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KR102287289B1 - TRANSPARENT ElECTROD COMPLEX - Google Patents

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KR102287289B1
KR102287289B1 KR1020140085142A KR20140085142A KR102287289B1 KR 102287289 B1 KR102287289 B1 KR 102287289B1 KR 1020140085142 A KR1020140085142 A KR 1020140085142A KR 20140085142 A KR20140085142 A KR 20140085142A KR 102287289 B1 KR102287289 B1 KR 102287289B1
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KR
South Korea
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transparent electrode
layer
polysiloxane
based polymer
photosensitive resin
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변자훈
안민석
차영철
홍우성
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정재훈
김동민
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주식회사 동진쎄미켐
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

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Abstract

본 발명은 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 형성되고, 물에 대한 접촉각이 60°이상인 폴리실록산계 고분자층; 및 상기 폴리실록산계 고분자층 상에 형성된 감광성 수지층;을 포함하는 투명 전극 복합체에 관한 것이다. The present invention is a transparent electrode layer; a polysiloxane-based polymer layer formed on the transparent electrode layer and having a contact angle with respect to water of 60° or more; and a photosensitive resin layer formed on the polysiloxane-based polymer layer.

Description

투명 전극 복합체{TRANSPARENT ElECTROD COMPLEX}Transparent electrode composite {TRANSPARENT ElECTROD COMPLEX}

본 발명은 투명 전극 복합체에 관한 것이다. The present invention relates to a transparent electrode composite.

투명 전극 필름은 가시광선에 대해 투명하고 전기전도성이 있는 얇은 막으로 정의되며, 플라즈마 디스플레이패널, 액정 디스플레이소자, 발광다이오드소자, 유기전자발광소자, 터치패널, 태양전지 등과 같은 다양한 분야에 이용되고 있다.Transparent electrode film is defined as a thin film that is transparent to visible light and has electrical conductivity, and is used in various fields such as plasma display panel, liquid crystal display device, light emitting diode device, organic light emitting device, touch panel, solar cell, etc. .

이러한 투명 전극 필름의 제조에는, PET필름 등의 기재 상에 드라이 필름 솔더 레지스트를 올리고 노광, 현상 및 에칭의 순으로 공정을 진행하여 수정의 패턴이 형성된 전극을 제조하는 방법이 널리 사용되었다. 그러나, 드라이 필름 솔더 레지스틀 사용하는 경우, 40um 이하의 선폭을 구현하기 힘든 한계가 있었으며, 이에 따라 선폭 구현에 제한을 해소하고자 전도성 기재 상에 포토 레지스트를 도포하고 노광 및 현상을 하여 투명 전극 필름을 제조하는 방법 또한 사용되었다. In the manufacture of such a transparent electrode film, a method of manufacturing an electrode having a crystal pattern formed by placing a dry film solder resist on a substrate such as a PET film and proceeding in the order of exposure, development and etching was widely used. However, in the case of using a dry film solder resist, there was a limitation in that it was difficult to implement a line width of 40 μm or less. Accordingly, in order to solve the limitation in line width implementation, a photoresist was applied on a conductive substrate, exposed and developed to form a transparent electrode film. The manufacturing method was also used.

이와 같이 제조되는 투명 전극 필름은 상기 전도성 기재와 포토레지스트층 사이에 소정의 보호층을 형성하고 있는데, 이전에 알려진 보호층이 상기 전도성 기재 및 포터레지스트층에 대하여 갖는 결합력은 높으면서도 낮은 저항 값을 가져야 하며, 또한 이웃하는 층 간에서의 계면 저항 또한 낮은 수준이 될 수 있도록 해야 한다. The transparent electrode film produced in this way forms a predetermined protective layer between the conductive substrate and the photoresist layer, and the previously known protective layer has a high bonding strength with respect to the conductive substrate and the photoresist layer, but has a low resistance value. It should also have a low level of interfacial resistance between neighboring layers.

본 발명은, 각 층간에 높은 결합력을 가지면서도 낮은 면저항 및 계면 저항을 가지며, 단순화된 단계를 통하여서도 높은 집적도를 갖거나 또는 극미세화된 패턴을 형성할 수 있는 투명 전극 복합체를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a transparent electrode composite that has low sheet resistance and interfacial resistance while having high bonding strength between each layer, and can have a high degree of integration or form an ultra-fine pattern through a simplified step.

본 명세서에서는, 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브, 그래핀, 은 나노 와이어(AgNw), 구리 나노 입자, 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide) 및 산화 안티몬 주석(Antimony Tin oxide)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함하는 투명 전극층; 상기 투명 전극층 상에 형성되고, 물에 대한 접촉각이 60°이상인 폴리실록산계 고분자층; 및 상기 폴리실록산계 고분자층 상에 형성된 감광성 수지층;을 포함하는, 투명 전극 복합체가 제공될 수 있다. In the present specification, at least one selected from the group consisting of conductive polymers, carbon nanotubes, graphene, silver nanowires (AgNw), copper nanoparticles, indium tin oxide, and antimony tin oxide a transparent electrode layer comprising a compound; a polysiloxane-based polymer layer formed on the transparent electrode layer and having a contact angle with respect to water of 60° or more; and a photosensitive resin layer formed on the polysiloxane-based polymer layer; including, a transparent electrode composite may be provided.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 투명 전극 복합체에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, a transparent electrode composite according to a specific embodiment of the present invention will be described in more detail.

본 발명자들은, 졸-겔 반응을 통하여 투명 전극층 상에 형성되는 폴리실록산계 고분자층이 별도의 후처리 과정 없이도 높은 소수성을 가지며 감광성 수지층에 대해서도 높은 코팅성 및 부착성을 확보할 수 있다는 점을 실험을 통하여 확인하고 발명을 완성하였다. The present inventors have tested that the polysiloxane-based polymer layer formed on the transparent electrode layer through the sol-gel reaction has high hydrophobicity without a separate post-treatment process and can secure high coating properties and adhesion to the photosensitive resin layer. Confirmed through and completed the invention.

구체적으로, 상기 투명 전극 상에 실록산계 단량체를 포함한 졸-겔 반응용액을 도포하고 50℃이상, 또는 100℃이상의 온도에서 반응 또는 건조시킴으로서 소수성 표면을 갖는 폴리실록산계 고분자층을 형성할 수 있으며, 이러한 폴리실록산계 고분자층은 감광성 고분자 수지 조성물에 대하여 높은 코팅성 및 부착성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 감광성 고분자 수지 조성물로부터 형성되는 감광성 수지층을 노광 및 현상하는 과정에서 보다 미세화된 패턴을 용이하게 형성할 수 있다. Specifically, a polysiloxane-based polymer layer having a hydrophobic surface can be formed by coating a sol-gel reaction solution containing a siloxane-based monomer on the transparent electrode and reacting or drying at a temperature of 50°C or higher, or 100°C or higher, The polysiloxane-based polymer layer may have high coating properties and adhesion to the photosensitive polymer resin composition. Accordingly, a finer pattern can be easily formed in the process of exposing and developing the photosensitive resin layer formed from the photosensitive polymer resin composition.

구체적으로, 상기 폴리실록산계 고분자층은 물에 대한 접촉각이 60°이상, 또는 65°내지 90°일 수 있다. Specifically, the polysiloxane-based polymer layer may have a water contact angle of 60° or more, or 65° to 90°.

상기 폴리실록산계 고분자층은 알킬옥시 실란계 단량체, 아미노 실란계 단량체, 비닐 실란계 단량체, 에폭시 실란계 단량체, 메타크릴옥시 실란계 단량체, 이소시아네이트 실란계 단량체 및 불소 실란계 단량체로 이루어진 군에서 선택된 1종의 중합체 또는 2종 이상의 공중합체를 포함할 수 있다. The polysiloxane-based polymer layer is one selected from the group consisting of an alkyloxy silane-based monomer, an amino silane-based monomer, a vinyl silane-based monomer, an epoxy silane-based monomer, a methacryloxy silane-based monomer, an isocyanate silane-based monomer, and a fluorosilane-based monomer. of a polymer or two or more copolymers.

구체적으로, 상기 폴리실록산계 고분자층은 테트라에틸옥시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-유레이드프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 폴리에틸렌옥사이드 변성 실란 단량체, 폴리메틸에톡시실록산 및 헥사메틸디시라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 중합체 또는 2종 이상의 공중합체를 포함할 수 있다.Specifically, the polysiloxane-based polymer layer is tetraethyloxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltris(β-methoxyethoxy)silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β -(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-ureidepropyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, polyethylene oxide-modified silane monomer, polymethyl It may include one type of polymer or two or more types of copolymers selected from the group consisting of ethoxysiloxane and hexamethyldisirazine.

상기 폴리실록산계 고분자층이 이웃하는 다른 층에 대하여 보다 높은 결합력 또는 접착력을 가지면서 낮은 면저항을 확보하기 위해서, 상기 폴리실록산계 고분자층은 테트라에틸옥시실란 60 내지 90중량%; 및 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-유레이드프로필트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 폴리에틸렌옥사이드 변성 실란 단량체, 폴리메틸에톡시실록산 및 헥사메틸디시라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물 10 내지 40중량%; 간의 공중합체를 포함할 수 있다. In order to secure a low sheet resistance while the polysiloxane-based polymer layer has a higher bonding strength or adhesion to other adjacent layers, the polysiloxane-based polymer layer may contain 60 to 90% by weight of tetraethyloxysilane; and vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltris(β-methoxyethoxy)silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethyl Toxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane , γ-ureidepropyltriethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, polyethylene oxide-modified silane monomer, polymethylethoxysiloxane and hexamethyldisirazine selected from the group consisting of 10 to 40% by weight of one or more compounds; It may contain a copolymer of liver.

상기 폴리실록산계 고분자층에 포함되는 공중합체의 합성에 사용되는 단량체 중 테트라에틸옥시실란의 함량이 60중량%미만이면 상기 폴리실록산계 고분자층의 면저항이 크게 증가할 수 있다. 또한, 상기 폴리실록산계 고분자층에 포함되는 공중합체의 합성에 사용되는 단량체 중 테트라에틸옥시실란의 함량이 90중량%초과이면, 상기 폴리실록산계 고분자층의 밀도가 과다하게 높아지거나 표면의 깨지는 현상이 발생할 수 있고 내수분성이 크게 저하될 수 있다. If the content of tetraethyloxysilane among the monomers used for synthesizing the copolymer included in the polysiloxane-based polymer layer is less than 60% by weight, the sheet resistance of the polysiloxane-based polymer layer may be greatly increased. In addition, if the content of tetraethyloxysilane among the monomers used for synthesizing the copolymer included in the polysiloxane-based polymer layer exceeds 90% by weight, the density of the polysiloxane-based polymer layer is excessively increased or the surface is cracked. and moisture resistance may be greatly reduced.

상기 투명 전극 복합체가 상술한 상기 폴리실록산계 고분자층을 포함함에 따라서, 상기 감광성 수지층 형성 전에 추가적인 소수성 부여 고정이 없이도 높은 코팅성 및 부착성을 유지할 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지층에 보다 미세화된 패턴을 형성할 수 있다. As the transparent electrode composite includes the above-described polysiloxane-based polymer layer, high coatability and adhesion can be maintained without additional hydrophobicity imparted and fixed before the photosensitive resin layer is formed, and thus the photosensitive resin layer is further refined pattern can be formed.

상기 폴리실록산계 고분자층은 0.050㎛ 내지 0.300㎛, 또는 0.120㎛ 내지 0.200㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 폴리실록산계 고분자층은 80 Ω/sq 내지 400 Ω/sq, 또는 150 Ω/sq 내지 280 Ω/sq의 면저항을 가질 수 있다. The polysiloxane-based polymer layer may have a thickness of 0.050 μm to 0.300 μm, or 0.120 μm to 0.200 μm. In addition, the polysiloxane-based polymer layer may have a sheet resistance of 80 Ω/sq to 400 Ω/sq, or 150 Ω/sq to 280 Ω/sq.

한편, 상기 투명 전극층은 투명 전극에 사용될 수 있는 것으로 알려진 다양한 재료를 포함할 수 있는데, 구체적으로 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브, 그래핀, 은 나노 와이어(AgNw), 구리 나노 입자, 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide) 및 산화 안티몬 주석(Antimony Tin oxide)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. On the other hand, the transparent electrode layer may include a variety of materials known to be used in the transparent electrode, specifically, conductive polymer, carbon nanotubes, graphene, silver nanowires (AgNw), copper nanoparticles, indium tin oxide (Indium) It may include one or more compounds selected from the group consisting of tin oxide) and antimony tin oxide.

상기 전도성 고분자로는 투명 전극에 사용될 수 있는 것으로 알려진 고분자를 사용할 수 있으며, 구체적으로 상기 전도성 고분자는 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리티오펜계 고분자 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) : Polystyrene sulfonate]을 사용할 수도 있다. As the conductive polymer, a polymer known to be used in a transparent electrode may be used, and specifically, the conductive polymer is at least one selected from the group consisting of polyaniline-based polymers, polypyrrole-based polymers, polythiophene-based polymers, and derivatives thereof. It may include, specifically, PEDOT: PSS [Poly (3,4-ethylenedioxythiophene): Polystyrene sulfonate] may be used.

상기 투명 전극층은 0.20㎛ 내지 3.00㎛, 또는 0.30㎛ 내지 1.0㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 투명 전극층의 두께가 너무 얇아지면 유효 면저항 또한 크게 저하되어 면저항이 불균일해질 수 있고, 상기 투명 전극층의 두께가 너무 두꺼워지면 투명도나 광학 특성이 저하될 수 있다.The transparent electrode layer may have a thickness of 0.20 μm to 3.00 μm, or 0.30 μm to 1.0 μm. When the thickness of the transparent electrode layer is too thin, the effective sheet resistance is also greatly reduced, so that the sheet resistance may be non-uniform, and if the thickness of the transparent electrode layer is too thick, transparency or optical properties may be deteriorated.

또한, 상기 투명 전극층은 80 Ω/sq 내지 400 Ω/sq, 또는 150 Ω/sq 내지 280 Ω/sq의 면저항을 가질 수 있다. In addition, the transparent electrode layer may have a sheet resistance of 80 Ω/sq to 400 Ω/sq, or 150 Ω/sq to 280 Ω/sq.

상술한 바와 같이, 상기 폴리실록산계 고분자층의 고유의 특성에 따라서, 상기 감광성 수지층은 상기 폴리실록산계 고분자층 상에 균일하고 견고하게 결합될 수 있고, 이에 따라 상기 감광성 수지층에는 보다 미세화된 패턴을 형성할 수 있다. As described above, depending on the intrinsic properties of the polysiloxane-based polymer layer, the photosensitive resin layer may be uniformly and firmly bonded to the polysiloxane-based polymer layer, and thus a finer pattern is formed on the photosensitive resin layer. can be formed

상기 감광성 수지층의 형성에는 통상적으로 알려진 감광성 수지 조성물 또는 포토레지스트 조성물을 사용할 수 있으며, 구체적으로 상기 감광성 수지층은 알카리 가용성 수지를 포함한 포지티브 포토레지스트 조성물; 또는 1이상의 반응성 작용기를 포함한 단량체 또는 다량체 및 광개시제를 포함한 네가티브 포토레지스트 조성물;으로부터 형성될 수 있고, 바람직하게는 포지티브 포토레지스트 조성물로부터 형성될 수 있다. A commonly known photosensitive resin composition or photoresist composition may be used to form the photosensitive resin layer, and specifically, the photosensitive resin layer may include a positive photoresist composition including an alkali-soluble resin; or a negative photoresist composition comprising a monomer or multimer comprising at least one reactive functional group and a photoinitiator, preferably from a positive photoresist composition.

상기 감광성 수지층은 1㎛ 내지 5㎛, 또는 2㎛ 내지 4㎛의 두께를 가질 수 있다. 상기 감광성 수지층의 두께가 너무 얇으면, 노광, 현상 및 에칭 과정에서 상기 감광성 수지층 및/또는 폴리실론산계 고분자층에 얼룩이나 외관 손상이 발생하여 백탁 현상이 나타날 수 있다. 상기 감광성 수지층의 두께가 너무 두꺼우면, 노광이 용이하지 않아서 현상이 충분히 일어나지 않거나 또는 선폭의 불일치가 발생할 수 있다. The photosensitive resin layer may have a thickness of 1 μm to 5 μm, or 2 μm to 4 μm. If the thickness of the photosensitive resin layer is too thin, stains or appearance damage may occur in the photosensitive resin layer and/or the polysilonic acid-based polymer layer during exposure, development, and etching, resulting in cloudiness. When the thickness of the photosensitive resin layer is too thick, exposure may not be easy, so that development may not occur sufficiently or a line width mismatch may occur.

한편, 상기 전극 필름은 상기 감광성 수지층 상에 형성된 이형 필름층을 더 포함할 수 있다. 상기 이형 필름층은 투명 전극 필름에 통상적으로 사용되는 것으로 알려진 고분자 필름 등을 사용할 수 있으며, 구체적으로 실리콘 점착 필름, 아크릴 점착 필름 및 PE 보호 필름 등을 사용할 수 있다. Meanwhile, the electrode film may further include a release film layer formed on the photosensitive resin layer. As the release film layer, a polymer film known to be commonly used in a transparent electrode film may be used, and specifically, a silicone adhesive film, an acrylic adhesive film, and a PE protective film may be used.

한편, 상기 전극 필름은 상기 폴리실록산계 고분자층과 대향하도록 상기 투명 전극층의 일면에 형성된 기재 필름층을 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the electrode film may further include a base film layer formed on one surface of the transparent electrode layer to face the polysiloxane-based polymer layer.

즉, 상기 기재 필름층에 상기 투명 전극층을 형성한 이후에 상기 투명 전극층, 폴리실록산계 고분자층 및 감광성 수지층을 순차적으로 형성하여 상기 투명 전극 복합체를 형성할 수 있다. 또한, 상기 투명 전극층 상에 폴리실록산계 고분자층 및 감광성 수지층을 순차적으로 형성한 이후에 상기 기재 필름층을 상기 투명 전극층의 다른 일면에 형성하여 상기 투명 전극 복합체를 형성할 수 있다. That is, after the transparent electrode layer is formed on the base film layer, the transparent electrode layer, the polysiloxane-based polymer layer, and the photosensitive resin layer are sequentially formed to form the transparent electrode composite. In addition, after sequentially forming the polysiloxane-based polymer layer and the photosensitive resin layer on the transparent electrode layer, the base film layer may be formed on the other surface of the transparent electrode layer to form the transparent electrode composite.

상기 투명 전극 복합체의 제조 과정에서는 통상적으로 알려진 도포 방법 또는 코팅 방법이 사용될 수 있으며, 또한 통상적으로 알려진 압착 방법 등을 사용할 수 있다. 상기 코팅 방법으로는 스프레이법, 바 코팅법, 닥터 블레이드법, 롤 코팅법, 디핑법 등 당 업계에서 사용되는 통상의 코팅 방법이 적용될 수 있다. In the manufacturing process of the transparent electrode composite, a commonly known coating method or coating method may be used, and a commonly known compression method may be used. As the coating method, a conventional coating method used in the art such as a spray method, a bar coating method, a doctor blade method, a roll coating method, a dipping method, etc. may be applied.

본 발명에 따르면, 각 층간에 높은 결합력을 가지면서도 낮은 면저항 및 계면 저항을 가지며, 단순화된 단계를 통하여서도 높은 집적도를 갖거나 또는 극미세화된 패턴을 형성할 수 있는 투명 전극 복합체가 제공될 수 있다. According to the present invention, a transparent electrode composite that has a high bonding force between each layer and low sheet resistance and interfacial resistance, has a high degree of integration or can form an ultra-fine pattern through a simplified step can be provided. .

상기 투명 전극 복합체는, 광활성층인 감광성 수지층을 포함하는 투명 전극 구조를 제공하며, 상기 투명 전극과 감광성 수지층 버퍼 역할을 하는 상기 폴리실록산계 고분자층을 포함하여 그 고유의 특성을 발휘할 수 있게 한다. 특히, 상기 감광성 수지층의 코팅 이전에 추가적인 소수성 부여 고정이 없이도 높은 코팅성 및 부착성을 유지할 수 있으며, 이에 따라 상기 감광성 수지층에 보다 미세화된 패턴을 형성할 수 있다.The transparent electrode composite provides a transparent electrode structure including a photosensitive resin layer, which is a photoactive layer, and includes the polysiloxane-based polymer layer serving as a buffer for the transparent electrode and the photosensitive resin layer to exhibit its unique properties. . In particular, high coatability and adhesion may be maintained without additional hydrophobicity imparted and fixed prior to coating of the photosensitive resin layer, and thus a finer pattern may be formed on the photosensitive resin layer.

도1은 실시예 1 및 2와 비교예1에 얻어진 폴리실록산계 고분자층의 물에 대한 접촉각을 나타낸 것이다.
도2는 실험예 2에서 관찰한 실시예 1 및 비교예1의 패턴의 외관을 나타낸 것이다.
1 shows the contact angle of the polysiloxane-based polymer layer obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 with respect to water.
Figure 2 shows the appearance of the pattern of Example 1 and Comparative Example 1 observed in Experimental Example 2.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
The invention is described in more detail in the following examples. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

[[ 제조예1Preparation Example 1 : : 전극층의of the electrode layer 제조] manufacturing]

PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polystyrene sulfonate, 고형분 1wt%], IPA(이소프로필렌 알코올), MeOH(메탄올) 및 DMSO(다이메틸설폭사이드)를 75:15:5:5의 중량비로 혼합하고, 표면 조절제인 Dynol 607을 상기 혼합물 대비 500ppmw을 넣고 교반하였다. PEDOT:PSS [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polystyrene sulfonate, solid content 1 wt%], IPA (isopropylene alcohol), MeOH (methanol) and DMSO (dimethylsulfoxide) in a weight ratio of 75:15:5:5 After mixing, 500 ppmw of Dynol 607, a surface control agent, was added to the mixture and stirred.

상기 교반이 완료된 이후, 상기 혼합물을 PET 기재에 바 코터를 이용하여 코팅한 후, 열풍 건조(110℃/ 60초)를 진행하여 0.096㎛의 두께의 전극층을 제조하였다. 최종 제조된 전극층의 면저항은 240Ω/sq이었다.
After the stirring was completed, the mixture was coated on a PET substrate using a bar coater, and then hot air drying (110° C./60 seconds) was performed to prepare an electrode layer having a thickness of 0.096 μm. The final prepared electrode layer had a sheet resistance of 240 Ω/sq.

[[ 제조예2Preparation Example 2 : : 전극층의of the electrode layer 제조] manufacturing]

PEDOT:PSS[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polystyrene sulfonate, 고형분 0.35wt%], 은 나노 와이어 분산액(1wt%, water), IPA(이소프로필렌 알코올), D.I water및 EG(에틸렌 글리콜)를 28.5:10:10:41.5:10의 중량비로 혼합하고, 표면 조절제인 3M FC-4330 을 상기 혼합물 대비 500ppmw을 넣고 교반하였다. PEDOT:PSS [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polystyrene sulfonate, solids 0.35 wt%], silver nanowire dispersion (1 wt%, water), IPA (isopropylene alcohol), DI water and EG (ethylene glycol) 28.5: It was mixed in a weight ratio of 10:10:41.5:10, and 500ppmw of 3M FC-4330 as a surface control agent was added to the mixture and stirred.

상기 교반이 완료된 이후, 상기 혼합물을 PET 기재에 바 코터를 이용하여 코팅한 후, 열풍 건조(110℃/ 60초)를 진행하여 0.055㎛의 두께의 전극층을 제조하였다. 최종 제조된 전극층의 면저항은 60Ω/sq이었다.
After the stirring was completed, the mixture was coated on a PET substrate using a bar coater, and then hot air drying (110° C./60 seconds) was performed to prepare an electrode layer having a thickness of 0.055 μm. The final prepared electrode layer had a sheet resistance of 60 Ω/sq.

[[ 실시예Example and 비교예comparative example : 전극 필름의 제조]: Preparation of electrode film]

실시예Example 1 One

(1) 폴리실록산계 고분자층의 형성(1) Formation of polysiloxane-based polymer layer

TEOS (테트라에틸옥시실란) 16.08 g, PTMS(페닐트리메톡시실란) 4.02 g, 물 23.55 g, IPA(아이소프로필렌 알코올) 54.95 g, 아세트산 1.4 g를 혼합하여 70℃에서 3시간 반응시켜서 졸-겔 반응 용액의 100g(고형분 7.8wt%)을 제조하고, 제조된 졸-겔 반응 용액과 아이소프로필렌 알코올을 1:4의 중량비로 희석하여 졸-겔 반응 용액의 500g(고형분 1.56wt%)을 제조하였다.16.08 g of TEOS (tetraethyloxysilane), 4.02 g of PTMS (phenyltrimethoxysilane), 23.55 g of water, 54.95 g of IPA (isopropylene alcohol), and 1.4 g of acetic acid are mixed and reacted at 70° C. for 3 hours to form a sol-gel 100 g (solid content: 7.8 wt%) of the reaction solution was prepared, and the prepared sol-gel reaction solution and isopropylene alcohol were diluted in a weight ratio of 1:4 to prepare 500 g (solid content: 1.56 wt%) of the sol-gel reaction solution .

상기 졸-겔 반응 용액(고형분 1.56wt%)을 상기 제조예1에서 얻어진 전극층 상에 바 코터를 이용하여 11.43㎛의 두께로 코팅한 다음, 열풍 조건에서120℃ 온도에서 10분간 건조하여 0.178㎛의 두께의 폴리실록산계 고분자층(면저항: 260Ω/sq)을 형성하였다.
The sol-gel reaction solution (solid content: 1.56 wt%) was coated on the electrode layer obtained in Preparation Example 1 to a thickness of 11.43 μm using a bar coater, and then dried at 120° C. under hot air conditions for 10 minutes to obtain a thickness of 0.178 μm. A thick polysiloxane-based polymer layer (sheet resistance: 260Ω/sq) was formed.

(2) 감광성 수지층의 형성(2) Formation of photosensitive resin layer

동진쎄미켐 포토레지스트(Positive Type) SJ-631(10cP, 고형분 23wt%)를 상기 형성된 폴리실록산계 고분자층 상에 바 코팅을 이용하여 도포하고, 120℃ 온도에서 1분간 건조하여 약 2.62㎛ 두께의 감광성 수지층을 제조하였다.
Dongjin Semichem Photoresist (Positive Type) SJ-631 (10cP, solid content 23wt%) was applied on the formed polysiloxane-based polymer layer using a bar coating, and dried at 120°C for 1 minute to have a thickness of about 2.62㎛ photosensitive water. A layer was prepared.

실시예Example 2 2

(1) 폴리실록산계 고분자층의 형성(1) Formation of polysiloxane-based polymer layer

TEOS (테트라에틸옥시실란) 16.08 g, VTMS(비닐트리메톡시실란) 4.02 g, 물 23.55 g, IPA(아이소프로필렌 알코올) 54.95 g 및 아세트산 1.4 g 를 혼합하고 70℃에서 3시간 반응하여 졸-겔 반응 용액의 100g(고형분 7.2wt%)을 제조하고, 제조된 졸-겔 반응 용액과 아이소프로필렌 알코올을 1:4의 중량비로 희석하여 졸-겔 반응 용액의 500g(고형분 1.44wt%)을 제조하였다.16.08 g of TEOS (tetraethyloxysilane), 4.02 g of VTMS (vinyltrimethoxysilane), 23.55 g of water, 54.95 g of IPA (isopropylene alcohol) and 1.4 g of acetic acid were mixed and reacted at 70° C. for 3 hours to form a sol-gel 100 g (solid content: 7.2 wt%) of the reaction solution was prepared, and the prepared sol-gel reaction solution and isopropylene alcohol were diluted in a weight ratio of 1:4 to prepare 500 g (solid content: 1.44 wt%) of the sol-gel reaction solution .

상기 졸-겔 반응 용액(고형분 1.44wt%)을 상기 제조예1에서 얻어진 전극층 상에 바 코터를 이용하여 11.43㎛의 두께로 코팅한 다음, 열풍 조건에서120℃ 온도에서 10분간 건조하여 0.165㎛의 두께의 폴리실록산계 고분자층(면저항: 265Ω/sq)을 형성하였다.
The sol-gel reaction solution (solids content of 1.44 wt%) was coated on the electrode layer obtained in Preparation Example 1 to a thickness of 11.43 μm using a bar coater, and then dried at 120° C. under hot air conditions for 10 minutes to obtain a thickness of 0.165 μm. A thick polysiloxane-based polymer layer (sheet resistance: 265Ω/sq) was formed.

(2) 감광성 수지층의 형성(2) Formation of photosensitive resin layer

동진쎄미켐 포토레지스트(Positive Type) SJ-631(10cP, 고형분 23wt%)를 상기 형성된 폴리실록산계 고분자층 상에 바 코팅을 이용하여 도포하고, 120℃ 온도에서 1분간 건조하여 약 2.62㎛ 두께의 감광성 수지층을 제조하였다.
Dongjin Semichem Photoresist (Positive Type) SJ-631 (10cP, solid content 23wt%) was applied on the formed polysiloxane-based polymer layer using a bar coating, and dried at 120°C for 1 minute to have a thickness of about 2.62㎛ photosensitive water. A layer was prepared.

실시예Example 3 3

(1) 폴리실록산계 고분자층의 형성(1) Formation of polysiloxane-based polymer layer

실시예2에서 만들어진 폴리실록산계 졸-겔 반응 용액(고형분 1.44wt%)을 상기 제조예2에서 얻어진 전극층 상에 바 코터를 이용하여 11.43㎛의 두께로 코팅한 다음, 열풍 조건에서120℃ 온도에서 10분간 건조하여 0.165㎛의 두께의 폴리실록산계 고분자층(면저항: 80Ω/sq)을 형성하였다.
The polysiloxane-based sol-gel reaction solution (solids content 1.44 wt%) prepared in Example 2 was coated on the electrode layer obtained in Preparation Example 2 to a thickness of 11.43 μm using a bar coater, and then 10 at 120° C. under hot air conditions. After drying for minutes, a polysiloxane-based polymer layer (sheet resistance: 80 Ω/sq) having a thickness of 0.165 μm was formed.

(2) 감광성 수지층의 형성(2) Formation of photosensitive resin layer

동진쎄미켐 포토레지스트(Positive Type) SJ-631(10cP, 고형분 23wt%)를 상기 형성된 폴리실록산계 고분자층 상에 바 코팅을 이용하여 도포하고, 120℃ 온도에서 1분간 건조하여 약 2.62㎛ 두께의 감광성 수지층을 제조하였다.
Dongjin Semichem Photoresist (Positive Type) SJ-631 (10cP, solid content 23wt%) was applied on the formed polysiloxane-based polymer layer using a bar coating, and dried at 120°C for 1 minute to have a thickness of about 2.62㎛ photosensitive water. A layer was prepared.

실시예Example 4 내지 6 4 to 6

상기 실시예 1, 2및 3에서 각각 형성된 전극층-폴리실록산계 고분자층-감광성 수지층의 복합체 상에 점착제가 코팅된 PET원단 필름(25㎛ 두께)을 상온에서 압력 0.45Mp를 가하여 상기 감광성 수지층의 외부면에 합지하였다
On the composite of the electrode layer-polysiloxane-based polymer layer-photosensitive resin layer formed in Examples 1, 2 and 3, respectively, a PET fabric film (25 μm thick) coated with an adhesive was applied at room temperature to a pressure of 0.45 Mp to form the photosensitive resin layer. laminated to the outside

비교예1Comparative Example 1

(1) 폴리실록산계 고분자층의 형성(1) Formation of polysiloxane-based polymer layer

TEOS (테트라에틸옥시실란) 20.01 g, 물 23.55 g, IPA(아이소프로필렌 알코올) 54.95 g 및 아세트산 1.4 g 를 혼합하고 70℃에서 3시간 반응시켜서 졸-겔 반응 용액의 100g(고형분 7wt%)을 제조하고, 제조된 졸-겔 반응 용액과 아이소프로필렌 알코올을 1:4의 중량비로 희석하여 졸-겔 반응 용액의 500g(고형분 1.4wt%)을 제조하였다.20.01 g of TEOS (tetraethyloxysilane), 23.55 g of water, 54.95 g of IPA (isopropylene alcohol), and 1.4 g of acetic acid were mixed and reacted at 70° C. for 3 hours to prepare 100 g (solid content of 7 wt%) of a sol-gel reaction solution. and diluting the prepared sol-gel reaction solution and isopropylene alcohol in a weight ratio of 1:4 to prepare 500 g (solid content: 1.4 wt%) of the sol-gel reaction solution.

상기 졸-겔 반응 용액(고형분 1.4wt%)을 상기 제조예에서 얻어진 전극층 상에 바 코터를 이용하여 11.43㎛의 두께로 코팅한 다음, 열풍 조건에서120℃ 온도에서 10분간 건조하여 0.160㎛의 두께의 폴리실록산계 고분자층(면저항: 256Ω/sq)을 형성하였다. The sol-gel reaction solution (solid content: 1.4 wt%) was coated on the electrode layer obtained in Preparation Example to a thickness of 11.43 μm using a bar coater, and then dried at 120° C. under hot air conditions for 10 minutes to a thickness of 0.160 μm. of a polysiloxane-based polymer layer (sheet resistance: 256Ω/sq) was formed.

(2) 감광성 수지층의 형성(2) Formation of photosensitive resin layer

동진쎄미켐 포토레지스트(Positive Type) SJ-631(10cP, 고형분 23wt%)를 상기 형성된 폴리실록산계 고분자층 상에 바 코팅을 이용하여 도포하고, 120℃ 온도에서 1분간 건조하여 약 2.62㎛ 두께의 감광성 수지층을 제조하였다.
Dongjin Semichem Photoresist (Positive Type) SJ-631 (10cP, solid content 23wt%) was applied on the formed polysiloxane-based polymer layer using a bar coating, and dried at 120°C for 1 minute to have a thickness of about 2.62㎛ photosensitive water. A layer was prepared.

[[ 실험예Experimental example : 전극 필름의 물성 평가]: Evaluation of the physical properties of the electrode film]

실험예1Experimental Example 1 : : 접촉각contact angle 측정 measurement

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예1에서 얻어진 폴리실록산계 고분자층의 물에 대한 접촉각을 영상 디지털 접촉각 분석기(SEO社 phoenix-10)를 이용하여 정접촉각(static contact angle method)을 측정하였다.
The contact angle of the polysiloxane-based polymer layer obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 with respect to water was measured by using an image digital contact angle analyzer (Phoenix-10 by SEO Corporation) to measure the static contact angle method.

실험예2Experimental Example 2 : : 코팅성coatability and 부착성adherence 평가 evaluation

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예1에서 얻어진 감광성 수지층에 대하여 노광 장치(MA-6)를 이용하여 50mJ의 자외선을 가해 주고, 현상액 DPD-200(동진 세미켐)을 이용하여 상온에서 35초간 현상하고, 스트립액ST-09(동진 세미켐)을 이용하여 상온에서 50초간 스트립(제거) 과정을 진행하였다. 50 mJ of ultraviolet light was applied to the photosensitive resin layers obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 using an exposure apparatus (MA-6), and developed at room temperature for 35 seconds using a developer DPD-200 (Dongjin Semichem). Then, the strip (removal) process was performed at room temperature for 50 seconds using a strip solution ST-09 (Dongjin Semichem).

이때, 상기 패턴 형성 과정에서 패턴의 선폭이 제거되는 여부를 기준으로 코팅성 및 부착성을 평가하여 패턴 유지시 O 및 패턴 제거시 X로 표현하여 하기 표1에 기재하고, 실제 형성된 패턴의 외관은 하기 도 2에 기재하였다. At this time, the coating properties and adhesion properties are evaluated based on whether the line width of the pattern is removed during the pattern formation process, and expressed as O when the pattern is maintained and X when the pattern is removed, described in Table 1 below, and the appearance of the actually formed pattern is It is described in Figure 2 below.

전극층electrode layer 80Ω/sq(0.055㎛)80Ω/sq (0.055㎛) 240Ω/sq (0.096㎛)240Ω/sq (0.096㎛) 폴리실록산계 고분자층Polysiloxane-based polymer layer 실시예3Example 3 실시예1Example 1 실시예2Example 2 비교예1Comparative Example 1 80Ω/sq (0.165㎛)80Ω/sq (0.165㎛) 260Ω/sq
(0.178㎛)
260Ω/sq
(0.178㎛)
265Ω/sq
(0.165㎛)
265Ω/sq
(0.165㎛)
256Ω/sq
(0.160㎛)
256Ω/sq
(0.160㎛)
폴리실록산계 고분자층의 접촉각Contact angle of polysiloxane-based polymer layer 65.865.8 67.867.8 65.865.8 4949 감광성 수지층photosensitive resin layer 2.65㎛2.65㎛ 감광성 수지층의 코팅 및 부착성Coating and adhesion of photosensitive resin layer ××

상기 표1에 나타난 바와 같이, 실시예 1 내지 3의 전극 필름은 접촉각이 60도 이상인 폴리실록산계 고분자층을 포함하여 감광성 수지층과 보다 용이하고 견고하게 결합될 수 있으며, 이에 따라 향상된 코팅성 및 부착성을 확보할 수 있다. 이에 반하여 비교예1의 전극 필름의 폴리실록산계 고분자층과 감광성 수지층 간의 결합력은 충분하지 아니하여 형성되는 패턴이 잘 부착되지 않거나 형태의 일부가 유지되지 못하는 것으로 확인되었다.As shown in Table 1, the electrode films of Examples 1 to 3 can be more easily and firmly combined with the photosensitive resin layer including the polysiloxane-based polymer layer having a contact angle of 60 degrees or more, and thus improved coating properties and adhesion castle can be obtained. On the other hand, it was confirmed that the bonding force between the polysiloxane-based polymer layer and the photosensitive resin layer of the electrode film of Comparative Example 1 was not sufficient, so that the formed pattern was not well attached or a part of the shape was not maintained.

Claims (10)

전도성 고분자를 포함하는 투명 전극층;
상기 투명 전극층 상에 형성되고, 물에 대한 접촉각이 60°이상인 폴리실록산계 고분자층; 및
상기 폴리실록산계 고분자층 상에 형성된 감광성 수지층;을 포함하고,
상기 폴리실록산계 고분자층은 테트라에틸옥시실란 60 내지 90중량%; 및 비닐트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시드옥시프로필트리메톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β-(아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-유레이드프로필트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 폴리에틸렌옥사이드 변성 실란 단량체, 폴리메틸에톡시실록산 및 헥사메틸디시라진으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물 10 내지 40중량%; 간의 공중합체를 포함하고,
상기 폴리실록산계 고분자층은 0.050㎛ 내지 0.300㎛의 두께 및 80 Ω/sq 내지 400 Ω/sq의 면저항을 갖는, 투명 전극 복합체.
a transparent electrode layer comprising a conductive polymer;
a polysiloxane-based polymer layer formed on the transparent electrode layer and having a contact angle with respect to water of 60° or more; and
Including; a photosensitive resin layer formed on the polysiloxane-based polymer layer;
The polysiloxane-based polymer layer is tetraethyloxysilane 60 to 90% by weight; and vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltris(β-methoxyethoxy)silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethyl Toxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β-(aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane , γ-ureidepropyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, polyethylene oxide-modified silane monomer, polymethylethoxysiloxane and hexamethyldish 10 to 40% by weight of at least one compound selected from the group consisting of razine; comprising a copolymer of the liver,
The polysiloxane-based polymer layer has a thickness of 0.050 μm to 0.300 μm and a sheet resistance of 80 Ω/sq to 400 Ω/sq, a transparent electrode composite.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 폴리실록산계 고분자층의 물에 대한 접촉각이 65°내지 90°인, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
A contact angle of the polysiloxane-based polymer layer with respect to water is 65° to 90°, a transparent electrode composite.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 투명 전극층은 0.20㎛ 내지 3.00㎛의 두께 및 80 Ω/sq 내지 400 Ω/sq의 면저항을 갖는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The transparent electrode layer has a thickness of 0.20 μm to 3.00 μm and a sheet resistance of 80 Ω/sq to 400 Ω/sq, a transparent electrode composite.
제1항에 있어서,
상기 전도성 고분자는 폴리아닐린계 고분자, 폴리피롤계 고분자, 폴리티오펜계 고분자 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The conductive polymer comprises at least one selected from the group consisting of polyaniline-based polymers, polypyrrole-based polymers, polythiophene-based polymers, and derivatives thereof, a transparent electrode composite.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층은 1㎛ 내지 5㎛의 두께를 갖는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The photosensitive resin layer has a thickness of 1 μm to 5 μm, a transparent electrode composite.
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층은 알카리 가용성 수지를 포함한 포지티브 포토레지스트 조성물; 또는 1이상의 반응성 작용기를 포함한 단량체 또는 다량체 및 광개시제를 포함한 네가티브 포토레지스트 조성물;으로부터 형성되는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The photosensitive resin layer may include a positive photoresist composition including an alkali-soluble resin; or a negative photoresist composition comprising a monomer or multimer comprising at least one reactive functional group and a photoinitiator;
제1항에 있어서,
상기 감광성 수지층 상에 형성된 이형 필름층을 더 포함하는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The transparent electrode composite further comprising a release film layer formed on the photosensitive resin layer.
제1항에 있어서,
상기 폴리실록산계 고분자층과 대향하도록 상기 투명 전극층의 일면에 형성된 기재 필름층을 더 포함하는, 투명 전극 복합체.
According to claim 1,
The transparent electrode composite, further comprising a base film layer formed on one surface of the transparent electrode layer to face the polysiloxane-based polymer layer.
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