KR102639470B1 - Polishing pad and polishing method using the polishing pad - Google Patents
Polishing pad and polishing method using the polishing pad Download PDFInfo
- Publication number
- KR102639470B1 KR102639470B1 KR1020207027235A KR20207027235A KR102639470B1 KR 102639470 B1 KR102639470 B1 KR 102639470B1 KR 1020207027235 A KR1020207027235 A KR 1020207027235A KR 20207027235 A KR20207027235 A KR 20207027235A KR 102639470 B1 KR102639470 B1 KR 102639470B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- adsorption layer
- shield member
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명은 기재와, 기재 상에 형성된 흡착층 및 연마층으로 이루어지는 연마 패드에 관한 것이다. 흡착층은 양쪽 말단에만 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘 등으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘을 가교시켜서 이루어지는 조성물로 이루어진다. 그리고, 본 발명에서는 흡착층 위에 연마 패드의 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 연마 패드는 연마작업 시, 정반에 상기 흡착층을 흡착·고정하고, 연마 슬러리를 연마층 상에 공급하여 사용된다. 본 발명에서는 링형상의 실드 부재가 흡착층과 정반의 계면으로의 연마 슬러리의 침입을 억제한다. The present invention relates to a polishing pad consisting of a substrate, an adsorption layer and a polishing layer formed on the substrate. The adsorption layer is made of a composition formed by crosslinking one or more types of silicones selected from silicones made of linear polyorganosiloxanes having vinyl groups only at both ends. Additionally, the present invention is characterized by providing a ring-shaped shield member along the outer circumference of the polishing pad on the adsorption layer. This polishing pad is used during polishing work by adsorbing and fixing the adsorption layer on the surface plate and supplying the polishing slurry onto the polishing layer. In the present invention, the ring-shaped shield member suppresses the intrusion of the polishing slurry into the interface between the adsorption layer and the surface plate.
Description
본 발명은 반도체 부품, 전자 부품 등에서 사용되는 피연마 부재의 연마공정에서 사용되는 연마 패드에 관한 것이다. 특히, 반도체 웨이퍼 등의 피연마 부재의 연마 가공에 있어서, 연마 패드의 교환작업을 효율적으로 행할 수 있는 동시에, 연마작업 중 연마 패드의 위치 어긋남이나 박리를 방지할 수 있는 연마 패드에 관한 것이다. The present invention relates to a polishing pad used in a polishing process of a member to be polished used in semiconductor components, electronic components, etc. In particular, it relates to a polishing pad that enables efficient replacement of the polishing pad during polishing of a member to be polished, such as a semiconductor wafer, while preventing misalignment or peeling of the polishing pad during the polishing operation.
반도체 웨이퍼, 디스플레이용 유리 기판, 하드디스크용 기판 등의 반도체 부품, 전자 부품의 제조 프로세스에 있어서는, 기판 등의 표면의 평탄화나 경면화를 위한 연마 공정이 포함된다. 연마 공정은 연마 패드를 연마장치의 정반에 고정하고, 연마 패드의 연마층 표면에 연마 슬러리를 공급하면서, 가압 상태에서 피연마 부재와 연마 패드를 슬라이딩시킴으로써 행하여진다. In the manufacturing process of semiconductor components and electronic components such as semiconductor wafers, glass substrates for displays, and substrates for hard disks, a polishing process for flattening or mirroring the surface of the substrate or the like is included. The polishing process is performed by fixing the polishing pad to the surface of the polishing device, supplying polishing slurry to the surface of the polishing layer of the polishing pad, and sliding the member to be polished and the polishing pad under pressure.
연마 패드의 정반으로의 고정방법으로서는, 이전에는 점착 테이프 등의 점착재에 의한 방법이 주류였으나, 이 고정방법에는 연마 패드의 교환·고정 작업에 시간과 노동력이 요구되어, 연마 공정의 작업효율을 크게 저하시키고 있었다. 이 연마 패드의 고정의 문제에 대해, 고정·교환 작업을 용이하게 행할 수 있는 연마 패드를 개발하고 있다(특허문헌 1, 2). Previously, the main method of fixing the polishing pad to the surface was using adhesive materials such as adhesive tape. However, this fixing method required time and labor to replace and fix the polishing pad, reducing the work efficiency of the polishing process. It was greatly deteriorating. To address the problem of fixing the polishing pad, a polishing pad that can easily be fixed and replaced has been developed (Patent Documents 1 and 2).
선행기술문헌Prior art literature
특허문헌patent literature
(특허문헌 1) 일본국 실용신안 등록 제3166396호 명세서(Patent Document 1) Japanese Utility Model Registration No. 3166396 Specification
(특허문헌 2) 일본국 특허 제5765858호 명세서(Patent Document 2) Japanese Patent No. 5765858 Specification
이러한 흡착층을 구비하는 연마 패드의 외관을 도 6에 나타낸다. 이 연마 패드는 연마층을 지지하는 기재의 이면 측에, 흡착작용을 갖는 소정의 실리콘 화합물로 이루어지는 흡착층을 설치한 것이다. 이 흡착층을 구성하는 실리콘 화합물은 유리나 금속 등의 재질을 불문하고 흡착작용을 가지며, 그 유지력도 양호하다. 이 흡착에 의한 유지력에 대해서는, 전단력(수평방향의 고정강도)이 높은 한편으로, 박리력(수직방향의 고정강도)은 낮다고 하는 특성이 보인다. 이 특성은 연마 패드를 정반으로 고정하는 데 있어서 적합하다. 연마작업에 있어서는, 연마 패드는 수평방향의 응력을 계속적으로 받기 때문에, 전단력에 있어서 높은 유지력이 필요하기 때문이다. 수직방향의 유지력에 관하여는, 연마 패드는 정반에 눌려 있기 때문에 커다란 유지력은 반드시 요구되는 것은 아니다. 그리고, 이 실리콘 화합물로 이루어지는 흡착층의 흡착효과는 연마 패드의 면내에서 균일하여, 중심부로부터 단부에 걸쳐 균등한 유지력을 발휘할 수 있다. 따라서, 안정적인 연마작업을 기대할 수 있다.The appearance of a polishing pad equipped with such an adsorption layer is shown in Figure 6. This polishing pad is provided with an adsorption layer made of a predetermined silicon compound having an adsorption effect on the back side of the substrate supporting the polishing layer. The silicone compound constituting this adsorption layer has an adsorption effect regardless of the material such as glass or metal, and its holding power is also good. Regarding the holding power due to this adsorption, the shear force (fixing strength in the horizontal direction) is high, while the peeling force (fixing strength in the vertical direction) is low. This characteristic is suitable for fixing a polishing pad to a surface. This is because during polishing operations, the polishing pad is continuously subjected to stress in the horizontal direction, so a high holding force in terms of shear force is required. Regarding the holding force in the vertical direction, since the polishing pad is pressed against the surface, a large holding force is not necessarily required. And, the adsorption effect of the adsorption layer made of this silicone compound is uniform within the surface of the polishing pad, and can exert uniform holding power from the center to the ends. Therefore, stable polishing work can be expected.
또한, 이 연마 패드는 정반으로의 고정을 원활하게 행할 수 있고, 교환작업을 효율적으로 행할 수 있다는 이점도 있다. 상기와 같이, 연마 패드의 흡착층은 전단력에 비해 박리력이 낮은 것으로부터, 연마 패드를 정반에 수직방향으로 가볍게 누르는 것만으로 고정할 수 있고, 탈착도 용이하기 때문이다. 따라서, 이 출원 출원인에 의한 연마 패드는 연마작업의 효율화의 관점에서도 유용하다.Additionally, this polishing pad has the advantage that it can be smoothly fixed to the surface and exchange work can be performed efficiently. As described above, the adsorption layer of the polishing pad has a lower peeling force compared to the shear force, so the polishing pad can be fixed simply by lightly pressing it in the direction perpendicular to the surface, and is easily detached. Therefore, the polishing pad proposed by the applicant of this application is also useful from the viewpoint of improving the efficiency of polishing work.
전술한 바와 같이, 이 출원 출원인에 의한 소정의 흡착층을 구비하는 연마 패드는 교환작업에 수반되는 편리성이 양호한 동시에, 정반으로의 고정능력도 우수하다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 이러한 유용한 연마 패드를 사용한 경우라도, 드물기는 하지만, 연마작업의 진행에 의해, 연마 패드의 위치 어긋남이나 부분적인 박리가 발생하는 경우가 있는 것이 확인되어 있다. 이 연마 패드의 위치 어긋남이나 박리는, 반드시 연마 시간의 장단이나 연마 패드의 교환 빈도에 따른 흡착층의 열화에 의한 것은 아니다. 또한, 항상 발생하는 문제도 아니어서, 대부분의 연마 환경이나 조건에 있어서는 문제없이 연마작업을 행할 수 있다. 단, 이 연마 패드를 지금까지 이상으로 보급시키기 위해서는, 약간의 가능성이라도 박리 등의 문제를 해소시키는 것이 바람직하다. As described above, the polishing pad provided by the applicant of this application with a predetermined adsorption layer has good convenience for replacement work and is also excellent in fixing ability to the surface. However, according to examination by the present inventors, it has been confirmed that even when such a useful polishing pad is used, in rare cases, the polishing pad may be misaligned or partially peeled off as the polishing operation progresses. This misalignment or peeling of the polishing pad is not necessarily due to the deterioration of the adsorption layer depending on the length of polishing time or the frequency of replacement of the polishing pad. Additionally, since this problem does not always occur, polishing work can be performed without problems in most polishing environments or conditions. However, in order to make this polishing pad more popular than before, it is desirable to eliminate even the slightest possibility of problems such as peeling.
본 발명은 이상과 같은 배경하에 이루어진 것으로, 소정의 실리콘 조성물로 이루어지는 흡착층을 갖는 연마 패드에 대해서, 정반으로부터의 박리 등이 억제된 것을 제공한다. 그리고, 이러한 연마 패드를 이용하는 연마방법에 대해서도 개시한다. The present invention has been made under the above background, and provides a polishing pad having an adsorption layer made of a predetermined silicone composition in which peeling from the surface plate, etc. is suppressed. Additionally, a polishing method using such a polishing pad is also disclosed.
본 발명자들은 상기 목적을 위해, 소정의 흡착층을 구비하는 연마 패드에 관하여, 연마작업 중 정반으로부터의 박리 등이 발생하는 요인을 검토하기로 하였다. 그 결과, 연마 패드의 흡착층과 정반의 계면에 연마 슬러리가 침입하는 경우가 있어, 이것이 박리 등을 일으키고 있을 가능성이 있다고 고찰하였다. 연마 슬러리는 용매에 콜로이달 실리카, 알루미나, 세리아, 다이아몬드 등으로 이루어지는 연마 지립을 분산시킨 것을 기본 구성으로 하는 현탁액이다. 본 발명자들은 검토 결과, 연마 슬러리의 구성·성분에 따라서는, 연마 패드와 정반의 계면으로의 침입성이 증대되는 경우가 있다고 하는 고찰을 하고 있다. 특히, 성분 조정에 의해 점성이 낮은 연마 슬러리에 있어서 계면으로의 침입성이 높아진다고 생각하였다. For the above purpose, the present inventors decided to examine factors that cause peeling from the surface during polishing with respect to a polishing pad provided with a predetermined adsorption layer. As a result, it was considered that the polishing slurry may infiltrate the interface between the adsorption layer of the polishing pad and the polishing plate, and that this may cause peeling, etc. Polishing slurry is a suspension whose basic composition is dispersing abrasive grains made of colloidal silica, alumina, ceria, diamond, etc. in a solvent. As a result of examination, the present inventors have considered that, depending on the composition and components of the polishing slurry, the intrusion into the interface between the polishing pad and the surface plate may increase. In particular, it was thought that by adjusting the components, the penetration into the interface of a low-viscosity polishing slurry would increase.
점성이 낮은 연마 슬러리는 연마 패드와 정반 사이의 미세한 극간에 의한 모세관현상의 영향도 맞물려, 계면에 비교적 용이하게 침입한다. 그리고, 계면에 슬러리가 축적된 상태는 실리콘 조성물로 이루어지는 흡착층에 있어서 바람직하지 않은 상태로, 흡착력이 저하되게 된다. 이 흡착력 저하에 의해 연마 패드의 정반으로부터의 박리나 위치 어긋남이 발생하게 된다. Polishing slurries with low viscosity are affected by capillary action due to the minute gap between the polishing pad and the surface plate, and relatively easily penetrate the interface. And, the state in which the slurry accumulates at the interface is an undesirable state for an adsorption layer made of a silicone composition, and the adsorption power is reduced. This decrease in adsorption force causes peeling or misalignment of the polishing pad from the surface.
단, 연마 패드의 흡착층의 능력 저하의 요인이 연마 슬러리에 있다고 하더라도, 그 성분·구성을 손쉽게 변경하는 것은 어렵다. 연마 슬러리를 구성하는 연마 지립이나 용매 등의 성분·구성은 피연마 부재의 재질이나 요구되는 연마 정밀도 등에 기초하여 최적화되는 것이 일반적이다. 연마 슬러리가 특정 연마 패드에 영향을 미치는 것이 우려된다고 해서, 연마 정밀도 등에 영향을 미치는 변경을 가하는 것은 용이하게 허용되지 않는다. However, even if the polishing slurry is responsible for the decline in the ability of the adsorption layer of the polishing pad, it is difficult to easily change its components and composition. The components and composition of the abrasive grains and solvent that make up the polishing slurry are generally optimized based on the material of the member to be polished, the required polishing precision, etc. Just because there is concern that the polishing slurry may affect a specific polishing pad, it is not easily permitted to make changes that affect polishing precision or the like.
이에, 본 발명자들은 연마 패드의 구성을 개량함으로써, 정반으로부터의 박리 등의 문제를 해결하기로 하였다. 구체적으로는, 연마 패드의 흡착층과 정반의 계면에 연마 슬러리가 침입하는 것을 억제하기 위해, 연마 패드 이면이 되는 흡착층의 표면 상에 실드 부재를 배치하기로 하였다. Accordingly, the present inventors decided to solve problems such as peeling from the polishing pad by improving the structure of the polishing pad. Specifically, in order to prevent the polishing slurry from infiltrating the interface between the adsorption layer of the polishing pad and the surface plate, it was decided to place a shield member on the surface of the adsorption layer, which is the back side of the polishing pad.
즉, 본 발명은 기재와, 상기 기재의 한쪽 면에 형성된 흡착층과, 상기 기재의 다른 쪽 면에 형성된 연마층으로 구성되고, 연마작업 시, 정반에 상기 흡착층을 흡착·고정하고, 연마 슬러리를 상기 연마층 상에 공급하여 사용되는 연마 패드에 있어서, 상기 흡착층은 양쪽 말단에만 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 양쪽 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 말단에만 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 및 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘을 가교시켜서 이루어지는 조성물로부터 이루어지고, 상기 흡착층과 상기 정반의 계면으로의 상기 연마 슬러리의 침입을 억제하기 위해, 흡착층 상에 연마 패드의 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 연마 패드이다. That is, the present invention consists of a base material, an adsorption layer formed on one side of the base material, and a polishing layer formed on the other side of the base material. During the polishing operation, the adsorption layer is adsorbed and fixed to the surface plate, and the polishing slurry is applied. In the polishing pad used by supplying on the polishing layer, the adsorption layer is made of silicone made of linear polyorganosiloxane having vinyl groups only at both ends, and linear polyorganosiloxane having vinyl groups at both ends and side chains. It is composed of a composition formed by crosslinking one or more types of silicones selected from silicones consisting of silicones, silicones consisting of branched polyorganosiloxanes having vinyl groups only at the terminals, and silicones consisting of branched polyorganosiloxanes having vinyl groups at the terminals and side chains, A polishing pad characterized by providing a ring-shaped shield member along the outer circumference of the polishing pad on the adsorption layer to prevent the polishing slurry from entering the interface between the adsorption layer and the surface plate.
아래에, 본 발명의 연마 패드에 대해서 상세하게 설명한다. 상기와 같이, 본 발명은 종래기술(특허문헌 1, 2)과 마찬가지로, 기재와, 기재의 표면 및 이면에 형성되는, 연마층 및 흡착층과의 조합을 기본적인 구성으로 한다. 그리고, 흡착층의 표면에 연마 패드의 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 구비하는 점에 특징을 갖는다. Below, the polishing pad of the present invention will be described in detail. As described above, the present invention, like the prior art (Patent Documents 1 and 2), has a basic configuration of a combination of a substrate and a polishing layer and an adsorption layer formed on the front and back surfaces of the substrate. Additionally, it is characterized in that a ring-shaped shield member is provided on the surface of the adsorption layer along the outer circumference of the polishing pad.
도 1은 본 발명의 링형상의 실드 부재를 구비하는 연마 패드를 정반에 고정한 상태의 구체적인 예를 나타내는 도면이다. 도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 그 지름이 정반의 바깥지름에 대해 커지도록 설정되어 있다. 그리고, 이 연마 패드는 이면이 되는 흡착층의 바깥 가장자리에, 일정 폭과 두께를 갖는 링형상의 실드 부재가 접합되어 있다. 또한, 이 예에서는, 링형상 실드 부재의 안지름이 정반의 바깥지름과 대략 동일해져 있다.Fig. 1 is a diagram showing a specific example of a state in which a polishing pad including a ring-shaped shield member of the present invention is fixed to a surface plate. As can be seen from Figure 1, the polishing pad of the present invention is set so that its diameter is larger than the outer diameter of the surface plate. And, this polishing pad has a ring-shaped shield member with a certain width and thickness bonded to the outer edge of the adsorption layer that serves as the back surface. Additionally, in this example, the inner diameter of the ring-shaped shield member is approximately equal to the outer diameter of the surface.
그리고, 연마작업에 있어서는, 연마층 상에 연마 슬러리를 공급하면서, 연마 패드를 회전한다. 연마층 표면에 공급된 연마 슬러리는 도 2에 나타내는 바와 같이, 원심력에 의해 바깥둘레 쪽으로 고속으로 젖어서 퍼져 연마 패드의 측면에 도달한다. 이때, 본 발명의 연마 패드에서는, 흡착층에 접합된 실드 부재가 연마 슬러리를 막아, 슬러리가 연마 패드 이면 측으로 휩쓸려 들어가는 것을 방지하고 있다. 그리고, 연마작업 중에는 연마 패드가 고속 회전하고 있는 것으로부터, 막힘을 당한 연마 슬러리는 링형상 실드 부재로부터 바깥쪽으로 비산한다. 이로써, 연마 슬러리는 흡착층과 정반의 계면에 침입하는 것은 불가능하여, 흡착층의 밀착 상태가 유지되게 된다. Then, in the polishing operation, the polishing pad is rotated while supplying the polishing slurry onto the polishing layer. As shown in FIG. 2, the polishing slurry supplied to the surface of the polishing layer is wetted and spreads toward the outer circumference at high speed by centrifugal force and reaches the side of the polishing pad. At this time, in the polishing pad of the present invention, the shield member bonded to the adsorption layer blocks the polishing slurry and prevents the slurry from being swept into the back surface of the polishing pad. Since the polishing pad rotates at high speed during the polishing operation, the clogged polishing slurry scatters outward from the ring-shaped shield member. As a result, it is impossible for the polishing slurry to penetrate the interface between the adsorption layer and the surface plate, and the adhesion state of the adsorption layer is maintained.
이와 같이, 본 발명은 연마 패드를 정반보다 다소 큰 지름으로 하면서, 폭이 넓어진 부분의 흡착층 위에 링형상 실드 부재를 설정하고 있는 것을 특징으로 한다. 아래에 본 발명의 연마 패드 및 이것에 의한 연마방법에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 먼저, 연마 패드의 각 구성에 대해서 설명한다. In this way, the present invention is characterized in that the polishing pad has a diameter slightly larger than that of the surface plate, and a ring-shaped shield member is set on the adsorption layer in the widened portion. Below, the polishing pad of the present invention and the polishing method using the same will be described in more detail. First, each configuration of the polishing pad will be described.
(A) 본 발명의 연마 패드의 구성(A) Configuration of the polishing pad of the present invention
본 발명의 연마 패드는 기재, 연마층, 흡착층 및 링형상의 실드 부재로 구성된다. The polishing pad of the present invention is composed of a base material, a polishing layer, an adsorption layer, and a ring-shaped shield member.
(A－1) 기재(A-1) Description
기재는 연마층 및 흡착층을 지지하기 위한 부재로, 연마 패드의 취급성을 확보하기 위한 부재이다. 기재는 얇은 유기물로 이루어지는 원형의 시트 형상의 부재이다. 기재는 파단강도가 210∼290 ㎫, 파단신도가 80∼130%인 수지재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 파단강도가 210∼240 ㎫이고, 파단신도가 110∼130%이다. 또한, 이 인장강도는 건조 시에 측정되는 값으로 한다. The base material is a member for supporting the polishing layer and the adsorption layer, and is a member for ensuring the handleability of the polishing pad. The base material is a circular sheet-shaped member made of a thin organic material. The base material is preferably made of a resin material with a breaking strength of 210 to 290 MPa and a breaking elongation of 80 to 130%. More preferably, the breaking strength is 210 to 240 MPa and the breaking elongation is 110 to 130%. In addition, this tensile strength is taken as the value measured during drying.
기재의 구성재료는 구체적으로는 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 나일론, 우레탄, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐 등의 수지이다. 바람직하게는 폴리에스테르계 수지재료이고, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)이며, 특히 바람직한 것은 PET이다. 기재는 단층이어도 되나 복수의 수지로 다층 구조로 해도 된다. The constituent materials of the base material are specifically resins such as polyester, polyethylene, polystyrene, polypropylene, nylon, urethane, polyvinylidene chloride, and polyvinyl chloride. Preferred polyester resin materials include polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), and PET is particularly preferred. The base material may be a single layer, or may have a multilayer structure made of a plurality of resins.
기재의 형상과 치수, 즉 연마 패드의 형상과 치수는 원형 또는 사각형의 것이 적용된다. 상기와 같이, 본 발명의 연마 패드는 정반의 지름보다도 큰 지름이 되도록 치수가 조정된다. 후술하는 바와 같이, 구체적으로는 정반의 지름에 대해 10 ㎜∼50 ㎜ 큰 지름으로 하는 것이 바람직하다. 정반의 치수는 피연마재의 치수나 동시 연마하는 개수에 따라 임의의 바깥지름의 것이 선택된다. 그리고, 연마 패드의 지름(최대지름)으로서는, 100 ㎜∼2,000 ㎜의 범위에서 설정되는 경우가 많다.The shape and dimensions of the substrate, that is, the shape and dimensions of the polishing pad, are circular or square. As described above, the dimensions of the polishing pad of the present invention are adjusted to have a diameter larger than that of the surface plate. As will be described later, it is specifically preferable to have a diameter that is 10 mm to 50 mm larger than the diameter of the surface plate. The size of the surface plate is selected to have an arbitrary outer diameter depending on the size of the material to be polished or the number of pieces to be polished simultaneously. And, the diameter (maximum diameter) of the polishing pad is often set in the range of 100 mm to 2,000 mm.
(A－2) 연마층(A-2) Polishing layer
연마층은 그 명칭이 나타내는 바와 같이, 피연마 부재를 연마하기 위한 층이다. 연마층은 공급된 연마 슬러리를 적절히 유지하여, 피연마 부재 표면을 연마한다. 본 발명의 연마층은 종래부터 있는 일반적인 연마 패드에 적용되는 연마포를 적용할 수 있다. 예를 들면, 나일론, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등으로 형성된 부직포, 발포 성형체 등을 적용할 수 있다. 또한, 그 표면(연마면)의 형상은 평탄한 것에 한정되지 않고, 연마제를 유지하기 위한 홈 등을 적당히 형성해도 된다. 연마층이 되는 연마포의 두께는 0.5∼3 ㎜의 것이 바람직하다. As its name indicates, the polishing layer is a layer for polishing the member to be polished. The polishing layer appropriately holds the supplied polishing slurry and polishes the surface of the member to be polished. The polishing layer of the present invention can be applied to a polishing cloth that has been applied to conventional conventional polishing pads. For example, non-woven fabrics, foam molded articles, etc. made of nylon, polyurethane, polyethylene terephthalate, etc. can be applied. In addition, the shape of the surface (polishing surface) is not limited to being flat, and grooves for holding the abrasive may be formed as appropriate. The thickness of the polishing cloth used as the polishing layer is preferably 0.5 to 3 mm.
연마층은 기재에 강고하게 접합되어 있는 것이 바람직하다. 연마층과 기재의 접합방법은 공지의 방법을 채용할 수 있고, 예를 들면 접착제나 점착제 등으로 접합하는 것이 바람직하다. It is preferable that the polishing layer is firmly bonded to the substrate. A known method can be used to bond the polishing layer and the substrate, and for example, it is preferable to bond them with an adhesive or adhesive.
(A－3) 흡착층(A-3) Adsorption layer
흡착층은 그 구성재료에 유래하는 흡착작용에 의해, 연마 패드를 정반에 고정하기 위한 부재이다. 지금까지 기술한 바와 같이, 흡착층은 실리콘 조성물로 구성되어 있어, 기본적으로, 상기한 본 발명자들에 의한 종래의 연마 패드(특허문헌 1, 2)에서 적용되는 것과 동일하다. 즉, 흡착층을 구성하는 실리콘 조성물은 양쪽 말단에만 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 양쪽 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 말단에만 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 및 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘을 가교시켜서 이루어지는 조성물이다. The adsorption layer is a member for fixing the polishing pad to the surface through an adsorption effect derived from its constituent materials. As described so far, the adsorption layer is composed of a silicone composition, and is basically the same as that applied in the conventional polishing pad by the present inventors (Patent Documents 1 and 2). That is, the silicone composition constituting the adsorption layer is a silicone made of linear polyorganosiloxane having vinyl groups only at both ends, a silicone made of linear polyorganosiloxane having vinyl groups at both ends and side chains, and silicone having vinyl groups only at the ends. It is a composition obtained by crosslinking at least one type of silicone selected from silicones made of ground polyorganosiloxanes and silicones made of branched polyorganosiloxanes having vinyl groups at terminals and side chains.
상기 실리콘의 구체적인 예로서는, 직쇄상 폴리오르가노실록산의 예로서 화학식 1의 화합물을 들 수 있다. 또한, 분지상 폴리오르가노실록산의 예로서 화학식 2의 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the silicone include the compound of Formula 1 as an example of a linear polyorganosiloxane. Additionally, examples of branched polyorganosiloxanes include compounds of formula (2).
화학식 1, 화학식 2에 있어서 치환기(R)의 구체적인 예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, 또는 이들 기의 탄소원자에 결합한 수소원자의 일부 또는 전부를 할로겐원자, 시아노기 등으로 치환한 동종 또는 이종의 비치환 또는 치환의 지방족 불포화기를 제외한 1가 탄화수소기를 들 수 있다. 바람직하게는 그의 적어도 50 몰%가 메틸기인 것이다. 치환기는 이종이어도 동종이어도 된다. 또한, 이 폴리실록산은 단독이어도 2종 이상의 혼합물이어도 된다. Specific examples of the substituent (R) in Formulas 1 and 2 include alkyl groups such as methyl, ethyl, and propyl groups, aryl groups such as phenyl and tolyl groups, or some or all of the hydrogen atoms bonded to the carbon atoms of these groups as halogen atoms. , monovalent hydrocarbon groups excluding unsubstituted or substituted aliphatic unsaturated groups of the same or different species substituted with cyano groups, etc. Preferably, at least 50 mol% thereof are methyl groups. The substituent may be of a different type or the same type. Additionally, this polysiloxane may be used alone or in a mixture of two or more types.
흡착층을 구성하는 실리콘은 수 평균 분자량이 30,000∼100,000인 것이 적합한 흡착작용을 갖는다. 단, 표면 거칠기의 조정에 있어서는, 적용하는 실리콘의 수 평균 분자량과 제조 단계에 있어서의 소성온도가 영향을 미친다. 적합한 표면 거칠기를 용이하게 발휘시키기 위해 실리콘의 수 평균 분자량은 30,000∼60,000의 것이 바람직하다. The silicon constituting the adsorption layer has a suitable adsorption effect when the number average molecular weight is 30,000 to 100,000. However, in adjusting the surface roughness, the number average molecular weight of the silicon to be applied and the firing temperature in the manufacturing step have an influence. In order to easily achieve appropriate surface roughness, the number average molecular weight of silicon is preferably 30,000 to 60,000.
흡착층의 두께는 20∼50 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기재의 두께는 50∼200 ㎛로 하는 것이 바람직하다. 기재와 흡착층은 밀착 접합되어 있는 것이 바람직하다. The thickness of the adsorption layer is preferably 20 to 50 ㎛. Additionally, the thickness of the base material is preferably 50 to 200 μm. It is preferable that the substrate and the adsorption layer are in close contact with each other.
흡착층은 기재에 전술한 실리콘 성분을 함유하는 도공액을 도포하여 소성함으로써 형성할 수 있다. 소성에 의해 폴리오르가노실록산의 가교반응이 진행되어, 기재에 밀착된 상태로 흡착층이 형성된다. 사용하는 도공액은 상기한 직쇄상, 분지상 폴리오르가노실록산 화합물과 가교제를 포함한다. 가교제는 공지의 것이면 되는데, 예를 들면, 오르가노하이드로젠폴리실록산을 들 수 있다. 오르가노하이드로젠폴리실록산은 1분자 중에 규소원자에 결합한 수소원자를 3개 이상 갖는 것인데, 실용상 분자 중에 2개의 ≡SiH 결합을 갖는 것을 그 전량의 50 중량%까지로 하고, 잔여를 분자 중에 3개 이상의 SiH 결합을 포함하는 것으로 하는 것이 바람직하다. 도공액은 가교반응에서 사용하는 백금계 촉매를 포함하고 있어도 된다. 도공액은 무용제형, 용제형, 에멀션형 중 어느 형태여도 된다. 도공액 도포 후의 소성은 120∼180℃에서 60∼150초 가열하는 것이 바람직하다. The adsorption layer can be formed by applying a coating solution containing the above-described silicone component to a substrate and baking it. By firing, the crosslinking reaction of the polyorganosiloxane progresses, and an adsorption layer is formed in close contact with the substrate. The coating solution to be used contains the above-described linear and branched polyorganosiloxane compounds and a crosslinking agent. The crosslinking agent may be any known one, for example, organohydrogenpolysiloxane. Organohydrogen polysiloxane has three or more hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule. For practical purposes, up to 50% by weight of the total amount has two ≡SiH bonds in the molecule, and the remainder consists of three hydrogen atoms in the molecule. It is preferable to include the above SiH bond. The coating liquid may contain a platinum-based catalyst used in the crosslinking reaction. The coating liquid may be of a non-solvent type, a solvent type, or an emulsion type. Baking after application of the coating solution is preferably performed by heating at 120 to 180°C for 60 to 150 seconds.
(A－4) 링형상의 실드 부재(A-4) Ring-shaped shield member
지금까지 기술한 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 흡착층의 면 상에 연마 패드의 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 실드 부재는 연마작업 중에 공급되는 연마 슬러리를 연마 패드의 바깥둘레 부분에서 막아, 연마 슬러리가 흡착층과 정반의 계면에 침입하지 않도록 하기 위한 부재이다. As described so far, the polishing pad of the present invention is characterized by having a ring-shaped shield member along the outer circumference of the polishing pad on the surface of the adsorption layer. This shield member is a member that blocks the polishing slurry supplied during polishing work from the outer circumference of the polishing pad and prevents the polishing slurry from infiltrating the interface between the adsorption layer and the surface plate.
실드 부재는 일정 폭과 두께가 있는 링형상을 갖는다. 그 수직방향의 단면 형상은 직사각형을 기본으로 하는데(도 3(a)), 하단부의 한쪽 또는 양쪽이 모따기된 형상으로 해도 된다(도 3(b)∼(d)). 모서리를 모따기하여 경사를 형성함으로써, 연마 슬러리의 실드 부재으로부터의 끊김이 좋아진다. 실드 부재 하단부의 모따기는, 직선상의 경사(테이퍼)여도 되고(도 3(b), (d)), 곡선상의 경사(아르)여도 된다(도 3(c)). 또한, 단면 형상에 있어서 바깥쪽 또는 안쪽(정반 측)의 한쪽 단부가 모따기되어 있어도 되지만, 양쪽 단부가 모따기되어 있어도 된다. The shield member has a ring shape with a certain width and thickness. The vertical cross-sectional shape is based on a rectangle (Figure 3(a)), but one or both sides of the lower end may be chamfered (Figures 3(b) to (d)). By chamfering the edges to form a slope, the breakage of the polishing slurry from the shield member is improved. The chamfer at the lower end of the shield member may be a straight slope (taper) (FIG. 3(b), (d)) or a curved slope (are) (FIG. 3(c)). In addition, in terms of the cross-sectional shape, either the outer or inner (surface plate side) end may be chamfered, or both ends may be chamfered.
링형상 실드 부재의 폭은 5 ㎜ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 연마 슬러리를 막아 정반에 도달시키지 않도록 하기 위해서는, 어느 정도의 폭이 필요하기 때문이다. 또한, 링형상 실드 부재의 안지름은 정반의 바깥지름 이상으로 할 필요가 있다. 연마 패드는 흡착층과 정반을 밀착시켜서 사용하는 것이기 때문에, 따라서, 링형상 실드 부재의 폭은 연마 패드의 반지름과 정반의 반지름의 차 이하로 할 필요가 있다. 후술하는 바와 같이, 연마 패드의 지름과 정반의 반지름의 차는 50 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하기 때문에, 링형상 실드 부재의 폭은 25 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 링형상 실드 부재의 내면은 정반 측면과 밀착하도록 되어 있어도 된다. 또한, 밀착하지 않고, 링형상 실드 부재의 내면과 정반의 측면 사이에 극간이 생겨 있어도 된다. The width of the ring-shaped shield member is preferably 5 mm or more. This is because a certain width is required to block the polishing slurry and prevent it from reaching the polishing plate. Additionally, the inner diameter of the ring-shaped shield member needs to be greater than or equal to the outer diameter of the surface plate. Since the polishing pad is used by bringing the adsorption layer and the surface plate into close contact, the width of the ring-shaped shield member needs to be less than or equal to the difference between the radius of the polishing pad and the radius of the surface plate. As will be described later, the difference between the diameter of the polishing pad and the radius of the surface is preferably 50 mm or less, so the width of the ring-shaped shield member is preferably 25 mm or less. Additionally, the inner surface of the ring-shaped shield member may be in close contact with the side surface of the surface plate. Additionally, there may be a gap between the inner surface of the ring-shaped shield member and the side surface of the surface plate without close contact.
그리고, 링형상 실드 부재의 두께(높이)에 대해서는, 10 ㎜∼50 ㎜로 하는 것이 바람직하다. 연마 슬러리를 막아 정반에 도달하지 않도록 하기 위해서는, 적당한 높이가 필요하기 때문이다. And, regarding the thickness (height) of the ring-shaped shield member, it is preferable to set it to 10 mm to 50 mm. This is because an appropriate height is required to block the polishing slurry and prevent it from reaching the polishing plate.
다음으로, 링형상 실드 부재의 구성재료에 대해서 설명한다. 본 발명의 링형상 실드 부재는 연마면의 표면에서 퍼진 연마 슬러리가 연마 패드 이면 측의 정반까지 도달하지 않도록 막는 부재이다. 이 기능을 고려하면, 실드 부재의 재질로서, 흡액성을 갖는 것을 적용할 수 있다. 수흡수성을 갖는 링형상 실드 부재가 연마 슬러리를 흡수함으로써, 연마 슬러리의 정반으로의 도달을 유효하게 저지할 수 있는 경우가 있다. Next, the constituent materials of the ring-shaped shield member will be explained. The ring-shaped shield member of the present invention is a member that prevents the polishing slurry spread from the surface of the polishing surface from reaching the surface on the back side of the polishing pad. Taking this function into consideration, a material having liquid-absorbing properties can be used as the material of the shield member. There are cases where a ring-shaped shield member having water absorption absorbs the polishing slurry, thereby effectively preventing the polishing slurry from reaching the surface.
그러나, 이 실드 부재의 수흡수성이 지나치게 높으면, 과도하게 습윤 상태가 된 실드 부재로부터 스며 나온 슬러리가 정반의 극간에 흡수될 우려가 있다. 또한, 연마 슬러리를 다량으로 흡수함으로써, 링형상 실드 부재의 중량이 증대되어, 연마 패드의 회전 상태에 영향을 미칠 가능성이 있다. 따라서, 링형상 실드 부재에 수흡수성을 구비시키는 경우에는, 적당한 수흡수성으로 하는 것이 요구된다. 구체적으로는, 실링 부재는 온도 20℃의 물에 1시간 침지했을 때의 질량 증가율(1시간 수흡수율)이 60% 중량 이하인 것이 바람직하다. However, if the water absorbency of this shield member is too high, there is a risk that the slurry seeping from the excessively wet shield member may be absorbed into the gaps between the surface plates. Additionally, by absorbing a large amount of polishing slurry, the weight of the ring-shaped shield member increases, which may affect the rotational state of the polishing pad. Therefore, when equipping the ring-shaped shield member with water absorption, it is required to have appropriate water absorption. Specifically, it is preferable that the mass increase rate (1-hour water absorption rate) of the sealing member when immersed in water at a temperature of 20°C for 1 hour is 60% by weight or less.
단, 링형상의 실드 부재에 있어서, 수흡수성은 필수 기능은 아니다. 실드 부재의 형상이나 치수를 상기와 같이 적절하게 함으로써, 효과적으로 연마 슬러리를 비산시킬 수 있어, 목적은 달성되기 때문이다. 연마 슬러리를 흡수하는 것에 따른 질량 증가를 고려하면, 실드 부재에 수흡수성을 구비시키지 않는 편이 좋은 경우도 있다. 따라서, 수흡수성이 없는 재료 또는 수흡수성이 낮은 재료로 링형상의 실드 부재를 구성하는 것도 가능하다. 이 경우, 실드 부재의 1시간 수흡수율을 0%∼1% 이하로 할 수 있다. However, in the ring-shaped shield member, water absorption is not an essential function. This is because by appropriately adjusting the shape and size of the shield member as described above, the polishing slurry can be effectively dispersed, and the purpose is achieved. Considering the increase in mass caused by absorbing the polishing slurry, there are cases where it is better not to provide the shield member with water absorption properties. Therefore, it is also possible to construct the ring-shaped shield member from a material without water absorption or a material with low water absorption. In this case, the 1-hour water absorption rate of the shield member can be set to 0% to 1% or less.
링형상 실드 부재의 구성재료로서는 셀룰로오스, 고무(부타디엔 고무, 클로로프렌 고무 등), 비닐계 수지(폴리비닐알코올(PVA), 에틸렌－초산비닐(EVA), 염화비닐(PVC) 등), 스티렌계 수지(폴리스티렌(PS) 등), 폴리카보네이트(PC), 불소 수지(테플론(등록상표)：PTFE 등), 폴리우레탄(PU)을 적용할 수 있다. 이들 재료로 이루어지고, 섬유·부직포·발포체·다공질체·벌크체(치밀체)의 형태의 구조를 갖는 실드 부재를 적용할 수 있다. Component materials of the ring-shaped shield member include cellulose, rubber (butadiene rubber, chloroprene rubber, etc.), vinyl resin (polyvinyl alcohol (PVA), ethylene-vinyl acetate (EVA), vinyl chloride (PVC), etc.), and styrene resin. (polystyrene (PS), etc.), polycarbonate (PC), fluorine resin (Teflon (registered trademark): PTFE, etc.), and polyurethane (PU) can be applied. A shield member made of these materials and having a structure in the form of fiber, nonwoven fabric, foam, porous material, or bulk material (dense material) can be applied.
링형상 실드 부재는 흡착층에 강고하게 접합되어 있는 것이 바람직하다. 연마 슬러리가 링형상 실드 부재와 흡착층의 계면에 침입하면, 실드 부재의 박리가 생길 우려가 있기 때문이다. 따라서, 연마층과 기재의 접합이나 기재와 흡착층의 접합의 경우와 마찬가지로, 접착제나 점착재 등으로 실드 부재를 흡착층에 접합하는 것이 바람직하다. It is preferable that the ring-shaped shield member is firmly bonded to the adsorption layer. This is because if the polishing slurry penetrates the interface between the ring-shaped shield member and the adsorption layer, there is a risk that peeling of the shield member may occur. Therefore, as in the case of bonding the polishing layer and the substrate or bonding the substrate and the adsorption layer, it is preferable to bond the shield member to the adsorption layer with an adhesive or adhesive material.
또한, 실드 부재의 표면에 흡착층과 동일한 실리콘 조성물로 이루어지는 흡착층을 형성하고, 연마 패드의 흡착층과 접합해도 된다. 본 발명에서 사용되는 실리콘 조성물은 동종의 재료 간에서는 강력한 접합력을 발휘한다. 이때, 수평방향뿐 아니라 수직방향에서도 강고하게 접합된다. 이러한 흡착층끼리의 접합이라면 연마 슬러리의 침입은 없어, 실드 부재의 박리를 방지할 수 있다. Additionally, an adsorption layer made of the same silicone composition as the adsorption layer may be formed on the surface of the shield member and bonded to the adsorption layer of the polishing pad. The silicone composition used in the present invention exhibits strong adhesion between materials of the same type. At this time, it is firmly joined not only in the horizontal direction but also in the vertical direction. If the adsorption layers are bonded to each other in this way, there is no penetration of the polishing slurry, and peeling of the shield member can be prevented.
(B) 본 발명의 연마 패드를 사용한 연마방법(B) Polishing method using the polishing pad of the present invention
다음으로, 본 발명의 연마 패드를 적용하는 연마방법에 대해서 설명한다. 본 발명의 연마방법은 종래의 흡착층을 갖는 연마 패드에 의한 것과 기본적인 공정은 공통된다. 즉, 연마 패드를 정반에 흡착 고정하고, 연마 슬러리를 공급하면서 연마 패드를 회전시키는 동시에, 연마 패드에 피연마 부재를 눌러 연마작업을 행한다. 연마 패드의 고정은 정반에 연마 패드를 올려놓고, 연마 패드를 연마층 측으로부터 정반방향으로 누름으로써 완료한다. 이때, 엄밀하게 전면을 균등한 힘으로 누를 필요도 없고, 연마층의 표면을 어루만지듯이 하여 누름으로써 흡착층의 흡착작용은 발휘할 수 있다. Next, a polishing method using the polishing pad of the present invention will be described. The polishing method of the present invention has a basic process in common with that of a polishing pad having a conventional adsorption layer. That is, the polishing pad is adsorbed and fixed to the surface plate, the polishing pad is rotated while supplying the polishing slurry, and the member to be polished is pressed against the polishing pad to perform the polishing operation. Fixation of the polishing pad is completed by placing the polishing pad on the surface and pressing the polishing pad in the direction from the polishing layer side to the surface. At this time, there is no need to strictly press the entire surface with equal force, and the adsorption effect of the adsorption layer can be exerted by pressing the surface of the polishing layer as if caressing it.
본 발명의 연마방법에 있어서는, 사용하는 연마 패드의 사이즈 선정에 있어서 특색이 있다. 본 발명에서는, 정반의 지름(바깥지름)보다 큰 지름의 연마 패드가 사용된다. 본 발명의 연마 패드는 흡착층에 연마 패드 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 접합하고 있기 때문에, 그 폭에 상당하는 길이 이상으로 정반보다도 큰 지름으로 할 필요가 있다. 연마 패드의 지름과 정반 지름의 차는 10 ㎜ 이상 50 ㎜ 이하로 하는 것이 바람직하다. 전술한 실드 부재의 폭의 적합한 값(5 ㎜)을 고려하는 것이다. 또한, 연마 패드가 정반보다도 지나치게 크면, 회전 동작이 불안정해져, 연마 패드 표면에 일그러짐이나 구불구불함이 발생할 우려가 있기 때문이다. The polishing method of the present invention has a unique feature in selecting the size of the polishing pad to be used. In the present invention, a polishing pad with a diameter larger than the diameter (outer diameter) of the surface plate is used. Since the polishing pad of the present invention bonds a ring-shaped shield member along the outer circumference of the polishing pad to the adsorption layer, it is necessary to have a diameter larger than the surface plate and a length corresponding to the width. It is desirable that the difference between the diameter of the polishing pad and the diameter of the polishing plate is 10 mm or more and 50 mm or less. An appropriate value (5 mm) of the width of the above-described shield member is taken into consideration. Additionally, if the polishing pad is too large than the surface plate, the rotational motion may become unstable, and there is a risk that distortion or waviness may occur on the surface of the polishing pad.
또한, 상기와 같이, 연마 패드를 정반에 고정했을 때, 연마 패드의 링형상 실드 부재의 측면과 상기 정반의 측면이 접촉·밀착되어 있어도 되고, 간격을 떨어뜨리고 있어도 된다. In addition, as described above, when the polishing pad is fixed to the surface plate, the side surface of the ring-shaped shield member of the polishing pad and the side surface of the surface plate may be in contact or close contact, or may be spaced apart from each other.
상기한 연마 패드의 선정에 유의하면서, 정반에 흡착 고정한 후에는 통상의 연마작업을 행할 수 있다. 본 발명에 있어서, 대상이 되는 피연마 부재의 재질이나 형상·치수에 제한은 전혀 없다. After adsorbing and fixing the polishing pad on the surface, paying attention to the selection of the polishing pad described above, normal polishing work can be performed. In the present invention, there are no restrictions at all on the material, shape, or dimensions of the target member to be polished.
연마작업 중에는 연마 슬러리를 피연마 부재와 연마 패드 사이에 공급한다. 이 연마작업 시에 공급되는 연마 슬러리의 구성(연마 지립의 재질·입경, 용매의 종류, 슬러리 농도 등)이나 첨가제(계면활성제, 증점제 등)의 유무·종류에는 제한은 없다. 단, 본 발명은 점성이 낮은 연마 슬러리를 적용하는 연마작업에 대해 특히 유용하다. 점성이 낮은 연마 슬러리는 흡착층과 정반의 접합 계면에 침입하기 쉽기 때문이다. 본 발명이 효과적인 연마 슬러리는 20℃에 있어서의 점도가 10 mPa·s 이하인 연마 슬러리이다. 또한, 3 mPa·s 이하의 연마 슬러리에도 효과적이며, 1.5 mPa·s 이하의 연마 슬러리에 대해서도 유용하다. 0.01 mPa·s의 저점도의 슬러리라도, 연마 패드의 박리가 발생하기 어려워져 있다. During the polishing operation, a polishing slurry is supplied between the member to be polished and the polishing pad. There are no restrictions on the composition of the polishing slurry supplied during this polishing operation (material/particle size of polishing grains, type of solvent, slurry concentration, etc.) or the presence/type of additives (surfactant, thickener, etc.). However, the present invention is particularly useful for polishing operations using a low viscosity polishing slurry. This is because polishing slurry with low viscosity easily penetrates the bonding interface between the adsorption layer and the surface plate. A polishing slurry for which the present invention is effective is a polishing slurry with a viscosity of 10 mPa·s or less at 20°C. Additionally, it is effective for polishing slurries of 3 mPa·s or less, and is also useful for polishing slurries of 1.5 mPa·s or less. Even with a slurry with a low viscosity of 0.01 mPa·s, peeling of the polishing pad is unlikely to occur.
피연마 부재를 순차 연마하고, 연마 패드에 소모가 보였을 때는, 교환을 행한다. 이때, 종래와 마찬가지로, 연마 패드와 위쪽으로 위치를 어긋나게 하여 계면에 에어를 넣으면 용이하게 연마 패드의 고정을 해제할 수 있다. 그리고, 동일한 구성의 새로운 연마 패드를 정반에 고정하여 연마작업을 계속한다. The members to be polished are sequentially polished, and when the polishing pad shows wear, it is replaced. At this time, as in the past, the fixation of the polishing pad can be easily released by shifting the position upward from the polishing pad and injecting air into the interface. Then, a new polishing pad of the same configuration is fixed to the polishing plate and the polishing work continues.
본 발명의 연마 패드는 소정의 실리콘 조성물로 이루어지는 흡착층을 갖고, 이 흡착층 표면에 링형상의 실드 부재를 구비한다. 본 발명에 의하면, 흡착층과 정반 사이로의 연마 슬러리의 침입에 의한 연마 패드의 위치 어긋남이나 박리가 방지된다. 이로써 장시간의 연마작업에 있어서도, 연마 패드의 문제에 의한 중단이 없는 효율적인 작업이 가능해진다. 또한, 본 발명에 있어서는 흡착층 본래의 기능은 보장되어 있고, 연마 패드의 교환, 고정작업의 작업성도 양호하다. The polishing pad of the present invention has an adsorption layer made of a predetermined silicone composition, and a ring-shaped shield member is provided on the surface of this adsorption layer. According to the present invention, misalignment or peeling of the polishing pad due to intrusion of the polishing slurry between the adsorption layer and the surface plate is prevented. This enables efficient work without interruption due to problems with the polishing pad, even during long-duration polishing work. In addition, in the present invention, the original function of the adsorption layer is guaranteed, and the workability of replacing and fixing the polishing pad is also good.
도 1은 본 발명의 연마 패드의 정반으로의 고정 상태를 설명하는 도면이다.
도 2는 본 발명에 의해 연마작업을 행하였을 때의 연마 슬러리의 거동을 설명하는 도면이다.
도 3은 링형상 실드 부재의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 실시형태에서 제조한 연마 패드의 외관과 단면 구성을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 실시형태에서 사용한 연마장치의 개략도이다.
도 6은 흡착층을 구비하는 연마 패드의 구성을 설명하는 도면이다. 1 is a diagram illustrating the state of fixing the polishing pad of the present invention to a surface plate.
Figure 2 is a diagram explaining the behavior of the polishing slurry when polishing is performed according to the present invention.
Fig. 3 is a diagram showing an example of the cross-sectional shape of a ring-shaped shield member.
Figure 4 is a diagram explaining the appearance and cross-sectional structure of the polishing pad manufactured in this embodiment.
Fig. 5 is a schematic diagram of the polishing device used in this embodiment.
FIG. 6 is a diagram explaining the configuration of a polishing pad including an adsorption layer.
아래에 본 발명의 적합한 실시형태를 설명한다. 본 실시형태에서는 종래의 흡착층을 구비하는 연마 패드에 링형상의 실드 부재를 접합한 연마 패드를 제조하여, 실리콘 웨이퍼의 연마작업을 행하였다. Below, preferred embodiments of the present invention are described. In this embodiment, a polishing pad was manufactured in which a ring-shaped shield member was bonded to a conventional polishing pad with an adsorption layer, and a silicon wafer was polished.
도 4는 본 실시형태에서 제조한 연마 패드의 외관을 나타내는 도면이다. 본 실시형태에서 제조한 연마 패드는 원형상의 시트로, 표면에 연마층을, 이면에 흡착층을 갖는다. 연마층 및 흡착층은 기재에 의해 지지되어 있다. 그리고, 흡착층 위에는 연마 패드(흡착층)의 바깥둘레를 따른 링형상의 실드 부재를 구비한다. Fig. 4 is a diagram showing the appearance of the polishing pad manufactured in this embodiment. The polishing pad manufactured in this embodiment is a circular sheet, and has a polishing layer on the front and an adsorption layer on the back. The polishing layer and the adsorption layer are supported by the substrate. Additionally, a ring-shaped shield member is provided on the adsorption layer along the outer circumference of the polishing pad (adsorption layer).
여기서, 본 실시형태의 연마 패드의 각 구성 부재와 제조 공정에 대해서 설명한다. 먼저, 기재는 수지재료인 PET로 이루어지는 원형 시트(두께 50 ㎛, 바깥지름 850 ㎜)이다. 이 기재의 한쪽 면(이면)에 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘 성분을 함유하는 도공액을 도포하여 흡착층을 형성한다. 도공액은 양쪽 말단에만 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘(분자량 30,000) 100 중량부에 가교제 0.6 중량부, 백금 촉매 2 중량부를 포함하는 무용제형 실리콘액이다. 이 도공액을 기재에 도포한 후, 150∼160℃에서 100초간 소성하여 실리콘을 가교시켜서 흡착층을 형성하였다. 가교 후의 흡착층의 두께는 30 ㎛였다. Here, each constituent member and manufacturing process of the polishing pad of this embodiment will be described. First, the base material is a circular sheet (thickness 50 ㎛, outer diameter 850 mm) made of PET, a resin material. An adsorption layer is formed by applying a coating liquid containing a silicone component made of polyorganosiloxane to one side (back side) of this substrate. The coating solution is a solvent-free silicone solution containing 100 parts by weight of silicone (molecular weight 30,000) made of linear polyorganosiloxane having vinyl groups only at both ends, 0.6 parts by weight of a crosslinking agent, and 2 parts by weight of a platinum catalyst. After applying this coating solution to the substrate, it was baked at 150 to 160°C for 100 seconds to crosslink the silicon and form an adsorption layer. The thickness of the adsorption layer after crosslinking was 30 μm.
기재의 다른 쪽 면에 형성되는 연마층은 스웨이드조 범용 타입의 에스테르계 연마포(모델 7355－000FE)로, 내프 길이 450 ㎛의 원형의 연마포(두께 1.37 ㎜)이다. 본 실시형태에서는, 상기에서 흡착층을 형성한 기재의 다른 쪽 면에 연마층을 아크릴계 접착제로 접착하였다. The polishing layer formed on the other side of the substrate is a suede general-purpose type ester-based polishing cloth (model 7355-000FE), which is a circular polishing cloth (thickness 1.37 mm) with a naph length of 450 μm. In this embodiment, the polishing layer was adhered to the other side of the substrate on which the adsorption layer was formed using an acrylic adhesive.
그리고, 링형상의 실드 부재는 재질이 셀룰로오스계 부직포(수흡수율 30%)로 이루어진다. 실드 부재의 치수는 바깥지름 850 ㎜이고 안지름 800 ㎜(폭 25 ㎜)이며, 두께가 10 ㎜이다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 연마 패드의 지름과, 링형상 실드 부재의 안지름에 대해서는, 후술하는 연마시험에서 사용하는 연마장치의 정반의 바깥지름 치수를 고려하여 설정되어 있다. 즉, 정반의 바깥지름 800 ㎜에 대해, 이보다 50 ㎜ 큰 지름이 되는 연마 패드를 설정하는 동시에, 링형상 실드 부재의 안지름은 정반의 바깥지름과 대략 동일하게 설정하였다. 그리고, 본 실시형태에서는, 이 링형상 실드 부재를 아크릴계 접착제로 흡착층에 접착하였다. 이로써, 본 실시형태의 연마 패드로 하였다.And, the ring-shaped shield member is made of cellulose-based nonwoven fabric (water absorption rate 30%). The dimensions of the shield member are an outer diameter of 850 mm, an inner diameter of 800 mm (width 25 mm), and a thickness of 10 mm. In addition, the diameter of the polishing pad and the inner diameter of the ring-shaped shield member in this embodiment are set in consideration of the outer diameter size of the surface plate of the polishing apparatus used in the polishing test described later. That is, for the outer diameter of the surface plate of 800 mm, a polishing pad with a diameter 50 mm larger was set, and the inner diameter of the ring-shaped shield member was set to be approximately equal to the outer diameter of the surface plate. And in this embodiment, this ring-shaped shield member was adhered to the adsorption layer with an acrylic adhesive. As a result, the polishing pad of this embodiment was obtained.
다음으로, 본 실시형태의 연마 패드를 사용하여 연마시험을 행하였다. 이 연마시험은 도 5에 나타내는 연마장치의 정반(바깥지름 800 ㎜, SUS 제조)에 본 실시형태의 연마 패드를 장착하고, 피연마 부재로서 실리콘 웨이퍼(φ8인치)를 연마하였다. 연마 패드의 장착 시에는 링형상의 실드 부재를 정반에 끼워넣고 연마층 위쪽에서 가압하였다. 그리고, 피연마 부재인 실리콘 웨이퍼를 연마층 상에서 누르면서 회전시키고, 동시에 연마 슬러리를 연마층에 적하(유량 150 ㎖／min)해서 연마작업을 행하였다. Next, a polishing test was conducted using the polishing pad of this embodiment. In this polishing test, the polishing pad of this embodiment was mounted on the surface of the polishing device shown in FIG. 5 (outer diameter 800 mm, manufactured by SUS), and a silicon wafer (8 inches) was polished as a member to be polished. When installing the polishing pad, a ring-shaped shield member was inserted into the polishing plate and pressed from above the polishing layer. Then, the silicon wafer, which was a member to be polished, was pressed and rotated on the polishing layer, and at the same time, polishing slurry was dropped onto the polishing layer (flow rate: 150 mL/min) to perform polishing.
연마 슬러리는 연마 입자로서 콜로이달 실리카를 포함하는 시판의 연마제(상품명 Glanzox, 주식회사 후지미 인코포레이티드 제조)를 순수와 계면활성제로 희석한 것을 사용하였다(연마제：순수：계면활성제＝70：25：5). 이 연마 슬러리는 점도 0.7 mPa·s였다. The polishing slurry used was a commercially available abrasive containing colloidal silica as abrasive particles (brand name: Glanzox, manufactured by Fujimi Inc.) diluted with pure water and a surfactant (abrasive: pure: surfactant = 70:25). 5). This polishing slurry had a viscosity of 0.7 mPa·s.
그밖의 연마 조건은 아래와 같이 하였다. Other polishing conditions were as follows.
·연마 압력：0.163 kgf／㎠·Polishing pressure: 0.163 kgf/㎠
·연마 패드의 회전 속도：45 rpm· Rotation speed of polishing pad: 45 rpm
·피연마 부재의 회전 속도：47 rpm· Rotational speed of the member to be polished: 47 rpm
·헤드의 요동 속도：250 ㎜／min·Head rotation speed: 250 mm/min
·연마 시간：60 min, 480 min· Polishing time: 60 min, 480 min
상기 각 건간 시간에서의 연마작업 후, 연마 패드와 정반의 밀착 상태를 육안으로 확인하고, 연마 패드의 위치 어긋남이나 박리 유무를 검토하였다. 그 결과, 60 min의 단시간에서의 연마에서도 480 min의 장시간의 연마에서도 연마 패드의 위치 어긋남이나 박리는 관찰되지 않았다. 또한, 연마작업 후의 웨이퍼를 순수로 세정하여 건조시킨 후, 피연마면을 관찰한 바 현저한 흠집은 전혀 관찰되지 않았다.After polishing at each of the above drying times, the state of adhesion between the polishing pad and the surface plate was visually confirmed, and the presence or absence of misalignment or peeling of the polishing pad was examined. As a result, no misalignment or peeling of the polishing pad was observed even in the short polishing time of 60 min or the long polishing time of 480 min. In addition, after the wafer after the polishing operation was washed with pure water and dried, the surface to be polished was observed and no significant scratches were observed.
비교예：본 실시형태의 연마 패드와 비교하기 위해, 흡착층을 구비하는 종래의 연마 패드(도 6)를 사용하여 연마시험을 행하였다. 이 비교예의 연마 패드는 기본적으로는 본 실시형태의 연마 패드와 동일한 구성이며, 기재의 각 면에 연마층과 흡착층을 구비한다. 연마층 및 흡착층의 구성재료와 제조 공정은 본 실시형태의 연마 패드와 동일하다. 단, 흡착층에 링형상의 실드 부재는 접합되어 있지 않다. 또한, 비교예의 연마 패드는 그 바깥지름과 정반의 바깥지름이 대략 동일하게 되어 있다. Comparative Example : In order to compare with the polishing pad of this embodiment, a polishing test was conducted using a conventional polishing pad (FIG. 6) provided with an adsorption layer. The polishing pad of this comparative example has basically the same structure as the polishing pad of this embodiment, and is provided with a polishing layer and an adsorption layer on each side of the base material. The constituent materials and manufacturing process of the polishing layer and the adsorption layer are the same as those of the polishing pad of this embodiment. However, the ring-shaped shield member is not bonded to the adsorption layer. In addition, the outer diameter of the polishing pad of the comparative example and the outer diameter of the surface plate are approximately the same.
비교예의 연마 패드를 실시형태와 동일하게 정반에 흡착 고정하고, 상기와 동일한 연마 조건에서 연마한 바, 60 min의 단시간에서의 연마에서는 연마 패드의 위치 어긋남·박리는 관찰되지 않았다. 그러나, 480 min의 장시간 연마를 행한 바, 250 min를 경과한 부근에서 연마 패드의 위치 어긋남이 발생하기 시작하여 박리의 문제가 발생하였다. 따라서, 본 발명에 있어서의 흡착층 상의 링형상 실드 부재의 효과가 확인되었다.The polishing pad of the comparative example was suction-fixed to a surface plate in the same manner as in the embodiment and polished under the same polishing conditions as above. When polishing was performed for a short period of 60 min, no misalignment or peeling of the polishing pad was observed. However, when polishing was performed for a long time of 480 min, the polishing pad began to become misaligned around 250 min, causing the problem of peeling. Therefore, the effect of the ring-shaped shield member on the adsorption layer in the present invention was confirmed.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 연마 패드는 장시간의 연마작업에 있어서도 정반으로부터의 위치 어긋남이나 박리 없이 고정 상태를 유지할 수 있다. 본 발명에 의하면, 흡착층이 갖는 편리성은 그대로, 안정한 연마작업이 가능하다. 본 발명은 대경화(大徑化), 대면적화가 진행되는 웨이퍼나 디스플레이 패널에 대해서도 고정밀도의 연마면을 형성할 수 있다.As described above, the polishing pad of the present invention can maintain a fixed state without displacement or peeling from the surface even during a long-time polishing operation. According to the present invention, stable polishing work is possible while retaining the convenience of the adsorption layer. The present invention can form a highly accurate polished surface even on wafers or display panels whose diameters and areas are becoming larger.
Claims (5)
연마작업 시, 정반에 상기 흡착층을 흡착·고정하고, 연마 슬러리를 상기 연마층 상에 공급하여 사용되는 연마 패드에 있어서,
상기 흡착층은 양쪽 말단에만 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 양쪽 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 말단에만 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘, 및 말단 및 측쇄에 비닐기를 갖는 분지상 폴리오르가노실록산으로 이루어지는 실리콘으로부터 선택되는 1종 이상의 실리콘을 가교시켜서 이루어지는 조성물로부터 이루어지고,
상기 연마 패드는 상기 정반에 대해 큰 지름이며,
상기 연마 패드에는 상기 정반보다 폭이 넓어진 부분의 흡착층 위에, 상기 흡착층과 상기 정반의 계면으로의 상기 연마 슬러리의 침입을 억제하기 위해, 연마 패드의 바깥둘레를 따른 높이를 갖는 링형상의 실드 부재를 구비하고,
상기 링형상의 실드 부재는 섬유, 고무, 비닐계 수지, 스티렌계 수지, 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리우레탄 중 어느 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마 패드. It consists of a substrate, an adsorption layer formed on one side of the substrate, and a polishing layer formed on the other side of the substrate,
In the polishing pad used by adsorbing and fixing the adsorption layer on a surface plate and supplying a polishing slurry onto the polishing layer during polishing work,
The adsorption layer is composed of silicone made of linear polyorganosiloxane having a vinyl group only at both ends, silicone made of linear polyorganosiloxane having vinyl groups at both ends and side chains, and branched polyorganosiloxane having vinyl groups only at the ends. It consists of a composition formed by crosslinking one or more types of silicones selected from silicones consisting of silicones and silicones consisting of branched polyorganosiloxanes having vinyl groups at the terminals and side chains,
The polishing pad has a large diameter relative to the surface plate,
The polishing pad includes a ring-shaped shield placed on an adsorption layer in a portion wider than the surface plate, and having a height along the outer circumference of the polishing pad to prevent the polishing slurry from entering the interface between the adsorption layer and the surface plate. Equipped with a member,
A polishing pad, wherein the ring-shaped shield member is made of any one of fiber, rubber, vinyl resin, styrene resin, polycarbonate, fluororesin, and polyurethane.
실드 부재의 단면 형상은 직사각형, 또는 하단부의 한쪽 또는 양쪽이 모따기된 직사각형인 연마 패드. According to paragraph 1,
A polishing pad in which the cross-sectional shape of the shield member is rectangular, or a rectangular shape with one or both sides of the lower end chamfered.
실드 부재는 폭 5 ㎜ 이상이고, 두께는 10 ㎜ 이상 50 ㎜ 이하인 연마 패드. According to claim 1 or 2,
A polishing pad in which the shield member has a width of 5 mm or more and a thickness of 10 mm or more and 50 mm or less.
상기 정반의 지름보다 큰 지름의 연마 패드로, 흡착층 상에 링형상의 실드 부재를 구비하는 연마 패드를 사용하며,
상기 연마 패드를 상기 정반에 흡착 고정하고,
연마 패드의 연마층에 연마 슬러리를 공급하여 연마작업을 행하는 연마방법. A polishing method in which polishing is performed using the polishing pad according to claim 1 or 2,
A polishing pad having a diameter larger than the diameter of the surface plate and having a ring-shaped shield member on the adsorption layer is used,
Adsorbing and fixing the polishing pad to the surface,
A polishing method that performs polishing by supplying polishing slurry to the polishing layer of a polishing pad.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2018-089603 | 2018-05-08 | ||
| JP2018089603A JP7026943B2 (en) | 2018-05-08 | 2018-05-08 | Polishing pad and polishing method using the polishing pad |
| PCT/JP2019/018209 WO2019216301A1 (en) | 2018-05-08 | 2019-05-07 | Polishing pad and polishing method with use of said polishing pad |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210006325A KR20210006325A (en) | 2021-01-18 |
| KR102639470B1 true KR102639470B1 (en) | 2024-02-21 |
Family
ID=68468265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207027235A Active KR102639470B1 (en) | 2018-05-08 | 2019-05-07 | Polishing pad and polishing method using the polishing pad |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7026943B2 (en) |
| KR (1) | KR102639470B1 (en) |
| CN (1) | CN111819033B (en) |
| TW (1) | TW201946725A (en) |
| WO (1) | WO2019216301A1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115397614B (en) * | 2020-03-26 | 2024-08-23 | 富士纺控股株式会社 | Polishing pad, polishing unit, polishing apparatus, and method for manufacturing polishing pad |
| JP2023181638A (en) * | 2022-06-13 | 2023-12-25 | 信越化学工業株式会社 | Substrate and its manufacturing method |
| KR102823337B1 (en) | 2022-10-11 | 2025-06-23 | 건국대학교 글로컬산학협력단 | Apparatus for preparing slightly acidic hypochlorous acid water and method for preparing slightly acidic hypochlorous acid water using the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010039167A1 (en) | 2000-04-07 | 2001-11-08 | Tokyo Electron Limited | Sample polishing apparatus and sample polishing method |
| JP2002036097A (en) * | 2000-07-18 | 2002-02-05 | Rodel Nitta Co | Polishing pad |
| US20050003738A1 (en) | 2003-05-08 | 2005-01-06 | Yanghua He | Edge-sealed pad for CMP process |
| JP2013059830A (en) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toho Engineering Kk | Polishing pad auxiliary plate having impregnation preventing structure and polishing device |
| JP2014108498A (en) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Maruishi Sangyo Kk | Polishing pad |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3175511B2 (en) * | 1994-12-26 | 2001-06-11 | 住友金属工業株式会社 | Polishing device and polishing pad attaching / detaching device |
| JP2842865B1 (en) * | 1997-08-22 | 1999-01-06 | 九州日本電気株式会社 | Polishing equipment |
| JPH11243135A (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | Vacuum suction cup |
| JP4041577B2 (en) * | 1998-03-16 | 2008-01-30 | スピードファム株式会社 | Surface plate of polishing apparatus and polishing pad attaching method |
| US6227950B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-05-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Dual purpose handoff station for workpiece polishing machine |
| US6464576B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-10-15 | Rodel Holdings Inc. | Stacked polishing pad having sealed edge |
| DE60011798T2 (en) * | 1999-09-29 | 2005-11-10 | Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc., Wilmington | GRINDING CUSHION |
| US7201647B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-04-10 | Praxair Technology, Inc. | Subpad having robust, sealed edges |
| JP2006255809A (en) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Polishing equipment |
| JP5061308B2 (en) * | 2007-01-05 | 2012-10-31 | フジコピアン株式会社 | Adhesive sheet |
| JP5310259B2 (en) | 2009-05-26 | 2013-10-09 | 信越半導体株式会社 | Polishing apparatus and workpiece polishing method |
| JP4680314B1 (en) * | 2010-02-04 | 2011-05-11 | 東邦エンジニアリング株式会社 | Auxiliary plate for polishing pad and method for regenerating polishing pad using the same |
| JP6074245B2 (en) * | 2012-12-07 | 2017-02-01 | ニッタ・ハース株式会社 | Polishing pad |
-
2018
- 2018-05-08 JP JP2018089603A patent/JP7026943B2/en active Active
-
2019
- 2019-04-19 TW TW108113809A patent/TW201946725A/en unknown
- 2019-05-07 KR KR1020207027235A patent/KR102639470B1/en active Active
- 2019-05-07 WO PCT/JP2019/018209 patent/WO2019216301A1/en active Application Filing
- 2019-05-07 CN CN201980017337.4A patent/CN111819033B/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010039167A1 (en) | 2000-04-07 | 2001-11-08 | Tokyo Electron Limited | Sample polishing apparatus and sample polishing method |
| JP2002036097A (en) * | 2000-07-18 | 2002-02-05 | Rodel Nitta Co | Polishing pad |
| US20050003738A1 (en) | 2003-05-08 | 2005-01-06 | Yanghua He | Edge-sealed pad for CMP process |
| JP2013059830A (en) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toho Engineering Kk | Polishing pad auxiliary plate having impregnation preventing structure and polishing device |
| JP2014108498A (en) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Maruishi Sangyo Kk | Polishing pad |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019195855A (en) | 2019-11-14 |
| WO2019216301A1 (en) | 2019-11-14 |
| CN111819033A (en) | 2020-10-23 |
| KR20210006325A (en) | 2021-01-18 |
| JP7026943B2 (en) | 2022-03-01 |
| TW201946725A (en) | 2019-12-16 |
| CN111819033B (en) | 2022-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102639470B1 (en) | Polishing pad and polishing method using the polishing pad | |
| TWI410299B (en) | Polishing pad, use thereof and method for making the same | |
| JP5765858B2 (en) | Polishing pad | |
| JPH09155730A (en) | Holding tool used for polishing workpiece and its manufacture | |
| JP6608239B2 (en) | Polishing pad | |
| KR20170041856A (en) | Holding pad | |
| JP3166396U (en) | Polishing pad | |
| KR102048827B1 (en) | Method for manufacturing polishing film | |
| TWI740042B (en) | Polishing method using a polishing pad having an adsorption layer | |
| KR102629759B1 (en) | Mat for polishing pad and polishing method using the mat | |
| TWI404596B (en) | Method for manufacturing polishing pad and polishing pad | |
| JP5575363B2 (en) | Polishing pad | |
| TWI356089B (en) | Carrier film for mounting polishing workpiece and | |
| TWI322061B (en) | Polishing pad, use thereof and method for making the same | |
| JP2019115966A (en) | Method for production of polishing agent, and the polishing agent | |
| JP2023133815A (en) | polishing body | |
| JP2015100888A (en) | Holding pad | |
| JP2013240867A (en) | Surface polishing plate | |
| JP2006212751A (en) | Workpiece holding material and method for manufacturing workpiece holding material |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20200922 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20211223 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20231020 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20240205 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20240219 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20240219 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |