[go: up one dir, main page]

KR102414653B1 - 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR102414653B1
KR102414653B1 KR1020170127755A KR20170127755A KR102414653B1 KR 102414653 B1 KR102414653 B1 KR 102414653B1 KR 1020170127755 A KR1020170127755 A KR 1020170127755A KR 20170127755 A KR20170127755 A KR 20170127755A KR 102414653 B1 KR102414653 B1 KR 102414653B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
layer
light emitting
substituted
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020170127755A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190037925A (ko
Inventor
이기백
박성종
김지영
정원장
최진석
최대혁
이주동
Original Assignee
엘티소재주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020170127755A priority Critical patent/KR102414653B1/ko
Application filed by 엘티소재주식회사 filed Critical 엘티소재주식회사
Priority to US16/650,732 priority patent/US11434228B2/en
Priority to PCT/KR2018/011624 priority patent/WO2019066607A1/ko
Priority to CN201880063233.2A priority patent/CN111164082B/zh
Priority to JP2020517861A priority patent/JP7260187B2/ja
Priority to TW107134680A priority patent/TWI775957B/zh
Priority to EP18861210.5A priority patent/EP3689869A4/en
Publication of KR20190037925A publication Critical patent/KR20190037925A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102414653B1 publication Critical patent/KR102414653B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H01L51/0071—
    • H01L51/0072—
    • H01L51/504—
    • H01L51/5072—
    • H01L51/5096—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)

Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

Description

헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING THE SAME}
본 명세서는 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자는 자체 발광형 표시 소자의 일종으로서, 시야각이 넓고, 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기 박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 정공이 유기 박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기 박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.
유기 박막의 재료는 필요에 따라 발광 기능을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 박막 재료로는 그 자체가 단독으로 발광층을 구성할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있고, 또는 호스트-도펀트계 발광층의 호스트 또는 도펀트 역할을 할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다. 그 외에도, 유기 박막의 재료로서, 정공 주입, 정공 수송, 전자 차단, 정공 차단, 전자 수송, 전자 주입 등의 역할을 수행할 수 있는 화합물이 사용될 수도 있다.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기 박막의 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.
미국 특허 제4,356,429호
본 발명은 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112017096207792-pat00001
상기 화학식 1에 있어서,
R1은 수소; C1 내지 C60의 알킬기; C6 내지 C60의 아릴기; C2 내지 C60의 헤테로아릴기; P(=O)RR'; 또는 SiRR'R"이며,
Ar은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군에서 선택되고,
R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성하며,
상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
p 및 q는 0 내지 5의 정수이다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기발광소자의 유기물층 재료로서 사용할 수 있다. 상기 화합물은 유기발광소자에서 정공주입재료, 정공수송재료, 발광재료, 전자수송재료, 전자주입재료 등의 역할을 할 수 있다. 특히, 상기 화합물이 유기 발광 소자의 전자수송층 재료 또는 정공저지층 재료로서 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 유기물층에 사용하는 경우 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 각각 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 적층구조를 개략적으로 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대해서 자세히 설명한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로겐은 불소, 염소, 브롬 또는 요오드일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 60, 구체적으로 1 내지 40, 더욱 구체적으로, 1 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥실메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다. 구체적인 예로는 비닐기, 1-프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 알릴기, 1-페닐비닐-1-일기, 2-페닐비닐-1-일기, 2,2-디페닐비닐-1-일기, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일기, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일기, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알키닐기는 탄소수 2 내지 60의 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 상기 알키닐기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로, 2 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 시클로알킬기는 탄소수 3 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 60, 구체적으로 3 내지 40, 더욱 구체적으로 5 내지 20일 수 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로시클로알킬기는 헤테로 원자로서 O, S, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 헤테로시클로알킬기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로시클로알킬기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로시클로알킬기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 20일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 아릴기는 탄소수 6 내지 60의 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 다환이란 아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로아릴기 등일 수도 있다. 상기 아릴기는 스피로기를 포함한다. 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 60, 구체적으로 6 내지 40, 더욱 구체적으로 6 내지 25일 수 있다. 상기 아릴기의 구체적인 예로는 페닐기, 비페닐기, 트리페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 페릴레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 페날레닐기, 파이레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 인데닐기, 아세나프틸레닐기, 벤조플루오레닐기, 스피로비플루오레닐기, 2,3-디히드로-1H-인데닐기, 이들의 축합고리기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR104R105R106로 표시되고, R104 내지 R106은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure 112017096207792-pat00002
,
Figure 112017096207792-pat00003
,
Figure 112017096207792-pat00004
,
Figure 112017096207792-pat00005
,
Figure 112017096207792-pat00006
,
Figure 112017096207792-pat00007
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 헤테로아릴기는 헤테로 원자로서 S, O, Se, N 또는 Si를 포함하고, 탄소수 2 내지 60인 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있다. 여기서, 상기 다환이란 헤테로아릴기가 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미한다. 여기서, 다른 고리기란 헤테로아릴기일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기 등일 수도 있다. 상기 헤테로아릴기의 탄소수는 2 내지 60, 구체적으로 2 내지 40, 더욱 구체적으로 3 내지 25일 수 있다. 상기 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 피리딜기, 피롤릴기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 푸라닐기, 티오펜기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이속사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 푸라자닐기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 파이라닐기, 티오파이라닐기, 디아지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴기, 퀴나졸리닐기, 이소퀴나졸리닐기, 퀴노졸리릴기, 나프티리딜기, 아크리디닐기, 페난트리디닐기, 이미다조피리디닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인덴기, 인돌릴기, 인돌리지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오펜기, 벤조푸란기, 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 페나지닐기, 디벤조실롤기, 스피로비(디벤조실롤), 디히드로페나지닐기, 페녹사지닐기, 페난트리딜기, 이미다조피리디닐기, 티에닐기, 인돌로[2,3-a]카바졸릴기, 인돌로[2,3-b]카바졸릴기, 인돌리닐기, 10,11-디히드로-디벤조[b,f]아제핀기, 9,10-디히드로아크리디닐기, 페난트라지닐기, 페노티아티아지닐기, 프탈라지닐기, 나프틸리디닐기, 페난트롤리닐기, 벤조[c][1,2,5]티아디아졸릴기, 5,10-디히드로디벤조[b,e][1,4]아자실리닐, 피라졸로[1,5-c]퀴나졸리닐기, 피리도[1,2-b]인다졸릴기, 피리도[1,2-a]이미다조[1,2-e]인돌리닐기, 5,11-디히드로인데노[1,2-b]카바졸릴기 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 아민기는 모노알킬아민기; 모노아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기; -NH2; 디알킬아민기; 디아릴아민기; 디헤테로아릴아민기; 알킬아릴아민기; 알킬헤테로아릴아민기; 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 상기 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 디비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, 비페닐나프틸아민기, 페닐비페닐아민기, 비페닐플루오레닐아민기, 페닐트리페닐레닐아민기, 비페닐트리페닐레닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 또한, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것, 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 “인접한”기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에 있어서, "치환 또는 비치환"이란 C1 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐; C2 내지 C60의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐; C3 내지 C60의 단환 또는 다환의 시클로알킬; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로시클로알킬; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴; C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; C1 내지 C20의 알킬아민; C6 내지 C60의 단환 또는 다환의 아릴아민; 및 C2 내지 C60의 단환 또는 다환의 헤테로아릴아민으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중에서 선택된 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환 또는 비치환된 것을 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 p가 2 이상인 경우, 2 이상의 Ra는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 상기 q가 2 이상인 경우, 2 이상의 Rb는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 수소; C1 내지 C60의 알킬기; C6 내지 C60의 아릴기; C2 내지 C60의 헤테로아릴기; P(=O)RR'; 또는 SiRR'R"일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 수소; C1 내지 C40의 알킬기; C6 내지 C40의 아릴기; C2 내지 C40의 헤테로아릴기; P(=O)RR'; 또는 SiRR'R"일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 수소; 또는 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R1은 수소; 페닐기; 비페닐기; 나프틸기; 페난트레닐기; 또는 트리페닐레닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 알키닐기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 헤테로시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 서로 인접하는 2 이상의 기는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 또는 방향족 탄화수소 고리를 형성할 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; C6 내지 C60의 아릴기; 또는 C2 내지 C60의 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 수소일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar은 중수소; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; -P(=O)RR'; 및 치환 또는 비치환된 알킬기, 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아민기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1의 Ar은 -(L)m-(Z)n으로 나타낼 수 있으며,
상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이고,
상기 Z는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; 또는 -P(=O)RR'이며,
m은 0 내지 4의 정수이고,
n은 1 내지 5의 정수이다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 m이 2 이상인 경우, 2 이상의 L는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 상기 n이 2 이상인 경우, 2 이상의 Z는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; C6 내지 C40의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 N 함유 헤테로아릴렌기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 페닐렌기; 비페닐렌기; 안트라세닐렌기; 2가의 페난트롤린기; 2가의 트리아진기; 2가의 피리미딘기; 2가의 피리딘기; 또는 2가의 퀴나졸린기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 할로겐기; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; -SiRR'R"; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C60의 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; C6 내지 C40의 아릴기 및 C2 내지 C40의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴기 및 C2 내지 C40의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴기 및 C2 내지 C40의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기 및 디벤조티오펜기로 이루어진 군에서 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 비페닐기; 페난트렌기; 스피로비플루오렌기; 트리페닐렌기; 페닐기, 크산텐기, 또는 아크리딘기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 안트라세닐기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 페닐기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페닐기, 터페닐기, 비페닐기, 스피로비플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기 및 카바졸기로 이루어진 군에서 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기; 페닐기, 터페닐기, 비페닐기, 스피로비플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란기 및 카바졸기로 이루어진 군에서 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 트리아진기; 페닐기, 비페닐기 또는 터페닐기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 페난트롤린기; 카바졸기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸기; 또는 벤조티아졸기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 Z는 P(=O)RR'일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; -CN; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C60의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C40의 아릴기일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 R, R' 및 R"는 페닐기일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물을 제공한다.
Figure 112017096207792-pat00008
Figure 112017096207792-pat00009
Figure 112017096207792-pat00010
Figure 112017096207792-pat00011
Figure 112017096207792-pat00012
Figure 112017096207792-pat00013
Figure 112017096207792-pat00014
Figure 112017096207792-pat00015
Figure 112017096207792-pat00016
Figure 112017096207792-pat00017
Figure 112017096207792-pat00018
Figure 112017096207792-pat00019
Figure 112017096207792-pat00020
Figure 112017096207792-pat00021
Figure 112017096207792-pat00022
Figure 112017096207792-pat00023
Figure 112017096207792-pat00024
Figure 112017096207792-pat00025
Figure 112017096207792-pat00026
Figure 112017096207792-pat00027
Figure 112017096207792-pat00028
Figure 112017096207792-pat00029
Figure 112017096207792-pat00030
Figure 112017096207792-pat00031
Figure 112017096207792-pat00032
Figure 112017096207792-pat00033
본 출원의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조예를 통하여 합성될 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 도입된 치환기의 고유 특성을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 예컨대, 유기 발광 소자 제조시 사용되는 정공 주입층 물질, 정공 수송용 물질, 발광층 물질, 전자 수송층 물질 및 전하 생성층 물질에 주로 사용되는 치환기를 상기 코어 구조에 도입함으로써 각 유기물층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 물질을 합성할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써 에너지 밴드갭을 미세하게 조절이 가능하게 하며, 한편으로 유기물 사이에서의 계면에서의 특성을 향상되게 하며 물질의 용도를 다양하게 할 수 있다.
한편, 상기 화합물은 유리 전이 온도(Tg)가 높아 열적 안정성이 우수하다. 이러한 열적 안정성의 증가는 소자에 구동 안정성을 제공하는 중요한 요인이 된다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 다단계 화학반응으로 제조할 수 있다. 일부 중간체 화합물이 먼저 제조되고, 그 중간체 화합물들로부터 화학식 1의 화합물이 제조될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다.
본 출원의 다른 실시상태는, 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극일 수 있고, 상기 제2 전극은 음극일 수 있다.
또 다른 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극일 수 있고, 상기 제2 전극은 양극일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 청색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 청색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 녹색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 녹색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 적색 유기 발광 소자일 수 있으며, 상기 화학식 1에 따른 헤테로고리 화합물은 상기 적색 유기 발광 소자의 재료로 사용될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 헤테로고리 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
상기 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다.
또 다른 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자수송층, 발광층 또는 정공저지층은 상기 헤테로 고리 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입층, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함할 수 있다.
도 1 내지 3에 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 전극과 유기물층의 적층 순서를 예시하였다. 그러나, 이들 도면에 의하여 본 출원의 범위가 한정될 것을 의도한 것은 아니며, 당 기술분야에 알려져 있는 유기 발광 소자의 구조가 본 출원에도 적용될 수 있다.
도 1에 따르면, 기판(100) 상에 양극(200), 유기물층(300) 및 음극(400)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 도시된다. 그러나, 이와 같은 구조에만 한정되는 것은 아니고, 도 2와 같이, 기판 상에 음극, 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자가 구현될 수도 있다.
도 3은 유기물층이 다층인 경우를 예시한 것이다. 도 3에 따른 유기 발광 소자는 정공 주입층(301), 정공 수송층(302), 발광층(303), 정공 저지층(304), 전자 수송층(305) 및 전자 주입층(306)을 포함한다. 그러나, 이와 같은 적층 구조에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 발광층을 제외한 나머지 층은 생략될 수도 있고, 필요한 다른 기능층이 더 추가될 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 구비된 2 이상의 스택을 포함하고, 상기 2 이상의 스택은 각각 독립적으로 발광층을 포함하며, 상기 2 이상의 스택 간의 사이에는 전하 생성층을 포함하고, 상기 전하 생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 구비되고 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 상기 제1 스택 상에 구비되는 전하 생성층, 상기 전하 생성층 상에 구비되고 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 및 상기 제2 스택 상에 구비되는 제2 전극을 포함한다. 이 때, 상기 전하 생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 스택 및 제2 스택은 각각 독립적으로 전술한 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 1종 이상 추가로 포함할 수 있다.
상기 전하 생성층은 N-타입 전하 생성층일 수 있고, 상기 전하 생성층은 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 이외에 당 기술분야에 알려진 도펀트를 추가로 포함할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자로서, 2-스텍 텐덤 구조의 유기 발광 소자를 하기 도 4에 개략적으로 나타내었다.
이 때, 상기 도 4에 기재된 제 1 전자저지층, 제 1 정공저지층 및 제 2 정공저지층 등은 경우에 따라 생략될 수 있다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상에 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1을 포함하는 유기물층은, 필요에 따라 다른 물질을 추가로 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물은 유기 발광 소자에서 전하 생성층의 재료로서 사용될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물 이외의 재료를 하기에 예시하지만, 이들은 예시를 위한 것일 뿐 본 출원의 범위를 한정하기 위한 것은 아니며, 당 기술분야에 공지된 재료들로 대체될 수 있다.
양극 재료로는 비교적 일함수가 큰 재료들을 이용할 수 있으며, 투명 전도성 산화물, 금속 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 양극 재료의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 재료로는 비교적 일함수가 낮은 재료들을 이용할 수 있으며, 금속, 금속 산화물 또는 전도성 고분자 등을 사용할 수 있다. 상기 음극 재료의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
정공 주입 재료로는 공지된 정공 주입 재료를 이용할 수도 있는데, 예를 들면, 미국 특허 제4,356,429호에 개시된 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물 또는 문헌 [Advanced Material, 6, p.677 (1994)]에 기재되어 있는 스타버스트형 아민 유도체류, 예컨대 트리스(4-카바조일-9-일페닐)아민(TCTA), 4,4',4"-트리[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 1,3,5-트리스[4-(3-메틸페닐페닐아미노)페닐]벤젠(m-MTDAPB), 용해성이 있는 전도성 고분자인 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid) 또는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), 폴리아닐린/캠퍼술폰산(Polyaniline/Camphor sulfonic acid) 또는 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)(Polyaniline/Poly(4-styrene-sulfonate))등을 사용할 수 있다.
정공 수송 재료로는 피라졸린 유도체, 아릴아민계 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐디아민 유도체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 또는 고분자 재료가 사용될 수도 있다.
전자 수송 재료로는 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 벤조퀴논 및 이의 유도체, 나프토퀴논 및 이의 유도체, 안트라퀴논 및 이의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 및 이의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 및 이의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 8-히드록시퀴놀린 및 이의 유도체의 금속 착체 등이 사용될 수 있으며, 저분자 물질 뿐만 아니라 고분자 물질이 사용될 수도 있다.
전자 주입 재료로는 예를 들어, LiF가 당업계 대표적으로 사용되나, 본 출원이 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 재료로는 적색, 녹색 또는 청색 발광재료가 사용될 수 있으며, 필요한 경우, 2 이상의 발광 재료를 혼합하여 사용할 수 있다. 이 때, 2 이상의 발광 재료를 개별적인 공급원으로 증착하여 사용하거나, 예비혼합하여 하나의 공급원으로 증착하여 사용할 수 있다. 또한, 발광 재료로서 형광 재료를 사용할 수도 있으나, 인광 재료로서 사용할 수도 있다. 발광 재료로는 단독으로서 양극과 음극으로부터 각각 주입된 정공과 전자를 결합하여 발광시키는 재료가 사용될 수도 있으나, 호스트 재료와 도펀트 재료가 함께 발광에 관여하는 재료들이 사용될 수도 있다.
발광 재료의 호스트를 혼합하여 사용하는 경우에는, 동일 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있고, 다른 계열의 호스트를 혼합하여 사용할 수도 있다. 예를 들어, n 타입 호스트 재료 또는 p 타입 호스트 재료 중 어느 두 종류 이상의 재료를 선택하여 발광층의 호스트 재료로 사용할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 헤테로고리 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명하지만, 이들은 본 출원을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 출원 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
< 제조예 >
< 제조예 1> 화합물 3의 제조
Figure 112017096207792-pat00034
(1) 화합물 3-1의 제조
2-브로모벤즈알데하이드(2-bromobenzaldehyde) (150g, 0.81mol, 1eq), 에티닐벤젠(ethynylbenzene) (99g, 0.97 mol, 1.2eq), Pd(PPh3)2Cl2 (11.8g, 0.016 mol, 0.02 eq), CuI (1.54g, 0.008 mol, 0.01eq)에 트리에틸아민(Triethylamine) (1500ml)를 넣고 60℃에서 4h 교반하였다. 물 넣어 반응을 종결시킨 후 MC와 물을 이용하여 추출하였다. 그 후 무수 Na2CO3로 수분을 제거하였다. 실리카겔(Silicagel) 컬럼으로 분리하여 화합물 3-1 150g을 90%의 수율로 얻었다.
(2) 화합물 3-2의 제조
화합물 3-1 (155g, 0.75 mol, 1eq), TsNHNH2 (168g, 0.90 mol, 1.2eq)를 EtOH (3100ml)에 넣고 상온(R.T)에서 1h 교반하였다. 생성된 고체를 필터 건조 후 화합물 3-2 150g을 53%의 수율로 얻었다.
(3) 화합물 3-3의 제조
화합물 3-2 (30g, 0.08 mol, 1eq), AgOTf (3g, 0.012 mol, 0.15eq)를 EtOH (450ml)에 넣고 70℃에서 2h 교반하였다. 2-페닐아세트알데하이드(2-phenylacetaldehyde) (11.55g, 0.09 mol, 1.2eq), K3PO4 (68g, 0.32mol)를 넣고 70 ℃에서 6h 교반하였다. 물 넣어 반응을 종결시킨 후 MC와 물을 이용하여 추출하였다. 그 후 무수 Na2CO3로 수분을 제거하였다. 실리카겔(Silicagel) 컬럼으로 분리하여 화합물 3-3 19g을 74%의 수율로 얻었다.
(4) 화합물 3-4의 제조
화합물 3-3 (19g, 0.059 mol, 1eq)과 NBS (11g, 0.062 mol, 1.05eq)을 DMF (190ml)에 넣고 R.T에 24h 교반 하였다. 물 넣어 반응을 종결시킨 후 MC와 물을 이용하여 추출하였다. 그 후 무수 Na2CO3로 수분을 제거하였다. 실리카겔(Silicagel) 컬럼으로 분리하여 화합물 3-4 16g을 67%의 수율로 얻었다.
(5) 화합물 3의 제조
화합물 3-4 (8g, 0.020 mol, 1eq), 2-(4-(4,4,5,6-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)-1,10-페난트롤린(2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1,10-phenanthroline) (8g, 0.021 mol, 1.05eq), K3PO4 (8.5g, 0.040 mol, 2eq), Pd(PPh3)4 (1.1g, 0.001 mol, 0.05eq)을, 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane) (160ml), H2O (40ml)에 넣고 70℃에서 6h 교반하였다. 생성된 고체를 필터 건조 후 화합물 3 8g을 70%의 수율로 얻었다.
상기 제조예 1에서 2-(4-(4,4,5,6-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)-1,10-페난트롤린(2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1,10-phenanthroline) 대신 하기 표 1의 중간체 A를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 1과 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물 A를 합성하였다.
Figure 112017096207792-pat00035
Figure 112017096207792-pat00036
Figure 112017096207792-pat00037
Figure 112017096207792-pat00038
Figure 112017096207792-pat00039
Figure 112017096207792-pat00040
< 제조예 2> 화합물115의 제조
Figure 112017096207792-pat00041
(1) 화합물 115-1의 제조
상기 제조예 1의 화합물 3-2 (30g, 0.08 mol, 1eq), AgOTf (3g, 0.012 mol, 0.15eq)를 EtOH (450ml)에 넣고 70℃에서 2h 교반하였다. 1,2-다이페닐에타논(1,2-diphenylethanone) (18.8g, 0.09 mol, 1.2eq), K3PO4 (68g, 0.32mol)를 넣고 70℃에서 6h 교반하였다. 물 넣어 반응을 종결시킨 후 MC와 물을 이용하여 추출하였다. 그 후 무수 Na2CO3로 수분을 제거하였다. 실리카겔(Silicagel) 컬럼으로 분리하여 화합물 115-1 18g을 56%의 수율로 얻었다.
(2) 화합물 115-2의 제조
화합물 115-1 (18g, 0.045 mol, 1eq)과 NBS (8.5g, 0.047 mol, 1.05eq)을 DMF (180ml)에 넣고 R.T에 24h 교반 하였다. 물 넣어 반응을 종결시킨 후 MC와 물을 이용하여 추출하였다. 그 후 무수 Na2CO3로 수분을 제거하였다. 실리카겔(Silicagel) 컬럼으로 분리하여 화합물 115-2 18g을 83%의 수율로 얻었다.
(3) 화합물 115의 제조
화합물 115-2 (8g, 0.016 mol, 1eq), 2-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)-1,10-페난트롤린(2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1,10-phenanthroline) (6.7g, 0.017 mol, 1.05eq), K3PO4 (7.1g, 0.033 mol, 2eq), Pd(PPh3)4 (1.0g, 0.0008 mol, 0.05eq)을, 1,4-다이옥세인(1,4-dioxane) (160ml), H2O (40ml)에 넣고 70℃에서 6h 교반하였다. 생성된 고체를 필터 건조 후 화합물 115 7g을 64%의 수율로 얻었다.
상기 제조예 2에서 2-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)-1,10-페난트롤린(2-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1,10-phenanthroline) 대신 하기 표 2의 중간체 B를 사용한 것을 제외하고 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 제조하여 목적화합물 B를 합성하였다.
Figure 112017096207792-pat00042
Figure 112017096207792-pat00043
Figure 112017096207792-pat00044
Figure 112017096207792-pat00045
상기 제조예와 같은 방법으로 화합물을 제조하고, 그 합성확인결과를 표 3 및 표 4에 나타내었다. 표 3는 1H NMR(CDCl3, 200Mz)의 측정값이고, 표 4는 FD-질량분석계(FD-MS: Field desorption mass spectrometry)의 측정값이다.
Figure 112017096207792-pat00046
Figure 112017096207792-pat00047
Figure 112017096207792-pat00048
Figure 112017096207792-pat00049
Figure 112017096207792-pat00050
Figure 112017096207792-pat00051
Figure 112017096207792-pat00052
Figure 112017096207792-pat00053
Figure 112017096207792-pat00054
Figure 112017096207792-pat00055
Figure 112017096207792-pat00056
Figure 112017096207792-pat00057
[ 실험예 ]
< 실험예 1>
(1) 유기 발광 소자의 제작
OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명전극 ITO 박막을 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 각 5분간 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 셀에 하기 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민 (4,4',4"-tris(N,N-(2-naphthyl)-phenylamino)triphenyl amine: 2-TNATA)을 넣었다.
Figure 112017096207792-pat00058
이어서 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 2-TNATA를 증발시켜 ITO 기판 상에 600Å 두께의 정공 주입층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 하기 N,N'-비스(α-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(N,N'-bis(α-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamine: NPB)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공 주입층 위에 300Å 두께의 정공 수송층을 증착하였다.
Figure 112017096207792-pat00059
이와 같이 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층으로서 다음과 같은 구조의 청색 발광 재료를 증착시켰다. 구체적으로, 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 청색 발광 호스트 재료인 H1을 200Å 두께로 진공 증착시키고 그 위에 청색 발광 도판트 재료인 D1을 호스트 재료 대비 5% 진공 증착시켰다.
Figure 112017096207792-pat00060
Figure 112017096207792-pat00061
이어서 전자 수송층으로서 하기 구조식 E1의 화합물을 300Å 두께로 증착하였다.
Figure 112017096207792-pat00062
전자 주입층으로 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하였고 Al 음극을 1,000Å의 두께로 하여 OLED 소자를 제작하였다. 한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8 torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
상기 실험예 1 에서 전자 수송층 형성시 사용된 화합물 E1 대신 하기 표 5에 표시되어있는 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 실험예 1과 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 본 발명에 따라 제조된 청색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 5와 같았다.
(2) 유기 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율
상기와 같이 제조된 유기 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 700 cd/m2 일 때, T95을 측정하였다. 본 발명에 따라 제조된 백색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 외부양자효율, 색좌표(CIE)를 측정한 결과는 하기 표 5와 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
실시예 1 E1 5.70 6.00 (0.134, 0.102) 20
실시예 2 3 5.32 6.22 (0.134, 0.102) 32
실시예 3 5 5.36 6.30 (0.134, 0.100) 34
실시예 4 9 4.72 6.98 (0.134, 0.100) 51
실시예 5 13 4.80 6.89 (0.134, 0.102) 58
실시예 6 17 4.76 6.95 (0.134, 0.102) 50
실시예 7 37 4.68 6.93 (0.134, 0.100) 50
실시예 8 41 4.88 6.84 (0.134, 0.102) 57
실시예 9 45 4.77 6.90 (0.134, 0.102) 51
실시예 10 96 4.98 6.05 (0.134, 0.101) 34
실시예 11 110 5.11 6.12 (0.134, 0.102) 48
실시예 12 112 4.96 6.10 (0.134, 0.100) 36
실시예 13 115 5.30 6.20 (0.134, 0.101) 40
실시예 14 117 5.22 6.03 (0.134, 0.101) 43
실시예 15 121 4.82 6.84 (0.134, 0.101) 52
실시예 16 125 4.84 6.97 (0.134, 0.102) 51
실시예 17 129 4.90 6.81 (0.134, 0.101) 56
실시예 18 149 4.88 6.82 (0.134, 0.102) 57
실시예 19 153 4.74 6.75 (0.134, 0.101) 51
실시예 20 157 4.81 6.82 (0.134, 0.102) 53
실시예 21 208 5.26 6.44 (0.134, 0.102) 32
실시예 22 222 5.21 6.38 (0.134, 0.101) 41
실시예 23 224 5.16 6.20 (0.134, 0.101) 38
실시예 24 227 5.15 6.42 (0.134, 0.102) 39
실시예 25 233 5.31 6,30 (0.134, 0.103) 37
실시예 26 239 5.33 6.22 (0.134, 0.102) 40
실시예 27 245 5.32 5.95 (0.134, 0.101) 41
실시예 28 273 4.82 6.35 (0.134, 0.100) 50
실시예 29 274 4.84 6.60 (0.134, 0.100) 49
실시예 30 285 4.94 6.68 (0.134, 0.101) 52
실시예 31 286 4.96 6.70 (0.134, 0.101) 47
실시예 32 293 4.91 6.69 (0.134, 0.102) 51
실시예 33 294 4.90 6.71 (0.134, 0.102) 50
비교예 3-1 E2 5.57 6.12 (0.134, 0.100) 28
비교예 3-2 E3 5.56 6.02 (0.134, 0.101) 29
비교예 3-3 E4 5.60 6.09 (0.134, 0.101) 21
Figure 112017096207792-pat00063
상기 표 5의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 청색 유기 발광 소자의 전자 수송층 재료를 이용한 유기 발광 소자는 비교예 1, 3-1, 3-2 및 3-3에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율 및 수명이 현저히 개선되었다. 특히 화합물 9, 13, 17, 37, 41, 45, 121, 125, 129, 149, 153 및 157은 구동, 효율, 수명 모든 면에서 우수함을 확인하였다. 이러한 결과의 원인은 적절한 길이와 강도 및 평단한 특성을 가진 발명된 화합물이 전자 수송층으로 사용되었을 때, 특정 조건하에 전자를 받아 여기된 상태의 화합물을 만들고 특히, 화합물의 헤테로골격 부위의 여기된 상태가 형성되면, 여기된 헤테로골격 부위가 다른 반응하기 전에 여기된 에너지가 안정한 상태로 이동될 것이며 비교적 안정해진 화합물은 화합물의 분해 혹은 파괴는 일어나지 않고 전자를 효율적으로 전달할 수 있기 때문이라고 판단된다.
참고로 여기되었을 때 안정한 상태를 가지는 것들은 아릴 혹은 아센류 화합물들 혹은 다원환 헤테로 화합물들이라고 생각한다. 따라서. 본 발명의 화합물이 향상된 전자-수송 특성 혹은 개선된 안정성을 향상시켜 구동, 효율, 수명 모든 면에서 우수함을 가져다 주었다고 판단된다.
< 실험예 2>
(1) 유기 발광 소자의 제작
OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명전극 ITO 박막을 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올, 증류수를 순차적으로 사용하여 각 5분간 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 폴더에 ITO 기판을 설치하고, 진공 증착 장비 내의 셀에 하기 4,4',4"-트리스(N,N-(2-나프틸)-페닐아미노)트리페닐 아민 (4,4',4"-tris(N,N-(2-naphthyl)-phenylamino)triphenyl amine: 2-TNATA)을 넣었다.
Figure 112017096207792-pat00064
이어서 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 2-TNATA를 증발시켜 ITO 기판 상에 600Å 두께의 정공 주입층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 하기 N,N'-비스(α-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아민(N,N'-bis(α-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamine: NPB)을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공 주입층 위에 300Å 두께의 정공 수송층을 증착하였다.
Figure 112017096207792-pat00065
이와 같이 정공 주입층 및 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층으로서 다음과 같은 구조의 청색 발광 재료를 증착시켰다. 구체적으로, 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 청색 발광 호스트 재료인 H1을 200Å 두께로 진공 증착시키고 그 위에 청색 발광 도판트 재료인 D1을 호스트 재료 대비 5% 진공 증착시켰다.
Figure 112017096207792-pat00066
Figure 112017096207792-pat00067
이어서 전자 수송층으로서 하기 구조식 E1의 화합물을 300Å 두께로 증착하였다.
Figure 112017096207792-pat00068
전자 주입층으로 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하였고 Al 음극을 1,000Å의 두께로 하여 OLED 소자를 제작하였다. 한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6~10-8 torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
실험예 2에서 전자수송층 E1의 두께를 250 Å 형성한 다음 상기 전자수송층 상부에 하기 표 6에 표시되어있는 화합물의 두께를 50Å 으로 정공저지층을 형성한 것을 제외하고는, 실험예 2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제작하였다. 본 발명에 따라 제조된 청색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 색좌표(CIE), 수명을 측정한 결과는 하기 표 6과 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
실시예 34 3 5.67 5.94 (0.134, 0.100) 31
실시예 35 5 5.65 5.97 (0.134, 0.101) 32
실시예 36 9 4.54 6.81 (0.134, 0.100) 54
실시예 37 13 4.53 6.88 (0.134, 0.101) 64
실시예 38 17 4.58 6.91 (0.134, 0.101) 57
실시예 39 37 4.51 6.95 (0.134, 0.102) 66
실시예 40 41 4.47 6.81 (0.134, 0.102) 51
실시예 41 45 4.53 6.83 (0.134, 0.102) 57
실시예 42 96 5.45 6.05 (0.134, 0.101) 40
실시예 43 110 5.42 6.03 (0.134, 0.101) 41
실시예 44 112 5.43 5.94 (0.134, 0.101) 42
실시예 45 115 5.37 6.08 (0.134, 0.102) 41
실시예 46 117 5.42 6.05 (0.134, 0.102) 45
실시예 47 121 4.54 6.46 (0.134, 0.100) 59
실시예 48 125 4.64 6.62 (0.134, 0.101) 55
실시예 49 129 4.62 6.53 (0.134, 0.101) 62
실시예 50 149 4.63 6.49 (0.134, 0.101) 58
실시예 51 153 4.73 6.47 (0.134, 0.101) 56
실시예 52 157 4.51 6.69 (0.134, 0.100) 61
실시예 53 208 5.33 5.86 (0.134, 0.101) 42
실시예 54 222 5.31 5.89 (0.134, 0.101) 44
실시예 55 224 5.43 5.85 (0.134, 0.102) 44
실시예 56 227 5.43 5.75 (0.134, 0.100) 41
실시예 57 233 5.31 5.95 (0.134, 0.102) 43
실시예 58 239 5.54 5.82 (0.134, 0.101) 45
실시예 59 245 5.51 5.93 (0.134, 0.101) 45
실시예 60 273 5.01 6.31 (0.134, 0.101) 56
실시예 61 274 5.00 6.30 (0.134, 0.101) 57
실시예 62 285 4.99 6.33 (0.134, 0.101) 55
실시예 63 286 4.97 6.30 (0.134, 0.102) 58
실시예 64 293 4.95 6.32 (0.134, 0.102) 56
실시예 65 294 4.97 6.34 (0.134, 0.101) 54
비교예 3-4 E2 5.55 6.06 (0.134, 0.101) 44
비교예 3-5 E3 5.52 6.13 (0.134, 0.101) 41
비교예 3-6 E4 5.54 5.94 (0.134, 0.101) 40
Figure 112017096207792-pat00069
상기 표 6의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 청색 유기 발광 소자의 정공 저지층 재료를 이용한 유기 발광 소자는 비교예 3-4, 3-5, 3-6에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율 및 수명이 현저히 개선되었다. 이러한 결과의 원인은 p-타입과 n-타입을 모두 갖는 바이폴라 타입이므로, 정공누수를 막고 발광층 내에서 엑시톤을 효과적으로 가둘 수 있기 때문이다.
< 실험예 3>
(1) 유기 발광 소자의 제작
1500Å의 두께로 ITO가 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 아세톤, 메탄올, 이소프로필 알코올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 UV 세정기에서 UV를 이용하여 5분간 UVO 처리하였다. 이후 기판을 플라즈마 세정기(PT)로 이송시킨 후, 진공상태에서 ITO 일함수 및 잔막 제거를 위해 플라즈마 처리를 하여, 유기 증착용 열증착 장비로 이송하였다.
상기 ITO 투명 전극(양극)위에 2 스택 WOLED(White Orgainc Light Device) 구조로 유기물을 형성하였다. 제1 스택은 우선 TAPC을 300Å의 두께로 열진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 정공 수송층을 형성시킨 후, 그 위에 발광층을 다음과 같이 열 진공 증착시켰다. 발광층은 호스트인 TCz1에 청색 인광도펀트로 FIrpic를 8% 도핑하여 300Å 증착하였다. 전자 수송층은 TmPyPB을 사용하여 400Å을 형성한 후, 전하 생성층으로 하기 표 7에 기재된 화합물에 Cs2CO3를 20% 도핑하여 100Å 형성하였다.
제2 스택은 우선 MoO3을 50Å의 두께로 열진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 공통층인 정공 수송층을 TAPC에 MoO3를 20% 도핑하여 100Å 형성한 후, TAPC를 300Å 증착하여 형성하였다, 그 위에 발광층은 호스트인 TCz1에 녹색 인광 토펀트인 Ir(ppy)3를 8% 도핑하여 300Å 증착한 후, 전자 수송층으로 TmPyPB을 사용하여 600Å을 형성하였다. 마지막으로 전자 수송층 위에 리튬 플루오라이드(lithium fluoride: LiF)를 10Å 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 전자 주입층 위에 알루미늄(Al) 음극을 1,200Å의 두께로 증착하여 음극을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조하였다.
한편, OLED 소자 제작에 필요한 모든 유기 화합물은 재료 별로 각각 10-6 ~ 10-8torr 하에서 진공 승화 정제하여 OLED 제작에 사용하였다.
Figure 112017096207792-pat00070
2) 유기 발광 소자의 구동 전압 및 발광 효율
상기와 같이 제조된 유기 발광 소자에 대하여 맥사이어스사의 M7000으로 전계 발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과를 가지고 맥사이언스사에서 제조된 수명측정장비(M6000)를 통해 기준 휘도가 3,500 cd/m2 일 때, T95을 측정하였다. 본 발명에 따라 제조된 백색 유기 발광 소자의 구동전압, 발광효율, 외부양자효율, 색좌표(CIE)를 측정한 결과는 표 7과 같았다.
화합물 구동전압
(V)		 발광효율
(cd/A)		 CIE
(x, y)		 수명
(T95)
실시예 66 1 7.22 69.21 (0.222, 0.423) 45
실시예 67 2 7.02 69.82 (0.221, 0.422) 46
실시예 68 3 7.00 69.45 (0.219, 0.420) 48
실시예 69 4 6.92 70.25 (0.218, 0.419) 50
실시예 70 5 7.24 68.45 (0.221, 0.420) 44
실시예 71 6 7.27 67.88 (0.210, 0.422) 45
실시예 72 7 7.16 66.23 (0.215, 0.421) 42
실시예 73 8 7.18 67.89 (0.221, 0.423) 43
실시예 74 9 7.75 60.77 (0.212, 0.421) 38
실시예 75 37 7.78 60.70 (0.218, 0,420) 35
실시예 76 111 7.66 59.22 (0.211, 0.428) 30
실시예 77 112 7.64 59.50 (0.220, 0.425) 31
실시예 78 113 7.14 68.84 (0.219, 0.420) 34
실시예 79 114 7.02 69.08 (0.212, 0.429) 40
실시예 80 115 6.95 71.00 (0.213, 0.421) 49
실시예 81 116 6.90 70.75 (0.220, 0.423) 51
실시예 82 117 7.09 68.68 (0.219, 0.421) 45
실시예 83 118 7.10 67.17 (0.210, 0.422) 45
실시예 84 119 7.20 67.58 (0.211, 0.425) 47
실시예 85 120 7.22 68.24 (0.214, 0.420) 43
실시예 86 121 7.70 59.22 (0.215, 0.421) 36
실시예 87 149 7.79 60.94 (0.211, 0.429) 37
실시예 88 223 7.76 60.26 (0.212, 0.429) 33
실시예 89 224 7.78 61.15 (0.213, 0.429) 39
비교예 3-7 TmPyPB 8.44 57.99 (0.212, 0.429) 29
비교예 3-8 BBQB 8.46 58.23 (0.217, 0,426) 28
비교예 3-9 TBQB 8.39 58.68 (0.220, 0,428) 26
상기 표 7의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 2-스택 백색 유기 발광 소자의 전하 생성층 재료를 이용한 유기 발광 소자는 비교예 1에 비해 구동 전압이 낮고, 발광효율이 개선되었다. 특히, 화합물 2, 3, 4, 114, 115, 116은 구동, 효율, 수명 모든 면에서 현저히 우수함을 확인하였다.
이러한 결과가 나온 이유는 적절한 길이와 강도 및 평단한 특성을 가진 발명된 골격과 메탈과 바인딩할 수 있는 적절한 헤테로 화합물로 구성된 N 타입 전하 생성층으로 사용된 본 발명의 화합물이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 도핑되어 N 타입 전하 생성층 내에 갭 스테이트가 형성한 것으로 추정되고, P 타입 전하 생성층으로부터 생성된 전자가 N 타입 전하 생성층 내에서 생선된 갭 스테이트를 통해 전자 수송층으로 전자 주입이 용이하게 되었을 것으로 판단된다. 따라서, P 타입 전하 생성층은 N 타입 전하 생성층으로 전자 주입과 전자 전달을 잘 할 수 있게 되고, 이 때문에 유기 발광 소자의 구동 전압이 낮아졌고 효율과 수명이 개선되었을 것으로 판단된다.
100: 기판
200: 양극
300: 유기물층
301: 정공 주입층
302: 정공 수송층
303: 발광층
304: 정공 저지층
305: 전자 수송층
306: 전자 주입층
400: 음극

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물:
    [화학식 1]
    Figure 112022040518130-pat00071

    상기 화학식 1에 있어서,
    R1은 수소; 또는 C6 내지 C40의 아릴기이며,
    상기 Ar은 -(L)m-(Z)n이며,
    L은 직접결합; C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 C2 내지 C40의 N 함유 헤테로아릴렌기이고,
    Z는 C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴기 및 C2 내지 C40의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C40의 아릴기; C6 내지 C40의 단환 또는 다환의 아릴기 및 C2 내지 C40의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 치환기로 치환 또는 비치환된 C2 내지 C40의 헤테로아릴기; 또는 -P(=O)RR'이며,
    m은 0 내지 4의 정수이고,
    n은 1 내지 5의 정수이며,
    R2 내지 R5, Ra 및 Rb는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 또는 중수소이며,
    상기 R, 및 R' 는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 C6 내지 C40의 아릴기이고,
    p 및 q는 0 내지 5의 정수이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중 어느 하나로 표시되는 것인 헤테로고리 화합물:
    Figure 112017096207792-pat00072

    Figure 112017096207792-pat00073

    Figure 112017096207792-pat00074

    Figure 112017096207792-pat00075

    Figure 112017096207792-pat00076

    Figure 112017096207792-pat00077

    Figure 112017096207792-pat00078

    Figure 112017096207792-pat00079

    Figure 112017096207792-pat00080

    Figure 112017096207792-pat00081

    Figure 112017096207792-pat00082

    Figure 112017096207792-pat00083

    Figure 112017096207792-pat00084

    Figure 112017096207792-pat00085

    Figure 112017096207792-pat00086

    Figure 112017096207792-pat00087

    Figure 112017096207792-pat00088

    Figure 112017096207792-pat00089

    Figure 112017096207792-pat00090

    Figure 112017096207792-pat00091

    Figure 112017096207792-pat00092

    Figure 112017096207792-pat00093

    Figure 112017096207792-pat00094

    Figure 112017096207792-pat00095

    Figure 112017096207792-pat00096

    Figure 112017096207792-pat00097
  8. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 및 7 중 어느 한 항에 따른 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자 수송층을 포함하고, 상기 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자주입층 또는 전자수송층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  11. 청구항 8에 있어서, 상기 유기물층은 전자저지층 또는 정공저지층을 포함하고, 상기 전자저지층 또는 정공저지층은 상기 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  12. 청구항 8에 있어서, 상기 유기 발광 소자는, 제1 전극, 상기 제1전극 상에 구비되고 제1 발광층을 포함하는 제1 스택, 상기 제1 스택 상에 구비되는 전하 생성층, 상기 전하 생성층 상에 구비되고 제2 발광층을 포함하는 제2 스택, 및 상기 제2 스택 상에 구비되는 제2 전극을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 전하 생성층은 상기 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 전하 생성층은 N-타입 전하 생성층이고, 상기 전하 생성층은 화학식 1로 표시되는 헤테로고리 화합물 이외에 도펀트를 추가로 포함하는 것인 유기 발광 소자.
KR1020170127755A 2017-09-29 2017-09-29 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 Active KR102414653B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127755A KR102414653B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
PCT/KR2018/011624 WO2019066607A1 (ko) 2017-09-29 2018-10-01 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
CN201880063233.2A CN111164082B (zh) 2017-09-29 2018-10-01 杂环化合物与包含其的有机发光装置
JP2020517861A JP7260187B2 (ja) 2017-09-29 2018-10-01 ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
US16/650,732 US11434228B2 (en) 2017-09-29 2018-10-01 Heterocyclic compound and organic light emitting device comprising same
TW107134680A TWI775957B (zh) 2017-09-29 2018-10-01 雜環化合物與包含其的有機發光裝置
EP18861210.5A EP3689869A4 (en) 2017-09-29 2018-10-01 HETEROCYCLIC COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE CONTAINING IT

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170127755A KR102414653B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190037925A KR20190037925A (ko) 2019-04-08
KR102414653B1 true KR102414653B1 (ko) 2022-06-30

Family

ID=65903097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170127755A Active KR102414653B1 (ko) 2017-09-29 2017-09-29 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11434228B2 (ko)
EP (1) EP3689869A4 (ko)
JP (1) JP7260187B2 (ko)
KR (1) KR102414653B1 (ko)
CN (1) CN111164082B (ko)
TW (1) TWI775957B (ko)
WO (1) WO2019066607A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102759533B1 (ko) * 2019-06-24 2025-02-03 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102774665B1 (ko) * 2019-07-26 2025-03-05 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102290363B1 (ko) * 2019-10-02 2021-08-19 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102318645B1 (ko) * 2019-12-02 2021-10-29 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2023504453A (ja) * 2019-12-02 2023-02-03 エルティー・マテリアルズ・カンパニー・リミテッド ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR102298282B1 (ko) * 2019-12-02 2021-09-07 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20220067040A (ko) * 2020-11-17 2022-05-24 엘티소재주식회사 헤테로 고리 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자, 및 유기물층 형성용 조성물

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
CN102224148B (zh) * 2008-09-23 2015-07-15 株式会社Lg化学 化合物、及其制备方法和使用该化合物的有机电子元件
JP5509634B2 (ja) 2009-03-16 2014-06-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料
KR101127579B1 (ko) * 2009-08-28 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 헤테로아릴아민 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
CN101870697A (zh) * 2010-05-06 2010-10-27 复旦大学 多取代异喹啉并吡唑类化合物的制备方法
KR101453424B1 (ko) * 2013-01-17 2014-10-22 희성소재 (주) 질소함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR101464133B1 (ko) * 2013-01-17 2014-11-21 희성소재 (주) 피라졸계 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
KR20150010548A (ko) 2013-07-17 2015-01-28 희성소재 (주) 질소함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
WO2015034140A1 (ko) * 2013-09-04 2015-03-12 희성소재(주) 피라졸 함유 다환고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자
CN107548399B (zh) * 2015-04-29 2021-03-05 Lt素材株式会社 杂环化合物及使用所述杂环化合物的有机发光元件
KR101837029B1 (ko) * 2015-04-30 2018-03-12 희성소재(주) 다환 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR101952324B1 (ko) * 2015-11-06 2019-02-26 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102153447B1 (ko) * 2015-12-01 2020-09-08 엘티소재주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR20170127755A (ko) 2016-05-12 2017-11-22 주식회사 유성소프트 Rfid 태그가 구비된 케어라벨 및 이의 제작방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN111164082A (zh) 2020-05-15
WO2019066607A1 (ko) 2019-04-04
US20200308150A1 (en) 2020-10-01
JP2020535185A (ja) 2020-12-03
US11434228B2 (en) 2022-09-06
KR20190037925A (ko) 2019-04-08
EP3689869A1 (en) 2020-08-05
CN111164082B (zh) 2023-04-18
EP3689869A4 (en) 2021-07-07
JP7260187B2 (ja) 2023-04-18
TWI775957B (zh) 2022-09-01
TW201920172A (zh) 2019-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102613323B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102076958B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
KR102267451B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102414653B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102334762B1 (ko) 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물
KR102254381B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102318645B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP7421802B2 (ja) ヘテロ環化合物およびそれを含む有機発光素子
KR20210041833A (ko) 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR102443233B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102301533B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102291411B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102337571B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102374517B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102286819B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102290366B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102530627B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20200079804A (ko) 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102177586B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102089307B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102759533B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102509974B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102418790B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102290363B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102761854B1 (ko) 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20170929

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20200810

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20170929

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20220216

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20220620

PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20220624

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20220627

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration