[go: up one dir, main page]

KR102527384B1 - 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102527384B1
KR102527384B1 KR1020180028310A KR20180028310A KR102527384B1 KR 102527384 B1 KR102527384 B1 KR 102527384B1 KR 1020180028310 A KR1020180028310 A KR 1020180028310A KR 20180028310 A KR20180028310 A KR 20180028310A KR 102527384 B1 KR102527384 B1 KR 102527384B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
emitting device
layer
transmitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020180028310A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190106600A (ko
Inventor
이동국
김문섭
안성진
윤석호
이승환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180028310A priority Critical patent/KR102527384B1/ko
Priority to US16/129,021 priority patent/US10644205B2/en
Priority to CN201811383223.5A priority patent/CN110246948B/zh
Publication of KR20190106600A publication Critical patent/KR20190106600A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102527384B1 publication Critical patent/KR102527384B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
    • H01L33/58—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H01L33/005—
    • H01L33/36—
    • H01L33/44—
    • H01L33/505—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/815—Bodies having stress relaxation structures, e.g. buffer layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/034—Manufacture or treatment of coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지는, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자, 발광 소자의 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며 측면에 경사지게 배치되는 투광층, 제2 주면에 배치된 투광층 상에 배치되는 파장 변환층, 및 전극 패드를 노출하며 발광 소자 및 투광층을 감싸는 피복층을 포함하되, 평면 구조에서 투광층의 대각선의 길이는 각 변의 길이보다 길고, 파장 변환층의 측면 및 피복층의 측면은 동일 평면에 위치한다.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명의 기술적 사상은 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 소자 패키지는 발광 소자로부터 방출되는 광의 추출 효율을 향상시키기 위하여 발광 소자 주변에 배치되는 투광층 및 피복층을 포함할 수 있다. 최근 발광 소자의 크기가 감소함에 따라, 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있는 안정적인 투광층 및 피복층을 포함하는 발광 소자 패키지가 요구되고 있다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있는 투광층 및 피복층을 포함하는 칩 스케일의 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고, 상기 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상기 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며, 상기 측면에 경사지게 배치되는 투광층; 상기 제2 주면에 배치된 상기 투광층 상에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 전극 패드를 노출하며 상기 발광 소자 및 상기 투광층을 감싸는 피복층;을 포함하되, 평면 구조에서, 상기 투광층의 대각선의 길이는 각 변의 길이보다 길고, 상기 파장 변환층의 측면 및 상기 피복층의 측면은 동일 평면에 위치한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예에 따른 발광 소자 패키지는, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고, 상기 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자; 상기 발광 소자의 상기 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며, 상기 측면에 경사지게 배치되는 투광층; 상기 제2 주면에 배치된 상기 투광층 상에 배치되는 층간 물질층; 상기 층간 물질층 상에 배치되는 파장 변환층; 및 상기 전극 패드를 노출하며 상기 발광 소자 및 상기 투광층을 감싸는 피복층;을 포함하되, 상기 발광 소자는 평면 구조에서, 상기 투광층의 대각선의 길이는 각 변의 길이보다 길고, 상기 층간 물질층 및 상기 투광층은 동일한 형상이며, 상기 파장 변환층의 측면 및 상기 피복층의 측면은 동일 평면에 위치한다.
본 발명의 기술적 사상에 의한 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은, 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고, 상기 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자를 제조하는 단계; 파장 변환층 상에 소정의 두께로 N각(N은 4 이상의 자연수) 평면 형상으로 액상의 투광 물질을 도포하는 단계; 상기 투광 물질 상에 상기 발광 소자의 제2 주면이 맞닿게 배치하는 단계; 상기 발광 소자의 상기 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며 상기 측면에 경사지게 상기 투광 물질이 형성되도록, 상기 발광 소자에 소정의 압력을 제공하는 단계; 상기 투광 물질을 경화시켜 투광층을 형성하는 단계; 상기 전극 패드를 노출하며 상기 발광 소자 및 상기 투광층을 감싸는 피복층을 형성하는 단계; 및 상기 투광층의 외곽으로, 상기 피복층 및 상기 파장 변환층을 절단하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지는 투광층의 형상을 발광 소자의 형상에 맞추어 형성하여 발광 소자의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 스크린 프린팅 공정을 이용하여 발광 소자 패키지에 포함되는 투광층의 형상을 원하는 대로 형성할 수 있으므로, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자 패키지의 효율적인 생산이 가능할 수 있다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 도면들이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 도면들이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 도면들이다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서를 나타낸 블록도이다.
도 6a 내지 도 9b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 12a 내지 도 13b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛의 개략적인 사시도이다.
도 16은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛을 나타내는 도면이다.
도 17은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면들이다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 디스플레이 장치의 개략적인 분해 사시도이다.
도 23은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 평판 조명 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 24는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 25는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 26은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 바(bar) 타입의 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이고, 도 1c는 도 1a의 C-C 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이고, 도 1d는 도 1b의 발광 구조체 및 그 주변부의 확대도이다. 또한, 도 1e 내지 도 1g는 도 1b와 비교하여 일부 차이점을 가지는 다른 실시예들을 나타내는 단면도들이다.
도 1a 내지 도 1d를 같이 참조하면, 발광 소자 패키지(10)는 서로 대향하는 제1 주면(101) 및 제2 주면(102)을 가지고 상기 제1 주면(101)에 배치되는 전극 패드(130)를 포함하는 발광 소자(100), 상기 발광 소자(100)의 제2 주면(102) 및 측면(103)의 적어도 일부를 감싸며 측면(103)에 경사지게 배치되는 투광층(200), 상기 제2 주면(102)에 배치된 상기 투광층(200) 상에 배치되는 파장 변환층(400), 및 상기 전극 패드(130)를 노출하며 발광 소자(100) 및 투광층(200)을 감싸는 피복층(300)을 포함한다.
도 1b는 도 1a의 B-B 선, 즉, 발광 소자(100)에서 서로 대향하는 한 쌍의 측면(103)과 직교하는 선 단면에 대응하는 부분의 개략적인 단면도이고, 도 1c는 도 1a의 C-C 선, 즉, 평면 구조에서, 직사각형 형태의 발광 소자(100)의 대각선과 일치하는 선 단면에 대응하는 부분의 개략적인 단면도이다.
도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이, 발광 소자(100)는 투광성 기판(110)과 상기 투광성 기판(110)의 하면에 형성된 발광 구조체(120)를 포함할 수 있다. 투광성 기판(110)은 상면, 상기 상면에 대향하고 발광 구조체(120)가 형성된 하면, 및 측면을 가지고 있다. 발광 구조체(120)에서 발광한 광은 투광성 기판(110)을 통해 파장 변환층(400)의 제1 면(401)으로 추출된다. 또한, 발광 구조체(120)에서 발광한 광은 발광 소자(100)의 측면(103)을 통해 투광층(200)과 피복층(300)의 경계에서 반사되어 파장 변환층(400)의 제1 면(401)으로 추출된다.
발광 소자(100)는 투광성 기판(110), 발광 구조체(120), 및 전극 패드(130)를 포함할 수 있다.
상기 투광성 기판(110)은 발광 구조체(120)와 맞닿아 배치되어 상기 발광 구조체(120)를 지지할 수 있다. 상기 투광성 기판(110)은 베이스층(미도시)을 통하여 상기 발광 구조체(120)로부터 발생한 열을 전달받을 수 있으며, 전달받은 열을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 상기 투광성 기판(110)은 광 투과성을 가질 수 있다. 상기 투광성 기판(110)은 광 투과성 물질을 사용하거나, 일정 두께 이하로 형성하는 경우 광 투과성을 가질 수 있는 물질을 사용할 수 있다.
상기 투광성 기판(110)은 필요에 따라 절연성, 도전성, 또는 반도체 기판이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 투광성 기판(110)은 사파이어(Al2O3), 질화갈륨(GaN), 실리콘(Si), 저머늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘저머늄(SiGe), 실리콘카바이드(SiC), 산화갈륨(Ga2O3), 산화리튬갈륨(LiGaO2), 산화리튬알루미늄(LiAlO2), 또는 산화마그네슘알루미늄(MgAl2O4) 등일 수 있다.
일부 실시예들에서, 상기 투광성 기판(110)으로는 사파이어, 실리콘카바이드, 실리콘 기판 등이 주로 사용되고 있으며. 실리콘카바이드 기판에 비해 상대적으로 저렴한 사파이어 기판이 더 많이 활용되고 있다.
발광 구조체(120)는 제1 도전형 반도체층(121), 활성층(122), 제2 도전형 반도체층(123)이 차례로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 각각 p형 및 n형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있다. 이와 반대로, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 각각 n형 및 p형 불순물이 도핑된 반도체로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 질화물 반도체, 예를 들어, AlxInyGa(1-x-y)N(0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1)로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 상기 질화물 반도체 외에도 GaAs계 반도체나 GaP계 반도체로 이루어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 제1 도전형 반도체층(121), 상기 활성층(122), 및 상기 제2 도전형 반도체층(123)은 에피택셜층일 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123) 사이에 개재되는 상기 활성층(122)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 활성층(122)은 양자 우물층과 양자 장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자 우물 구조, 예를 들어, InGaN/GaN 또는 AlGaN/GaN 구조로 이루어질 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 활성층(122)은 단일 양자 우물 구조일 수 있다. 상기 발광 구조체(120)는 상기 발광 구조체(120)를 구성하는 화합물 반도체의 재질에 따라 청색, 녹색, 적색, 또는 자외선 등을 발광할 수 있다. 다만, 발광 소자(100) 상에 형성된 파장 변환층(400)에 의해, 상기 발광 구조체(120)로부터 발생하는 광의 파장이 변환되어 다양한 색의 광이 출력될 수 있다.
상기 발광 구조체(120)는 전극 패드(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(121, 123)은 제1 및 제2 전극 패드(131, 133)와 각각 연결될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(123) 및 상기 활성층(122)을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층(121)과 연결되도록 제1 전극(125)이 형성될 수 있다. 절연층(124)은 상기 제1 전극(125)의 외측벽 및 상기 제2 도전형 반도체층(123)의 저면에 형성되어, 상기 제1 전극 패드(131)와 상기 활성층(122) 사이의 직접적인 전기적 연결을 방지한다. 상기 제1 전극(125)은 상기 제1 전극 패드(131)와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 상기 제2 도전형 반도체층(123)의 저면에 형성된 절연층(124)을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층(123)과 연결되도록 제2 전극(126)이 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(126)은 상기 제2 전극 패드(133)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도면에서 상기 제1 도전형 반도체층(121), 상기 활성층(122), 상기 제2 도전형 반도체층(123), 상기 절연층(124), 상기 제1 전극(125), 및 상기 제2 전극(126)은 상기 발광 구조체(120)를 예시한 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 발광 구조체(120) 및 상기 전극 패드(130)의 전기적 연결 구조는 예시한 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다.
전극 패드(130)는 발광 소자(100)의 제1 주면(101) 상에서 발광 소자(100)에 통전하기 위한 제1 및 제2 전극 패드(131, 133)로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 전극 패드(131, 133) 각각은 임의의 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도면에 도시된 발광 소자 패키지(10)에서, 제1 및 제2 전극 패드(131, 133)는 평면 구조에서, 제1 방향(X 방향)으로 서로 이격되어 배치되고, 제2 방향(Y 방향)으로 연장된 직사각형으로 형성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 및 제2 전극 패드(131, 133)는 서로 같은 형상이 아닐 수도 있다.
투광층(200)은 발광 소자(100)의 제2 주면(102) 및 측면(103)의 적어도 일부를 덮고 상기 측면(103)을 통하여 방출되는 광을 파장 변환층(400)의 제1 면(401) 방향으로 추출한다. 즉, 발광 소자(100)의 측면(103)에 도달한 광이 상기 측면(103)에서 반사되어 발광 소자(100) 내에서 소멸하기 전에, 그 광을 투광층(200)을 통해 발광 소자(100)의 외측으로 방출할 수 있다. 이와 같이, 투광층(200)을 포함하여 광 손실을 억제함으로써, 발광 소자 패키지(10)의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 투광층(200)은 발광 소자(100)의 측면(103)의 전부를 덮지 않고, 측면(103)의 적어도 일부분만을 덮을 수도 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 발광 소자(100)의 제1 주면(101)에 있는 가장자리 부근에서 발광 소자(100)의 측면(103)은 투광층(200)으로부터 노출될 수도 있다. 다만, 투광층(200)에서 노출된 측면(103) 부분은 피복층(300)에 의해 덮이므로, 발광 소자(100)의 측면(103) 중 어느 부분도 발광 소자 패키지(10)의 외부로 노출되지는 않는다. 즉, 상기 투광층(200)의 두께(200T)보다 상기 피복층(300)의 두께(300T)가 더 두꺼울 수 있다.
일부 실시예들에서, 투광층(200)의 두께(200T)는 약 100㎛ 내지 350㎛일 수 있고, 피복층(300)의 두께(300T)는 약 150㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 피복층(300)의 두께(300T)는 투광층(200)의 두께(200T)와 전극 패드(130)의 두께를 더한 수치일 수 있으므로, 투광층(200)의 두께(200T):피복층(300)의 두께(300T)는 약 1:1.1 내지 1:2가 될 수 있다.
앞서 살펴본 바와 같이, 투광층(200)은 발광 소자(100)의 측면(103)에 도달한 광이 그 측면(103)에서 반사되어 발광 소자(100) 내에서 소멸하기 전에 그 광을 투광층(200)을 통해 발광 소자(100)의 외부로 방출하기 위한 부재이다. 따라서 투광층(200)이 발광 소자(100)의 측면(103) 위치에 따라 형성되는 면적이 급격히 달라지면, 발광 소자(100) 및 투광층(200) 사이의 계면에서 광학 특성이 변할 수 있다.
즉, 발광 구조체(120)로부터 발광하여 발광 소자(100)의 측면(103)에 도달한 광의 일부는 투광층(200)과 피복층(300)의 경계에서 반사되지 못하고 소멸될 수 있다. 그 결과, 투광층(200)이 두껍게 존재하는 부분에서의 투광층(200)과 피복층(300)의 경계를 통해서 반사되는 광량에 비하여, 투광층(200)이 얇게 존재하는 부분에서의 투광층(200)과 피복층(300)의 경계를 통해서 반사되는 광량은 상대적으로 적을 수 있다. 이로 인해, 발광 소자 패키지(10)의 광 추출 효율은 저하되고, 발광 소자 패키지(10)의 발광 특성은 변할 수 있다.
다시 말하면, 평면 구조에서, 발광 소자(100)의 모서리 부분에 형성된 투광층(200)의 면적이 다른 부분의 면적과 크게 차이가 나는 경우, 투광층(200)이 상대적으로 작게 형성된 측면(103)에 도달한 광은 투광층(200)을 통해 발광 소자 패키지(10)로 추출되는 효율이 낮아질 수 있다.
따라서, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지(10)는, 평면 구조에서, 투광층(200)의 대각선의 길이(200C)는 각 변의 길이(200B)와 같거나 길도록 투광층(200)을 발광 소자(100)의 측면(103)에 형성하여, 투광층(200)이 발광 소자(100)의 모서리 부분에서 얇게 형성되는 것을 억제한다. 평면 구조에서, 상기 발광 소자(100)의 중심과 상기 투광층(200)의 중심은 일치하고, 상기 발광 소자(100)는 제1 면적을 가지는 사각 형상이고, 상기 투광층(200)은 상기 제1 면적보다 넓은 제2 면적을 가지며 상기 발광 소자(100)와 동일한 형상을 가지도록 형성하여, 발광 소자 패키지(10)의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 발광 소자(100)의 제1 면적은 상기 투광층(200)의 제2 면적의 약 19.8% 내지 82.6%를 차지하도록 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 발광 소자(100)의 제1 방향(X 방향)으로의 변의 길이(100X)는 약 400㎛ 내지 3000㎛일 수 있다. 발광 소자(100)의 제2 방향(Y 방향)으로의 변의 길이는 상기 제1 방향(X 방향)으로의 변의 길이(100X)와 서로 같은 수치거나, 서로 다른 수치일 수 있다. 다시 말해, 발광 소자(100)는 평면 구조에서, 정사각형 또는 직사각형일 수 있다.
또한, 발광 소자(100)의 모서리부터 각각, 투광층(200)의 제1 방향(X 방향)으로의 길이(200X), 투광층(200)의 제2 방향(Y 방향)으로의 길이(200Y), 및 투광층(200)의 대각선으로의 길이(200D)를 살펴보면 다음과 같다. 발광 소자(100)의 모서리부터 투광층(200)의 제1 방향(X 방향)으로의 길이(200X) 및 제2 방향(Y 방향)으로의 길이(200Y)는 각각 약 100㎛ 내지 1500㎛일 수 있고, 대각선으로의 길이(200D)는 피타고라스의 정리(the Pythagorean theorem)에 의해 약 140㎛ 내지 2100㎛일 수 있다. 발광 소자(100)의 모서리부터 투광층(200)의 제1 방향(X 방향)으로의 길이(200X) 및 제2 방향(Y 방향)으로의 길이(200Y)는 서로 같은 수치거나, 서로 다른 수치일 수 있다. 즉, 상기 투광층(200)의 한 변의 길이는 약 600㎛ 내지 6000㎛일 수 있다.
상기 피복층(300)은 단일층 또는 굴절률이 서로 다른 유전층들을 교대로 적층하여 다층 구조로 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 피복층(300)은 SiO2, MgF2, SiN, TiO2, Nb2O5 중 선택된 하나로 형성된 단일층일 수 있고, 이를 교대로 적층하여 형성된 다층 구조일 수 있다.
상기 파장 변환층(400)은 형광체를 포함할 수 있다. 형광체는 파장 변환 물질을 함유한 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 물질은 형광 물질이고, 상기 수지는 실리콘 수지, 에폭시 수지 또는 그 혼합 수지일 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 파장 변환층(400)은 전기적으로 절연성을 가질 수 있다.
상기 파장 변환층(400)은 서로 다른 파장의 광을 제공하는 2종 이상의 물질일 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 파장 변환층(400)은 녹색 형광성 분말과 적색 형광성 분말이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 다른 실시예들에서, 상기 파장 변환층(400)은 복수의 파장 변환층이 적층된 구조일 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환층(400)은 녹색광을 출력하는 제1 파장 변환층 및 적색광을 출력하는 제2 파장 변환층이 적층된 구조일 수 있다. 이에 따라, 상기 파장 변환층(400)은 상기 발광 구조체(120)에서 발생하는 광을 백색광 또는 특정 파장의 광으로 변환할 수 있다.
상기 파장 변환층(400)의 측면 및 상기 피복층(300)의 측면은 동일 평면에 위치할 수 있다. 이는 후술하는 제조 공정에 기인하는 특성일 수 있다. 즉, 발광 소자 패키지(10)는 평면 구조에서, 상기 파장 변환층(400)만이 노출될 수 있다.
또한, 평면 구조에서, 상기 투광층(200)의 중심과 상기 파장 변환층(400)의 중심은 일치하고, 상기 파장 변환층(400)은 상기 파장 변환층(400)이 차지하는 면적이 상기 투광층(200)이 차지하는 면적보다 큰 사각 형상으로 형성될 수 있다.
도 1e를 참조하면, 발광 소자 패키지(11)는 도 1a 내지 도 1d의 발광 소자 패키지(10)와 유사하나, 전극 패드(130)의 일부가 피복층(300)으로부터 돌출된 형상을 가진다는 차이가 있다. 전극 패드(130)의 노출면은 피복층(300)으로부터 돌출될 수 있다. 전극 패드(130)의 측면의 일부는 피복층(300)에 덮이지 않고 노출될 수 있다. 즉, 전극 패드(130)는 피복층(300)보다 더 외측으로 돌출되도록 형성될 수 있다.
도 1f를 참조하면, 발광 소자 패키지(12)는 도 1e의 발광 소자 패키지(11)와 유사하나, 피복층(300)이 전극 패드(130)의 측면에 근접할수록 두께가 증가하는 경사면으로 형성된다는 차이가 있다. 피복층(300)에 의해 형성되는 경사면은 전극 패드(130)의 측면과 접하고 전극 패드(130)의 측면의 형상을 따르도록 오목하게 만곡된 곡면 형상을 가질 수 있다. 피복층(300)은 전극 패드(130)의 측면과 접하는 부위에서 전극 패드(130)의 측면을 따라 올라가는 메니스커스 형상을 가질 수 있다.
도 1g를 참조하면, 발광 소자 패키지(13)는 도 1e의 발광 소자 패키지(11)와 유사하나, 피복층(300)이 전극 패드(130)의 측면에 근접할수록 두께가 감소하는 경사면으로 형성된다는 차이가 있다. 피복층(300)에 의해 형성되는 경사면은 전극 패드(130)의 측면과 접하고 전극 패드(130)의 측면을 향해 볼록하게 만곡된 곡면 형상을 가질 수 있다.
도 2a는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이고, 도 2c는 도 2a의 C-C 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이다. 또한, 도 2d 및 도 2e는 도 2b와 비교하여 일부 차이점을 가지는 다른 실시예들을 나타내는 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 발광 소자 패키지(20)는 도 1a 내지 도 1d의 발광 소자 패키지(10)와 유사하나, 투광층(200)이 발광 소자(100)의 측면을 모두 덮고 전극 패드(130)의 노출면과 동일 레벨까지 도달하는 차이가 있다. 도 1a 내지 도 1c와 동일한 참조 부호는 동일한 부재이며, 설명의 편의를 위하여 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
투광층(200)이 상기 전극 패드(130)의 노출면과 동일 레벨에 형성되도록 상기 발광 소자 패키지(20) 내에 배치될 수 있다. 즉, 투광층(200)의 두께(200T)와 피복층(300)의 두께(300T)는 실질적으로 동일하도록 형성될 수 있다.
이 때, 상기 전극 패드(130)의 측면은 전극 피복층(305)에 의하여 둘러싸일 수 있다. 이와 같은 구조는, 상기 전극 피복층(305)이 미리 형성된 발광 소자(100)를 먼저 제조한 후, 상기 투광층(200)을 형성하는 제조 방법에 기인할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지(20)에서, 상기 측면(103)의 모든 부분에 투광층(200)이 형성되므로, 발광 소자 패키지(20)의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
도 2d를 참조하면, 발광 소자 패키지(21)는 도 2a 내지 도 2c의 발광 소자 패키지(20)와 유사하나, 투광층(200)이 전극 피복층(305)의 측면의 일부만을 덮도록 형성된다는 차이가 있다. 따라서, 투광층(200)이 상기 전극 패드(130)의 노출면에서 일정 거리만큼 높은 레벨에 정렬될 수 있다. 즉, 투광층(200)의 두께(200T)보다 피복층(300)의 두께(300T)가 더 두껍도록 형성될 수 있다.
도 2e를 참조하면, 발광 소자 패키지(22)는 도 2a 내지 도 2c의 발광 소자 패키지(20)와 유사하나, 전극 패드(130)의 측면의 일부만이 전극 피복층(305)에 의하여 둘러싸인다는 차이가 있다. 따라서, 전극 피복층(305)은 피복층(300)에 의하여 덮일 수 있다. 또한, 투광층(200)이 상기 전극 패드(130)의 노출면에서 일정 거리만큼 높은 레벨에 정렬될 수 있고, 투광층(200)의 두께(200T)보다 피복층(300)의 두께(300T)가 더 두껍도록 형성될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이고, 도 3c는 도 3a의 C-C 선 단면에 대응하는 부분의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 발광 소자 패키지(30)는 도 1a 내지 도 1d의 발광 소자 패키지(10)와 유사하나, 투광층(200)과 파장 변환층(400) 사이에 층간 물질층(500)을 포함한다는 차이가 있다. 도 1a 내지 도 1c와 동일한 참조 부호는 동일한 부재이며, 설명의 편의를 위하여 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지(30)에 포함되는 층간 물질층(500)의 기능은 크게 두 가지로 설명할 수 있다.
첫 번째로, 계층 굴절률 효과를 가지는 발광 소자 패키지(30)로 형성하여, 발광 구조체(120)에서 발생한 광이 발광 소자 패키지(30)의 외부로 추출되는 효율을 증대시키는 것이다. 일부 실시예들에서, 투광성 기판(110)(사파이어 기판의 경우 굴절률 약 1.75) 및 파장 변환층(400)(굴절률 약 1.48)의 큰 굴절률 차이로 인해 광이 방출될 수 있는 임계각(Critical Angle)이 감소하여 내부 전반사에 의한 손실이 발생할 수 있으므로, 이를 개선하기 위해 상기 투광성 기판(110) 및 상기 파장 변환층(400)의 굴절률의 중간 수치를 가지는 물질인 층간 물질층(500)을 삽입함으로써, 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 투광층(200)까지 포함하여 계층 굴절률 효과를 위한 층이 4개로 나뉘게 된다. 투광층(200)을 구성하는 원재료는 상기 층간 물질층(500) 보다 굴절률이 큰 재료를 선택할 수 있다.
즉, 상기 투광성 기판(110)의 굴절률은 상기 투광층(200)의 굴절률보다 크고, 상기 투광층(200)의 굴절률은 상기 층간 물질층(500)의 굴절률보다 크고, 상기 층간 물질층(500)의 굴절률은 상기 파장 변환층(400)의 굴절률보다 크도록 각각의 재료를 선택하여 계층 굴절률 효과를 갖는 발광 소자 패키지(30)를 형성할 수 있다.
두 번째로, 투광층(200)의 형상 제어를 위한 버퍼층의 기능을 수행할 수 있다. 만약 층간 물질층(500)이 존재하지 않는다면, 투광층(200)의 단면 모양은 투광층(200)을 구성하는 원재료와 파장 변환층(400) 간의 표면 장력에 의해 결정될 수 있고, 재료에 따른 표면 장력 차이로 오목한 형태의 투광층(200)이 형성될 수 있다. 이 경우, 시뮬레이션 결과에 따르면, 광 추출 효율은 최대 1.8% 감소할 수 있다고 파악되었다. 따라서, 이러한 현상을 극복하기 위해 층간 물질층(500)은 투광층(200)이 오목한 단면 형상으로 형성되는 것을 방지하기 위한 버퍼층의 기능을 수행할 수 있다.
발광 소자 패키지(30)는 평면 구조에서, 상기 발광 소자(100)의 중심, 상기 투광층(200)의 중심, 및 상기 층간 물질층(500)의 중심은 일치하고, 상기 발광 소자(100)는 제1 면적을 가지는 사각 형상이고, 상기 층간 물질층(500)은 상기 제1 면적보다 넓은 제2 면적을 가지는 N각(N은 4 이상의 자연수) 형상이고, 상기 투광층(200)은 상기 층간 물질층(500)과 동일 면적 및 동일 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 평면 구조에서, 상기 층간 물질층(500)은 사각 형상이고, 상기 발광 소자(100), 상기 투광층(200), 상기 층간 물질층(500), 및 상기 파장 변환층(400)의 각각의 모서리는 일직선상에 위치하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 발광 소자(100)의 제2 주면(102) 상에서, 투광성 기판(110)과 층간 물질층(500) 사이에 형성된 상기 투광층(200)의 두께(200TB)보다 상기 층간 물질층(500)의 두께(500T)가 더 두껍도록 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 발광 소자 패키지(40)는 도 1a의 발광 소자 패키지(10)와 유사하나, 투광층(200)의 평면 형상이 육각형으로 형성된다는 차이가 있다. 도 1a와 동일한 참조 부호는 동일한 부재이며, 설명의 편의를 위하여 중복되는 설명은 생략하도록 한다.
발광 소자 패키지(40)는 평면 구조에서, 상기 발광 소자(100)의 중심과 상기 투광층(200)의 중심은 일치하고, 상기 발광 소자(100)는 제1 면적을 가지는 사각 형상이고, 상기 투광층(200)은 상기 제1 면적보다 넓은 제2 면적을 가지는 N각(N은 4 이상의 자연수) 형상으로 형성될 수 있다.
도면에는 N=6인 육각 형상인 경우를 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 후술하겠지만, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(40)는 투광층(200)의 형상을 스크린 프린팅 공정을 이용하여 발광 소자(100)의 형상에 맞추어 원하는 대로 형성할 수 있다. 따라서, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자 패키지(40)의 제조가 효율적으로 가능할 수 있다.
도 5는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서를 나타낸 블록도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 다음과 같은 공정 순서를 포함할 수 있다. 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자를 제조하는 단계(S110), 파장 변환층 상에 소정의 두께로 N각(N은 4 이상의 자연수) 평면 형상으로 액상의 투광 물질을 도포하는 단계(S120), 투광 물질 상에 발광 소자의 제2 주면이 맞닿게 배치하는 단계(S130), 발광 소자의 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며 측면에 경사지게 투광 물질이 형성되도록 발광 소자에 소정의 압력을 제공하는 단계(S140), 투광 물질을 경화시켜 투광층을 형성하는 단계(S150), 전극 패드를 노출하며 발광 소자 및 투광층을 감싸는 피복층을 형성하는 단계(S160), 및 투광층의 외곽으로 피복층 및 파장 변환층을 절단하는 단계(S170)를 포함한다.
일반적으로, 칩 스케일 패키지 형태의 발광 소자 패키지는 발광 소자로부터 방출되는 광의 추출 효율을 향상시키기 위하여 발광 소자 주변에 배치되는 투광층 및 피복층을 포함할 수 있다. 최근 발광 소자의 크기가 감소함에 따라, 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있는 안정적인 투광층 및 피복층을 포함하는 발광 소자 패키지가 요구되고 있다.
따라서, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 투광층의 형상을 발광 소자의 형상에 맞추어 형성하는 단계를 포함하여 발광 소자의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 스크린 프린팅 공정을 이용하여 발광 소자 패키지에 포함되는 투광층의 형상을 원하는 대로 형성할 수 있으므로, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자 패키지의 효율적인 생산이 가능할 수 있다.
상기 각각의 단계에 대한 기술적 특징은 후술하는 도 6a 내지 도 9b를 통하여 상세히 설명하도록 한다.
도 6a 내지 도 9b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정 순서에 따라 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 6b, 도 7b, 도 8b, 및 도 9b는 각각 도 6a, 도 7a, 도 8a, 및 도 9a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다. 도 6a 내지 도 9b를 참조하여, 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 발광 소자 패키지(10)의 예시적인 제조 방법을 설명한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 파장 변환 필름(400S)의 제1 면(401)과 대향하는 제2 면(402) 상에 투광 물질(200S)(예를 들어, 액상 수지 재료)을 분리된 복수의 평면 사각 형상으로 도포한다. 이 때, 비교적 큰 파장 변환 필름(400S)을 이용하여 한 장의 파장 변환 필름(400S) 상에 복수의 평면 사각 형상의 투광 물질(200S)을 배치한다. 이웃하는 복수의 평면 사각 형상의 투광 물질(200S)의 간격이 너무 넓으면, 동시에 형성할 수 있는 발광 소자 패키지의 개수가 감소하고, 발광 소자 패키지의 생산 효율이 나빠지므로, 투광 물질(200S)은 적절한 간격으로 배치할 수 있다.
상기 투광 물질(200S)은 스크린 프린팅 공정, 임프린트 공정, 리소그래피 공정 등을 사용하여, 일정한 형상을 가지도록 도포할 수 있다.
복수의 평면 사각 형상의 투광 물질(200S)의 형성 공정에서, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지 제조 방법은 투광 물질(200S)의 형상을 발광 소자의 형상에 맞추어 형성하여 발광 소자의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 방법은 스크린 프린팅 공정을 이용하여 투광 물질(200S)의 형상을 원하는 대로 형성할 수 있으므로, 광 추출 효율이 개선된 발광 소자 패키지의 효율적인 생산이 가능할 수 있다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 복수의 평면 사각 형상의 투광 물질(200S) 상에 발광 소자(100)를 배치한다. 발광 소자(100)를 복수의 평면 사각 형상의 투광 물질(200S) 상에 배치하는 것만으로, 또는 배치한 다음 발광 소자(100)에 압력을 가함으로써, 표면 장력에 의해 투광 물질(200S)은 발광 소자(100)의 측면(103)에 오르며, 투광 물질(200S)의 외면은 하측으로 펼쳐진 형상으로 변형된다.
투광 물질(200S)의 평면 형상은 발광 소자(100)의 배치 또는 가압에 의해 변형되어, 최종 제품인 발광 소자 패키지(10, 도 9b 참조)에 구비되는 투광층(200, 도 9b 참조)의 외형과 거의 일치하는 형상으로 된다. 또한, 투광 물질(200S)이 파장 변환 필름(400S)과 발광 소자(100)의 투광성 기판(110) 사이에 막형으로 존재할 수 있다. 상기 투광 물질(200S)을 경화하여 형성되는 투광층(200, 도 9b 참조)은 파장 변환 필름(400S)과 발광 소자(100)의 접착제로서도 기능할 수 있다. 상기 투광 물질(200S)의 두께는 접착성과 발광 소자(100)의 방열 특성을 고려해서 결정할 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 투광 물질(200S, 도 7b 참조)을 경화시켜 투광층(200)을 형성한 후, 투광층(200)의 외면과 파장 변환 필름(400S)의 제2 면(402) 중 투광층(200)에 의해 덮이지 않은 부분에 피복층(300)을 형성한다. 또한, 발광 소자(100)의 발광 구조체(120) 중 전극 패드(130)에 의해 덮이지 않은 부분에도 피복층(300)을 형성한다. 이 때, 전극 패드(130)의 일부가 피복층(300)에서 노출되도록, 피복층(300)의 두께를 조절할 수 있다. 즉, 파장 변환 필름(400S)의 제2 면(402)을 기준으로, 피복층(300)의 최상면의 레벨이 전극 패드(130)의 상면의 레벨 이하가 되도록 형성할 수 있다. 이 때, 파장 변환 필름(400S) 상에 배치된 복수의 발광 소자(100)의 주위에 형성된 복수의 투광층(200)은 연속하는 하나의 피복층(300)에 의해 모두 덮인다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 이웃하는 발광 소자(100)의 중간 영역(예를 들어, 스크라이브 레인)을 따라 피복층(300)과 파장 변환 필름(400S)을 절단 공정을 통하여 절단한다. 절단 공정에 의해 각각의 발광 소자 패키지(10)로 물리적으로 분리된다. 이와 같은 방식으로, 발광 소자(100), 투광층(200), 피복층(300), 및 파장 변환층(400)을 포함하는 발광 소자 패키지(10)를 동시에 복수 개 제조할 수 있다.
이로써, 평면 구조에서, 투광층(200)의 대각선의 길이는 투광층(200)의 각 변의 길이보다 길게 형성되고, 상기 파장 변환층(400)의 측면 및 상기 피복층(300)의 측면은 동일 평면에 위치하는 본 발명의 기술적 사사에 따른 발광 소자 패키지(10)가 제조된다.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다. 보다 구체적으로, 도 10b는 도 10a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분을 도시한 단면도들이다. 도 10a 및 도 10b를 참조하여 도 1a 내지 도 1d에서 설명한 발광 소자 패키지(10)의 예시적인 제조 방법을 설명한다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 파장 변환 필름(400S)의 제2 면 상에 투광 물질(200S)을 형성한다. 투광 물질(200S)이 투광성 수지 재료로 형성될 경우에, 투광 물질(200S)(예를 들어, 액상 수지 재료)을 디스펜서 등을 이용하여 발광 소자(100)가 위치할 영역의 경계 및 내부에 도포한다.
다시 말하면, 상기 투광 물질(200S)을 도포할 때, 가상의 최외곽 연결선(200L)이 N각(N은 4 이상의 자연수) 평면 형상으로 형성되도록 복수의 도트(dot) 형상을 디스펜싱 공정을 이용하여 형성한다.
투광 물질(200S)인 액상 수지 재료를 디스펜싱 공정으로 도포하는 경우, 파장 변환 필름(400S) 상에 퍼짐과 동시에, 표면 장력에 의해 도트 모양으로 형성된다. 투광 물질(200S)이 볼록한 도트 형태가 되도록 액상 수지 재료의 점도 및 도포량을 조절할 수 있다. 또한, 액상 수지 재료의 점도는 필러 등을 첨가하여 조절할 수 있다.
후속 공정들은 앞서 설명한 도 7a 내지 도 9b의 제조 공정과 실질적으로 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(20)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 11b는 도 11a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분을 도시한 단면도이다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 도 2a 내지 도 2c에서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지(20)의 예시적인 제조 방법을 설명한다.
파장 변환 필름(400S)의 제2 면(402) 상에 투광 물질(200S)을 형성한 후, 상기 투광 물질(200S)의 최상면의 레벨이 상기 전극 패드(130)의 노출면과 동일한 레벨에 형성되도록 상기 발광 소자(100)를 배치할 수 있다. 이 때, 발광 소자(100)에서 상기 전극 패드(130)의 측면은 전극 피복층(305)에 의하여 둘러싸일 수 있는데, 상기 전극 피복층(305)은 피복층(300, 도 8b 참조)이 형성될 때 같이 형성되지 않고, 먼저 발광 소자(100)의 제조 단계에서 형성될 수 있다.
이와 같은 구조는, 상기 전극 피복층(305)을 가지는 발광 소자(100)를 먼저 제조한 후 상기 투광 물질(200S) 상에 배치하여 형성하는 제조 방법에 기인할 수 있다. 상기 투광 물질(200S)이 상기 발광 소자(100)의 측면(103)을 모두 덮을 수 있으므로, 발광 소자 패키지(20)의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
다른 공정들은 앞서 설명한 발광 소자 패키지(10)의 제조 공정과 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.
도 12a 내지 도 13b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(30)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 12b 및 도 13b는 각각 도 12a 및 도 13a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분을 도시한 단면도들이다. 도 12a 내지 도 13b를 참조하여, 도 3a 내지 도 3c에서 설명한 발광 소자 패키지(30)의 예시적인 제조 방법을 설명한다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 파장 변환 필름(400S)의 제2 면(402) 상에 층간 물질층(500)을 복수의 평면 사각 형상으로 형성한다. 이 때, 비교적 큰 파장 변환 필름(400S)을 이용하여 한 장의 파장 변환 필름(400S) 상에 복수의 평면 사각 형상의 층간 물질층(500)을 배치한다. 또한, 이웃하는 복수의 평면 사각 형상의 층간 물질층(500)의 간격이 너무 넓으면, 동시에 형성할 수 있는 발광 소자 패키지의 개수가 감소하고, 발광 소자 패키지의 양산 효율이 나빠지므로, 층간 물질층(500)은 적절한 간격으로 배치할 수 있다. 상기 층간 물질층(500)을 구성하는 재료의 굴절률은 앞서 설명한 바와 같이, 다른 층들과의 관계를 고려하여 선택될 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 층간 물질층(500) 상에 투광 물질(200S)을 도포할 수 있다. 만약 층간 물질층(500)이 존재하지 않는다면, 투광 물질(200S)의 단면 모양은 투광 물질(200S)을 구성하는 원재료와 파장 변환 필름(400S) 간의 표면 장력에 의해 결정될 수 있고, 재료에 따른 표면 장력 차이로 오목한 형태의 투광 물질(200S)이 형성될 수 있다. 이러한 현상을 극복하기 위해 층간 물질층(500)은 투광 물질(200S)이 오목한 단면 형상으로 형성되는 것을 방지하기 위한 버퍼층의 기능을 수행할 수 있다.
다른 공정들은 앞서 설명한 발광 소자 패키지(10)의 제조 공정과 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(40)의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 도면들이다.
구체적으로, 도 14b는 도 14a의 B-B 선 단면에 대응하는 부분을 도시한 단면도이다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 도 4에서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 발광 소자 패키지(40)의 예시적인 제조 방법을 설명한다.
평면 구조에서, 투광 물질(200S)은 N각(N은 4 이상의 자연수) 형상으로 파장 변환 필름(400S)의 제2 면(402) 상에 형성될 수 있다. 도면에서는 N=6인 육각 형상인 경우를 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(40)는 투광 물질(200S)의 형상을 발광 소자의 형상에 맞추어 원하는 대로 형성할 수 있으므로, 발광 소자 패키지(40)의 광 추출 효율을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
다른 공정들은 앞서 설명한 발광 소자 패키지(10)의 제조 공정과 동일하므로 여기서는 상세한 설명을 생략하도록 한다.
도 15는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛의 개략적인 사시도이다.
구체적으로, 백라이트 유닛(2100)은 도광판(2140) 및 도광판(2140) 양측면에 제공되는 광원 모듈(2110)을 포함할 수 있다. 또한, 백라이트 유닛(2100)은 도광판(2140)의 하부에 배치되는 반사판(2120)을 더 포함할 수 있다. 본 실시예의 백라이트 유닛(2100)은 에지형 백라이트 유닛일 수 있다. 일부 실시예들에서, 광원 모듈(2110)은 도광판(2140)의 일 측면에만 제공되거나, 다른 측면에 추가적으로 제공될 수도 있다. 광원 모듈(2110)은 인쇄회로기판(2101) 및 인쇄회로기판(2101) 상면에 실장된 복수의 광원(2105)을 포함할 수 있다. 광원(2105)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
도 16은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛을 나타내는 도면이다.
구체적으로, 백라이트 유닛(2200)은 광확산판(2240) 및 광확산판(2240) 하부에 배열된 광원 모듈(2210)을 포함할 수 있다. 또한, 백라이트 유닛(2200)은 광확산판(2240) 하부에 배치되며, 광원 모듈(2210)을 수용하는 바텀 케이스(2260)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예의 백라이트 유닛(2200)은 직하형 백라이트 유닛일 수 있다.
광원 모듈(2210)은 인쇄회로기판(2201) 및 인쇄회로기판(2201) 상면에 실장된 복수의 광원(2205)을 포함할 수 있다. 광원(2205)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
도 17은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 나타내는 도면이다.
구체적으로, 직하형 백라이트 유닛(2300)에 있어서 광원(2305)의 배치의 일 예를 나타낸다. 광원(2305)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
일부 실시예들에서, 직하형 백라이트 유닛(2300)은 기판(2301)상에 배열된 복수의 광원(2305)을 갖추어 구성된다. 광원(2305)들의 배열 구조는 행과 열로 배열된 매트릭스 구조로서 각각의 행과 열은 지그재그 형태를 갖는다. 이는 복수의 광원(2305)이 일직선상에 행과 열로 배열된 제1 매트릭스의 내부에 동일한 형태의 제2 매트릭스가 배치된 구조로서 상기 제1 매트릭스에 포함된 이웃한 4개의 광원(2305)이 이루는 사각형의 내부에 상기 제2 매트릭스의 각 광원(2305)이 위치하는 것으로 이해될 수 있다.
다만, 상기 직하형 백라이트 유닛에 있어서 휘도의 균일성 및 광 효율을 보다 향상시키기 위해 필요에 따라서는, 상기 제1 및 제2 매트릭스는 배치 구조 및 간격을 서로 다르게 할 수도 있다. 또한, 이러한 복수의 광원 배치 방법 외에, 휘도 균일도를 확보할 수 있도록 이웃한 광원 간의 거리(S1, S2)를 최적화할 수 있다. 이와 같이, 광원(2305)들로 구성된 행과 열을 일직선상에 배치하지 않고, 지그재그로 배치함에 따라, 동일한 발광 면적에 대하여 약 15% 내지 25% 정도 광원(2305)의 수를 줄일 수 있는 장점이 있다.
도 18은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 직하형 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
구체적으로, 백라이트 유닛(2400)은 회로기판(2401) 상에 광원(2405)이 실장되며, 그 상부에 배치된 하나 이상의 광학 시트(2406)를 구비한다. 광원(2405)은 적색 형광체를 함유한 백색 발광 장치일 수 있다. 일부 실시예들에서, 광원(2405)이 회로기판(2401) 상에 실장된 모듈일 수 있다. 광원(2405)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
본 실시예에 사용된 회로기판(2401)은 메인 영역에 해당되는 제1 평면부(2401a), 그 주위에 배치되어 적어도 일부가 꺾인 경사부(2401b), 및 상기 경사부(2401b)의 외측인 회로기판(2401)의 모서리에 배치된 제2 평면부(2401c)를 가질 수 있다. 제1 평면부(2401a) 상에는 제1 간격(d1)에 따라 광원(2405)이 배열되며, 경사부(2401b) 상에도 제2 간격(d2)으로 하나 이상의 광원(2405)이 배열될 수 있다. 상기 제1 간격(d1)은 상기 제2 간격(d2)과 동일할 수 있다. 상기 경사부(2401b)의 폭(또는 단면에서는 길이)은 제1 평면부(2401a)의 폭보다 작으며 제2 평면부(2401c)의 폭에 비해서는 길게 형성될 수 있다. 또한, 제2 평면부(2401c)에도 필요에 따라 적어도 하나의 광원(2405)이 배열될 수 있다.
상기 경사부(2401b)의 기울기는 제1 평면부(2401a)를 기준으로 0°보다는 크며 90°보다는 작은 범위 안에서 적절하게 조절할 수 있다. 회로기판(2401)은 이러한 구조를 취함으로써 광학 시트(2406)의 가장자리 부근에서도 균일한 밝기를 유지할 수 있다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면들이다.
구체적으로, 백라이트 유닛들(2500, 2600, 2700)은 파장 변환부(2550, 2650, 2750)가 광원(2505, 2605, 2705)에 배치되지 않고, 광원(2505, 2605, 2705)의 외부에서 백라이트 유닛들(2500, 2600, 2700) 내에 배치되어 광을 변환시킬 수 있다. 광원(2505, 2605, 2705)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
도 19의 백라이트 유닛(2500)은 직하형 백라이트 유닛으로, 파장 변환부(2550), 상기 파장 변환부(2550)의 하부에 배열된 광원 모듈(2510), 및 상기 광원 모듈(2510)을 수용하는 바텀 케이스(2560)를 포함할 수 있다. 또한, 광원 모듈(2510)은 인쇄회로기판(2501) 및 상기 인쇄회로기판(2501) 상면에 실장된 복수의 광원(2505)을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(2500)에서는, 바텀 케이스(2560) 상부에 파장 변환부(2550)가 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(2510)로부터 방출되는 광의 적어도 일부가 파장 변환부(2550)에 의해 파장 변환될 수 있다. 상기 파장 변환부(2550)는 별도의 필름으로 제조되어 적용될 수 있으나, 도시되지 않은 광확산판과 일체로 결합된 형태로 제공될 수 있다.
도 20 및 도 21의 백라이트 유닛(2600, 2700)은 에지형 백라이트 유닛으로, 파장 변환부(2650, 2750), 도광판(2640, 2740), 상기 도광판(2640, 2740)의 일 측에 배치되는 반사부(2620, 2720), 및 광원(2605, 2705)을 포함할 수 있다. 광원(2605, 2705)에서 방출되는 광은 상기 반사부(2620, 2720)에 의해 상기 도광판(2640, 2740)의 내부로 안내될 수 있다. 도 20의 백라이트 유닛(2600)에서, 파장 변환부(2650)는 도광판(2640)과 광원(2605)의 사이에 배치될 수 있다. 도 21의 백라이트 유닛(2700)에서, 파장 변환부(2750)는 도광판(2740)의 광 방출면 상에 배치될 수 있다.
파장 변환부(2550, 2650, 2750)에는 통상적인 형광체가 포함될 수 있다. 특히, 광원으로부터의 열 또는 수분에 취약한 양자점의 특성을 보완하기 위하여 양자점 형광체를 사용할 수 있다.
도 22는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 디스플레이 장치의 개략적인 분해 사시도이다.
구체적으로, 디스플레이 장치(3000)는, 백라이트 유닛(3100), 광학시트(3200), 및 액정 패널과 같은 화상 표시 패널(3300)을 포함할 수 있다. 백라이트 유닛(3100)은 바텀 케이스(3110), 반사판(3120), 도광판(3140), 및 도광판(3140)의 적어도 일 측면에 제공되는 광원 모듈(3130)을 포함할 수 있다. 광원 모듈(3130)은 인쇄회로기판(3131) 및 광원(3132)을 포함할 수 있다.
특히, 광원(3132)은 광방출면에 인접한 측면으로 실장된 사이드뷰 타입 발광 소자일 수 있다. 광원(3132)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다. 시트, 프리즘시트, 또는 보호시트와 같은 여러 종류의 시트를 포함할 수 있다.
화상 표시 패널(3300)은 광학시트(3200)를 출사한 광을 이용하여 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 어레이 기판(3320), 액정층(3330), 및 컬러 필터 기판(3340)을 포함할 수 있다. 어레이 기판(3320)은 매트릭스 형태로 배치된 화소 전극들, 상기 화소 전극에 구동 전압을 인가하는 박막 트랜지스터들 및 상기 박막 트랜지스터들을 작동시키기 위한 신호 라인들을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(3340)은 투명기판, 컬러 필터, 및 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 컬러 필터는 백라이트 유닛(3100)으로부터 방출되는 백색광 중 특정 파장의 광을 선택적으로 통과시키기 위한 필터들을 포함할 수 있다. 액정층(3330)은 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 재배열되어 광투과율을 조절할 수 있다. 광투과율이 조절된 광은 컬러 필터 기판(3340)의 상기 컬러 필터를 통과함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화상 표시 패널(3300)은 영상 신호를 처리하는 구동회로 유닛 등을 더 포함할 수 있다.
본 실시예의 디스플레이 장치(3000)에 따르면, 상대적으로 작은 반치폭을 가지는 청색광, 녹색광, 및 적색광을 방출하는 광원(3132)을 사용하므로, 방출된 광이 컬러 필터 기판(3340)을 통과한 후 높은 색순도의 청색, 녹색, 및 적색을 구현할 수 있다.
도 23은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 평판 조명 장치를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
구체적으로, 평판 조명 장치(4100)는 광원 모듈(4110), 전원 공급 장치(4120), 및 하우징(4030)을 포함할 수 있다. 광원 모듈(4110)은 발광 소자 어레이를 광원으로 포함할 수 있다. 광원 모듈(4110)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나를 광원으로서 포함할 수 있다. 전원 공급 장치(4120)는 발광 소자 구동부를 포함할 수 있다.
광원 모듈(4110)은 발광 소자 어레이를 포함할 수 있고, 전체적으로 평면 현상을 이루도록 형성될 수 있다. 발광 소자 어레이는 발광 소자 및 발광 소자의 구동정보를 저장하는 컨트롤러를 포함할 수 있다.
전원 공급 장치(4120)는 광원 모듈(4110)에 전원을 공급하도록 구성될 수 있다. 하우징(4130)은 광원 모듈(4110) 및 전원 공급 장치(4120)가 내부에 수용되도록 수용 공간이 형성될 수 있고, 일 측면에 개방된 육면체 형상으로 형성되나 이에 한정되는 것은 아니다. 광원 모듈(4110)은 하우징(4130)의 개방된 일 측면으로 빛을 발광하도록 배치될 수 있다.
도 24는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
구체적으로, 조명 장치(4200)는 소켓(4210), 전원부(4220), 방열부(4230), 광원 모듈(4240), 및 광학부(4250)를 포함할 수 있다. 광원 모듈(4240)은 발광 소자 어레이를 포함할 수 있고, 전원부(4220)는 발광 소자 구동부를 포함할 수 있다.
소켓(4210)은 기존의 조명 장치와 대체 가능하도록 구성될 수 있다. 조명 장치(4200)에 공급되는 전력은 소켓(4210)을 통해서 인가될 수 있다. 도시된 바와 같이, 전원부(4220)는 제1 전원부(4221) 및 제2 전원부(4222)로 분리되어 조립될 수 있다. 방열부(4230)는 내부 방열부(4231) 및 외부 방열부(4232)를 포함할 수 있고, 내부 방열부(4231)는 광원 모듈(4240) 및/또는 전원부(4220)와 직접 연결될 수 있고, 이를 통해 외부 방열부(4232)로 열이 전달되게 할 수 있다. 광학부(4250)는 내부 광학부(미도시) 및 외부 광학부(미도시)를 포함할 수 있고, 광원 모듈(4240)이 방출하는 빛을 고르게 분산시키도록 구성될 수 있다.
광원 모듈(4240)은 전원부(4220)로부터 전력을 공급받아 광학부(4250)로 빛을 방출할 수 있다. 광원 모듈(4240)은 하나 이상의 발광 소자 패키지(4241), 회로 기판(4242), 및 컨트롤러(4243)를 포함할 수 있고, 컨트롤러(4243)는 발광 소자 패키지(4241)의 구동 정보를 저장할 수 있다. 발광 소자 패키지(4241)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 25는 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
구체적으로, 본 실시예에 따른 조명 장치(4300)에서 도 24에서 개시하는 조명 장치(4200)와의 차이점은 광원 모듈(4240)의 상부에 반사판(4310) 및 통신 모듈(4320)이 포함되어 있다. 반사판(4310)은 광원으로부터의 빛을 측면 및 후방으로 고르게 퍼지게 하여 눈부심을 줄일 수 있다.
반사판(4310)의 상부에는 통신 모듈(4320)이 장착될 수 있으며 상기 통신 모듈(4320)을 통하여 홈-네트워크(home-network) 통신을 구현할 수 있다. 예를 들어, 통신 모듈(4320)은 지그비(Zigbee), 와이파이(WiFi), 또는 라이파이(LiFi)를 이용한 무선 통신 모듈일 수 있으며, 스마트폰 또는 무선 컨트롤러를 통하여 조명 장치의 온(on)/오프(off), 밝기 조절 등과 같은 가정 내외에 설치되어 있는 조명을 컨트롤할 수 있다. 또한, 상기 가정 내외에 설치되어 있는 조명 장치의 가시광 파장을 이용한 라이파이 통신 모듈을 이용하여 TV, 냉장고, 에어컨, 도어락, 자동차 등 가정 내외에 있는 전자 제품 및 자동차 시스템의 컨트롤을 할 수 있다. 상기 반사판(4310)과 통신 모듈(4320)은 커버부(4330)에 의해 커버될 수 있다.
도 26은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 바(bar) 타입의 조명 장치를 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
구체적으로, 조명 장치(4400)는 방열 부재(4401), 커버(4427), 광원 모듈(4421), 제1 소켓(4405), 및 제2 소켓(4423)을 포함한다. 방열 부재(4401)의 내부 및/또는 외부 표면에 다수개의 방열 핀(4409, 4410)이 요철 형태로 형성될 수 있으며, 방열 핀(4409, 4410)은 다양한 형상 및 간격을 갖도록 설계될 수 있다. 방열 부재(4401)의 내측에는 돌출 형태의 지지대(4413)가 형성되어 있다. 지지대(4413)에는 광원 모듈(4421)이 고정될 수 있다. 방열 부재(4401)의 양 끝단에는 걸림 턱(4411)이 형성될 수 있다.
커버(4427)에는 걸림 홈(4429)이 형성되어 있으며, 걸림 홈(4429)에는 방열 부재(4401)의 걸림 턱(4411)이 후크 결합 구조로 결합될 수 있다. 걸림 홈(4429)과 걸림 턱(4411)이 형성되는 위치는 서로 바뀔 수도 있다.
광원 모듈(4421)은 발광 소자 어레이를 포함할 수 있다. 광원 모듈(4421)은 인쇄회로기판(4419), 광원(4417), 및 컨트롤러(4415)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(4415)는 광원(4417)의 구동 정보를 저장할 수 있다. 인쇄회로기판(4419)에는 광원(4417)을 동작시키기 위한 회로 배선들이 형성되어 있다. 또한, 광원(4417)을 동작시키기 위한 구성 요소들이 포함될 수도 있다. 광원(4417)은 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 발광 소자 패키지(10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40) 중 어느 하나일 수 있다.
제1 및 제2 소켓(4405, 4423)은 한 쌍의 소켓으로서 방열 부재(4401) 및 커버(4427)로 구성된 원통형 커버 유닛의 양단에 결합되는 구조를 갖는다. 예를 들어, 제1 소켓(4405)은 전극 단자(4403) 및 전원 장치(4407)를 포함할 수 있고, 제2 소켓(4423)에는 더미 단자(4425)가 배치될 수 있다. 또한, 제1 소켓(4405) 또는 제2 소켓(4423) 중의 어느 하나의 소켓에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 더미 단자(4425)가 배치된 제2 소켓(4423)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수 있다. 다른 실시예들에서, 전극 단자(4403)가 배치된 제1 소켓(4405)에 광센서 및/또는 통신 모듈이 내장될 수도 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10 내지 13, 20 내지 22, 30, 40: 발광 소자 패키지
100: 발광 소자, 110: 투광성 기판
120: 발광 구조체, 130: 전극 패드
200: 투광층, 300: 피복층
400: 파장 변환층, 500: 층간 물질층

Claims (20)

  1. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고, 상기 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자;
    상기 발광 소자의 상기 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며, 상기 측면에 경사지게 배치되는 투광층;
    상기 제2 주면에 배치된 상기 투광층 상에 배치되는 층간 물질층;
    상기 층간 물질층 상에 배치되는 파장 변환층; 및
    상기 전극 패드를 노출하며 상기 발광 소자 및 상기 투광층을 감싸는 피복층;을 포함하되,
    상기 발광 소자는 평면 구조에서, 상기 투광층의 대각선의 길이는 각 변의 길이보다 길고, 상기 층간 물질층 및 상기 투광층은 동일한 형상이며,
    상기 파장 변환층의 측면 및 상기 피복층의 측면은 동일 평면에 위치하는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 발광 소자의 중심과 상기 투광층의 중심은 일치하고,
    상기 발광 소자는 제1 면적을 가지는 사각 형상이고,
    상기 투광층은 제2 면적을 가지는 N각(N은 4 이상의 자연수) 형상이며,
    상기 제1 면적은 상기 제2 면적의 19.8% 내지 82.6%를 차지하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 투광층은 사각 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 발광 소자의 한 변의 길이는 400㎛ 내지 3000㎛이고,
    상기 투광층의 한 변의 길이는 600㎛ 내지 6000㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  5. 제2항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 투광층의 중심과 상기 파장 변환층의 중심은 일치하고,
    상기 파장 변환층은 상기 제2 면적보다 넓은 제3 면적을 가지는 사각 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 투광층의 두께:상기 피복층의 두께는 1:1.1 내지 1:2인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투광층의 두께와 상기 피복층의 두께는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자의 측면에서 멀어질수록 상기 투광층의 두께는 감소하고, 상기 피복층의 두께는 증가하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 기판 및 발광 구조체를 포함하고,
    상기 기판의 굴절률은 상기 투광층의 굴절률보다 크고,
    상기 투광층의 굴절률은 상기 파장 변환층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 형광 물질을 포함하고,
    상기 피복층은 TiO2를 포함하며, 상기 투광층과 다른 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 발광 소자의 중심, 상기 투광층의 중심, 및 상기 층간 물질층의 중심은 일치하고,
    상기 발광 소자는 제1 면적을 가지는 사각 형상이고,
    상기 층간 물질층은 상기 제1 면적보다 넓은 제2 면적을 가지는 N각(N은 4 이상의 자연수) 형상이고,
    상기 투광층은 상기 층간 물질층과 동일 면적 및 동일 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    평면 구조에서,
    상기 층간 물질층은 사각 형상이고,
    상기 발광 소자, 상기 투광층, 상기 층간 물질층, 및 상기 파장 변환층의 각각의 모서리는 일직선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주면 상에서,
    상기 투광층의 두께보다 상기 층간 물질층의 두께가 더 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 발광 소자는 기판 및 발광 구조체를 포함하고,
    상기 기판의 굴절률은 상기 투광층의 굴절률보다 크고,
    상기 투광층의 굴절률은 상기 층간 물질층의 굴절률보다 크고,
    상기 층간 물질층의 굴절률은 상기 파장 변환층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
  16. 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 가지고, 상기 제1 주면에 배치되는 전극 패드를 포함하는 발광 소자를 제조하는 단계;
    파장 변환층 상에 층간 물질층을 형성하는 단계;
    상기 층간 물질층 상에 소정의 두께로 N각(N은 4 이상의 자연수) 평면 형상으로 액상의 투광 물질을 도포하는 단계;
    상기 투광 물질 상에 상기 발광 소자의 제2 주면이 맞닿게 배치하는 단계;
    상기 발광 소자의 상기 제2 주면 및 측면의 적어도 일부를 감싸며 상기 측면에 경사지게 상기 투광 물질이 형성되도록, 상기 발광 소자에 소정의 압력을 제공하는 단계;
    상기 투광 물질을 경화시켜 투광층을 형성하는 단계;
    상기 전극 패드를 노출하며 상기 발광 소자 및 상기 투광층을 감싸는 피복층을 형성하는 단계; 및
    상기 투광층의 외곽으로, 상기 피복층 및 상기 파장 변환층을 절단하는 단계;
    를 포함하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 투광 물질을 도포하는 단계는,
    스크린 프린팅 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 투광 물질을 도포하는 단계는,
    가상의 최외곽 연결선이 N각(N은 4 이상의 자연수) 평면 형상으로 형성되도록 복수의 도트(dot)를 배치하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 발광 소자를 제조하는 단계에서,
    상기 발광 소자는 상기 제2 주면 및 상기 전극 패드의 적어도 일부를 덮는 전극 피복층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
  20. 삭제
KR1020180028310A 2018-03-09 2018-03-09 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 Active KR102527384B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180028310A KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2018-03-09 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US16/129,021 US10644205B2 (en) 2018-03-09 2018-09-12 Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
CN201811383223.5A CN110246948B (zh) 2018-03-09 2018-11-20 发光二极管封装件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180028310A KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2018-03-09 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190106600A KR20190106600A (ko) 2019-09-18
KR102527384B1 true KR102527384B1 (ko) 2023-04-28

Family

ID=67843508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180028310A Active KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2018-03-09 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10644205B2 (ko)
KR (1) KR102527384B1 (ko)
CN (1) CN110246948B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190134941A (ko) * 2018-05-24 2019-12-05 서울반도체 주식회사 발광 소자
CN118591897A (zh) * 2021-11-18 2024-09-03 亮锐有限责任公司 具有反射涂层的发光二极管(led)封装及其制造方法
CN113888994B (zh) * 2021-12-06 2022-03-15 华引芯（武汉）科技有限公司 发光器件及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014130911A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置
JP2016086111A (ja) 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20160351765A1 (en) 2015-05-26 2016-12-01 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2017069368A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372608B1 (en) 1996-08-27 2002-04-16 Seiko Epson Corporation Separating method, method for transferring thin film device, thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device manufactured by using the transferring method
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) * 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US8055203B2 (en) 2007-03-14 2011-11-08 Mks Instruments, Inc. Multipoint voltage and current probe system
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) * 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) * 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP5680472B2 (ja) 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP6149487B2 (ja) 2012-11-09 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
JP6484982B2 (ja) 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
EP3244459B1 (en) 2015-04-02 2020-10-14 Nichia Corporation Light emitting device
JP6065135B2 (ja) 2015-04-02 2017-01-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6131986B2 (ja) 2015-06-01 2017-05-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6179555B2 (ja) 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102501878B1 (ko) * 2015-08-13 2023-02-21 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
KR102527387B1 (ko) * 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20170121777A (ko) * 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014130911A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置に用いるバンドパスフィルタおよびこれを用いた発光装置
JP2016086111A (ja) 2014-10-28 2016-05-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US20160351765A1 (en) 2015-05-26 2016-12-01 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2016219743A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017069368A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110246948B (zh) 2024-12-31
CN110246948A (zh) 2019-09-17
US10644205B2 (en) 2020-05-05
US20190280162A1 (en) 2019-09-12
KR20190106600A (ko) 2019-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE48858E1 (en) Light emitting device package and light unit
US11587973B2 (en) Micro light-emitting diode display panel
KR102682009B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 포함하는 자동자 조명 장치
KR102197082B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
CN103035809B (zh) 发光器件
US8773006B2 (en) Light emitting device package, light source module, and lighting system including the same
EP2388839B1 (en) Light emitting device with wavelength conversion layer between a reflective layer and the light-emitting diode layers.
US10475972B2 (en) Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
EP2333848B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR20170028082A (ko) 반도체 발광소자 및 제조방법
US11502229B2 (en) Light source module and display panel using the same
KR20170142022A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102527384B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20150120551A (ko) 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102409964B1 (ko) 반도체 발광소자 및 제조방법
CN109256447B (zh) 发光器件、包括该发光器件的封装件及其制造方法
KR102267476B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20240007644A (ko) 발광 모듈 및 그것을 갖는 디스플레이 장치
US20160359087A1 (en) Semiconductor light emitting device
KR20170133701A (ko) 발광소자 패키지
KR20130038558A (ko) 발광소자
KR20130066172A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20180309

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20210127

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20180309

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220817

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20230127

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20230425

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20230426

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration