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KR102449365B1 - 세라믹 전자 부품 - Google Patents

세라믹 전자 부품 Download PDF

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KR102449365B1
KR102449365B1 KR1020200089661A KR20200089661A KR102449365B1 KR 102449365 B1 KR102449365 B1 KR 102449365B1 KR 1020200089661 A KR1020200089661 A KR 1020200089661A KR 20200089661 A KR20200089661 A KR 20200089661A KR 102449365 B1 KR102449365 B1 KR 102449365B1
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thickness
electrode
layer
disposed
ceramic electronic
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김기원
박상수
신우철
신동휘
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품은, 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 복수의 내부 전극을 포함하고, 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 및 상기 바디의 제3 면 또는 제4 면에 배치되는 접속부와 상기 접속부에서 상기 제1 및 제2 면의 일부까지 연장되는 밴드부를 포함하는 외부 전극;을 포함하고, 상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 연결되는 전극층, 상기 전극층 상에 배치된 전도성 수지층, 상기 전도성 수지층 상에 배치된 Ni 도금층 및 상기 Ni 도금층 상에 배치된 Sn 도금층을 포함하고, 상기 접속부에서 Ni 도금층 두께를 tc1, 상기 밴드부에서 Ni 도금층 두께를 tc2라 정의할 때, tc1은 0.5 ㎛ 이상이고, tc2/tc1는 1.2 이하를 만족한다.

Description

세라믹 전자 부품{CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 세라믹 전자 부품에 관한 것이다.
세라믹 전자 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다.
이러한 적층 세라믹 커패시터는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다. 컴퓨터, 모바일 기기 등 각종 전자 기기가 소형화, 고출력화되면서 적층 세라믹 커패시터에 대한 소형화 및 고용량화의 요구가 증대되고 있다.
한편, 최근 전장 부품에 대한 업계의 관심이 높아지면서 적층 세라믹 커패시터 역시 자동차 혹은 인포테인먼트 시스템에 사용되기 위하여 고신뢰성 및 고강도 특성이 요구되고 있다.
특히, 적층 세라믹 커패시터에 대한 높은 휨강도 특성을 요구하고 있어, 휨특성 향상을 위한 내부 및 외부 구조 등에 있어서 개선이 필요한 실정이다.
본 발명의 일 목적 중 하나는 신뢰성이 우수한 세라믹 전자 부품을 제공하기 위함이다.
본 발명의 일 실시형태는 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 복수의 내부 전극을 포함하고, 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 및 상기 바디의 제3 면 또는 제4 면에 배치되는 접속부와 상기 접속부에서 상기 제1 및 제2 면의 일부까지 연장되는 밴드부를 포함하는 외부 전극;을 포함하고, 상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 연결되는 전극층, 상기 전극층 상에 배치된 전도성 수지층, 상기 전도성 수지층 상에 배치된 Ni 도금층 및 상기 Ni 도금층 상에 배치된 Sn 도금층을 포함하고, 상기 접속부에서 Ni 도금층 두께를 tc1, 상기 밴드부에서 Ni 도금층 두께를 tc2라 정의할 때, tc1은 0.5 ㎛ 이상이고, tc2/tc1은 1.2 이하인 세라믹 전자 부품을 제공한다.
본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 외부 전극의 접속부에서의 Ni 도금층 두께를 조절함으로써 납땜성을 확보할 수 있으며, 외부 전극의 접속부에서의 Ni 도금층 두께와 외부 전극의 밴드부에서의 Ni 도금층 두께의 비율을 조절함으로써, 휨강도를 개선할 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I' 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3의 (a)는 제1 내부 전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 도시한 것이고, 도 3의 (b)는 제2 내부 전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 P1 영역 확대도이다.
도 5는 도 2의 P2 영역 확대도이다.
도 6은 도 2의 P3 영역 확대도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, X 방향은 제2 방향, L 방향 또는 길이 방향, Y 방향은 제3 방향, W 방향 또는 폭 방향, Z 방향은 제1 방향, 적층 방향, T 방향 또는 두께 방향으로 정의될 수 있다.
세라믹 전자 부품
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품의 사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I' 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3의 (a)는 제1 내부 전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 도시한 것이고, 도 3의 (b)는 제2 내부 전극이 인쇄된 세라믹 그린시트를 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 P1 영역 확대도이다.
도 5는 도 2의 P2 영역 확대도이다.
도 6은 도 2의 P3 영역 확대도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품(100)은 유전체층(111) 및 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 복수의 내부 전극(121, 122)을 포함하고, 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 포함하는 바디(110); 및 상기 바디의 제3 면 또는 제4 면에 배치되는 접속부(C)와 상기 접속부에서 상기 제1 및 제2 면의 일부까지 연장되는 밴드부(B)를 포함하는 외부 전극(131, 132);을 포함하고, 상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 연결되는 전극층(131a, 132a), 상기 전극층 상에 배치된 전도성 수지층(131b, 132b), 상기 전도성 수지층 상에 배치된 Ni 도금층(131c, 132c) 및 상기 Ni 도금층 상에 배치된 Sn 도금층(131d, 132d)을 포함하고, 상기 접속부에서 Ni 도금층 두께를 tc1, 상기 밴드부에서 Ni 도금층 두께를 tc2라 정의할 때, tc1은 0.5 ㎛ 이상이고, tc2/tc1은 1.2 이하를 만족한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품을 설명하되, 특히 적층 세라믹 커패시터로 설명하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
바디(110)는 유전체층(111) 및 내부 전극(121, 122)이 교대로 적층되어 있다.
바디(110)의 구체적인 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 바디(110)는 육면체 형상이나 이와 유사한 형상으로 이루어질 수 있다. 소성 과정에서 바디(110)에 포함된 세라믹 분말의 수축으로 인하여, 바디(110)는 완전한 직선을 가진 육면체 형상은 아니지만 실질적으로 육면체 형상을 가질 수 있다.
바디(110)는 두께 방향(Z 방향)으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면(1, 2), 상기 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 길이 방향(X 방향)으로 서로 대향하는 제3 및 제4 면(3, 4), 제1 및 제2 면(1, 2)과 연결되고 제3 및 제4 면(3, 4)과 연결되며 폭 방향(Y 방향)으로 서로 대향하는 제5 및 제6 면(5, 6)을 가질 수 있다.
바디(110)를 형성하는 복수의 유전체층(111)은 소성된 상태로서, 인접하는 유전체층(111) 사이의 경계는 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)를 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 일체화될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체층(111)을 형성하는 원료는 충분한 정전 용량을 얻을 수 있는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 사용할 수 있다.
상기 유전체층(111)을 형성하는 재료는 티탄산바륨(BaTiO3) 등의 파우더에 본 발명의 목적에 따라 다양한 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제, 분산제 등이 첨가될 수 있다.
복수의 내부 전극(121, 122)은 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치된다.
내부 전극(121, 122)은 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 번갈아 배치되는 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 바디(110)의 제3 및 제4 면(3, 4)으로 각각 노출될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 내부 전극(121)은 제4 면(4)과 이격되며 제3 면(3)을 통해 노출되고, 제2 내부 전극(122)은 제3 면(3)과 이격되며 제4 면(4)을 통해 노출될 수 있다. 바디의 제3 면(3)에는 제1 외부 전극(131)이 배치되어 제1 내부 전극(121)과 연결되고, 바디의 제4 면(4)에는 제2 외부 전극(132)이 배치되어 제2 내부 전극(122)과 연결될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 중간에 배치된 유전체층(111)에 의해 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 도 3을 참조하면, 바디(110)는 제1 내부 전극(121)이 인쇄된 세라믹 그린 시트(a)와 제2 내부 전극(122)이 인쇄된 세라믹 그린 시트(b)를 두께 방향(Z 방향)으로 번갈아 적층한 후, 소성하여 형성할 수 있다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 형성하는 재료는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 팔라듐(Pd), 팔라듐-은(Pd-Ag)합금 등의 귀금속 재료 및 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품(100)은, 상기 바디(110)의 내부에 배치되며, 상기 유전체층(111)을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 제1 내부 전극(121) 및 제2 내부 전극(122)을 포함하여 용량이 형성되는 용량 형성부와 상기 용량 형성부의 상부 및 하부에 형성된 커버부(112)를 포함할 수 있다.
커버부(112)는 내부 전극(121, 122)을 포함하지 않으며, 유전체층(111)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 즉, 커버부(112)는 세라믹 재료를 포함할 수 있으며, 예를 들어 티탄산바륨계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬계 재료 등을 포함할 수 있다.
커버부(112)는 단일 유전체층 또는 2 개 이상의 유전체층을 용량 형성부의 상하면에 각각 상하 방향으로 적층하여 형성할 수 있으며, 기본적으로 물리적 또는 화학적 스트레스에 의한 내부 전극의 손상을 방지하는 역할을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품(100)은, 바디의 제3 면(3) 또는 제4 면(4)에 배치되는 접속부(C)와 상기 접속부(C)에서 상기 제1 및 제2 면(1, 2)의 일부까지 연장되는 밴드부(B)를 포함하는 외부 전극(131, 132)을 포함한다.
이때, 밴드부(B)는 제1 및 제2 면(1, 2)의 일부뿐만 아니라, 접속부(C)에서 제5 및 제6 면(5, 6)의 일부까지도 연장될 수 있다.
외부 전극(131, 132)은 접속부가 제3 면에 배치되는 제1 외부 전극(131)과 접속부가 제4 면에 배치되는 제2 외부 전극(132)을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부 전극(131, 132)은 정전 용량 형성을 위해 상기 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제2 외부 전극(132)은 상기 제1 외부 전극(131)과 다른 전위에 연결될 수 있다.
이하, 제1 외부 전극(131)을 중심으로 설명하나, 제2 외부 전극(132)에도 동일하게 적용될 수 있다.
외부전극(131, 132)은 상기 내부 전극(121, 122)과 연결되는 전극층(131a, 132a), 상기 전극층 상에 배치된 전도성 수지층(131b, 132b), 상기 전도성 수지층 상에 배치된 Ni 도금층(131c, 132c) 및 상기 Ni 도금층 상에 배치된 Sn 도금층(131d, 132d)을 포함한다.
상기 전극층(131a, 132a)은 도전성 금속 및 글라스를 포함할 수 있다.
상기 전극층(131a, 132a)에 사용되는 도전성 금속은 정전 용량 형성을 위해 상기 내부 전극과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.
상기 전극층(131a, 132a)은 상기 도전성 금속 분말에 글라스 프릿을 첨가하여 마련된 도전성 페이스트를 도포한 후 소성함으로써 형성될 수 있다.
상기 전도성 수지층(131b, 132b)은 전극층(131a, 132a) 상에 형성되며, 전극층(131a, 132a)을 완전히 덮는 형태로 형성될 수 있다.
전도성 수지층(131b, 132b)은 도전성 금속 및 베이스 수지를 포함할 수 있다.
상기 전도성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 베이스 수지는 접합성 및 충격흡수성을 가지고, 도전성 금속 분말과 혼합하여 페이스트를 만들 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 에폭시계 수지를 포함할 수 있다.
상기 전도성 수지층(131b, 132b)에 포함되는 도전성 금속은 전극층(131a, 132a)과 전기적으로 연결될 수 있는 재질이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 Ni 도금층(131c, 132c)은 전도성 수지층(131b, 132b) 상에 형성되며, 전도성 수지층(131b, 132b)을 완전히 덮는 형태로 형성될 수 있다.
도 4는 도 2의 P1 영역 확대도이다.
도 5는 도 2의 P2 영역 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품에 있어서, 상기 접속부(C)에서 Ni 도금층 두께를 tc1, 상기 밴드부(B)에서 Ni 도금층 두께를 tc2라 정의할 때, tc1는 0.5 ㎛ 이상이고, tc2/tc1는 1.2 이하일 수 있다.
접속부(C)에서 Ni 도금층 두께(tc1)가 0.5 ㎛ 미만인 경우에는 납땜성을 확보하기 어려울 수 있다.
tc2/tc1가 1.2 초과인 경우에는 접속부(C)와 밴드부(B) 간의 응력 차이가 너무 커지기 때문에 휨강도가 저하되어 휨크랙 발생 빈도가 높아질 수 있다.
tc2/tc1를 1.2 이하로 조절함으로써 5 mm 이상의 휨강도를 확보할 수 있다.
이때, tc2/tc1는 1.0 초과 1.2 이하일 수 있다.
밴드부(B)에서 Ni 도금층 두께(tc2)를 접속부(C)에서 Ni 도금층 두께(tc1)보다 두껍게 조절함으로써, 즉 tc2/tc1을 1.0 초과로 조절함으로써 납땜성을 보다 향상시킬 수 있다.
접속부에서 Ni 도금층 두께(tc1)는 접속부(C)의 중앙부에서 측정한 것일 수 있으며, 밴드부에서 Ni 도금층 두께(tc2)는 밴드부(B)의 중앙부에서 측정한 것일 수 있다.
상기 Sn 도금층(131d, 132d)은 Ni 도금층(131c, 132c) 상에 형성되며, Ni 도금층(131c, 132c)을 완전히 덮는 형태로 형성될 수 있다.
Sn 도금층(131d, 132d)은 실장 특성을 향상시키는 역할을 한다.
도 6은 도 2의 P3 영역 확대도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 세라믹 전자 부품에 있어서, 상기 유전체층(111)의 두께(td)와 상기 내부전극(121, 122)의 두께(te)는 td > 2*te 를 만족할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 유전체층(111)의 두께(td)는 상기 내부 전극(121, 122)의 두께(te)의 2 배 보다 더 큰 것을 특징으로 한다.
일반적으로 고전압 전장용 전자 부품은, 고전압 환경 하에서 절연파괴전압의 저하에 따른 신뢰성 문제가 주요한 이슈이다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 고전압 환경 하에서 절연파괴전압의 저하를 막기 위하여 상기 유전체층(111)의 두께(td)를 상기 내부 전극(121, 122)의 두께(te)의 2 배 보다 더 크게 함으로써, 내부 전극 간 거리인 유전체층의 두께를 증가시킴으로써, 절연파괴전압 특성을 향상시킬 수 있다.
상기 유전체층(111)의 두께(td)가 상기 내부전극(121, 122)의 두께(te)의 2 배 이하일 경우에는 내부 전극 간 거리인 유전체층의 두께가 얇아 절연파괴전압이 저하될 수 있다.
상기 내부전극의 두께(te)는 1 ㎛ 미만일 수 있으며, 상기 유전체층의 두께(td)는 2.8 ㎛ 미만일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
이하, 표 1에서는 접속부의 Ni 도금층 두께(tc1) 및 밴드부의 Ni 도금층 두께(tc2)에 따른 납땜성 및 휩강도를 평가하여 나타낸 것이다.
tc1 및 tc2는 각각 접속부 및 밴드부의 중앙부에서 측정한 것이다.
납땜성은 적층 세라믹 커패시터의 샘플들의 외부 전극을 솔더(solder)에 딥핑하여 외부 전극의 95 면적% 이상이 솔더에 의해 덮힌 경우 '○'로 표시하였으며, 95 면적% 미만인 경우 'X'로 표시하였다.
휨강도는 기판에 적층 세라믹 커패시터의 샘플들을 실장한 후 벤딩시 누름을 받는 중심부에서의 거리를 5 mm로 설정하여 크랙이 발생하는지 여부를 관찰하여, 크랙이 발생하지 않은 경우 '○'로 표시하였으며, 크랙이 발생한 경우 'X'로 표시하였다.
샘플번호 tc1 tc2 tc2/tc1 납땜성 휨강도
1 0.5 0.4 0.80
2 1.0 0.8 0.80
3 1.5 1.5 1.00
4 2.0 2.0 1.00
5 2.5 2.4 0.96
6 3.0 3.1 1.03
7 3.5 3.4 0.97
8 4.0 4.2 1.05
9 4.5 4.9 1.09
10 5.0 5.7 1.14
11* 5.5 6.7 1.22 X
12* 6.0 8.0 1.33 X
13* 6.5 8.8 1.35 X
14* 7.0 9.1 1.30 X
15* 7.5 10.7 1.43 X
16* 8.0 12.3 1.54 X
17* 8.5 13.3 1.56 X
18* 9.0 15.0 1.67 X
19* 9.5 16.5 1.74 X
20* 10.0 17.8 1.78 X
상기 표 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라 tc1이 0.5 ㎛ 이상이고, tc2/tc1가 1.2 이하인 샘플번호 1 내지 10의 경우 납땜성 및 휨강도 특성이 우수한 것을 확인할 수 있다.
반면에, 샘플번호 11 내지 20의 경우, tc1은 0.5 ㎛ 이상으로 납땜성은 우수하였으나, tc2/tc1가 1.2를 초과하여 접속부(C)와 밴드부(B) 간의 응력 차이가 너무 크기 때문에 휨크랙이 발생하여 휨강도 특성이 열위하였다.
이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 세라믹 전자 부품
110: 바디
121, 122: 내부 전극
111: 유전체층
112: 커버부
131,132: 외부 전극

Claims (7)

  1. 유전체층 및 상기 유전체층을 사이에 두고 서로 대향하도록 배치되는 복수의 내부 전극을 포함하고, 제1 방향으로 서로 대향하는 제1 및 제2 면, 상기 제1 및 제2 면과 연결되고 제2 방향으로 서로 대향하는 제3 및 제4 면, 상기 제1 내지 제4 면과 연결되고 제3 방향으로 서로 대향하는 제5 및 제6 면을 포함하는 바디; 및
    상기 바디의 제3 면 또는 제4 면에 배치되는 접속부와 상기 접속부에서 상기 제1 및 제2 면의 일부까지 연장되는 밴드부를 포함하는 외부 전극;을 포함하고,
    상기 외부 전극은 상기 내부 전극과 연결되는 전극층, 상기 전극층 상에 배치된 전도성 수지층, 상기 전도성 수지층 상에 배치된 Ni 도금층 및 상기 Ni 도금층 상에 배치된 Sn 도금층을 포함하고,
    상기 접속부의 상기 제1 방향 중앙부에서 Ni 도금층 두께를 tc1, 상기 밴드부의 상기 제2 방향 중앙부에서 Ni 도금층 두께를 tc2라 정의할 때, tc1은 0.5 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하이고, tc2/tc1은 1.2 이하인
    세라믹 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 tc2/tc1은 1.0 초과이고 1.2이하인
    세라믹 전자 부품.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 내부 전극의 두께는 1 ㎛ 미만인
    세라믹 전자 부품.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층의 두께는 2.8 ㎛ 미만인
    세라믹 전자 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 내부 전극의 두께를 te, 상기 유전체층의 두께를 td라 정의할 때,
    td > 2*te 를 만족하는
    세라믹 전자 부품.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전극층은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 도전성 금속과 글라스를 포함하는
    세라믹 전자 부품.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 수지층은 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 이들의 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 도전성 금속과 베이스 수지를 포함하는
    세라믹 전자 부품.
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