KR102313423B1 - 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 - Google Patents
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Abstract
기판 처리 장치의 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 시스템으로서, 제1 가스의 제1 가스 소스와 챔버를 접속하는 제1 유로와, 제2 가스의 제2 가스 소스와 제1 유로를 접속하는 제2 유로와, 제2 유로에 마련되어, 제2 가스의 유량을 소정량으로 제어하는 컨트롤 밸브와, 컨트롤 밸브의 하류이며 제2 유로의 종단에 마련된 오리피스와, 제1 유로와 제2 유로의 종단과의 접속 개소에 마련되어, 오리피스의 출구로부터 제1 유로로 공급되는 제2 가스의 공급 타이밍을 제어하는 개폐 밸브와, 제2 유로 중 컨트롤 밸브와 오리피스의 사이의 유로에 접속되어, 제2 가스를 배기하는 배기 기구와, 컨트롤 밸브, 개폐 밸브 및 배기 기구를 동작시키는 컨트롤러를 구비한다.
Description
도 2는 개폐 밸브를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 개폐 밸브의 하부 구조를 개략적으로 나타내는 도이다.
도 4는 제1 실시형태에 관한 기판 처리 시스템을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 제1 가스용 2차 밸브 및 제2 가스용 개폐 밸브의 개폐 타이밍을 나타내는 도이다.
도 6은 제2 가스용 컨트롤 밸브, 개폐 밸브 및 배기 밸브를 통과하는 제2 가스의 유량을 나타내는 도이다.
도 7은 제2 실시형태에 관한 가스 공급 시스템의 개요도이다.
도 8은 제2 가스용 컨트롤 밸브, 개폐 밸브 및 배기 밸브를 통과하는 제2 가스의 유량을 나타내는 도이다.
도 9는 제3 실시형태에 관한 가스 공급 시스템의 개요도이다.
도 10은 복수의 개폐 밸브의 개폐 타이밍의 일례를 나타내는 도이다.
도 11은 복수의 개폐 밸브의 개폐 타이밍의 다른 예를 나타내는 도이다.
도 12는 레시피와 레시피에 대응하는 제어 회로로의 입력을 설명하는 도이다.
도 13은 입력에 대한 밸브의 개폐 제어의 일례를 설명하는 도이다.
도 14는 입력에 대한 밸브의 개폐 제어의 다른 예를 설명하는 도이다.
도 15는 입력에 대한 밸브의 개폐 제어의 다른 예를 설명하는 도이다.
도 16은 제4 실시형태에 관한 가스 공급 시스템의 개요도이다.
도 17은 컨트롤 밸브의 구성의 일례를 나타내는 도이다.
도 18은 개폐 밸브의 개폐 확인을 설명하는 도이다.
도 19는 압력 검출기의 검출 위치가 유량 제어에 주는 영향을 평가했을 때의 시스템 개요도이다.
도 20은 도 19의 시스템 구성에 있어서 평가한 평가 결과이다.
도 21은 압력 검출기의 검출 위치가 유량 제어에 주는 영향을 평가했을 때의 시스템 개요도이다.
도 22는 도 21의 시스템 구성에 있어서 평가한 평가 결과이다.
도 23은 온도 검출기의 검출 위치가 유량 제어에 주는 영향을 평가했을 때의 시스템 개요도이다.
도 24는 도 23의 시스템 구성에 있어서 평가한 평가 결과이다.
도 25는 도 24의 25℃의 데이터를 기준으로 하여 도 24의 그래프를 변환한 결과이다.
도 26은 유량 제어에 주는 영향을 평가한 구성 요소를 나타내는 개요도이다.
도 27은 도 26에 나타내는 각 구성 요소의 평가 결과이다.
도 28은 종래의 가스 공급 시스템의 개요도이다.
도 29는 종래의 가스 공급 시스템의 개요도이다.
10…플라즈마 처리 장치(기판 처리 장치)
12…챔버
51…배기 장치
C1…컨트롤러
55…인렛 블록
U1…유닛
U2…유닛
74…밀봉 부재
76…실린더
78…부세 부재
81…구동부
126…압전 소자
128d…밸브 시트
130…밸브체
C2…제어 회로(제어부)
E, EA, EB…배기 기구
EL…배기 유로
EL1…소배기 유로
EL2…대배기 유로
GS1…제1 가스 소스
GS2…제2 가스 소스
GS3…제3 가스 소스
L1…제1 유로
L2…제2 유로
L3…제3 유로
PP1, PP2, PP3, PP4, PP5…접속 개소
FC1, FC3…압력식 유량 제어 장치
OL1, OL2, OL3, OL5…오리피스
VL2, VL5…개폐 밸브
PM…압력 검출기
TM…온도 검출기
L21…종단
PP2…접속 개소
VL1, VL41, VL7…컨트롤 밸브
VL3, VL4…배기 밸브
Claims (15)
- 기판 처리 장치의 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 시스템으로서,
제1 가스의 제1 가스 소스와 상기 챔버를 접속하는 제1 유로와,
제2 가스의 제2 가스 소스와 상기 제1 유로를 접속하는 제2 유로와,
상기 제2 유로에 마련되어, 상기 제2 가스의 유량을 소정량으로 제어하는 컨트롤 밸브와,
상기 컨트롤 밸브의 하류이며 상기 제2 유로의 종단에 마련된 오리피스와,
상기 제1 유로와 상기 제2 유로의 종단과의 접속 개소에 마련되어, 상기 오리피스의 출구로부터 상기 제1 유로로 공급되는 상기 제2 가스의 공급 타이밍을 제어하는 개폐 밸브와,
상기 제2 유로 중 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 접속되어, 상기 제2 가스를 배기하는 배기 기구와,
상기 컨트롤 밸브, 상기 개폐 밸브 및 상기 배기 기구를 동작시키는 컨트롤러를 구비한 가스 공급 시스템. - 청구항 1에 있어서,
상기 개폐 밸브는, 폐쇄 제어 시에 상기 오리피스의 출구를 밀봉하도록 상기 오리피스에 압접되고, 개방 제어 시에 상기 오리피스로부터 이간하게 되는 밀봉 부재를 갖는, 가스 공급 시스템. - 청구항 2에 있어서,
상기 개폐 밸브는, 상기 밀봉 부재를 고정 지지하는 실린더와, 상기 오리피스에 상기 밀봉 부재가 압접되는 방향으로 상기 실린더를 탄성적으로 부세하는 부세 부재와, 상기 압접되는 방향과 반대 방향으로 실린더를 이동시키는 구동부를 갖는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 오리피스 및 상기 개폐 밸브는, 상기 챔버에 마련된 인렛 블록보다 하류측에 배치되는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 오리피스 및 상기 개폐 밸브는, 상기 챔버에 마련된 인렛 블록보다 상류측에 배치되는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배기 기구는,
상기 제2 유로에 접속되어, 제1 배기량을 갖는 소배기 유로와,
상기 제2 유로에 접속되어, 상기 제1 배기량보다 큰 제2 배기량을 갖는 대배기 유로와,
상기 대배기 유로에 마련되어, 배기 타이밍을 제어하는 제1 배기 밸브를 갖는, 가스 공급 시스템. - 청구항 6에 있어서,
상기 배기 기구는, 상기 소배기 유로에 마련되어, 배기 타이밍을 제어하는 제2 배기 밸브를 더 갖는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배기 기구는, 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 있어서 상기 오리피스측에 접속되는 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 유로 중 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 있어서의 상기 제2 가스의 압력을 검출하는 압력 검출기를 더 구비하고,
상기 압력 검출기는, 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 있어서 상기 오리피스측에 위치하며,
상기 컨트롤 밸브는, 상기 압력 검출기의 검출 결과에 근거하여 상기 제2 가스의 유량을 제어하는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 유로 중 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 있어서의 상기 제2 가스의 온도를 검출하는 온도 검출기를 더 구비하고,
상기 온도 검출기는, 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 있어서 상기 오리피스측에 위치하며,
상기 컨트롤 밸브는, 상기 온도 검출기의 검출 결과에 근거하여 상기 제2 가스의 유량을 제어하는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컨트롤러는, 상기 제1 유로에 목표 유량의 상기 제2 가스를 목표 공급 타이밍으로 공급하는 경우, 상기 목표 공급 타이밍이 될 때까지의 소정 기간에 있어서, 상기 개폐 밸브를 폐쇄로 하면서 상기 배기 기구를 동작시킨 상태에서, 상기 컨트롤 밸브를 제어하여 상기 목표 유량의 상기 제2 가스를 유통시키고, 상기 목표 공급 타이밍이 되었을 때에 상기 개폐 밸브를 개방으로 하는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 컨트롤 밸브의 제엇값을 취득하는 제어부를 더 구비하고,
상기 컨트롤 밸브는, 밸브체와, 밸브 시트와, 제어 전압에 따라 신장하며, 상기 밸브체와 상기 밸브 시트를 접근 또는 이간시킴으로써 상기 컨트롤 밸브의 개폐를 행하는 압전 소자를 갖고,
상기 제어부는, 상기 압전 소자의 제어 전압에 근거하여 상기 개폐 밸브의 개폐를 판정하는, 가스 공급 시스템. - 청구항 12에 있어서,
상기 제어부는, 취득된 상기 제어 전압과, 미리 정해진 상기 제어 전압의 기준값을 비교하고, 비교 결과에 따라 경보를 출력하는, 가스 공급 시스템. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 가스 공급 시스템을 구비하는 기판 처리 시스템.
- 제1 가스의 제1 가스 소스와 챔버를 접속하는 제1 유로와,
제2 가스의 제2 가스 소스와 상기 제1 유로를 접속하는 제2 유로와,
상기 제2 유로에 마련되어, 상기 제2 가스의 유량을 소정량으로 제어하는 컨트롤 밸브와,
상기 컨트롤 밸브의 하류이며 상기 제2 유로의 종단에 마련된 오리피스와,
상기 제1 유로와 상기 제2 유로의 종단과의 접속 개소에 마련되어, 상기 오리피스의 출구로부터 상기 제1 유로로 공급되는 상기 제2 가스의 공급 타이밍을 제어하는 개폐 밸브와,
상기 제2 유로 중 상기 컨트롤 밸브와 상기 오리피스의 사이의 유로에 접속되어, 상기 제2 가스를 배기하는 배기 기구와,
상기 컨트롤 밸브, 상기 개폐 밸브 및 상기 배기 기구를 동작시키는 컨트롤러를 구비한 가스 공급 시스템을 이용하여 기판 처리 장치의 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 방법으로서,
상기 개폐 밸브를 폐쇄로 하면서 상기 배기 기구를 동작시킨 상태에서, 상기 컨트롤 밸브를 제어하여 목표 유량의 상기 제2 가스를 유통시키는 준비 스텝과,
상기 준비 스텝을 계속하는 중에 있어서 목표 공급 타이밍이 되었을 때에, 상기 개폐 밸브를 개방으로 하여, 상기 목표 유량의 상기 제2 가스를 상기 제1 유로로 공급하는 공급 스텝을 포함하는 가스 공급 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210134183A KR102358828B1 (ko) | 2016-07-11 | 2021-10-08 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2016-136782 | 2016-07-11 | ||
JP2016136782 | 2016-07-11 | ||
JP2017011378A JP6748586B2 (ja) | 2016-07-11 | 2017-01-25 | ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法 |
JPJP-P-2017-011378 | 2017-01-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210134183A Division KR102358828B1 (ko) | 2016-07-11 | 2021-10-08 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180006856A KR20180006856A (ko) | 2018-01-19 |
KR102313423B1 true KR102313423B1 (ko) | 2021-10-18 |
Family
ID=61019593
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170086320A Active KR102313423B1 (ko) | 2016-07-11 | 2017-07-07 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
KR1020210134183A Active KR102358828B1 (ko) | 2016-07-11 | 2021-10-08 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210134183A Active KR102358828B1 (ko) | 2016-07-11 | 2021-10-08 | 가스 공급 시스템, 기판 처리 시스템 및 가스 공급 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6748586B2 (ko) |
KR (2) | KR102313423B1 (ko) |
CN (2) | CN112286238B (ko) |
TW (1) | TWI737764B (ko) |
Families Citing this family (12)
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- 2017-07-07 KR KR1020170086320A patent/KR102313423B1/ko active Active
- 2017-07-10 CN CN202011142969.4A patent/CN112286238B/zh active Active
- 2017-07-10 CN CN201710555971.6A patent/CN107608396B/zh active Active
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CN112286238B (zh) | 2024-06-25 |
JP6748586B2 (ja) | 2020-09-02 |
CN107608396A (zh) | 2018-01-19 |
TW201805556A (zh) | 2018-02-16 |
CN107608396B (zh) | 2020-11-13 |
KR20180006856A (ko) | 2018-01-19 |
TWI737764B (zh) | 2021-09-01 |
CN112286238A (zh) | 2021-01-29 |
KR20210125971A (ko) | 2021-10-19 |
JP2018014479A (ja) | 2018-01-25 |
KR102358828B1 (ko) | 2022-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20170707 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20200409 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20170707 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210513 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20210811 |
|
PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20211008 Patent event code: PA01071R01D |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20211008 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20211012 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |