[go: up one dir, main page]

KR102614406B1 - Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치 - Google Patents

Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102614406B1
KR102614406B1 KR1020230104644A KR20230104644A KR102614406B1 KR 102614406 B1 KR102614406 B1 KR 102614406B1 KR 1020230104644 A KR1020230104644 A KR 1020230104644A KR 20230104644 A KR20230104644 A KR 20230104644A KR 102614406 B1 KR102614406 B1 KR 102614406B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
light source
led light
sensor
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020230104644A
Other languages
English (en)
Inventor
이경남
Original Assignee
주식회사 엠텍마이크라텍글로벌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엠텍마이크라텍글로벌 filed Critical 주식회사 엠텍마이크라텍글로벌
Priority to KR1020230104644A priority Critical patent/KR102614406B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102614406B1 publication Critical patent/KR102614406B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70833Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 엣지 부분을 노광하는 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 PR(Photo Regist)을 웨이퍼에 도포한 후 웨이퍼의 엣지 부분에서 PR(Photo Regist)을 제거할 때 파장이 균일하고 LED 광원을 사용함에 따라 UV 광원 사용 시 균일하지 못한 파장에 의해 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있는 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치는, 웨이퍼가 흡착 고정되어 일정한 속도로 회전시킬 수 있는 턴테이블, 턴테이블의 일측에 구비되어 웨이퍼의 외측 둘레를 감지하여 웨이퍼의 형태에 따라 노광 위치를 설정하는 얼라인부 및 얼라인부에서 감지된 정보를 통해 웨이퍼의 외측 둘레를 노광할 수 있는 노광부를 포함함에 있어서, 얼라인부는, 웨이퍼의 외측 둘레를 감지하는 웨이퍼 감지 센서 및 웨이퍼 감지 센서의 하부에 구비되어 웨이퍼의 종류에 따라 웨이퍼 감지 센서의 위치를 조절할 수 있는 센서 위치 설정부를 포함하고, 노광부는, 웨이퍼 측으로 빛을 조사하는 LED 광원 및 LED 광원의 하부에 구비되어 얼라인부에서 감지된 웨이퍼의 형상에 따라 LED 광원의 위치를 이동시키며 웨이퍼의 에지 부분을 노광하도록 하는 광원 이동부를 포함한다.

Description

LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치{Wafer edge exposure device using LED light source}
본 발명은 웨이퍼의 엣지 부분을 노광하는 노광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 PR(Photo Regist)을 웨이퍼에 도포한 후 웨이퍼의 엣지 부분에서 PR(Photo Regist)을 제거할 때 파장이 균일하고 LED 광원을 사용함에 따라 UV 광원 사용 시 균일하지 못한 파장에 의해 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있는 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정에서 Photo 공정이란, 웨이퍼에 반도체 회로를 그리는 작업으로, 패터닝(patterning)이라고도 한다.
이는 반도체 회로를 그리기 시작하는 과정으로, 준비된 웨이퍼 위에 빛에 반응하는 감광성 고분자 물질인 PR(Photo Regist)을 코팅하고 그리고자 하는 패턴의 마스크를 올린 후 빛을 쪼이면 패턴을 제외한 부분이 제거되며 회로를 형성하게 된다.
이러한 공정에서, 파티클에 의한 오염은 전체 반도체 제조 공정에서 생산량 감소의 최대 원인 중 하나이다.
특히 파티클은 PR(Photo Regist)이 제거되면서 발생되는 파티클에 의한 오염은 상당한 수준이다.
상기와 같이 파티클은 UV 광원을 사용할 경우 파장이 불규칙하여 정밀도가 낮으며, 과도한 파티클 발생의 원인이 되고, 수명이 짧아, 장기간 사용 시 파장이 저하됨에 따라 파티클 발생률이 더욱 높아지며, 교체 주기가 짧아 생산성이 저하되는 문제가 발생하게 된다.
특히 수은 UV Lamp는 중금속 물질을 포함하고 있어, 환경 오염의 원인이 되고, 후처리 비용이 과도하게 발생하는 단점을 가지고 있다.
관련하여 선행문헌 1(공개특허 10-2021-0137178 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치)에서는 UV 광원을 사용하는 구성이 개시되어 있다.
이에 따라, 상술한 UV 광원 사용 시의 문제점인 불규칙한 파장에 의한 정밀도 저하와 파티클의 과도한 생성 및 수명이 짧아 교체에 따른 생산성이 저하되는 문제를 포함하고 있다.
선행문헌 1(공개특허 10-2021-0137178 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치)
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, UV 광원을 사용하지 않고 LED 광원을 사용함에 따라 친환경 적이고 수명이 길며, 유지 보수가 용이하도록 하고, LED 광원을 정밀하게 조절하며 웨이퍼를 노광함에 따라 파티클 발생을 최소화하고, 저전력으로 에너지를 절감할 수 있으며, 단일 스펙트럼만 조사되도록 할 수 있어서 노광 효율 및 정밀도를 높일 수 있는 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치는, 웨이퍼가 흡착 고정되어 일정한 속도로 회전시킬 수 있는 턴테이블, 상기 턴테이블의 일측에 구비되어 웨이퍼의 외측 둘레를 감지하여 웨이퍼의 형태에 따라 노광 위치를 설정하는 얼라인부 및 상기 얼라인부에서 감지된 정보를 통해 웨이퍼의 외측 둘레를 노광할 수 있는 노광부를 포함함에 있어서, 상기 얼라인부는, 웨이퍼의 외측 둘레를 감지하는 웨이퍼 감지 센서 및 상기 웨이퍼 감지 센서의 하부에 구비되어 웨이퍼의 종류에 따라 웨이퍼 감지 센서의 위치를 조절할 수 있는 센서 위치 설정부를 포함하고, 상기 노광부는, 웨이퍼 측으로 빛을 조사하는 LED 광원 및 상기 LED 광원의 하부에 구비되어 얼라인부에서 감지된 웨이퍼의 형상에 따라 LED 광원의 위치를 이동시키며 웨이퍼의 에지 부분을 노광하도록 하는 광원 이동부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 센서 위치 설정부는, 웨이퍼 감지 센서의 하부에 형성되는 센서 조절 레크 및 상기 센서 조절 레크의 상부에 상기 센서 조절 레크와 맞물리도록 구비되어 회전에 의해 상기 센서 조절 레크를 따라 이동되며 웨이퍼 감지 센서의 위치를 조절할 수 있는 센서 조절 피니언을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고 상기 광원 이동부는 상기 센서 위치 설정부와 연동되며 동작되는 것으로, 센서 위치 설정부에서 감지된 웨이퍼의 외형 정보에 따라 LED 광원을 X축 방향으로 이송시키는 X축 이송부 및 LED 광원을 Y축 방향으로 이송시키는 Y축 이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치는, LED 광원을 사용하여 균일한 파장으로 노광할 수 있고, 직진성이 우수해 노광 과정에서 발생되는 파티클을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
그리고 수은을 사용하지 않아 친환경적으로 사용할 수 있고, 전력 소모량이 적어 에너지 소비 효율이 우수하며, 운용에 소요되는 비용을 낮출 수 있는 효과가 있다.
또한, 재 점등 시간이 별도로 필요하지 않아 작업에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 높은 내구성으로 유지 보수가 용이한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치의 전체 사시도
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 턴테이블의 구성을 상세히 도시한 사시도
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 얼라인부의 구성을 상세히 도시한 사시도
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 노광부의 구성을 상세히 도시한 사시도
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 노광부에 냉각부가 구비되는 상태를 도시한 실시예도
본 발명은, 반도체 설비에서 웨이퍼의 에지 부분을 노광할 수 있는 것으로, 턴테이블에 의해 웨이퍼를 회전시키며 웨이퍼의 에지 부분에 LED 광원을 조사하여 노광함에 따라 LED 광원의 균일한 파장에 의해 파티클을 최소화하고, 전력 소모를 최소화할 수 있게 됨과 아울러 점등에 소요되는 시간을 단축하여 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 에지 노광 장치의 전체 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명은 웨이퍼(W)가 안착된 상태로 웨이퍼를 회전시킬 수 있는 턴테이블(100) 및 상기 턴테이블(100)의 일측에 구비되어 웨이퍼(W)가 안착된 위치와 웨이퍼(W)의 외형을 감지하여 노광위치를 정렬하는 얼라인부(200)를 포함하여 구성된다.
그리고 웨이퍼(W)가 회전되는 외측에서 상기 얼라인부(200)와 연동되어 얼라인부(200)에서 감지된 외형 정보에 따라 웨이퍼(W)의 에지 부분을 LED 광원(310)을 이용해 정밀하게 노광하는 노광부(300)를 포함하여 구성된다.
이로 인해, 턴테이블(100)에 웨이퍼(W)가 안착되어 고정된 상태로 회전되면서 웨이퍼(W)의 외형 정보를 얼라인부(200)가 감지하고 감지된 신호에 의해 LED 광원(310)을 웨이퍼(W)의 에지 부분으로 조사함에 따라 파티클을 최소화하며 정밀하게 노광할 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 턴테이블의 구성을 상세히 도시한 사시도이다.
도 2를 참조하면, 상기 턴테이블(100)은, 상부에 웨이퍼(W)를 공기 흡착 방식으로 고정할 수 있는 진공 척(110)이 구비되고, 하부에는 웨이퍼(W)를 일정한 속도로 회전시킬 수 있는 웨이퍼 회전부(120)가 구비된다.
여기서, 상기 진공 척(110)은 턴테이블(100)의 중앙에 관통되어 공기를 흡입함에 따라 웨이퍼가 고정되는 면을 진공 상태로 제어할 수 있는 진공홀(111)이 형성되고, 그 외측으로 웨이퍼(W)의 저면을 지지하면서 진공홀(111)의 흡착력을 적절하게 유지할 수 있는 진공 지지 돌부(112)를 포함하여 구성된다.
그리고 상기 웨이퍼 회전부(120)는 진공 척(110)의 중앙에서 하부로 연장되는 회전축의 하단에 구비되는 웨이퍼 회전 모터(121)에 의해 일정한 속도로 웨이퍼(W)를 회전시킬 수 있게 된다.
이때, 웨이퍼 회전 모터(121)는, 스텝모터나 서보모터를 사용하여 회전 속도의 제어가 용이하게 할 수 있게 됨과 아울러 노광에 필요한 적절한 회전수로 제어할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 얼라인부의 구성을 상세히 도시한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 얼라인부(200)는, 웨이퍼(W)의 외측 단부를 감지하여 웨이퍼(W)가 턴테이블(100)에 안착된 위치와 외형을 감지할 수 있는 웨이퍼 감지 센서(210) 및 상기 웨이퍼 감지 센서(210)의 위치를 웨이퍼(W)의 규격에 따라 조절할 수 있는 센서 위치 설정부(220)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 센서 위치 설정부(220)는, 하부에 턴테이블(100) 측으로 직선 방향으로 연장되며 다수개의 톱니가 형성된 센서 조절 래크(221) 및 상기 센서 조절 래크(221)와 상기 센서 조절 래크(221)와 맞물리게 설치되어 회전에 의해 웨이퍼 감지 센서(210)를 웨이퍼(W) 측으로 가까워지거나 멀어지게 조절할 수 있는 센서 조절 피니언(222)을 포함하여 구성된다.
그리고 상기 센서 조절 피니언(222)의 일측에는 웨이퍼 감지 센서(210)의 위치가 조절된 상태에서 유동되지 않도록 고정할 수 있는 센서 고정부재(223)가 구비된다.
상기 얼라인부(200)는, 노광부(300)의 광원 이동부(320)와 연동되도록 구비되어, 웨이퍼(W)의 외형에 대한 정보를 감지하여 광원 이동부(320) 측으로 전달함에 따라 광원 이동부(320)는 웨이퍼(W)의 외형을 따라 일정 구간으로만 광원을 조사하여 웨이퍼(W)의 에지 부분을 정밀하게 노광할 수 있게 된다.
이로 인해, 웨이퍼(W)의 규격에 따라 웨이퍼 감지 센서(210)의 위치를 자유롭게 조절하여 감지 위치를 간편하게 설정할 수 있게 된다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 노광부의 구성을 상세히 도시한 사시도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 노광부(300)는, 웨이퍼(W) 측으로 광원을 조사하여 노광하는 LED 광원(310)과, 상기 LED 광원(310)의 하부에 구비되어 LED 광원(310)의 위치를 이동시킬 수 있는 광원 이동부(320)를 포함하여 구성된다.
그리고 LED 광원(310)의 일측에는 LED 광원(310)의 조도를 측정할 수 있는 조도 측정 센서(330)가 구비된다.
여기서, 상기 LED 광원(310)은 웨이퍼(W)의 상부에서 웨이퍼(W) 측으로 광원이 조사되도록 LED 광원(310)을 설치할 수 있는 광원 설치 브라켓(311) 및 상기 광원 설치 브라켓(311)의 일측에 구비되어 LED 광원(310)의 상하 높이를 정밀 조절할 수 있는 광원 조절부(312)를 포함하여 구성된다.
상기 광원 조절부(312)는, 마이크로미터 구조와 동일한 구조로 적용되어 회전 조작에 의해 LED 광원(310)의 높이를 정밀 조절할 수 있는 마이크로미터 조절부(312a)와, 상기 마이크로미터 조절부(312a)에 의해 상하 방향으로 슬라이딩 이동되는 상하 슬라이딩부(312b) 및 상기 마이크로미터 조절부(312a)에 의해 상하로 슬라이딩되어 조절된 높이를 고정할 수 있는 광원 고정 볼트(312c)를 포함하여 구성된다.
이로 인해, LED 광원(310)의 높이를 정밀하게 조절하여 노광을 보다 정밀하게 수행할 수 있게 된다.
그리고 상기 광원 이동부(320)는, LED 광원(310)을 X축 방향으로 이송할 수 있는 X축 이송부(321) 및 LED 광원(310)을 Y축 방향으로 이송할 수 있는 Y축 이송부(323)를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 X축 이송부(321)는, 스크류의 회전에 의해 LED 광원(310)을 X축 방향으로 정밀하게 이동시킬 수 있도록 볼스크류(321a)와, 상기 볼스크류(321a)를 정밀 구동시킬 수 있는 X축 구동모터(321b)를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 볼스크류(321a)의 양측에는 LED 광원(310)의 X축 방향 이송을 정밀하게 안내하는 X축 가이드 레일(321c) 및 상기 X축 가이드 레일(321c)에 설치되어 X축 가이드 레일(321c)을 따라 이동되는 X축 LM 가이드(321d)를 포함하여 구성된다.
한편, 상기 볼스크류(321a)의 일측에는 LED 광원(310)이 이동되는 한계점을 감지하여 적정 한도 이상 동작되지 못하도록 제어하는 리밋트 센서(322)가 더 구비된다.
상기 리밋트 센서(322)는, LED 광원(310)의 X축 방향 이동 경로에서 어느 한쪽의 한계점을 감지하는 제1 한계점 센서(322a)와, 다른 한쪽의 한계점을 감지하는 제2 한계점 센서(322b) 및 상기 제1 한계점 센서(322a)와 제2 한계점 센서(322b)를 지나며 LED 광원(310)의 위치가 감지되도록 할 수 있는 감지 브라켓(322c)을 포함하여 구성된다.
그리고 Y축 이송부(323)는, 밸트와 풀리의 연동 구조로 LED 광원을 Y축 방향으로 정밀 이송할 수 있는 것으로, LED 광원(310)이 고정되어 이송되는 Y축 이송 밸트(323a)와, 상기 Y축 이송 밸트(323a)와 연결되는 Y축 이송 풀리(323b) 및 상기 Y축 이송 풀리(323b)가 회전되는 동력을 제공하는 Y축 이송 모터(323c)를 포함하여 구성된다.
상기 Y축 이송 모터(323c)는 스텝 모터나 서보 모터가 적용되어 전기적 제어 신호에 의해 Y축 이송부(323)의 동작을 정밀하게 제어할 수 있게 된다.
한편, LED 광원(310)은, 기존 방식인 UV램프와 비교하여 전원의 on/off 시 대기 시간을 최소화함에 따라 노광 시에만 바로 전원을 on 하여 바로 사용할 수 있게 된다.
그리고 소비전력이 낮아 에너지를 절약할 수 있으며, 중금속 물질을 포함하지 않아 친환경적으로 사용할 수 있게 된다.
또한, 기존의 UV 램프 대비 수명이 길어 장기간 사용할 수 있고, 비용 측면에서도 UV 램프에 비해 LED 램프가 저가로 형성되어 유지관리 비용을 대폭 절감할 수 있게 됨과 아울러 UV 램프 대비 고출력으로 빛을 발산할 수 있게 된다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치에서 노광부에 냉각부가 구비되는 상태를 도시한 실시예도이다.
도 6을 참조하면, 노광부(300)에는 LED 광원(310)의 발열을 냉각할 수 있는 냉각부(313)가 더 구비될 수 있다.
상기 냉각부(313)는 발열량이 많은 LED 광원(310)의 특성상 냉각을 통해 화재 및 고장을 방지할 수 있는 것으로, LED 광원(310) 측으로 송풍하는 송풍부(313a)가 구비된다.
그리고 직접적인 발열이 발생하는 광원의 바로 위쪽 부분에 발열을 빠르게 전달하여 냉각할 수 있는 서멀 그리스 충진부(313b)가 구비된다.
또한, 서멀 그리스 충진부(313b)의 위쪽으로 상기 송풍부(313a)로부터 발생되는 송풍에 의해 열교환되며 전달된 열을 빠르게 방열되도록 할 수 있는 방열핀(313c)이 구비된다.
상기 방열핀(313c)에서 송풍부(313a)의 송풍이 직접적으로 전달되지 않는 상부측 방열핀(313c)에는 송풍을 상부로 전달할 수 있는 송풍 전달홈(313d)이 양측에 형성된다.
이때, 상기 송풍 전달홈(313d)에는 송풍부(313a)에서 송풍이 전달되면 송풍의 일부를 상부로 유도할 수 있는 송풍 유도편(313e)이 구비된다.
상기 송풍 유도편(313e)은 송풍부(313a) 측으로 하향 경사지게 구비되어 송풍부(313a)의 송풍을 일부 상부로 유도하여 송풍 전달홈(313d)으로 통과시킴에 따라 송풍부(313a)의 송풍이 직접 전달되지 않는 방열핀(313c)의 상부로 송풍을 유도하여 송풍과 방열핀의 열교환을 통해 LED 광원(310)으로부터 서멀 그리스 충진부(313b)를 통해 빠르게 전달된 열을 효과적으로 방열할 수 있게 된다.
상기와 같이 이루어진 본 발명은, 웨이퍼의 에지 부분을 노광함에 있어서, LED 광원을 사용함에 따라 직진도 및 균일한 파장을 이용해 에지 부분을 정교하게 노광함에 따라 파티클 발생을 최소화할 수 있고, 웨이퍼의 안착 위치에 따라 외형을 감지하여 LED 광원이 에지 부분을 따라 이동하며 노광하도록 되어 보다 정밀한 노광이 가능하게 된다.
그리고 수은을 사용하지 않아 친환경적으로 사용할 수 있고, 전력 소모량이 적은 LED의 특성에 의해 에너지를 절감할 수 있으며, 응답 속도가 빠른 LED 광원에 의해 대기 시간을 최소화하여 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있게 된다.
W : 웨이퍼 100 : 턴테이블
110 : 진공 척 111 : 진공홀
112 : 진공 지지 돌부 120 : 웨이퍼 회전부
121 : 웨이퍼 회전 모터 200 : 얼라인부
210 : 웨이퍼 감지 센서 220 : 센서 위치 설정부
221 : 센서 조절 래크 222 : 센서 조절 피니언
223 : 센서 고정부재 300 : 노광부
310 : LED 광원 311 : 광원 설치 브라켓
312 : 광원 조절부 312a : 마이크로미터 조절부
312b : 상하 슬라이딩부 312c : 광원 고정 볼트
313 : 냉각부 313a : 송풍부
313b : 서멀 그리스 충진부 313c : 방열핀
313d : 송풍 전달홈 313e : 송풍 유도편
320 : 광원 이동부 321 : X축 이송부
321a : 볼스크류 321b : X축 구동 모터
321c : X축 가이드 레일 321d : X축 LM 가이드
322 : 리밋트 센서 322a : 제1 한계점 센서
322b : 제2 한계점 센서 322c : 감지 브라켓
323 : Y축 이송부 323a : Y축 이송 밸트
323b : Y축 이송 풀리 323c : Y축 이송 모터
330 : 조도 측정 센서

Claims (3)

  1. 웨이퍼(W)가 흡착 고정되어 일정한 속도로 회전시킬 수 있는 턴테이블(100);
    상기 턴테이블(100)의 일측에 구비되어 웨이퍼(W)의 외측 둘레를 감지하여 웨이퍼(W)의 형태에 따라 노광 위치를 설정하는 얼라인부(200); 및
    상기 얼라인부(200)에서 감지된 정보를 통해 웨이퍼(W)의 외측 둘레를 노광할 수 있는 노광부(300);를 포함함에 있어서,
    상기 얼라인부(200)는, 웨이퍼(W)의 외측 둘레를 감지하는 웨이퍼 감지 센서(210); 및 상기 웨이퍼 감지 센서(210)의 하부에 구비되어 웨이퍼(W)의 종류에 따라 웨이퍼 감지 센서(210)의 위치를 조절할 수 있는 센서 위치 설정부(220);를 포함하고,
    상기 노광부(300)는, 웨이퍼(W) 측으로 빛을 조사하는 LED 광원(310); 및 상기 LED 광원(310)의 하부에 구비되어 얼라인부(200)에서 감지된 웨이퍼(W)의 형상에 따라 LED 광원(310)의 위치를 이동시키며 웨이퍼(W)의 엣지 부분을 노광하도록 하는 광원 이동부(320);를 포함하되,
    상기 센서 위치 설정부(220)는, 웨이퍼 감지 센서(210)의 하부에 형성되는 센서 조절 래크(221) 및 상기 센서 조절 레크(221)의 상부에 상기 센서 조절 래크(221)와 맞물리도록 구비되어 회전에 의해 상기 센서 조절 래크(221)를 따라 이동되며 웨이퍼 감지 센서(210)의 위치를 조절할 수 있는 센서 조절 피니언(222)을 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 광원 이동부(320)는 상기 센서 위치 설정부(220)와 연동되며 동작되는 것으로, 센서 위치 설정부(220)에서 감지된 웨이퍼(W)의 외형 정보에 따라 LED 광원(310)을 X축 방향으로 이송시키는 X축 이송부(321) 및 LED 광원(310)을 Y축 방향으로 이송시키는 Y축 이송부(323)를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치.
KR1020230104644A 2023-08-10 2023-08-10 Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치 Active KR102614406B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230104644A KR102614406B1 (ko) 2023-08-10 2023-08-10 Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020230104644A KR102614406B1 (ko) 2023-08-10 2023-08-10 Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102614406B1 true KR102614406B1 (ko) 2023-12-15

Family

ID=89124745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230104644A Active KR102614406B1 (ko) 2023-08-10 2023-08-10 Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102614406B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000037937A (ko) * 1998-12-03 2000-07-05 윤종용 웨이퍼 엣지의 노광 장치
JP2003092243A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ushio Inc 周辺露光装置
JP2004134513A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Ushio Inc ノッチ付ウエハの周辺露光装置
KR20050028711A (ko) * 2003-09-19 2005-03-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비
KR20210137178A (ko) 2019-03-20 2021-11-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000037937A (ko) * 1998-12-03 2000-07-05 윤종용 웨이퍼 엣지의 노광 장치
JP2003092243A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ushio Inc 周辺露光装置
JP2004134513A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Ushio Inc ノッチ付ウエハの周辺露光装置
KR20050028711A (ko) * 2003-09-19 2005-03-23 삼성전자주식회사 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비
KR20210137178A (ko) 2019-03-20 2021-11-17 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101764534B1 (ko) 노광 장치, 기판 처리 장치, 기판의 노광 방법 및 기판 처리 방법
KR101217290B1 (ko) 주변 노광 장치
US10527948B2 (en) Optical processing apparatus, coating/development apparatus, optical processing method, and non-transitory computer-readable storage medium
KR102146404B1 (ko) 자외선(uv) 발광 다이오드(led)를 갖는 에지 노광 툴
KR102666684B1 (ko) 절삭 블레이드의 관리 방법 및 절삭 장치
KR102614406B1 (ko) Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치
TWI666525B (zh) 曝光裝置及基板處理裝置
TWI706226B (zh) 曝光裝置、基板處理裝置、基板之曝光方法及基板處理方法
CN102736422B (zh) 一种接近式逐场曝光装置与方法
US9368347B2 (en) Apparatus and method for irradiating
WO2024114355A1 (zh) 光源装置及光固化3d打印设备
US10768529B2 (en) Proximity exposure method
WO2018159005A1 (ja) 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP2019076817A (ja) 紫外線照射装置および紫外線照射方法
KR101810268B1 (ko) 주연 노광 장치, 주연 노광 방법 및 기억 매체
CN223051638U (zh) 自动校平放料装置
TW202032285A (zh) 曝光裝置用光照射裝置
JPH0469942B2 (ko)
JP5327135B2 (ja) 周縁露光装置及び周縁露光方法
JPH01243427A (ja) 露光方法及び露光装置
JP4355783B2 (ja) 真空密着露光装置および露光方法
JP2003098678A (ja) 露光装置用光源システム
KR101989577B1 (ko) 디스플레이 글라스 및 웨이퍼용 엣지 노광 장치
CN114355731A (zh) 晶圆边缘曝光系统及方法
WO2025011888A1 (en) System and method for exposing a substrate edge and lithographic apparatus including the system

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20230810

PA0201 Request for examination
PA0302 Request for accelerated examination

Patent event date: 20230810

Patent event code: PA03022R01D

Comment text: Request for Accelerated Examination

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20231018

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20231206

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20231212

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20231212

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration