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KR102588790B1 - 음향파 필터 장치, 음향파 필터 장치 제조용 패키지 - Google Patents

음향파 필터 장치, 음향파 필터 장치 제조용 패키지 Download PDF

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KR102588790B1
KR102588790B1 KR1020160014261A KR20160014261A KR102588790B1 KR 102588790 B1 KR102588790 B1 KR 102588790B1 KR 1020160014261 A KR1020160014261 A KR 1020160014261A KR 20160014261 A KR20160014261 A KR 20160014261A KR 102588790 B1 KR102588790 B1 KR 102588790B1
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Abstract

음향파 필터부와, 상기 음향파 필터부가 일면에 형성되며 상기 음향파 필터부의 주위에 접합부가 형성되는 베이스 및 상기 접합부에 대응되는 접합 대응부가 형성되어 상기 베이스에 접합되는 캡을 포함하며, 상기 접합부는 금 재질로 이루어지는 제1 접합층을 구비하며, 상기 접합 대응부는 상기 제1 접합층에 접합되며 주석 재질로 이루어지는 제2 접합층을 구비하는 음향파 필터 장치가 개시된다.

Description

음향파 필터 장치, 음향파 필터 장치 제조용 패키지{Acoustic wave filter device, package for manufacturing acoustic wave filter device}
본 발명은 음향파 필터 장치에 관한 것이다.
최근 무선 통신 시스템 분야에서 소형화, 다기능화 및 고성능화를 실현시키기 위해 체적 탄성파 필터 소자(BAW filter device)를 이용한 소자는 필수적인 부품으로 매우 중요한 역할을 하고 있다. 한편, 체적 탄성파 필터 소자의 특성 발현을 위해서는 수분 등의 침투를 봉쇄하는 신뢰성 있는 진공상태의 밀봉을 유지할 수 있는 기밀 봉지(hermetic seal)가 필요하다.
한편, 체적 탄성파 필터 소자의 제조 시 일반적으로 사용되는 접합기술 중 기밀 봉지를 유지하기 위한 웨이퍼 레벨 접합(wafer level bonding) 기술로는 규소-규소(Si-Si) 직접접합, 규소-유리(Si-Glass) 양극접합 및 플릿 글래스(Flit glass)를 이용하는 접합 등이 있다.
이러한 기술들은 대체적으로 높은 접합온도나 가공성이 악화되는 단점이 있어 체적 탄성파 필터 소자(BAW filter device)의 패키지(package)용으로 적합하지 않은 문제가 있다.
대한민국 특허공개공보 제2007-16855호
내산화성이 우수하며 파괴인성 등의 기계적 특성이 우수한 음향파 필터 장치 및 음향파 필터 장치 제조용 패키지가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 음향파 필터 장치는 음향파 필터부와, 상기 음향파 필터부가 일면에 형성되며 상기 음향파 필터부의 주위에 접합부가 형성되는 베이스 및 상기 접합부에 대응되는 접합 대응부가 형성되어 상기 베이스에 접합되는 캡을 포함하며, 상기 접합부는 금 재질로 이루어지는 제1 접합층을 구비하며, 상기 접합 대응부는 상기 제1 접합층에 접합되며 주석 재질로 이루어지는 제2 접합층을 구비할 수 있다.
내산화성이 우수하며 파괴인성 등의 기계적 특성이 우수한 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 도 1의 A부 구성을 나타내는 분해도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4는 도 3의 B부의 구성을 나타내는 분해도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이다.
도 6은 도 5의 C부의 구성을 나타내는 분해도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지를 나타내는 개략 구성도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지에 구비되는 베이스 웨이퍼를 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지에 구비되는 캡 웨이퍼를 나타내는 저면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이고, 도 2는 도 1의 A부 구성을 나타내는 분해도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치(100)는 일예로서, 음향파 필터부(110), 베이스(120) 및 캡(130)을 포함하여 구성될 수 있다.
음향파 필터부(110)는 음향파 필터부(110)는 베이스(120) 상에 형성된다. 일예로서, 음향파 필터부(110)는 도면에는 자세하게 도시하지 않았으나 하부 전극과, 압전체 및 상부 전극으로 구성될 수 있다.
한편, 압전체는 일예로서 산화아연(ZnO), 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 박막으로 제조될 수 있는 압전재료를 포함하여 이루어진다.
음향파 필터부(110)는 벌크 탄성파(BAW, Bulk Acoustic wave) 필터로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 음향파 필터부(110)는 넓은 범위의 상이한 탄성파 필터 종류들, 즉 벌크 탄성파(BAW) 필터와, 표면 탄성파(SAW) 필터 및/또는 적층 수정 필터(SCF)들로부터 선택될 수 있다.
베이스(120)의 일면에는 음향파 필터부(110)가 형성되며, 음향파 필터부(110)의 주위에 접합부(122)가 형성된다. 베이스(120)는 후술할 베이스 웨이퍼(220)로부터 커팅에 의해 형성된다. 그리고, 접합부(122)는 음향파 필터부(110)의 주위를 감싸도록 베이스(120)의 상면에 형성된다.
일예로서, 접합부(122)는 사각형 띠 형상을 가질 수 있으며, 음향파 필터부(110)보다 높게 형성된다.
한편, 접합부(122)는 금(Au) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 접합부(122)는 금(Au)을 함유하는 재질로 이루어질 수도 있다.
베이스(120)의 일면에는 음향파 필터부(110)가 형성되며, 음향파 필터부(110)의 주위에 접합부(122)가 형성된다. 베이스(120)는 후술할 베이스 웨이퍼(220)로부터 커팅에 의해 형성된다. 그리고, 접합부(122)는 음향파 필터부(110)의 주위를 감싸도록 베이스(120)의 상면에 형성된다.
일예로서, 접합부(122)는 사각형 띠 형상을 가질 수 있으며, 음향파 필터부(110)보다 높게 형성된다.
한편, 접합부(122)는 금(Au) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 접합부(122)는 금(Au)을 함유하는 재질로 이루어질 수도 있다.
접합부(122)는 제1 접합층으로 이루어질 수 있다.
캡(130)에는 음향파 필터부(110)에 대응되는 위치에 배치되도록 만입홈(132)이 형성되며, 접합부(122)에 대응되는 접합 대응부(134)가 형성된다.
즉, 베이스(120)와 캡(130)의 접합 시 음향파 필터부(110)는 만입홈(132)의 하부에 배치된다. 그리고, 음향파 필터부(110)의 주위에는 접합부(122)와 접합 대응부(134)가 음향파 필터부(110)를 감싸도록 배치된다.
즉, 접합부(122)와 접합 대응부(134)의 접합에 의해 베이스(120)와 캡(130)이 접합된다.
한편, 만입홈(132)은 상부로 갈수록 면적이 좁아지는 형상을 가지도록 형성된다.
그리고, 접합 대응부(134)도 사각형 띠 형상을 가질 수 있으며, 주석(Sn) 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 접합 대응부(134)는 주석(Sn)을 함유하는 재질로 이루어질 수도 있다.을 함유하는 재질로 이루어질 수도 있다.
접합 대응부(134)는 제2 접합층으로 이루어질 수 있다.
접합부(122)와 접합 대응부(134)는 일예로서 확산 접합(diffusion bonding)에 의해 접합될 수 있다.
접합부(122)의 두께(t1)는 접합 대응부(134)의 두께(t2)의 1,2배보다 같거나 크고 2배보다 같거나 작을 수 있다. 즉, 제1 접합층의 두께(t1)/제2 접합층의 두께(t2)는 1.2보다 같거나 크고 2보다 같거나 작을 수 있다.
또한, 제1 접합층의 두께(t1)은 1.5 ~ 3 ㎛ 일 수 있다.
여기서, 접합부(122)와 접합 대응부(134)의 접합에 대해서 살펴보면, 접합부(122)와 접합 대응부(134)는 일정온도(대략 280℃ 이상 내지 350℃ 미만)와 압력하에서 접합된다.
그리고, 상기한 바와 같이, 캡(130)의 접합 대응부(134)에 함유되는 금(Au) 을 제거하여 접합 대응부(134)가 주석(Sn) 재질로 이루어진다. 이와 같이, 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 확보하기 위하여 온도 상승 구간에서 형성되는 금-주석(Au-Sn) 금속간 화합물에 소모되는 주석(Sn)의 양을 줄일 수 있는 구조를 가진다.
즉, 온도 상승 구간에서의 금-주석 금속간 화합물의 생성을 억제하여 실제로 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 증가할 수 있는 것이다.
보다 자세하게 설명하면, 만약 접합 대응부(134)의 제2 접합층 표면에 산화방지를 목적으로 금(Au)이나 기타 귀금속 재료로 적층되는 경우 접합을 위하여 온도를 상승시키는 경우 온도 상승 구간에서 표면에 적층된 금(Au)과 주석(Sn)이 반응하여 용융온도가 높은 금속간 화합물을 형성하고, 이러한 금속간 화합물이 베이스(120)의 접합부(122)와 접촉하여 접합 시 용융되지 않고 고상으로 존재하게 된다.
이에 따라, 접합면에 사이에 빈 공간으로 인한 기공으로 잔류하는 것이다.
하지만, 캡(130)의 접합 대응부(134)에 함유되는 금(Au)양을 줄임으로써 온도 상승 구간에서의 주석(Sn)의 소모가 줄어들어 실제 접합 시 기여하는 주석(Sn)의 양이 상대적으로 늘어난다.
결국, 기공이 형성되지 않는 치밀한 조직의 접합면 형성이 가능할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치(100)는 내산화성이 우수하며 파괴인성 등의 기계적 특성이 우수할 수 있는 것이다.
이하에서는 도면을 참조하여 음향파 필터 장치의 변형 실시에에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이고, 도 4는 도 3의 B부의 구성을 나타내는 분해도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 음향파 필터 장치(200)는 일예로서, 음향파 필터부(110), 베이스(120) 및 캡(230)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 하기에서 설명하는 접합 대응부(234)를 제외한 음향파 필터부(110), 베이스(120) 및 캡(230)은 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
접합 대응부(234)는 사각형 띠 형상을 가질 수 있다. 한편, 접합 대응부(234)는 제2 접합층(234a)와, 제2 접합층(234a)의 하부에 형성되는 보조 접합층(234b)을 구비할 수 있다. 제2 접합층(234a)은 주석(Sn) 재질로 이루어질 수 있으며, 보조 접합층(234b)은 금(Au) 재질로 이루어질 수 있다.
여기서, 접합부(122)와 접합 대응부(234)의 접합에 대해서 살펴보면, 접합부(122)와 접합 대응부(234)는 일정온도(대략 280℃ 이상 내지 350℃ 미만)와 압력하에서 접합된다.
그리고, 상기한 바와 같이, 캡(130)의 접합 대응부(134)에 함유되는 금(Au)의 양을 1/40 ~ 1/20로 줄임으로써 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 확보할 수 있다. 즉, 온도 상승 구간에서 형성되는 금-주석(Au-Sn) 금속간 화합물에 소모되는 주석(Sn)의 양을 줄일 수 있는 구조를 가진다.
다시 말해, 온도 상승 구간에서의 금-주석 금속간 화합물의 생성을 억제하여 실제로 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 증가할 수 있는 것이다.
보다 자세하게 설명하면, 만약 접합 대응부(134)의 제2 접합층(234a) 표면에 산화방지를 목적으로 금(Au)이나 기타 귀금속 재료로 적층되는 경우 접합을 위하여 온도를 상승시키는 경우 온도 상승 구간에서 표면에 적층된 금(Au)과 주석(Sn)이 반응하여 용융온도가 높은 금속간 화합물을 형성하고, 이러한 금속간 화합물이 베이스(120)의 접합부(122)와 접촉하여 접합 시 용융되지 않고 고상으로 존재하게 된다.
이에 따라, 접합면에 사이에 빈 공간으로 인한 기공으로 잔류하는 것이다.
하지만, 캡(230)의 접합 대응부(234)에 함유되는 금(Au)양을 줄임으로써 온도 상승 구간에서의 주석(Sn)의 소모가 줄어들어 실제 접합 시 기여하는 주석(Sn)의 양이 상대적으로 늘어난다.
결국, 기공이 형성되지 않는 치밀한 조직의 접합면 형성이 가능할 수 있다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치(200)는 내산화성이 우수하며 파괴인성 등의 기계적 특성이 우수할 수 있는 것이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향파 필터 장치를 나타내는 개략 구성도이고, 도 6은 도 5의 C부의 구성을 나타내는 분해도이다.
도 5 및 도 6를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 음향파 필터 장치(300)는 일예로서, 음향파 필터부(110), 베이스(320) 및 캡(330)을 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 하기에서 설명하는 접합부(322)와 접합 대응부(334)를 제외한 음향파 필터부(110), 베이스(320) 및 캡(330)은 상기에서 설명한 구성요소와 동일한 구성요소로 여기서는 자세한 설명을 생략하기로 한다.
접합부(322)는 사각형 띠 형상을 가질 수 있으며, 음향파 필터부(110)보다 높게 형성된다. 접합부(322)는 제1 접합층(322a)과 제1 접착제층(322b)으로 이루어질 수 있다.
제1 접합층(322a)은 금(Au) 재질로 이루어질 수 있으며, 제1 접착제층(322a)의 하부에 형성되는 제1 접착제층(322b)은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 제1 접착제층(322a)은 금(Au)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있으며, 제1 접착제층(322b)은 크롬 또는 티탄 재질을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
접합 대응부(334)는 사각형 띠 형상을 가질 수 있다. 한편, 접합 대응부(334)는 제2 접합층(334a)와, 제2 접합층(334a)의 하부에 형성되는 보조 접합층(334b) 및 보조 접합층(334b)의 하부에 형성되는 제2 접착제층(334c)을 구비할 수 있다. 제2 접합층(334a)은 주석(Sn) 재질로 이루어질 수 있으며, 보조 접합층(334b)은 금(Au) 재질로 이루어질 수 있고, 제3 접착제층(334c)은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어질 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지를 나타내는 개략 구성도이고, 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지에 구비되는 베이스 웨이퍼를 나타내는 평면도이고, 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지에 구비되는 캡 웨이퍼를 나타내는 저면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지(400)는 일예로서, 음향파 필터부(110), 베이스 웨이퍼(420) 및 캡 웨이퍼(430)를 포함하여 구성될 수 있다.
음향파 필터부(110)는 베이스 웨이퍼(420) 상에 적어도 하나 이상이 형성된다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 음향파 필터부(110)는 베이스 웨이퍼(420) 상에 복수개가 열과 행을 이루도록 형성될 수 있다.
한편, 음향파 필터부(110)는 상기에서 설명한 바와 같이, 도면에는 자세하게 도시하지 않았으나 하부 전극과, 압전체 및 상부 전극으로 구성될 수 있다.
한편, 압전체는 일예로서 산화아연(ZnO), 또는 질화알루미늄(AIN)과 같은 박막으로 제조될 수 있는 압전재료를 포함하여 이루어진다.
음향파 필터부(110)는 벌크 탄성파 필터(BAW)로 구성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며 음향파 필터부(110)는 넓은 범위의 상이한 탄성파 필터 종류들, 즉 벌크 탄성파(BAW) 필터와, 표면 탄성파(SAW) 필터 및/또는 적층 수정 필터(SCF)들로부터 선택될 수 있다.
베이스 웨이퍼(420)에는 적어도 하나 이상의 음향파 필터부(110)가 일면에 형성되며, 음향파 필터부(110)의 주위에 접합부(422)가 형성된다. 접합부(422)는 격자 형상을 가진다. 즉, 격자 형상을 가지는 접합부(422)의 중앙부에 음향파 필터부(110)가 형성된다.
또한, 접합부(422)의 높이는 음향파 필터부(100)의 두께보다 높을 수 있다.
한편, 접합부(322)는 제1 접합층(422a)과 제1 접착제층(422b)으로 이루어질 수 있다.
제1 접합층(422a)은 금(Au) 재질로 이루어질 수 있으며, 제1 접착제층(422a)의 하부에 형성되는 제1 접착제층(422b)은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 제1 접착제층(422a)은 금(Au)을 함유하는 재질로 이루어질 수 있으며, 제1 접착제층(422b)은 크롬 또는 티탄 재질을 함유하는 재질로 이루어질 수 있다.
일예로서, 제1 접합층(422a)은 제1 접착제층(422b)을 매개로 하여 베이스 웨이퍼(420)에 접합될 수 있다.
캡 웨이퍼(430)에는 음향파 필터부(110)에 대응되는 위치에 배치되도록 만입홈(432)이 형성되며, 접합부(422)에 대응되는 접합 대응부(434)가 형성된다.
즉, 베이스 웨이퍼(420)와 캡 웨이퍼(430)의 접합 시 음향파 필터부(110)는 만입홈(432)의 하부에 배치된다. 그리고, 음향파 필터부(110)의 주위에는 접합부(422)와 접합 대응부(434)가 음향파 필터부(110)를 감싸도록 배치된다.
다시 말해, 접합 대응부(434)도 격자 형상을 가지며, 접합 대응부(434)의 중앙부에 만입홈(432)이 형성된다.
만입홈(432)은 상부로 갈수록 면적이 좁아지는 형상을 가지도록 형성된다.
접합 대응부(434)는 제2 접합층(434a)와, 제2 접합층(434a)의 하부에 형성되는 보조 접합층(434b) 및 보조 접합층(434b)의 하부에 형성되는 제2 접착제층(434c)을 구비할 수 있다. 제2 접합층(434a)은 주석(Sn) 재질로 이루어질 수 있으며, 보조 접합층(434b)은 금(Au) 재질로 이루어질 수 있고, 제3 접착제층(434c)은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어질 수 있다.
여기서, 접합부(422)와 접합 대응부(434)의 접합에 대해서 살펴보면, 접합부(422)와 접합 대응부(434)는 일정온도(대략 280℃ 이상 내지 350℃ 미만)와 압력하에서 접합된다.
그리고, 상기한 바와 같이, 캡 웨이퍼(430)의 접합 대응부(434)에 함유되는 금(Au)의 양을 1/40 ~ 1/20로 줄임으로써 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 확보할 수 있다. 즉, 온도 상승 구간에서 형성되는 금-주석(Au-Sn) 금속간 화합물에 소모되는 주석(Sn)의 양을 줄일 수 있는 구조를 가진다.
다시 말해, 온도 상승 구간에서의 금-주석 금속간 화합물의 생성을 억제하여 실제로 접합에 기여하는 용융 주석(Sn)의 양을 증가할 수 있는 것이다.
보다 자세하게 설명하면, 만약 접합 대응부(434)의 제2 접합층(434a) 표면에 산화방지를 목적으로 금(Au)이나 기타 귀금속 재료로 적층되는 경우 접합을 위하여 온도를 상승시키는 경우 온도 상승 구간에서 표면에 적층된 금(Au)과 주석(Sn)이 반응하여 용융온도가 높은 금속간 화합물을 형성하고, 이러한 금속간 화합물이 베이스 웨이퍼(420)의 접합부(422)와 접촉하여 접합 시 용융되지 않고 고상으로 존재하게 된다.
이에 따라, 접합면에 사이에 빈 공간으로 인한 기공으로 잔류하는 것이다.
하지만, 캡 웨이퍼(430)의 접합 대응부(434)에 함유되는 금(Au)양을 줄임으로써 온도 상승 구간에서의 주석(Sn)의 소모가 줄어들어 실제 접합 시 기여하는 주석(Sn)의 양이 상대적으로 늘어난다.
결국, 기공이 형성되지 않는 치밀한 조직의 접합면 형성이 가능할 수 있다.
한편, 음향파 필터 장치(300)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 음향파 필터 장치 제조용 패키지(400)의 다이싱(Dicing) 공정을 통해 제조될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.
100, 200, 300 : 음향파 필터 장치
110 : 음향파 필터부
120, 420 : 베이스
130, 230, 330 : 캡
420 : 베이스 웨이퍼
430 : 캡 웨이퍼

Claims (18)

  1. 음향파 필터부;
    상기 음향파 필터부가 일면에 형성되며, 상기 음향파 필터부의 주위에 접합부가 형성되는 베이스; 및
    상기 접합부에 대응되는 접합 대응부가 형성되어 상기 베이스에 접합되는 캡;
    을 포함하며,
    상기 접합부는 금 재질로 이루어지는 제1 접합층을 구비하며,
    상기 접합 대응부는, 금 재질로 이루어지는 보조 접합층과, 상기 보조 접합층과 상기 제1 접합층의 사이에서 상기 제1 접합층에 접합되며 주석 재질로 이루어지는 제2 접합층을 구비하는 음향파 필터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접합층의 두께(t1)/상기 제2 접합층의 두께(t2)는 1.2보다 같거나 크고 2보다 같거나 작은 음향파 필터 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접합층의 두께(t1)은 1.5 ~ 3 ㎛ 인 음향파 필터 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접합부는 제1 접합층과 상기 베이스의 접합을 위한 제1 접착제층을 구비하는 음향파 필터 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 접착제층은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어지는 음향파 필터 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접합 대응부는 캡과의 접합을 위한 제2 접착제층을 구비하는 음향파 필터 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 접착제층은 크롬 또는 티탄 재질로 이루어지는 음향파 필터 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 캡에는 상기 음향파 필터부에 대응되는 위치에 배치되도록 만입홈이 형성되는 음향파 필터 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 접합층과 상기 제2 접합층은 열 및 압력이 가해져서 접합되는 음향파 필터 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1,2 접합층은 280도 이상 350도 미만의 온도 환경 아래에서 접합되는 음향파 필터 장치.
  12. 적어도 하나 이상의 음향파 필터부;
    상기 음향파 필터부가 일면에 형성되며, 상기 음향파 필터부의 주위에 접합부가 형성되는 베이스 웨이퍼; 및
    상기 접합부에 대응되는 접합 대응부가 형성되는 캡 웨이퍼;
    를 포함하며,
    상기 접합부는 금 재질로 이루어지는 제1 접합층을 구비하며,
    상기 접합 대응부는, 금 재질로 이루어지는 보조 접합층과, 상기 보조 접합층과 상기 제1 접합층의 사이에서 상기 제1 접합층에 접합되며 주석 재질로 이루어지는 제2 접합층을 구비하는 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 접합층의 두께(t1)/상기 제2 접합층의 두께(t2)는 1.2보다 같거나 크고 2보다 같거나 작은 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 접합층의 두께(t1)은 1.5 ~ 3 ㎛ 인 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 캡 웨이퍼에는 상기 음향파 필터부에 대응되는 위치에 배치되도록 만입홈이 형성되는 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1,2 접합층은 280도 이상 350도 미만의 온도 환경 아래에서 압력이 가해져 접합되는 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 보조 접합층의 두께는 상기 제1 및 제2 접합층 각각의 두께보다 얇은 음향파 필터 장치.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 보조 접합층의 두께는 상기 제1 및 제2 접합층 각각의 두께보다 얇은 음향파 필터 장치 제조용 패키지.
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