 커프 체크를 실시한다.The control means 80 controls each component of the processing device 1. For example, the control means 80 is connected to a drive circuit (not shown) that drives the pulse motors of the machining feed means 40, the output feed means 50, and the cutting feed means 60, and controls the drive circuit. Thus, the position of the chuck table 10 in the X-axis direction and the positions of the processing means 20 in the Y-axis direction and Z-axis direction are determined. Additionally, the control means 80 performs a kerf check to detect chipping of the
그런데, 커프 체크시에 치핑이나 가공홈의 사이즈를 정확하게 측정하기 위해서는, 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈를 정확하게 구할 필요가 있다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 도 2 에 나타내는 검사 지그 (100) 를 사용하여, 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈를 측정하여 산출하고 있다.However, in order to accurately measure the size of chipping or machining grooves when checking the kerf, it is necessary to accurately obtain the pixel size of the imaging means 70. For this reason, in this embodiment, the pixel size of the imaging means 70 is measured and calculated using the
검사 지그 (100) 는, 가공 장치 (1) 에 형성되는 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈를 측정 및 산출하기 위한 지그이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 검사 지그 (100) 는, 대략 장방형 형상으로 형성된 판체 (101) 를 구비한다. 이 판체 (101) 는, 열팽창률이 낮은 재질 (예를 들어 석영) 로 형성되어 있고, 판체 (101) 의 표면에는, 석영보다 광반사성이 강한 재료 (예를 들어 크롬) 가 피복되어 있다. 또, 판체 (101) 의 표면에는, 판체 (101) 의 길이 방향을 따라 연장되는 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103), 제 3 패턴 (104) 과, 이러한 각 패턴의 폭 방향의 폭의 실치수를 각각 기록한 이차원 코드 (105) 가 형성되어 있다.The
제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 은, 판체 (101) 의 표면에 에칭, 다이싱 혹은 레이저 가공에 의해 형성되는 홈으로, 피복한 크롬이 제거되어 홈 바닥의 석영이 노출되어 있다. 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 폭 방향의 폭은, 웨이퍼 (200) 의 가공에 사용되는 절삭 블레이드 (21) 의 날 폭에 맞추어 각각 상이하게 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 은 20 [㎛] 로 형성되고, 제 2 패턴 (103) 의 폭 (Lb) 은 10 [㎛], 제 3 패턴 (104) 의 폭 (Lc) 은 5 [㎛] 로 형성되어 있다.The
이차원 코드 (105) 는, 검사 지그 (100) 의 각종 정보를 기억하고 있다. 본 실시형태에서는, 상기한 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 각 폭 (La, Lb, Lc) 의 실측값이 기억되어 있다. 이 때문에, 각종 패턴의 폭을 미리 정한 소정 길이로 높은 정밀도로 제조할 필요가 없어, 검사 지그 (100) 의 가공성을 용이하게 할 수 있다. 또, 본 실시형태에서는, 검사 지그 (100) 의 표면에 이차원 코드 (105) 를 형성하고 있기 때문에, 이 이차원 코드 (105) 를 촬상 수단 (70) 으로 촬영함으로써, 이차원 코드 (105) 에 기억된 검사 지그 (100) 의 각종 정보를 취득할 수 있다. 이 때문에, 예를 들어, 복수의 검사 지그를 갖고 있는 경우여도 검사 지그의 오판독을 방지할 수 있다.The two-
제어 수단 (80) 은, 검사 지그 (100) 를 사용하여, 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈를 측정 및 산출하기 위해, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기억 수단 (81) 과, 화상 판독 수단 (82) 과, 측정 수단 (83) 과, 연산 수단 (84) 을 구비한다. 화상 판독 수단 (82) 은, 촬상 수단 (70) 을 사용하여, 검사 지그 (100) 의 표면에 형성된 이차원 코드 (105) 의 각종 정보 (각 패턴의 폭의 실측값) 를 판독한다. 기억 수단 (81) 은, 화상 판독 수단 (82) 이 이차원 코드 (105) 로부터 판독한 각 패턴의 폭의 실측값을 기억한다. 측정 수단 (83) 은, 표시 수단 (74) 의 화면 (75) 에 표시된, 예를 들어, 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 에 대응하는 픽셀수를 측정한다. 연산 수단 (84) 은, 기억 수단 (81) 에 기억된, 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 의 실측값을 측정 수단 (83) 이 측정한 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 산출한다. 산출된 픽셀 사이즈는, 예를 들어, 소정의 축 방향 (예를 들어 X 축 방향) 으로의 축의 이동량으로 픽셀의 변화량을 나누어 산출하는 픽셀 사이즈 메저 (도시 생략) 의 정밀도가 높은 것을 확인하기 위함 등에 이용된다.In order to measure and calculate the pixel size of the imaging means 70 using the
다음으로, 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈를 측정하기 위한 검사 방법에 대해 설명한다. 도 4 는, 검사 방법의 순서를 나타내는 플로 차트이다. 도 5 는, 화면에 표시된 검사 지그의 화상 데이터의 모식도이다. 먼저, 오퍼레이터는, 검사 지그 (100) 를 척 테이블 (10) 의 유지면 (11) 에 재치 (載置) 하여 그 척 테이블 (10) 을 유지한다 (스텝 S1 ; 유지 스텝). 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 검사 지그 (100) 의 길이 방향이 거의 X 축 방향과 평행해지도록 재치된다. 이 경우, 검사 지그 (100) 의 표면에 형성된 제 1 패턴 (102) (제 2 패턴 (103), 제 3 패턴 (104)) 도 거의 X 축 방향을 따라 연장된다. 또한, 오퍼레이터가 검사 지그 (100) 를 척 테이블 (10) 상에 재치하는 것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 웨이퍼 (200) 를 반송하는 반송 기구 (도시 생략) 를 이용해도 된다.Next, an inspection method for measuring the pixel size of the imaging means 70 will be described. Fig. 4 is a flow chart showing the procedure of the inspection method. Fig. 5 is a schematic diagram of image data of the inspection jig displayed on the screen. First, the operator places the
다음으로, 검사 지그 (100) 의 이차원 코드 (105) 를 촬상 수단 (70) 으로 판독하고, 검사 지그 (100) 의 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103), 제 3 패턴 (104) 의 각 폭의 실측값을 기억 수단 (81) 에 기억시킨다 (스텝 S2 ; 판독 스텝). 이 경우, 오퍼레이터가 가공 장치 (1) 를 조작함으로써, 제어 수단 (80) 이 가공 이송 수단 (40) 및 산출 이송 수단 (50) 을 동작시켜, 검사 지그 (100) 의 이차원 코드 (105) 상에 촬상 수단 (70) 을 배치하고, 이 위치에서 이차원 코드 (105) 를 촬상한다. 화상 판독 수단 (82) 은, 촬상 화상으로부터 이차원 코드 (105) 에 등록된 각 패턴의 폭의 실측값을 판독하고, 이 판독한 각 패턴의 폭의 실측값을 기억 수단 (81) 에 기억시킨다. 이 판독 스텝은, 적어도 후술하는 산출 스텝보다 전에 실시하고 있으면 되고, 예를 들어, 유지 스텝을 실시하기 전에 미리 이차원 코드 (105) 에 등록된 각 패턴의 폭의 실측값을 판독해 두어도 된다.Next, the two-
다음으로, 검사 지그 (100) 의 제 1 패턴 (102) 을 촬상 수단 (70) 과 평행하게 한다 (스텝 S3 ; 평행 맞춤 스텝). 본 실시형태에서는, 예를 들어, 제 1 패턴 (102) 의 연장되는 방향을, 촬상 수단 (70) 에 대해 검사 지그 (100) (척 테이블 (10)) 가 상대적으로 이동하는 방향과 평행하게 하는 것을 말한다. 구체적으로는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 패턴 (102) 의 연장되는 방향을, 위치를 고정시킨 촬상 수단 (70) 에 대해 검사 지그 (100) (척 테이블 (10)) 가 이동하는 방향 (X 축 방향) 과 평행하게 한다. 이 경우, 제어 수단 (80) 은, 제 1 패턴 (102) 의 일방의 측벽 (102a) 의 Y 좌표가 적어도 2 점에서 일치하도록, 척 테이블 (10) 을 회전시켜 각도 조정을 실시한다. 예를 들어, 제어 수단 (80) 은, 제 1 패턴 (102) 의 일방의 측벽 (102a) 상에 위치하는 모서리부의 Y 좌표끼리가 일치하도록, 척 테이블 (10) 을 회전시켜 각도 조정을 실시한다. 이로써, 제 1 패턴 (102) 의 연장되는 방향과 X 축 방향이 평행해진다. 또한, 도시는 생략하지만, 제 1 패턴 (102) 의 연장되는 방향을, 위치를 고정시킨 검사 지그 (100) (척 테이블 (10)) 에 대해, 촬상 수단 (70) 이 이동하는 방향 (Y 축 방향) 과 평행하게 해도 된다. 또, 본 실시형태에서는, 제 1 패턴 (102) 을 예시하고 있지만, 다른 패턴 (제 2 패턴 (103) 혹은 제 3 패턴 (104)) 을 사용해도 되는 것은 물론이다.Next, the
다음으로, 검사 지그 (100) 의 제 1 패턴 (102) 을 촬상 수단 (70) 으로 촬상하고, 표시 수단 (74) 의 화면 (75) 상에서 제 1 패턴 (102) 의 폭에 대응하는 픽셀수를 측정한다 (스텝 S4 ; 측정 스텝). 이 경우, 오퍼레이터가 촬상되는 제 1 패턴 (102) 을 지시하고, 실제로 제 1 패턴 (102) 이 촬상되고 있는 것을 확인한다. 촬상 수단 (70) 이 검사 지그 (100) 의 제 1 패턴 (102) 을 촬상하면, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 표시 수단 (74) 의 화면 (75) 에 제 1 패턴 (102) 을 포함하는 검사 지그 (100) 의 화상 데이터가 표시된다. 화면 (75) 에 표시되는 검사 지그 (100) 의 화상 데이터는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 촬상 본체 (72) 에 형성된 복수의 촬상 소자가 촬상한 픽셀 (화소) (P) 의 집합체이다. 본 실시형태에서는, 각 패턴 (제 1 패턴 (102)) 은, 판체 (101) 의 표면과 광반사성을 상이하게 하고 있다. 이 때문에, 측정 수단 (83) 은, 예를 들어, 화상 처리를 실시함으로써, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 패턴 (102) 과 판체 (101) 의 표면을 구분하고, 제 1 패턴 (102) 의 폭 방향으로 나열되는 픽셀수 (Lp) 를 측정한다. 이 도 5 의 예에서는, 제 1 패턴 (102) 의 폭에 대응하는 픽셀수 (Lp) 는 12 [픽셀] 이 된다.Next, the
다음으로, 연산 수단 (84) 은, 픽셀 사이즈 (단위 픽셀 (P) 당 길이) 를 산출한다 (스텝 S5 ; 산출 스텝). 구체적으로는, 연산 수단 (84) 은, 판독 스텝에 있어서, 화상 판독 수단 (82) 이 판독 입력한 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 의 실측값을, 측정 스텝에 있어서, 측정 수단 (83) 이 측정한 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 에 대응하는 픽셀수 (Lp) 로 나눔으로써, 픽셀 사이즈를 산출한다.Next, the calculating means 84 calculates the pixel size (length per unit pixel (P)) (step S5; calculation step). Specifically, in the reading step, the calculating means 84 calculates the actual measured value of the width La of the
그런데, 촬상 수단 (70) 의 픽셀 사이즈는, 예를 들어, 광학계 (71) 의 렌즈의 왜곡 등에 의해, 렌즈의 중앙과 외측에서 변동될 가능성이 있다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 폭은, 웨이퍼 (200) 의 가공에 사용되는 절삭 블레이드 (21) 의 날 폭에 맞추어 각각 상이하게 형성되어 있다. 이 구성에 의하면, 예를 들어, 날 폭이 20 [㎛] 인 절삭 블레이드 (21) 를 사용하는 경우에는, 날 폭에 상당하는 폭을 갖는 제 1 패턴 (102) 을 사용하여 픽셀 사이즈를 산출하고, 날 폭이 5 [㎛] 인 절삭 블레이드 (21) 를 사용하는 경우에는, 날 폭에 상당하는 폭을 갖는 제 3 패턴 (104) 을 사용하여 픽셀 사이즈를 산출할 수 있다. 이 때문에, 산출된 픽셀 사이즈를 이용하여, 예를 들어, 절삭 가공 후에 커프 체크를 실시하는 경우, 렌즈의 왜곡 등의 영향을 저감시켜, 정확한 커프 체크를 실시할 수 있다. 또, 상기한 구성에 한정되는 것은 아니며, 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 을 각각 이용하여, 각 패턴에 대응하는 픽셀 사이즈를 산출하고, 이러한 산출된 픽셀 사이즈를 평균값으로 함으로써 렌즈의 왜곡 등을 고려한 픽셀 사이즈를 산출할 수 있어, 정확한 커프 체크를 실시할 수 있다.However, the pixel size of the imaging means 70 may vary between the center and the outside of the lens due to, for example, distortion of the lens of the
[제 2 실시형태][Second Embodiment]
다음으로, 제 2 실시형태에 관련된 검사 지그 (100A) 에 대해 설명한다. 도 6 은, 제 2 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다. 검사 지그 (100A) 는, 상기한 검사 지그 (100) 와 비교하여, 평행 맞춤용의 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 을 구비하고 있는 점에서 구성을 달리 한다. 검사 지그 (100) 와 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙여 설명을 생략한다. 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 은, 동일한 크기로 동일한 형상 (십자 형상) 으로 형성되어 있다. 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 은, 상기한 제 1 패턴 (102) 등의 길이 방향과 평행한 방향으로 나열하여 배치되어 있다. 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 은, 상기한 제 1 패턴 (102) 등과 마찬가지로, 판체 (101) 의 표면에 에칭, 다이싱 혹은 레이저 가공에 의해 형성되는 십자홈이며, 피복한 크롬이 제거되어 홈 바닥의 석영이 노출되어 있다.Next, the
이차원 코드 (105) 에는, 상기한 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 각 폭 (La, Lb, Lc) 의 실측값과 함께, 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 과, 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 거리가 각각 기억되어 있다.The two-
상기한 평행 맞춤 스텝에서는, 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 이 나열되는 방향을, 촬상 수단 (70) 에 대해 검사 지그 (100A) (척 테이블 (10)) 가 상대적으로 이동하는 방향과 평행으로 한다. 이 경우, 제어 수단 (80) 은, 일방의 기준 패턴 (106) 의 소정의 모서리부의 Y 좌표와, 타방의 기준 패턴 (106) 의 소정의 모서리부의 Y 좌표가 일치하도록, 척 테이블 (10) 을 회전시켜 각도 조정을 실시한다. 이로써, 제 1 패턴 (102) 등의 연장되는 방향과 X 축 방향이 평행해진다.In the above parallel alignment step, the direction in which the pair of
또, 본 실시형태에서는, 이차원 코드 (105) 에, 1 쌍의 기준 패턴 (106, 106) 과, 제 1 패턴 (102), 제 2 패턴 (103) 및 제 3 패턴 (104) 의 거리가 각각 기억되어 있기 때문에, 예를 들어, 가공 장치 (1) 가 구비하는 커프 체크의 기능을 이용하여 자동적으로 픽셀 사이즈의 산출이 가능해진다. 이 경우, 측정 스텝에 있어서, 기준 패턴 (106) 으로부터 기록된 소정 거리분 이동하여, 예를 들어, 제 1 패턴 (102) 을 촬상하고, 표시 수단 (74) 의 화면 (75) 상에서 제 1 패턴 (102) 의 폭 (La) 에 대응하는 픽셀수를 측정한다. 그리고, 산출 스텝에 있어서 픽셀 사이즈를 산출한다. 그 후, 기준 패턴 (106) 으로부터 기록된 소정 거리분 이동하여, 예를 들어, 제 2 패턴 (103) 을 촬상하고 제 2 패턴 (103) 의 폭 (Lb) 에 대응하는 픽셀수를 측정하여 픽셀 사이즈를 산출한다. 또한, 기준 패턴 (106) 으로부터 기록된 소정 거리분 이동하여, 예를 들어, 제 3 패턴 (104) 을 촬상하고 제 3 패턴 (104) 의 폭 (Lc) 에 대응하는 픽셀수를 측정하여 픽셀 사이즈를 산출할 수도 있다.Additionally, in this embodiment, in the two-
[제 3 실시형태][Third Embodiment]
다음으로, 제 3 실시형태에 관련된 검사 지그 (100B) 에 대해 설명한다. 도 7 은, 제 3 실시형태에 관련된 검사 지그의 구성예를 나타내는 평면도이다. 이 제 3 실시형태에서는, 검사 지그 (100B) 는, 원판상의 판체 (101B) 를 구비하고, 이 판체 (101B) 의 표면에, 1 쌍의 제 1 기준 패턴 (107, 107) 과, 1 쌍의 제 2 기준 패턴 (108, 108) 이 형성되어 있다.Next, the
판체 (101B) 는, 형상을 원판상으로 한 점에서 판체 (101) 와 상이하지만 재질 등은 동등하다. 제 1 기준 패턴 (107, 107) 은, 동일한 크기로 동일한 형상 (십자 형상) 으로 형성되어 있다. 제 2 기준 패턴 (108, 108) 은, 제 1 기준 패턴 (107, 107) 보다 작지만 동일한 크기로 동일한 형상 (십자 형상) 으로 형성되어 있다. 제 1 기준 패턴 (107, 107) 및 제 2 기준 패턴 (108, 108) 은, 서로 평행이 되는 방향으로 나열되어 있다. 제 1 기준 패턴 (107, 107) 및 제 2 기준 패턴 (108, 108) 은, 웨이퍼 (200) 의 가공에 사용되는 절삭 블레이드 (21) 의 날 폭에 맞추어 각각 상이하게 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 기준 패턴 (107) 의 폭 (Ld) 은 20 [㎛] 로 형성되고, 제 2 기준 패턴 (108) 의 폭 (Le) 은 5 [㎛] 로 형성되어 있다.The
이차원 코드 (105) 에는, 상기한 제 1 기준 패턴 (107) 및 제 2 기준 패턴 (108) 의 각 폭 (Ld, Le) 의 실측값과 함께, 제 1 기준 패턴 (107, 107) 과, 제 2 기준 패턴 (108, 108) 의 거리가 각각 기억되어 있다.The two-
상기한 평행 맞춤 스텝에서는, 제 1 기준 패턴 (107, 107) 혹은 제 2 기준 패턴 (108, 108) 이 나열되는 방향을, 촬상 수단 (70) 에 대해 검사 지그 (100A) (척 테이블 (10)) 가 상대적으로 이동하는 방향과 평행으로 한다. 이 경우, 제어 수단 (80) 은, 예를 들어, 일방의 제 1 기준 패턴 (107) 의 소정의 모서리부의 Y 좌표와, 타방의 제 1 기준 패턴 (107) 의 소정의 모서리부의 Y 좌표가 일치하도록, 척 테이블 (10) 을 회전시켜 각도 조정을 실시한다. 이로써, 제 1 기준 패턴 (107, 107) 이 나열되는 방향 (제 2 기준 패턴 (108, 108) 이 나열되는 방향) 과 X 축 방향이 평행해진다.In the above-described parallel alignment step, the direction in which the
또, 본 실시형태에서는, 이차원 코드 (105) 에는, 제 1 기준 패턴 (107, 107) 과, 제 2 기준 패턴 (108, 108) 의 거리가 기억되어 있기 때문에, 예를 들어, 가공 장치 (1) 가 구비하는 커프 체크의 기능을 이용하여 자동적으로 픽셀 사이즈의 산출이 가능해진다. 이 경우, 제 1 기준 패턴 (107) 을 이용하여 평행 맞춤을 한 후, 제 1 기준 패턴 (107) 을 촬상하고, 표시 수단 (74) 의 화면 (75) 상에서 제 1 기준 패턴 (107) 의 폭 (Ld) 에 대응하는 픽셀수를 측정하여 픽셀 사이즈를 산출한다. 그 후, 제 1 기준 패턴 (107) 으로부터 기록된 소정 거리분 이동하여, 제 2 기준 패턴 (108) 을 촬상하고 제 2 기준 패턴 (108) 의 폭 (Le) 에 대응하는 픽셀수를 측정하여 픽셀 사이즈를 산출할 수도 있다.Moreover, in this embodiment, since the distance between the
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 이차원 코드 (105) 를 촬상 수단 (70) 으로 판독함으로써, 이차원 코드 (105) 에 기록된 각 패턴의 실제의 폭을 취득할 수 있기 때문에, 이 패턴의 실제의 폭을, 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 정확하게 산출할 수 있다. 또, 복수의 검사 지그를 갖고 있는 경우여도, 검사 지그에 형성되어 있는 이차원 코드 (105) 를 촬상 수단 (70) 에 의해 인식할 수 있기 때문에, 검사 지그의 오판독을 방지할 수 있다. 또한, 이차원 코드 (105) 에 각 패턴의 실제의 폭을 기록해 둠으로써, 패턴의 폭을 미리 정한 소정 길이로 높은 정밀도로 제조하지 않아도, 고정밀도로 픽셀 사이즈를 측정할 수 있다.As explained above, according to the present embodiment, by reading the two-
또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 상기한 각 실시형태에서는, 제 1 패턴 (102) ∼ 제 3 패턴 (104) 및 기준 패턴 (106) ∼ 제 2 기준 패턴 (108) 은, 판체 (101, 101B) 의 표면에 형성되는 홈을 예시하여 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 프린트에 의해 형성된 볼록부여도 된다. 또, 이차원 코드 (105) 는, 촬상 수단 (70) 으로 판독하기 위해, 판체 (101, 101B) 의 표면에 형성하는 것이 바람직하지만, 별도 판독 수단 (예를 들어, 바코드 리더와 같은 휴대 가능한 것) 을 구비하는 구성이면, 판체 (101, 101B) 의 이면이나 측면에 형성하여, 사전에 판독 스텝을 실시해도 된다.Additionally, the present invention is not limited to the above embodiments. In other words, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in each of the above-described embodiments, the
1 : 가공 장치
10 : 척 테이블 (유지 수단)
20 : 가공 수단
21 : 절삭 블레이드
70 : 촬상 수단
71 : 광학계
72 : 촬상 본체
74 : 표시 수단
75 : 화면
80 : 제어 수단
81 : 기억 수단
82 : 화상 판독 수단
83 : 측정 수단
84 : 연산 수단
100, 100A, 100B : 검사 지그
101, 101B : 판체
102 : 제 1 패턴
102a : 측벽
103 : 제 2 패턴
104 : 제 3 패턴
105 : 이차원 코드
106 : 기준 패턴
107 : 제 1 기준 패턴
108 : 제 2 기준 패턴
200 : 웨이퍼1: Processing device
10: Chuck table (maintenance means)
20: processing means
21: cutting blade
70: imaging means
71: Optical system
72: imaging body
74: indication means
75 : screen
80: control means
81: means of memory
82: Image reading means
83: means of measurement
84: operation means
100, 100A, 100B: Inspection jig
101, 101B: plate body
102: first pattern
102a: side wall
103: second pattern
104: Third pattern
105: two-dimensional code
106: Reference pattern
107: first reference pattern
108: second reference pattern
200: wafer
Claims (4)
표면에 패턴과, 그 패턴의 폭을 기록한 이차원 코드를 구비하고,
그 패턴의 폭은, 그 웨이퍼의 가공에 사용되는 그 절삭 블레이드의 날 폭에 맞추어 형성되어 있는 검사 지그.A plate-shaped inspection jig for measuring the pixel size of an imaging means of a processing device that cuts a wafer with a cutting blade,
Equipped with a pattern on the surface and a two-dimensional code recording the width of the pattern,
The width of the pattern is an inspection jig formed to match the blade width of the cutting blade used to process the wafer.
그 패턴은, 폭이 상이한 패턴을 복수 포함하는 검사 지그.According to claim 1,
The pattern is an inspection jig containing multiple patterns with different widths.
표면에 패턴과 그 패턴의 폭을 기록한 이차원 코드를 갖는 검사 지그를, 그 유지 수단에 유지하는 유지 스텝과,
그 이차원 코드를 그 촬상 수단으로 판독하고, 그 패턴의 폭을 그 제어 수단에 기억시키는 판독 스텝과,
그 패턴과 그 촬상 수단을 평행하게 하는 평행 맞춤 스텝과,
그 패턴을 촬상하여 그 화면 상에서 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수를 측정하는 측정 스텝과,
그 판독 스텝에서 판독 입력한 그 패턴의 폭을 그 측정 스텝에서 측정한 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 산출하는 산출 스텝을 구비하고,
그 패턴의 폭은, 그 웨이퍼의 가공에 사용되는 그 절삭 블레이드의 날 폭에 맞추어 형성되어 있는 검사 방법.A processing device including a control means, a holding means, a processing means, an imaging means, and a screen for displaying the captured image, and cutting a wafer with a cutting blade, for measuring the pixel size of the imaging means. As a testing method,
A holding step for holding, on the holding means, an inspection jig having a two-dimensional code with a pattern and the width of the pattern written on the surface;
a reading step of reading the two-dimensional code by the imaging means and storing the width of the pattern in the control means;
A parallel aligning step that aligns the pattern and the imaging means,
a measurement step of imaging the pattern and measuring the number of pixels corresponding to the width of the pattern on the screen;
A calculation step is provided for calculating the pixel size by dividing the width of the pattern read and input in the reading step by the number of pixels measured in the measurement step,
An inspection method in which the width of the pattern is formed to match the blade width of the cutting blade used to process the wafer.
표면에 폭이 상이한 복수의 패턴과 그 패턴의 폭을 기록한 이차원 코드를 구비하는 검사 지그를, 그 유지 수단에 유지하는 유지 스텝과,
그 이차원 코드를 그 촬상 수단으로 판독하고, 그 패턴의 폭을 그 제어 수단에 기억시키는 판독 스텝과,
그 패턴과 그 촬상 수단을 평행하게 하는 평행 맞춤 스텝과,
그 패턴을 촬상하여 그 화면 상에서 그 패턴의 폭에 대응하는 픽셀수를 측정하는 측정 스텝과,
그 판독 스텝에서 판독 입력한 그 패턴의 폭을 그 측정 스텝에서 측정한 픽셀수로 나눔으로써 픽셀 사이즈를 산출하는 산출 스텝을 구비하고,
그 산출 스텝은, 각 패턴에 대응하는 픽셀 사이즈를 산출하고, 이들 산출한 픽셀 사이즈를 평균값으로 하는 검사 방법.An inspection method for measuring the pixel size of an imaging means in a processing device comprising at least a control means, a holding means, a processing means, an imaging means, and a screen for displaying a captured image, comprising:
A holding step for holding, on the holding means, an inspection jig having a plurality of patterns with different widths on the surface and a two-dimensional code recording the widths of the patterns;
a reading step of reading the two-dimensional code by the imaging means and storing the width of the pattern in the control means;
a parallel aligning step that aligns the pattern and the imaging means;
a measurement step of imaging the pattern and measuring the number of pixels corresponding to the width of the pattern on the screen;
A calculation step is provided for calculating the pixel size by dividing the width of the pattern read and input in the reading step by the number of pixels measured in the measurement step,
The calculation step is an inspection method in which the pixel size corresponding to each pattern is calculated, and these calculated pixel sizes are used as an average value.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018095521A JP7145643B2 (en) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | Inspection jig and inspection method |
JPJP-P-2018-095521 | 2018-05-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190132212A KR20190132212A (en) | 2019-11-27 |
KR102645229B1 true KR102645229B1 (en) | 2024-03-07 |
Family
ID=68585713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190050824A Active KR102645229B1 (en) | 2018-05-17 | 2019-04-30 | Inspection jig and inspection method |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7145643B2 (en) |
KR (1) | KR102645229B1 (en) |
CN (1) | CN110504191B (en) |
TW (1) | TWI795563B (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023039754A (en) | 2021-09-09 | 2023-03-22 | Towa株式会社 | Maintenance method, and method for manufacturing electronic component |
JP2023039753A (en) | 2021-09-09 | 2023-03-22 | Towa株式会社 | Calibration method, and method for manufacturing electronic component |
CN114459362B (en) * | 2021-12-31 | 2024-03-26 | 深圳市瑞图生物技术有限公司 | Measuring device and measuring method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003000A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsutoyo Corp | Method of calibrating image measuring device |
JP2011169677A (en) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Nikon Corp | Calibrator and image measurement machine |
JP2016213342A (en) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 株式会社ディスコ | Outside-diameter size detection method for cutting blade |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2628256B2 (en) | 1992-05-15 | 1997-07-09 | 株式会社ディスコ | Automatic dicing system based on calf check |
JPH0739546A (en) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Ge Yokogawa Medical Syst Ltd | Apparatus for ultrasonic examination |
JP4533121B2 (en) | 2004-12-15 | 2010-09-01 | 株式会社ミツトヨ | Displacement detector, main scale |
KR20060089798A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | Sawing device for semiconductor chip package manufacturing |
US7501616B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-10 | Microvision, Inc. | Method and apparatus for capturing an image of a moving object |
JP2009074952A (en) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Nec Electronics Corp | Visual inspection method |
JP5262823B2 (en) * | 2009-02-23 | 2013-08-14 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
US8537245B2 (en) * | 2011-03-04 | 2013-09-17 | Hand Held Products, Inc. | Imaging and decoding device with quantum dot imager |
JP2014203917A (en) * | 2013-04-03 | 2014-10-27 | 株式会社ディスコ | Plate-like material |
WO2015143011A1 (en) * | 2014-03-19 | 2015-09-24 | Bidirectional Display Inc. | Image sensor panel and method for capturing graphical information using same |
JP2016075554A (en) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | 株式会社ディスコ | Wafer inspection method and wafer inspection device |
JP6521687B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-05-29 | 株式会社ディスコ | Inspection method of cutting blade |
JP2018013342A (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 株式会社ディスコ | Inspection method |
-
2018
- 2018-05-17 JP JP2018095521A patent/JP7145643B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-30 KR KR1020190050824A patent/KR102645229B1/en active Active
- 2019-05-09 TW TW108115994A patent/TWI795563B/en active
- 2019-05-14 CN CN201910397939.9A patent/CN110504191B/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008003000A (en) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Mitsutoyo Corp | Method of calibrating image measuring device |
JP2011169677A (en) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Nikon Corp | Calibrator and image measurement machine |
JP2016213342A (en) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 株式会社ディスコ | Outside-diameter size detection method for cutting blade |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201946724A (en) | 2019-12-16 |
JP2019201143A (en) | 2019-11-21 |
JP7145643B2 (en) | 2022-10-03 |
CN110504191B (en) | 2024-02-23 |
KR20190132212A (en) | 2019-11-27 |
TWI795563B (en) | 2023-03-11 |
CN110504191A (en) | 2019-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9851645B2 (en) | Device and method for aligning substrates | |
JP6765926B2 (en) | Processing equipment | |
KR102645229B1 (en) | Inspection jig and inspection method | |
KR102271652B1 (en) | Method for cutting work-piece | |
KR20210088417A (en) | Machining apparatus | |
JP2007305696A (en) | Positioning device accuracy measurement method | |
CN112045299B (en) | Laser oscillator support table and adjustment method thereof, laser processing device | |
KR20210031605A (en) | Position adjusting method and apparatus thereof | |
JP5301919B2 (en) | Hard brittle plate chamfering device | |
JP3937162B2 (en) | Component mounting apparatus and component mounting method | |
JP5389604B2 (en) | Method for managing consumption of cutting blade in cutting apparatus | |
US6266891B1 (en) | Method of and apparatus for bonding component | |
JP7550633B2 (en) | DICING APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING DICING APPARATUS | |
JPH05134753A (en) | Positioning device | |
KR20210018045A (en) | Method for checking performance of laser machining apparatus | |
TWI830921B (en) | Processing equipment | |
JP5389603B2 (en) | Method for managing consumption of cutting blade in cutting apparatus | |
CN111497047B (en) | Origin position registration method for cutting device | |
US9464884B2 (en) | Method for determining the position of a rotation axis | |
JP2011198223A (en) | Determining method of correction value of processing movement distance in processing equipment | |
TWM560023U (en) | Image capturing module and optical system using the same | |
JPH08318463A (en) | Method for machining work in machining equipment | |
TW201505766A (en) | Grinding device for rigid brittle plate and method for measuring and correcting processing accuracy thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20190430 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20220128 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20190430 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230918 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20240104 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240305 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240305 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |