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KR102254563B1 - 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents

구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 Download PDF

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KR102254563B1
KR102254563B1 KR1020150045401A KR20150045401A KR102254563B1 KR 102254563 B1 KR102254563 B1 KR 102254563B1 KR 1020150045401 A KR1020150045401 A KR 1020150045401A KR 20150045401 A KR20150045401 A KR 20150045401A KR 102254563 B1 KR102254563 B1 KR 102254563B1
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copper
metal film
etchant composition
acid
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박면규
전현수
최한영
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물, 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 및 상기 제조 방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.

Description

구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법{Etchant composition for copper-containing metal layer and preparing method of an array substrate for liquid crystal display using same}
본 발명은 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물, 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 및 상기 제조 방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
반도체 장치에서 기판 위에 금속 배선을 형성하는 과정은 통상적으로 스퍼터링 등에 의한 금속막 형성공정, 포토레지스트 도포, 노광 및 현상에 의한 선택적인 영역에서의 포토레지스트 형성공정 및 식각공정에 의한 단계로 구성되고, 개별적인 단위 공정 전후의 세정 공정 등을 포함한다. 이러한 식각공정은 포토레지스트를 마스크로 하여 선택적인 영역에 금속막을 남기는 공정을 의미하며, 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식식각 또는 식각액 조성물을 이용하는 습식식각이 사용된다.
이러한 반도체 장치에서 최근 금속배선의 저항이 주요한 관심사로 떠오르고 있다. 왜냐하면 저항이 RC 신호지연을 유발하는 주요한 인자이므로, 특히 TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display)의 경우 패널크기 증가와 고해상도 실현이 기술 개발에 관건이 되고 있기 때문이다. 따라서, TFT-LCD의 대형화에 필수적으로 요구되는 RC 신호지연의 감소를 실현하기 위해서는, 저-저항의 물질개발이 필수적이다. 따라서, 종래에 주로 사용되었던 크롬(Cr, 비저항: 12.7 ×10-8Ωm), 몰리브덴(Mo, 비저항: 5×10-8Ωm), 알루미늄(Al, 비저항: 2.65×10-8Ωm) 및 이들의 합금은 대형 TFT LCD에 사용되는 게이트 및 데이터 배선 등으로 이용하기 어려운 실정이다.
이와 같은 배경 하에서, 새로운 저-저항 금속막으로서 구리막 및 구리 몰리브덴막 등의 구리계 금속막 및 이의 식각액 조성물에 대한 관심이 높아지고 있고, 이와 관련하여 대한민국 공개특허 제 10-2010-0035250호에서는 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄 합금 전극용 식각조성물을 개시하고 있다. 다만, 상기 선행문헌에서 사용된 글리콜을 통한 발열 안정성 개선에는 한계가 있으므로, 공정 진행간 불안정성을 내포하는 단점이 있었다. 또한, 구리계 금속막에 대한 식각액 조성물의 경우 현재 여러 종류가 사용되고 있으나, 사용자가 요구하는 발열 안정성 등의 성능을 충족시키지 못하고 있어 새로운 식각액 조성물에 대한 개발이 필요한 상황이다.
대한민국 공개특허 제 10-2010-0035250호
본 발명은 안정성, 특히 발열 안정성이 현저히 개선되어, 식각 공정을 안정적으로 진행할 수 있도록 하는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 현재까지 알려진 구리계 금속막에 대한 식각액 조성물들은 사용자의 요구를 충분히 만족시키지 못하고 있다. 특히, 과산화수소계 식각액 조성물은 구리계 금속막에 대한 식각 특성은 우수하나, 식각액 내로 용출되는 구리이온의 농도가 높아짐에 따라, 과산화수소의 연쇄분해 반응에 의한 과열이 발생하므로 공정상 위험이 상존하는 단점을 갖는다.
또한, 본 발명은 식각 균일성 및 직선성이 우수한 프로파일이 형성되고, 구리계 금속막의 잔사가 남지 않는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 게이트 배선과 소스/드레인 배선의 일괄 식각이 가능한 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리 매수 향상을 기대할 수 있는 구리계 금속막의 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 식각액 조성물을 사용하는 구리계 금속막의 식각방법 및 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
식각액 조성물 총 중량에 대하여,
하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물 0.1 내지 10.0 중량%,
과산화수소(H2O2) 3.0 내지 25.0 중량%,
함불소 화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
아졸화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
유기산 0.5 내지 5.0 중량%,
인산 또는 인산염 화합물 0.3 내지 5.0 중량% 및
식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
HO-R-OH
상기 화학식 1에서, R은 하나　이상의　C1 ~ C5의　알킬기로　치환　또는　비치환된　C3 ~ C5의　알킬렌이다.
또한, 본 발명은
(1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3) 본 발명의 식각액 조성물로 노출된 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리계 금속막의 식각 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은
(1) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
(4) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (1) 단계는 기판 상에 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (4) 단계는 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 본 발명의 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 식각액 조성물은 발열 안정성 향상을 위해 하기 [화학식 1]로 표시되는 디올화합물을 포함함으로써, 식각액의 발열 안정성이 획기적으로 개선되어 공정 진행 간 안정성을 향상시킬 수 있다.
[화학식 1]
HO-R-OH
상기 화학식 1에서, R은 하나　이상의　C1 ~ C5의　알킬기로　치환　또는　비치환된　C3 ~ C5의　알킬렌이다.
특히 본 발명의 식각액 조성물에서 사용되는 상기 디올화합물은 구리 양이온을 킬레이트 시킴으로써 과수의 분해를 억제하고, 이를 통해 발열 안정성을 향상시키는 역할을 하며, 기존에 사용된 글리콜 화합물은 식각액 조성물에서 고리형 아민화합물을 안정화시키는 역할을 하는 차이점을 갖는다.
특히 본 발명의 구리계 금속막의 식각액 조성물은 황산염을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는데, 황산염 사용 시에는 황산음이온이 침투성(PR-metal 간)이 매우 뛰어나서 게이트 및 데이터 오픈(metal 배선의 단선)에 취약한 특성을 나타낼 수 있는 단점을 갖는다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 구리계 금속막 식각 시, 직선성이 우수한 테이퍼 프로파일을 구현할 수 있고, 잔사가 발생하지 않아 전기적인 쇼트나 배선의 불량, 휘도의 감소 등의 문제의 발생을 최소화 할 수 있는 효과를 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 액정표시장치용 어레이 기판을 제조시, 게이트 배선 및 소스/드레인 배선을 일괄 식각할 수 있어, 공정이 매우 단순화되어 공정 수율을 극대화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 구리계 금속막 식각 시, 처리 매수 향상을 기대할 수 있는 효과가 있다.
더욱이, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 저항이 낮은 구리 또는 구리 합금 배선의 식각에 이용하면, 대화면, 고휘도의 회로를 구현함과 더불어 환경친화적인 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예의 식각액 조성물로 Cu 용해에 따른 발열 안정성을 평가를 실시하기 위하여 온도 모니터링 결과를 최대 온도 및 최대 온도 발생 시간으로 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명을 보다 자세히 설명한다.
본 발명은 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물 0.1 내지 10.0 중량%,
과산화수소(H2O2) 3.0 내지 25.0 중량%,
함불소 화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
아졸화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
유기산 0.5 내지 5.0 중량%,
인산 또는 인산염 화합물 0.3 내지 5.0 중량% 및
식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물인 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
HO-R-OH
상기 화학식 1에서, R은 하나　이상의　C1 ~ C5의　알킬기로　치환　또는　비치환된　C3 ~ C5의　알킬렌이다.
본 발명의 구리계 금속막은 막의 구성성분 중에 구리가 포함되는 것으로서, 특히 구리계 금속막은 막 두께가 5,000Å 이상의 후막인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 구리계 금속막은 구리 또는 구리 합금의 단일막; 및 구리막 및 구리 합금막 중에서 선택되는 하나 이상의 막과 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 티타늄막 및 티타늄 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막을 포함하는 개념이다.
여기서 합금막이라 함은 질화막 또는 산화막도 포함하는 개념이다.
상기 다층막의 예로는, 구리/몰리브덴막, 구리/몰리브덴 합금막, 구리 합금/몰리브덴 합금막, 구리/티타늄막 등의 2중막, 또는 3중막을 들 수 있다. 상기 구리/몰리브덴막은 몰리브덴층과 상기 몰리브덴층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리/몰리브덴 합금막은 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미하며, 구리 합금/몰리브덴 합금막은 몰리브덴 합금층과 상기 몰리브덴 합금층 상에 형성된 구리 합금층을 포함하는 것을 의미하며, 상기 구리/티타늄막은 티타늄층과 상기 티타늄층 상에 형성된 구리층을 포함하는 것을 의미한다.
또한, 상기 몰리브덴 합금층은 예컨대, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 네오디늄(Nd), 및 인듐(In) 등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속과 몰리브덴의 합금으로 이루어진 층을 의미한다.
특히, 본 발명의 식각액 조성물은 구리 또는 구리 합금막과 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금막으로 이루어진 다층막에 바람직하게 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 식각액 조성물의 각 성분을 설명하기로 한다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
[화학식 1]
HO-R-OH
상기 화학식 1에서, R은 하나　이상의　C1 ~ C5의　알킬기로　치환　또는　비치환된　C3 ~ C5의　알킬렌이다.
구체적으로, 상기 C3 ~ C5의　알킬렌 중 C3 인 화합물의 예로는 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 15] 일 수 있고, C4인 화합물의 예로는 하기 [화학식 16] 내지 [화학식 20] 일 수 있고, C5인 화합물의 예로는 하기의 [화학식 21] 내지 [화학식 23] 일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015031609469-pat00001
[화학식 3]
Figure 112015031609469-pat00002
[화학식 4]
Figure 112015031609469-pat00003
[화학식 5]
Figure 112015031609469-pat00004
[화학식 6]
Figure 112015031609469-pat00005
[화학식 7]
Figure 112015031609469-pat00006
[화학식 8]
Figure 112015031609469-pat00007
[화학식 9]
Figure 112015031609469-pat00008
[화학식 10]
Figure 112015031609469-pat00009
[화학식 11]
Figure 112015031609469-pat00010
[화학식 12]
Figure 112015031609469-pat00011
[화학식 13]
Figure 112015031609469-pat00012
[화학식 14]
Figure 112015031609469-pat00013
[화학식 15]
Figure 112015031609469-pat00014
[화학식 16]
Figure 112015031609469-pat00015
[화학식 17]
Figure 112015031609469-pat00016
[화학식 18]
Figure 112015031609469-pat00017
[화학식 19]
Figure 112015031609469-pat00018
[화학식 20]
Figure 112015031609469-pat00019
[화학식 21]
Figure 112015031609469-pat00020
[화학식 22]
Figure 112015031609469-pat00021
[화학식 23]
Figure 112015031609469-pat00022
상기 화합물 중 분지쇄 형태를 포함하는 [화학식 3] 내지 [화학식 15], [화학식 17] 내지 [화학식 20], [화학식 22] 및 [화학식 23]으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 구리계 금속막을 식각한 후 식각액에 녹아져 나오는 구리 이온을 둘러쌈으로서 구리이온의 활동도를 억제하여 과산화수소의 분해 반응을 억제하는 역할을 한다. 이렇게 구리 이온의 활동도를 낮추게 되면 구리 식각액을 사용하는 동안 과산화수소의 분해에 의한 온도 상승을 억제할 수 있으므로 안정적으로 공정을 진행 할 수 있게 된다. 즉, 본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 상기 디올화합물은 구리 양이온을 킬레이트 시킴으로써 과수의 분해를 억제하고, 이를 통해 발열 안정성을 향상시키는 역할을 하며, 기존의 식각액 조성물에서 사용된 글리콜 화합물은 고리형 아민화합물을 안정화시키는 역할을 하는 차이점을 갖는다.
상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 바람직하게는, 1,3-프로판디올(1,3-propanediol), 1,4-부탄디올(1,4-butanediol) 또는 1,5-펜탄디올(1,5-pentanediol)을 사용할 수 있다.
상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 10.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 중량% 범위로 포함될 수 있다. 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물의 함량이 상술한 범위 미만인 경우, 과산화수소의 분해가 가속화 되어 발열 문제가 생길 수 있다. 또한 상술한 범위 이상이면 구리 박막의 식각 속도를 낮아지는 단점이 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 과산화수소(H2O2)는 구리계 금속막의 식각에 영향을 주는 주산화제이며, 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 3.0 내지 25.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 5.0 내지 23.0 중량%로 포함될 수 있다. 과산화수소의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 구리계 금속막 및 몰리브덴 합금막의 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않거나 식각 속도가 아주 느려지게 될 수 있다. 또한 과산화수소의 함량이 상기 범위 초과인 경우에는 구리 이온 증가에 따른 발열 안정성이 크게 감소할 수 있고, 식각 속도가 전체적으로 빨라져 공정을 컨트롤하는 것이 어려워질 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 함불소 화합물은 물에 해리되어 플루오르(F) 이온을 낼 수 있는 화합물을 의미하는 것으로, 몰리브덴 합금막의 식각 속도에 영향을 주는 보조산화제이며, 몰리브덴 합금막의 식각 속도를 조절한다. 또한, 구리막과 몰리브덴 막을 동시에 식각하는 용액에서 필연적으로 발생하게 되는 잔사를 제거하여 주는 성분이다.
함불소 화합물은 당분야에서 통상적으로 사용되며 용액 내에서 플루오르 이온 또는 다원자 플루오르 이온으로 해리될 수 있는 화합물이면 한정되지 않으며, 예컨대 불화수소(HF), 불화나트륨(NaF), 불화암모늄(NH4F), 불화붕산염(NH4BF4), 중불화암모늄(NH4F.HF), 불화칼륨(KF), 불화수소칼륨(KHF2), 불화알루미늄(AlF3) 및 붕불화수소산(HBF4) 등을 사용할 수 있다. 또한 불화암모늄(NH4F)을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
함불소 화합물은 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.1 내지 3.0 중량%로 포함될 수 있다. 함불소 화합물의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 몰리브덴 합금막의 식각 속도가 느려지고, 식각 잔사가 발생할 수 있다. 또한 함불소 화합물의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 몰리브덴 합금막의 식각 성능은 향상되지만, 식각 속도가 전체적으로 빨라지기 때문에 언더컷 현상이나 하부층(n+ a-Si:H, a-Si:G)의 식각 Damage가 크게 나타난다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 아졸화합물은 구리계 금속막의 식각 속도를 조절하며 패턴의 시디로스(CD Loss)를 줄여주고, 처리매수에 따른 Etch Profile 변동을 감소시켜주어 공정상의 마진을 높이는 역할을 하는 성분이다.
상기 아졸화합물의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계, 이소디아졸(isothiazole)계 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이 중 테트라졸(tetrazole)계 화합물이 바람직하며, 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸이 가장 바람직하다. 본 발명의 일 구현예에서는 5-메틸테트라졸 및 5-아미노테트라졸을 혼용하여 사용할 수 있다. 식각속도 조절 및 처리매수에 따른 Etch Profile 변동 감소 능력이 화합물마다 다른 특성이 나타나므로 공정 조건에 맞는 배합비를 산출하여 적용하였다.
상기 아졸화합물은 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 5.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.1 내지 2.0 중량%로 포함될 수 있다. 아졸화합물의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 씨디로스(CD Loss)가 너무 크게 발생될 수 있고 과식각 및 처리매수에 따른 Etch Profile 변동이 크게 나타난다. 또한 아졸화합물의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 구리의 식각속도가 너무 느려지기 때문에 공정시간 손실이 있을 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 유기산은 pH를 적당히 조절해주어 식각액의 환경을 구리계 금속막이 식각되기 용이하게 만드는 역할을 하는 성분이다. 상기 유기산의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 말론산, 펜탄산, 젖산 및 옥살산 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 식각액 조성물은 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물을 추가로 포함할 수 있는데, 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 식각액 조성물의 보관 시 발생할 수 있는 과산화수소수의 자체 분해 반응을 막아주고 많은 수의 기판을 식각할 시에 식각 특성이 변하는 것을 방지한다. 일반적으로 과산화수소수를 사용하는 식각액 조성물의 경우 보관시 과산화수소수가 자체 분해하여 그 보관기간이 길지가 못하고 용기가 폭발할 수 있는 위험요소까지 갖추고 있다. 그러나 상기 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물 이 포함될 경우 과산화수소수의 분해 속도가 10배 가까이 줄어들어 보관기간 및 안정성 확보에 유리하다. 특히 구리층의 경우 식각액 조성물 내에 구리 이온이 다량 잔존할 경우에 패시베이션(passivation) 막을 형성하여 까맣게 산화된 후 더 이상 식각되지 않는 경우가 많이 발생할 수 있으나 이 화합물을 첨가하였을 경우 이런 현상을 막을 수 있다.
상기 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 바람직하게는, 알라닌(alanine), 아미노부티르산(aminobutyric acid), 글루탐산(glutamic acid), 글리신(glycine), 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 사르코신(sarcosine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 이 중 이미노디아세트산(iminodiacetic acid)을 사용하는 것이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기산 또는 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 그 양을 합쳐서 사용할 수 있고, 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 5.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 1.0 내지 3.0 중량%로 포함될 수 있다.
상기 유기산 또는 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 다량의 기판(약 500매)의 식각 후에는 패시베이션 막이 형성되어 충분한 공정 마진을 얻기가 어려워진다. 또한, 유기산 또는 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물의 함량이 상술한 범위를 초과할 경우, 몰리브덴 또는 몰리브덴합금의 식각속도는 느려지므로 구리 몰리브덴막 또는 구리 몰리브덴합금막의 경우 몰리브덴 또는 몰리브덴합금막의 잔사 문제가 발생 할 수 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 인산 또는 인산염 화합물은 pH를 조절하여 식각 속도를 증가시켜주고, 패턴의 테이퍼 프로파일을 양호하게 만들어주는 역할을 하는 성분으로, 만일 인산 또는 인산염 화합물이 본 발명의 식각액 조성물에 존재하지 않으면 식각속도가 매우 낮아 식각 프로파일이 불량하게 될 수 있다.
인산 화합물은 인산(phosphoric acid), 아인산(phosphorous acid) 및 포스핀산(phosphinic acid)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이며, 인산염 화합물은 상기 인산 화합물의 수소가 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속으로 하나 또는 두 개 치환된 염에서 선택되는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 제1 또는 제2 인산암모늄(ammonium phosphate dibasic), 제1 또는 제2 인산나트륨(sodium phosphate dibasic) 및 제1 또는 제2 인산칼륨(potassium phosphate dibasic)이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다. 그리고 이중에서 인산(phosphoric acid), 아인산(phosphorous acid), 제2 인산암모늄(ammonium phosphate dibasic)을 사용하는 것이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
인산 또는 인산염 화합물은 구리계 금속막의 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.3 내지 5.0 중량%로 포함될 수 있고, 바람직하게는 0.5 내지 3.0 중량%로 포함될 수 있다. 인산 또는 인산염 화합물의 함량이 상기 범위 미만인 경우에는 식각 프로파일이 불량하게 될 수 있다. 또한 인산 또는 인산염 화합물의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 구리 또는 구리합금막의 식각속도가 너무 빨라지거나 몰리브덴 또는 몰리브덴합금막의 식각속도가 너무 느려지는 문제가 발생될 수 있다.
특히, 본 발명의 상기 식각액 조성물은 황산염을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는데, 황산염 사용 시에는 황산음이온이 침투성(PR-metal 간)이 매우 뛰어나서 게이트 및 데이터 오픈(metal 배선의 단선)에 취약한 특성을 나타낼 수 있다.
또한, 본 발명의 식각액 조성물은 전술한 성분 이외에 통상의 첨가제를 더 첨가할 수 있으며, 첨가제로는 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 첨가제는 이에만 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과를 더욱 양호하게 하기 위하여, 당 업계에 공지되어 있는 여러 다른 첨가제들을 선택하여 첨가할 수도 있다.
본 발명의 식각액 조성물의 성분들은 통상적으로 공지된 방법에 의하여 제조 가능하며, 반도체 공정용의 순도로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 식각액 조성물에 포함되는 물은 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량으로 포함된다. 상기 물은 특별히 한정되지 않으나, 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 물은 물속에 이온이 제거된 정도를 보여주는 물의 비저항값이 18㏁·㎝ 이상인 탈이온수를 이용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 상기 식각액 조성물은 pH가 1.5 내지 4인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명은
(1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
(2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
(3) 본 발명의 식각액 조성물로 노출된 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리계 금속막의 식각 방법에 관한 것이다.
본 발명의 구리계 금속막의 식각 방법에서, 상기 광반응 물질은 통상적인 포토레지스트 물질인 것이 바람직하며, 통상적인 노광 및 현상 공정에 의해 선택적으로 남겨질 수 있다.
또한, 본 발명은
(1) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
(2) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
(3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층(n+a-Si:H 및 a-Si:G)을 형성하는 단계;
(4) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
(5) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
상기 (1) 단계는 기판 상에 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (4) 단계는 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 본 발명의 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
또한, 상기 액정표시장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판에 관한 것이다.
상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 식각된 게이트 배선 및/또는 소스 및 드레인 전극을 포함할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<식각액 조성물 제조>
비교예 1 내지 5 및 실시예 1 내지 4
하기 표 1에 나타낸 조성에 따라 비교예 1 내지 5 및 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물 각각 10㎏을 제조하였으며, 식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하였다.
Figure 112015031609469-pat00023
(단위: 중량%)
5-ATZ: 5-aminotetrazole
AF: ammonium fluoride
IDA: Iminodiacetic acid
CA: citric acid
AS: Ammonium sulfate
TEG: triethyene glycol
실험예 . 식각액 조성물의 발열 안정성 평가
비교예 1 내지 5 및 실시예 1 내지 4의 식각액 조성물의 Cu 용해에 따른 발열 안정성을 평가를 실시하였다. 평가를 위해 각각의 용액에 일정량의 Cu(5000ppm)를 용해시킨 후 일정 온도(35℃)의 항온조에서 방치하면서 온도 모니터링을 실시하였다.
Figure 112015031609469-pat00024
상기 [표 2]와 [도 1]은 온도 모니터링 결과에서 최대온도 및 최대온도 발생 시간을 정리한 것으로, [표 2]와 [도 1]의 결과와 같이 본 발명의 실시예 1 내지 4의 경우에는 20시간 경과 시까지 최대 42℃를 넘지 않음을 확인할 수 있다. 반면 비교예 1의 경우에는 Cu 의 용해과정에서 발열이 발생하였으며, 비교예 2의 경우에는 1.26시간이 경과했을 때 94.4℃까지 온도가 상승함을 확인할 수 있었다. 또한 비교예 3 및 4의 경우 12시간 가량 경과한 시점에서 발열이 발생함을 확인할 수 있었다. 또한, 황산암모늄을 첨가한 비교예 5의 경우도 9시간 가량 경과한 시점에서 발열이 발생함을 확인할 수 있었다. 따라서 본 발명의 식각액 조성물을 사용하여 구리계 금속막을 식각하는 경우, 식각액의 발열 안정성이 획기적으로 개선되어 공정 진행 간 안정성을 향상시킬 수 있음을 상기의 결과로부터 확인할 수 있었다.

Claims (17)

  1. 식각액 조성물 총 중량에 대하여,
    하기 [화학식 1]로 표시되는 화합물 0.1 내지 10.0 중량%,
    과산화수소(H2O2) 3.0 내지 25.0 중량%,
    함불소 화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
    아졸화합물 0.01 내지 5.0 중량%,
    유기산 0.5 내지 5.0 중량%,
    인산 또는 인산염 화합물 0.3 내지 5.0 중량% 및
    식각액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 잔량의 물을 포함하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
    [화학식 1]
    HO-R-OH
    상기 화학식 1에서, R은 하나　이상의　C1 ~ C5의　알킬기로　치환　또는　비치환된　C3 ~ C5의　알킬렌이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 구리계 금속막은 구리 또는 구리 합금의 단일막; 및 구리막 및 구리 합금막 중에서 선택되는 하나 이상의 막과 몰리브덴막, 몰리브덴 합금막, 티타늄막 및 티타늄 합금막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 막을 포함하는 다층막인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물에 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물을 추가로 포함하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 하기 [화학식 2] 내지 [화학식 23]으로 표시되는 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112015031609469-pat00025

    [화학식 3]
    Figure 112015031609469-pat00026

    [화학식 4]
    Figure 112015031609469-pat00027

    [화학식 5]
    Figure 112015031609469-pat00028

    [화학식 6]
    Figure 112015031609469-pat00029

    [화학식 7]
    Figure 112015031609469-pat00030

    [화학식 8]
    Figure 112015031609469-pat00031

    [화학식 9]
    Figure 112015031609469-pat00032

    [화학식 10]
    Figure 112015031609469-pat00033

    [화학식 11]
    Figure 112015031609469-pat00034

    [화학식 12]
    Figure 112015031609469-pat00035

    [화학식 13]
    Figure 112015031609469-pat00036

    [화학식 14]
    Figure 112015031609469-pat00037

    [화학식 15]
    Figure 112015031609469-pat00038

    [화학식 16]
    Figure 112015031609469-pat00039

    [화학식 17]
    Figure 112015031609469-pat00040

    [화학식 18]
    Figure 112015031609469-pat00041

    [화학식 19]
    Figure 112015031609469-pat00042

    [화학식 20]
    Figure 112015031609469-pat00043

    [화학식 21]
    Figure 112015031609469-pat00044

    [화학식 22]
    Figure 112015031609469-pat00045

    [화학식 23]
    Figure 112015031609469-pat00046
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 [화학식 1]로 표시되는 화합물은 하기 [화학식 3] 내지 [화학식 15], [화학식 17] 내지 [화학식 20], [화학식 22] 및 [화학식 23]으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112015031609469-pat00047

    [화학식 4]
    Figure 112015031609469-pat00048

    [화학식 5]
    Figure 112015031609469-pat00049

    [화학식 6]
    Figure 112015031609469-pat00050

    [화학식 7]
    Figure 112015031609469-pat00051

    [화학식 8]
    Figure 112015031609469-pat00052

    [화학식 9]
    Figure 112015031609469-pat00053

    [화학식 10]
    Figure 112015031609469-pat00054

    [화학식 11]
    Figure 112015031609469-pat00055

    [화학식 12]
    Figure 112015031609469-pat00056

    [화학식 13]
    Figure 112015031609469-pat00057

    [화학식 14]
    Figure 112015031609469-pat00058

    [화학식 15]
    Figure 112015031609469-pat00059

    [화학식 17]
    Figure 112015031609469-pat00060

    [화학식 18]
    Figure 112015031609469-pat00061

    [화학식 19]
    Figure 112015031609469-pat00062

    [화학식 20]
    Figure 112015031609469-pat00063

    [화학식 22]
    Figure 112015031609469-pat00064

    [화학식 23]
    Figure 112015031609469-pat00065
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 함불소 화합물은 불화수소(HF), 불화나트륨(NaF), 불화암모늄(NH4F), 불화붕산염(NH4BF4), 중불화암모늄(NH4F.HF), 불화칼륨(KF), 불화수소칼륨(KHF2), 불화알루미늄(AlF3) 및 붕불화수소산(HBF4)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 아졸화합물은 피롤(pyrrole)계, 피라졸(pyrazol)계, 이미다졸(imidazole)계, 트리아졸(triazole)계, 테트라졸(tetrazole)계, 펜타졸(pentazole)계, 옥사졸(oxazole)계, 이소옥사졸(isoxazole)계, 디아졸(thiazole)계 및 이소디아졸(isothiazole)계로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 유기산은 아세트산, 부탄산, 시트르산, 포름산, 글루콘산, 말론산, 펜탄산, 젖산 및 옥살산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 인산 또는 인산염 화합물은 인산(phosphoric acid), 아인산(phosphorous acid), 포스핀산(phosphinic acid), 제1 또는 제2 인산암모늄(ammonium phosphate dibasic), 제1 또는 제2 인산나트륨(sodium phosphate dibasic) 및 제1 또는 제2 인산칼륨(potassium phosphate dibasic)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  10. 청구항 3에 있어서, 상기 한 분자 내에 질소(N)원자와 카르복실기를 갖는 수용성 화합물은 알라닌(alanine), 아미노부티르산(aminobutyric acid), 글루탐산(glutamic acid), 글리신(glycine), 이미노디아세트산(iminodiacetic acid), 니트릴로트리아세트산(nitrilotriacetic acid) 및 사르코신(sarcosine)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 구리계 금속막은 막 두께가 5,000Å 이상의 후막인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 pH가 1.5 내지 4인 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 식각액 조성물은 추가로 금속 이온 봉쇄제 및 부식 방지제로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 구리계 금속막 식각용 식각액 조성물.
  14. (1) 기판 상에 구리계 금속막을 형성하는 단계;
    (2) 상기 구리계 금속막 상에 선택적으로 광반응 물질을 남기는 단계; 및
    (3) 청구항 1 내지 13항 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 노출된 구리계 금속막을 식각하는 단계;를 포함하는 구리계 금속막의 식각 방법.
  15. (1) 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;
    (2) 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    (3) 상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계;
    (4) 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    (5) 상기 드레인 전극에 연결된 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
    상기 (1) 단계는 기판 상에 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 청구항 1 내지 13항 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 (4) 단계는 구리계 금속막을 형성하고, 상기 구리계 금속막을 청구항 1 내지 13항 중 어느 한 항의 식각액 조성물로 식각하여 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 액정 표시 장치용 어레이 기판은 박막트랜지스터(TFT) 어레이 기판인 것을 특징으로 하는, 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법.
  17. 청구항 15의 제조 방법으로 제조된 액정 표시 장치용 어레이 기판.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115836143B (zh) * 2020-06-08 2025-04-11 三菱瓦斯化学株式会社 用于铜或铜合金的表面处理的化学研磨液和表面处理方法
CN114164003A (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 Tcl华星光电技术有限公司 用于显示面板的蚀刻剂组合物及显示面板的蚀刻方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0135272B1 (en) 1983-07-26 1988-08-24 I.C.I. Francolor S.A. Metal complex compounds, their preparation and use
JP2004212818A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP2014196427A (ja) 2013-03-29 2014-10-16 富士フイルム株式会社 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101495683B1 (ko) 2008-09-26 2015-02-26 솔브레인 주식회사 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
KR101933529B1 (ko) * 2012-12-28 2019-03-15 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101924213B1 (ko) * 2013-03-28 2018-11-30 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0135272B1 (en) 1983-07-26 1988-08-24 I.C.I. Francolor S.A. Metal complex compounds, their preparation and use
JP2004212818A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP2014196427A (ja) 2013-03-29 2014-10-16 富士フイルム株式会社 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法

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