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KR102364160B1 - Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 - Google Patents

Mjt led를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 Download PDF

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KR102364160B1
KR102364160B1 KR1020140026574A KR20140026574A KR102364160B1 KR 102364160 B1 KR102364160 B1 KR 102364160B1 KR 1020140026574 A KR1020140026574 A KR 1020140026574A KR 20140026574 A KR20140026574 A KR 20140026574A KR 102364160 B1 KR102364160 B1 KR 102364160B1
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light emitting
mjt
mjt led
light
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송영준
최혁중
서일경
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서울반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 MJT LED를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 각 발광셀의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있도록 구성된 MJT LED 및 MJT LED로부터 출사되는 광을 고르게 분산할 수 있는 광학 부재를 포함하는 백라이트 모듈을 제안한다. 또한, 본 발명은 전술한 바와 같은 백라이트 모듈을 이용하여 백라이트 유닛을 구성함으로써, 백라이트 유닛을 구성하는 LED의 수를 줄이고, 소전류 구동이 가능한 백라이트 유닛을 제안한다.

Description

MJT LED를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛{BACKLIGHT MODULE WITH MJT LED AND BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME}
본 발명은 멀티-셀(Multi Junction Technology: MJT) LED를 이용한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 각 발광셀의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있도록 구성된 MJT LED를 이용함으로써 소전류 구동이 가능하게 구성된 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것이다.
액정 디스플레이는 백라이트 광원의 투과율을 제어하여 영상을 구현한다. 종래에 백라이트 광원으로서 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)이 주로 사용되었으나, 현재 전력소모, 수명 및 환경성 등과 같은 다양한 장점들로 인하여 발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 'LED'라 함)가 많이 사용되고 있다.
액정 디스플레이를 백라이팅하는 방식으로 LED의 위치에 따라 에지형 백라이트 유닛과 직하형 백라이트 유닛이 있다. 에지형 백라이트 유닛은 도광판의 측면에 LED들을 배치하고 광원으로부터 입사된 광을 도광판을 이용하여 액정 패널을 백라이팅하는 것인데, LED의 수를 줄일 수 있고 LED들 간의 고도의 품질 편차를 요하지 않아 가격면에서 유리하고 또한 저전력 제품을 개발할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 에지형 백라이트 유닛은 액정 디스플레이의 모서리 부분과 중앙 영역 사이의 명암 차이를 극복하기 어렵고 고화질을 구현하는데 한계가 있다.
한편, 직하형 백라이트 유닛은 액정 패널의 하부에 위치하며 액정 패널과 거의 동일한 면적을 갖는 면광원으로부터 직접 액정 패널의 전면으로 빛을 조사하는 방식을 채택한 것으로, 모서리 부분과 중앙 영역 사이의 명암 차이를 극복할 수 있고 또한 고화질을 구현할 수 있는 장점이 있다.
그러나 직하형 백라이트 유닛의 경우, 각 LED가 상대적으로 넓은 면적을 고르게 백라이팅하지 못할 경우, 많은 수의 LED를 조밀하게 배열해야 하며, 이에 따라 전력 소모가 증가한다. 나아가, LED들 사이에 품질 편차가 있을 경우, 액정 패널이 불균일하게 백라이팅되어 화면의 균질성을 확보하기 어렵다.
특히, 최근에는 액정 패널들이 대형화되는 추세 따라 직하형 백라이트 유닛 또한 대형화되고 있으며, 이에 따라 대형화된 직하형 백라이트 유닛의 안정성이나 신뢰성이 저하되고 있는 실정이다. 구체적으로, LED 백라이트 유닛은 복수의 LED 구동회로들을 통해 복수의 LED군 즉, LED 어레이들에 공급되는 구동 전류를 제어하게 되는데, LED 백라이트 유닛의 대형화에 따라 LED 구동회로들과 그에 대응되는 LED 어레이들의 수가 크게 증가하였다. 이에, 서로 인접하게 배열된 복수의 LED들이나 LED 어레이들이 단락되는 경우들이 발생하게 되었으며, 이 경우 과전류나 과전압 또는 과열 현상에 의해 구동회로들이 파손되어 백라이트 유닛의 안정성이나 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 LED를 이용한 백라이트 유닛의 구성 블록도로서, 도 1을 참조하여 종래기술에 따른 문제점을 보다 구체적으로 살펴보도록 한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 백라이트 유닛(1)은, 백라이트 제어모듈(2) 및 백라이트 모듈(5)을 포함한다.
백라이트 제어모듈(2)은 외부로부터 입력되는 입력 전원(Vin)을 이용하여 DC 구동 전원을 생성/출력하는 구동 전원 생성부(3) 및 백라이트 모듈(5)을 구성하는 복수의 LED 어레이들(6a~6n) 각각의 동작을 제어하는 구동 제어부(4)를 포함하여 구성된다. 구동 전원 생성부(3)는 일반적으로 12V, 24V, 48V 등의 DC 전압을 구동 전원으로 생성하여 출력하게 된다.
한편, 백라이트 모듈(5)은 각기 복수의 LED들이 직렬로 연결되어 구성되는 복수의 LED 어레이들(6a~6n) 및 복수의 LED 어레이들(6a~6n)로부터 출사되는 광의 효율을 향상시키는 광학부(미도시)를 포함하여 구성된다. 도 1에 도시된 종래기술에 있어 각기 서로 직렬로 연결된 5개의 LED들을 포함하여 구성되는 n개의 LED 어레이들(6a~6n)이 서로 병렬로 연결되어 구성되는 백라이트 모듈(5)이 도시되어 있다. 이때, 사용되는 종래기술에 따른 LED는 일반적으로 3V ~ 6.5V 사이의 순방향 전압 레벨을 가지며, 따라서, 이러한 일반적인 LED를 전술한 바와 같은 구동 전원 생성부(3)에 연결하여 개별적으로 제어/구동하는 것이 어렵기 때문에 복수개의 LED들을 직렬로 연결하여 LED 어레이를 구성하고, 각각의 LED 어레이를 구동/제어하는 방식을 취하게 된다. 이러한 종래기술에 따른 백라이트 유닛(1)에 있어, 구동 제어부(4)는 외부로부터 입력되는 디밍 신호(Dim)에 따라 백라이트 모듈(5)에 공급되는 구동 전원을 PWM 제어함으로써 백라이트 모듈(5)을 구성하는 모든 LED 어레이들(6a~6n)의 휘도를 제어하도록 구성될 수 있다. 또는, 이러한 종래기술에 따른 백라이트 유닛(1)에 있어, 구동 제어부(4)는 외부로부터 입력되는 디밍 신호(Dim)에 따라 n개의 LED 어레이들(6a~6n) 중 특정 LED 어레이를 흐르는 구동 전류의 크기를 조정함으로써, 특정 LED 어레이의 휘도를 제어하도록 구성될 수 있다.
이러한 종래기술에 따른 백라이트 유닛(1)에 사용되는 LED는 일반적으로 단일-셀 LED로서 소전압 대전류으로 구동되는 소자 특성을 가지고 있다. 예를 들어, 전술한 바와 같은 단일-셀 LED는 3.6V의 구동 전압을 가지고 250~500mA의 구동 전류로 동작할 수 있다. 따라서, 이러한 단일-셀 LED로 구성된 백라이트 모듈(5)의 구동을 제어하기 위하여, 종래기술에 따른 구동 제어부(4)를 포함하는 주변 회로들이 대전류를 처리할 수 있는 대용량의 전자 소자들로 구성되어야 하며, 이에 따라 백라이트 유닛(1)의 제조 비용이 상승하게 된다는 문제점이 있다. 또한, 전술한 바와 같은 종래의 단일-셀 LED의 대전류 구동 특성으로 인하여 구동 제어부(4)를 포함하는 주변 회로들이 파손되어 백라이트 유닛(1)의 안정성이나 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 단일-셀 LED의 대전류 구동 특성으로 인하여, 소비 전력이 증가하고, 드룹(Droop) 현상이 발생하게 된다는 문제점이 있다.
본 발명은 복수의 발광셀을 갖는 MJT LED를 이용하여 소전류 구동이 가능한 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 각 발광셀의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있는 MJT LED 칩 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 전술한 바와 같은 MJT LED를 이용하여 백라이트 모듈의 소전류 구동이 가능하게 함으로써, 백라이트 모듈의 구동을 제어하기 위한 구동회로의 안정성과 신뢰성을 개선하고, 제조 비용을 절감할 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 MJT LED를 이용하여 백라이트 모듈을 소전류 구동이 가능하게 구성함으로써, 전력 효율 및 광 효율이 개선되고, 대전류 구동에 따른 드룹 현상을 방지할 수 있는 백라이트 유닛을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 전술한 바와 같은 MJT LED를 이용하여 백라이트 모듈을 구성함으로써, 요구되는 LED의 수를 최소화하며, 각각의 MJT LED별로 구동 제어가 가능한 백라이트 유닛을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하고, 후술하는 본 발명의 특유의 효과를 달성하기 위한, 본 발명의 특징적인 구성은 하기와 같다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로기판 상에　배치되는 복수의 MJT LED; 및 상기 복수의 MJT LED에 대응되도록 상기 MJT LED 또는 상기 기판 상에 배치되고,　상기 MJT LED로부터의 광을 입사받는 입광면 및　상기 MJT LED의　광 지향각 보다 넓은 광 지향각으로 광을 출사하는　출광면을 포함하는 복수의 광학 부재;를 포함하여 구성되는 백라이트 모듈에 있어서, 상기 MJT LED는, 성장기판 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 발광셀 및 제2 발광셀; 상기 제1 발광셀 상에 위치하여 제1 발광셀에 전기적으로 접속된 제1 투명전극층; 상기 제1 발광셀과 제1 투명 전극층 사이에 위치하여 상기 제1 투명 전극층의 일부를 상기 제1 발광셀로부터 이격시키는 전류 차단층; 상기 제1 발광셀을 제2 발광셀에 전기적으로 연결하는 배선; 및 상기 배선을 제1 발광셀의 측면으로부터 이격시키는 절연층을 포함하되, 상기 제2 발광셀은 경사진 측면을 갖고, 상기 배선은 상기 제1 발광셀에 전기적으로 접속하기 위한 제1 접속부 및 상기 제2 발광셀에 전기적으로 접속하기 위한 제2 접속부를 갖고, 상기 제1 접속부는 상기 전류 차단층 상부 영역 내에서 상기 제1 투명 전극층에 접촉하고, 상기 제2 접속부는 상기 제2 발광셀의 경사진 측면에 접촉하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈이 제안된다.
바람직하게, 상기 MJT LED는, 제 1 내지 제 N 발광셀을 포함하여 구성되고(N은 2 이상의 자연수), 제 N 발광셀은 제 N-1 발광셀과 상기 제 1 발광셀 및 상기 제 2 발광셀과 동일한 구조로 전기적으로 연결될 수 있다.
바람직하게, 상기 제 1 내지 제 N 발광셀들은, 서로 직렬 연결되고 각각 2.5V 내지 4 V의 구동전압에 의해 구동되고, 상기 MJT LED는 적어도 10 V 이상의 구동전압으로 구동되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 발광셀은 3개로　구성되고, 각각 3 V 내지 3.6 V의 구동전압에 의해 구동되고, 상기 MJT LED는 12~14 V의 구동전압으로 구동되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 출광면은, 중심축 근방에 형성되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에서 연장되어 상기 중심축에 이격되어 형성되는 볼록부를 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기　출광면은, 중심축의 하방으로 정점을 형성하도록 전반사면을 포함하여 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 입광면은, 상기　중심축 근방에　형성되는 개구부를 포함하되, 상기 개구부는 폭의　1.5 배 이상의 길이를 갖는 높이를　갖도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기　광학 부재는, 상기 기판과 대면하는 저면의 적어도 일부에 광산란 패턴이 형성되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재는, 상기 MJT LED에서 방출된 광이 입사되는 오목부를 갖는 하부면; 및 상기 오목부로 입사된 광이 출사되는 상부면을 포함하되, 상기 상부면은 중심축에 위치하는 오목면을 포함하고, 상기 하부면의 오목부는 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면을 포함하되, 상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 오목부 입구의 영역보다 좁은 영역 내에 위치하도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재의 상부면 및 오목부는 상기 중심축을 지나는 평면에 대해 거울면 대칭 구조를 갖도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재의 상부면 및 오목부는 상기 중심축에 대해 회전체 형상을 갖도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 하부면의 오목부 내에서 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면과, 상기 적어도 하나의 면보다 중심축에 더 가깝게 위치하는 면에 광 산란 패턴이 형성되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 상부면의 오목면에 광 산란 패턴이 형성되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 하부면의 오목부 내에서 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면과, 상기 적어도 하나의 면보다 중심축에 더 가깝게 위치하는 면에 상기 광학 부재와 굴절률이 다른 물질층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 상부면의 오목면에 상기 광학 부재와 굴절률이 다른 물질층을 더 포함할 수 있다.
바람직하게, 상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 상부면의 오목면과 볼록면이 만나는 변곡선들로 둘러싸인 영역보다 좁은 영역 내에 한정되어 위치하도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 발광 다이오드의 광 출사면 영역보다 좁은 영역 내에 한정되어 위치하도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재는 상기 상부면과 상기 하부면을 연결하는 플랜지를 더 포함하고, 상기 오목부 내의 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 플랜지보다 위쪽에 위치하도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재는 광축(L), 입광부 및 상기 출광면을 가지며, 상기 입광부와 경계를 이루는 물질 및 상기 출광면과 경계를 이루는 물질보다 굴절율이 큰 재질로 이루어지도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 입광부는, 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서, 상기 광축(L) 상의 한 점(p)로부터 상기 입광부의 정점에 이르는 최단 거리가 상기 한점(p)으로부터 상기 입광부의 측면에 이르는 최단 거리(a)보다 큰 구조가 되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 출광면의 상부 중앙은 평탄면 또는 볼록한 곡면으로 형성되도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 입광부는, 상기 발광 다이오드와 인접해 있는 하단 입구가 원형이며, 상기 정점을 향해 원형을 유지한 채 점진적으로 수렴되는 형상을 갖도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 입광부의 높이는 상기 하단 입구 반경의 1.5배보다 크게 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 입광부와 경계를 이루는 물질이 공기일 수 있다.
바람직하게, 상기 출광면과 경계를 이루는 물질이 공기일 수 있다.
바람직하게, 상기 광학 부재는 수지 또는 글래스 재질일 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 전술한 바와 같은 백라이트 모듈; 및 직류 구동 전압을 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들에 제공하며, 상기 복수의 MJT LED들 각각의 구동을 독립적으로 제어하는 백라이트 제어모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛이 제안된다.
바람직하게, 상기 백라이트 제어모듈은 상기 직류 구동 전압을 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들 각각에 독립적으로 제공하며, 상기 백라이트 제어모듈은 디밍 신호에 따라 상기 복수의 MJT LED들 중 적어도 하나의 MJT LED에 제공되는 상기 직류 구동 전압을 PWM 제어함으로써 상기 적어도 하나의 MJT LED의 디밍 제어를 수행하도록 구성될 수 있다.
바람직하게, 상기 백라이트 제어모듈은 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들 각각의 구동 전류를 독립적으로 검출 및 제어하도록 구성되며, 상기 백라이트 제어모듈은 디밍 신호에 따라 상기 복수의 MJT LED들 중 적어도 하나의 MJT LED의 구동 전류를 제어함으로써 상기 적어도 하나의 MJT LED의 디밍 제어를 수행하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 소전류 구동 특성을 갖는 MJT LED를 이용하여 백라이트 모듈을 구성함으로써, 백라이트 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛의 소전류 구동이 가능하게 된다는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 배선의 접속부들 중 하나를 발광셀의 경사진 측면에 전기적으로 접촉시킴으로써 MJT LED 칩의 각 발광셀의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 백라이트 모듈의 구동을 제어하기 위한 구동회로의 안정성과 신뢰성을 개선하고, 제조 비용을 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 백 라이트 유닛의 전력 효율 및 광 효율이 개선되고, 대전류 구동에 따른 드룹 현상을 방지할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 백라이트 모듈을 구성하는 데 요구되는 LED의 수를 최소화하며, 백라이트 모듈을 구성하는 각각의 MJT LED별로 구동 제어가 가능하다는 효과를 기대할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 LED를 이용한 백라이트 유닛의 구성 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED를 이용한 백라이트 유닛의 개략적인 구성 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 칩을 설명하기 위해 도 5의 절취선 B-B를 따라 취해진 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 칩 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 14은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 MJT LED 칩을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 15 내지 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 MJT LED 칩 제조방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 19는 광학 부재의 다양한 변형예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 설명하기 위한 광학 부재의 단면도들이다.
도 21은 시뮬레이션에 사용된 MJT LED 모듈의 치수를 설명하기 위한 단면도이다.
도 22는 도 21의 광학 부재의 형상을 설명하기 위한 그래프들이다.
도 23은 도 21의 광학 부재의 광선 진행 방향을 나타낸다.
도 24는 조도 분포를 나타내는 그래프들로서, (a)는 MJT LED의 조도 분포를 나타내고, (b)는 광학 부재 사용에 따른 MJT LED 모듈의 조도 분포를 나타낸다.
도 25는 광 지향 분포를 나타내는 그래프들로서, (a)는 MJT LED의 광 지향 분포를 나타내고, (b)는 광학 부재 사용에 따른 MJT LED 모듈의 광 지향 분포를 나타낸다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 도시한 단면도이다.
도 27의 (a), (b) 및 (c)는 도 26의 a-a 선, b-b 선, c-c 선을 따라 취한 도면들이다.
도 28은 도 26에 도시된 MJT LED 모듈의 광학 부재를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 29는 도 28에 도시된 광학 부재 이용시의 광 지향각 분포를 보여주는 도면이다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 31은 도 30의 광학 부재를 이용하여 얻을 수 있는 광 지향각 분포를 보여주는 도면이다.
도 32a 및 도 32b는 각각 비교예 1에 따른 광학 부재 및 지향각 분포 곡선을 보여주는 도면이다.
도 33a 및 도 33b는 각각 비교예 2에 따른 광학 부재 및 지향각 분포 곡선을 보여주는 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 적절하게 설명된다면 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
[본 발명의 바람직한 실시예]
본 발명의 실시예에서, 용어 "MJT LED 칩"이란 하나의 LED 칩 내에 복수의 발광셀들이 배선들에 의해 서로 연결되어 있는 멀티-셀 LED 칩을 의미한다. 또한 MJT LED 칩은 N개의 발광셀들을 포함하여 구성될 수 있으며(N은 2 이상의 양의 정수), N은 필요에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 또한, 각 발광셀의 순방향 전압은, 바람직하게, 3V ~ 3.6V 사이일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, MJT LED 칩(또는 MJT LED)의 순방향 전압은 해당 MJT LED 칩 내에 포함된 발광셀들의 수에 비례한다. MJT LED 칩 내에 포함되는 발광셀들 수가 필요에 따라 다양하게 구성될 수 있기 때문에, 본 발명에 따른 MJT LED 칩은 백라이트 유닛에 사용되는 구동 전원 생성부(예를 들어, DC 컨버터)의 사양에 따라 6~36V의 구동전압을 갖도록 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, MJT LED 칩의 구동 전류는 종래의 단일-셀 LED에 비하여 매우 작으며, 예를 들어, 바람직하게 20mA ~ 40mA 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 용어 "MJT LED"란 본 발명에 따른 MJT LED 칩을 실장하고 있는 발광 소자 또는 LED 패키지를 지칭한다.
또한, 용어 "MJT LED 모듈"이란 하나의 MJT LED와 대응하는 하나의 광학 부재를 결합한 구성요소를 지칭한다. 대응하는 광학 부재는 MJT LED에 직접 배치될 수도 있으며, 또는 MJT LED가 실장된 인쇄회로기판에 배치될 수도 있다. 광학 부재의 배치방식과 무관하게, 하나의 MJT LED와 대응하는 하나의 광학 부재가 결합되어 지칭되는 경우 MJT LED 모듈이라 한다.
또한, 용어 "백라이트 모듈"이란 인쇄회로기판 상에 복수의 MJT LED들이 배치되고, 복수의 MJT LED들 각각에 대응하는 복수의 광학 부재들이 배치된 조명 모듈을 의미한다. 따라서, 용어 "백라이트 모듈"은 인쇄회로기판 상에 복수의 MJT LED 모듈들이 소정의 규칙에 따라 실장된 조명 모듈을 의미할 수 있다. 한편, 일 실시예에 있어 본 발명에 따른 백라이트 모듈은 직하형 백라이트 모듈일 수 있으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 백라이트 모듈이 다른 실시예에 있어 면 조명용 광원으로 사용될 수도 있다. 따라서, 그 명칭에 불구하고 본 발명에 따른 백라이트 모듈의 기술적 요지를 포함하고 있는 한, 본 발명의 권리범위에 속함은 당업자에게 자명할 것이다.
MJT LED를 이용한 백라이트 유닛의 개괄
본 발명에 따른 백라이트 유닛의 구성을 구체적으로 설명하기에 앞서, 본 발명의 중요한 기술적 특징에 대하여 살펴보도록 한다. 본 발명은 전술한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 MJT LED가 갖는 소자적 특성에 착안하여 안출된 발명이다. 즉, 본 발명은 종래기술에 따른 단일-셀 LED가 갖는 소전압 대전류 구동 특성에 따른 문제점을 해결하기 위하여, MJT LED가 갖는 대전압 소전류 구동 특성(예를 들어, 6~36V의 구동 전압 및 20~40mA의 구동 전류)에 착안하였으며, 이러한 MJT LED를 이용하여 백라이트 모듈을 구성함으로써 전술한 바와 같은 종래기술에 따른 문제점들을 해결하고자 하였다. 전술한 바와 같이, MJT LED의 경우 종래의 단일-셀 LED와 달리 임의의 수의 발광셀을 포함할 수 있으며, 포함되는 발광셀의 수에 따라 순방향 전압이 달라지는 특성을 가지고 있다. 또한, MJT LED의 경우 복수의 발광셀을 포함하고 있으므로 종래의 단일-셀 LED에 비하여 넓은 범위를 조사할 수 있고, 또한 하나의 MJT LED 칩으로 구성되므로 이에 대한 광학 부재를 설계하고 적용하기에 용이하다. 따라서, 이러한 MJT LED를 이용하는 경우, 액정패널의 복수의 분할 영역 중 하나의 분할 영역을 MJT LED 모듈(MJT LED+광학 부재) 하나로 커버할 수 있게 된다. 따라서, 백라이트 모듈을 구성하는데 요구되는 LED들의 수가 종래의 단일-셀 LED에 비하여 줄어들게 된다. 결론적으로, 본 발명은 복수의 MJT LED 모듈을 이용하여 백라이트 모듈을 구성하고, 백라이트 모듈을 구성하는 각각의 MJT LED들을 각기 독립적으로 제어하도록 백라이트 유닛을 구성함으로써 본 발명의 목적을 달성할 수 있도록 구성된다.
이하에서, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 백라이트 유닛(1000)에 대하여 보다 구체적으로 살펴보도록 한다.
먼저, 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 MJT LED를 이용한 백라이트 유닛의 개략적인 구성 블록도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)은 백라이트 제어모듈(400) 및 백라이트 모듈(300)을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 백라이트 제어모듈(400)은 외부로부터 입력되는 입력 전원(Vin)을 이용하여 DC 구동 전원을 생성/출력하는 구동 전원 생성부(410) 및 백라이트 모듈(300)을 구성하는 복수의 MJT LED들(100) 각각의 동작을 제어(온/오프 제어 및 디밍 제어)하는 구동 제어부(420)를 포함하여 구성된다. 구동 전원 생성부(410)는 일반적으로 12V, 24V, 48V 등의 안정적인 DC 전압을 구동 전원으로 생성하여 백라이트 모듈(300)을 구성하는 복수의 MJT LED들(100)에 제공하도록 구성된다. 이때, 구동 전원 생성부(410)에 공급되는 입력 전원(Vin)은 220V 또는 110V의 상용 교류전원일 수 있다. 이러한 구동 전원 생성부(410)는 도 1에 도시된 종래기술에 따른 구동 전원 생성부(410)와 실질적으로 동일하게 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 백라이트 모듈(300)은 인쇄회로기판(도 2에는 미도시됨) 상에 복수의 MJT LED들(100) 및 각각의 MJT LED(100)에 대응하는 광학 부재(도 2에는 미도시됨)를 규칙적으로(예를 들어, 매트릭스 형태로) 배치함으로써 구성될 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에 있어, 백라이트 모듈(300) 내에서 가로 방향으로 M개의 MJT LED들(100)이 배치되고, 세로 방향으로 N개의 MJT LED들(100)이 배치되어 MxN 매트릭스 배열을 구성하는 것으로 가정한다. 또한, 좌측 최상단에 배치되는 MJT LED를 제 1-1 MJT LED(100_11)로 지칭하며 우측 최하단에 배치되는 MJT LED를 제 M-N MJT LED(100_MN)로 지칭한다.
한편, 여기서 가장 주목해야 할 점은, 도 1에 도시된 종래기술과 달린 도 2에 도시된 실시예의 백라이트 모듈(300) 내의 MJT LED들(100)은 서로 직렬 또는 병렬 또는 직/병렬로 연결되지 않고 각기 독립적으로 구동 전원 생성부(410) 및 구동 제어부(420)에 연결되도록 구성된다는 점이다. 즉, 도 2에 도시된 실시예에 있어, 각 MJT LED(100)의 애노드단이 독립적으로 구동 전원 생성부(410)에 연결되며, 각 MJT LED(100)의 캐소드단이 독립적으로 구동 제어부(420)에 연결된다.
이러한 구성으로 인하여, 본 발명에 따른 구동 제어부(420)는 백라이트 모듈(300)을 구성하는 복수의 MJT LED들(100) 각각의 동작을 독립적으로 제어할 수 있게 된다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 구동 제어부(420)는 디밍 신호(Dim)에 따라 복수의 MJT LED들(100) 중 특정 MJT LED의 디밍 레벨을 제어하도록 구성된다.
일 실시예에 있어, 본 발명에 따른 구동 제어부(420)는 PWM 제어 수단(미도시)을 포함하며, MJT LED들(100) 중 디밍 제어 대상이 되는 특정 MJT LED에 공급되는 구동 전원을 PWM(Pulse Width Modulation) 제어함으로써 디밍 제어를 수행하도록 구성될 수 있다. 특히, 도 1에 도시되어 있는 종래기술과 달리, 도 2에 도시되어 있는 본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)은 복수의 MJT LED들(100) 각각이 서로 독립적으로 구동 전원 생성부(410)에 연결되어 독립적으로 구동 전원을 공급받도록 구성되어 있기 때문에, 이러한 PWM 제어 방식의 디밍 제어가 가능해 진다. 예를 들어, 제 1-1 MJT LED(100_11)에 대한 디밍 제어가 필요한 경우, 구동 제어부(420)는 생성된 구동 전원을 디밍 신호(Dim)에 따라 소정의 듀티비(예를 들어, 60%)로 펄스 폭 변조하고, 펄스 폭 변조된 구동 전원을 제 1-1 MJT LED(100_11)에 제공함으로써 제 1-1 MJT LED(100_11)에 대한 디밍 제어를 수행할 수 있다. 이때, 제 1-1 MJT LED(100_11) 외의 다른 MJT LED들에는 펄스 폭 변조되지 않은 듀티비가 100%인 구동 전원이 공급될 것이다. 또는, 이때, 제 1-1 MJT LED(100_11) 외의 다른 MJT LED들에는 정상 듀티비(별도의 디밍 제어가 없을 때 기본적으로 갖는 듀티비, 예를 들어, 80%)로 펄스 폭 변조된 구동 전원이 공급될 것이다. 따라서, 제 1-1 MJT LED(100_11)만에 대한 로컬 디밍이 가능하게 된다. 물론, 복수의 MJT LED들에 대하여 동시에 PWM 제어를 이용하여 동일한 디밍 레벨로 및/또는 각각의 MJT LED별로 상이한 디밍 레벨들로 디밍 제어가 가능하다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 구동 전원을 PWM 제어하기 위한 PWM 제어 수단 자체는 이미 공지된 기술을 채택하고 있는바, 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 다른 실시예에 있어, 본 발명에 따른 구동 제어부(420)는 구동 전류 검출 수단(미도시) 및 구동 전류 제어 수단(미도시)을 포함하며, MJT LED들(100) 중 디밍 제어 대상이 되는 특정 MJT LED에 공급되는 구동 전류를 제어함으로써 디밍 제어를 수행하도록 구성될 수 있다. 특히, 도 1에 도시되어 있는 종래기술과 달리, 도 2에 도시되어 있는 본 발명에 따른 백라이트 유닛(1000)은 복수의 MJT LED들(100) 각각이 서로 독립적으로 구동 제어부(420)에 연결되어 있으므로, 이러한 방식의 MJT LED별 구동 전류 제어 방식의 디밍 제어가 가능해 진다. 이때, 구동 제어부(420)에 포함되는 구동 전류 검출 수단 및 구동 전류 제어 수단은 MJT LED들(100) 각각에 1 대 1로 대응하게 된다. 따라서, 전술한 바와 같이 MxN개의 MJT LED들(100)로 백라이트 모듈(300)이 구성되는 경우, MxN개의 구동 전류 검출 수단 및 구동 전류 제어 수단이 구동 제어부(420)에 포함된다. 예를 들어, 제 M-N MJT LED(100_MN)에 대한 디밍 제어가 필요한 경우, 구동 제어부(420)는 구동 전류 검출 수단을 이용하여 현재 제 M-N MJT LED(100_MN)에 흐르는 구동 전류를 검출하고, 디밍 신호(Dim)에 따라 제 M-N MJT LED(100_MN)에 흐르는 구동 전류의 값을 변경함으로써(예를 들어, 최대 구동 전류의 100%로) 제 M-N MJT LED(100_MN)에 대한 디밍 제어를 수행하게 된다. 이때, 제 M-N MJT LED(100_MN) 외의 다른 MJT LED들에는 정상 구동 전류(별도의 디밍 제어가 없을 때 기본적으로 설정된 구동 전류, 예를 들어, 최대 구동 전류의 80%)가 흐르게 되므로, 제 M-N MJT LED(100_MN)만에 대한 로컬 디밍이 가능하게 된다. 물론, 복수의 MJT LED들에 대하여 동시에 구동 전류 제어를 통해 동일한 디밍 레벨로 및/또는 각각의 MJT LED별로 상이한 디밍 레벨들로 디밍 제어가 가능하다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 한편, 이러한 실시예에 있어 MJT LED들(100)이 각기 독립적으로 구동 전원을 공급받아야할 필요성이 없기 때문에, 도 2에 도시된 실시예와 달리, 각 MJT LED(100)의 애노드단이 구동 전원 생성부(410)에 연결된 하나의 구동 전원 라인에 각기 병렬로 연결되도록 구성될 수도 있다. 구동 전류 검출 수단 및 구동 전류 제어 수단 자체는 이미 공지된 기술을 채택하고 있는바, 더 이상의 상세한 설명은 생략하기로 한다.
MJT LED 및 MJT LED 모듈의 개괄
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 설명하기 위한 개략적인 단면도이고, 도 4는 MJT LED 모듈에 사용되는 MJT LED를 설명하기 위한 사시도이다. 이하에서, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명에 따른 MJT LED(100) 및 MJT LED 모듈의 구체적인 구성을 살펴보도록 한다.
도 3을 참조하면, MJT LED 모듈은 MJT LED(100) 및 광학 부재(130)를 포함한다. MJT LED(100)가 인쇄회로기판(110) 상에 실장되며, 대응하는 광학 부재(130)가 MJT LED(100)와 정합되는 위치에서 인쇄회로기판(110) 상에 실장된다. 전술한 바와 같이 다른 실시예에 있어 광학 부재(130)가 MJT LED(100)에 직접적으로 연결될 수도 있다. 인쇄회로기판(110)은 일부가 도시되어 있지만, 하나의 인쇄회로기판(110) 상에 복수의 MJT LED들(100) 및 그에 대응하는 광학 부재들(130)이 매트릭스 또는 벌집 모양 등 다양하게 배열되어 전술한 바와 같은 백라이트 모듈(300)을 구성하게 된다.
인쇄회로기판(110)은 MJT LED(100)의 단자들이 본딩되는 도전성의 랜드 패턴들을 상면에 포함한다. 또한, 인쇄회로기판(110)은 상면에 반사막을 포함할 수 있다. 인쇄회로기판(110)은 열전도성이 좋은 금속을 기반으로 하는 MCPCB(Metal-Core PCB)일 수 있다. 또한, 인쇄회로기판(110)은 FR4와 같은 절연성 기판 재료를 기반으로 할 수 있다. 도시하지는 않았지만, 인쇄회로기판(110)의 하부에는 MJT LED(100)에서 발생된 열을 방출하기 위해 히트싱크가 배치될 수 있다.
MJT LED(100)는, 도 4에 잘 도시된 바와 같이, 하우징(121)과, 하우징(121) 상에 실장된 MJT LED 칩(123) 및 MJT LED 칩(123)을 덮는 파장 변환층(125)을 포함할 수 있다. MJT LED(100)는 또한 하우징(121)에 지지된 리드 단자들(도시하지 않음)을 포함한다.
패키지 몸체를 구성하는 하우징(121)은 PA 또는 PPA 등과 같은 플라스틱 수지를 사출 성형하여 만들어질 수 있다. 이 경우, 하우징(121)은 사출 성형 공정에 의해 리드 단자들을 지지하는 상태로 성형될 수 있으며, 또한 MJT LED 칩(123)을 실장하기 위한 캐비티(121a)를 가질 수 있다. 캐비티(121a)는 MJT LED(100)의 광 출사 영역을 정의한다.
리드 단자들은 하우징(121) 내에서 서로 이격되게 배치되며, 하우징(121) 외부로 연장되어 인쇄회로기판(110) 상의 랜드 패턴에 본딩된다.
MJT LED 칩(123)은 캐비티(121a) 바닥에 실장되어 리드 단자들에 전기적으로 연결된다. MJT LED 칩(123)은 자외선 또는 청색광을 방출하는 질화갈륨 계열의 MJT LED일 수 있다. 본 발명에 따른 MJT LED 칩(123)의 상세 구성과 그 제조 방법에 대해서는 도 5 내지 도 18을 참조하여 후술하도록 한다.
한편, 파장 변환층(125)이 MJT LED 칩(123)을 덮는다. 일 실시예에서, 파장 변환층(125)은 MJT LED 칩(123)을 실장한 후, 형광체를 함유하는 몰딩수지로 캐비티(121a)를 채워 형성될 수 있다. 이때, 파장 변환층(125)은 하우징(121)의 캐비티(121a)를 채우고 상면이 실질적으로 평평하거나 또는 볼록할 수 있다. 또한, 파장 변환층(125) 상에 광학 부재 형상을 갖는 몰딩 수지가 더 형성될 수도 있다.
다른 실시예에서, 컨포멀한 형광체 코팅층이 형성된 MJT LED 칩(123)이 하우징(121) 상에 실장될 수 있다. 즉, MJT LED 칩(123) 상에 형광체의 컨포멀 코팅층을 적용하고, 이 형광체 코팅층을 갖는 MJT LED 칩(123)을 하우징(121) 상에 실장할 수 있다. 컨포멀 코팅층을 갖는 MJT LED 칩(123)은 투명 수지에 의해 몰딩될 수 있다. 나아가, 이 몰딩 수지는 광학 부재 형상을 가질 수 있으며, 따라서 1차 광학 부재로서 기능할 수 있다.
파장 변환층(125)은 MJT LED 칩(123)에서 방출된 광을 파장 변환하여 혼색광, 예컨대 백색광을 구현한다.
MJT LED(100)는 거울면 대칭 구조의 광 지향 분포를 갖도록 설계되며, 특히 회전 대칭 구조의 광 지향 분포를 갖도록 설계될 수 있다. 이때, 광 지향 분포의 중심을 향하는 MJT LED의 축이 광축(L)으로 정의된다. 즉, MJT LED(100)는 광축(L)을 중심으로 좌우 대칭인 광 지향 분포를 갖도록 설계된다. 일반적으로, 하우징(121)의 캐비티(121a)가 거울면 대칭 구조를 갖도록 형성될 수 있으며, 광축(L)은 캐비티(121a)의 중심을 지나는 직선으로 정의될 수 있다.
광학 부재(130)는 MJT LED(100)로부터 광을 입사받는 입광면 및 MJT LED(100)의 광 지향각 보다 넓은 광 지향각으로 광을 출사하는 출광면을 포함하여 구성되어, MJT LED(100)로부터 출사되는 광을 고르게 분산시키는 기능을 수행하게 된다. 이러한 본원발명에 따른 광학 부재(130)에 대해서는 도 19 내지 도 33을 참조하여 후술하도록 한다.
MJT LED 칩의 구성 및 그 제조 방법
이하에서, 전술한 바와 같이 본 발명에 따른 MJT LED(100)에 실장되는 MJT LED 칩(123)의 구성과 그 제조 방법에 대하여 도 5 내지 도 18을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 칩을 설명하기 위한 개략적인 평면도이고, 도 6은 도 5의 절취선 B-B를 따라 취해진 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, MJT LED 칩(123)은 성장 기판(51), 발광셀들(S1, S2), 투명전극층(61), 전류 차단층(60a), 절연층(60b), 절연 보호층(63) 및 배선(65)를 포함한다. 또한, MJT LED 칩(123)은 버퍼층(53)을 포함할 수 있다.
성장 기판(51)은 절연 또는 도전성 기판일 수 있으며, 예컨대 사파이어 기판, 질화갈륨 기판, 탄화실리콘(SiC) 기판 또는 실리콘 기판일 수 있다. 나아가, 성장 기판(51)은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 상면에 요철 패턴(도시하지 않음)을 갖는 성장 기판일 수 있다.
단일 성장 기판(51) 상에 제1 발광셀(S1) 및 제2 발광셀(S2)이 이격되어 위치한다. 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2) 각각은 하부 반도체층(55), 하부 반도체층의 일 영역 상에 위치하는 상부 반도체층(59) 및 하부 반도체층과 상부 반도체층 사이에 개재된 활성층(57)을 포함하는 적층 구조(56)를 갖는다. 여기서, 하부 및 상부 반도체층은 각각 n형 및 p형인 것으로 설명하지만, 그 반대일 수도 있다.
하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 활성층(57)은 요구되는 파장의 광 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정되며, 하부 반도체층(55) 및 상부 반도체층(59)은 활성층(57)에 비해 밴드갭이 큰 물질로 형성된다.
하부 반도체층(55) 및/또는 상부 반도체층(59)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(57)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다.
제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)은 경사진 측면을 가질 수 있으며, 측면의 경사각은 성장 기판(51) 상부면에 대해 예컨대 15도 내지 80도 범위 내 일 수 있다.
활성층(57) 및 상부 반도체층(59)이 하부 반도체층(55)의 상에 위치한다. 하부 반도체층(55)의 상면은 활성층(57)에 의해 완전히 덮일 수 있으며, 그 측면만이 노출될 수 있다.
도 6에서, 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)의 일부를 도시하고 있지만, 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)은 도 5에 도시한 바와 같이 유사하거나 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)은 동일한 질화갈륨계 반도체 적층 구조를 가질 수 있으며, 또한 동일한 구조의 경사진 측면을 가질 수 있다.
한편, 발광셀들(S1, S2)과 성장 기판(51) 사이에 버퍼층(53)이 개재될 수 있다. 버퍼층(53)은, 성장 기판(51)과 그 위에 형성될 하부 반도체층(55)의 격자부정합을 완화시키기 위해 채택된다.
투명 전극층(61)은 각 발광셀(S1, S2) 상에 위치한다. 즉, 제1 투명 전극층(61)이 제1 발광셀(S1) 상에 위치하며, 제2 투명 전극층(61)이 제2 발광셀(S2) 상에 위치한다. 투명 전극층(61)은 상부 반도체층(59) 상부면 상에 위치하여 상부 반도체층(59)에 접속할 수 있으며, 상부 반도체층(59)의 면적보다 좁은 면적을 가질 수 있다. 즉, 투명 전극층(61)은 상부 반도체층(59)의 가장자리로부터 리세스될 수 있다. 따라서, 투명 전극층(61)의 가장자리에서 발광셀(S1, S2)의 측벽을 통해 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 전류 차단층(60a)은 각 발광셀(S1, S2) 상에 위치할 수 있으며, 투명 전극층(61)과 발광셀(S1, S2) 사이에 위치한다. 투명 전극층(61)의 일부는 전류 차단층(60a) 상에 위치한다. 전류 차단층(60a)은 각 발광셀(S1, S2)의 가장자리 근처에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 각 발광셀(S1, S2)의 중앙 영역에 위치할 수도 있다. 전류 차단층(60a)은 절연물질로 형성되며, 특히 굴절률이 서로 다른 층들을 교대로 적층한 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있다.
한편, 절연층(60b)이 제1 발광셀(S1)의 측면 일부를 덮는다. 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 절연층(60b)은 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2) 사이의 영역으로 연장할 수 있으며, 나아가, 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 측면 일부를 덮을 수도 있다. 절연층(60b)은 전류 차단층(60a)과 동일 구조 및 동일 재료로 형성될 수 있으며, 분포 브래그 반사기를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 절연층(60b)은 전류 차단층(60a)과 다른 공정에 의해 다른 재료로 형성될 수도 있다. 다만, 절연층(60b)이 다중층인 분포 브래그 반사기를 포함할 경우, 절연층(60b) 내에 핀홀과 같은 결함이 발생하는 것을 효율적으로 억제할 수 있다. 절연층(60b)은 전류 차단층(60a)에 연결되어 연속적으로 위치할 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 절연층(60b)과 전류 차단층(60a)은 서로 이격되어 배치될 수도 있다.
배선(65)은 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)을 전기적으로 연결한다. 배선(65)은 제1 접속부(65p)와 제2 접속부(65n)를 포함한다. 제1 접속부(65p)는 제1 발광셀(S1) 상의 투명 전극층(61)에 전기적으로 접속되고, 제2 접속부(65n)는 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)에 전기적으로 접속된다. 제1 접속부(65p)는 제1 발광셀(S1)의 일측 가장자리에 가깝게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 발광셀(S1)의 중앙 영역에 배치될 수도 있다.
제2 접속부(65n)는 제2 발광셀(S2)의 경사진 측면, 특히 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 경사진 측면에 접촉할 수 있다. 또한, 제2 접속부(65n)는 도 5에 도시한 바와 같이, 제2 발광셀(S2)의 둘레를 따라 양측으로 연장하면서 하부 반도체층(55)의 경사진 측면에 전기적으로 접촉할 수 있다. 배선(65)의 제1 및 제2 접속부들(65p, 65n)에 의해 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)이 직렬 연결된다.
배선(65)은 투명 전극층(61)과 중첩하는 전 영역에서 투명 전극층(61)에 접촉할 수 있다. 종래 기술에서는 절연층의 일부가 투명 전극층과 배선 사이에 위치하나, 본 실시예에 있어서, 배선(65)과 투명 전극층(61)은 그들 사이에 어떠한 절연물질도 없이 직접 접촉할 수 있다.
또한, 배선(65)과 투명 전극층(61)이 중첩하는 전 영역에 걸쳐 전류 차단층(60a)이 위치할 수 있으며, 나아가, 배선(65)과 제1 발광셀(S1)이 중첩하는 전 영역에 걸쳐 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)이 위치할 수 있다. 또한, 절연층(60b)은 배선(65)이 제2 발광셀(S2)에 접속하는 영역 이외의 다른 영역에서 제2 발광셀(S2)과 배선(65) 사이에 위치할 수도 있다.
도 5에서, 배선(65)의 제1 접속부(65p)와 제2 접속부(65n)가 두 개의 경로를 통해 서로 연결된 것으로 도시하였으나, 하나의 경로를 통해 연결될 수도 있다.
한편, 전류 차단층(60a) 및 절연층(60b)이 분포 브래그 반사기와 같이 반사 특성을 갖는 경우, 전류 차단층(60a) 및 절연층(60b)은 배선(65) 면적의 2배 이하의 영역에서 배선(65) 영역과 거의 동일한 영역 내에 한정되어 위치하는 것이 바람직하다. 전류 차단층(60a) 및 절연층(60b)은 활성층(57)에서 방출된 광이 배선(65)에 흡수되는 것을 차단하지만, 과도하게 넓을 경우, 광이 외부로 방출되는 것을 차단할 수 있기 때문에, 그 면적을 제한할 필요가 있다.
한편, 절연 보호층(63)은 배선(65) 영역 외부에 위치할 수 있다. 절연 보호층(63)은 배선(65) 영역 외부의 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)을 덮는다. 절연 보호층(63)은 실리콘산화막(SiO2) 또는 실리콘 질화막으로 형성될 수 있다. 절연 보호층(63)은 제1 발광셀(S1) 상의 투명 전극층(61) 및 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층을 함께 노출시키는 개구부를 가지며, 배선(65)은 이 개구부 내에 위치할 수 있다.
절연 보호층(63)의 측면과 배선(65)의 측면은 서로 마주볼 수 있으며, 서로 접촉할 수도 있다. 이와 달리, 절연 보호층(63)의 측면과 배선(65)의 측면은 서로 이격되어 마주볼 수 있다.
본 실시예에 따르면, 배선(65)의 제2 접속부(65n)가 제2 발광셀(S2)의 경사진 측면에 전기적으로 접촉하므로, 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 상면을 노출시킬 필요가 없다. 따라서, 제2 반도체층(59) 및 활성층(57)을 부분적으로 제거할 필요가 없으며, 그 결과 MJT LED 칩(123)의 유효 발광 면적을 증가시킬 수 있다.
또한, 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)이 동일 재료 및 동일 구조를 가질 수 있으며, 따라서 동일 공정에 의해 함께 형성될 수 있다. 또한, 절연 보호층(63)의 개구부 내에 배선(65)이 배치되므로, 절연 보호층(63)과 배선(65)을 동일한 마스크 패턴을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2)의 두개의 발광셀들을 예시하였으나, 본 발명은 두개의 발광셀들에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 발광셀들이 배선들(65)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 배선들(65)은 인접한 발광셀들의 하부 반도체층들(55)과 투명 전극층들(61)을 각각 전기적으로 연결하여 발광셀들의 직렬 어레이를 형성할 수 있다. 이러한 어레이들이 복수개 형성될 수 있으며, 복수개의 어레이들이 서로 역병렬로 연결되어 교류전원에 연결되어 구동될 수 있다. 또한, 발광셀들의 직렬 어레이에 연결된 브리지 정류기(도시하지 않음)가 형성될 수 있으며, 브리지 정류기에 의해 발광셀들이 교류전원하에서 구동될 수도 있다. 브리지 정류기는 발광셀들(S1, S2)과 동일한 구조의 발광셀들을 배선들(65)을 이용하여 결선함으로써 형성할 수 있다.
도 7 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 칩(123)을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7을 참조하면, 성장 기판(51) 상에 하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)을 포함하는 반도체 적층 구조(56)가 형성된다. 또한, 하부 반도체층(55)을 형성하기 전, 성장 기판(51) 상에 버퍼층(53)이 형성될 수 있다.
성장 기판(51)은 사파이어(Al2O3), 탄화실리콘(SiC), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 리튬-알루미나(LiAl2O3), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN) 또는 질화갈륨(GaN) 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 성장 기판(51) 상에 형성될 반도체층의 물질에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 또한, 성장 기판(51)은 패터닝된 사파이어 기판과 같이 상면에 요철 패턴을 가질 수 있다.
버퍼층(53)은 성장 기판(51)과 그 위에 형성될 반도체층(55)의 격자부정합을 완화하기 위해 형성되며, 예컨대 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있다. 성장 기판(51)이 도전성 기판인 경우, 버퍼층(53)은 절연층 또는 반절연층으로 형성되는 것이 바람직하며, AlN 또는 반절연 GaN로 형성될 수 있다.
하부 반도체층(55), 활성층(57) 및 상부 반도체층(59)은 각각 질화갈륨 계열의 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N로 형성될 수 있다. 하부 및 상부 반도체층(55, 59) 및 활성층(57)은 금속유기화학기상증착(MOCVD), 분자선 성장(molecular beam epitaxy) 또는 수소화물 기상 성장(hydride vapor phase epitaxy; HVPE) 기술 등을 사용하여 단속적으로 또는 연속적으로 성장될 수 있다.
여기서, 하부 및 상부 반도체층들은 각각 n형 및 p형인 것으로 설명하지만, 그 반대일 수도 있다. 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층에서, n형 반도체층은 불순물로 예컨대 실리콘(Si)을 도핑하여 형성될 수 있으며, p형 반도체층은 불순물로 예컨대 마그네슘(Mg)을 도핑하여 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 사진 및 식각 공정을 이용하여 서로 이격된 복수의 발광셀들(S1, S2)을 형성한다. 각 발광셀들(S1, S2)은 경사진 측면을 갖도록 형성된다. 종래의 MJT LED 칩 제조 방법에서는, 각 발광셀들(S1, S2)의 하부 반도체층(55)의 상면을 부분적으로 노출시키기 위해 사진 및 식각 공정이 추가된다. 그러나 본 발명의 실시예에 있어서, 하부 반도체층(55)의 상면을 부분적으로 노출시키기 위한 사진 및 식각 공정은 생략된다.
도 9을 참조하면, 제1 발광셀(S1) 상의 일부 영역을 덮는 전류 차단층(60a)과 함께 제1 발광셀(S1) 측면의 일부 영역을 덮는 절연층(60b)을 형성한다. 절연층(60b)은 또한 연장하여 제1 발광셀(S1)과 제2 발광셀(S2) 사이의 영역을 덮을 수 있으며, 나아가, 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 측면 일부를 덮을 수 있다.
전류 차단층(60a)과 절연층(60b)은 절연재료 층을 증착하고, 이를 사진 및 식각 공정을 이용하여 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 이와 달리, 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)은 리프트 오프 기술을 이용하여 절연재료의 층으로 형성될 수 있다. 특히, 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)은 굴절률이 서로 다른 층들, 예컨대 SiO2와 TiO2를 교대로 적층한 분포 브래그 반사기로 형성될 수 있다. 절연층(60b)이 다중층인 분포 브래그 반사기로 형성될 경우, 절연층(60b) 내에 핀홀과 같은 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있어 종래 기술에 비해 절연층(60b)을 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있다.
전류 차단층(60a)과 절연층(60b)은, 도 9에 도시한 바와 같이, 서로 연결될 수 있으나, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 제1 및 제2 발광셀(S1, S2) 상에 투명 전극층(61)을 형성한다. 투명 전극층(61)은 인디움틴산화물(ITO) 또는 아연산화물과 같은 도전성 산화물 또는 Ni/Au와 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 투명 전극층(61)은 상부 반도체층(59)에 접속되며 또한 투명 전극층(61)의 일부는 전류 차단층(60a) 상에 위치한다. 투명 전극층(61)은 리프트 오프 기술을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사진 및 식각 공정을 이용하여 형성될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)을 덮는 절연 보호층(63)이 형성된다. 절연 보호층(63)은 투명 전극층(61) 및 절연층(60b)을 덮는다. 나아가,. 절연 보호층(63)은 제1 발광셀(S1) 및 제2 발광셀(S2)의 전 영역을 덮을 수 있다. 절연 보호층(63)은 화학기상증착 기술을 사용하여 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막과 같은 절연 재료의 층으로 형성된다.
도 11을 참조하면, 절연 보호층(63) 상에 개구부를 갖는 마스크 패턴(70)이 형성된다. 마스크 패턴(70)의 개구부는 배선 영역에 대응한다. 이어서, 마스크 패턴(70)을 식각 마스크로 사용하여 절연 보호층(63)의 일부 영역이 식각된다. 이에 따라, 절연 보호층(63)에 투명 전극층(61)의 일부와 절연층(60b)을 노출되고, 또한 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 경사진 측면을 노출하는 개구부가 형성된다.
도 12를 참조하면, 마스크 패턴(70)이 남아 있는 상태에서 도전 재료를 증착하여 마스크 패턴(70)의 개구부 내에 배선(65)을 형성한다. 이때, 도전 재료의 일부(65a)는 마스크 패턴(70) 상에 증착될 수도 있다. 도전 재료는 도금, 전자 빔 증발 또는 스퍼터링 기술을 이용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 마스크 패턴(70)과 함께 마스크 패턴(70) 상의 도전 재료의 일부(65a)를 제거된다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)을 전기적으로 연결하는 배선(65)이 완성된다.
여기서, 배선(65)의 제1 접속부(65p)는 제1 발광셀(S1)의 투명 전극층(61)에 접속되고, 제2 접속부(65n)는 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 경사진 측면에 접촉된다. 배선(65)의 제1 접속부(65p)는 전류 차단층(60a) 상부 영역 내의 투명 전극층(60a)에 접속될 수 있다. 배선(65)은 절연층(60b)에 의해 제1 발광셀(S1)의 측면으로부터 이격된다.
본 실시예에 있어서, 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)이 동일 공정에 의해 형성된다. 이에 따라, 절연 보호층(63)과 배선(65)을 동일 마스크 패턴(70)을 이용하여 형성할 수 있으며, 따라서, 전류 차단층(60a)을 추가하면서도 동일한 횟수의 노광 공정을 통해 MJT LED 칩을 제조할 수 있다.
도 14은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 MJT LED 칩을 설명하기 위한 단면도이다.
도 14을 참조하면, MJT LED 칩은 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 MJT LED 칩과 대체로 유사하나, 투명 도전층(62)을 더 포함하는 것에 차이가 있다.
성장 기판(51), 발광셀들(S1, S2), 버퍼층(53), 투명전극층(61), 전류 차단층(60a), 절연층(60b), 절연 보호층(63) 및 배선(65)은 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한 방광 다이오드와 유사하므로 상세한 설명은 생략한다.
투명 도전층(62)은 절연층(60b)과 배선(65) 사이에 위치한다. 투명 도전층(62)은 절연층(60b)보다 좁은 폭을 가지며, 따라서, 상부 반도체층(59)과 하부 반도체층(55)이 투명 도전층(62) 때문에 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 투명 도전층(62)은 제1 투명 전극층(61)에 연결되며, 나아가, 제1 투명 전극층(61)을 제2 발광셀(S2)에 전기적으로 연결할 수도 있다. 예컨대, 투명 도전층(62)의 단부는 제2 발광셀의 하부 반도체층(55)에 전기적으로 접속될 수 있다. 또한, 2개 이상의 더 많은 복수의 발광셀들이 연결된 경우, 제2 발광셀(S2) 상의 제2 투명 전극층(61)으로부터 제2 투명 도전층(62)이 연장할 것이다.
본 실시예에 있어서, 투명 도전층(62)이 배선(65)과 절연층(60b) 사이에 배치되므로, 배선(65)이 단선된 경우에도 투명 도전층(62)을 통해 전류가 흐를 수 있으며, 이에 따라, MJT LED 칩의 전기적 안정성이 개선된다.
도 15 내지 도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 MJT LED 칩을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 15를 참조하면, 우선, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 성장 기판(51) 상에 반도체 적층 구조(56)가 형성되고, 사진 및 식각 공정을 이용하여 서로 이격된 복수의 발광셀들(S1, S2)이 형성된다. 그 후, 도 9을 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 발광셀(S1) 상의 일부 영역을 덮는 전류 차단층(60a)과 함께 제1 발광셀(S1) 측면의 일부 영역을 덮는 절연층(60b)이 형성된다.
도 9을 참조하여 설명한 바와 같이, 전류 차단층(60a)과 절연층(60b)은 굴절률이 서로 다른 층들, 예컨대 SiO2와 TiO2를 교대로 적층한 분포 브래그 반사기로 형성될 수 있다. 절연층(60b)이 다중층인 분포 브래그 반사기로 형성될 경우, 절연층(60b) 내에 핀홀과 같은 결함이 발생하는 것을 방지할 수 있어 종래 기술에 비해 절연층(60b)을 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있다.
이어서, 제1 및 제2 발광셀(S1, S2) 상에 투명 전극층(61)이 형성된다. 투명 전극층(61)은, 도 9을 참조하여 설명한 바와 같이, 인디움틴산화물(ITO) 또는 아연산화물과 같은 도전성 산화물 또는 Ni/Au와 같은 금속층으로 형성될 수 있다. 투명 전극층(61)은 상부 반도체층(59)에 접속되며 또한 투명 전극층(61)의 일부는 전류 차단층(60a) 상에 위치한다. 투명 전극층(61)은 리프트 오프 기술을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 사진 및 식각 공정을 이용하여 형성될 수도 있다.
투명 전극층(61)을 형성하는 동안, 투명 도전층(62)이 함께 형성된다. 투명 도전층(62)은 투명 전극층(61)과 동일한 물질로 동일한 공정을 통해 함께 형성될 수 있다. 투명 도전층(62)은 절연층(60b) 상에 형성되며, 투명 전극층(61)에 연결될 수 있다. 또한, 투명 도전층(62)의 단부는 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 경사진 측면에 전기적으로 접속할 수 있다.
도 16을 참조하면, 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)을 덮는 절연 보호층(63)이 형성된다. 절연 보호층(63)은 투명 전극층(61), 투명 도전층(62) 및 절연층(60b)을 덮는다. 나아가, 절연 보호층(63)은 제1 발광셀(S1) 및 제2 발광셀(S2)의 전 영역을 덮을 수 있다. 절연 보호층(63)은 화학기상증착 기술을 사용하여 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막과 같은 절연 재료의 층으로 형성된다.
도 17을 참조하면, 도 11을 참조하여 설명한 바와 같이, 절연 보호층(63) 상에 개구부를 갖는 마스크 패턴(70)이 형성된다. 마스크 패턴(70)의 개구부는 배선 영역에 대응한다. 이어서, 마스크 패턴(70)을 식각 마스크로 사용하여 절연 보호층(63)의 일부 영역이 식각된다. 이에 따라, 투명 전극층(61)의 일부와 투명 도전층(62)을 노출하고, 또한 제2 발광셀(S2)의 하부 반도체층(55)의 경사진 측면을 노출하는 개구부가 형성된다. 또한, 개구부를 통해 절연층(60b)의 일부가 노출된다.
도 18을 참조하면, 도 12를 참조하여 설명한 바와 같이, 마스크 패턴(70)이 남아 있는 상태에서 도전 재료를 증착하여 마스크 패턴(70)의 개구부 내에 배선(65)이 형성된다.
이어서, 도 13을 참조하여 설명한 바와 같이, 마스크 패턴(70)과 함께 마스크 패턴(70) 상의 도전 재료의 일부(65a)가 제거된다. 이에 따라, 제1 및 제2 발광셀들(S1, S2)을 전기적으로 연결하는 배선(65)이 완성된다.
도 7 내지 도 13을 참조하여 설명한 실시예에 있어서, 절연 보호층(63)을 식각하는 동안, 절연층(60b)이 손상될 수 있다. 예를 들어, 절연 보호층(63)을 불산과 같은 식각 용액을 이용하여 식각할 경우, 산화막을 포함하는 절연층(60b)이 식각 용액에 의해 손상될 수 있다. 이 경우, 절연층(60b)이 제1 발광셀(S1)로부터 배선(65)을 절연시키지 못해 단락이 발생될 수 있다.
이에 반해, 본 실시예에서는, 절연층(60b) 상에 투명 도전층(62)이 위치하므로, 투명 도전층(62) 아래의 절연층(60b)이 식각 손상으로부터 보호될 수 있다. 따라서, 배선(65)에 의한 단락이 방지된다.
본 실시예에 있어서, 투명 전극층(61)과 투명 도전층(62)은 동일 공정에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 투명 도전층(62)을 추가하면서도 동일한 횟수의 노광 공정을 통해 MJT LED 칩을 제조할 수 있다.
제 1 실시예에 따른 광학 부재 및 이를 포함하는 MJT LED 모듈의 구성
이하에서, 도 3 및 도 4와, 도 19 내지 도 25를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 광학 부재 및 이를 포함하는 MJT LED 모듈의 구체적인 구성과 기능에 대하여 살펴보도록 한다.
다시 도 3을 참조하면, 제 1 실시예에 따른 광학 부재(130)는 하부면(131) 및 상부면(135)을 포함하고, 또한 플랜지(137) 및 다리부(139)를 포함할 수 있다. 하부면(131)은 오목부(131a)를 포함하며, 상부면(135)은 오목면(135a)과 볼록면(135b)을 포함한다.
하부면(131)은 대략 원판 형상의 평면으로 이루어지며, 오목부(131a)는 중앙 부분에 위치한다. 하부면(131)은 평면일 필요는 없으며, 다양한 요철 패턴이 형성될 수도 있다.
한편, 오목부(131a)의 내면은 측면(133a)과 상단면(upper end surface, 133b)을 가지며, 상단면(133b)은 중심축(C)에 수직하고, 측면(133a)은 상단면(133b)으로부터 오목부(131a)의 입구로 이어진다. 여기서, 중심축(C)은 MJT LED(100)의 광축(L)과 일치하도록 정렬될 경우, 광학 부재(130)에서 출사되는 광 지향 분포의 중심이 되는 광학 부재(130)의 중심축으로 정의된다.
오목부(131a)는 입구에서부터 위로 올라갈수록 폭이 좁아지는 형상을 가질 수 있다. 즉, 측면(133a)은 입구로부터 상단면(133b)으로 갈수록 중심축(C)에 가까워진다. 따라서, 상단면(133b)의 영역을 입구보다 상대적으로 작게 만들 수 있다. 측면(133a)은 상단면(133b) 근처에서 상대적으로 경사가 완만할 수 있다.
상단면(133b) 영역은 오목부(131a)의 입구 영역보다 좁은 영역 내에 한정된다. 나아가, 상단면(133b) 영역은 상부면(135)의 오목면(135a)과 볼록면(135b)에 의해 형성되는 변곡선으로 둘러싸인 영역보다 좁은 영역 내에 한정될 수 있다. 더욱이, 상단면(133b) 영역은 MJT LED(100)의 캐비티(121a) 영역, 즉 광 출사 영역보다 좁은 영역 내에 한정되어 위치할 수 있다.
상단면(133b) 영역은 MJT LED의 광축(L)과 광학 부재(130)의 중심축(C)이 오정렬 될 때, 광학 부재(130)의 상부면(135)을 통해 출사되는 광의 지향 분포 변화를 완화한다. 따라서, 상단면(133b)의 영역은 MJT LED(100)와 광학 부재(130)의 정렬 오차를 고려하여 최소화할 수 있다.
한편, 광학 부재(130)의 상부면(135)은 중심축(C)을 기준으로 오목면(135a) 및 오목면(135a)에서 연속적으로 이어진 볼록면(135b)을 포함한다. 오목면(135a)과 볼록면(135b)이 만나는 선이 변곡선이 된다. 오목면(135a)은 광학 부재(130)의 중심축(C) 근처에서 출사되는 광을 상대적으로 큰 각도로 굴절시켜 중심축(C) 근처의 광을 분산시킨다. 또한, 볼록면(135b)은 중심축(C) 바깥쪽으로 출사되는 광량을 늘린다.
상부면(135) 및 오목부(131a)는 중심축(C)에 대해 대칭 구조를 갖는다. 예컨대, 상부면(135) 및 오목부(131a)는 중심축(C)을 지나는 면에 대해 거울면 대칭 구조를 가지며, 나아가, 중심축(C)에 대해 회전체 형상을 가질 수 있다. 또한, 오목부(131a) 및 상부면(135)의 형상은 요구되는 광 지향 분포에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
한편, 플랜지(137)는 상부면(135)과 하부면(131)을 연결하며 광학 부재의 외형 크기를 한정한다. 플랜지(137)의 측면과 하부면(131)에 요철 패턴이 형성될 수 있다. 한편, 광학 부재(130)의 다리부(139)가 인쇄회로기판(110)에 결합되어 하부면(131)을 인쇄회로기판(110)으로부터 이격되도록 지지한다. 결합은 다리부(139)들 각각의 선단이 예를 들면 접착제에 의해 인쇄회로기판(110) 상에 접착되거나 다리부(139) 각각이 인쇄회로기판(110)에 형성된 홀에 끼워지는 방식으로 이루어진다.
광학 부재(130)는 MJT LED(100)로부터 이격되어 위치하며, 따라서, 오목부(131a) 내에 에어갭이 형성된다. MJT LED(100)의 하우징(121)은 하부면(131) 아래에 위치하며, 나아가, MJT LED(100)의 파장 변환층(125)이 오목부(131a)로부터 떨어져 하부면(131) 아래에 위치할 수 있다. 따라서, 오목부(131a)내에서 진행하는 광이 하우징(121)이나 파장 변환층(125)에 흡수되어 손실되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 오목부(131a) 내에 중심축(C)에 수직한 면을 형성함으로써, MJT LED(100)와 광학 부재(130)의 정렬 오차가 발생하더라도 광학 부재(130)로부터 출사되는 광 지향 분포의 변화를 완화할 수 있다. 더욱이, 오목부(131a)에 상대적으로 첨예한 정점을 형성하지 않기 때문에, 광학 부재 제작이 쉬워진다.
도 19는 광학 부재의 다양한 변형예를 설명하기 위한 단면도들이다. 여기서는 도 3의 오목부(131a)의 다양한 변형예를 설명한다.
도 19(a)는 도 3에서 설명한 중심축(C)에 수직한 상단면(133b) 중 중심축(C) 근처의 일부분이 아래로 볼록한 면을 형성한다. 이 볼록한 면에 의해 중심축(C) 근처로 입사되는 광을 1차적으로 제어할 수 있다.
도 19(b)는 도 19(a)와 유사하나, 도 19(a)의 상단면 중 중심축(C)에 수직한 면이 위로 볼록하게 형성된 것에 차이가 있다. 상단면이 위로 볼록한 면과 아래로 볼록한 면이 혼합되어 있어, MJT LED와 광학 부재의 정렬 오차에 따른 광 지향 분포 변화를 완화할 수 있다.
도 19(c)는 도 3에서 설명한 중심축(C)에 수직한 상단면(133b) 중 중심축(C) 근처의 일부분이 위로 볼록한 면을 형성한다. 이 볼록한 면에 의해 중심축(C) 근처로 입사되는 광을 더 분산시킬 수 있다.
도 19(d)는 도 19(c)와 유사하나, 도 19(c)의 상단면 중 중심축(C)에 수직한 면이 아래로 볼록하게 형성된 것에 차이가 있다. 상단면이 위로 볼록한 면과 아래로 볼록한 면이 혼합되어 있어, MJT LED와 광학 부재의 정렬 오차에 따른 광 지향 분포 변화를 완화할 수 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 설명하기 위한 광학 부재의 단면도들이다.
도 20(a)를 참조하면, 상단면(133b)에 광 산란 패턴(33c)이 형성될 수 있다. 광 산란 패턴(33c)은 요철 패턴으로 형성될 수 있다. 나아가, 오목면(135a)에도 광 산란 패턴(35c)이 형성될 수 있다. 광 산란 패턴(35c) 또한 요철 패턴으로 형성될 수 있다.
일반적으로, 광학 부재의 중심축(C) 근처로 상대적으로 많은 광속이 집중된다. 더욱이, 본 발명의 실시예들은 상단면(133b)이 중심축(C)에 수직한 면이므로, 중심축(C) 근처에서 광속이 더욱 집중될 수 있다. 따라서, 상단면(133b) 및/또는 오목면(135a)에 광 산란 패턴(33c, 35c)을 형성함으로써, 중심축(C) 근처의 광속을 분산시킬 수 있다.
도 20(b)를 참조하면, 상단면(133b)에 광학 부재(130)와 다른 굴절률을 갖는 물질층(39a)이 위치할 수 있다. 물질층(39a)은 광학 부재보다 굴절률이 더 클 수 있으며, 따라서, 상단면(133b)으로 입사되는 광의 경로를 변경할 수 있다.
나아가, 오목면(135a)에도 광학 부재(130)와 다른 굴절률을 갖는 물질층(39b)이 위치할 수 있다. 물질층(39b)은 광학 부재보다 굴절률이 더 클 수 있으며, 따라서, 오목면(135a)을 통해 출사되는 광의 굴절각을 더 크게 할 수 있다.
도 20(a)의 광 산란 패턴(33c, 35c) 및 도 20(b)의 물질층들(39a, 39b)은 도 19의 다양한 광학 부재들에도 적용될 수 있다.
도 21은 시뮬레이션에 사용된 MJT LED 모듈의 치수를 나타내는 단면도이다. 여기서 도면부호는 도 3 및 도 4의 도면부호를 사용한다.
MJT LED(100)의 캐비티(121a)의 직경은 2.1mm이고, 높이는 0.6mm이다. 파장 변환층(125)은 캐비티(121a)를 채우고 평평한 면을 갖는다. 한편, MJT LED(100)와 광학 부재(130)의 하부면(131)의 이격 거리(d)는 0.18mm 이고, MJT LED(100)의 광축(L)과 광학 부재의 중심축(C)이 서로 정렬되도록 배치된다.
한편, 광학 부재(130)의 높이(H)는 4.7mm이고 상부면의 폭(W1)은 15mm이고, 오목면(135a)의 폭(W2)은 4.3mm이다. 또한, 하부면(131)에 위치하는 오목부(131a) 입구의 폭(w1)은 2.3mm이고, 상단면(133b)의 폭(w2)은 0.5mm이며, 오목부(131a)의 높이(h)는 1.8mm이다.
도 22는 도 21의 광학 부재의 형상을 설명하기 위한 그래프들이다. 여기서, (a)는 기준점(P), 거리(R), 입사각(θ1) 및 출사각(θ5)을 설명하기 위한 단면도이고, (b)는 입사각(θ1)에 따른 거리(R)의 변화를 나타내며, (c)는 입사각(θ1)에 따른 (θ5/θ1)의 변화를 나타낸다. 한편, 도 23은 기준점(P)에서 광학 부재(130)로 입사되는 광선을 3°간격으로 하여 광선 진행 방향을 나타낸다.
도 22(a)를 참조하면, 기준점(P)은 광축(L) 상에 위치하는 MJT LED(100)의 광 출사 지점을 나타낸다. 기준점(P)은 MJT LED(100) 내의 형광체에 의한 광 산란 등의 영향을 배제하기 위해 파장 변환층(125)의 바깥면에 위치하는 것으로 정하는 것이 적합하다.
한편, θ1은 기준점(P)으로부터 광학 부재(130)로 입사되는 각, 즉 입사각을 나타내고, θ5는 광학 부재(130)의 상부면(135)으로부터 출사되는 각, 즉 출사각을 나타낸다. 한편, R은 기준점(P)에서 오목부(131a)의 내면까지의 거리를 나타낸다.
도 22(b)를 참조하면, 오목부(131a)의 상단면(133b)이 중심축(C)에 수직하기 때문에, θ1이 증가함에 따라 R이 약간 증가한다. 도 22(b)의 그래프 내부에 도시된 확대 그래프는 R이 증가하는 것을 보여준다. 한편, 오목부(131a)의 측면(133a)에서 θ1이 증가함에 따라 R은 감소하며, 입구 근처에서 약간 증가하는 형상을 갖는다.
도 22(c)를 참조하면, (θ5/θ1)는 θ1이 증가함에 따라 오목면(135a) 근처에서 급격하게 증가하며, 볼록면(135b) 근처에서 상대적으로 완만하게 감소한다. 본 실시예에 있어서, 도 23에 도시한 바와 같이, 오목면(135a)과 볼록면(135b)이 인접하는 근처에서 출사되는 광의 광속은 서로 중첩될 수 있다. 즉, 기준점(P)에서 입사된 광 중 변곡선 근처에서 오목면(135a) 측으로 출사되는 광의 굴절각이 볼록면(135b)측으로 출사되는 광의 굴절각보다 더 클 수 있다. 따라서, 오목부(131a)의 상단면(133b)을 평면 형상으로 하면서도, 오목면(135a)과 볼록면(135b)의 형상을 제어함으로써 중심축(C) 근처에서 광속이 집중되는 것을 완화할 수 있다.
도 24는 도 21의 MJT LED 및 광학 부재에 따른 조도 분포를 나타내는 그래프들로서, (a)는 MJT LED의 조도 분포를 나타내고, (b)는 광학 부재 사용에 따른 MJT LED 모듈의 조도 분포를 나타낸다. 조도 분포는 25mm 이격된 스크린에 입사하는 광속밀도의 크기로 나타내었다.
도 24(a)에 도시한 바와 같이, MJT LED(100)는 광축(C)을 기준으로 좌우 대칭인 조도 분포를 나타내며, 광속밀도는 중앙에서 매우 높으며 주변으로 갈수록 급격히 감소한다. MJT LED(100)에 광학 부재(130)를 적용할 경우, 도 24(b)에 도시한 바와 같이, 반경 40mm 이내에서 대체로 균일한 광속밀도를 얻을 수 있다.
도 25는 도 21의 MJT LED 및 광학 부재에 따른 광 지향 분포를 나타내는 그래프들로서, (a)는 MJT LED의 광 지향 분포를 나타내고, (b)는 광학 부재 사용에 따른 MJT LED 모듈의 광 지향 분포를 나타낸다. 광 지향 분포는 기준점(P)으로부터 5m 이격된 지점에서의 지향각에 따른 광도를 나타낸 것으로, 서로 직교하는 방향의 지향 분포를 하나의 그래프에 겹쳐서 나타내었다.
도 25(a)에 도시한 바와 같이, MJT LED(100)에서 방출되는 광은 지향각 0°, 즉 중심에서 광도가 크고, 지향각이 커질수록 광도가 감소하는 경향을 나타낸다. 이에 반해, 광학 부재를 적용할 경우, 도 25(b)에 도시한 바와 같이, 지향각 0°에서 광도가 상대적으로 낮으며, 70° 근처에서 상대적으로 광도가 크게 나타난다.
따라서, 광학 부재(130)를 적용함으로써, 중심에서 강한 MJT LED의 광 지향 분포를 변경함으로써, 상대적으로 넓은 영역을 균일하게 백라이팅할 수 있다.
제 2 실시예에 따른 광학 부재 및 이를 포함하는 MJT LED 모듈의 구성
이하에서, 도 26 내지 도 33를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 광학 부재 및 이를 포함하는 MJT LED 모듈의 구체적인 구성과 기능에 대하여 살펴보도록 한다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 MJT LED 모듈을 도시한 단면도이고, 도 27의 (a), (b) 및 (c)는 도 26의 a-a 선, b-b 선, c-c 선을 따라 취한 도면들이다. 이때, a-a 선은 광학 부재의 하부면 상의 선이고, c-c선은 광학 부재의 상부면 상의 선이며, b-b선은 a-a선과 c-c선 사이의 확산렌즈의 높이 중간에 있는 절단선이다. 또한, 도 28은 도 26에 도시된 MJT LED 모듈의 광학 부재를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도면이며, 도 29는 도 28에 도시된 광학 부재 이용시의 광 지향각 분포를 보여주는 도면이다.
도 26을 참조하면, MJT LED 모듈은 MJT LED(100) 및 MJT LED(100) 위에 배치된 수지 또는 글래스(glass) 재질의 광학 부재(230)를 포함한다. 인쇄회로기판(110)은 하나의 MJT LED 모듈을 보이도록 부분적으로 도시되어 있지만, 하나의 인쇄회로기판(110) 상에 규칙적으로 배열된 복수의 MJT LED 모듈들이 포함되어 전술한 바와 같은 백라이트 모듈(300)을 구성하게 된다.
먼저, MJT LED(100) 및 인쇄회로기판(110)은, 제 1 실시예와 관련하여 도 3 및 도 4를 참조하여 이상에서 설명된 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략하도록 하고, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 광학 부재(230)를 중심으로 설명하도록 한다.
도 26을 참조하면, 광학 부재(230)는 하부면(231) 및 그 반대편의 출광면(235)을 포함하고, 또한 다리부(239)를 포함할 수 있다. 하부면(231)은 오목한 입광부(231a)를 포함한다. 출광면(235)은, 전반적으로 상부를 향해 볼록한 곡면으로 이루어지되, 상부 중앙에 평탄면(235a)을 포함한다. 이 평탄면(235a)은 종래 광학 부재의 오목부에 대응되는 위치에 있으며, 본 실시예의 광학 부재(230)는 이하에서 자세히 설명되는 입광부(231a) 구조에 의해 출광면 상부 중앙의 오목부 없이도 광축 주변의 광을 넓게 확산시킬 수 있다. 입광부(231a)는 대략 종형의 단면을 가지며, MJT LED(100)와 인접해 있는 하단 입구로부터 상단의 정점을 향해 점진적으로 수렴되는 형상을 갖는다.
도 27의 (a)를 참조하면, 광학 부재(230)의 하부면(231)은 원형으로 이루어진다. 또한, 하부면(231) 중앙에 입광부(231a)의 하부가 위치하되, 이 입광부(231a)의 하부는 원형이다. 입광부(231a)는 하단 입구로부터 상단 정점의 직전까지 원형을 유지하되 그 직경은 하부에서 상부로 향할수록 점진적으로 감소한다. 도 27의 (c)를 참조하면, 광학 부재(230)의 상부 평탄면(235a) 또한 원형으로 이루어진다.
도 27의 (a), (b) 및 (c)를 차례로 보면, 광학 부재(230)는, 원형을 갖는 하부면(231)을 갖되 상부를 향해 점진적으로 작아지는 형상을 갖는다. 광학 부재(230)의 측면 하부에서의 외곽 원형 형상 직경 변화에 비해 광학 부재(230)의 측면 상부에서는 외곽 원형 형상의 직경 변화가 더 클 수 있다. 입광부(231a)의 원형 형상 직경은 점진적으로 감소한다.
도 28를 참조하면, 광학 부재(230)의 중심 축인 광축(L)이 보인다. 광학 부재(230)를 이용하여 균일한 광 분포를 얻기 위해서는, 광도 피크(peak)가 광축(L)으로부터 60도 이상의 각도에서 존재해야 하며, 이러한 광 특성을 얻기 위해서는 광축(L)으로부터 50도 이내의 광을 효과적을 퍼뜨리는 것이 중요하다. 도 28에는 광축(L)에 대하여 50도를 이루는 기준선(r)이 보인다.
광축(L)으로부터 50도 이내의 광을 효과적으로 퍼뜨리기 위해서, 광축(L)과 기준선(r) 사이의 각도 범위, 즉, 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서, 광축(L) 상의 임의의 한 점(p)으로부터 입광부(231a)의 정점에 이르는 최단 거리 'b'가 동일한 한 점(p)로부터 입광부(231a)의 측면에 이르는 최단 거리 'a' 보다 크다. 위와 같이, b > a 인 경우, 입광부(231a)는 광축(L)으로부터 50도 내의 범위로 진행하는 광을 광축(L)으로부터 60도 이상의 각도가 되게 넓게 퍼뜨리는데 기여할 수 있다. 반면, b < a인 경우, 광축(L)으로부터 50도 내 범위에서 진행하는 광에 대하여, 입광부(231a)가 광을 퍼트리는데 거의 기여하지 못한다. 이러한 이유로 종래에는 출광면 상부 중앙에 광을 넓게 퍼트려 내보내는 별도의 오목부가 필요로 하였다. 달리 말하면, 본 발명에 따른 광학 부재(230)는 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서 b > a인 조건을 만족하는 입광부(231a)의 곡률 구조에 의해, 기존에 요구되었던 출광면 상부 중앙에 오목부의 생략이 가능하게 되었다.
이때, 입광부(231a)의 높이는 입광부(231a)의 하단 입구의 반경(R)보다 큰 것이 바람직하다. 더 나아가, 높이(H)가 반경(R)의 1.5배보다 큰 것이 더욱 좋다. 또한, 입광부(231a)는 그 하부에서 수지 또는 글래스(glass) 재료보다 굴절율이 작은 공기와 경계를 이루고, 출광면 또한 그 상부에서 수지 또는 글래스 재료보다 굴절율이 작은 공기와 경계를 이룬다.
도 29는 도 28의 광학 부재를 이용하여 얻을 수 있는 광 지향각 분포를 잘 보여준다. 도 29를 참조하면, 광도 피크(peak)가 광축(L)으로부터 대략 72도 떨어진 위치에 형성되고 있으며 광이 넓게 확산되어 분포하고 있음을 알 수 있다. 도 29의 결과로부터, 본 발명에 따른 광학 부재(230)가, 출광면 상부 중앙에 오목부가 없이도, 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서 b > a인 조건을 만족하는 입광부(231a)의 곡률 구조에 의해, 광축(L)으로부터 60도 이내의 광을 효과적으로 확산시킬 수 있고, 광을 균일하게 확산시켜 분포시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 30은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 부재를 설명하기 위한 도면이다. 도 30에 잘 도시된 바와 같이, 본 실시예의 광학 부재(230)는 입광부(231a)의 곡률 구조는 도 28에 도시된 앞선 실시예의 광학 부재에서와 동일하다. 따라서, 입광부(231a)는 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서 b > a인 조건을 만족한다. 다만, 앞선 실시예의 광학 부재가 출광면 상부 중앙에 상부 중앙에 평평한 평탄면을 포함하는 것과 달리, 본 실시예의 광학 부재(230)는 출광면 상부 중앙이 볼록한 곡면(35b)가 구비된다.
도 31은 도 30의 광학 부재를 이용하여 얻을 수 있는 광 지향각 분포를 잘 보여준다. 도 31을 참조하면, 광도 피크(peak)가 광축(L)으로부터 대략 72도 떨어진 위치에 형성되고 있으며 광이 넓게 확산되어 분포하고 있음을 알 수 있다. 또한, 도 31에 보여지는 광 지향각 분포를 도 29에 보여지는 광 지향각 분포와 비교하여 볼 때 큰 차이를 발견하기 어렵다. 입광부(231a)가 광축(L)으로부터 50도 내의 범위에서 b > a인 조건을 만족하고 있다면, 출광면 상부 중앙이 평탄면으로 형성되든 볼록면으로 형성되든 광 지향각 분포에 큰 차이가 없음을 알 수 있다.
도 32의 (a) 및 (b) 각각은 비교예 1에 따른 광학 부재 및 지향각 분포 곡선을 보여준다.
도 32의 (a)에 도시한 광학 부재는 광축으로부터 50도 내의 범위에서, 광축 상의 임의의 한 점으로부터 입광부의 정점에 이르는 최단 거리 'b'가 동일한 한 점으로부터 입광부의 측면에 이르는 최단 거리 'a'보다 큼과 동시에 출광면 상부 중앙에 오목부를 구비한다. 이 조건에서의 광 지향각 분포를 도 32의 (b)로부터 알 수 있는데, 이에 따르면, 광 지향각 분포가 앞선 실시예의 광 지향각 분포와 거의 차이가 없음을 알 수 있다. 이는 b > a인 조건에서 출광면 상부 중앙에 존재하는 오목부가 광 지향각 분포를 변화시키는데 거의 기능을 하지 못함을 의미한다.
도 33의 (a) 및 (b) 각각은 비교예 2에 따른 광학 부재 및 지향각 분포 곡선을 보여준다.
도 33의 (a)에 도시한 광학 부재는 광축으로부터 50도 내의 범위에서, 광축 상의 임의의 한 점으로부터 입광부의 정점에 이르는 최단 거리 'b'가 동일한 한 점으로부터 입광부의 측면에 이르는 최단 거리 'a'보다 작음과 동시에 출광면 상부 중앙에 오목부를 구비한다. 이 조건에서의 광 지향각 분포를 도 33의 (b)로부터 알 수 있는데, 이에 따르면, 광 지향각 분포가 비교예 1 및 전술한 실시예들의 광 지향각 분포와 거의 차이가 없음을 알 수 있다. 이는 b < a인 조건에서 출광면 상부 중앙에 존재하는 오목부가 광축으로부터 50도 이내의 광을 넓게 퍼트리는 작용을 하였다는 것을 보여준다.

Claims (29)

  1. 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 상에　배치되는 복수의 MJT LED; 및
    상기 복수의 MJT LED에 대응되도록 상기 MJT LED 또는 상기 기판 상에 배치되고,　상기 MJT LED로부터의 광을 입사받는 하부면 및　상기 MJT LED의　광 지향각 보다 넓은 광 지향각으로 광을 출사하는　상부면을 포함하는 복수의 광학 부재;를 포함하여 구성되는 백라이트 모듈에 있어서,
    상기 MJT LED는,
    성장기판 상에 서로 이격되어 위치하는 제1 발광셀 및 제2 발광셀;
    상기 제1 발광셀 상에 위치하여 제1 발광셀에 전기적으로 접속된 제1 투명전극층;
    상기 제1 발광셀과 제1 투명 전극층 사이에 위치하여 상기 제1 투명 전극층의 일부를 상기 제1 발광셀로부터 이격시키는 전류 차단층;
    상기 제1 발광셀을 제2 발광셀에 전기적으로 연결하는 배선; 및
    상기 배선을 제1 발광셀의 측면으로부터 이격시키는 절연층을 포함하되,
    상기 제2 발광셀은 경사진 측면을 갖고,
    상기 배선은 상기 제1 발광셀에 전기적으로 접속하기 위한 제1 접속부 및 상기 제2 발광셀에 전기적으로 접속하기 위한 제2 접속부를 갖고,
    상기 제1 접속부는 상기 전류 차단층 상부 영역 내에서 상기 제1 투명 전극층에 접촉하고, 상기 제2 접속부는 상기 제2 발광셀의 경사진 측면에 접촉하며,
    상기 전류 차단층은 분포 브래그 반사기로 형성되고,
    상기 광학 부재는,
    상기 MJT LED에서 방출된 광이 입사되는 오목부를 갖는 상기 하부면; 및
    상기 오목부로 입사된 광이 출사되는 상기 상부면을 포함하되,
    상기 하부면의 오목부는 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면을 포함하며,
    상기 하부면의 오목부 내에서 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면과, 상기 적어도 하나의 면보다 중심축에 더 가깝게 위치하는 면에 상기 광학 부재와 굴절률이 다른 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 MJT LED는, 제 1 내지 제 N 발광셀을 포함하여 구성되고(N은 2 이상의 자연수),
    제 N 발광셀은 제 N-1 발광셀과 상기 제 1 발광셀 및 상기 제 2 발광셀과 동일한 구조로 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 N 발광셀들은, 서로 직렬 연결되고 각각 2.5V 내지 4 V의 구동전압에 의해 구동되고,
    상기 MJT LED는 적어도 10 V 이상의 구동전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광셀은 3개로　구성되고, 각각 3 V 내지 3.6 V의 구동전압에 의해 구동되고,
    상기 MJT LED는 12~14 V의 구동전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  5. 제　3 항에 있어서,
    상기 상부면은, 중심축 근방에 형성되는 오목부를 포함하고, 상기 오목부에서 연장되어 상기 중심축에 이격되어 형성되는 볼록부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  6. 제　3 항에 있어서,
    상기　상부면은, 중심축의 하방으로 정점을 형성하도록 전반사면을 포함하여 구성되는 것을 특징으로　하는 백라이트 모듈.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 하부면은, 상기　중심축 근방에　형성되는 상기 하부면의 오목부를 포함하되, 상기 하부면의 오목부는 폭의　1.5 배 이상의 길이를 갖는 높이를　갖는 것을 특징으로 하는　백라이트 모듈.
  8. 제 5 항　또는 제 6 항에 있어서,
    상기　광학 부재는, 상기 기판과 대면하는 저면의 적어도 일부에 광산란 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부면은 중심축에 위치하는 오목면을 포함하고,
    상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 오목부 입구의 영역보다 좁은 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 광학 부재의 상부면 및 오목부는 상기 중심축을 지나는 평면에 대해 거울면 대칭 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 광학 부재의 상부면 및 오목부는 상기 중심축에 대해 회전체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 하부면의 오목부 내에서 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면과, 상기 적어도 하나의 면보다 중심축에 더 가깝게 위치하는 면에 광 산란 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  13. 제 9 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 상부면의 오목면에 광 산란 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  14. 삭제
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 상부면의 오목면에 상기 광학 부재와 굴절률이 다른 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 상부면의 오목면과 볼록면이 만나는 변곡선들로 둘러싸인 영역보다 좁은 영역 내에 한정되어 위치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 MJT LED의 광 출사면 영역보다 좁은 영역 내에 한정되어 위치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 광학 부재는 상기 상부면과 상기 하부면을 연결하는 플랜지를 더 포함하고,
    상기 오목부 내의 중심축에 수직한 면 및 아래로 볼록한 면 중 적어도 하나의 면은 상기 플랜지보다 위쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 백라이트 모듈.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 제 1 항에 따른 백라이트 모듈; 및
    직류 구동 전압을 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들에 제공하며, 상기 복수의 MJT LED들 각각의 구동을 독립적으로 제어하는 백라이트 제어모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 백라이트 제어모듈은 상기 직류 구동 전압을 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들 각각에 독립적으로 제공하며,
    상기 백라이트 제어모듈은 디밍 신호에 따라 상기 복수의 MJT LED들 중 적어도 하나의 MJT LED에 제공되는 상기 직류 구동 전압을 PWM 제어함으로써 상기 적어도 하나의 MJT LED의 디밍 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
  29. 제 27 항에 있어서,
    상기 백라이트 제어모듈은 상기 백라이트 모듈 내의 상기 복수의 MJT LED들 각각의 구동 전류를 독립적으로 검출 및 제어하도록 구성되며,
    상기 백라이트 제어모듈은 디밍 신호에 따라 상기 복수의 MJT LED들 중 적어도 하나의 MJT LED의 구동 전류를 제어함으로써 상기 적어도 하나의 MJT LED의 디밍 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101431296B1 (ko) 2007-01-11 2014-08-20 레드 밴드 리미티드 저장 장치에 저장된 컨텐츠의 인-플레이스 업데이트 방법 및 시스템
US10278243B2 (en) * 2014-03-06 2019-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight module with MJT LED and backlight unit including the same
JP6506999B2 (ja) * 2014-08-29 2019-04-24 株式会社エンプラス 光束制御部材、発光装置、面光源装置および表示装置
KR101725193B1 (ko) * 2015-08-19 2017-04-11 주식회사 썬다이오드코리아 디스플레이 구동 방법
CN105789397A (zh) * 2016-04-07 2016-07-20 厦门乾照光电股份有限公司 一种正装GaN LED芯片及其制作方法
US10193018B2 (en) * 2016-12-29 2019-01-29 Intel Corporation Compact low power head-mounted display with light emitting diodes that exhibit a desired beam angle
US10948163B2 (en) * 2017-12-08 2021-03-16 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight unit
EP3514838B1 (en) 2018-01-17 2021-09-01 SolAero Technologies Corp. Four junction solar cell and solar cell assemblies for space applications
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102582613B1 (ko) 2018-07-10 2023-09-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200024982A (ko) * 2018-08-28 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비한 표시 장치
KR102592685B1 (ko) 2019-03-05 2023-10-23 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102777054B1 (ko) * 2019-07-04 2025-03-11 서울반도체 주식회사 직병렬 연결된 복수의 발광 다이오드 칩을 갖는 발광 모듈
KR20220031840A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040070855A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-15 Light Prescriptions Innovators, Llc, A Delaware Limited Liability Company Compact folded-optics illumination lens
US20090091265A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Si-Joon Song Backlight assembly and display device having the same
US20100059768A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Ghulam Hasnain Series Connected Segmented LED
US20130010230A1 (en) * 2010-12-16 2013-01-10 Panasonic Corporation Backlight Device and Liquid Crystal Display Apparatus
JP2013143219A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Sharp Corp 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
US20130322115A1 (en) * 2012-06-05 2013-12-05 Rambus Delaware Llc Edge lit lighting assembly with spectrum adjuster
JP2014500624A (ja) * 2010-11-18 2014-01-09 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 電極パッドを有する発光ダイオードチップ

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070107261A (ko) * 2006-05-02 2007-11-07 삼성전자주식회사 광출사모듈 및 이를 갖는 표시장치
KR20100074740A (ko) * 2008-12-24 2010-07-02 삼성전자주식회사 전자기기 및 전자기기용 백라이트유닛
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
KR101712543B1 (ko) * 2010-02-12 2017-03-07 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 갖는 발광 다이오드 칩 및 그 제조방법
US8907884B2 (en) 2010-01-06 2014-12-09 Apple Inc. LED backlight system
KR101091304B1 (ko) 2010-01-20 2011-12-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101661900B1 (ko) * 2010-01-28 2016-10-05 삼성전자주식회사 양면 조명용 ｌｅｄ 렌즈와 ｌｅｄ 모듈 및 이를 이용한 ｌｅｄ 양면 조명장치
JP5684524B2 (ja) * 2010-09-29 2015-03-11 トッパン・フォームズ株式会社 発光表示媒体
KR101043533B1 (ko) 2011-01-10 2011-06-23 이동원 고효율 전원을 구비한 ｌｅｄ 조명장치
US20120236532A1 (en) 2011-03-14 2012-09-20 Koo Won-Hoe Led engine for illumination
US9335579B2 (en) 2011-05-18 2016-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP5903672B2 (ja) 2011-05-20 2016-04-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
US8604491B2 (en) 2011-07-21 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Wafer level photonic device die structure and method of making the same
KR101957184B1 (ko) * 2011-12-02 2019-03-13 엘지전자 주식회사 백라이트 유닛 및 그를 구비한 디스플레이 장치
TW201350994A (zh) 2012-06-08 2013-12-16 Unity Opto Technology Co Ltd 高對比之直下式背光模組
JP6021485B2 (ja) 2012-07-17 2016-11-09 株式会社朝日ラバー 光学部材付半導体発光装置
JP5950198B2 (ja) 2012-07-30 2016-07-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明器具
US20140247295A1 (en) * 2012-11-16 2014-09-04 Apple Inc. Redundant operation of a backlight unit of a display device under open circuit or short circuit led string conditions and including dynamic phase shifting between led strings
CN107768399B (zh) * 2012-12-21 2022-02-18 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
US9010951B2 (en) * 2013-07-05 2015-04-21 Lg Innotek Co., Ltd. Optical lens, light emitting device, and display
US20150061988A1 (en) 2013-09-05 2015-03-05 Texas Instruments Incorporated Adaptive Power Savings on a Device Display
US9958601B2 (en) 2013-09-19 2018-05-01 University Of Utah Research Foundation Display backlight
KR102258239B1 (ko) * 2013-11-12 2021-06-02 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040070855A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-15 Light Prescriptions Innovators, Llc, A Delaware Limited Liability Company Compact folded-optics illumination lens
US20090091265A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Si-Joon Song Backlight assembly and display device having the same
US20100059768A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Ghulam Hasnain Series Connected Segmented LED
JP2014500624A (ja) * 2010-11-18 2014-01-09 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 電極パッドを有する発光ダイオードチップ
US20130010230A1 (en) * 2010-12-16 2013-01-10 Panasonic Corporation Backlight Device and Liquid Crystal Display Apparatus
JP2013143219A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Sharp Corp 照明装置、表示装置及びテレビ受信装置
US20130322115A1 (en) * 2012-06-05 2013-12-05 Rambus Delaware Llc Edge lit lighting assembly with spectrum adjuster

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