KR101652887B1 - 기판의 노광방법, 이를 수행하기 위한 기판의 노광장치 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 제1 광을 이용하여 마스크가 포함하는 제1 슬릿들에 의해 노출된 기판 상의 포토레지스트층을 노광하고, 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 마스크가 포함하는 제2 슬릿들에 의해 노출된 상기 포토레지스트층을 노광하는 단계; 및상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판을 노광하는 단계를 포함하는 기판의 노광방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 마스크의 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿을 선택적으로 차단시키기 위해 상기 마스크 상부에 배치된 차단 셔터의 차단 플레이트들을 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼치는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기판의 노광영역에 대응하여 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿이 노출되도록 상기 마스크 상부에 배치된 상기 차단 플레이트들을 포개는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제2항에 있어서, 상기 반투과 셔터는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 상기 반투과 플레이트들을 상기 제1 방향 또는 상기 제1 방향과 반대방향으로 펼치는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크의 마스크 정렬 패턴이 상기 기판의 초기 정렬 패턴에 대응되도록 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 함께 노광 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부로 배치시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광방법.
- 포토레지스트층이 형성된 기판 상에 배치되고, 제1 슬릿들 및 제2 슬릿들을 포함하는 마스크;상기 마스크의 상기 제2 슬릿들 상에 배치되어 제1 광을 반투과시켜 제2 광을 발생하는 반투과 셔터; 및상기 기판과 상기 마스크의 상대적인 위치를 변경시키는 스테이지를 포함하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 기판을 제1 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 마스크 하부에서 상기 기판을 상기 제1 방향으로 이송시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터는 서로 연결된 복수의 반투과 플레이트들을 포함하고, 각 반투과 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터의 투과율은 5% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제8항에 있어서, 상기 반투과 셔터 및 상기 마스크 사이에 배치되어 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단시키는 차단 셔터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제11항에 있어서, 상기 차단 셔터는 서로 연결된 복수의 차단 플레이트들을 포함하고, 각 차단 플레이트는 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들을 포함하는 제1 영역 및 상 기 제2 슬릿들을 포함하는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계에 대응하는 상기 제1 슬릿들 각각 및 상기 제2 슬릿들 각각은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제13항에 있어서, 상기 마스크는 상기 제1 슬릿들과 다른 크기의 제3 슬릿들을 포함하는 제3 영역과, 상기 제2 슬릿들과 다른 크기의 제4 슬릿들을 포함하는 제4 영역을 포함하고, 상기 제3 영역 및 상기 제4 영역의 경계에 대응하는 상기 제3 슬릿들 각각 및 상기 제4 슬릿들 각각은 서로 연결된 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 마스크는 상기 기판의 기판 정렬 패턴에 대응하여 형성된 마스크 정렬 패턴을 포함하여 상기 마스크 및 상기 기판을 상호 정렬시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 제7항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시켜 상기 기판을 상기 마스크 하부에 배치시키고, 상기 기판이 노광되도록 상기 기판 상부에서 상기 마스크 및 상기 반투과 셔터를 상기 기판의 노광 방향으로 이송시키는 것을 특징으로 하는 기판의 노광장치.
- 반사 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판 상에 차광패턴을 형성하는 단계;상기 차광패턴을 포함하는 기판 상에 색 포토레지스트층을 형성하는 단계;제1광을 이용하여 상기 투과영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광하고 상기 제1 광이 반투과 셔터에 의해 반투과된 제2 광을 이용하여 상기 반사영역의 상기 색 포토레지스트층을 노광함으로써, 상기 색 포토레지스트층을 상기 반사 영역 및 상기 투과 영역에 서로 다른 두께를 가지는 색화소층으로 패터닝하는 단계; 및상기 색화소층을 포함하는 상기 기판에 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시기판의 제조방법.
- 제17항에 있어서, 상기 기판과 마스크의 상대적인 위치를 변경시키며 상기 기판을 노광하는 단계를 더 포함하는 표시기판의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 기판을 노광 하는 단계는,상기 마스크의 마스크 정렬 패턴을 상기 기판의 상기 차광패턴에 맞추면서 상기 기판을 이송시키는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 기판의 비노광영역에 대응하여 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 선택적으로 차단하기 위해 차단 셔터를 부분적으로 개폐하는 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (13)
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---|---|---|---|---|
JP3309927B2 (ja) | 1993-03-03 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6396567B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Method and apparatus for controlling the dose of radiations applied to a semiconductor wafer during photolithography |
KR20010047286A (ko) | 1999-11-19 | 2001-06-15 | 박종섭 | 미세패턴 형성용 노광방법 |
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GB2422679A (en) | 2005-01-28 | 2006-08-02 | Exitech Ltd | Exposure method and tool |
KR20070013735A (ko) * | 2005-07-27 | 2007-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 마스크 및 그 형성 방법 |
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US8023955B2 (en) * | 2005-08-22 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Uplink resource allocation to control intercell interference in a wireless communication system |
JP4673778B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-04-20 | 株式会社日立製作所 | 無線通信方法 |
JP4896671B2 (ja) | 2006-11-06 | 2012-03-14 | 三菱電機株式会社 | ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 |
JP5025250B2 (ja) | 2006-12-15 | 2012-09-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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