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KR102423858B1 - 노광장치 및 이를 이용한 노광방법 - Google Patents

노광장치 및 이를 이용한 노광방법 Download PDF

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KR102423858B1
KR102423858B1 KR1020150132372A KR20150132372A KR102423858B1 KR 102423858 B1 KR102423858 B1 KR 102423858B1 KR 1020150132372 A KR1020150132372 A KR 1020150132372A KR 20150132372 A KR20150132372 A KR 20150132372A KR 102423858 B1 KR102423858 B1 KR 102423858B1
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 통공이 형성된 슬릿을 쉴드유닛으로 개폐 제어하여 스테이지 상의 기판에 중첩영역을 만들되, 쉴드유닛과 스테이지의 이송방향을 동일하게 하고, 이송속도를 서로 다르게 하여 중첩영역의 중첩폭을 감소시킴으로써 대형모델 또는 MMG 모델에 대응하여 노광 공정수를 감소시킬 수 있는 노광장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명은 1차노광 단계와, 중첩영역 형성단계와, 2차노광 단계 및 중첩영역 완전 노광 단계를 포함하여, 중첩영역 형성단계와 중첩영역 완전 노광 단계에서 제1쉴드유닛과 스테이지의 이송방향을 동일하게 제어하고, 이송속도를 서로 다르게 차등 제어함으로써 중첩영역의 중첩폭을 감소시킬 수 있고, 대형모델의 노광 택타입을 감소시킬 수 있는 노광방법을 제공한다.

Description

노광장치 및 이를 이용한 노광방법{Exposure Apparatus and Method}
본 발명은 노광장치 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것으로서, 광원으로부터 조사된 빛이 마스크의 패턴을 통과하면서 기판 상에 노광이 이루어지는 노광장치 및 이를 이용한 노광방법에 관한 것이다.
통상적으로, 액정표시장치(LCD: liquid crystal display)는 경량, 박형, 저 소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이러한 추세에 따라 액정표시장치는 사무자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등에 이용되고 있다.
액정표시장치는 전계를 이용하여 유전 이방성을 가지는 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다.
이를 위하여, 액정표시장치는 화상을 표시하는 액정셀 매트릭스를 가지는 액정표시패널과, 상기 액정표시패널을 구동하기 위한 구동부를 구비한다. 박막 트랜지스터를 이용하여 액정셀들을 독립적으로 구동시키는 액티브 매트릭스 타입(Active Matrix Type)의 액정표시장치는 퍼스널 컴퓨터(PC)의 표시장치뿐만 아니라 텔레비젼(TV) 용으로 널리 사용되고 있다.
액정표시패널은 서로 대향하는 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판과, 두 기판 사이에 주입된 액정을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판은 게이트 라인들 및 데이터 라인들과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차영역 마다 스위치 소자로 형성된 박막 트랜지스터와, 액정셀 단위로 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 접속된 화소전극을 포함한다.
컬러 필터 기판은 엑정셀 단위로 형성된 컬러 필터들과, 상기 컬러 필터들 간의 구분 및 외부광 반사를 위한 블랙 매트릭스와, 액정셀들에 공통적인 기준 전압을 공급하는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널은 박막 트랜지스터 기판과 컬러 필터 기판을 별도로 제작하여 합착한 다음 액정을 주입하고 봉입함으로써 완성된다.
액정표시패널에서 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판은 패턴 형성을 위한 다수의 마스크 공정을 포함한다. 각각의 마스크 공정은 박막 증착 공정, 세정 공정, 포토리소그래피(photolithography) 공정, 식각 공정, 포토레지스트 박리 공정 및 검사 공정을 포함한다. 여기서, 액정표시패널이 포토리소그래피의 공정에 사용되는 노광기의 유효면적 보다 큰 경우, 박막 트랜지스터 기판 및 컬러 필터 기판을 분할하여 노광하는 스티치(stitch), 또는 XSMB, YMB 유닛을 별도로 구성하여 중첩 노광 방법이 이용된다.
이러한 중첩 노광 방법은 제1노광공정에서 슬릿을 통과할 광원의 빛을 선택적으로 차단하는 쉴드유닛과, 기판이 올려진 스테이지가 서로 다른 방향으로 이송하면서 불완전 노광 영역인 중첩 영역을 형성하고, 제2노광공정이 이루어질 때 중첩 영역이 추가적으로 노광되면서 비로소 완전 노광이 완료된다. 이때 쉴드유닛과 스테이지가 서로 다른 방향으로 이송하는 경우, 중첩영역의 최소 중첩폭이 슬릿의 폭과 같게 된다.
그러나 이렇게 형성된 중첩 영역은 전체 노광 영역에 비하여 차지하는 비율이 상당하여, 대면적의 기판에 대응하여 노광 공정이 진행되는 경우, 노광 공정의 샷(shot) 수가 증가하고, 이에 따라 노광 공정에 오랜 시간이 소요되는 문제점이 지적되고 있다.
따라서 제1노광 공정과 제2노광 공정에서 중첩 영역을 감소시켜 노광 공정의 수를 감소시키고 이에 따른 노광 공정 시간을 단축시키는 기술이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보다 상세하게는 제1노광 영역과 제2노광 영역 사이에서 중첩되는 중첩 영역의 폭을 감소시켜, 전체적인 노광 공정의 시간을 단축시킬 수 있는 노광장치 및 이를 이용한 노광방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 슬릿을 통해 유입된 광원의 빛을 제1쉴드유닛으로 개폐 제어하여 스테이지 상의 기판에 중첩영역을 만들되, 제1쉴드유닛과 스테이지의 이송방향을 동일하게 하고, 이송속도를 서로 다르게 하여 중첩영역의 중첩폭을 감소시킴으로써 대형모델 또는 MMG 모델에 대응하여 노광 공정수를 감소시킬 수 있는 노광장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명은 1차노광 단계와, 중첩영역 형성단계와, 2차노광 단계 및 중첩영역 완전 노광 단계를 포함하여, 중첩영역 형성단계와 중첩영역 완전 노광 단계에서 제1쉴드유닛과 스테이지의 이송방향을 동일하게 제어하고, 이송속도를 서로 다르게 차등 제어함으로써 중첩영역의 중첩폭을 감소시킬 수 있는 노광방법을 제공한다.
본 발명에 의한 노광장치 및 이를 이용한 노광방법에 따르면,
첫째, 쉴드유닛과 스테이지를 동일 방향으로 이송하는 제1노광영역에서 중첩영역이 발생하는데, 이 중첩영역의 폭을 줄일 수 있기 때문에 노광 공정시간을 줄일 수 있고,
둘째, 중첩영역의 폭을 줄임으로써 중첩영역이 줄어들게 되고, 그만큼 샷(shot) 수를 줄 일 수 있으며,
셋째, 쉴드유닛과 스테이지의 이송속도를 서로 다르게 제어하여 중첩영역의 폭을 조절할 수 있고,
넷째, 정확한 노광공정을 통하여 얼룩 불량과 같은 불량률을 현저히 개선시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 노광장치에 의해 제1노광영역의 노광 상태를 도시하는 참고도이다.
도 3은 도 2에 나타낸 제1노광영역의 노광상태를 도시하는 그래프이다.
도 4는 도 1에 나타낸 노광장치에서 쉴드유닛이 스테이지보다 느린 경우의 노광상태를 도시하는 참고도이다.
도 5는 도 1에 나타낸 노광장치에서 쉴드유닛이 스테이지보다 빠른 경우의 노광상태를 도시하는 참고도이다.
도 6은 도 1에 나타낸 노광장치의 쉴드유닛과 스테이지 사이의 속도비에 따른 중첩폭을 도시하는 그래프이다.
도 7은 도 1에 나타낸 노광장치를 통하여 대형 기판을 연속적으로 노광하는 상태를 도시하는 참고도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 노광방법을 도시하는 플로우차트이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 설명하기로 한다. 첨부된 도면들에서 구성에 표기된 도면번호는 다른 도면에서도 동일한 구성을 표기할 때에 가능한 한 동일한 도면번호를 사용하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지의 기능 또는 공지의 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고 도면에 제시된 어떤 특징들은 설명의 용이함을 위해 확대 또는 축소 또는 단순화된 것이고, 도면 및 그 구성요소들이 반드시 적절한 비율로 도시되어 있지는 않다. 그러나 당업자라면 이러한 상세 사항들을 쉽게 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 노광장치를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 노광장치에 의해 제1노광영역의 노광 상태를 도시하는 참고도이며, 도 3은 도 2에 나타낸 제1노광영역의 노광상태를 도시하는 그래프이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 노광장치(100)는 기판에(10) 노광 빔을 출사하는 광원(20)과, 제1쉴드유닛(110)과, 통공(121)이 형성된 슬릿(120)과, 마스크(30)와 글라스 기판(10)을 구비한 스테이지(130) 및 광원(20)의 빛을 굴절 또는 반사시키는 광학계(40)를 포함한다.
상기 광원(20)은 상기 슬릿(120)에 형성된 통공(121) 방향으로 노광을 위한 빔을 출사하며, 반도체 레이저 또는 자외선 램프 등으로 구성될 수 있다.
상기 광원(20)의 하측에는 제1쉴드유닛(110)이 배치된다. 상기 제1쉴드유닛(110)은 수평방향으로 왕복 운동하도록 LM가이드와 같은 가이드부가 마련되고, 상기 가이드부 상에서 상기 제1쉴드유닛(110)이 상기 슬릿(120)의 상부를 왕복 운동하여 상기 통공(121)을 선택적으로 개폐하게 된다. 이때 상기 가이드부 상에는 제2쉴드유닛(210)이 더 배치되어, 상기 통공(121)의 개폐동작을 선택적으로 수행하게 된다.
상기 제1쉴드유닛(110) 또는 제2쉴드유닛(210)의 하측에는 상기 슬릿(120)이 배치된다. 상기 슬릿(120)에는 상기 광원(20)의 빛이 부분적으로 통과되는 통공(121)이 형성된다.
상기 슬릿(120)의 하측에는 마스크(30)가 배치된다. 상기 마스크(30)는 기판(10)에 형성된 패턴이 형성되어 있고, 기판(10)의 사이즈 또는 패턴의 종류에 따라서 복수개가 마련될 수도 있다.
상기 마스크(30)의 하측에는 기판(10)이 배치된다. 상기 기판(10)은 마스크(30)와 동시 동작하며, 하나의 스테이지(130)에서 구동하도록 배치된다. 상기 기판(10)은 패터닝을 위한 박막(금속층, 절연막, 반도체층 등)과, 포토레지스트가 적층된 기판(10)을 의미한다. 포토레지스트는 노광 공정으로 마스크(30)의 패턴을 전사한 후, 마스크(30)의 패턴에 의해 경화된 포토레지스트와 경화되지 않은 포토레지스트 중 어느 하나를 식각함으로써 패터닝된다. 이때 기판(10)이 마스크(30)보다 큰 경우 그 마스크(30)를 이동하면서 노광 공정을 반복하는 스티치 노광 방법이 사용될 수 있다.
여기서 마스크(30)를 이용한 한 번의 노광 공정 단위를 샷(shot)이라 하고, 하나의 샷에 대응되는 기판(10)의 노광 영역을 샷 영역이라 한다. 예컨대 도 2에 도시된 바와 같이, 제1샷이 이루어지면서 중첩영역이 형성되고, 반대로 제2샷이 이루어지면서 중첩영역이 반복 노광되어 완전 노광이 완성된다.
도 3을 살펴보면, 제1샷과 제2샷 및 중첩영역에 노광되는 정도를 그래프로 표현하고 있다. 따라서 중첩영역은 제1샷의 중간에 또는 시작점에서 제1쉴드유닛(110)이 이송함에 따라 통공(121)을 점차 폐쇄하게 되면서 형성되고, 제2샷의 중간에 또는 시작점에서 제1쉴드유닛(110)이 반대방향으로 이송함에 따라 완전 노광이 이루어진다.
도 4는 도 1에 나타낸 노광장치에서 쉴드유닛이 스테이지보다 느린 경우의 노광상태를 도시하는 참고도이다.
도 4를 참조하면, 스테이지(130)가 제1방향(도면에서 우측방향)으로 이송하는 속도와 제1쉴드유닛(110)이 제1방향으로 이송하는 속도가 서로 다름을 알 수 있다. 이 경우는 상기 제1쉴드유닛(110)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 느린 상태를 나타낸다.
도 4(a)와 같이 스테이지(130)의 이송이 시작되면서 기판(10) 상에 검정색 부분으로 완전 노광영역이 형성되고, 도 4(b)에서는 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 부분적으로 차폐하여 기판(10) 상에 회색 부분으로 표현되고 불완전 노광된 중첩영역이 형성된다. 그리고 도 4(c)와 같이, 상기 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 완전 폐쇄시키면 상기 기판(10)에는 노광이 이루어지지 않아 흰색 부분으로 표현된 비노광 영역이 형성된다.
이때 상기 제1쉴드유닛(110)과 스테이지(130)의 속도가 동일한 경우, 중첩영역이 형성되지 않기 때문에 상기 제1쉴드유닛(110)과 스테이지(130)는 상대적으로 빠르거나 느린 속도로 이송되어야 한다.
도 5는 도 1에 나타낸 노광장치에서 쉴드유닛이 스테이지보다 빠른 경우의 노광상태를 도시하는 참고도이다.
도 5를 참조하면, 상기 스테이지(130)가 제1방향(도면에서 우측방향)으로 이송하는 속도와 제1쉴드유닛(110)이 제1방향으로 이송하는 속도가 서로 다르고, 상기 제1쉴드유닛(110)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 빠른 상태를 나타낸다.
도 5(a)와 같이 스테이지(130)의 이송이 시작되면서 기판(10) 상에 검정색 부분으로 완전 노광영역이 형성되고, 도 5(b)에서는 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 부분적으로 차폐하여 기판(10) 상에 회색 부분으로 표현되고 불완전 노광된 중첩영역이 형성된다. 그리고 도 5(c)와 같이, 상기 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 완전 폐쇄시키면 상기 기판(10)에는 노광이 이루어지지 않아 흰색 부분으로 표현된 비노광 영역이 형성된다.
도 6은 도 1에 나타낸 노광장치의 쉴드유닛과 스테이지(130) 사이의 속도비에 따른 중첩폭을 도시하는 그래프이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1쉴드유닛과 스테이지(130) 사이의 속도비와 중첩폭의 상관관계를 나타낸다. (G1) 그래프는 상기 제1쉴드유닛(110)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 빠른 상태를 도시하고, (G2) 그래프는 상기 제1쉴드유닛(110)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 느린 상태를 도시한다.
그리고 제1쉴드유닛(110)의 이송속도는 상기 스테이지(130) 이송속도의 약 0.3배 보다 빠르고, 스테이지(130) 이송속도 보다 느린 범위로 조절하고, 또한 상기 제1쉴드유닛(110)의 이송속도는 상기 스테이지(130) 이송속도 보다 빠르고, 스테이지(130) 이송속도의 3배 보다 느린 범위로 조절되는 것이 바람직하다.
예컨대 통공(121)의 폭이 100mm이라고 가정하면, 중첩폭을 100mm 이하로 줄이기 위해서, 제1쉴드유닛/스테이지의 속도비가 약 0.5 ~ 2 사이로 설정하는 것이 바람직하다.
도 7은 도 1에 나타낸 노광장치를 통하여 대형 기판을 연속적으로 노광하는 상태를 도시하는 참고도이고, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 노광방법을 도시하는 플로우차트이다. 이하에서 전기한 참조부호와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 7 및 도 8을 참조하여 노광장치를 이용한 노광방법에 대하여 상세하게 설명한다.
대형 기판을 단계적으로 노광할 때, 두 번의 샷을 통해 제1노광영역의 완전 노광이 이루어진다. 따라서 복수의 노광영역을 완전 노광하기 위해서는 복수번의 샷이 진행되는데, 이러한 샷 영역 내에서 각각 중첩영역을 형성하는 과정을 도시하고 있다.
본 발명의 노광장치를 이용한 노광방법은 제1노광 영역을 노광하는 단계(S100)와, 제2노광 영역을 노광하는 단계(S200)로 구성된다. 이후에는 기판의 사이즈에 따라서 반복 노광이 이루어진다.
상기 제1노광 영역을 노광하는 단계(S100)는 제1노광 영역역을 1차 노광하는 단계(S110)와, 제1중첩영역을 형성하는 단계(S111)와, 제1노광 영역을 2차 노광하는 단계(S120)를 포함한다.
상기 제1노광 영역을 1차 노광하는 단계(S110)는 도 7에서 1st shot에 해당한다. 이때 스테이지(130)가 제1방향으로 이송하면서 부분적으로 완전 노광이 이루어진다.
동시에 상기 제1중첩영역을 형성하는 단계(S111)가 이루어지는데, 이때 상기 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 점차 차폐하면서 제1중첩영역이 형성된다. 그러면 1st shot이 완료된다.
상기 제1노광 영역을 2차 노광하는 단계(S120)는 도 7에서 2nd shot에 해당한다. 이때 상기 스테이지(130)가 제2방향으로 이송하면서 제1노광 영역의 나머지 부분을 완전 노광하게 된다.
상기 제1노광 영역을 2차 노광하는 단계(S120)는 제2중첩영역을 형성하는 단계(도 9의 제n+1중첩영역 형성단계, S121)와 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계(S122)를 포함한다.
상기 스테이지(130)가 제1방향과 반대 방향인 제2방향으로 이송되고, 동시에 상기 제1쉴드유닛(110)이 제2방향으로 이송되면, 상기 제1노광 영역을 2차 노광하는 과정에서 제2중첩영역이 형성된다. 이때 상기 제1중첩영역은 제2노광 영역에 해당하며, 제1노광 영역과 제2노광 영역이 일부 겹친 상태에서 공정이 시작된다. 그리고 상기 제1쉴드유닛(110)이 통공(121)을 완전 개방하게 되면 제1노광 영역의 나머지 부분을 완전 노광하게 되고, 상기 제1중첩영역에 기판(10)이 이르렀을 때, 상기 제2쉴드유닛(210)은 다시 통공(121)을 점차 차폐하면서 제1중첩영역이 완전 노광된다.
그러면 상기 제1노광 영역의 완전 노광이 완료되고, 제2노광 영역의 제2중첩영역이 형성된 상태로 남게 된다.
상기 제1노광 영역을 노광하는 단계(S100)가 끝나면 제2노광 영역을 노광하는 단계(S200)가 시작된다.
상기 제2노광 영역을 노광하는 단계(S200)는 제2노광 영역을 1차 노광하는 단계(도 8의 제n+1노광 영역을 1차 노광하는 단계, S210)와, 제2노광 영역을 2차 노광하는 단계(도 8의 제n+1노광 영역을 2차 노광하는 단계, S220)를 포함한다.
상기 제2노광 영역을 1차 노광하는 단계(S210)는 제2중첩영역을 완전 노광하는 단계(도 8의 제n+1중첩영역을 완전 노광하는 단계, S211)와, 제3중첩영역을 형성단계(제n+2중첩영역 형성단계, S212)를 포함한다.
상기 제2노광 영역을 1차 노광하는 단계는 스테이지(130)와 제2쉴드유닛(210)이 제1방향으로 이송하면서 통공(121)이 점차 개방되고, 제2중첩영역을 다시 점차 노광하여 완전 노광이 이루어진다. 그리고 제2노광 영역의 일부에 완전 노광이 이루어지고, 상기 제1쉴드유닛(110)이 제1방향으로 이송하면서 통공(121)을 점차 차폐하여 제3중첩영역을 형성하게 된다.
그리고 상기 제2노광 영역을 2차 노광하는 단계(S220)가 시작된다. 상기 제2노광 영역을 2차 노광하는 단계(S220)는 제4중첩영역 형성단계(S221)와, 제3중첩영역을 완전 노광하는 단계(S222)를 포함한다.
상기 제2노광 영역을 2차 노광하는 단계(S220)가 시작되면, 상기 스테이지(130)와 제1쉴드유닛(110)이 제2방향으로 이송하면서 통공(121)을 점차 개방하여 제4중첩영역이 형성된다. 그리고 제2노광 영역의 일부가 완전 노광되고, 상기 제2쉴드유닛(210)이 다시 제2방향으로 이송하여 통공(121)을 점차 차폐하면서 제3중첩영역을 완전 노광하게 된다.
이로써 제4중첩영역이 형성된 상태로 상기 제2노광 영역의 완전 노광이 완료된다.
이후 공정은 전기한 방법과 동일하게 반복하여 노광공정이 수행되기 때문에 중복 설명은 생략한다.
부가적으로 상기 스테이지(130)와 제1쉴드유닛(110) 및 제2쉴드유닛(210)은 같은 방향으로 이송되되, 경우에 따라서 서로 다른 방향으로 이송될 수도 있다. 또한 상기 제1쉴드유닛(110)과 제2쉴드유닛(210)을 일체로 형성하여 연동하여 작동하도록 구현될 수도 있다.
그리고 상기 스테이지(130)와 제1쉴드유닛(110) 또는 제2쉴드유닛(210) 사이의 속도를 제어하면 다음의 조건에 의해 중첩폭을 조절할 수 있다. 상기 제1쉴드유닛(110) 또는 제2쉴드유닛(210)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 느린 경우, 상기 중첩영역의 중첩폭은 "(통공의 폭*스테이지 속도)/쉴드유닛 속도)-통공의 폭)"의 수식에 의해 결정된다.
또한 상기 제1쉴드유닛(110)의 속도가 스테이지(130)의 속도보다 빠른 경우, 상기 중첩영역의 중첩폭은 "(통공의 폭*스테이지 속도)/쉴드유닛 속도"의 수식에 의해 결정된다.
따라서 중첩영역의 중첩폭을 줄이게 되면 노광 영역에 샷 수를 줄일 수 있어, 전체적으로 노광공정에 소요되는 시간을 감소시킬 수 있고, 또한 노광 공정을 대형모델에 대응하여 적용이 가능한 효과가 있다. 또한 얼룩 불량과 같은 불량률을 감소시킬 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
이상에서 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위해 구체적인 실시 예로 도면을 참고하여 설명하였으나, 본 발명은 상기와 같이 구체적인 실시 예와 동일한 구성 및 작용효과에만 국한되지 않고, 여러 가지 변형된 예가 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한도 내에서 실시될 수 있다. 따라서 그와 같은 변형 예도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주해야 하며, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 후술하는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 결정되어야 할 것이다.
100 : 노광장치
110 : 제1쉴드유닛 111 : 제2쉴드유닛
120 : 슬릿 121 : 통공
130 : 스테이지
10 : 기판 20 : 광원
30 : 마스크 40 : 광학계

Claims (12)

  1. 광원의 빛이 투과되도록 통공이 마련된 슬릿;
    상기 광원과 슬릿 사이에 개재되어 광원의 빛이 상기 통공을 통과하거나 차단되도록 통공을 선택적으로 개폐하는 제1쉴드유닛;
    상기 슬릿의 하측에 배치되고, 상기 통공을 투과한 빛을 패터닝하는 마스크와, 상기 마스크와 동일 방향으로 구동하는 기판을 구비하는 스테이지; 및
    상기 마스크를 통과한 빛을 굴절시켜 기판 상에 설정된 영역의 빛을 조사하는 광학계; 를 포함하고,
    상기 제1쉴드유닛의 이송방향은 상기 스테이지의 이송방향과 동일하며,
    상기 마스크는 상기 슬릿의 상기 통공을 통과한 빛에 의해 상기 기판에 전사되는 패턴을 포함하는 노광장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1쉴드유닛은 상기 스테이지와 서로 다른 이송속도로 이송하는 노광장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1쉴드유닛의 이송속도는 상기 스테이지 이송속도의 0.3배 보다 빠르고, 스테이지 이송속도 보다 느리게 설정되는 노광장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1쉴드유닛의 이송속도는 상기 스테이지 이송속도 보다 빠르고, 스테이지 이송속도의 3배 보다 느리게 설정되는 노광장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항2에 있어서,
    상기 제1쉴드유닛과 설정간격 이격되어 광원의 빛이 상기 통공을 통과하거나 차단되도록 선택적으로 개폐하는 제2쉴드유닛을 더 포함하는 노광장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2쉴드유닛은 상기 제1쉴드유닛과 동시에 또는 개별적으로 개폐동작이 제어되는 노광장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 스테이지의 이송방향과 상기 제1쉴드유닛의 이송방향이 동일방향으로 이동하고, 서로 다른 속도로 이동하는 경우, 기판 상에 노광되는 중첩영역의 폭은 상기 통공의 폭보다 작게 마련되는 노광장치.
  8. 패턴을 포함하는 마스크와 기판으로 구성된 스테이지가 제1방향으로 이송하면서 제1노광 영역의 일 부분에 1차 노광을 하는 단계;
    상기 1차 노광단계 중간에 또는 시작점에 광원을 선택적으로 차폐하는 제1쉴드유닛이 제1방향으로 이송하되, 상기 제1쉴드유닛과 스테이지가 서로 다른 속도로 광원의 빛이 통과하는 통공을 차폐하고, 1차 노광영역에 불완전 노광된 제1중첩영역을 노광하는 단계;
    상기 제1방향과 반대 방향인 제2방향으로 상기 스테이지가 이송하면서 상기 제1노광 영역의 나머지 부분에 2차 노광을 하는 단계 및
    상기 2차 노광 단계 중간에 또는 시작점에 상기 제1쉴드유닛이 제2방향으로 이송하되, 상기 제1쉴드유닛과 스테이지가 통공을 차폐하고, 상기 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계;
    를 포함하는 노광방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계는 상기 제1방향으로 상기 제1쉴드유닛과 스테이지가 이송한 속도비와 동일하게 상기 제2방향으로 이송하는 노광방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1노광 영역을 2차 노광하는 단계는,
    상기 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계에 앞서서 제n+1중첩영역을 노광하는 단계를 포함하는 노광방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 불완전 노광된 제1중첩영역 노광단계 또는 상기 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계에서 상기 제1쉴드유닛의 속도가 스테이지의 속도보다 느린 경우,
    상기 제1중첩영역의 중첩폭(y1)은
    "y1=((통공의 폭*스테이지 속도)/제1쉴드유닛 속도)-통공의폭"의 수식에 의해 결정되는 노광방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 불완전 노광된 제1중첩영역 노광단계 또는 상기 제1중첩영역을 완전 노광하는 단계에서 상기 제1쉴드유닛의 속도가 스테이지의 속도보다 빠른 경우,
    상기 제1중첩영역의 중첩폭(y2)은 "y2=(통공의 폭*스테이지 속도)/제1쉴드유닛 속도"의 수식에 의해 결정되는 노광방법.
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