KR102579520B1 - Galnac 산 유도체의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (32)
- 하기 단계를 포함하는, 하기 화학식 I 의 GalNAc 산 유도체:
(식 중, n 은 0 내지 10 의 정수임) 또는 이의 염, 이의 상응하는 거울상체 또는 광학 이성질체의 제조 방법:
a) 하기 화학식 II 의 트리아민 염:
(식 중, R1 은 에스테르 보호기이고, X 는 산의 음이온임) 과 하기 화학식 III 의 테트라히드로피란 산:
(식 중, R2 는 히드록시 보호기이고, n 은 상기와 같음) 과의, 펩타이드 커플링제, 아민 염기 및 유기 용매의 존재 하에서의 커플링으로 하기 화학식 IV 의 GalNAc 에스테르:
(식 중, R1 및 R2 및 n 은 상기와 같음) 를 형성하는 단계;
b) 무기 염기의 존재 하에서 에스테르 보호기 R1 및 히드록시 보호기 R2 의 제거로 하기 화학식 V 의 GalNAc 산 염:
(식 중, n 은 상기와 같고, M 은 금속 양이온임) 을 형성하는 단계;
및
c) 임의로 화학식 V 의 GalNAc 산 염을 화학식 I 의 GalNAc 산 유도체로 변환시키는 단계. - 제 1 항에 있어서, n 이 0 내지 5 의 정수이고, 에스테르 보호기 R1 이 C1-7-알킬 또는 페닐-C1-7-알킬이고, 페닐 기가 할로겐 또는 C1-7-알킬로 임의 치환되고, 히드록시 보호기 R2 가 아세틸이고, X 가 술폰산의 음이온으로부터 선택되는 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 펩타이드 커플링제가 n-프로필포스폰산 무수물이고, 아민 염기가 삼차 아민인 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 단계 a) 에서의 커플링이 극성 비양자성 용매인 유기 용매에서 20℃ 내지 70℃ 의 반응 온도에서 일어나는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 단계 b) 에서의 에스테르 보호기 R1 의 제거를 위한 무기 염기가 알칼리 히드록사이드인 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 단계 a) 및 b) 가 화학식 IV 의 GalNAc 에스테르의 단리 없이 하나의 단계에서 조합되고 수행되는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 화학식 V 의 GalNAc 산 염의 화학식 I 의 GalNAc 산 유도체로의 임의적 변환이 양이온 교환을 통해 또는 산으로의 처리를 통해 수행되는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 화학식 II 의 트리아민의 제조 방법이 하기 단계를 포함하는 제조 방법:
a1) 하기 화학식 X 의 카르복실산:
(식 중, R3' 및 R4 는 상이하고 서로 독립적으로 아미노 보호기임) 을 하기 화학식 XI 의 에스테르:
(식 중, R1 은 에스테르 보호기이고, R3' 및 R4 는 상기와 같음) 로 변환시키는 단계;
b1) 아미노 보호기 R4 를 제거하고 하기 화학식 XII 의 아민 염:
(식 중, R1 및 R3' 는 상기와 같고, X- 는 산 음이온임) 을 후속하여 형성하는 단계;
c1) 화학식 XII 의 아민 염을 하기 화학식 XIII 의 헥산산 유도체:
(식 중, R3" 및 R3"' 는 아미노 보호기임) 와 커플링시켜, 하기 화학식 XIV 의 보호된 트리아민:
(식 중, R3', R3", R3"' 및 R1 은 상기와 같음) 을 형성하는 단계;
d1) 화학식 XIV 의 보호된 트리아민을 산으로, 화학식 II 의 트리아민 염으로 전환시키는 단계. - 제 9 항에 있어서, R3', R3" 및 R3"' 가 동일하고 산성 조건 하에서 분할가능한 보호기이고, R4 가 염기성 조건 하에서 또는 수소첨가분해에 의해 분할가능한 보호기인 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, R3', R3" 및 R3"' 가 Boc 이고, R4 가 FMOC 인 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 a1) 에서의 변환이 벤질 알코올로, 활성화제, 아민 촉매 및 비양자성 유기 용매의 존재 하에 20℃ 내지 50℃ 의 반응 온도에서 일어나는 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 아미노 보호기 R4 가 FMOC 이고, 단계 b1) 에서의 이의 제거가 극성 비양자성 용매 중의 이차 지방족 아민으로 20℃ 내지 50℃ 의 반응 온도에서 수행되는 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 b1) 에서의 화학식 XII 의 아민 염의 후속 형성이 술폰산으로 수행되는 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 c1) 에서의 커플링이 커플링제로서 n-프로필포스폰산 무수물로, 삼차 아민 및 극성 비양자성 용매의 존재 하에 20℃ 내지 50℃ 의 반응 온도에서 수행되는 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 d1) 에서 화학식 II 의 트리아민 염이 극성 비양자성 용매 중의 술폰산으로 20℃ 내지 80℃ 의 반응 온도에서 형성되는 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 극성 비양자성 용매가 화학식 II 의 트리아민 염이 결정화되는 것을 방지하는 것으로 선택되는 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 화학식 III 의 테트라히드로피란 산의 제조 방법이 하기 단계를 포함하는 제조 방법:
a2) 하기 화학식 XX 의 디올:
(식 중, n 은 상기와 같음) 을 하기 화학식 XXI 의 알코올 에스테르:
(식 중, n 은 상기와 같고, R5 는 에스테르 보호기임) 로 변환시키는 단계;
b2) 화학식 XXI 의 알코올 에스테르와 하기 화학식 XXII 의 테트라히드로피란 유도체:
(식 중, R2 및 R6 은 서로 독립적으로 히드록시 보호기임) 와의 커플링으로 하기 화학식 XXIII 의 테트라히드로피란 에스테르:
(식 중, n, R2 및 R5 는 상기와 같음) 를 형성하는 단계;
c2) 에스테르 기의 제거로, 화학식 III 의 테트라히드로피란 산을 형성하는 단계. - 제 18 항에 있어서, 히드록시 보호기 R2 가 아세틸이고, 에스테르 보호기 R5 가 벤질이고, 히드록시 보호기 R6 이 아세틸인 제조 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 단계 a2) 의 첫번째 단계에서 화학식 XX 의 디올이 알칼리 금속 알코올레이트로, 극성 양자성 또는 극성 비양자성 용매의 존재 하에 50℃ 내지 120℃ 의 반응 온도에서 탈양자화되는 제조 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 단계 a2) 의 두번째 단계에서 아세트산 잔기가 할로겐 아세트산 또는 이의 염으로, 극성 양자성 또는 극성 비양자성 용매의 존재 하에 50℃ 내지 120℃ 의 반응 온도에서 도입되는 제조 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 단계 a2) 의 세번째 단계에서 화학식 XXI 의 알코올 에스테르 (식 중, R5 는 벤질임) 가 극성 비양자성 용매 중의 벤질 할로게나이드 또는 벤질 술포닐에스테르로 20℃ 내지 120℃ 의 반응 온도에서 형성되는 제조 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 단계 b2) 에서 화학식 XXI 의 알코올 에스테르가 화학식 XXII 의 테트라히드로피란 유도체와, 할로겐화된 술폰산의 존재 하에, 극성 비양자성 용매의 존재 하에 0℃ 내지 140℃ 의 반응 온도에서 커플링되는 제조 방법.
- 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서, 단계 c2) 에서 벤질에스테르 기가 수소첨가 촉매의 존재 하에서 수소로의 촉매적 수소첨가에 의해 제거되는 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 단계 a3) 에서의 디아조화가 알칼리 니트라이트로, 물 및 무-극성 비양자성 용매의 용매 혼합물의 존재 하에 -10℃ 내지 10℃ 의 반응 온도에서 수행되는 제조 방법.
- 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서, 단계 b3) 에서의 2-디아조 화합물과 화학식 XX 의 디올과의 변환이 루이스산 및 무-극성 비양자성 용매의 존재 하에 -10℃ 내지 10℃ 의 반응 온도에서 수행되는 제조 방법.
- 하기 단계를 포함하는, GalNAc 올리고뉴클레오타이드 콘쥬게이트의 제조 방법:
a3) 제 1 항에 따라 화학식 I 의 GalNAc 산 유도체 또는 화학식 V 의 GalNAc 산 염을 제조하는 단계, 및
b3) 화학식 I 의 GalNAc 산 유도체 또는 화학식 V 의 GalNAc 산 염을, 펩타이드 커플링 조건 하에서 올리고뉴클레오타이드와 콘쥬게이션시키는 단계. - 제 28 항에 있어서, 화학식 V 의 GalNAc 산 염이 사용되는 제조 방법.
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