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KR102401621B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR102401621B1
KR102401621B1 KR1020150104430A KR20150104430A KR102401621B1 KR 102401621 B1 KR102401621 B1 KR 102401621B1 KR 1020150104430 A KR1020150104430 A KR 1020150104430A KR 20150104430 A KR20150104430 A KR 20150104430A KR 102401621 B1 KR102401621 B1 KR 102401621B1
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liquid crystal
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김동욱
이정호
이수진
홍성진
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

빛샘 발생 방지 구조를 가지는 액정 표시 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 대향된 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 컬럼 스페이서의 주변으로 돌출된 덧댐부를 포함하는 차광 패턴, 및 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된 차광 금속을 포함한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로　액정 표시 장치는 어레이 기판과, 어레이 기판에 대향하는 대향 기판, 및 어레이 기판과 대향 기판 사이에 개재된　액정층을 포함하는데, 최근 어레이 기판 상에 컬러 필터가 형성된 컬러필터-어레이(Color-filter On Array: COA) 기판을 채용한 고투과율 구조의　액정 표시 장치가 개발되고 있다. 이 경우, 위 COA　기판과　차광　부재가 형성된 대향 기판과의 결합 공정에서 얼라인 미스가 발생될 수 있는데, 이를 방지하기 위해 COA　기판 상에 차광　부재를 형성하는　BOA(Black matrix On Array) 기판이 개발되고 있으며,　나아가 차광　패턴과 기판과의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서(Column Spacer)를 동일한 재료로 동시에 형성하는　차광 유지 부재(Black Column Spacer: BCS)가 개발되고 있다.
한편, BCS 구조에 있어서 외력에 의해 패널이 휘어지는 경우 컬럼 스페이서가 대향 기판면의 배향막을 긁게 되면 빛샘이 발생할 수 있다. 이러한 빛샘 현상을 방지하기 위해 컬럼 스페이서의 주변으로 차광 패턴의 폭을 확장시킨 덧댐 구조의 적용을 고려해 볼 수 있는데, 이러한 덧댐 구조를 적용하게 되면 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 덧댐 구조의 경계가 생기게 되고, 위 액정 배향 방향과 수평하지 않은 덧댐 구조의 경계로부터 외측으로 인접한 영역은 액정의 배향이 정확하게 이루어지지 않아 빛샘이 발생할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 차광 패턴의 덧댐 구조 적용에 따른 빛샘 발생을 방지하기 위한 구조를 가지는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 차광 패턴의 덧댐 구조 적용에 따른 빛샘 발생을 방지하기 위한 구조를 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 대향된 제1 기판 및 제2 기판, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 컬럼 스페이서의 주변으로 돌출된 덧댐부를 포함하는 차광 패턴, 및 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된 차광 금속을 포함한다.
상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
상기 제1 기판 상에 배치된 게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하고, 상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나와 동일 레벨 상에 배치될 수 있다.
상기 데이터 배선은 드레인 전극을 포함하고, 상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 드레인 전극과 일체형일 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 데이터 배선과 분리될 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 게이트 배선과 일체형일 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 게이트 배선과 분리될 수 있다.
상기 덧댐부는 사각 형상일 수 있다.
상기 덧댐부는 상기 컬럼 스페이서의 일측에 배치된 제1 덧댐부, 및 상기 일측의 반대측인 타측에 배치된 제2 덧댐부를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 상에 배치되고, 상호 교차 배열되어 단위 화소를 정의하는 게이트선 및 데이터선을 포함하고, 상기 차광 패턴은 상기 게이트선의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장된 형상이고, 상기 덧댐부는 상기 게이트선의 연장 방향의 수직한 방향으로 돌출될 수 있다.
여기서, 상기 액정의 배향 방향과 상기 게이트선의 연장 방향은 동일할 수 있다.
상기 차광 패턴과 상기 컬럼 스페이서는 일체형일 수 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계, 제1 기판 상에 데이터 배선을 형성하는 단계, 제1 기판 상에 차광 금속을 형성하는 단계, 및 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 상에 차광 패턴 및 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 상기 차광 패턴은 상기 컬럼 스페이서의 주변으로 돌출된 덧댐부를 포함하고, 상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된다.
상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나와 동시에 형성될 수 있다.
상기 데이터 배선은 드레인 전극을 포함하고, 상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 상기 드레인 전극과 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 상기 데이터 배선과 분리되어 형성될 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 상기 게이트 배선과 일체형으로 형성될 수 있다.
상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 상기 게이트 배선과 분리되어 형성될 수 있다.
상기 덧댐부는 사각 형상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 차광 패턴의 덧댐 구조 적용에 따른 빛샘 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 차광 패턴의 덧댐 구조 적용에 따른 빛샘 발생을 방지하기 위한 구조를 가지는 액정 표시 장치를 제조 할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 레이아웃도이다.
도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역의 확대도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역의 확대도이다.
도 9는 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 레이아웃도이다. 도 2는 도 1의 II-II'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 서로 대향하는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
제1 기판(100) 및 제2 기판(200)은 투명한 유리, 석영, 세라믹, 실리콘 또는 투명 플라스틱 등의 절연 물질을 포함할 수 있으며, 당업자의 필요에 따라 적절히 선택할 수 있다. 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)은 상호 대향하여 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)은 가요성을 가질 수도 있다. 즉, 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)은 롤링(rolling), 폴딩(folding), 벤딩(bending) 등으로 형태 변형이 가능한 기판일 수 있다.
제1 기판(100) 상에는 복수의 게이트 배선(102, 104) 및 데이터 배선(132, 134, 136)이 배치될 수 있다.
게이트 배선(102, 104)은 복수의 게이트선(102), 및 복수의 게이트 전극(104)을 포함할 수 있다. 데이터 배선(132, 134, 136)은 복수의 데이터선(132), 복수의 소스 전극(134), 및 복수의 드레인 전극(136)을 포함할 수 있다.
게이트 배선(102, 104) 및 데이터 배선(132, 134, 136)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 배선(102, 104) 및 데이터 배선(132, 134, 136)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 도전막은 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어지고, 다른 도전막은 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 조합의 예로는, 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선(102, 104) 및 데이터 배선(132, 134, 136)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 형성될 수 있다.
각 게이트선(102)은 제1 방향, 예를 들어 가로 방향으로 화소의 경계를 따라 연장될 수 있고, 각 데이터선(132)은 제2 방향, 예를 들어 화소의 세로 방향 경계를 따라 연장될 수 있다. 게이트선(102) 및 데이터선(132)은 교차 배열되어 화소 영역을 정의할 수 있다. 즉, 화소 영역은 게이트선(102)과 데이터선(132)으로 둘러싸인 영역에 의해 정의될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 데이터선(132)은 투과율 향상을 위하여 도 1에 도시한 바와 같이 주기적으로 굴곡되어 있을 수 있다. 다만 이는 예시적인 것으로, 본 발명에서 데이터선(132)의 형태가 이에 제한되는 것은 아니다.
각 게이트선(102)에는 화소마다 적어도 하나의 게이트 전극(104)이 연결되어 배치된다. 게이트 전극(104)은 게이트선(102)으로부터 반도체층(122) 측으로 분지되거나, 게이트선(102)이 확장되어 형성될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 게이트선(102)의 연장 경로 상에 반도체층(122)과 오버랩되는 영역에 게이트 전극(104)이 정의될 수도 있다.
각 데이터선(132)에는 화소마다 적어도 하나의 소스 전극(134)이 연결되어 배치된다. 소스 전극(134)은 데이터선(132)으로부터 반도체층(122) 측으로 분지되거나, 데이터선(132)이 확장되어 형성될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 데이터선(132)의 연장 경로 상에 반도체층(122)과 오버랩되는 영역에 소스 전극(104)이 정의될 수도 있다. 예를 들어, 소스 전극(104)은 데이터선(132)으로부터 돌출되지 않고 실질적으로 데이터선(132)과 동일선 상에 위차할 수 있다. 드레인 전극(136)은 반도체층(122)을 기준으로 소스 전극(104)과 이격되어 배치될 수 있으며, 제1 보호층(142) 및 제2 보호층(172)을 관통하도록 형성된 컨택홀(136a)을 통해 화소 전극(182)과 전기적으로 연결될 수 있다.
게이트 배선(102, 104)과 데이터 배선(132, 134, 136) 사이에는 게이트 절연막(112)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 게이트 절연막(112)은 게이트 배선(102, 104) 상에 배치되고, 데이터 배선(132, 134, 136)은 게이트 절연막(112) 상에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(112)은 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiO2), 실리콘 산질화물(SiON), 또는 이들의 적층막 등으로 이루어질 수 있다. 게이트 절연막(112)은 게이트 배선(102, 104)과 이들의 상부에 위치하는 데이터선(132) 등의 도전성 박막들과의 절연을 유지하는 역할을 할 수 있다.
반도체층(122)은 게이트 절연막(112) 상에 배치되며, 예를 들어, 수소화 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 반도체층(122)은 게이트 전극(104)과 적어도 일부가 중첩되도록 배치된다. 반도체층(122)은 게이트 전극(104), 소스 전극(134), 및 드레인 전극(136)과 함께 박막 트랜지스터를 구성한다.
반도체층(122)은 섬형 또는 선형 등 다양한 형상을 가질 수 있으며, 도 3은 반도체층(122)이 섬형으로 형성된 경우를 예시하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반도체층(122)이 선형으로 형성된 경우, 별도 도시하지 않았으나, 반도체층(122)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 오버랩될 수 있다.
반도체층(122) 상에는 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘 등으로 이루어진 저항성 접촉층(124)이 배치될 수 있다. 저항성 접촉층(124)은 하부의 반도체층(122)과 상부의 소스 전극(134) 및 드레인 전극(136) 사이에 위치하여 접촉 저항을 감소시키는 역할을 한다. 저항성 접촉층(124)은 반도체층(122)과 유사하게 섬형 또는 선형 등 다양한 형상을 가질수 있다. 반도체층(122)이 섬형인 경우 저항성 접촉층(124)도 섬형일 수 있으며, 반도체층(122)이 선형인 경우 저항성 접촉층(124)도 선형일 수 있다. 저항성 접촉층(124)은 반도체층(122)과는 달리, 소스 전극(134)과 드레인 전극(136)이 마주보며 이격되어 있는 공간이 분리되어 있어 하부의 반도체층(122)이 노출될 수 있다. 반도체층(122)은 소스 전극(134)과 드레인 전극(136)이 마주보며 이격되어 있는 영역에 채널이 형성될 수 있다.
게이트 전극(104)이 게이트 온 신호를 인가받아 반도체층(122)에 채널이 형성되면, 박막 트랜지스터가 턴온되며 드레인 전극(136)은 소스 전극 (134)으로부터 데이터 신호를 제공받아 이를 화소 전극(192)에 전달할 수 있다.
데이터 배선(132, 134, 136) 및 노출된 반도체층(122) 상에 제1 보호층(142)(passivation layer)이 배치된다. 제1 보호층(142)과 후술할 유기층(154)에는 드레인 전극(136)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀(136a)이 형성될 수 있다. 컨택홀(136a)을 통해 노출된 드레인 전극(136)의 적어도 일부는 화소 전극(182)과 접촉될 수 있다. 이를 통해 드레인 전극(136)과 화소 전극(182)은 전기적으로 연결/접속될 수 있다.
제1 보호층(142)은 예를 들어, 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등의 무기물, 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 물질 등을 포함할 수 있다.
제1 보호층(142) 상에는 유기층(154)이 배치될 수 있다. 유기층(154)은 평탄화 특성이 우수하며, 감광성(photosensitivity)을 가지는 물질을 포함할 수 있다. 유기층(154)은 드레인 전극(136)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀(136a)를 포함한다.
몇몇 실시예에서, 도 2에 도시된 바와 같이 유기층(154)과 제1 보호층(142) 사이에 컬러 필터(152)가 배치될 수 있다. 컬러 필터(152)는 R(red) 컬러 필터, G(green) 컬러 필터, 및 B(blue) 컬러 필터를 포함할 수 있다. 각각의 R, G, B 컬러 필터는 각각 하나의 화소에 형성되어 R, G, B 화소를 형성한다. 컬러 필터(152)는 화소 전극(182)과 오버랩되도록 배치될 수 있다. 컬러 필터(152)는 안료를 포함하는 감광성 유기물을 포함할 수 있다. 컬러 필터(152) 상에는 유기층(154)이 배치되어 R, G, B 컬러 필터의 단차를 평탄화할 수 있다. 컬러 필터(152)는 유기층(154)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 컬러 필터(152)는 유기층(154)에 의해 커버되어 노출되는 부분이 없을 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며 본 발명이 이러한 구조에 제한되는 것은 아니다.
유기층(154) 상에는 공통 전극(162)이 배치될 수 있다. 공통 전극(162)은 공통 전압을 인가 받아 화소 전극(182)과 함께 전계를 생성하여 액정층(300)에 포함된 액정 분자의 배향 방향을 제어할 수 있다. 공통 전극(162)은 컨택홀(136a)이 형성된 영역을 노출시키는 개구부를 포함한다. 즉, 공통 전극(162)에 형성된 개구부를 통해 드레인 전극(136)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 공통 전극(162)은 위 개구부를 제외한 게이트선(102)과 데이터선(132)으로 둘러싸인 화소 영역 전체에 걸쳐 일체형으로 형성될 수 있다. 공통 전극(162)은 ITO(indium tin oxide), 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 구현될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
공통 전극(162), 및 유기층(154) 상에 제2 보호층(172)이 배치될 수 있다. 제2 보호층(172)은 컨택홀(136a)이 형성된 영역을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 즉, 제2 보호층(172)에 형성된 개구부를 통해 드레인 전극(136)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 제2 보호층(172)은 무기 절연물일 수 있다. 예를 들어, 제2 보호층(172)은 질화 실리콘, 산화 실리콘 등을 포함할 수 있다. 제2 보호층(172)은 화소 전극(182)과 공통 전극(162) 사이에 위치하여 화소 전극(182)과 공통 전극(162)을 상호 절연할 수 있다.
화소 전극(182)은 제2 보호층(172) 상에 단위 화소마다 배치될 수 있다. 화소 전극(182)의 적어도 일부는 공통 전극(162)과 중첩할 수 있다. 화소 전극(182)의 일부는 컨택홀(136a)의 내부에 배치된다. 컨택홀(136a) 내부에 배치된 화소 전극(182)의 일부는 드레인 전극(136)과 접촉되어 이와 전기적으로 연결될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 화소 전극(182)은 공통 전극(162)과 중첩하는 복수의 가지 전극(184)을 포함할 수 있으며, 이웃하는 가지 전극(184) 사이에는 슬릿(186)이 형성될 수 있다. 가지 전극(184)은 도면상 세로 방향에 대해 빗각(oblique angle)을 이루며 기울어질 수 있으며, 화소 전극(182)의 가로 중심선(미도시)에서 꺾여 있을 수 있다. 이에 따라 화소 전극(182)은 가지 전극(184)의 기울어진 방향이 서로 다른 복수의 도메인으로 나뉠 수 있다. 예를 들어 가로 중심선을 기준으로 상부의 가지 전극(184)은 우상 방향으로 뻗고 하부의 가지 전극(184)은 우하 방향으로 뻗을 수 있다. 화소 전극(182)의 가지 전극(184)은 데이터선(132)과 실질적으로 나란하게 뻗을 수 있다. 다만, 도 1에 도시된 화소 전극(182)의 형상은 예시적인 것으로 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 당업자의 필요에 따라 슬릿(186)의 형상은 다양하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 화소 전극(182)은 피시본(fish-bone) 형태 등 다양한 형태의 비어있는 복수의 슬릿(186)을 포함할 수 있다.
컨택홀(136a)를 통해 화소 전극(182)에 데이터 전압이 인가되면, 화소 전극(182)으로부터 하부의 공통 전극(162) 방향으로 전계가 형성된다. 즉, 화소 전극(182)은 공통 전극(162)과 함께 전계를 형성하여 액정층(300)에 포함된 액정 분자를 회전시킬 수 있다. 화소 전극(182)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전성 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 다른 실시예에서 공통 전극(182)이 면 형상으로 구현될 수도 있다. 이 경우, 공통 전극(162)은 화소 전극(182)과 중첩하는 복수의 가지 전극(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 이 밖에도 화소 전극(182)과 공통 전극(162)의 구조 및 배치는 다양할 수 있다.
제2 보호층(172) 및 화소 전극(182) 상에는 차광 패턴(192)이 배치될 수 있다. 차광 패턴(192)은 빛샘을 방지하는 역할을 한다. 차광 패턴(192)은 박막 트랜지스터 영역 및 비화소 영역(화소와 화소 사이, 게이트선 및 데이터선 영역)에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 패턴(192)은 도 1에 도시된 바와 같이 게이트선(102)의 연장 방향으로 연장된 형상으로 구현될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 다른 실시예에서 차광 패턴(192)은 데이터선(132) 영역에도 더 배치되어 격자 형상으로 구현될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 패턴(192)의 일부는 도 1에 도시된 바와 같이 컨택홀(136a) 내에 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 이러한 구조에 제한되는 것은 아니다.
차광 패턴(192)은 블랙 염료나 안료를 포함하는 블랙 유기 고분자 물질이나, 크롬, 크롬 산화물 등의 금속(금속 산화물) 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
컬럼 스페이서(column spacer)(194)는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 유지하기 위한 것으로, 몇몇 실시예에서 컬럼 스페이서(194)의 단부는 도 2에 도시된 바와 같이 제2 기판(200) 측에 맞닿을 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 컬럼 스페이서(194)의 단부는 제2 기판(200)으로부터 소정 거리 이격되어 배치될 수도 있다.
도시하지는 않았으나, 컬럼 스페이서(194)는 단차가 상이한 복수의 컬럼 스페이서를 포함하여 구현될 수 있다. 예를 들어, 상대적으로 단차가 높은 메인 컬럼 스페이서 및 상대적으로 단차가 낮은 서브 컬럼 스페이서를 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 간격은 일차적으로 메인 컬럼 스페이서에 의해 유지될 수 있으며, 메인 컬럼 스페이서가 기능을 발휘하지 못하는 경우, 이차적으로 서브 컬럼 스페이서에 의해 제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 간격이 유지될 수 있다.
컬럼 스페이서(194)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터에 대응되는 영역에 형성될 수 있다. 컬럼 스페이서(194)의 적어도 일부는 게이트 배선(102, 104)과 중첩될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 컬럼 스페이서(194)의 배치가 이에 국한되는 것은 아니다.
액정층(300)을 향하는 제1 기판(100)의 일면 및 제2 기판(200)의 일면에는 각각 배향막(PI)이 배치될 수 있다. 즉, 화소 전극(182), 제2 보호막(172), 차광 패턴(192), 및 컬럼 스페이서(194) 상에는 액정층(300)을 배향할 수 있는 배향막(PI)이 배치될 수 있다.
도 1의 실시예에서 배향막(PI)의 러빙 방향(R/B)은 도면상 좌우 방향 즉, 게이트선(102)의 연장 방향으로 구현된 경우를 예시하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1의 실시예의 경우, 배향막(PI)의 러빙 방향(R/B)이 도면상 좌우 방향 달리 말해 게이트선의 연장 방향으로 구현됨에 따라 액정 분자는 그 장축이 러빙 방향을 향하도록 배향될 수 있다. 즉, 액정의 배향 방향은 게이트선의 연장 방향은 동일할 수 있다.
제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 사이에는 양의 유전율 이방성 또는 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 분자를 포함하는 액정층(300)이 개재될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 컬럼 스페이서(194)는 차광 패턴(192)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 컬럼 스페이서(194) 및 차광 패턴(192)은 하프톤 마스크나 슬릿 마스크 노광을 통한 하나의 패터닝 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 컬럼 스페이서(194)와 차광 패턴(192)은 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 이와 같이 차광 패턴(192)과 컬럼 스페이서(194)를 동시에 형성하는 경우에 있어서, 외력에 의해 패널이 휘어지는 경우를 가정하면, 컬럼 스페이서(194)에 의해 제2 기판(200)에 배치된 배향막(PI)에 스크래치가 생겨 빛샘이 발생할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)의 차광 패턴(192)은 위와 같은 스크래치로 인한 빛샘을 방지하기 위해 덧댐부(196, 198)를 포함할 수 있다. 덧댐부(196, 198)는 컬럼 스페이서(194)의 주변으로 돌출된 형상일 수 있다. 달리 말해 덧댐부(196, 198)는 컬럼 스페이서(194)를 중심으로 차광 패턴(192)으로부터 분지된 구조일 수 있다.
덧댐부(196, 198)는 하나의 패터닝 공정을 통해 차광 패턴(192)과 동시에 일체형으로 형성될 수 있다. 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 차광 패턴(192), 덧댐부(196, 198), 및 컬럼 스페이서(194)는 동일한 물질로 하나의 패터닝 공정을 통해 일체형으로 형성될 수 있다.
덧댐부(196, 198)의 배치 및 사이즈는 차광 패턴(192)과 컬럼 스페이서(194)간 위치 관계에 따라 적절히 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 컬럼 스페이서(194)가 차광 패턴(192)의 폭(W2)을 기준으로 중심부에 배치된 경우, 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)으로부터 일측 및 타측으로 돌출된/분지된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)으로부터 일측으로 돌출된 제1 덧댐부(196) 및 차광 패턴(192)으로부터 위 일측과는 반대측인 타측으로 돌출된 제2 덧댐부(198)를 포함할 수 있다. 제1 덧댐부(196)의 폭(W1) 및 길이(L1)와 제2 덧댐부(198)의 폭(W1) 및 길이(L1)는 동일할 수 있다. 이 경우, 차광 패턴(192)에서 덧댐부(196, 198)가 형성되지 않은 부분의 폭(W2)은 덧댐부(196, 198)가 형성된 부분의 폭(W2+2W1)이 클 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 차광 패턴(192)과 컬럼 스페이서(194)간 위치 관계에 따라 제1 덧댐부(196)와 제2 덧댐부(198) 중 어느 하나만 배치되거나, 제1 덧댐부(196) 사이즈와 제2 덧댐부(198)의 사이즈가 상이한 형태로 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 덧댐부(196, 198)는 도 3에 도시된 바와 같이 평면 시점 형상이 사각 형상으로 구현될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 덧댐부(196, 198)의 평면 시점 형상이 이에 국한되는 것은 아니며, 다각형, 원 등 다양한 형상으로 구현될 수 있음은 물론이다.
한편, 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)으로부터 돌출된/분지된 구조로 구현됨에 따라 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계를 포함할 수 있다. 이렇게 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계에 인접한 영역에서는 액정의 제어가 원활하게 이루어질 수 없어서 빛샘이 발생할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)는 위 덧댐부(196, 198)의 구비로 인한 빛샘을 방지하기 위한 구성으로 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)을 포함할 수 있다. 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된 구조를 가질 수 있고, 이를 통해 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 인접 영역에서 액정의 제어가 원활하지 않아 발생하는 빛샘을 방지할 수 있다.
예를 들어, 도 1 및 도 3을 참조하면, 덧댐부(196, 198)가 도 3에 도시된 바와 같이 평면 시점 형상이 사각 형상이고, 배향막(PI)의 러빙 방향(R/B)이 도 1에 도시된 바와 같이 도면상 좌우 방향(즉, 게이트선의 연장 방향)으로 구현된 경우, 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계 즉, 덧댐부(196, 198)의 경계 중 도면상 상하 방향의 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩되도록 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)이 배치될 수 있다. 여기서 외측이란 덧댐부(196, 198)를 기준으로 한 바깥 측을 지칭한다. 여기서, 인접한 영역이란 위 경계로부터 대략 10um 이내의 영역일 수 있다. 보다 구체적으로, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로(즉, 도면상 좌측으로) 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(138a), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로(즉, 도면상 우측으로) 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(138b), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(138c), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(138d)를 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 도 3에 도시된 바와 같이 사각 형상으로 구현될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된다면 이에 국한되지 않고 다양한 형상으로 구현될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 적어도 일부와 중첩될 수 있다. 도 3의 실시예에서 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 전부와 중첩되는 경우를 예시하였으나, 이에 국한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)의 적어도 일부는 도 3에 도시된 바와 같이 차광 패턴(192)과 중첩될 수 있다. 또한, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)의 적어도 일부는 덧댐부(196, 198)와 중첩될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 도시하지는 않았으나 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)의 경계가 차광 패턴(192)의 경계와 일치하거나 거의 일치하도록 배치되어, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 차광 패턴(192)과 중첩하지 않는 구조로 구현될 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)의 적어도 일부는 도 2에 도시된 바와 같이 화소 전극(182) 및 컬러 필터(152)와 중첩될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동일 레벨/층 상에 배치될 수 있다. 즉, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동시에 형성될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 데이터선(132), 소스 전극(134)과 일체형으로 형성되거나 또는 드레인 전극(136)과 일체형으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 드레인 전극(136)으로부터 돌출된/분지된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 드레인 전극(136)과 일체형으로 구현될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 차광 금속(138a)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 돌출 형성된 구조이고, 제3 차광 금속(138c)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 돌출 형성된 구조일 수 있다. 그리고, 제2 차광 금속(138b)는 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 돌출 형성된 구조이고, 제4 차광 금속(138d)는 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 돌출 형성된 구조일 수 있다. 부연 설명하면, 액정 표시 장치는 고해상도로 갈수록 화소의 폭이 작아질 수 있는데, 이에 따라 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d) 각각은 복수의 화소에 분산되어 배치될 수 있다. 도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이 제1, 제3 차광 금속(138a, 138c)은 제1 화소 영역에 배치되고, 제2, 제4 차광 금속(138b, 138d)은 제2 화소 영역에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제3 차광 금속(138c)의 일부는 제1 화소 영역에 위치하고, 다른 일부는 제1 화소의 인접한 하측의 화소 영역에 위치할 수 있다. 제4 차광 금속(138d)의 일부는 제2 화소 영역에 위치하고, 다른 일부는 제2 화소의 인접한 하측의 화소 영역에 위치할 수 있다.
도 1 내지 도 3의 실시예는 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)이 드레인 전극(136)과 일체형으로 구현된 경우를 예시하나, 이에 국한되는 것은 아니며, 차광 금속과 데이터 배선(132, 134, 136)은 분리되어 구현될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역(도 4의 A-1)의 확대도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-1)는 도 1 내지 도 3을 통해 상술한 액정 표시 장치(10)와 비교하여 차광 금속(138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1) 구성이 상이하며, 그 외 나머지 구성은 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서는 중복된 부분을 제외한 차이점 위주로 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-1)의 차광 금속(138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(138a-1), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(138b-1), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(138c-1), 및 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(138d-1)를 포함할 수 있다.
차광 금속(138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동일 레벨 상에 배치될 수 있다. 즉, 차광 금속(138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동시에 형성될 수 있다.
본 실시예에서 차광 금속(138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 분리되어 배치된다. 보다 구체적으로, 제1 차광 금속(138a-1)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 이격되어 배치되고, 제3 차광 금속(138c-1)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 이격되어 배치된다. 그리고, 제2 차광 금속(138b-1)은 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 이격되어 배치되고, 제4 차광 금속(138d-1)은 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 이격되어 배치된다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동일 레벨 상에 이와 동시에 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 차광 금속은 게이트 배선(102, 104)과 동일 레벨 상에 이와 동시에 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역(도 5의 A-2)의 확대도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-2)는 도 1 내지 도 3을 통해 상술한 액정 표시 장치(10)와 비교하여 차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d) 구성이 상이하며, 그 외 나머지 구성은 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서는 중복된 부분을 제외한 차이점 위주로 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-2)의 차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(106a), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(106b), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(106c), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(106d)를 포함할 수 있다.
차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d)은 게이트 배선(102, 104)과 동일 레벨 상에 배치될 수 있다. 즉, 차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d)은 게이트 배선(102, 104)과 동시에 형성될 수 있다.
차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d)은 도 5에 도시된 바와 같이 게이트선(102)으로부터 돌출된/분지된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 차광 금속(106a, 106b, 106c, 106d)은 게이트선(102)과 일체형으로 구현될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1, 제2 차광 금속(106a, 106b)은 게이트선(102)으로부터 일측으로 돌출 형성된 구조이고, 제3, 제4 차광 금속(106c, 106d)은 게이트선(102)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 돌출 형성된 구조일 수 있다. 제1, 제2 차광 금속(106a, 106b)이 게이트선(102)으로부터 돌출된 길이는 제3, 제4 차광 금속(106c, 106d)이 게이트선(102)으로부터 돌출된 길이 보다 클 수 있다.
도 5의 실시예는 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)이 게이트선(102)과 일체형으로 구현된 경우를 예시하나, 이에 국한되는 것은 아니며, 차광 금속과 게이트 배선(102, 104)은 분리형으로 구현될 수도 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역(도 6의 A-3)의 확대도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-3)는 도 5을 통해 상술한 액정 표시 장치(10-2)와 비교하여 차광 금속(106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1) 구성이 상이하며, 그 외 나머지 구성은 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서는 중복된 부분을 제외한 차이점 위주로 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-3)의 차광 금속(106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(106a-1), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(106b-1), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(106c-1), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(106d-1)를 포함할 수 있다.
차광 금속(106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1)은 도 6에 도시된 바와 같이 게이트선(102)으로부터 이격된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 차광 금속(106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1)은 게이트선(102)과 분리형으로 구현될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1, 제2 차광 금속(106a-1, 106b-1)은 게이트선(102)으로부터 일측으로 이격된 구조이고, 제3, 제4 차광 금속(106c-1, 106d-1)은 게이트선(102)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 이격된 구조일 수 있다. 제1, 제2 차광 금속(106a-1, 106b-1)이 게이트선(102)으로부터 이격된 거리는 제3, 제4 차광 금속(106c-1, 106d-1) 게이트선(102)으로부터 이격된 거리 보다 클 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속은 데이터 배선(132, 134, 136) 또는 게이트 배선(102, 104) 중 어느 하나와 동일 레벨/층 상에 이와 동시에 형성될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로, 차광 금속의 일부는 데이터 배선(132, 134, 136)과 동일 레벨 상에 이와 동시에 형성되고, 다른 일부는 게이트 배선(102, 104)과 동일 레벨 상에 이와 동시에 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역(도 7의 A-4)의 확대도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-4)는 도 1 내지 3을 통해 상술한 액정 표시 장치(10)와 비교하여 차광 금속(138a-2, 138b-2, 106c-2, 106d-2) 구성이 상이하며, 그 외 나머지 구성은 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서는 중복된 부분을 제외한 차이점 위주로 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-4)의 차광 금속(138a-2, 138b-2, 106c-2, 106d-2)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(138a-2), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(138b-2), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(106c-2), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(106d-2)을 포함할 수 있다.
차광 금속(138a-2, 138b-2, 106c-2, 106d-2)은 도 7에 도시된 바와 같이 드레인 전극(136) 또는 게이트선(102)으로부터 돌출된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 차광 금속(106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1)은 드레인 전극(136) 또는 게이트선(102)과 일체형으로 구현될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 차광 금속(138a-2)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 돌출된 구조일 수 있고, 제2 차광 금속(138b-2)은 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 돌출된 구조일 수 있다. 그리고, 제3 차광 금속(106c-2)은 게이트선(102)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 돌출된 구조일 수 있고, 제4 차광 금속(106d-2)은 게이트선(102)으로부터 위 일측과는 반대 측인 타측으로 돌출된 구조일 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 도 1의 A 영역에 대응되는 영역(도 8의 A-5)의 확대도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-5)는 도 1 내지 3을 통해 상술한 액정 표시 장치(10)와 비교하여 차광 금속(138a-3, 138b-3, 106c-3, 106d-3) 구성이 상이하며, 그 외 나머지 구성은 동일하거나 유사할 수 있다. 이하에서는 중복된 부분을 제외한 차이점 위주로 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치(10-5)의 차광 금속(138a-3, 138b-3, 106c-3, 106d-3)은 제1 덧댐부(196)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제1 차광 금속(138a-3), 제1 덧댐부(196)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제2 차광 금속(138b-3), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 좌변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제3 차광 금속(106c-3), 제2 덧댐부(198)의 경계 중 우변 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된 제4 차광 금속(106d-3)을 포함할 수 있다.
차광 금속(138a-3, 138b-3, 106c-3, 106d-3)은 도 8에 도시된 바와 같이 드레인 전극(136) 또는 게이트선(102)으로부터 이격된 구조로 구현될 수 있다. 즉, 차광 금속(138a-3, 138b-3, 106c-3, 106d-3)은 드레인 전극(136) 또는 게이트선(102)과 분리형으로 구현될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 차광 금속(138a-3)은 제1 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 이격된 구조일 수 있고, 제2 차광 금속(138b-3)은 제2 화소의 드레인 전극(136)으로부터 일측으로 이격된 구조일 수 있다. 그리고, 제3, 제4 차광 금속(106c-3, 106d-3)은 게이트선(102)으로부터 위 일측과는 반대 방향인 타측으로 이격된 구조일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속은 데이터 배선(132, 134, 136) 또는 게이트 배선(102, 104)으로부터 돌출된 구조 혹은 이격된 구조로 구현될 수 있으나, 이는 예시적인 것으로, 차광 금속의 일부는 데이터 배선(132, 134, 136) 또는 게이트 배선(102, 104)으로부터 돌출된 구조로 구현되고, 차광 금속의 다른 일부는 데이터 배선(132, 134, 136) 또는 게이트 배선(102, 104)으로부터 이격된 구조로 구현될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속은 데이터 배선(132, 134, 136) 또는 게이트 배선(102, 104)과 동일 레벨 상에 구현되는 경우를 예시하였으나, 이는 예시적인 것으로, 차광 금속은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩된다면 이에 국한되지 않고 이와는 다른 레벨 상에 배치될 수 있음은 물론이다.
다음으로, 상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 9는 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
먼저, 도 1, 도 2, 및 도 9를 참조하면, 제1 기판(100) 상에 게이트 배선(102, 104)을 형성한다.
투명한 물질, 예를 들어 유리 및 석영을 포함하는 제1 기판(100) 위에 제1 금속층(미도시)을 형성한다. 제1 금속층(미도시)은 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다. 제1 금속층(미도시)은 일례로, 스퍼터링 공정에 의해 증착된다. 이어서, 노광 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 제1 금속층(미도시)을 패터닝하여 게이트선(102) 및 게이트 전극(104)을 포함하는 게이트 배선(102, 104)을 형성한다. 게이트 전극(104)은 게이트선(102)으로부터 분기된 돌기형태일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 금속을 게이트 배선(102, 104)과 동일한 공정을 통해 형성할 수 있다. 예를 들어, 전술한 액정 표시 장치(10-2, 10-3, 10-4, 10-5)를 제조하는 경우, 위 제1 금속층을 패터닝하는 공정은 형성하려는 차광 금속(10-2의 경우 도 5의 106a, 106b, 106c, 106d, 10-3의 경우 도 6의 106a-1, 106b-1, 106c-1, 106d-1, 10-4의 경우 도 7의 106c-2, 106d-2, 10-5의 경우 도 8의 106c-3, 106d-3)의 형상을 고려하여 수행될 수 있다. 차광 금속은 이후 단계에서 형성할 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
다음으로, 도 10을 참조하면, 게이트 배선(102, 104) 상에 게이트 절연막(112)을 형성한다. 게이트 절연막(112)은 플라즈마 화학 기상 증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition: PECVD) 방법을 통해 형성될 수 있으며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiO2) 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 11을 참조하면, 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124)을 게이트 절연막(112) 상에 형성한다. 반도체층(122)은 수소화 비정질 실리콘(hydrogenated amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘을 이용하여 형성할 수 있다. 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124)은 사진 식각 공정을 통해 형성할 수 있다.
다음으로, 도 1 내지 도 3, 및 도 12를 참조하면, 게이트선(102)과 교차하여 단위 화소를 정의하는 데이터선(132)과 소스 전극(134) 및 드레인 전극(136)을 포함하는 데이터 배선(132, 134, 136)을 사진 식각 공정을 통해 게이트 절연막(112), 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124) 상에 형성한다. 데이터 배선(132, 134, 136)은 게이트 배선(102, 104)과 마찬가지로 알루미늄, 구리, 은, 몰리브덴, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으며, 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 층으로 형성될 수 있다
차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 데이터 배선(132, 134, 136)과 동일 공정 과정을 통해 동일 레벨 상에 형성될 수 있다. 구체적으로. 게이트 절연막(112) 상에 제2 금속층(미도시)을 형성한다. 제2 금속층(미도시)은 일례로, 스퍼터링 공정에 의해 증착된다. 이어서, 노광 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 제2 금속층(미도시)을 패터닝하여 데이터 배선(132, 134, 136) 및 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)을 형성한다. 위 제2 금속층을 패터닝하는 공정은 형성하려는 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)의 형상을 고려하여 수행될 수 있다. 전술한 액정 표시 장치(10-1, 10-4, 10-5)를 제조하는 경우, 위 제1 금속층을 패터닝하는 공정은 형성하려는 차광 금속(10-1의 경우 도 4의 138a-1, 138b-1, 138c-1, 138d-1, 10-4의 경우 도 7의 138a-2, 138b-2, 10-5의 경우 도 8의 138a-3, 138b-3)의 형상을 고려하여 수행될 수 있다. 차광 금속은 이후 단계에서 형성할 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩될 수 있다.
본 실시예에서 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124)과 데이터 배선(132, 134, 136)을 별개의 사진 식각 공정을 통해 형성하는 것으로 예시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 반도체층(122), 저항성 접촉층(124), 및 데이터 배선(132, 134, 136)은 하나의 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 형성할 수 있다. 이 경우, 데이터선(132)의 하부에 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124)의 잔존물이 남을 수 있다. 달리 말해, 반도체층(122) 및 저항성 접촉층(124)은 선형으로 구현될 수 있다. 반도체층(122)은 게이트 전극(104), 소스 전극(134), 및 드레인 전극(136)과 함께 박막 트랜지스터를 구성하며, 채널을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 13을 참조하면, 박막 트랜지스터가 형성된 제1 기판(102) 상에 제1 보호막(142-1)을 형성한다. 제1 보호막(142-1)은 예를 들어, 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등의 무기물 등으로 형성될 수 있으며, 플라즈마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition: PECVD)으로 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 물질 등을 포함하여 형성될 수 있다.
다음으로, 도 14를 참조하면, 제1 보호막(142-1) 상에 컬러 필터(152)를 형성한다. 컬러 필터(152)는 화소 영역에 배치될 수 있으며, R(red) 필터, G(green) 필터, 및 B(blue) 필터를 포함할 수 있다. 컬러 필터(152)는 안료를 포함하는 감광성 유기물로 형성될 수 있다.
컬러 필터(152)는 사진 식각 공정이나 잉크젯 프린팅 방법 등에 의해 형성할 수 있으며, 이 외에도 다양한 방법이 적용될 수도 있다.
다음으로, 도 15를 참조하면, 제1 보호막(142-1) 및 컬러 필터(152)상에 제1 유기막(154-1)을 형성한다. 제1 유기막(154-1)은 평탄화 특성이 우수하며, 감광성(photosensitivity)을 가지는 물질로 형성할 수 있다. 제1 유기막(154-1)은 스핀 코팅(spin coating) 방법 또는 슬릿 코팅(slit coating) 방법으로 형성하거나 스핀 코팅과 슬릿 코팅 방법을 동시에 사용하여 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 16을 참조하면, 제1 보호막(142-1) 및 제1 유기막(154-1)에 드레인 전극(136)의 적어도 일부를 노출시키는 컨택홀(136a)을 형성한다. 구체적으로, 제1 유기막(154-1)에 컨택홀(136a)을 형성하여 유기층(154)을 형성하며, 이어서 제1 보호막(142-1)에 컨택홀(136a)을 형성하여 제1 보호층(142)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 17을 참조하면, 유기층(154) 및 제1 보호막(142-1) 상에 공통 전극(162)을 형성한다. 공통 전극(162)은 컨택홀(136a)이 형성된 영역을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 공통 전극(162)은 위 개구부를 제외한 게이트선(102)과 데이터선(132)으로 둘러싸인 화소 영역 전체에 걸쳐 일체형으로 형성될 수 있다. 공통 전극(162)은 다결정, 단결정 또는 비정질의 ITO(indium tin oxide), 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 도 18을 참조하면, 공통 전극(162) 및 유기층(154) 상에 제2 보호층(172)을 형성한다. 제2 보호층(172)은 컨택홀(136a)이 형성된 영역을 노출시키는 개구부를 포함할 수 있다. 제2 보호층(172)은 무기 절연물질 예를 들어 질화 실리콘 또는 산화 실리콘 등을 공통 전극(162) 및 유기층(154) 상에 증착하는 과정 및 이를 패턴화하여 컨택홀(136a)이 형성된 영역을 노출하는 과정을 포함하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 19를 참조하면, 제2 보호층(172) 및 유기층(154) 상에 화소 전극(182)을 형성한다. 구체적으로, 화소 전극(182)은 제2 보호층(172)에 형성된 개구부와 유기층(154) 및 제1 보호층(142)에 형성된 컨택홀(136a)을 통해 노출된 드레인 전극(136)의 적어도 일부와 접촉할 수 있도록 형성할 수 있다. 이와 같은 접촉을 통해, 화소 전극(182)은 드레인 전극(136)과 전기적으로 연결/접속될 수 있다.
다음으로, 도 1 내지 도 3, 및 도 20을 참조하면, 화소 전극(182) 및 제2 보호층(172) 상에 차광 패턴(192)을 형성한다.
차광 패턴(192)은 액정층(300)에 포함된 액정 분자가 동작하지 않는 영역 예를 들어, 박막 트랜지스터 영역 및 비화소 영역(화소와 화소 사이, 게이트선 및 데이터선 영역)에 형성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 차광 패턴(192)은 도 1에 도시된 바와 같이 게이트선(102)의 연장 방향으로 연장된 형상으로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 다른 실시예에서 차광 패턴(192)은 데이터선(132) 영역에도 더 배치되어 격자 형상으로 형성될 수도 있다.
차광 부재(192)는 블랙 염료나 안료를 포함하는 블랙 유기 고분자 물질이나, 크롬, 크롬 산화물 등의 금속(금속 산화물) 등을 이용하여 형성할 수 있다.
다음으로, 차광 패턴(192) 상에 컬럼 스페이서(194)를 형성한다. 컬럼 스페이서(194)를 도 20에 도시된 바와 같이, 차광 패턴(192)과 일체형으로 이와 동시에 형성할 수 있다. 예를 들어, 하프톤 마스크나 슬릿 마스크 노광을 통해, 컬럼 스페이서(194)와 차광 부재(192)를 동일한 물질로 동일한 패터닝 공정을 통해 형성할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 이에 국한되는 것은 아니다.
컬럼 스페이서(194)를 도 20에 도시된 바와 같이 박막 트랜지스터에 대응되는 영역에 형성할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 컬럼 스페이서(194)의 형성 위치가 이에 국한되는 것은 아니다.
다음으로, 도 21을 참조하면, 제1 기판(100) 및 제2 기판(200) 각각에 배향막(PI)을 형성한다. 다음으로, 제1 기판(100)에 양의 유전율 이방성 또는 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 분자를 도포하여 액정층(300)을 형성한다. 다음으로, 액정층(300)이 형성된 제1 기판(100)을 제2 기판(200)과 결합한다.
한편, 차광 패턴(192)과 컬럼 스페이서(194)를 동시에 형성하는 경우에 있어서, 외력에 의해 패널이 휘어지는 경우를 가정하면, 컬럼 스페이서(194)에 의해 제2 기판(200)에 배치된 배향막(PI)에 스크래치가 생겨 빛샘이 발생할 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)의 제조 방법은 차광 패턴(192)을 위와 같은 스크래치로 인한 빛샘을 방지하기 위해 덧댐부(196, 198)를 포함하여 형성할 수 있다. 덧댐부(196, 198)는 하나의 패터닝 공정을 통해 차광 패턴(192)과 동시에 일체형으로 형성될 수 있다. 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 즉, 차광 패턴(192), 덧댐부(196, 198), 및 컬럼 스페이서(194)는 동일한 물질로 하나의 패터닝 공정을 통해 일체형으로 형성될 수 있다.
덧댐부(196, 198)의 배치 및 사이즈는 차광 패턴(192)과 컬럼 스페이서(194)간 위치 관계에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이 컬럼 스페이서(194)가 차광 패턴(192)의 폭(W2)을 기준으로 중심부에 배치된 경우, 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)으로부터 일측 및 위 일측의 반대측인 타측으로 돌출된/분지된 구조로 구현될 수 있다.
한편, 덧댐부(196, 198)는 차광 패턴(192)으로부터 돌출된 구조로 구현됨에 따라 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계를 포함할 수 있다. 이렇게 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역에서는 액정의 제어가 원활하게 이루어질 수 없어서 빛샘이 발생할 수 있다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치(10)의 제조 방법은 위 덧댐부(196, 198)의 구비로 인한 빛샘을 방지하기 위해 전술한 바와 같이 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)을 형성할 수 있다. 즉, 차광 금속(138a, 138b, 138c, 138d)은 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역과 중첩되도록 형성될 수 있고, 이를 통해 덧댐부(196, 198)의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 인접 영역에서 액정의 제어가 원활하지 않아 발생하는 빛샘을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 제1 기판
200: 제2 기판
300: 액정층
102: 게이트선
104: 게이트 전극
112: 게이트 절연막
122: 반도체층
124: 저항성 접촉층
132: 데이터선
134: 소스 전극
136: 드레인 전극
142: 제1 보호층
152: 유기층
162: 공통 전극
172: 제2 보호층
182: 화소 전극
192: 차광 패턴
194: 메인 컬럼 스페이서
196, 198: 덧댐부
138a, 138b, 138c, 138d: 차광 금속

Claims (20)

  1. 서로 대향된 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치된 액정층;
    상기 제1 기판 상에 배치되고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서;
    상기 제1 기판 상에 배치되고, 제1 방향으로 연장된 베이스부 및 상기 컬럼 스페이서의 주변에서 상기 베이스부로부터 분지되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 덧댐부를 포함하는 차광 패턴; 및
    상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된 차광 금속을 포함하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 적어도 일부와 더 중첩된 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 배치된 게이트 배선 및 데이터 배선을 포함하고,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나와 동일 레벨 상에 배치된 액정 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 데이터 배선은 드레인 전극을 포함하고,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 드레인 전극과 일체형인 액정 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 데이터 배선과 분리된 액정 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 게이트 배선과 일체형인 액정 표시 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 배치되고 상기 게이트 배선과 분리된 액정 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 덧댐부는 사각 형상인 액정 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 덧댐부는 상기 컬럼 스페이서의 일측에 배치된 제1 덧댐부, 및 상기 일측의 반대측인 타측에 배치된 제2 덧댐부를 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 상에 배치되고, 상호 교차 배열되어 단위 화소를 정의하는 게이트선 및 데이터선을 포함하고,
    상기 차광 패턴은 상기 게이트선의 연장 방향과 동일한 방향으로 연장된 형상이고, 상기 덧댐부는 상기 게이트선의 연장 방향의 수직한 방향으로 돌출된 액정 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 액정의 배향 방향과 상기 게이트선의 연장 방향은 동일한 액정 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 차광 패턴과 상기 컬럼 스페이서는 일체형인 액정 표시 장치.
  13. 제1 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
    제1 기판 상에 데이터 배선을 형성하는 단계;
    제1 기판 상에 차광 금속을 형성하는 단계; 및
    상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 상에 차광 패턴 및 컬럼 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 차광 패턴은 제1 방향으로 연장된 베이스부 및 상기 컬럼 스페이서의 주변에서 상기 베이스부로부터 분지되어 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 돌출된 덧댐부를 포함하고,
    상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계로부터 외측으로 인접한 영역 중 적어도 일부와 중첩된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 차광 금속은 상기 덧댐부의 경계 중 액정의 배향 방향과 수평하지 않은 경계의 적어도 일부와 더 중첩된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선 또는 상기 데이터 배선 중 적어도 어느 하나와 동시에 형성된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 데이터 배선은 드레인 전극을 포함하고,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 상기 드레인 전극과 일체형으로 형성된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 데이터 배선과 동일 레벨 상에 상기 데이터 배선과 분리되어 형성된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 상기 게이트 배선과 일체형으로 형성된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제13항에 있어서,
    상기 차광 금속의 적어도 일부는 상기 게이트 배선과 동일 레벨 상에 상기 게이트 배선과 분리되어 형성된 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 덧댐부는 사각 형상인 액정 표시 장치의 제조 방법.
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