KR102395784B1

KR102395784B1 - 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Info

Publication number: KR102395784B1
Application number: KR1020180034760A
Authority: KR
Inventors: 최화일; 곽승연; 구현; 김성준; 김지환; 최현호; 홍석환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2017-03-27
Filing date: 2018-03-26
Publication date: 2022-05-10
Anticipated expiration: 2038-03-26
Also published as: EP3381926A1; US10913758B2; US20180273562A1; CN108666431B; KR20180109735A; CN108666431A; EP3381926B1

Abstract

유기금속 화합물, 상기 유기금속 화합물을 포함한 유기 발광 소자 및 상기 유기금속 화합물을 포함한 진단용 조성물이 개시된다.

Description

유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자{Organometallic compound and organic light emitting device including the same}

유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물이 제시된다.

유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서, 시야각, 응답 시간, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 등이 우수하고, 다색화가 가능하다.

일예에 따르면, 유기 발광 소자는, 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층 포함할 수 있다. 상기 애노드와 발광층 사이에는 정공 수송 영역이 구비될 수 있고, 상기 발광층과 캐소드 사이에는 전자 수송 영역이 구비될 수 있다. 상기 애노드로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.

한편, 각종 세포, 단백질 등과 같은 생물학적 물질의 모니터링, 센싱, 검출 등에도 발광 화합물, 예를 들면, 인광 발광 화합물이 사용될 수 있다.

신규 유기금속 화합물, 이를 채용한 유기 발광 소자 및 이를 채용한 진단용 조성물을 제공하는 것이다.

일측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물이 제공된다:

<화학식 1>

M(L₁₁)_n1(L₁₂)_n2

<화학식 2>

상기 화학식 1 및 2 중,

M은 제3열 전이 금속(third row transition metal)이고,

L₁₁은 상기 화학식 2로 표시되는 리간드이고, n1은 1 또는 2이고, n1이 2일 경우 2개의 L₁₁은 서로 동일하거나 상이하고,

L₁₂는 유기 리간드이고, n2는 0, 1, 2 또는 3이고, n2가 2 이상일 경우 2 이상의 L₁₂는 서로 동일하거나 상이하고,

X₁은 B(R₇), N(R₇), P(R₇) 또는 As(R₇)이고,

X₂ 및 X₃는 서로 독립적으로, N 또는 C이고,

CY₁ 내지 CY₄는 서로 독립적으로, C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,

T₁ 및 T₂는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N[(L₅)_b5-(R₅)_c5]-*', *-B(R₅)-*', *-P(R₅)-*', *-C(R₅)(R₆)-*', *-Si(R₅)(R₆)-*', *-Ge(R₅)(R₆)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)₂-*', *-C(R₅)=*', *=C(R₅)-*', *-C(R₅)=C(R₆)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고,

L₁ 내지 L₅는 서로 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,

b1 내지 b5는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,

R₅ 및 R₆은 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 제1연결기를 통하여 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -SF₅, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₁)(Q₂), -Si(Q₃)(Q₄)(Q₅), -B(Q₆)(Q₇) 및 -P(=O)(Q₈)(Q₉) 중에서 선택되고,

c1 내지 c5는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,

a1 내지 a4은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,

서로 이웃한 복수의 R₁ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

서로 이웃한 복수의 R₂ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

서로 이웃한 복수의 R₃ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

서로 이웃한 복수의 R₄ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

R₁ 내지 R₄ 중 이웃한 2 이상은 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

상기 화학식 2 중 *, *' 및 *"은 각각 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,

상기 치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₁₁)(Q₁₂), -Si(Q₁₃)(Q₁₄)(Q₁₅), -B(Q₁₆)(Q₁₇) 및 -P(=O)(Q₁₈)(Q₁₉) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;

C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₂₁)(Q₂₂), -Si(Q₂₃)(Q₂₄)(Q₂₅), -B(Q₂₆)(Q₂₇) 및 -P(=O)(Q₂₈)(Q₂₉) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및

-N(Q₃₁)(Q₃₂), -Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅), -B(Q₃₆)(Q₃₇) 및 -P(=O)(Q₃₈)(Q₃₉);

중에서 선택되고,

상기 Q₁ 내지 Q₉, Q₁₁ 내지 Q₁₉, Q₂₁ 내지 Q₂₉ 및 Q₃₁ 내지 Q₃₉는 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, 중수소, C₁-C₆₀알킬기 및 C₆-C₆₀아릴기 중 적어도 하나로 치환된 C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, 중수소, C₁-C₆₀알킬기 및 C₆-C₆₀아릴기 중 적어도 하나로 치환된 C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.

다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층은 상기 유기금속 화합물을 1종 이상을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.

상기 유기층 중 유기금속 화합물은 도펀트의 역할을 할 수 있다.

또 다른 측면에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한, 진단용 조성물이 제공된다.

상기 유기금속 화합물은 우수한 전기적 특성 및 열적 안정성을 갖는 바, 상기 유기금속 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 우수한 구동 전압, 효율, 전력, 색순도 및 수명 특성을 갖는다. 또한, 상기 유기금속 화합물은 우수한 인광 발광 특성을 가지므로, 이를 이용하면, 높은 진단 효율을 갖는 진단용 조성물을 제공할 수 있다.

도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

상기 유기금속 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:

<화학식 1>

M(L₁₁)_n1(L₁₂)_n2

상기 화학식 1 중 M은 제3열 전이 금속(third row transition metal)이다.

예를 들어, 상기 화학식 1 중 M은 Os, Pt, Pd, Au, Ru, Re, Rd, Rh 또는 Ir일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 M은 Os, Ru, Pt 또는 Pt일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 양이온과 음이온의 이온쌍으로 이루어지지 않은 중성(neutral)일 수 있다.

상기 화학식 1 중 L₁₁은 하기 화학식 2로 표시되는 리간드이고, n1은 1 또는 2이고, n1이 2일 경우 2개의 L₁₁은 서로 동일하거나 상이하고, L₁₂는 유기 리간드이고, n2는 0, 1, 2 또는 3이고, n2가 2 이상일 경우 2 이상의 L₁₂는 서로 동일하거나 상이하다.

<화학식 2>

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 M은 Os이고, n1은 1 또는 2이거나, 또는, M은 Pt이고, n1 및 n2는 1이고, L₁₂는 일배위(monodentate) 유기 리간드일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 2 중 X₁은 B(R₇), N(R₇), P(R₇) 또는 As(R₇)일 수 있다.

상기 R₇은 상기 화학식 1 중 M과 연결되지 않고, 상기 화학식 2의 CY₁ 내지 CY₄, T₁ 및 T₂ 중 어느 것과도 연결되지 않는다.

예를 들어, 상기 X₁은 P(R₇)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 2 중 X₂ 및 X₃는 서로 독립적으로, N 또는 C일 수 있다.

상기 화학식 1 및 2 중 X₂와 M 사이의 결합 및 X₃와 M 사이의 결합 중 적어도 하나는 공유 결합일 수 있다.

예를 들어, 상기 화학식 1 및 2 중 X₂와 M 사이의 결합 및 X₃와 M 사이의 결합 중 하나의 결합은 공유 결합이고, 나머지 하나의 결합은 공유 결합 또는 배위 결합일 수 있다.

예를 들어, X₂는 N이고 X₃는 C이거나, X₂는 C이고 X₃는 N이거나, 또는 X₂ 및 X₃가 모두 N일 수 있다.

상기 화학식 2 중 CY₁ 내지 CY₄는 서로 독립적으로, C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택될 수 있다.

예를 들어, 상기 CY₁ 내지 CY₄는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조보롤 그룹, 벤조포스폴 그룹, 인덴 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조저몰 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조셀레노펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조보롤 그룹, 디벤조포스폴 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조저몰 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조셀레노펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 5-옥사이드 그룹, 9H-플루오렌-9-온 그룹, 디벤조티오펜 5,5-다이옥사이드 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조보롤 그룹, 아자디벤조포스폴 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조저몰 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조셀레노펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 5-옥사이드 그룹, 아자-9H-플루오렌-9-온 그룹, 아자디벤조티오펜 5,5-다이옥사이드 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹, 5,6,7,8-테트라히드로이소퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroisoquinoline) 그룹 및 5,6,7,8-테트라히드로퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroquinoline) 그룹 중에서 선택될 수 있다.

상기 화학식 2 중 T₁ 및 T₂는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N[(L₅)_b5-(R₅)_c5]-*', *-B(R₅)-*', *-P(R₅)-*', *-C(R₅)(R₆)-*', *-Si(R₅)(R₆)-*', *-Ge(R₅)(R₆)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)₂-*', *-C(R₅)=*', *=C(R₅)-*', *-C(R₅)=C(R₆)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택될 수 있다.

상기 L₁ 내지 L₅는 서로 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택될 수 있다.

예를 들어, 상기 L₁ 내지 L₅는 서로 독립적으로,

단일 결합, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹 및 벤조티아디아졸 그룹; 및

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 플루오레닐기, 디메틸플루오레닐기, 디페닐플루오레닐기, 카바졸일기, 페닐카바졸일기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조실롤일기, 디메틸디벤조실롤일기, 디페닐디벤조실롤일기, -N(Q₃₁)(Q₃₂), -Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅), -B(Q₃₆)(Q₃₇) 및 -P(=O)(Q₃₈)(Q₃₉) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 퓨란 그룹, 티오펜 그룹, 실롤 그룹, 인덴 그룹, 플루오렌 그룹, 인돌 그룹, 카바졸 그룹, 벤조퓨란 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 벤조티오펜 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 벤조실롤 그룹, 디벤조실롤 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피롤 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹 및 벤조티아디아졸 그룹;

중에서 선택되고,

Q₃₁ 내지 Q₃₉는 서로 독립적으로,

-CH₃, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CH₂CH₃, -CH₂CD₃, -CH₂CD₂H, -CH₂CDH₂, -CHDCH₃, -CHDCD₂H, -CHDCDH₂, -CHDCD₃, -CD₂CD₃, -CD₂CH₃, -CD₂CD₂H 및 -CD₂CDH₂;

n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및

중수소, C₁-C₁₀알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기;

중에서 선택될 수 있다.

상기 b1 내지 b5는 각각 L₁ 내지 L₅의 개수를 나타낸 것으로서, 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택될 수 있다. b1이 2 이상일 경우 2 이상의 L₁은 서로 동일하거나 상이하고, b2가 2 이상일 경우 2 이상의 L₂는 서로 동일하거나 상이하고, b3가 2 이상일 경우 2 이상의 L₃는 서로 동일하거나 상이하고, b4가 2 이상일 경우 2 이상의 L₄는 서로 동일하거나 상이하고, b5가 2 이상일 경우 2 이상의 L₅는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.

예를 들어, 상기 b1 내지 b5는 서로 독립적으로, 1 또는 2일 수 있다.

상기 R₅ 및 R₆은 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 제1연결기를 통하여 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹(예를 들면, 탄소수 5 또는 6의 5원 내지 7원 시클릭 그룹; 또는 중수소, 시아노기, -F, C₁-C₁₀알킬기 및 C₆-C₁₄아릴기 중 적어도 하나로 치환된, 탄소수 5 또는 6의 5원 내지 7원 시클릭 그룹)을 형성할 수 있다.

상기 제1연결기는, *-O-*', *-S-*', *-C(R₈)(R₉)-*', *-C(R₈)=*', *=C(R₈)-*', *-C(R₈)=C(R₉)-*', *-C(=O)-*', *-C(=S)-*', *-C≡C-*', *-N(R₈)-*', *-Si(R₈)(R₉)-*' 및 *-P(R₈)(R₉)-*' 중에서 선택될 수 있고, R₈ 및 R₉에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하고, * 및 *'은 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.

일 구현예에 따르면, T₁ 및 T₂는 단일 결합일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -SF₅, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₁)(Q₂), -Si(Q₃)(Q₄)(Q₅), -B(Q₆)(Q₇) 및 -P(=O)(Q₈)(Q₉) 중에서 선택될 수 있다.

예를 들어, 상기 R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로,

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, -SF₅, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₁₀알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중 적어도 하나로 치환된, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;

시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및

-N(Q₁)(Q₂), -Si(Q₃)(Q₄)(Q₅), -B(Q₆)(Q₇) 및 -P(=O)(Q₈)(Q₉);

중에서 선택되고,

Q₁ 내지 Q₉는 서로 독립적으로,

중에서 선택될 수 있다.

또 다른 예로서, 상기 R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, 니트로기, -SF₅, -CH₃, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 하기 화학식 9-1 내지 9-19로 표시되는 그룹, 하기 화학식 10-1 내지 10-139로 표시되는 그룹, -N(Q₁)(Q₂), -Si(Q₃)(Q₄)(Q₅), -B(Q₆)(Q₇) 및 -P(=O)(Q₈)(Q₉) (여기서, Q₁ 내지 Q₉에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조함) 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:

상기 화학식 9-1 내지 9-19 및 10-1 내지 10-139 중 Ph는 페닐기이고, TMS는 트리메틸실릴기이고, *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.

상기 c1 내지 c5는 각각 R₁ 내지 R₅의 개수를 나타낸 것으로서, 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택될 수 있다. c1이 2 이상일 경우 2 이상의 R₁은 서로 동일하거나 상이하고, c2가 2 이상일 경우 2 이상의 R₂는 서로 동일하거나 상이하고, c3가 2 이상일 경우 2 이상의 R₃는 서로 동일하거나 상이하고, c4가 2 이상일 경우 2 이상의 R₄는 서로 동일하거나 상이하고, c5가 2 이상일 경우 2 이상의 R₅는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 c1 내지 c5는 서로 독립적으로, 1, 2 또는 3일 수 있다.

상기 a1 내지 a4은 각각, *-(L₁)_b1-(R₁)_c1, *-(L₂)_b2-(R₂)_c2, *-(L₃)_b3-(R₃)_c3 및 *-(L₄)_b4-(R₄)_c4의 개수를 나타낸 것으로서, 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택될 수 있다. a1이 2 이상일 경우, 2 이상의 *-(L₁)_b1-(R₁)_c1는 서로 동일하거나 상이하고, a2가 2 이상일 경우, 2 이상의 *-(L₂)_b2-(R₂)_c2는 서로 동일하거나 상이하고, a3이 2 이상일 경우, 2 이상의 *-(L₃)_b3-(R₃)_c3은 서로 동일하거나 상이하고, a4가 2 이상일 경우, 2 이상의 *-(L₄)_b4-(R₄)_c4는 서로 동일하거나 상이하다. 예를 들어, 상기 a1 내지 a4는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택될 수 있다.

상기 화학식 1 중 서로 이웃한 복수의 R₁ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, 서로 이웃한 복수의 R₂ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, 서로 이웃한 복수의 R₃ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, 서로 이웃한 복수의 R₄ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고, R₁ 내지 R₄ 중 이웃한 2 이상은 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있다. 이때, R₁ 내지 R₄에 대한 상기 설명 중, '서로 이웃한' 또는 '이웃한'은 '공유 결합으로 서로 연결되어 위치한 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 각각 결합된' 것을 의미한다.

예를 들어, 상기 화학식 1 중 서로 이웃한 복수의 R₁ 중 2개, 서로 이웃한 복수의 R₂ 중 2개, 서로 이웃한 복수의 R₃ 중 2개, 서로 이웃한 복수의 R₄ 중 2개 및 R₁ 내지 R₄ 중 이웃한 2 이상이, 각각 선택적으로, 서로 결합하여, 형성할 수 있는, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹은,

펜타디엔 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헵탄 그룹, 아다만탄 그룹, 비시클로-헵탄(bicycle-heptanes) 그룹, 비시클로-옥탄 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 테트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 디하이드로나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 인덴 그룹, 인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 아자벤조티오펜 그룹, 아자벤조퓨란 그룹, 아자인덴 그룹, 아자인돌 그룹 및 아자벤조실롤 그룹;

적어도 하나의 R₁₁로 치환된, 펜타디엔 그룹, 시클로헥산 그룹, 시클로헵탄 그룹, 아다만탄 그룹, 비시클로-헵탄(bicycle-heptanes) 그룹, 비시클로-옥탄 그룹, 벤젠 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 테트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 디하이드로나프탈렌 그룹, 페날렌 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 인덴 그룹, 인돌 그룹, 벤조실롤 그룹, 아자벤조티오펜 그룹, 아자벤조퓨란 그룹, 아자인덴 그룹, 아자인돌 그룹 및 아자벤조실롤 그룹;

중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 R₁₁에 대한 설명은 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조한다.

본 명세서 중 "아자벤조티오펜, 아자벤조퓨란, 아자인덴, 아자인돌, 아자벤조실롤, 아자디벤조티오펜, 아자디벤조퓨란, 아자플루오렌, 아자카바졸 및 아자디벤조실롤"은 각각, "벤조티오펜, 벤조퓨란, 인덴, 인돌, 아자벤조실롤, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 플루오렌, 카바졸 및 디벤조실롤"과 동일한 백본을 갖되, 이들의 고리를 형성하는 탄소들 중 적어도 하나가 질소로 치환된, 헤테로환을 의미한다.

일 구현에에 따르면, 상기 화학식 2 중

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY1-1 내지 CY1-12 중 하나로 표시될 수 있다:

상기 화학식 CY1-1 내지 CY1-12 중

X₁, R₁ 및 R₂에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,

a14는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,

a13 및 a23은 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,

a12 및 a22는 서로 독립적으로, 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,

*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,

*"'는 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.

다른 구현에에 따르면, 상기 화학식 2 중

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY3-1 내지 CY3-9 중 하나로 표시될 수 있다:

상기 화학식 CY3-1 내지 CY3-9 중

X₂ 및 R₃에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,

a35는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,

a34는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,

a33은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,

a32는 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,

*'은 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,

*"' 및

는 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.

또 다른 구현에에 따르면, 상기 화학식 2 중

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY4-1 내지 CY4-40 중 하나로 표시될 수 있다:

상기 화학식 CY4-1 내지 CY4-40 중

X₃ 및 R₄에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고,

X₄₁은 O, S, N(R₄₁) 또는 C(R₄₁)(R₄₂)이고,

R₄₁ 내지 R₄₈에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R₄에 대한 설명을 참조하고,

a46은 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,

a45는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,

a44는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,

a43은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,

a42는 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,

*"은 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,

는 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.

또 다른 구현예에 따르면,

상기 화학식 2 중

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY1(1)로 표시되고 (표시되거나),

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY3(1) 내지 CY3(11) 중 하나로 표시되고 (표시되거나),

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY4(1) 내지 CY4(23) 중 하나로 표시될 수 있다:

상기 화학식 CY1(1), CY3(1) 내지 CY3(11) 및 CY4(1) 내지 CY4(23) 중 X₁ 내지 X₃, R₃ 및 R₄에 대한 설명은 각각 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, X₄₁은 O, S, N(R₄₁) 또는 C(R₄₁)(R₄₂)이고, R_4a 내지 R_4d, R₄₁ 및 R₄₂에 대한 설명은 각각 R₄에 대한 설명을 참조하되, R₃, R₄, R_4a 내지 R_4d, R₄₁ 및 R₄₂는 수소가 아니고, *, *' 및 *"은 각각 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고, *'" 및

는 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.

상기 화학식 1 중 L₁₂는 하기 3A 내지 3D 및 6-1로 표시되는 리간드 중에서 선택될 수 있다:

상기 화학식 3A 내지 3D 중,

Y₁₁은 O, N, N(Z₁), P(Z₁)(Z₂) 및 As(Z₁)(Z₂) 중에서 선택되고,

Y₁₂은 O, N, N(Z₃), P(Z₃)(Z₄) 및 As(Z₃)(Z₄) 중에서 선택되고,

T₁₁은 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-C(Z₁₁)(Z₁₂)-*', *-C(Z₁₁)=C(Z₁₂)-*', *=C(Z₁₁)-*', *-C(Z₁₁)=*', *=C(Z₁₁)-C(Z₁₂)=C(Z₁₃)-*', *-C(Z₁₁)=C(Z₁₂)-C(Z₁₃)=*', *-N(Z₁₁)-*'및 치환 또는 비치환된 C₆-C₃₀아릴렌기 중에서 선택되고,

a11은 1 내지 5 중에서 선택된 정수이고,

Y₁₃ 내지 Y₁₆은 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고, Y₁₃과 Y₁₄ 사이의 결합은 단일 결합 또는 이중 결합이고, Y₁₅와 Y₁₆ 사이의 결합은 단일 결합 또는 이중 결합이고,

CY₁₁ 내지 CY₁₃은 서로 독립적으로, C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 C₂-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,

Z₁ 내지 Z₄ 및 Z₁₁ 내지 Z₁₃에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하고,

d1 및 d2는 서로 독립적으로, 0 내지 10으로부터 선택된 정수이고,

* 및 *'은 상기 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이고,

상기 화학식 6-1 중,

T₃는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R₆₂)(R₆₃)-*', *-C(R₆₂)=*', *=C(R₆₂)-*', *-C(R₆₂)=C(R₆₃)-*', *-C(=O)-*', *-C(=S)-*', *-C≡C-*' 및 *-N(R₆₂)-*' 중에서 선택되고,

t3는 1 내지 5 중에서 선택된 정수이고,

R₆₁ 내지 R₆₃에 대한 설명은, 각각, 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하거나 -P(Q₄₁)(Q₄₂)(Q₄₃)이고,

상기 Q₄₁ 내지 Q₄₃에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하고,

*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 L₁₂는 상기 화학식 6-1로 표시되는 리간드 중에서 선택되되, 상기 화학식 6-1의 T₃는 단일 결합이 아닐 수 있다.

다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 L₁₂는 하기 화학식 12-2 내지 12-5로 표시되는 리간드 중에서 선택될 수 있다:

상기 화학식 12-1 내지 12-5 중,

고리 A₄는 시클로펜텐, 시클로헥센, 시클로헵텐, 벤젠, 인덴, 나프탈렌, 아줄렌, 헵탈렌, 인다센, 아세나프틸렌, 플루오렌, 스파이로-비플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타센, 헥사센, 펜타센, 루비센, 코로젠, 오발렌, 피롤, 티오펜, 퓨란, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 나프티리딘, 카바졸, 페난트롤린, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 트리아진, 디벤조퓨란, 디벤조티오펜, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 이미다조피리딘 및 이미다조피리미딘 중에서 선택되고,

고리 A₅는 피롤, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 이소인돌, 인돌, 인다졸, 푸린, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 시놀린, 나프티리딘, 카바졸, 페난트롤린, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 벤조티아졸, 이소벤조티아졸, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 트리아진, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 이미다조피리딘 및 이미다조피리미딘 중에서 선택되고,

고리 A₆는 퓨란, 옥사졸, 이속사졸, 벤조퓨란, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 옥사디아졸 및 디벤조퓨란 중에서 선택되고,

고리 A₇은 티오펜, 티아졸, 이소티아졸, 벤조티오펜, 벤조티아졸, 이소벤조티아졸, 티아디아졸 및 디벤조티오펜 중에서 선택되고,

Z₁에 대한 설명은 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하고,

복수 개의 Z₁ 중 이웃한 2 이상은 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₂-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,

e1은 0 내지 8 중에서 선택된 정수이고,

*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.

또 다른 구현예에 따르면, 상기 화학식 1 중 L₁₂는 하기 화학식 13-1 내지 13-47 및 14-1 내지 14-28로 표시되는 리간드 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:

상기 화학식 13-1 내지 13-47 및 14-1 내지 14-28 중,

R₆₁ 내지 R₆₃, Q₄₁ 내지 Q₄₃ 및 Z₁ 내지 Z₃에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 R₁에 대한 설명을 참조하고,

d2는 0 내지 2 중에서 선택된 정수이고,

d3는 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고,

d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,

d5는 0 내지 5 중에서 선택된 정수이고,

d6는 0 내지 6 중에서 선택된 정수이고,

d7은 0 내지 7 중에서 선택된 정수이고,

d8은 0 내지 8 중에서 선택된 정수이고,

*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.

예를 들어, 상기 유기금속 화합물은 하기 화합물 1 내지 46 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:

상기 화합물 1 내지 46 중 ^tBu는 tert-부틸이다.

상기 화학식 2로 표시되는 리간드는

로 표시되는 모이어티를 갖는 3배위 리간드이다. 따라서, 상기 화학식 2로 표시되는 리간드 중 M, X₁, CY₂, T₁ 및 CY₃에 의하여 형성된 고리금속화 고리 1(Cyclometallated ring 1, 하기 화학식 2' 참조)은 6원환 이상(예를 들면, 6원환, 7원환 또는 8원환)일 수 있다.

<화학식 2'>

이로써, 상기 화학식 2로 표시되는 리간드는, 우수한 내화학성, 전기 안정성 및 강건성뿐만 아니라, 상대적으로 짧은 방사 감쇠 시간(radiative decay time) 및 강한 금속-리간드 간 전하 이동(metal-ligand charge transfer) 특성도 동시에 가질 수 있다. 나아가, 6원환 이상인 상기 고리금속화 고리 1(Cyclometallated ring 1)로 인하여, 상기 화학식 1의 M(금속)과 L₁₁(상기 화학식 2로 표시되는 3배위 리간드) 간의 안정적인 결합각이 형성될 수 있어, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 분자 안정성이 향상될 수 있다. 따라서, 상기 유기금속 화합물을 채용한 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자는 향상된 발광 효율을 가질 수 있다.

예를 들어, 상기 화합물 1 내지 46에 대한 HOMO, LUMO, 및 삼중항(T₁) 에너지 레벨을 Gaussian 프로그램의 DFT 방법을 이용하여 (B3LYP, 6-31G(d,p) 수준에서 구조 최적화함) 평가한 결과는 하기 표 1과 같다.

화합물 No.	HOMO(eV)	LUMO(eV)	T₁ 에너지 레벨(eV)
1	-4.441	-1.229	2.285
2	-4.421	-1.428	2.155
3	-4.420	-1.324	2.234
4	-4.410	-1.512	2.084
5	-4.612	-1.394	2.398
6	-4.579	-1.529	2.272
7	-5.069	-1.691	2.519
8	-5.010	-1.783	2.416
9	-4.338	-1.336	2.227
10	-4.315	-1.482	2.091
11	-4.469	-1.422	2.205
12	-4.453	-1.594	2.089
13	-4.413	-1.584	2.008
14	-4.339	-1.494	2.060
15	-4.329	-1.589	1.947
16	-4.259	-1.602	1.820
17	-4.397	-1.514	2.091
18	-4.378	-1.599	1.974
19	-4.307	-1.612	1.847
20	-4.732	-1.640	2.174
21	-4.449	-1.573	2.053
22	-4.801	-1.783	2.124
23	-4.649	-1.634	2.074
24	-4.276	-1.550	1.876
25	-4.726	-1.772	2.033
26	-4.706	-1.553	2.216
27	-4.462	-1.454	2.180
28	-4.760	-1.693	2.162
29	-4.620	-1.539	2.113
30	-4.407	-1.446	2.080
31	-4.667	-1.685	2.065
32	-4.971	-1.752	2.407
33	-4.968	-1.758	2.400
34	-4.982	-1.651	2.498
35	-4.881	-1.602	2.423
36	-5.324	-1.913	2.521
37	-5.212	-2.041	2.348
38	-5.153	-1.990	2.342
39	-5.141	-1.991	2.330
40	-4.878	-1.913	2.101
41	-5.274	-2.219	2.205
42	-5.201	-2.126	2.220
43	-5.172	-2.210	2.103
44	-5.146	-2.174	2.096
45	-5.120	-2.133	2.129
46	-5.092	-2.100	2.109

상기 표 1로부터, 상기 화학식 1로 표시된 유기 금속 화합물은 전자 소자, 예를 들면, 유기 발광 소자의 도펀트로 사용하기에 적합한 전기적 특성을 가짐을 확인할 수 있다.

상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 합성 방법은, 후술하는 합성예를 참조하여, 당업자가 인식할 수 있다.

따라서, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자의 유기층, 예를 들면, 상기 유기층 중 발광층의 도펀트로 사용하기 적합할 수 있는 바, 다른 측면에 따르면, 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 적어도 1종 이상 포함한 유기층;을 포함한, 유기 발광 소자가 제공된다.

상기 유기 발광 소자는 상술한 바와 같은 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함한 유기층을 구비함으로써, 저구동 전압, 고효율, 고전력, 고양자 효율, 장수명 및 낮은 롤-오프비와 우수한 색순도를 가질 수 있다.

상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 유기 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 상기 발광층에 포함되어 있을 수 있다. 이 때, 상기 유기금속 화합물은 도펀트의 역할을 하고, 상기 발광층은 호스트를 더 포함할 수 있다(즉, 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물의 함량은 상기 호스트의 함량보다 작음).

본 명세서 중 "(유기층이) 유기금속 화합물을 1종 이상 포함한다"란, "(유기층이) 상기 화학식 1의 범주에 속하는 1종의 유기금속 화합물 또는 상기 화학식 1의 범주에 속하는 서로 다른 2종 이상의 유기금속 화합물을 포함할 수 있다"로 해석될 수 있다.

예를 들어, 상기 유기층은 상기 유기금속 화합물로서, 상기 화합물 1만을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1은 상기 유기 발광 소자의 발광층에 존재할 수 있다. 또는, 상기 유기층은 상기 유기금속 화합물로서, 상기 화합물 1과 화합물 2를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 화합물 1과 화합물 2는 동일한 층에 존재(예를 들면, 상기 화합물 1과 화합물 2는 모두 발광층에 존재할 수 있음)할 수 있다.

상기 제1전극은 정공 주입 전극인 애노드이고 상기 제2전극은 전자 주입 전극인 캐소드이거나, 상기 제1전극은 전자 주입 전극인 캐소드이고 상기 제2전극은 정공 주입 전극인 애소드이다.

예를 들어, 상기 유기 발광 소자 중 상기 제1전극은 애노드이고, 상기 제2전극은 캐소드이고, 상기 유기층은 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 더 포함하고, 상기 정공 수송 영역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 버퍼층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고, 상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

본 명세서 중 "유기층"은 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"은 유기 화합물뿐만 아니라, 금속을 포함한 유기금속 착체 등도 포함할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. 유기 발광 소자(10)는 제1전극(11), 유기층(15) 및 제2전극(19)이 차례로 적층된 구조를 갖는다.

상기 제1전극(11) 하부 또는 제2전극(19) 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.

상기 제1전극(11)은 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 애노드일 수 있다. 상기 제1전극용 물질은 정공 주입이 용이하도록 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(11)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO₂), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등과 같은 금속을 이용할 수 있다.

상기 제1전극(11)은 단일층 또는 2 이상의 층을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(11)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 제1전극(11) 상부로는 유기층(15)이 배치되어 있다.

상기 유기층(15)은 정공 수송 영역(hole transport region); 발광층(emission layer); 및 전자 수송 영역(electron transport region);을 포함할 수 있다.

상기 정공 수송 영역은 제1전극(11)과 발광층 사이에 배치될 수 있다.

상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 버퍼층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

상기 정공 수송 영역은 정공 주입층만을 포함하거나, 정공 수송층만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 정공 수송 영역은, 제1전극(11)로부터 차례로 적층된, 정공 주입층/정공 수송층 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있다.

정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 정공 주입층(HIL)은 상기 제1전극(11) 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.

진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 약 100 내지 약 500℃, 진공도 약 10^-8 내지 약 10^-3torr, 증착 속도 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.

스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 코팅 조건은 정공주입층 재료로 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 정공 수송층 및 전자 저지층 형성 조건은 정공 주입층 형성 조건을 참조한다.

상기 정공 수송 영역은, 예를 들면, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, methylated-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:

<화학식 201>

<화학식 202>

상기 화학식 201 중, Ar₁₀₁ 및 Ar₁₀₂는 서로 독립적으로,

페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기; 및

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 및 펜타세닐렌기;

중에서 선택될 수 있다.

상기 화학식 201 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0, 1 또는 2일 수 있다. 예를 들어, 상기 xa는 1이고, xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 201 및 202 중, 상기 R₁₀₁ 내지 R₁₀₈, R₁₁₁ 내지 R₁₁₉ 및 R₁₂₁ 내지 R₁₂₄는 서로 독립적으로,

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C₁-C₁₀알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등) 및 C₁-C₁₀알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜톡시기 등);

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염 및 인산 또는 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C₁-C₁₀알킬기 및 C₁-C₁₀알콕시기;

페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기; 및

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C₁-C₁₀알킬기 및 C₁-C₁₀알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 및 파이레닐기;

중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 201 중, R₁₀₉는,

페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기; 및

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 및 피리디닐기;

중에서 선택될 수 있다.

일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:

<화학식 201A>

상기 화학식 201A 중, R₁₀₁, R₁₁₁, R₁₁₂ 및 R₁₀₉에 대한 상세한 설명은 상술한 바를 참조한다.

예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:

상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나를 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라사이아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등과 같은 시아노기-함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ>

상기 정공 수송 영역은, 버퍼층을 더 포함할 수 있다.

상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 수 있다.

상기 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.

한편, 상기 정공 수송 영역이 전자 저지층을 포함할 경우, 상기 전자 저지층 재료는, 상술한 바와 같은 정공 수송 영역에 사용될 수 있는 물질 및 후술하는 호스트 물질 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 정공 수송 영역이 전자 저지층을 포함할 경우, 전자 저지층 재료로서, 후술하는 mCP를 사용할 수 있다.

상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있고, 상기 도펀트는 상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물을 포함한다.

상기 호스트는 하기 TPBi, TBADN, ADN("DNA"라고도 함), CBP, CDBP, TCP, mCP, 화합물 H50, 화합물 H51 및 화합물 H52 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:

또는, 상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다:

<화학식 301>

상기 화학식 301 중, Ar₁₁₁ 및 Ar₁₁₂는 서로 독립적으로,

페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기 및 파이레닐렌기; 및

페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 페난트레닐렌기 및 파이레닐렌기;

중에서 선택될 수 있다.

상기 화학식 301 중 상기 Ar₁₁₃ 내지 Ar₁₁₆은 서로 독립적으로,

C₁-C₁₀알킬기, 페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기 및 파이레닐기; 및

페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 페난트레닐기 및 파이레닐기;

중에서 선택될 수 있다.

상기 화학식 301 중 g, h, i 및 j는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수, 예를 들면, 0, 1 또는 2일 수 있다.

상기 화학식 301 중, Ar₁₁₃ 내지 Ar₁₁₆은 서로 독립적으로,

페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기 중 하나 이상으로 치환된 C₁-C₁₀알킬기;

페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기 및 플루오레닐기; 및

;

중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

또는, 상기 호스트는 하기 화학식 302로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:

<화학식 302>

상기 화학식 302 중 Ar₁₂₂내지 Ar₁₂₅에 대한 상세한 설명은 상기 화학식 301의 Ar₁₁₃에 대한 설명을 참조한다.

상기 화학식 302 중 Ar₁₂₆ 및 Ar₁₂₇은 서로 독립적으로, C₁-C₁₀알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기 또는 프로필기)일 수 있다.

상기 화학식 302 중 k 및 l은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수일 수 있다. 예를 들어, 상기 k 및 l은 0, 1 또는 2일 수 있다.

상기 화학식 301로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 302로 표시되는 화합물은 하기 화합물 H1 내지 H42를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 유기 발광 소자가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층 및/또는 청색 발광층이 적층된 구조를 가짐으로써, 백색광을 방출할 수 있는 등 다양한 변형예가 가능하다.

상기 발광층이 호스트 및 도펀트를 포함할 경우, 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.

다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치된다.

전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

예를 들어, 전자 수송 영역은 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층 또는 전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 전자 수송층은 단일층 또는 2 이상의 서로 다른 물질을 포함한 다층 구조를 가질 수 있다.

상기 전자 수송 영역의 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 형성 조건은 정공 주입층의 형성 조건을 참조한다.

상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP, Bphen 및 Balq 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다.

상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq₃, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.

또는, 상기 전자 수송층은 하기 화합물 ET1 내지 ET25 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.

상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다.

상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.

또한 전자 수송 영역은, 제2전극(19)으로부터 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.

상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li₂O 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.

상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 예를 들면, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.

상기 유기층(15) 상부로는 제2전극(19)이 구비되어 있다. 상기 제2전극(19)은 캐소드일 수 있다. 상기 제2전극(19)용 물질로는 상대적으로 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 조합을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등을 제2전극(19) 형성용 물질로 사용할 수 있다. 또는, 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 이용하여 투과형 제2전극(19)을 형성할 수 있는 등, 다양한 변형이 가능하다.

이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물은 고발광 효율을 제공할 수 있으므로, 상기 유기금속 화합물을 포함한 진단용 조성물은 높은 진단 효율을 가질 수 있다.

상기 진단용 조성물은, 각종 진단용 키트, 진단 시약, 바이오 센서, 바이오 마커 등에 다양하게 응용될 수 있다.

본 명세서 중 C₁-C₆₀알킬기는 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 포화 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₁-C₆₀알킬렌기는 상기 C₁-C₆₀알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₁-C₆₀알콕시기는 -OA₁₀₁(여기서, A₁₀₁은 상기 C₁-C₆₀알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다.

본 명세서 중 C₂-C₆₀알케닐기는 상기 C₂-C₆₀알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₂-C₆₀알케닐렌기는 상기 C₂-C₆₀알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₂-C₆₀알키닐기는 상기 C₂-C₆₀알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소-탄소 삼중 결합을 포함한 구조를 가지며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C₂-C₆₀알키닐렌기는 상기 C₂-C₆₀알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알킬기는 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알킬렌기는 상기 C₃-C₁₀시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기는 N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬렌기는 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromaticity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C₃-C₁₀시클로알케닐렌기는 상기 C₃-C₁₀시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기는 N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-디히드로퓨라닐기, 2,3-디히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₆-C₆₀아릴기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C₆-C₆₀아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C₆-C₆₀아릴기의 구체예는, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C₆-C₆₀아릴기 및 C₆-C₆₀아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.

본 명세서 중 C₁-C₆₀헤테로아릴기는 N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C₁-C₆₀헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C₁-C₆₀헤테로아릴기 및 C₁-C₆₀헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다.

본 명세서 중 C₆-C₆₀아릴옥시기는 -OA₁₀₂(여기서, A₁₀₂는 상기 C₆-C₆₀아릴기임)를 가리키고, 상기 C₆-C₆₀아릴티오기(arylthio)는 -SA₁₀₃(여기서, A₁₀₃은 상기 C₆-C₆₀아릴기임)를 가리킨다.

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 8 내지 60의 탄소수를 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromaticity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 1 내지 60의 탄소수를 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.

본 명세서 중 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹은 고리 형성 원자로서 5 내지 30개의 탄소만을 갖는 포화 또는 불포화 시클릭 그룹을 가리킨다. 상기 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹은 모노시클릭 그룹 또는 폴리시클릭 그룹일 수 있다.

본 명세서 중 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹은 고리 형성 원자로서 1 내지 30개의 탄소 외에, N, O, P, Si 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 적어도 하나 갖는 포화 또는 불포화 시클릭 그룹을 가리킨다. 상기 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹은 모노시클릭 그룹 또는 폴리시클릭 그룹일 수 있다.

상기 치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹, 치환된 C₂-C₃₀헤테로시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환된 C₂-C₆₀알키닐기, 치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알케닐기, 치환된 C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, 치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환된 C₆-C₆₀아릴옥시기, 치환된 C₆-C₆₀아릴티오기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기 중 적어도 하나는,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₁₁)(Q₁₂), -Si(Q₁₃)(Q₁₄)(Q₁₅), -B(Q₁₆)(Q₁₇) 및 -P(=O)(Q₁₈)(Q₁₉) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기 및 C₁-C₆₀알콕시기;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C₁-C₆₀알킬기, C₂-C₆₀알케닐기, C₂-C₆₀알키닐기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q₂₁)(Q₂₂), -Si(Q₂₃)(Q₂₄)(Q₂₅), -B(Q₂₆)(Q₂₇) 및 -P(=O)(Q₂₈)(Q₂₉) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₁-C₁₀헤테로시클로알킬기, C₃-C₁₀시클로알케닐기, C₁-C₁₀헤테로시클로알케닐기, C₆-C₆₀아릴기, C₆-C₆₀아릴옥시기, C₆-C₆₀아릴티오기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및

중에서 선택되고,

이하, 합성예 및 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 화합물 및 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 합성예 및 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 합성예 중 "'A' 대신 'B'를 사용하였다"란 표현 중 'B'의 사용량과 'A'의 사용량은 몰당량 기준으로 동일하다.

[실시예]

합성예 1 : 화합물 1의 합성

중간체 A5의 합성

2-(피나콜보로네이트페닐)피리딘 (2.59 g, 9.23 mmol), 2,6-디브로모아닐린 (2.32 g, 9.23 mmol), Pd(PPh₃)₄ (0.75 g, 0.65 mmol), K₂CO₃ (1.91 g, 13.8 mmol)에 30 mL의 테트라하이드로퓨란과 15 mL의 증류수를 혼합한 다음, 75℃에서 5 시간 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 이로부터 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출하고 무수황산마그네슘(MgSO₄)를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액을 감압하여 수득한 잔류물 중 에틸아세테이트를 감압하에서 제거한 다음, 에틸아세테이트:헥산 = 1:15 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 A5 2.30 g (77%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.61 (d, 1H), 8.30 (d, 1H), 8.22 (s, 1H), 7.53 (m, 5H), 7.20 (d, 1H), 7.05 (m, 1H), 6.81 (m, 1H), 5.70 (br. s, 2H)

MS : m/z 325.04 [(M+1)⁺]

중간체 A4의 합성

중간체 A5 (2.30 g, 7.08 mmol), 2-브로모페닐보론산 (1.42 g, 7.08 mmol), Pd(PPh₃)₄ (0.57 g, 0.50 mmol), K₂CO₃ (1.47 g, 10.6 mmol) 에 15 mL의 톨루엔(PhMe), 10 mL의 증류수, 그리고 5 mL 의 에탄올을 혼합한 다음, 95℃에서 6 시간 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 이로부터 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출하고 무수황산마그네슘(MgSO₄)를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액을 감압하여 수득한 잔류물 중 에틸아세테이트를 감압하에서 제거한 다음, 에틸아세테이트:헥산 = 1:15 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 A4 2.21 g (78%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.56 (d, 1H), 8.31 (d, 1H), 8.23 (s, 1H), 7.54 (m, 8H), 7.30 (m, 2H), 6.99 (m, 2H), 5.71 (br. s, 2H)

MS : m/z 401.05 [(M+1)⁺]

중간체 A3의 합성

0℃에서 중간체A4 (2.21 g, 5.51 mmol) 을 60 mL 의 아세트산에 녹인 후, 1.1 mL 의 황산에 녹아있는 NaNO₂ (1.14 g, 16.5 mmol) 을 천천히 넣고 상온에서 1 시간 동안 교반한 다음, 47% HBr 수용액 (45 mL) 에 녹아있는 CuBr (2.37 g, 16.5 mmol) 을 천천히 넣은 후, 80℃에서 1 시간 30 분 동안 교반하였다. 이로부터 수득한 결과물을 실온으로 냉각한 뒤, 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출하고 1 M NaOH수용액으로 중화시키고, MgSO₄를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액을 감압하여 수득한 잔류물 중 에틸아세테이트를 감압하에서 제거한 다음, 에틸아세테이트:헥산 = 1:25 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 A3 1.77 g (69%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.56 (d, 1H), 8.32 (d, 1H), 8.22 (s, 1H), 7.55 (m, 9H), 7.28 (m, 2H), 7.01 (m, 1H)

MS : m/z 463.98 [(M+1)⁺]

중간체 A2의 합성

-78℃에서 중간체A3 (1.77 g, 3.81 mmol) 을 60 mL 의 테트라하이드로퓨란에 녹인 후, n-헥산에 녹아있는 n-BuLi (7.62 mmol) 을 천천히 넣고 -78℃에서 1 시간 동안 교반하였다. PCl₃ (2.37 g, 3.81 mmol) 을 천천히 넣은 후, 상온에서 1 시간 동안 교반하였다. 반응 완료를 확인 후, 1 시간 동안 가열한 뒤 실온으로 냉각하여 고체인 중간체 A2 0.65 g (46%) 을 얻었다. 추가적인 정제없이 다음 반응에서 사용하였다.

중간체 A1의 합성

0℃에서 중간체A2 (0.65 g, 1.75 mmol) 을 20 mL 의 테트라하이드로퓨란에 녹인 후, CH₃MgBr (1.75 mmol) 을 천천히 넣고 상온에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출한 후, MgSO₄를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액을 감압하여 수득한 잔류물 중 에틸아세테이트를 감압하에서 제거한 다음, 에틸아세테이트:헥산 = 1:25 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 A1 0.50 g (82%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.57 (d, 1H), 8.05 (s, 1H), 7.98 (d, 1H), 7.70 (m, 2H), 7.66 (d, 1H), 7.51 (t, 1H), 7.42 (m, 1H), 7.31 (m, 4H), 7.20 (m, 2H), 7.09 (d, 1H), 2.01 (s, 3H)

MS : m/z 352.11 [(M+1)⁺]

화합물 1의 합성

중간체 A1 (0.50 g, 1.42 mmol) 과 OsH₄(PPh₃)₃ (0.61 g, 0.62 mmol) 을 5 mL의 데카하이드로나프탈렌에 넣은 다음, 200℃에서 2 시간 동안 반응하였다. 상온으로 냉각한 후, 감압하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:10 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 화합물 1 0.45 g (82%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃)δ8.60 (d, 2H), 8.31 (d, 2H), 7.99 (d, 2H), 7.75 (m, 8H), 7.56 (m, 12H), 7.02 (m, 2H), 1.99 (s, 6H)

MS : m/z 893.16 [(M+1)⁺]

합성예 2 : 화합물 7의 합성

중간체 B6의 합성

2-브로모-6-(1-(테트라하이드로-2H-피라-2-닐)-3-(트리플루오로메틸)-1H-피라졸-5-릴)피리딘 (2.60 g, 6.91 mmol)과 30 mL의 테트라하이드로퓨란을 혼합한 다음, -78℃에서 n-부틸리튬 (7.25 mmol)을 넣고 1 시간 동안 교반하였다. 이 후, 트리부틸틴클로라이드 (2.36 g, 7.25 mmol) 을 넣고 상온에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응 완료를 확인한 후, 증류수를 넣고, 이로부터 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출하고 무수황산마그네슘(MgSO₄)를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액으로부터 감압 하에서 에틸아세테이트를 제거하였다. 이로부터 수득한 중간체 B6을 추가 정제하지 않고 다음 반응에 사용하였다.

중간체 B5의 합성

중간체 B6 (3.44 g, 5.87 mmol), 2-브로모-1,3-디아이오도벤젠 (1.44 g, 3.52 mmol) 및 Pd(PPh₃)₄ (0.34 g, 0.29 mmol)에 30 mL의 톨루엔(PhMe)을 넣은 다음, 110℃에서 5 시간 동안 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 이로부터 수득한 반응물에 증류수를 넣고 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출한 다음 무수황산마그네슘(MgSO₄)를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액으로부터 감압 하에 에틸아세테이트를 제거하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:15 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 B5 1.22 g (36%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.20 (d, 1H), 8.05 (d, 1H), 7.75 (m, 2H), 7.31 (m, 2H), 6.88 (s, 1H), 5.89 (d, 1H), 4.01 (d, 1H), 3.52 (t, 1H), 2.53 (m, 1H), 2.14 (m, 3H), 1.72 (m, 2H)

MS : m/z 577.97 [(M+1)⁺]

중간체 B4의 합성

중간체 B5 (1.22 g, 2.11 mmol), 2-브로모페닐보론산 (0.42 g, 2.11 mmol), Pd(PPh₃)₄ (0.17 g, 0.15 mmol) 및 K₂CO₃ (0.73 g, 5.28 mmol)에 15 mL의 테트라하이드로퓨란과 5 mL의 증류수를 혼합한 다음, 75℃에서 4 시간 동안 교반한 후, 실온까지 냉각시켰다. 이로부터 수득한 반응물로부터 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출하고 무수황산마그네슘(MgSO₄)를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액으로부터 감압 하에 에틸아세테이트를 제거하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:15 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 B4 1.06 g (83%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.16 (d, 1H), 8.05 (d, 1H), 7.68 (m, 4H), 7.55 (m, 2H), 7.25 (m, 2H), 6.88 (s, 1H), 5.88 (d, 1H), 4.00 (d, 1H), 3.53 (t, 1H), 2.52 (m, 1H), 2.11 (m, 3H), 1.69 (m, 2H)

MS : m/z 606.00 [(M+1)⁺]

중간체 B3의 합성

-78℃에서 중간체B4 (1.06 g, 1.75 mmol)과 18 mL 의 테트라하이드로퓨란을 혼합한 후, n-헥산 중 n-MeLi (3.50 mmol)을 천천히 적가하고, -78℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 이 후, PCl₃ (0.48 g, 1.75 mmol) 을 천천히 넣은 후, 상온에서 1 시간 동안 교반하였다. 반응 완료를 확인한 후, 1 시간 동안 가열한 다음 실온으로 냉각하여 고체인 중간체 B3 0.44 g (49%) 을 얻었다. 중간체 B3의 추가적인 정제없이 다음 반응에서 사용하였다.

MS : m/z 463.98 [(M+1)⁺]

중간체 B2의 합성

0℃에서 중간체B3 (0.44 g, 0.86 mmol)와 10 mL 의 테트라하이드로퓨란을 혼합한 후, CH₃MgBr (0.86 mmol) 을 천천히 적가하고, 상온에서 3 시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출한 후, MgSO₄를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액으로부터 감압 하에서 에틸아세테이트를 제거하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:25 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 B2 0.42 g (85%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃) δ8.26 (d, 1H), 8.03 (d, 1H), 7.80 (m, 3H), 7.55 (m, 4H), 7.23 (d, 1H), 6.90 (s, 1H), 5.89 (d, 1H), 4.01 (d, 1H), 3.52 (t, 1H), 2.51 (m, 1H), 2.13 (m, 3H), 2.01 (s, 3H), 1.70 (m, 2H)

MS : m/z 494.15 [(M+1)⁺]

중간체 B1의 합성

중간체B2 (0.42 g, 0.73 mmol)와 10 mL 의 에탄올을 혼합한 후, PPTS (1.84 g, 7.30 mmol) 을 천천히 넣고 70℃에서 8 시간 동안 교반하였다. 반응 완료 후, 증류수를 넣고 에틸아세테이트를 사용하여 유기층을 추출한 후, MgSO₄를 첨가하여 수분을 제거한 다음 여과하여 수득한 여과액으로부터 감압 하에서 에틸아세테이트를 제거하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:25 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 중간체 B1 0.27 g (91%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃)δ11.9 (br. s, 1H), 8.25 (d, 1H), 8.02 (d, 1H), 7.81 (m, 3H), 7.54 (m, 4H), 7.22 (d, 1H), 6.95 (s, 1H), 2.01 (s, 3H)

MS : m/z 410.09 [(M+1)⁺]

화합물 7의 합성

중간체 B1 (0.27 g, 0.66 mmol) 및 OsH₄(PPh₃)₃ (0.28 g, 0.29 mmol) 을 5 mL의 데카하이드로나프탈렌과 혼합한 다음, 200℃에서 2 시간 동안 반응하였다. 이 후, 상온으로 냉각한 후, 감압하여 수득한 잔류물을 에틸아세테이트:헥산 = 1:10 조건에서 컬럼 크로마토그래피 방법을 통해서 정제하여 화합물 7 64 mg (22%)을 수득하였다. 수득한 화합물은 LCMS 및 ¹H NMR로 확인하였다.

1H-NMR (CDCl₃)δ8.25 (d, 2H), 7.99 (d, 2H), 7.81 (m, 6H), 7.62 (m, 4H), 7.50 (m, 2H), 7.38 (m, 4H), 6.97 (s, 2H), 2.00 (s, 6H)

MS : m/z 1009.12 [(M+1)⁺]

실시예 1

애노드로서 ITO/Ag/ITO가 70Å/1000Å/70Å의 두께로 증착된 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.5mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 설치하였다.

상기 애노드 상부에 2-TNATA를 증착하여 600Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(이하, NPB)을 증착하여 1350Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다.

상기 정공 수송층 상부에 CBP(호스트) 및 화합물 1(도펀트)를 94 : 6의 중량비로 공증착하여, 400Å 두께의 발광층을 형성한 다음, 상기 발광층 상부에 BCP를 증착하여 50Å 두께의 정공 저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공 저지층 상에 Alq₃를 증착하여, 350Å 두께의 전자 수송층을 형성한 후, 상기 전자 수송층 상에 LiF를 증착하여 10Å 두께의 전자 주입층을 형성하고, 상기 전자 주입층 상에 MgAg를 중량비 90:10의 비율로 증착하여 120Å 두께의 캐소드를 형성함으로써, 유기 발광 소자(적색광 방출)를 제작하였다.

실시예 2 및 비교예 A와 B

발광층 형성시 도펀트로서 화합물 1 대신 표 2에 기재된 화합물(화합물 B 중 Ph는 페닐기를 나타내고, Me는 메틸기를 나타냄)을 사용하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여, 유기 발광 소자(적색광 방출)를 제작하였다.

평가예 1: 유기 발광 소자의 특성 평가

상기 실시예 1 및 2 및 비교예 A 및 B의 유기 발광 소자에 대하여 구동 전압, 발광 효율, 최대 발광 파장(λ_max), 외부 양자 효율(EQE), 반폭치비(FWHM) 및 수명(LT₉₇)을 평가하여 그 결과를 표 2에 나타내었다. 평가 장치로서 전류-전압계(Keithley 2400) 및 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 사용하였고, 수명(LT₉₇)(at 3500nit)은 초기 휘도 100% 대비 97%의 휘도가 되는데 걸리는 시간을 평가한 것이다.

	도펀트	구동 전압 (V)	발광 효율 (cd/A)	λ_max (nm)	EQE (%)	FWHM (nm)	LT₉₇ (시간)
실시예 1	화합물 1	5.5	14.1	643	21.3	55	230
실시예 2	화합물 7	4.4	27.5	609	23.0	59	350
비교예 A	화합물 A	6.4	18.3	550	5.2	93	45
비교예 B	화합물 B	4.9	18.5	620	17.1	98	35

상기 표 2로부터, 발색단 모이어티와 포스핀-함유 모이어티(phosphine-containding moiety)가, 진동 모드(vibrational mode)가 적은 sp² 타입으로 연결되어 있는, 강건한 삼배위(tridentate) 리간드를 갖는 화합물 1 및 7을 각각 채용한 실시예 1 및 2의 OLED는, 발색단 모이어티와 포스핀-함유 모이어티(phosphine-containding moiety)가, sp³ 타입으로 O를 통해 연결되어 있는, 삼배위(tridentate) 리간드를 갖는 화합물 A를 채용한 비교예 A의 OLED에 비하여, 동등 또는 우수한 발광 효율, 우수한 외부 양자 효율 및 수명 및 작은 반폭치비를 가짐을 확인할 수 있다.

또한, 상기 표 2로부터, 강건한 삼배위(tridentate) 리간드를 갖는 화합물 1 및 7을 각각 채용한 실시예 1 및 2의 OLED는, 일배위(monodentate) 포스핀-함유 모이어티(phosphine-containding moiety)와 이배위(bidentate) 발색단 모이어티를 갖는 화합물 B를 채용한 비교예 B의 OLED에 비하여, 동등 또는 우수한 발광 효율, 우수한 외부 양자 효율 및 수명 및 작은 반폭치비를 가짐을 확인할 수 있다.

특정 이론에 의하여 한정되려는 것은 아니나, 실시예 1 및 2의 OLED의 외부 양자 효율 및 수명 특성 향상은, 화합물 1 및 7의 강건한 삼배위 리간드에 의하여 화합물 1 및 7의 진동 모드가 감소되어, 비발광 전이가 감소되었기 때문인 것으로 해석될 수 있다.

10: 유기 발광 소자
11: 제1전극
15: 유기층
19: 제2전극

Claims

하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 화합물:
<화학식 1>
M(L₁₁)_n1(L₁₂)_n2
<화학식 2>

상기 화학식 1 및 2 중,
M은 Os, Ru, Pt 또는 Pd이고,
L₁₁은 상기 화학식 2로 표시되는 리간드이고, n1은 1 또는 2이고, n1이 2일 경우 2개의 L₁₁은 서로 동일하거나 상이하고,
L₁₂는 유기 리간드이고, n2는 0, 1, 2 또는 3이고, n2가 2 이상일 경우 2 이상의 L₁₂는 서로 동일하거나 상이하고,
X₁은 P(R₇)이고,
X₂ 및 X₃는 서로 독립적으로, N 또는 C이고,
CY₁ 내지 CY₄는 서로 독립적으로, 벤젠 그룹, 나프탈렌 그룹, 안트라센 그룹, 페난트렌 그룹, 트리페닐렌 그룹, 파이렌 그룹, 크라이센 그룹, 시클로펜타디엔 그룹, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌(1,2,3,4-tetrahydronaphthalene) 그룹, 피롤 그룹, 티오펜 그룹, 퓨란 그룹, 인돌 그룹, 이소인돌 그룹, 벤조보롤 그룹, 벤조포스폴 그룹, 인덴 그룹, 벤조실롤 그룹, 벤조저몰 그룹, 벤조티오펜 그룹, 벤조셀레노펜 그룹, 벤조퓨란 그룹, 카바졸 그룹, 디벤조보롤 그룹, 디벤조포스폴 그룹, 플루오렌 그룹, 디벤조실롤 그룹, 디벤조저몰 그룹, 디벤조티오펜 그룹, 디벤조셀레노펜 그룹, 디벤조퓨란 그룹, 디벤조티오펜 5-옥사이드 그룹, 9H-플루오렌-9-온 그룹, 디벤조티오펜 5,5-다이옥사이드 그룹, 아자카바졸 그룹, 아자디벤조보롤 그룹, 아자디벤조포스폴 그룹, 아자플루오렌 그룹, 아자디벤조실롤 그룹, 아자디벤조저몰 그룹, 아자디벤조티오펜 그룹, 아자디벤조셀레노펜 그룹, 아자디벤조퓨란 그룹, 아자디벤조티오펜 5-옥사이드 그룹, 아자-9H-플루오렌-9-온 그룹, 아자디벤조티오펜 5,5-다이옥사이드 그룹, 피리딘 그룹, 피리미딘 그룹, 피라진 그룹, 피리다진 그룹, 트리아진 그룹, 퀴놀린 그룹, 이소퀴놀린 그룹, 퀴녹살린 그룹, 퀴나졸린 그룹, 페난트롤린 그룹, 피라졸 그룹, 이미다졸 그룹, 트리아졸 그룹, 테트라졸 그룹, 옥사졸 그룹, 이소옥사졸 그룹, 티아졸 그룹, 이소티아졸 그룹, 옥사디아졸 그룹, 티아디아졸 그룹, 벤조피라졸 그룹, 벤조이미다졸 그룹, 벤조옥사졸 그룹, 벤조티아졸 그룹, 벤조옥사디아졸 그룹, 벤조티아디아졸 그룹, 5,6,7,8-테트라히드로이소퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroisoquinoline) 그룹 및 5,6,7,8-테트라히드로퀴놀린(5,6,7,8-tetrahydroquinoline) 그룹 중에서 선택되고,
T₁ 및 T₂는 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-N[(L₅)_b5-(R₅)_c5]-*', *-B(R₅)-*', *-P(R₅)-*', *-C(R₅)(R₆)-*', *-Si(R₅)(R₆)-*', *-Ge(R₅)(R₆)-*', *-S-*', *-Se-*', *-O-*', *-C(=O)-*', *-S(=O)-*', *-S(=O)₂-*', *-C(R₅)=*', *=C(R₅)-*', *-C(R₅)=C(R₆)-*', *-C(=S)-*' 및 *-C≡C-*' 중에서 선택되고,
L₁ 내지 L₅는 서로 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
b1 내지 b5는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
R₅ 및 R₆은 선택적으로(optionally), 단일 결합 또는 제1연결기를 통하여 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환 또는 비치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환 또는 비치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환 또는 비치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고,
c1 내지 c5는 서로 독립적으로, 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
a1 내지 a4은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
서로 이웃한 복수의 R₁ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
서로 이웃한 복수의 R₂ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
서로 이웃한 복수의 R₃ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
서로 이웃한 복수의 R₄ 중 2개는 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
R₁ 내지 R₄ 중 이웃한 2 이상은 선택적으로, 서로 결합하여, 치환 또는 비치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹을 형성할 수 있고,
상기 화학식 2 중 *, *' 및 *"은 각각 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,
상기 치환된 C₅-C₃₀카보시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₃₀헤테로시클릭 그룹, 치환된 C₁-C₆₀알킬기, 치환된 C₂-C₆₀알케닐기, 치환된 C₁-C₆₀알콕시기, 치환된 C₃-C₁₀시클로알킬기, 치환된 C₆-C₆₀아릴기, 치환된 C₁-C₆₀헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹의 치환기는,
중수소, -F, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 시아노기, C₁-C₆₀알킬기 및 C₁-C₆₀알콕시기;
중수소, -F, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 시아노기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₆-C₆₀아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₁-C₆₀알킬기 및 C₁-C₆₀알콕시기;
C₃-C₁₀시클로알킬기, C₆-C₆₀아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 시아노기, C₁-C₆₀알킬기, C₁-C₆₀알콕시기, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₆-C₆₀아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C₃-C₁₀시클로알킬기, C₆-C₆₀아릴기, C₁-C₆₀헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
-Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅);
중에서 선택되고,
상기 Q₃₃ 내지 Q₃₅는 서로 독립적으로, -CH₃, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CH₂CH₃, -CH₂CD₃, -CH₂CD₂H, -CH₂CDH₂, -CHDCH₃, -CHDCD₂H, -CHDCDH₂, -CHDCD₃, -CD₂CD₃, -CD₂CH₃, -CD₂CD₂H 및 -CD₂CDH₂;
n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 및
중수소, C₁-C₁₀알킬기 및 페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 페닐기 및 나프틸기; 중에서 선택된다.
제1항에 있어서,
M은 Os이고, n1은 1 또는 2이거나, 또는
M은 Pt이고, n1 및 n2는 1이고, L₁₂는 일배위(monodentate) 유기 리간드인, 유기금속 화합물.
삭제
제1항에 있어서,
X₂는 N이고 X₃는 C이거나,
X₂는 C이고 X₃는 N이거나, 또는
X₂ 및 X₃가 N인, 유기금속 화합물.
삭제
제1항에 있어서,
T₁ 및 T₂는 단일 결합인, 유기금속 화합물.
제1항에 있어서,
상기 R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, 시아노기, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;
중수소, -F, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 시아노기, C₁-C₁₀알킬기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 페닐기, 나프틸기, 피리디닐기 및 피리미디닐기 중 적어도 하나로 치환된, C₁-C₂₀알킬기 및 C₁-C₂₀알콕시기;
시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및
중수소, -F, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 시아노기, C₁-C₂₀알킬기, C₁-C₂₀알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 아다만타닐기(adamantanyl), 노르보나닐기(norbornanyl), 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트롤리닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;
중에서 선택된, 유기금속 화합물.
제1항에 있어서,
상기 R₁ 내지 R₇은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, 시아노기, -CH₃, -CD₃, -CD₂H, -CDH₂, -CF₃, -CF₂H, -CFH₂, 하기 화학식 9-1 내지 9-19로 표시되는 그룹 및 하기 화학식 10-1 내지 10-139로 표시되는 그룹 중에서 선택된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 9-1 내지 9-19 및 10-1 내지 10-139 중 Ph는 페닐기이고, TMS는 트리메틸실릴기이고, *는 이웃한 원자와의 결합 사이트이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 2 중
로 표시된 모이어티가 하기 화학식 CY1-1 내지 CY1-12 중 하나로 표시된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 CY1-1 내지 CY1-12 중
X₁, R₁ 및 R₂에 대한 설명은 각각 제1항에 기재된 바와 동일하고,
a14는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,
a13 및 a23은 서로 독립적으로, 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
a12 및 a22는 서로 독립적으로, 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,
*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,
*"'는 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 2 중
로 표시된 모이어티가 하기 화학식 CY3-1 내지 CY3-9 중 하나로 표시된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 CY3-1 내지 CY3-9 중
X₂ 및 R₃에 대한 설명은 각각 제1항에 기재된 바와 동일하고,
a35는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
a34는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,
a33은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
a32는 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,
*'은 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,
*"' 및
는 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 2 중
로 표시된 모이어티가 하기 화학식 CY4-1 내지 CY4-40 중 하나로 표시된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 CY4-1 내지 CY4-40 중
X₃ 및 R₄에 대한 설명은 제1항에 기재된 바와 동일하고,
X₄₁은 O, S, N(R₄₁) 또는 C(R₄₁)(R₄₂)이고,
R₄₁ 내지 R₄₈에 대한 설명은 각각 제1항 중 R₄에 대한 설명과 동일하고,
a46은 0 내지 6의 정수 중에서 선택되고,
a45는 0 내지 5의 정수 중에서 선택되고,
a44는 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고,
a43은 0 내지 3의 정수 중에서 선택되고,
a42는 0 내지 2의 정수 중에서 선택되고,
*"은 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고,

는 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 2 중

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY1(1)로 표시되고,

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY3(1) 내지 CY3(11) 중 하나로 표시되고,

로 표시된 모이어티는 하기 화학식 CY4(1) 내지 CY4(23) 중 하나로 표시된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 CY1(1), CY3(1) 내지 CY3(11) 및 CY4(1) 내지 CY4(23) 중 X₁ 내지 X₃, R₃ 및 R₄에 대한 설명은 각각 제1항에 기재된 바와 동일하고, X₄₁은 O, S, N(R₄₁) 또는 C(R₄₁)(R₄₂)이고, R_4a 내지 R_4d, R₄₁ 및 R₄₂에 대한 설명은 각각 R₄에 대한 설명과 동일하되, R₃, R₄, R_4a 내지 R_4d, R₄₁ 및 R₄₂는 수소가 아니고, *, *' 및 *"은 각각 화학식 1 중 M과의 결합 사이트를 나타낸 것이고, *'" 및
는 각각 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸 것이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1 중 L₁₂가 하기 3A 내지 3D 및 6-1로 표시되는 리간드 중에서 선택된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 3A 내지 3D 중,
Y₁₁은 O, N, N(Z₁), P(Z₁)(Z₂) 및 As(Z₁)(Z₂) 중에서 선택되고,
Y₁₂은 O, N, N(Z₃), P(Z₃)(Z₄) 및 As(Z₃)(Z₄) 중에서 선택되고,
T₁₁은 서로 독립적으로, 단일 결합, 이중 결합, *-C(Z₁₁)(Z₁₂)-*', *-C(Z₁₁)=C(Z₁₂)-*', *=C(Z₁₁)-*', *-C(Z₁₁)=*', *=C(Z₁₁)-C(Z₁₂)=C(Z₁₃)-*', *-C(Z₁₁)=C(Z₁₂)-C(Z₁₃)=*', *-N(Z₁₁)-*'및 치환 또는 비치환된 C₆-C₃₀아릴렌기 중에서 선택되고,
a11은 1 내지 5 중에서 선택된 정수이고,
Y₁₃ 내지 Y₁₆은 서로 독립적으로, 탄소(C) 또는 질소(N)이고, Y₁₃과 Y₁₄ 사이의 결합은 단일 결합 또는 이중 결합이고, Y₁₅와 Y₁₆ 사이의 결합은 단일 결합 또는 이중 결합이고,
CY₁₁ 내지 CY₁₃은 서로 독립적으로, C₅-C₃₀카보시클릭 그룹 및 C₂-C₃₀헤테로시클릭 그룹 중에서 선택되고,
Z₁ 내지 Z₄ 및 Z₁₁ 내지 Z₁₃에 대한 설명은 각각 제1항 중 R₁에 대한 설명과 동일하고,
d1 및 d2는 서로 독립적으로, 0 내지 10으로부터 선택된 정수이고,
* 및 *'은 상기 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이고,
상기 화학식 6-1 중,
T₃는 단일 결합, *-O-*', *-S-*', *-C(R₆₂)(R₆₃)-*', *-C(R₆₂)=*', *=C(R₆₂)-*', *-C(R₆₂)=C(R₆₃)-*', *-C(=O)-*', *-C(=S)-*', *-C≡C-*' 및 *-N(R₆₂)-*' 중에서 선택되고,
t3는 1 내지 5 중에서 선택된 정수이고,
R₆₁ 내지 R₆₃에 대한 설명은, 각각, 제1항 중 R₁에 대한 설명과 동일하거나 -P(Q₄₁)(Q₄₂)(Q₄₃)이고,
상기 Q₄₁ 내지 Q₄₃에 대한 설명은 각각 제1항 중 R₁에 대한 설명과 동일하고,
*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1 중 L₁₂가 하기 화학식 13-1 내지 13-47 및 14-1 내지 14-28로 표시되는 리간드 중에서 선택된, 유기금속 화합물:

상기 화학식 13-1 내지 13-47 및 14-1 내지 14-28 중,
R₆₁ 내지 R₆₃, Q₄₁ 내지 Q₄₃ 및 Z₁ 내지 Z₃에 대한 설명은 각각 제1항 중 R₁에 대한 설명과 동일하고,
d2는 0 내지 2 중에서 선택된 정수이고,
d3는 0 내지 3 중에서 선택된 정수이고,
d4는 0 내지 4 중에서 선택된 정수이고,
d5는 0 내지 5 중에서 선택된 정수이고,
d6는 0 내지 6 중에서 선택된 정수이고,
d7은 0 내지 7 중에서 선택된 정수이고,
d8은 0 내지 8 중에서 선택된 정수이고,
*는 화학식 1 중 M과의 결합 사이트이다.
제1항에 있어서,
하기 화합물 1 내지 46 중 하나인, 유기금속 화합물:

상기 화합물 1 내지 46 중 ^tBu는 tert-부틸이다.
제1전극;
제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고, 발광층을 포함한 유기층;
을 포함하고,
상기 유기층은 제1항, 제2항, 제4항 및 제6항 내지 제15항 중 어느 한 항의 유기금속 화합물을 1종 이상을 포함한, 유기 발광 소자.
제16항에 있어서,
상기 제1전극은 애노드이고,
상기 제2전극은 캐소드이고,
상기 유기층은, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재된 정공 수송 영역 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재된 전자 수송 영역을 더 포함하고,
상기 정공 수송 영역은 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 또는 이의 임의의 조합을 포함하고,
상기 전자 수송 영역은 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 유기 발광 소자.
제16항에 있어서,
상기 유기금속 화합물이 상기 발광층에 포함되어 있는, 유기 발광 소자.
제18항에 있어서,
상기 발광층이 호스트를 더 포함하고, 상기 호스트의 중량이 상기 유기금속 화합물의 중량보다 큰, 유기 발광 소자.
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