KR102466880B1 - 자기 메모리 장치 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 418
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 81
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 32
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 31
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 101001125540 Homo sapiens 26S proteasome regulatory subunit 6A Proteins 0.000 description 7
- 101001087045 Homo sapiens Phosphatidylinositol 3,4,5-trisphosphate 3-phosphatase and dual-specificity protein phosphatase PTEN Proteins 0.000 description 7
- 101000653510 Homo sapiens TATA box-binding protein-like 2 Proteins 0.000 description 7
- 101000891654 Homo sapiens TATA-box-binding protein Proteins 0.000 description 7
- 101000626112 Homo sapiens Telomerase protein component 1 Proteins 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 102100030631 TATA box-binding protein-like 2 Human genes 0.000 description 7
- 102100040296 TATA-box-binding protein Human genes 0.000 description 7
- 102100024553 Telomerase protein component 1 Human genes 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 MnAs Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGTXKIZLOWULDJ-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Zn] Chemical compound [Mg].[Zn] PGTXKIZLOWULDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000424 chromium(II) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017231 MnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- QYHKLBKLFBZGAI-UHFFFAOYSA-N boron magnesium Chemical compound [B].[Mg] QYHKLBKLFBZGAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
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- H01L43/02—
-
- H01L43/08—
-
- H01L43/12—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
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Abstract
자기 메모리 장치는 기판 상의 층간 절연막, 상기 층간 절연막을 관통하는 랜딩 패드, 상기 층간 절연막 상에 배치되며 평면적 관점에서 상기 랜딩 패드로부터 이격하는 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들, 및 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면과 상기 랜딩 패드를 전기적으로 연결하는 연결 구조체를 포함한다. 평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드와 상기 제1 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들 사이의 간격보다 크고, 상기 랜딩 패드와 상기 제2 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들 사이의 간격보다 크다.
Description
본 발명은 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자기터널접합 패턴을 포함하는 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 기기의 고속화, 저전력화에 따라 이에 내장되는 메모리 장치 역시 빠른 읽기/쓰기 동작, 낮은 동작 전압이 요구되고 있다. 이러한 요구를 충족하는 기억 소자로 자기 메모리 장치(Magnetic memory device)가 연구되고 있다. 자기 메모리 장치는 고속 동작 및/또는 비휘발성의 특성을 가질 수 있어 차세대 메모리로 각광받고 있다.
자기 메모리 장치는 자기터널접합(Magnetic Tunnel Junction: MTJ)을 이용하는 메모리 장치다. 자기터널접합은 두 자성층들과 그 사이에 개재된 절연층을 포함하는데, 두 자성층들의 자화 방향에 따라 자기터널접합의 저항이 달라질 수 있다. 구체적으로, 두 자성층들의 자화 방향이 반평행하면 자기터널접합의 저항은 클 수 있고, 두 자성층들의 자화 방향이 평행하면 자기터널접합의 저항은 작을 수 있다. 자기 메모리 장치는 이러한 자기터널접합의 저항의 차이를 이용하여 데이터를 기입/판독할 수 있다.
특히, 스핀전달토크 자기 램(Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory: STT-MRAM)은 자기 셀(magnetic cell)의 크기가 감소함에 따라 기록 전류의 크기도 감소하는 특성을 보이기 때문에 고집적 메모리로 주목 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 신뢰성이 향상된 자기 메모리 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 메모리 장치는 기판 상의 층간 절연막; 상기 층간 절연막을 관통하는 랜딩 패드; 상기 층간 절연막 상에 배치되며, 평면적 관점에서 상기 랜딩 패드로부터 이격하는 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들; 및 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면과 상기 랜딩 패드를 전기적으로 연결하는 연결 구조체를 포함할 수 있다. 평면적 관점에서, 상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들은 제1 간격을 사이에 두고 서로 이격하며, 평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드와 상기 제1 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 간격보다 크고, 평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드와 상기 제2 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 자기 메모리 장치는 상기 층간 절연막 내에 제공되며 상기 제1 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되는 제1 하부 전극; 및 상기 층간 절연막 내에 제공되며 상기 제2 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되는 제2 하부 전극을 더 포함할 수 있다. 상기 랜딩 패드의 상면은 상기 제1 및 제2 하부 전극들의 상면들과 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판은 제1 및 제2 선택 소자들을 포함하되, 상기 제1 선택 소자는 상기 제1 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 선택 소자는 상기 랜딩 패드 및 상기 연결 구조체를 통하여 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 및 제2 비트 라인들을 더 포함하되, 상기 제1 비트 라인은 상기 제1 자기터널접합 패턴의 상면에 전기적으로 연결되고, 상기 제2 비트 라인은 상기 제2 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들은 실질적으로 동일한 레벨에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 자기터널접합 패턴은 제1 자유 패턴, 제1 고정 패턴, 및 상기 제1 자유 패턴과 상기 제1 고정 패턴 사이에 개재된 제1 터널 배리어 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 자기터널접합 패턴은 제2 자유 패턴, 제2 고정 패턴, 및 상기 제2 자유 패턴과 상기 제2 고정 패턴 사이에 개재된 제2 터널 배리어 패턴을 포함하되, 상기 제1 자유 패턴, 상기 제1 고정 패턴이 적층된 순서는 상기 제2 자유 패턴, 상기 제2 고정 패턴이 적층된 순서와 동일할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 메모리 장치는 제1 방향을 따라 배열된 복수의 단위 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 메모리 열을 포함할 수 있다. 상기 단위 메모리 셀들의 각각은: 랜딩 패드; 평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드로부터 제1 간격만큼 이격하는 제1 자기터널접합 패턴; 평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드로부터 제2 간격만큼 이격하고, 상기 제1 자기터널접합 패턴으로부터 제3 간격만큼 이격하는 제2 자기터널접합 패턴; 및 상기 랜딩 패드와 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면을 전기적으로 연결하는 연결 구조체를 포함하되, 상기 제1 간격 및 제2 간격은 상기 제3 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 메모리 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열될 수 있다. 평면적 관점에서, 상기 제1 간격 및 상기 제2 간격은 상기 제1 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 메모리 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열될 수 있다. 평면적 관점에서, 상기 제1 간격 및 상기 상기 제2 간격은 상기 제2 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 메모리 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열되고, 상기 메모리 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격, 상기 제2 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격, 및 상기 제3 간격은 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 자기터널접합 패턴들 및 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 메모리 열에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제1 서브 열을 구성하고, 상기 메모리 열에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제2 서브 열을 구성하고, 상기 메모리 열에 포함된 랜딩 패드들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제3 서브 열을 구성할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 서브 열들은 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 서로 이격하되, 평면적 관점에서 상기 제2 서브 열은 상기 제1 서브 열과 상기 제3 서브 열 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 서브 열과 상기 제3 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 서브 열과 상기 제2 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들 및 상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들 및 상기 제3 서브 열에 포함된 상기 랜딩 패드들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 메모리 열은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 및 제2 메모리 열들로 제공될 수 있다. 상기 제1 메모리 열의 상기 제3 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열은 서로 인접할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 메모리 열의 상기 제3 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 및 제2 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 메모리 열의 상기 제3 서브 열에 포함된 상기 랜딩 패드들와 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들 사이의 최소 간격은 상기 제3 간격보다 클 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 메모리 열은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 및 제2 메모리 열들로 제공될 수 있다. 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열은 서로 인접할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제2 및 제3 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 및 제2 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격과 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들 사이의 최소 간격은 상기 제2 간격보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 자기 메모리 장치는 상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들의 상면들에 전기적으로 연결되는 제1 비트 라인; 및 상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들의 하면들에 전기적으로 연결되는 제2 비트 라인을 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 자기터널접합 패턴들의 각각과 랜딩 패드 사이의 간격들은 자기터널접합 패턴들 사이의 간격보다 클 수 있다. 따라서, 자기터널접합 패턴들을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드가 노출되더라도, 랜딩 패드에서 발생한 식각 부산물에 의하여 자기터널접합 패턴들이 단락될 확률은 낮을 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따르면, 랜딩 패드의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다.
도 7a 내지 7e는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 평면도들이다.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 실시예들에 따른 단위 메모리 셀의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합 패턴을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다.
도 7a 내지 7e는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 평면도들이다.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 실시예들에 따른 단위 메모리 셀의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합 패턴을 설명하기 위한 개념도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치를 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 메모리 장치는 메모리 셀 어레이(1), 워드 라인 디코더(2), 워드 라인 드라이버(3), 비트 라인 디코더(4), 읽기 및 쓰기 회로(5), 및 제어 로직(6)을 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(1)는 복수 개의 메모리 블록들(BLK0~BLKn)을 포함하며, 메모리 블록들(BLK0~BLKn) 각각은 복수의 메모리 셀들, 및 복수의 메모리 셀들과 전기적으로 연결된 복수 개의 워드 라인들, 비트 라인들, 그리고 소스 라인들을 포함할 수 있다.
워드 라인 디코더(2)는 외부에서 입력된 어드레스를 디코딩하여, 워드 라인들 중 어느 하나를 선택할 수 있다. 워드 라인 디코더(2)에서 디코딩된 어드레스가 워드 라인 드라이버(3)로 제공될 수 있다. 워드 라인 드라이버(3)는 제어 로직(6)의 제어에 응답해서 전압 발생 회로(미도시)로부터 발생된 워드 라인 전압을 선택된 워드 라인 및 비선택된 워드 라인들에 각각 제공할 수 있다. 워드 라인 디코더(2) 및 워드 라인 드라이버(3)는 복수 개의 메모리 블록들(BLK0~BLKn)에 공통으로 연결될 수 있으며, 블록 선택 신호에 따라 선택된 메모리 블록(BLK0~BLKn 중 어느 하나)의 워드 라인들에 구동 신호를 제공할 수 있다.
비트 라인 디코더(4)는 외부에서 입력된 어드레스를 디코딩하여, 비트 라인들 중 어느 하나(혹은, 어느 한 쌍)를 선택할 수 있다. 비트 라인 디코더(4)는 복수 개의 메모리 블록들(BLK0~BLKn)에 공통으로 연결될 수 있으며, 블록 선택 신호에 따라 선택된 메모리 블록(BLK0~BLKn)의 비트 라인들에 데이터 정보를 제공할 수 있다.
읽기 및 쓰기 회로(5)는 비트 라인들을 통하여 메모리 셀 어레이(1)에 연결될 수 있다. 읽기 및 쓰기 회로(5)는 비트 라인 디코더(4)로부터의 비트 라인 선택 신호(미도시)에 응답하여 비트 라인을 선택할 수 있다. 읽기 및 쓰기 회로(5)는 외부와 데이터를 교환하도록 구성될 수 있다. 읽기 및 쓰기 회로(5)는 제어 로직(6)의 제어에 응답하여 동작할 수 있다. 읽기 및 쓰기 회로(5)는 제어 로직(6)으로부터 파워(예를 들어, 전압 또는 전류)를 수신하고 선택된 비트 라인에 이를 제공할 수 있다.
제어 로직(6)은 메모리 장치의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 제어 로직(6)은 제어 신호들 및 외부 전압을 수신하고, 수신된 제어 신호에 따라 동작할 수 있다. 제어 로직(6)은 외부 전압을 이용하여 내부 동작에 필요한 파워를 생성할 수 있다. 제어 로직(6)은 제어 신호들에 응답하여 읽기, 쓰기, 및/또는 소거 동작을 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 회로도이다. 예를 들어, 도 2는 도 1을 참조하여 설명한 메모리 셀 어레이의 일 예를 나타내는 회로도일 수 있다.
도 2를 참조하면, 메모리 셀 어레이(1)는 복수 개의 워드 라인들(WL), 비트 라인들(BL1, BL2), 소스 라인들(SL), 및 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 비트 라인들(BL1, BL2)은 워드 라인들(WL)을 가로질러 배열될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 소스 라인들(SL)은 비트 라인들(SL)과 평행할 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 도 2에 도시된 바와 달리, 소스 라인들(SL)은 워드 라인들(WL)과 평행할 수 있다.
단위 메모리 셀들(10)은 하나의 워드 라인(WL)과 이를 가로지르는 한 쌍의 비트 라인들(BL1, BL2) 사이에 연결될 수 있다. 각각의 단위 메모리 셀들(10)은 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2; memory elements) 및 제1 및 제2 선택 소자들(SE1, SE2; select element)을 포함할 수 있다.
보다 상세하게, 제1 메모리 소자(ME1)는 제1 선택 소자(SE1)와 제1 비트 라인(BL1) 사이에 연결될 수 있으며, 제2 메모리 소자(ME2)는 제2 선택 소자(SE2)와 제2 비트 라인(BL2) 사이에 연결될 수 있다. 제1 선택 소자(SE1)는 제1 메모리 소자(ME1)와 소스 라인(SL) 사이에 연결될 수 있으며, 제2 선택 소자(SE2)는 제2 메모리 소자(ME2)와 소스 라인(SL) 사이에 연결될 수 있다. 제1 및 제2 선택 소자들(SE1, SE2)은 하나의 소스 라인(SL)을 공유할 수 있으며, 동일한 워드 라인(WL)에 의해 제어될 수 있다. 또한, 제1 방향 또는 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배열된 복수 개의 단위 메모리 셀들(10)은 소스 라인(SL)에 공통으로 연결될 수 있다.
하나의 단위 메모리 셀(10)은 하나의 워드 라인(WL)과 한 쌍의 비트 라인들(BL1, BL2)에 의해 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)의 각각은 인가되는 전기적 펄스에 의해 두 가지 저항 상태로 스위칭될 수 있는 가변 저항 소자일 수 있다. 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)을 구성하는 물질들은 전류의 크기 및/또는 방향에 따라서, 혹은 전압의 크기 및/또는 방향에 따라서 그 저항 값이 변할 수 있으며, 전류 또는 전압이 차단되어도 그 저항 값을 그대로 유지하는 불휘발성 특성을 가질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)은 자기-저항(magnetoresistance) 특성을 보이도록 구성되는 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)의 각각은 도 9a 또는 도 9b를 참조하여 후술될 자기터널접합 패턴일 수 있다. 다른 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)은 페로브스카이트(perovskite) 화합물들 또는 전이 금속 산화물들(transition metal oxide)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 선택 소자들(SE1, SE2)은 다이오드, 피엔피 바이폴라 트랜지스터(PNP bipolar transistor), 엔피엔 바이폴라 트랜지스터(NPN bipolar transistor), 엔모스 전계 효과 트랜지스터(NMOS FET), 또는 피모스 전계 효과 트랜지스터(PMOS FET) 중 어느 하나일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제1 및 제2 선택 소자들(SE1, SE2)은 워드 라인들(WL)의 전압에 따라 제1 및 제2 메모리 소자들(ME1, ME2)로의 전류 공급을 제어할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 회로도이다. 예를 들어, 도 3은 도 2를 참조하여 설명한 단위 메모리 셀의 일 예를 나타내는 회로도일 수 있다.
도 3을 참조하면, 단위 메모리 셀(10)은 메모리 소자들(ME1, ME2)로서 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 포함할 수 있고, 선택 소자들로서 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)을 포함할 수 있다. 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 제1 자유 패턴(FP1), 제1 고정 패턴(PP1), 및 이들 사이에 개재된 제1 터널 배리어 패턴(TBP1)을 포함할 수 있다. 이와 마찬가지로, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 제2 자유 패턴(FP2), 제2 고정 패턴(PP2), 및 이들 사이에 개재된 제2 터널 배리어 패턴(TBP2)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 고정 패턴들(PL1, PL2)의 각각은 일 방향으로 고정된 자화 방향을 가질 수 있다. 제1 자유 패턴(FP1)은 제1 고정 패턴(PP1)의 자화 방향에 평행 또는 반평행하도록 변경 가능한 자화 방향을 가질 수 있고, 제2 자유 패턴(FP2)은 제2 고정 패턴(PP2)의 자화 방향에 평행 또는 반평행하도록 변경 가능한 자화 방향을 가질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 각각은 도 9a 또는 도 9b를 참조하여 후술될 자기터널접합 패턴과 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)이 워드 라인(WL)을 가로질러 배치될 수 있으며, 소스 라인(SL)이 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)에 공통으로 연결될 수 있다. 제1 비트 라인(BL1)과 제1 선택 트랜지스터(SE1) 사이에 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)이 연결될 수 있으며, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)과 소스 라인(SL) 사이에 제1 선택 트랜지스터(SE1)가 연결될 수 있다. 제2 비트 라인(BL2)과 제2 선택 트랜지스터(SE2) 사이에 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)이 연결될 수 있으며, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)과 소스 라인(SL) 사이에 제2 선택 트랜지스터(SE2)가 연결될 수 있다.
몇몇 실시예들에 따르면, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 자유 패턴(FP1)이 제1 비트 라인(BL1)에 연결될 수 있으며, 제1 고정 패턴(PP1)이 제1 선택 트랜지스터(SE1)에 연결될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 제2 자유 패턴(FP2)은 제2 선택 트랜지스터(SE2)에 연결될 수 있으며, 제2 고정 패턴(PP2)은 제2 비트 라인(BL2)에 연결될 수 있다.
다른 실시예들에 따르면, 도 3에 도시된 바와 달리, 제1 고정 패턴(PP1)이 제1 비트 라인(BL1)에 연결될 수 있으며, 제1 자유 패턴(FP1)이 제1 선택 트랜지스터(SE1)에 연결될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 제2 고정 패턴(PP2)은 제2 선택 트랜지스터(SE2)에 연결될 수 있으며, 제2 자유 패턴(FP2)은 제2 비트 라인(BL2)에 연결될 수 있다. 이하, 설명의 간소화를 위하여, 제1 자유 패턴(FP1)이 제1 비트 라인(BL1)에, 제1 고정 패턴(PP1)이 제1 선택 트랜지스터(SE1)에, 제2 자유 패턴(FP2)이 제2 선택 트랜지스터(SE2)에, 그리고 제2 고정 패턴(PP2)이 제2 비트 라인(BL2)에 연결된 실시예에 대하여 설명한다.
몇몇 실시예들에서, 선택된 단위 메모리 셀(10)에 데이터 '1'을 기입하기 위해, 워드 라인(WL)에 턴-온 전압이 인가될 수 있다. 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)에 제1 비트 라인 전압이 인가되고, 소스 라인(SL)에 제1 비트 라인 전압보다 작은 제1 소스라인 전압이 인가될 수 있다.
이와 같은 전압 조건에서, 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)이 턴-온되어 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 소스 라인(SL)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 비트 라인(BL1)에서 소스 라인(SL)으로 흐르는 제1 쓰기 전류(IW1)가 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)에 제공될 수 있으며, 제2 비트 라인(BL2)에서 소스 라인(SL)으로 흐르는 제2 쓰기 전류(IW2)가 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)에 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 관점에서, 제1 쓰기 전류(IW1)와 제2 쓰기 전류(IW2)가 흐르는 방향은 서로 반대일 수 있다. 다시 말해, 이러한 실시예들에서, 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)에 동일한 전압이 인가될 때, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)과 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)에 서로 반대 방향의 쓰기 전류가 공급될 수 있다.
상세하게, 제1 쓰기 전류(IW1)는 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)의 제1 자유 패턴(FP1)에서 제1 고정 패턴(PP1) 방향으로 제공될 수 있고, 이에 따라 전자들은 제1 고정 패턴(PP1)에서 제1 자유 패턴(FP1) 방향으로 제공될 수 있다. 이러한 경우, 제1 고정 패턴(PP1)과 동일한 스핀 방향을 갖는 전자들이 제1 터널 배리어 패턴(TBP1)을 터널링하여 제1 자유 패턴(FP1)에 토크(torque)를 인가할 수 있다. 이에 따라, 제1 자유 패턴(FP1)의 자화 방향이 제1 고정 패턴(PP1)의 자화 방향과 평행하도록 변경될 수 있다. 이와 달리, 제2 쓰기 전류(IW2)는 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)의 제2 고정 패턴(PP2)에서 제2 자유 패턴(FP2)으로 제공될 수 있고, 이에 따라 전자들은 제2 자유 패턴(FP2)에서 제2 고정 패턴(PP2) 방향으로 제공될 수 있다. 이러한 경우, 제2 고정 패턴(PP2)과 반대 방향의 스핀을 갖는 전자들이 제2 터널 배리어 패턴(TBP2)을 터널링하지 못하고 제2 자유 패턴(FP2)으로 반사되어 제2 자유 패턴(FP2)에 토크를 인가할 수 있다. 이에 따라, 제2 자유 패턴(FP2)의 자화 방향이 제2 고정 패턴(PP2)과 반평행하도록 변경될 수 있다.
이와 같이, 선택된 단위 메모리 셀(10)에 데이터 '1'을 기입할 때, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 평행한 자화 방향들을 갖도록 변경될 수 있고, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 반평행한 자화 방향들을 갖도록 변경될 수 있다. 즉, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 저저항 상태를 가질 수 있으며, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 고저항 상태를 가질 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 선택된 단위 메모리 셀(10)에 데이터 '0'을 기입하기 위해, 워드 라인(WL)에 턴-온 전압이 인가될 수 있다. 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)에 제2 비트 라인 전압이 인가되고, 소스 라인(SL)에 제2 비트 라인 전압보다 큰 제2 소스라인 전압이 인가될 수 있다.
이러한 전압 조건에서, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 각각에, 제1 및 제2 쓰기 전류들(Iw1, Iw2)과 반대 방향의 전류들이 제공될 수 있다. 이에 따라, 데이터 '1'을 기입할 때와는 반대로, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 반평행한 자화 방향들을 갖도록 변경될 수 있고, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 평행한 자화 방향들을 갖도록 변경될 수 있다. 즉, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 고저항 상태를 가질 수 있으며, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 저저항 상태를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)과 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 서로 다른 저항 상태를 가질 수 있으므로, 선택된 단위 메모리 셀(10)에서 데이터를 읽을 때, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 중 하나는 레퍼런스(reference) 저항 값으로 이용될 수 있다. 즉, 단위 메모리 셀(10)은 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)의 저항 값과 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)의 저항 값의 차이에 해당하는 센싱 마진(sensing margin)을 가질 수 있으며, 이에 따라, 단위 메모리 셀(10)의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 4는 도 2 및 3을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀의 일 실시예를 나타내는 평면도일 수 있다. 도 5는 도 4의 I-I'선에 대응하는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)은 하나의 워드 라인(미도시)을 통해 제어될 수 있다. 나아가, 소스 라인(미도시)이 더 제공되어 제1 선택 트랜지스터(SE1)의 소스 영역과 제2 선택 트랜지스터(SE2)의 소스 영역에 공통으로 연결될 수 있다.
기판(110) 상에 제1 층간 절연막(120)이 제공될 수 있다. 제1 층간 절연막(120)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 콘택 플러그들(PLG1, PLG2) 및 제2 비트 라인(BL2)이 기판(110) 상에 제공될 수 있다. 제1 콘택 플러그(PLG1)는 제1 층간 절연막(120)을 관통하여 기판(110)에 포함된 제1 선택 트랜지스터(SE1)의 드레인 영역에 연결될 수 있다. 제2 콘택 플러그(PLG2)는 제1 층간 절연막(120)을 관통하여 기판(110)에 포함된 제2 선택 트랜지스터(SE2)의 드레인 영역에 연결될 수 있다. 제2 비트 라인(BL2)은 제1 층간 절연막(120) 내에 배치될 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 제1 및 제2 콘택 플러그들(PLG1, PLG2) 및 제2 비트 라인(BL2)은 실질적으로 동일한 레벨에 위치할 수 있다. 본 명세서에서, '레벨'은 기판(110)의 상면으로부터의 높이를 의미한다. 제1 및 제2 콘택 플러그들(PLG1, PLG2) 및 제2 비트 라인(BL2)의 각각은 도전 물질을 포함할 수 있다.
제1 층간 절연막(120) 상에 제2 층간 절연막(122)이 제공될 수 있다. 제2 층간 절연막(122)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2) 및 랜딩 패드(LPAD)가 제공될 수 있다. 제1 하부 전극(BE1)은 제2 층간 절연막(122)을 관통하여 제1 콘택 플러그(PLG1)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 하부 전극(BE2)은 제2 층간 절연막(122)을 관통하여 제2 비트 라인(BL2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 랜딩 패드(LPAD)는 제2 층간 절연막(122)을 관통하여 제2 콘택 플러그(PLG2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2)의 상면들 및 랜딩 패드(LPAD)의 상면은 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다. 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2) 및 랜딩 패드(LPAD)의 각각은 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2) 및 랜딩 패드(LPAD)의 각각은 구리, 알루미늄, 텅스텐, 또는 티타늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
제1 하부 전극(BE1) 상에, 차례로 적층된 제1 선택적 하부 전극 패턴(OBEP1), 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1), 제1 선택적 상부 전극 패턴(OTEP1), 및 제1 상부 전극 패턴(TEP1)이 제공될 수 있다. 또한, 제2 하부 전극(BE2) 상에 차례로 적층된 제2 선택적 하부 전극 패턴(OBEP2), 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2), 제2 선택적 상부 전극 패턴(OTEP2), 및 제2 상부 전극 패턴(TEP2)이 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)의 하면은 제1 하부 전극(BE1) 및 제1 콘택 플러그(PLG1)를 통해 제1 선택 트랜지스터(SE1)에 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)의 하면은 제2 하부 전극(BE2)을 통해 제2 비트 라인(BL2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 및 제2 선택적 하부 전극 패턴들(OBEP1, OBEP2) 및 제1 및 제2 선택적 상부 전극 패턴들(OTEP1, OTEP2)은, 일 예로, 질화 티타늄 및/또는 질화 탄탈늄과 같은 도전성 금속 질화물을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 상부 전극 패턴(TEP)은, 일 예로, 텅스텐, 탄탈륨, 알루미늄, 구리, 금, 은, 티타늄, 및/또는 상기 금속들의 도전성 금속 질화물을 포함할 수 있다.
제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)은 제1 자유 패턴(FP1), 제1 고정 패턴(PP1), 및 이들 사이에 개재된 제1 터널 배리어 패턴(TBP1)을 포함할 수 있다. 마찬가지로, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 제2 자유 패턴(FP2), 제2 고정 패턴(PP2), 및 이들 사이에 개재된 제2 터널 배리어 패턴(TBP2)을 포함할 수 있다. 제1 자유 패턴(FP1), 제1 고정 패턴(PP1), 및 제1 터널 배리어 패턴(TBP1)이 적층된 순서는 제2 자유 패턴(FP2), 제2 고정 패턴(PP2), 및 제2 터널 배리어 패턴(TBP2)이 적층된 순서와 동일할 수 있다.
몇몇 실시예들에 따르면, 도 5에 도시된 바와 같이, 고정 패턴(PP1, PP2), 터널 배리어 패턴(TBP1, TBP2), 및 자유 패턴(FP1, FP2)의 순서대로 적층될 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예들에 따르면, 도 5에 도시된 바와 달리, 자유 패턴(FP1, FP2), 터널 배리어 패턴(TBP1, TBP2), 및 고정 패턴(PP1, PP2)의 순서대로 적층될 수도 있다. 이하에서는, 설명의 간소화를 위하여, 고정 패턴(PP1, PP2), 터널 배리어 패턴(TBP1, TBP2), 및 자유 패턴(FP1, FP2)의 순서대로 적층된 실시예에 한정하여 설명한다. 제1 및 제2 자기 터널 접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)에 대해서는, 도 9a 및/또는 도 9b를 참조하여 자세히 설명한다.
도 3에서 설명한 바와 마찬가지로, 제1 고정 패턴(PP1)은 제1 하부 전극(BE1) 및 제1 콘택 플러그(PLG1)를 통해 기판(110)에 포함된 제1 선택 트랜지스터(SE1)의 드레인 영역에 연결될 수 있다. 또한, 제2 고정 패턴(PP2)은 제2 하부 전극(BE2)을 통해 제2 비트 라인(BL2)에 연결될 수 있다.
평면적 관점에서, 랜딩 패드(LPAD)와 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1) 사이의 간격(d1)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 또한, 평면적 관점에서, 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다.
몇몇 실시예들에 따르면, 도 4에 도시된 바와 같이, 평면적 관점에서, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1), 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2), 및 랜딩 패드(LPAD)는 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8a 내지 도 8c를 참조하여 후술할 바와 같이, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 자기터널접합막(미도시)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 자기터널접합막의 패터닝 공정 중에, 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물이 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽들 상에 재증착될 수 있다. 이로 인하여, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 단락될 수 있으며, 그 확률은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)이 좁을수록 높아진다. 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)은 상기 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
일반적으로 자기터널접합 패턴을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드가 노출되어 그 일부가 식각될 수 있다. 이 때, 랜딩 패드로부터 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴의 측벽 상에 재증착될 수 있으며, 이로 인하여, 자기터널접합 패턴의 단락이 발생할 수 있다. 이러한 단락이 발생할 확률은 자기터널접합 패턴과 랜딩 패드의 간격이 좁을수록 높아진다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 각각과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격들(d1, d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드(LPAD)가 노출되더라도, 랜딩 패드(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착되어 자기터널접합 패턴이 단락될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따르면, 랜딩 패드(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 층간 절연막(122) 상에, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 덮는 제3 층간 절연막(124)이 제공될 수 있다. 제3 층간 절연막(124)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
제3 층간 절연막(124)을 관통하여 랜딩 패드(LPAD)에 전기적으로 연결되는 연결 콘택(INC)이 제공될 수 있다. 연결 콘택(INC)은 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 연결 콘택(INC)은 구리, 알루미늄, 텅스텐, 또는 티타늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
제3 층간 절연막(124) 상에 제1 비트 라인(BL1) 및 연결 패턴(INP)이 제공될 수 있다. 제1 비트 라인(BL1)은 제1 상부 전극 패턴(TEP1)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제1 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 연결 패턴(INP)은 연결 콘택(INC)과 제2 상부 전극 패턴(TEP2)을 전기적으로 연결할 수 있다. 연결 패턴(INP) 및 연결 콘택(INC)은 연결 구조체(INST)로 정의될 수 있다. 이에 따라, 도 3에서 설명한 바와 마찬가지로, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)의 상면(즉, 제1 자유 패턴(FP1))은 제1 상부 전극 패턴(TEP1)을 통해 제1 비트 라인(BL1)에 연결될 수 있다. 또한, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)의 상면(즉, 제2 자유 패턴(FP2))은 제2 상부 전극 패턴(TEP2), 연결 구조체(INST), 랜딩 패드(LPAD), 및 제2 콘택 플러그(PLG2)를 통해 기판(110)에 포함된 제2 선택 트랜지스터(SE2)의 드레인 영역에 연결될 수 있다. 제1 비트 라인(BL1) 및 연결 패턴(INP)의 각각은 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 비트 라인(BL1) 및 연결 패턴(INP)의 각각은 구리, 알루미늄, 텅스텐, 또는 티타늄과 같은 금속을 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 단위 메모리 셀을 나타내는 평면도이다. 예를 들어, 도 6은 도 2 및 3을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀의 일 실시예를 나타내는 평면도일 수 있다. 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 6에 도시된 실시예에 따른 단위 메모리 셀은, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2), 및 랜딩 패드(LPAD)의 평면적 배치 외에는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 이하에서는 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2), 및 랜딩 패드(LPAD)의 평면적 배치에 대하여만 설명한다.
도 6을 참조하면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드(LPAD)와 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1) 사이의 간격(d1)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 또한, 평면적 관점에서, 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1), 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2), 및 랜딩 패드(LPAD)는 제2 방향(D2)을 따라 일렬로 배열되지 않을 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1) 및 랜딩 패드(LPAD)는 제2 방향(D2)을 따라 일렬로 배열되되, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)은 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1)과 랜딩 패드(LPAD)가 이루는 직선으로부터 제1 방향(D1)으로 이격되어 배치될 수 있다.
제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 자기터널접합막(미도시)을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 상기 자기터널접합막의 패터닝 공정 중에, 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물이 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽들 상에 재증착될 수 있다. 이로 인하여, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 단락될 수 있으며, 그 확률은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)이 좁을수록 높아진다. 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)은 상기 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 각각과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격들(d1, d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드(LPAD)가 노출되더라도, 랜딩 패드(LPAD)에서 발생한 식각 부산물에 의하여 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 단락될 확률은 낮을 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따르면, 랜딩 패드(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 7a 내지 7e는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 장치의 메모리 셀 어레이를 나타내는 평면도들이다. 예를 들어, 도 7a 내지 7e는 도 2를 참조하여 설명한 메모리 셀 어레이의 일 실시예를 나타내는 평면도들일 수 있다.
도 7a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 셀 어레이는 이차원적으로 배열된 복수의 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 단위 메모리 셀들(10)의 각각은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여 단위 메모리 셀들의 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하며, 이하에서는 단위 메모리 셀들(혹은, 이에 포함됨 자기터널접합 패턴들 및 랜딩 패드들)의 평면적 배열에 대하여 중점적으로 설명한다.
도 4, 도 5, 및 도 7a를 참조하면, 이차원적으로 배열된 단위 메모리 셀들(10)은 복수의 메모리 열들(15)로 구분될 수 있다. 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 복수의 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있으며, 메모리 열들(15)은 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)을 포함하는 제1 서브 열(SC1), 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)을 포함하는 제2 서브 열(SC2), 및 제1 방향(D1)을 따라 배열된 랜딩 패드들(LPAD)을 포함하는 제3 서브 열(SC3)을 포함할 수 있다. 각 메모리 열들(15) 내에서 제2 서브 열(SC2)은 제1 서브 열(SC1)과 제3 서브 열(SC3) 사이에 배치될 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 서브 열(SC1)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d4)은 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있으며, 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)은 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있다.
제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격하여 배열될 수 있다. 마찬가지로, 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격하여 배열될 수 있다. 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d7) 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d8)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예들에 따르면, 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d7)은 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d8)과 동일할 수 있다. 나아가, 상기 간격들(d7, d8)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다(d3=d7=d8). 이러한 경우, 하나의 메모리 열(15) 내에 포함된 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 서로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)은 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다. 따라서, 하나의 메모리 열(15) 내에 포함된 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격은 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
도 7a에 도시된 실시예들에 따르면, 각 메모리 열들(15) 내에서, 제1 내지 제3 서브 열들(SC1, SC2, SC3)은 동일한 순서로 배열될 수 있다. 구체적으로, 각 메모리 열들(15) 내에서 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 순서대로 배치될 수 있다. 이에 따라, 메모리 열들(15)의 경계에서 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d9)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d9)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)과 동일할 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)에 각각 포함된 랜딩 패드(LPAD)와 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1) 사이의 최소 간격(d10)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있으며, 예를 들어, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격(d2)과 동일할 수 있다.
도 7a에 도시된 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드들(LPAD)의 각각과 그에 인접한 자기터널접합 패턴(MTJP1 및/또는 MTJP2) 사이의 간격(d10 및/또는 d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1 및 MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드들(LPAD)이 노출되더라도 랜딩 패드들(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드들(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 비트 라인들(BL1)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 비트 라인들(BL1)의 각각은 대응하는 제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 상에 제공되어 대응하는 제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 비트 라인들(BL2)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 비트 라인들(BL1)의 각각은 대응하는 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 아래에 제공되어 대응하는 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통으로 연결될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 동일한 레벨에 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 비트 라인들(BL1)은 제2 비트 라인들(BL2)보다 높은 레벨에 배치될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 셀 어레이는 이차원적으로 배열된 복수의 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 단위 메모리 셀들(10)의 각각은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여 단위 메모리 셀들의 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하며, 이하에서는 단위 메모리 셀들(혹은, 이에 포함됨 자기터널접합 패턴들 및 랜딩 패드들)의 평면적 배열에 대하여 중점적으로 설명한다.
도 4, 도 5, 및 도 7b를 참조하면, 이차원적으로 배열된 단위 메모리 셀들(10)은 복수의 메모리 열들(15)로 구분될 수 있다. 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 복수의 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있으며, 메모리 열들(15)은 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
메모리 열들(15)의 각각은 도 4, 도 5, 및 도 7a를 참조하여 설명한 메모리 열들과 유사할 수 있다. 구체적으로, 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)을 포함하는 제1 서브 열(SC1), 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)을 포함하는 제2 서브 열(SC2), 및 제1 방향(D1)을 따라 배열된 랜딩 패드들(LPAD)을 포함하는 제3 서브 열(SC3)을 포함할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여, 제1 내지 제3 서브 열(SC1, SC2, SC3)의 각각에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 7b에 도시된 실시예에 따르면, 서로 인접하는 두 개의 메모리 열들(15)에 포함된 제1 내지 제3 서브 열들(SC1, SC2, SC3)의 배열은 서로 대칭될 수 있다. 구체적으로, 서로 인접하는 두 개의 메모리 열들(15) 중 어느 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 순서대로 배치될 수 있으나, 나머지 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 역순으로 배치될 수 있다.
이에 따라, 몇몇 메모리 열들(15)의 경계에서, 제1 서브 열들(SC1)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d11)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 서브 열들(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d11)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1) 및 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)과 동일할 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)에 각각 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 최소 간격(d12)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다.
또한, 다른 메모리 열들(15)의 경계에서, 제3 서브 열들(SC3)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열들(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d13)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)보다 작을 수 있으며, 나아가, 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1) 및 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다도 작을 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 두 개의 제3 서브 열들(SC3)에 각각 포함된 랜딩 패드들(LPAD) 사이의 최소 간격(d14)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다도 작을 수 있다.
도 7b에 도시된 실시예에 따르면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드들(LPAD)의 각각과 그에 인접한 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1 및 MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드들(LPAD)이 노출되더라도 랜딩 패드들(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드들(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 비트 라인들(BL1)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 비트 라인들(BL2)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)은 도 7a를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 셀 어레이는 이차원적으로 배열된 복수의 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 단위 메모리 셀들(10)의 각각은 도 6을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여 단위 메모리 셀들의 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하며, 이하에서는 단위 메모리 셀들(혹은, 이에 포함됨 자기터널접합 패턴들 및 랜딩 패드들)의 평면적 배열에 대하여 중점적으로 설명한다.
도 6 및 도 7c를 참조하면, 이차원적으로 배열된 단위 메모리 셀들(10)은 복수의 메모리 열들(15)로 구분될 수 있다. 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 복수의 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있으며, 메모리 열들(15)은 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)을 포함하는 제1 서브 열(SC1), 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)을 포함하는 제2 서브 열(SC2), 및 제1 방향(D1)을 따라 배열된 랜딩 패드들(LPAD)을 포함하는 제3 서브 열(SC3)을 포함할 수 있다.
평면적 관점에서, 제1 서브 열(SC1)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d4)은 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있으며, 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)은 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있다.
제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격하여 배열될 수 있다. 마찬가지로, 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)은 제1 방향(D1)을 따라 서로 이격하여 배열될 수 있다. 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d7) 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d8)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있다. 각 메모리 열들(15) 내에서 제2 서브 열(SC2)은 제1 서브 열(SC1)과 제3 서브 열(SC3) 사이에 배치될 수 있다.
도 7c에 도시된 실시예에 따르면, 서로 인접하는 제1 및 제2 서브 열들(SC1, SC2)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)은 제1 방향(D1)을 따라 지그재그로 배열될 수 있다. 마찬가지로, 서로 인접하는 제2 및 제3 서브 열들(SC2, SC3)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 및 랜딩 패드들(LPAD)은 제1 방향(D1)을 따라 지그재그로 배열될 수 있다. 이에 따라, 평면적 관점에서, 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)은 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있고, 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 작을 수 있다.
몇몇 실시예들에 따르면, 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d7)은 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 사이의 제1 방향(D1)으로의 간격(d8)과 동일할 수 있다. 나아가, 상기 간격들(d7, d8)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다(즉, d3=d7=d8). 이에 따라, 하나의 메모리 열(15) 내에 포함된 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 서로 동일한 간격으로 이격될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)은 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다. 따라서, 하나의 메모리 열(15) 내에 포함된 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격은 자기터널접합막으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 자기터널접합 패턴들이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
도 7c에 도시된 실시예에 따르면, 각 메모리 열들(15) 내에서, 제1 내지 제3 서브 열들(SC1, SC2, SC3)은 동일한 순서로 배열될 수 있다. 구체적으로, 각 메모리 열들(15) 내에서 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 순서대로 배치될 수 있다. 이에 따라, 메모리 열들(15)의 경계에서 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d9)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1)과 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다 클 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열(SC3)과 제1 서브 열(SC1)에 각각 포함된 랜딩 패드(LPAD)와 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1) 사이의 최소 간격(d10)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있으며, 예를 들어, 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2)과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격(d2)과 동일할 수 있다.
도 7c에 도시된 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드들(LPAD)의 각각과 그에 인접한 자기터널접합 패턴(MTJP1 및/또는 MTJP2) 사이의 간격(d10 및/또는 d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1 및 MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드들(LPAD)이 노출되더라도 랜딩 패드들(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드들(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 비트 라인들(BL1)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 비트 라인들(BL1)의 각각은 대응하는 제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 상에 제공되어 대응하는 제1 서브 열(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 비트 라인들(BL2)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 비트 라인들(BL1)의 각각은 대응하는 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2) 아래에 제공되어 대응하는 제2 서브 열(SC2)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통으로 연결될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)은 동일한 레벨에 제공될 수 있다. 이에 따라, 제1 비트 라인들(BL1)은 제2 비트 라인들(BL2)보다 높은 레벨에 배치될 수 있다.
도 7d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 셀 어레이는 이차원적으로 배열된 복수의 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 단위 메모리 셀들(10)의 각각은 도 6을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여 단위 메모리 셀들의 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하며, 이하에서는 단위 메모리 셀들(혹은, 이에 포함됨 자기터널접합 패턴들 및 랜딩 패드들)의 평면적 배열에 대하여 중점적으로 설명한다.
도 6 및 도 7d를 참조하면, 이차원적으로 배열된 단위 메모리 셀들(10)은 복수의 메모리 열들(15)로 구분될 수 있다. 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 복수의 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있으며, 메모리 열들(15)은 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
메모리 열들(15)의 각각은 도 6 및 도 7c를 참조하여 설명한 메모리 열들과 유사할 수 있다. 구체적으로, 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)을 포함하는 제1 서브 열(SC1), 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)을 포함하는 제2 서브 열(SC2), 및 제1 방향(D1)을 따라 배열된 랜딩 패드들(LPAD)을 포함하는 제3 서브 열(SC3)을 포함할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여, 제1 내지 제3 서브 열(SC1, SC2, SC3)의 각각에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 7d에 도시된 실시예에 따르면, 서로 인접하는 두 개의 메모리 열들(15)에 포함된 제1 내지 제3 서브 열들(SC1, SC2, SC3)의 배열은 서로 대칭될 수 있다. 구체적으로, 서로 인접하는 두 개의 메모리 열들(15) 중 어느 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 순서대로 배치될 수 있으나, 나머지 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 역순으로 배치될 수 있다.
이에 따라, 몇몇 메모리 열들(15)의 경계에서, 제1 서브 열들(SC1)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d11)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)에 각각 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 최소 간격(d12)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다.
또한, 다른 메모리 열들(15)의 경계에서, 제3 서브 열들(SC3)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열들(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d13)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)보다 작을 수 있으며, 나아가, 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1) 및 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다도 작을 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 두 개의 제3 서브 열들(SC3)에 각각 포함된 랜딩 패드들(LPAD) 사이의 최소 간격(d14)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다도 작을 수 있다.
도 7d에 도시된 실시예에 따르면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드들(LPAD)의 각각과 그에 인접한 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1 및 MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드들(LPAD)이 노출되더라도 랜딩 패드들(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드들(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 비트 라인들(BL1)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 비트 라인들(BL2)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)은 도 7a를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 7e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 셀 어레이는 이차원적으로 배열된 복수의 단위 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있다. 단위 메모리 셀들(10)의 각각은 도 6을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여 단위 메모리 셀들의 각각에 대한 구체적인 설명은 생략하며, 이하에서는 단위 메모리 셀들(혹은, 이에 포함됨 자기터널접합 패턴들 및 랜딩 패드들)의 평면적 배열에 대하여 중점적으로 설명한다.
도 6 및 도 7e를 참조하면, 이차원적으로 배열된 단위 메모리 셀들(10)은 복수의 메모리 열들(15)로 구분될 수 있다. 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 복수의 메모리 셀들(10)을 포함할 수 있으며, 메모리 열들(15)은 제1 방향(D1)에 수직한 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다.
메모리 열들(15)의 각각은 도 6 및 도 7d를 참조하여 설명한 메모리 열들과 유사할 수 있다. 구체적으로, 메모리 열들(15)의 각각은 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)을 포함하는 제1 서브 열(SC1), 제1 방향(D1)을 따라 배열된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)을 포함하는 제2 서브 열(SC2), 및 제1 방향(D1)을 따라 배열된 랜딩 패드들(LPAD)을 포함하는 제3 서브 열(SC3)을 포함할 수 있다. 설명의 간소화를 위하여, 제1 내지 제3 서브 열(SC1, SC2, SC3)의 각각에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 7e에 도시된 실시예에 따르면, 서로 인접하는 두 개의 메모리 열들(15) 중 어느 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 순서대로 배치될 수 있으며, 나머지 하나에 포함된 제1 서브 열(SC1), 제2 서브 열(SC2), 및 제3 서브 열(SC3)은 제2 방향(D2)을 따라 역순으로 배치될 수 있다.
이에 따라, 몇몇 메모리 열들(15)의 경계들에서 제1 서브 열들(SC1)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)은 제1 방향(D1)을 따라 지그재그로 배치될 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d11)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 간격(d11)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 및 제2 서브 열들(SC1, SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)과 동일할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제1 서브 열들(SC1)에 각각 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1) 사이의 최소 간격(d12)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)과 동일할 수 있다.
또한, 다른 메모리 열들(15)의 경계들에서 제3 서브 열들(SC3)이 서로 인접할 수 있다. 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 제3 서브 열들(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d13)은 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제2 서브 열(SC2)과 제3 서브 열(SC3)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d5)보다 작을 수 있으며, 나아가, 하나의 메모리 열(15)에 포함된 제1 서브 열(SC1) 및 제2 서브 열(SC2)의 제2 방향(D2)으로의 간격(d6)보다도 작을 수 있다. 마찬가지로, 메모리 열들(15)의 경계에서 서로 인접하는 두 개의 제3 서브 열들(SC3)에 각각 포함된 랜딩 패드들(LPAD) 사이의 최소 간격(d14)은 랜딩 패드(LPAD)와 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)보다 작을 수 있으며, 나아가, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다도 작을 수 있다.
도 7e에 도시된 실시예에 따르면, 평면적 관점에서, 랜딩 패드들(LPAD)의 각각과 그에 인접한 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2) 사이의 간격(d2)은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1 및 MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드들(LPAD)이 노출되더라도 랜딩 패드들(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드들(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
제1 방향(D1)으로 연장되는 제1 비트 라인들(BL1)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들(MTJP1)에 공통적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 방향(D1)으로 연장되는 제2 비트 라인들(BL2)이 제공되어 각 메모리 열들(15)에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP2)에 공통적으로 연결될 수 있다. 제1 및 제2 비트 라인들(BL1, BL2)은 도 7a를 참조하여 설명한 바와 실질적으로 동일할 수 있다.
도 8a 내지 8c는 본 발명의 실시예들에 따른 단위 메모리 셀의 제조 방법을 나타내는 단면도들로서, 도 4의 I-I'선에 대응될 수 있다. 도 4 및 5, 또는 도 6을 참조하여 설명한 단위 메모리 셀과 실질적으로 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다.
도 4, 및 도 8a를 참조하면, 제1 및 제2 선택 트랜지스터들(SE1, SE2)을 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110) 상에 제1 층간 절연막(120)이 형성될 수 있다. 제1 층간 절연막(120)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 제1 층간 절연막(120)은, 일 예로, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정 또는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(120)을 관통하는 제1 및 제2 콘택 플러그들(PLG1, PLG2)이 형성될 수 있다. 제1 콘택 플러그(PLG1)는 제1 선택 트랜지스터(SE1)에 연결될 수 있고, 제2 콘택 플러그(PLG2)는 제2 선택 트랜지스터(SE2)에 연결될 수 있다. 이에 더해, 제1 층간 절연막(120) 내에 제2 비트 라인(BL2)이 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(120) 상에 제2 층간 절연막(122)이 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(122)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 제2 층간 절연막(122)은, 일 예로, 화학 기상 증착(CVD) 공정 또는 물리 기상 증착(PVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
제2 층간 절연막(122)를 관통하는 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2), 및 랜딩 패드(LPAD)가 형성될 수 있다. 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2), 및 랜딩 패드(LPAD)를 형성하는 것은, 제1 콘택 플러그(PLG1), 제2 비트 라인(BL2), 및 제2 콘택 플러그(PLG2)를 각각 노출하는 제1 내지 제3 관통 홀들(PH1, PH2, PH3)을 형성하는 것, 제1 내지 제3 관통 홀들(PH1, PH2, PH3)을 채우는 도전막(미도시)을 형성하는 것, 및 제2 층간 절연막(122)의 상면이 노출될 때까지 상기 도전막을 평탄화하는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2)의 상면들, 및 랜딩 패드(LPAD)의 상면은 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다. 제1 하부 전극(BE1)은 제1 콘택 플러그(PLG1)에, 제2 하부 전극(BE2)은 제2 비트 라인(BL2)에, 그리고 랜딩 패드(LPAD)는 제2 콘택 플러그(PLG2)에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4, 및 도 8b를 참조하면, 제2 층간 절연막(122) 상에, 선택적 하부 전극막(OBEL), 자기터널접합막(MTJL), 선택적 상부 전극막(OTEL), 및 상부 전극막(TEL)이 차례로 형성될 수 있다. 상기 막들(OBEL, MTJL, OTEL, TEL)의 각각은, 일 예로, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 또는 물리 기상 증착(PVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
선택적 하부 전극막(OBEL) 및 선택적 상부 전극막(OTEL)은 질화 티타늄 및/또는 질화 탄탈늄과 같은 도전성 금속 질화물을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 선택적 하부 전극막(OBEL) 및 선택적 상부 전극막(OTEL) 중에서 적어도 하나가 생략될 수 있다. 이하에서는, 설명의 간소화를 위하여, 선택적 하부 전극막(OBEL) 및 선택적 상부 전극막(OTEL)이 형성된 실시예들에 대하여 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
자기터널접합막(MTJL)은 차례로 적층된 고정층(PL), 터널 배리어막(TBL), 및 자유층(FL)을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 고정층(PL)과 자유층(FL)이 적층되는 순서는 서로 바뀔 수 있다. 자기터널접합막(MTJL)에 대해서는, 도 9a 및/또는 도 9b를 참조하여 자세히 설명한다.
상부 전극막(TEL) 상에 마스크 패턴들(MP)이 형성될 수 있다. 평면적 관점에서, 마스크 패턴들(MP)은 제1 및 제2 하부 전극들(BE1, BE2)과 중첩될 수 있다. 마스크 패턴들(MP)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다.
도 4 및 도 8c를 참조하면, 제1 하부 전극(BE1) 상에 제1 선택적 하부 전극 패턴(OBEP1), 제1 자기터널접합 패턴(MTJP1), 제1 선택적 상부 전극 패턴(OTEP1), 및 제1 상부 전극 패턴(TEP1)이 차례로 형성될 수 있고, 또한, 제2 하부 전극(BE2) 상에 제2 선택적 하부 전극 패턴(OBEP2), 제2 자기터널접합 패턴(MTJP2), 제2 선택적 상부 전극 패턴(OTEP2), 및 제2 상부 전극 패턴(TEP2)이 차례로 형성될 수 있다. 상기 패턴들(OBEP1, OBEP2, MTJP1, MTJP2, OTEP1, OTEP2, TEP1, TEP2)을 형성하는 것은 마스크 패턴들(MP)을 식각 마스크로 이용하여 상부 전극막(TEL), 선택적 상부 전극막(OTEL), 자기터널접합막(MTJL), 선택적 하부 전극막(OBEL)을 차례로 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 패터닝 공정은 이온 빔 식각(Ion Beam Etching: IBE) 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 자기터널접합막(MTJL)의 패터닝 공정 중에, 자기터널접합막(MTJL)으로부터 발생한 식각 부산물이 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽들 상에 재증착될 수 있다. 이로 인하여, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 단락될 수 있으며, 그 확률은 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)이 좁을수록 높아진다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)은 자기터널접합막(MTJL)으로부터 발생한 식각 부산물로 인하여 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)이 단락되지 않기 위한 최소 이격 거리와 같거나 상기 최소 이격 거리보다 클 수 있다.
일반적으로 자기터널접합 패턴을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드가 노출되어 그 일부가 식각될 수 있다. 이 때, 랜딩 패드으로부터 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴의 측벽 상에 재증착될 수 있으며, 이로 인하여, 자기터널접합 패턴의 단락이 발생할 수 있다. 이러한 단락이 발생할 확률은 자기터널접합 패턴과 랜딩 패드의 간격이 좁을수록 높아진다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 평면적 관점에서, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 각각과 랜딩 패드(LPAD) 사이의 간격들(d1, d2)은 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2) 사이의 간격(d3)보다 클 수 있다. 따라서, 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 랜딩 패드(LPAD)가 노출되더라도 랜딩 패드(LPAD)에서 발생한 식각 부산물이 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 측벽 상에 재증착될 확률은 낮을 수 있다. 이에 따라, 랜딩 패드(LPAD)의 식각 부산물에 의한 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)의 단락이 억제될 수 있으며, 결과적으로 자기 메모리 장치의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 4 및 도 5를 다시 참조하면, 제2 층간 절연막(122) 상에, 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들(MTJP1, MTJP2)을 덮는 제3 층간 절연막(124)이 형성될 수 있다. 제3 층간 절연막(124)은, 일 예로, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 제3 층간 절연막(124)은, 일 예로, 화학 기상 증착(CVD) 공정 또는 물리 기상 증착(PVD) 공정에 의해 형성될 수 있다. 나아가, 제1 및 제2 상부 전극 패턴들(TEP1, TEP2)의 상면들이 노출될 때까지 제3 층간 절연막(124)이 평탄화될 수 있다.
제3 층간 절연막(124)을 관통하여 랜딩 패드(LPAD)에 연결되는 연결 콘택(INC)이 형성될 수 있다. 나아가, 제3 층간 절연막(124) 상에 제1 비트 라인(BL1) 및 연결 패턴(INP)이 형성될 수 있다. 제1 비트 라인(BL1)은 제1 상부 전극 패턴(TEP1)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 연결 패턴(INP)은 연결 콘택(INC)과 제2 상부 전극 패턴(TEP2)을 전기적으로 연결할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 연결 콘택(INC), 연결 패턴(INP), 및 제1 비트 라인(BL1)은 다마신 공정을 이용하여 동시에 형성될 수 있다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 실시예들에 따른 자기 터널 접합 패턴을 설명하기 위한 개념도들이다. 자기 터널 접합 패턴(MTJP)은 제1 자성 패턴(MP1), 터널 배리어 패턴(TBP), 및 제2 자성 패턴(MP2)을 포함할 수 있다. 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2) 중 어느 하나는 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction: MTJ)의 자유 패턴이고, 나머지 하나는 자기 터널 접합의 고정 패턴일 수 있다. 이하, 설명의 간소화를 위하여 제1 자성 패턴(MP1)을 고정 패턴으로 제2 자성 패턴(MP2)을 자유 패턴으로 설명하나, 이와 반대로, 제1 자성 패턴(MP1)이 자유 패턴이고 제2 자성 패턴(MP2)이 고정 패턴일 수 있다. 자기 터널 접합 패턴(MTJP)의 전기적 저항은 상기 자유 패턴 및 상기 고정 패턴의 자화 방향들에 의존적일 수 있다. 예를 들면, 자기 터널 접합 패턴(MTJP)의 전기적 저항은 상기 자유 패턴 및 상기 고정 패턴의 자화 방향들이 평행한(parallel) 경우에 비해 이들이 반평행한(antiparallel) 경우에 훨씬 클 수 있다. 결과적으로, 자기 터널 접합 패턴(MTJP)의 전기적 저항은 자유 패턴의 자화 방향을 변경함으로써 조절될 수 있으며, 이는 본 발명에 따른 자기 기억 장치에서의 데이터 저장 원리로서 이용될 수 있다.
도 9a를 참조하면, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 자화 방향이 터널 배리어 패턴(TBP)의 상면과 실질적으로 평행한 수평 자화 구조를 형성하기 위한 자성층들일 수 있다. 이러한 실시예들에서, 제1 자성 패턴(MP1)은 반강자성 물질(anti-ferromagnetic material)을 포함하는 층과 강자성 물질(ferromagnetic material)을 포함하는 층을 포함할 수 있다. 반강자성 물질을 포함하는 층은 PtMn, IrMn, MnO, MnS, MnTe, MnF2, FeCl2, FeO, CoCl2, CoO, NiCl2, NiO 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 상기 반강자성 물질을 포함하는 층은 희유 금속(precious metal) 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 희유 금속은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 강자성 물질을 포함하는 층은 CoFeB, Fe, Co, Ni, Gd, Dy, CoFe, NiFe, MnAs, MnBi, MnSb, CrO2, MnOFe2O3, FeOFe2O3, NiOFe2O3, CuOFe2O3, MgOFe2O3, EuO 및 Y3Fe5O12 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 자성 패턴(MP2)은 변화 가능한 자화 방향을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 제2 자성 패턴(MP2)은 강자성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 제2 자성 패턴(MP2)는 FeB, Fe, Co, Ni, Gd, Dy, CoFe, NiFe, MnAs, MnBi, MnSb, CrO2, MnOFe2O3, FeOFe2O3, NiOFe2O3, CuOFe2O3, MgOFe2O3, EuO 및 Y3Fe5O12중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 자성 패턴(MP2)은 복수의 층으로 구성될 수 있다. 일 예로, 복수의 강자성 물질을 포함하는 층들과 상기 층들 사이에 개재되는 비자성 물질을 포함하는 층을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 강자성 물질을 포함하는 층들과 상기 비자성 물질을 포함하는 층은 합성 반강자성층(synthetic antiferromagnetic layer)을 구성할 수 있다. 상기 합성 반강자성층은 자기 기억 소자의 임계 전류 밀도를 감소시키고, 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.
터널 배리어 패턴(TBP)은 마그네슘(Mg)의 산화물, 티타늄(Ti)의 산화물, 알루미늄(Al), 마그네슘-아연(MgZn)의 산화물, 마그네슘-보론(MgB)의 산화물, 티타늄(Ti)의 질화물 및 바나듐(V)의 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 터널 배리어 패턴(TBP)은 산화마그네슘(MgO)의 단층일 수 있다. 이와 달리, 터널 배리어 패턴(TBP)은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 터널 배리어 패턴(TBP)은 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 9b를 참조하면, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 자화 방향이 터널 배리어 패턴(TBP)의 상면에 실질적으로 수직한 수직 자화 구조를 가질 수 있다. 이러한 실시예들에서, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 L10 결정구조를 갖는 물질, 조밀육방격자를 갖는 물질, 및 비정질 RE-TM(Rare-Earth Transition Metal) 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 Fe50Pt50, Fe50Pd50, Co50Pt50, Co50Pd50 및 Fe50Ni50를 포함하는 L10 결정구조를 갖는 물질 중 적어도 하나일 수 있다. 이와 달리, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 조밀육방격자를 갖는 10 내지 45 at. %의 백금(Pt) 함량을 갖는 코발트-백금(CoPt) 무질서 합금(disordered alloy) 또는 Co3Pt 질서합금(ordered alloy)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni) 중 선택된 적어도 하나와 희토류 금속인 터븀(Tb), 디스프로슘(Dy) 및 가돌리늄(Gd) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 RE-TM 합금 중 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 계면 수직 자기 이방성(interface perpendicular magnetic anisotropy)을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 계면 수직 자기 이방성은 내재적 수평 자화 특성을 갖는 자성층이 그와 인접하는 다른 층과의 계면으로부터의 영향에 의하여 수직 자화 방향을 갖는 현상을 말한다. 여기서, 상기 “내재적 수평 자화 특성”은 외부적 요인이 없을 경우, 자성층이 그것의 가장 넓은 표면에 평행한 자화 방향을 갖는 특성을 의미한다. 일 예로, 내재적 수평 자화 특성을 갖는 자성층이 기판 상에 형성되고 외부적 요인이 없을 경우, 상기 자성층의 자화 방향은 상기 기판의 상면과 실질적으로 평행할 수 있다.
일 예로, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 코발트(Co), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 보론(B), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 실리콘(Si), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 탄소(C) 및 질소(N)를 포함하는 비자성 물질 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 CoFe 또는 NiFe를 포함하되, 보론(B)를 더 포함할 수 있다. 이에 더하여, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)의 포화 자화량을 낮추기 위해, 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 마그네슘(Mg), 탄탈륨(Ta) 및 실리콘(Si) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 제1 자성 패턴(MP1) 및 제2 자성 패턴(MP2)은 스퍼터링 공정 또는 화학 기상 증착(CVD) 공정을 이용하여 형성될 수 있다.
도 8b를 참조하여 상술한 자기 터널 접합막(MTJL)은 자기 터널 접합 패턴(MTJP)와 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
Claims (20)
- 기판 상의 층간 절연막;
상기 층간 절연막을 관통하는 랜딩 패드;
상기 층간 절연막 상에 배치되며, 평면적 관점에서 상기 랜딩 패드로부터 이격하는 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들;
상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면과 상기 랜딩 패드를 전기적으로 연결하는 연결 구조체; 및
상기 제1 자기터널접합 패턴의 상면에 전기적으로 연결되고 상기 연결 구조체와 이격하는 제1 비트라인을 포함하되,
평면적 관점에서, 상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들은 제1 간격을 사이에 두고 서로 이격하며,
평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드와 상기 제1 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 간격보다 크고,
평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드와 상기 제2 자기터널접합 패턴 사이의 간격은 상기 제1 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 층간 절연막 내에 제공되며 상기 제1 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되는 제1 하부 전극; 및
상기 층간 절연막 내에 제공되며 상기 제2 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되는 제2 하부 전극을 더 포함하되,
상기 랜딩 패드의 상면은 상기 제1 및 제2 하부 전극들의 상면들과 실질적으로 동일한 레벨을 갖는 자기 메모리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 기판은 제1 및 제2 선택 소자들을 포함하되,
상기 제1 선택 소자는 상기 제1 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되고,
상기 제2 선택 소자는 상기 랜딩 패드 및 상기 연결 구조체를 통하여 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면에 전기적으로 연결되는 자기 메모리 장치. - 제1 항에 있어서,
제2 비트 라인들을 더 포함하되,
상기 제2 비트 라인은 상기 제2 자기터널접합 패턴의 하면에 전기적으로 연결되는 자기 메모리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 자기터널접합 패턴들은 실질적으로 동일한 레벨에 배치되는 자기 메모리 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 자기터널접합 패턴은 제1 자유 패턴, 제1 고정 패턴, 및 상기 제1 자유 패턴과 상기 제1 고정 패턴 사이에 개재된 제1 터널 배리어 패턴을 포함하고,
상기 제2 자기터널접합 패턴은 제2 자유 패턴, 제2 고정 패턴, 및 상기 제2 자유 패턴과 상기 제2 고정 패턴 사이에 개재된 제2 터널 배리어 패턴을 포함하되,
상기 제1 자유 패턴, 상기 제1 고정 패턴이 적층된 순서는 상기 제2 자유 패턴, 상기 제2 고정 패턴이 적층된 순서와 동일한 자기 메모리 장치. - 제1 방향을 따라 배열된 복수의 단위 메모리 셀들을 포함하는 적어도 하나의 메모리 열을 포함하되,
상기 단위 메모리 셀들의 각각은:
랜딩 패드;
평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드로부터 제1 간격만큼 이격하는 제1 자기터널접합 패턴;
평면적 관점에서, 상기 랜딩 패드로부터 제2 간격만큼 이격하고, 상기 제1 자기터널접합 패턴으로부터 제3 간격만큼 이격하는 제2 자기터널접합 패턴;
상기 랜딩 패드와 상기 제2 자기터널접합 패턴의 상면을 전기적으로 연결하는 연결 구조체; 및
상기 제1 자기터널접합 패턴의 상면에 전기적으로 연결되고 상기 연결 구조체와 이격하는 제1 비트라인을 포함하되,
상기 제1 간격 및 제2 간격은 상기 제3 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 메모리 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열되며,
평면적 관점에서, 상기 제1 간격 및 상기 제2 간격은 상기 제1 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 메모리 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 배열되며,
평면적 관점에서, 상기 제1 간격 및 상기 상기 제2 간격은 상기 제2 자기터널접합 패턴들의 상기 제1 방향으로의 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 자기터널접합 패턴들 및 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치되는 자기 메모리 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 메모리 열에 포함된 제1 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제1 서브 열을 구성하고,
상기 메모리 열에 포함된 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제2 서브 열을 구성하고,
상기 메모리 열에 포함된 랜딩 패드들은 상기 제1 방향으로 배열되어 제3 서브 열을 구성하되,
상기 제1 내지 제3 서브 열들은 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 서로 이격하고,
평면적 관점에서, 상기 제2 서브 열은 상기 제1 서브 열과 상기 제3 서브 열 사이에 위치하는 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 서브 열과 상기 제3 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 서브 열과 상기 제2 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 서브 열에 포함된 상기 제1 자기터널접합 패턴들 및 상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치되는 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들 및 상기 제3 서브 열에 포함된 상기 랜딩 패드들은 상기 제1 방향을 따라 지그재그로 배치되는 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 메모리 열은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 및 제2 메모리 열들로 제공되되,
상기 제1 메모리 열의 상기 제3 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열은 서로 인접하는 자기 메모리 장치. - 제15 항에 있어서,
상기 제1 메모리 열의 상기 제3 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 및 제2 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격보다 큰 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 메모리 열은 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 제1 및 제2 메모리 열들로 제공되되,
상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열은 서로 인접하는 자기 메모리 장치. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제2 및 제3 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격보다 작은 자기 메모리 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 제1 메모리 열의 상기 제1 서브 열과 상기 제2 메모리 열의 상기 제1 서브 열의 상기 제2 방향으로의 간격은 상기 제1 메모리 열의 상기 제1 및 제2 서브 열들의 상기 제2 방향으로의 간격과 동일한 자기 메모리 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제2 서브 열에 포함된 상기 제2 자기터널접합 패턴들의 하면들에 전기적으로 연결되는 제2 비트 라인을 더 포함하는 자기 메모리 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610900391.1A CN107017275B (zh) | 2015-10-15 | 2016-10-14 | 磁存储装置 |
| US15/294,100 US10269401B2 (en) | 2015-10-15 | 2016-10-14 | Magnetic memory devices |
| US16/285,295 US10515678B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-02-26 | Magnetic memory devices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20150144268 | 2015-10-15 | ||
| KR1020150144268 | 2015-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170045080A KR20170045080A (ko) | 2017-04-26 |
| KR102466880B1 true KR102466880B1 (ko) | 2022-11-17 |
Family
ID=58704854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150156320A Active KR102466880B1 (ko) | 2015-10-15 | 2015-11-09 | 자기 메모리 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102466880B1 (ko) |
| CN (1) | CN107017275B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112531102B (zh) * | 2019-09-18 | 2023-04-07 | 中电海康集团有限公司 | Mtj底电极及其制造方法 |
| US11211426B2 (en) * | 2019-10-01 | 2021-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Tunnel junction selector MRAM |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056975A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Sony Corp | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100923298B1 (ko) * | 2003-01-18 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 단위 셀이 한 개의 트랜지스터와 두 개의 ｍｔｊ로 구성된ｍｒａｍ 및 그 제조방법 |
| JP4415745B2 (ja) * | 2004-04-22 | 2010-02-17 | ソニー株式会社 | 固体メモリ装置 |
-
2015
- 2015-11-09 KR KR1020150156320A patent/KR102466880B1/ko active Active
-
2016
- 2016-10-14 CN CN201610900391.1A patent/CN107017275B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056975A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Sony Corp | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107017275B (zh) | 2021-09-14 |
| CN107017275A (zh) | 2017-08-04 |
| KR20170045080A (ko) | 2017-04-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20151109 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200911 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20151109 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20220518 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20221027 |
|
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20221109 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20221110 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |