KR102237668B1

KR102237668B1 - Application method

Info

Publication number: KR102237668B1
Application number: KR1020187037839A
Authority: KR
Inventors: 쇼고 요시다; 히로유키 오구라; 류이치 요시다; 야스오 다카하시
Original assignee: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date: 2016-07-05
Filing date: 2017-06-08
Publication date: 2021-04-08
Anticipated expiration: 2037-06-08
Also published as: TWI652120B; TW201803651A; WO2018008325A1; KR20190013951A; JP6764713B2; JP2018001114A; CN109414721B; CN109414721A

Abstract

원형 기판(W) 상에 약액의 액 고임부(PD)를 형성하기 전에, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한다. 액 고임부(PD)의 약액은, 소용돌이 형상의 약액막(CF)과 잘 어우러진다. 그 때문에, 원형 기판(W)을 회전시켜 액 고임부(PD)의 약액을 확산시켜 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 덮을 때, 액 고임부(PD)의 약액이 양호하게 퍼진다. 또한, 액 고임부(PD)의 약액이 퍼질 때, 소용돌이 형상의 약액막(CF)의 표면의 울퉁불퉁함이 평평하게 된다. 이들에 의해, 막 끊김 등을 방지하고, 원형 기판(W) 상에 고점도의 약액막(CF)을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있다.Before forming the chemical liquid reservoir PD on the circular substrate W, a vortex-shaped chemical liquid film CF is formed. The chemical liquid in the liquid reservoir PD is well harmonized with the swirl-shaped chemical liquid film CF. Therefore, when the circular substrate W is rotated to diffuse the chemical liquid in the liquid reservoir PD to cover the swirl-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid in the liquid reservoir PD spreads well. Further, when the chemical liquid in the liquid reservoir PD spreads, the unevenness of the surface of the vortex-shaped chemical liquid film CF becomes flat. Thereby, film breakage and the like can be prevented, and the film thickness can be made uniform when forming the high-viscosity chemical liquid film CF on the circular substrate W.

Description

Application method

본 발명은, 반도체 기판, 액정 표시기용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판 등의 기판에 대해서, 고점도의 약액을 도포하는 도포 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a coating method of applying a high-viscosity chemical to substrates such as a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk.

도포 장치는, 원형 기판을 유지하고 회전시키는 유지 회전부와, 유지 회전부에서 유지된 기판의 상방으로부터 원형 기판에 대해서 약액을 토출하는 노즐을 구비하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2 참조). 도포 장치는, 스핀 도포로 불리는 방법으로 약액막을 형성한다. 우선, 원형 기판을 저속으로 회전시킨다. 다음으로, 노즐로부터 약액을 토출시킨다. 그리고, 약액의 토출을 정지한 후, 원형 기판 상의 약액이 원하는 막 두께가 되도록, 원형 기판을 고속으로 회전시킨다. 특허 문헌 1, 2에서는, 노즐로부터 약액을 토출시킬 때, 원형 기판의 회전 중심을 가로지르도록 노즐을 이동시키고 있다.The coating apparatus includes a holding and rotating portion for holding and rotating the circular substrate, and a nozzle for discharging a chemical liquid to the circular substrate from above the substrate held by the holding and rotating portion (see, for example, Patent Documents 1 and 2). The coating apparatus forms a chemical liquid film by a method called spin coating. First, the circular substrate is rotated at a low speed. Next, the chemical liquid is discharged from the nozzle. Then, after stopping the discharge of the chemical, the circular substrate is rotated at high speed so that the chemical liquid on the circular substrate has a desired film thickness. In Patent Documents 1 and 2, when discharging the chemical solution from the nozzle, the nozzle is moved so as to cross the rotation center of the circular substrate.

일본 특허공개 소60－217627호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 60-217627 일본 특허 3970695호 공보Japanese Patent No. 3970695

그러나, 이러한 종래예는, 다음과 같은 문제가 있다. 즉, 고점도의 약액을 이용하여 스핀 도포를 실시해도, 약액이 균등하게 퍼지지 않거나, 원형 기판의 중심부에서 약액막이 솟아올라 버리거나, 약액이 잘 퍼지지 않는 문제가 있다. 예를 들면, 원형 기판의 표면(주면)에는, 집적회로 등의 패턴이 형성되어 있고, 그것에 의해, 원형 기판의 표면은, 요철을 가지고 있다.However, this conventional example has the following problems. That is, even if spin coating is performed using a chemical liquid having a high viscosity, there is a problem that the chemical liquid does not spread evenly, the chemical film rises from the center of the circular substrate, or the chemical liquid does not spread easily. For example, a pattern such as an integrated circuit is formed on the surface (main surface) of the circular substrate, and thereby the surface of the circular substrate has irregularities.

그 원형 기판의 요철의 표면 상에, 예를 들면, 300cP(centipoise) 이상의 고점도의 약액을 토출하고, 예를 들면, 1000rpm 이상의 고속 회전으로 스핀 도포하였다고 하자. 이 경우, 요철에 의해서, 도 16 (a)의 부호(M)로 나타내는, 약액막(CF)이 얹히지 않는 막 끊김(도포되지 않은 곳이 남음)이 생기고, 혹은, 도 16 (b)의 부호(N)로 나타내는 바와 같이, 요철이 반영된다. 이것에 의해, 국소적으로 막 두께 균일성이 악화된다.It is assumed that a high-viscosity chemical liquid of, for example, 300 cP (centipoise) or higher was discharged onto the uneven surface of the circular substrate, and spin coating was performed at high speed rotation of, for example, 1000 rpm or more. In this case, due to the irregularities, a film breakage (the uncoated area remains) in which the chemical liquid film CF is not placed, indicated by the symbol M in Fig. 16 (a), occurs, or in Fig. 16 (b). As indicated by the sign (N), irregularities are reflected. As a result, the uniformity of the film thickness locally deteriorates.

본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 원형 기판 상에 고점도의 약액막을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있는 도포 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a coating method capable of making the film thickness uniform when forming a chemical liquid film having a high viscosity on a circular substrate.

본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명과 관련되는 도포 방법은, 300cP 이상의 고점도 약액을 원형 기판 상에 공급하여 상기 원형 기판 상에 약액막을 형성하는 도포 방법으로서, 상기 원형 기판을 제1 회전 속도로 회전시키고, 또한, 상기 원형 기판의 상방에 위치하는 약액 노즐을 상기 원형 기판의 반경 방향으로 이동시키면서, 상기 약액 노즐로부터 상기 원형 기판 상에 약액을 토출함으로써, 상기 원형 기판 상의 거의 전면에 소용돌이 형상의 약액막을 형성하는 공정과, 상기 소용돌이 형상의 약액막을 형성한 후에, 상기 약액 노즐로부터 상기 원형 기판의 중심부에 약액을 토출함으로써, 상기 원형 기판의 중심부에 약액의 액 고임부를 형성하는 공정과, 상기 약액의 액 고임부를 형성한 후에, 상기 제1 회전 속도보다 빠른 제2 회전 속도로 상기 원형 기판을 회전시킴으로써, 상기 액 고임부의 약액을 확산시켜 상기 소용돌이 형상의 약액막을 덮게해 상기 소용돌이 형상의 약액막의 표면을 평평하게 하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.In order to achieve this object, the present invention takes the following configuration. That is, the coating method according to the present invention is a coating method for forming a chemical film on the circular substrate by supplying a high viscosity chemical liquid of 300 cP or more on a circular substrate, wherein the circular substrate is rotated at a first rotational speed, and the A step of forming a vortex-shaped chemical film almost entirely on the circular substrate by discharging the chemical liquid onto the circular substrate from the chemical liquid nozzle while moving the chemical liquid nozzle positioned above the circular substrate in the radial direction of the circular substrate; and After forming the vortex-shaped chemical film, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle to the center of the circular substrate, thereby forming a liquid reservoir of the chemical liquid in the center of the circular substrate, and the liquid reservoir of the chemical liquid. After formation, by rotating the circular substrate at a second rotational speed faster than the first rotational speed, the chemical solution of the liquid reservoir is diffused to cover the vortex-shaped chemical film to flatten the surface of the vortex-shaped chemical film. It is characterized in that it comprises a step of.

본 발명과 관련되는 도포 방법에 의하면, 원형 기판 상에 약액의 액 고임부를 형성하기 전에, 소용돌이 형상의 약액막을 형성한다. 액 고임부의 약액은, 소용돌이 형상의 약액막과 잘 어우러진다. 그 때문에, 원형 기판을 회전시켜 액 고임부의 약액을 확산시켜 소용돌이 형상의 약액막을 덮을 때, 액 고임부의 약액이 양호하게 퍼진다. 또한, 액 고임부의 약액이 퍼질 때, 소용돌이 형상의 약액막의 표면의 울퉁불퉁함이 평평하게 된다. 이들에 의해, 막 끊김 등을 방지하고, 원형 기판 상에 고점도의 약액막을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있다.According to the coating method according to the present invention, before forming the liquid reservoir of the chemical liquid on the circular substrate, a vortex-shaped chemical liquid film is formed. The chemical liquid of the liquid reservoir is well harmonized with the vortex-shaped chemical liquid film. Therefore, when the circular substrate is rotated to diffuse the chemical liquid in the liquid reservoir to cover the swirl-shaped chemical film, the chemical liquid in the liquid reservoir spreads favorably. Further, when the chemical liquid in the liquid reservoir is spread, the unevenness of the surface of the vortex-shaped chemical liquid film becomes flat. Thereby, film breakage and the like can be prevented, and the film thickness can be made uniform when forming a high-viscosity chemical liquid film on a circular substrate.

또한, 원형 기판의 중심부에 액 고임부를 형성한 후에, 소용돌이 형상의 약액막을 형성하면, 액 고임부의 약액이 건조한다. 이 경우, 제2 회전 속도(고속)로 원형 기판을 회전시켰을 때, 액 고임부가 양호하게 퍼지지 않고, 원형 기판의 주연부보다 중심부에서 약액막이 솟아올라 버린다. 그러나, 소용돌이 형상의 약액막을 형성한 후에 액 고임부를 형성하므로, 액 고임부의 약액을 건조시키지 않고, 액 고임부를 양호하게 확산시킬 수 있다. 또한, 약액을 양호하게 확산시킬 수 있으므로, 확산시키기 위해서 불필요하게 약액을 토출하는 것이 없다. 그 때문에, 약액을 절약할 수 있다.Further, after forming the liquid reservoir in the central portion of the circular substrate, when a vortex-shaped chemical film is formed, the chemical liquid of the liquid reservoir is dried. In this case, when the circular substrate is rotated at the second rotational speed (high speed), the liquid reservoir does not spread well, and the chemical film rises from the central portion of the circular substrate rather than the periphery of the circular substrate. However, since the liquid reservoir is formed after the vortex-shaped chemical film is formed, the liquid reservoir can be satisfactorily diffused without drying the chemical liquid of the liquid reservoir. In addition, since the chemical liquid can be diffused satisfactorily, there is no needless discharging of the chemical liquid to diffuse it. Therefore, it is possible to save the chemical liquid.

또한, 상술의 도포 방법에 있어서, 상기 소용돌이 형상의 약액막을 형성할 때, 상기 약액 노즐은, 상기 원형 기판의 주연부로부터 상기 원형 기판의 중심부를 향하여 상기 원형 기판의 반경 방향으로 이동시키는 것이 바람직하다. 소용돌이 형상의 약액막을 형성한 후, 약액 노즐은, 원형 기판의 중심부의 상방에 위치한다. 그 때문에, 약액 노즐은, 그대로, 액 고임부를 형성하는 동작을 할 수 있다. 즉, 약액의 액 고임부를 효율적으로 형성할 수 있다.Further, in the above-described coating method, when forming the vortex-shaped chemical liquid film, it is preferable that the chemical liquid nozzle moves in the radial direction of the circular substrate from the peripheral portion of the circular substrate toward the central portion of the circular substrate. After forming the vortex-shaped chemical liquid film, the chemical liquid nozzle is positioned above the central portion of the circular substrate. Therefore, the chemical liquid nozzle can operate as it is to form a liquid reservoir. That is, it is possible to efficiently form the liquid reservoir of the chemical solution.

또한, 상술의 도포 방법은, 상기 소용돌이 형상의 약액막을 형성하는 공정을 실시하기 전에, 상기 원형 기판을 상기 제1 회전 속도로 회전시키고, 또한, 상기 약액 노즐의 이동을 정지시킨 상태에서, 상기 원형 기판의 주연부의 상방에 위치하는 상기 약액 노즐로부터 상기 원형 기판 상에 약액을 토출함으로써, 상기 원형 기판의 주연부를 따라서 링 형상의 약액막을 형성하는 공정을 추가로 구비하고 있는 것이 바람직하다.In addition, in the above-described application method, before performing the step of forming the vortex-shaped chemical liquid film, the circular substrate is rotated at the first rotational speed, and the movement of the chemical liquid nozzle is stopped. It is preferable to further include a step of forming a ring-shaped chemical liquid film along the periphery of the circular substrate by discharging the chemical liquid onto the circular substrate from the chemical liquid nozzle positioned above the peripheral edge of the substrate.

원형 기판의 주연부 부근에 있어서 소용돌이 형상으로 약액막을 형성하는 경우, 약액막이 형성되지 않는 영역이 생긴다. 그러나, 원형 기판의 주연부를 따라서 링 형상으로 약액막을 형성하므로, 약액막이 형성되지 않는 영역을 해소할 수 있다. 그 때문에, 원형 기판의 주연부 부근에 있어서, 막 끊김 등을 방지하고, 원형 기판 상에 고점도의 약액막을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있다. 또한, 원형 기판의 주연부의 내외의 경계를 가로지르면, 예를 들면, 약액 노즐로부터 토출된 약액의 액주(液柱)가 불안정하게 되어, 이 후, 소용돌이 형상의 약액막을 양호하게 형성할 수 없을 우려가 있다. 그러나, 이것을 방지할 수 있다.When the chemical liquid film is formed in a vortex shape near the periphery of the circular substrate, a region in which the chemical liquid film is not formed is generated. However, since the chemical film is formed in a ring shape along the periphery of the circular substrate, a region in which the chemical film is not formed can be eliminated. Therefore, film breakage or the like can be prevented in the vicinity of the periphery of the circular substrate, and the film thickness can be made uniform when forming a high-viscosity chemical liquid film on the circular substrate. In addition, when crossing the inner and outer boundary of the periphery of the circular substrate, for example, the liquid column of the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle becomes unstable, and thereafter, there is a concern that a swirl-shaped chemical liquid film cannot be formed satisfactorily. There is. However, this can be prevented.

또한, 상술의 도포 방법은, 상기 약액 노즐로부터 약액을 토출하기 전에, 상기 원형 기판을 회전시키고, 또한 용제 노즐로부터 상기 원형 기판 상에 용제를 토출함으로써, 상기 원형 기판 상에 용제막을 형성하는 처리인 프리웨트 처리를 실행하는 공정을 추가로 구비하고 있는 것이 바람직하다. 프리웨트 처리 없이 소용돌이 형상의 약액막을 형성하고자 할 때, 토출된 약액이 약액 노즐의 토출구 부근에서 덩어리가 되고, 원형 기판에 대해서 약액을 부착시키기 어려운 경우가 있다. 그러나, 프리웨트 처리에 의해, 원형 기판에 대해서 약액을 부착시키기 쉽게 할 수 있다. 또한, 기판 상의 용제막이 존재하는 부분에서 약액이 흐르기 쉬워진다.In addition, the above-described coating method is a process of forming a solvent film on the circular substrate by rotating the circular substrate before discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle and discharging the solvent onto the circular substrate from the solvent nozzle. It is preferable to further include a step of performing the prewet treatment. When forming a vortex-shaped chemical film without prewet treatment, the discharged chemical liquid becomes a lump near the discharge port of the chemical liquid nozzle, and it is sometimes difficult to adhere the chemical liquid to the circular substrate. However, by pre-wet treatment, it is possible to make it easier to adhere the chemical liquid to the circular substrate. Further, the chemical liquid tends to flow in the portion where the solvent film is present on the substrate.

또한, 상술의 도포 방법에 있어서, 상기 프리웨트 처리의 일례는, 상기 원형 기판에 형성된 오목부에 용제가 들어간 상태로 하는 것이다. 오목부에 용제가 들어가 있으므로, 약액과의 치환이 용이하다. 그 때문에, 오목부로의 약액의 매입(埋入) 부족을 방지할 수 있다.In addition, in the above-described coating method, an example of the pre-wet treatment is in a state in which a solvent enters a recess formed in the circular substrate. Since the solvent enters the recess, it is easy to replace it with the chemical solution. Therefore, it is possible to prevent insufficient embedding of the chemical solution into the recess.

또한, 상술의 도포 방법에 있어서, 상기 소용돌이 형상의 약액막 중의 각 주(周)의 약액막은, 반경 방향에 있어서, 이웃한 주의 상기 약액막과 간극이 생기지 않은 것이 바람직하다. 각 주의 약액막이 이웃한 주의 약액막과 간극이 생겨 있으면, 제2 회전 속도(고속)로 원형 기판을 회전시켜 액 고임부의 약액을 확산시켜도, 그 간극 혹은 오목부를 피해서 흐르는 경우가 있다. 그 때문에, 그 간극이 생겨 있지 않음으로써, 액 고임부의 약액을 양호하게 확산시킬 수 있다.Further, in the above-described coating method, it is preferable that the chemical liquid film of each circumference in the swirl-shaped chemical liquid film does not have a gap with the chemical liquid film in the adjacent state in the radial direction. If the chemical film of each state has a gap with the chemical film of the neighboring state, even if the circular substrate is rotated at a second rotational speed (high speed) to diffuse the chemical liquid in the liquid reservoir, it may flow avoiding the gap or recess. Therefore, since the gap does not occur, the chemical liquid in the liquid reservoir can be diffused satisfactorily.

또한, 상술의 도포 방법에 있어서, 상기 소용돌이 형상의 약액막을 형성할 때, 상기 원형 기판의 주연부측의 위치보다 상기 원형 기판의 중심부측에 상기 약액 노즐이 위치할 때, 상기 약액 노즐의 선단면과 상기 원형 기판의 표면 사이의 클리어런스를 상기 주연부측의 위치에 있어서의 상기 클리어런스보다 크게 하는 것이 바람직하다. 원형 기판의 중심부측의 위치보다 주연부측의 위치에서 약액 노즐에 대한 원형 기판의 상대적인 회전 속도가 빨라진다. 그 때문에, 원형 기판에 약액이 착액할 때, 약액에 가해지는 회전 방향으로의 힘의 작용이 크고, 약액이 찢겨져 분단되는 액 끊김을 발생시키기 쉽다. 약액 노즐이 주연부측에 위치할 때, 클리어런스를 작게 함으로써, 액 끊김을 방지할 수 있다. 또한, 약액 노즐이 중심부에 위치할 때, 약액의 액 고임부를 형성한다. 클리어런스를 크게 함으로써, 약액 노즐에 약액이 부착하는 것을 억제할 수 있다.In addition, in the above-described coating method, when forming the vortex-shaped chemical liquid film, when the chemical liquid nozzle is positioned on the central side of the circular substrate rather than on the peripheral portion of the circular substrate, the front end surface of the chemical liquid nozzle and the It is preferable that the clearance between the surfaces of the circular substrate is made larger than the clearance at a position on the peripheral portion side. The rotational speed of the circular substrate with respect to the chemical liquid nozzle is increased at a position on the periphery side than at the center side of the circular substrate. Therefore, when the chemical liquid is deposited on the circular substrate, the action of the force in the rotational direction applied to the chemical liquid is large, and the liquid breakage is likely to occur due to tearing of the chemical liquid. When the chemical liquid nozzle is located on the peripheral side, the liquid break can be prevented by reducing the clearance. In addition, when the chemical liquid nozzle is located in the center, a liquid reservoir of the chemical liquid is formed. By increasing the clearance, it is possible to suppress adhesion of the chemical liquid to the chemical liquid nozzle.

또한, 상술의 도포 방법에 있어서, 상기 소용돌이 형상의 약액막을 형성할 때, 상기 원형 기판의 주연부측의 위치보다 상기 원형 기판의 중심부측에 상기 약액 노즐이 위치할 때, 상기 원형 기판의 회전 속도를 상기 주연부측에 위치할 때의 상기 회전 속도보다 빠르게 하는 것이 바람직하다. 원형 기판의 중심부측의 위치보다 주연부측의 위치에서 약액 노즐에 대한 원형 기판의 상대적인 회전 속도가 빨라진다. 그 때문에, 원형 기판에 약액이 착액할 때, 약액에 가해지는 회전 방향으로의 힘의 작용이 크고, 약액이 찢겨져 분단되는 액 끊김을 발생시키기 쉽다. 약액 노즐이 주연부측에 위치할 때에는, 원형 기판의 회전 속도를 느리게 한다. 이것에 의해, 약액 노즐로부터 토출된 약액이 분단되는 액 끊김을 방지할 수 있다. 또한, 약액 노즐이 중심부측에 위치할 때에는, 원형 기판의 회전 속도를 빠르게 한다. 이것에 의해, 약액을 너무 많이 토출하는 것을 방지한다.Further, in the above-described coating method, when forming the vortex-shaped chemical liquid film, when the chemical liquid nozzle is positioned at the center side of the circular substrate rather than at the peripheral edge side of the circular substrate, the rotational speed of the circular substrate is increased. It is preferable to make it faster than the rotational speed when it is located on the peripheral portion side. The rotational speed of the circular substrate with respect to the chemical liquid nozzle is increased at a position on the periphery side than at the center side of the circular substrate. Therefore, when the chemical liquid is deposited on the circular substrate, the action of the force in the rotational direction applied to the chemical liquid is large, and the liquid breakage is likely to occur due to tearing of the chemical liquid. When the chemical liquid nozzle is located on the peripheral edge side, the rotational speed of the circular substrate is slowed. Thereby, it is possible to prevent liquid interruption in which the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle is divided. In addition, when the chemical liquid nozzle is located on the center side, the rotational speed of the circular substrate is increased. This prevents discharging too much of the chemical liquid.

도 1은, 실시예와 관련되는 도포 장치의 개략 구성도이다.
도 2는, (a)는, 약액 노즐의 종단면도이며, (b)는, (a)의 A에서 본, 약액 노즐의 토출구의 형상을 나타내는 도면이다.
도 3은, 용제 노즐 이동 기구 및 약액 노즐 이동 기구의 평면도이다.
도 4는, 도포 장치의 동작을 나타내는 플로우 차트이다.
도 5는, (a)~(c)는, 실시예와 관련되는 프리웨트 처리를 설명하기 위한 측면도이다.
도 6은, 약액막의 형성을 설명하기 위한 측면도이다.
도 7은, (a), (b)는, 링 형상의 약액막의 형성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은, 소용돌이 형상의 약액막의 형성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는, 원형 기판에 있어서의 도포 범위의 존을 나타내는 평면도이다.
도 10은, 각 존의 도포 조건을 나타내는 도면이다.
도 11은, 약액 노즐의 선단면과 원형 기판의 표면 사이의 클리어런스를 설명하기 위한 측면도이다.
도 12는, (a), (b)는, 링 형상 및 소용돌이 형상의 약액막의 형성을 설명하기 위한 측면도이다.
도 13은, 약액의 액 고임부의 형성을 설명하기 위한 측면도이다.
도 14는, (a)는, 고속 회전에 의해 액 고임부의 약액을 확산시키는 모습을 나타내는 도면이며, (b)는, 고속 회전 후의 약액막을 나타내는 도면이다.
도 15는, 오목부로의 약액의 매입 부족을 나타내는 도면이다.
도 16은, (a)는, 막 끊김을 나타내는 도면이며, (b)는, 요철이 반영된 모습을 나타내는 도면이다.1 is a schematic configuration diagram of an application device according to an embodiment.
FIG. 2: (a) is a longitudinal sectional view of a chemical liquid nozzle, (b) is a figure which shows the shape of the discharge port of a chemical liquid nozzle as seen from A in (a).
3 is a plan view of a solvent nozzle moving mechanism and a chemical liquid nozzle moving mechanism.
4 is a flow chart showing the operation of the coating device.
Fig. 5 is a side view for explaining the pre-wet processing according to the embodiment (a) to (c).
6 is a side view for explaining the formation of a chemical liquid film.
7 is a plan view for explaining the formation of a ring-shaped chemical liquid film (a) and (b).
8 is a plan view for explaining the formation of a vortex-shaped chemical liquid film.
9 is a plan view showing a zone of a coating range on a circular substrate.
10 is a diagram showing the application conditions of each zone.
11 is a side view for explaining the clearance between the front end surface of the chemical liquid nozzle and the surface of the circular substrate.
Fig. 12 is a side view for explaining the formation of a ring-shaped and vortex-shaped chemical liquid film (a) and (b).
13 is a side view for explaining the formation of a liquid reservoir of a chemical liquid.
Fig. 14 is a diagram showing a state in which (a) a chemical liquid in a liquid reservoir is diffused by high-speed rotation, and (b) is a diagram showing a chemical liquid film after high-speed rotation.
15 is a diagram showing insufficient embedding of a chemical solution into a recess.
Fig. 16 is a diagram showing (a) a film break, and (b) showing a state in which irregularities are reflected.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 도 1은, 실시예와 관련되는 도포 장치의 개략 구성도이다. 도 2 (a)는, 약액 노즐의 종단면도이다. 도 2 (b)는, 도 2 (a)의 A에서 본, 약액 노즐의 토출구의 형상을 나타내는 도면이다. 도 3은, 용제 노즐 이동 기구 및 약액 노즐 이동 기구의 평면도이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic configuration diagram of an application device according to an embodiment. Fig. 2(a) is a longitudinal sectional view of a chemical liquid nozzle. Fig. 2(b) is a view showing the shape of a discharge port of a chemical liquid nozzle as seen from A in Fig. 2(a). 3 is a plan view of a solvent nozzle moving mechanism and a chemical liquid nozzle moving mechanism.

＜도포 장치(1)의 구성＞<Configuration of application device 1>

도 1을 참조한다. 도포 장치(1)는, 유지 회전부(2), 용제 노즐(3) 및 약액 노즐(4)을 구비하고 있다.See FIG. 1. The coating apparatus 1 is equipped with the holding|maintenance rotation part 2, the solvent nozzle 3, and the chemical liquid nozzle 4.

유지 회전부(2)는, 원형 기판(이하, 「기판」이라고 부른다)(W)을 대략 수평 자세로 유지하여 회전시킨다. 유지 회전부(2)는, 스핀 척(7)과 회전 구동부(8)를 구비하고 있다. 스핀 척(7)은, 회전축(AX1) 주위에 회전 가능하게 설치되고, 기판(W)을 유지한다. 스핀 척(7)은, 예를 들면, 기판(W)의 이면을 진공 흡착함으로써 기판(W)을 유지하도록 구성된다. 회전 구동부(8)는, 스핀 척(7)을 회전축(AX1) 주위에 회전시키는 구동을 행한다. 회전 구동부(8)는, 예를 들면, 전동 모터로 구성되어 있다. 또한, 회전축(AX1)은, 기판(W)의 중심부(CT)와 대략 일치한다.The holding and rotating unit 2 rotates the circular substrate (hereinafter referred to as “substrate”) W while maintaining it in a substantially horizontal posture. The holding rotation unit 2 includes a spin chuck 7 and a rotation drive unit 8. The spin chuck 7 is rotatably provided around the rotation shaft AX1 and holds the substrate W. The spin chuck 7 is configured to hold the substrate W by vacuum-sucking the back surface of the substrate W, for example. The rotation drive unit 8 drives to rotate the spin chuck 7 around the rotation shaft AX1. The rotation drive unit 8 is constituted by, for example, an electric motor. Further, the rotation shaft AX1 substantially coincides with the central portion CT of the substrate W.

용제 노즐(3)은, 유지 회전부(2)로 유지된 기판(W) 상에 용제를 토출하는 것이다. 용제로서, 예를 들면, 시너나 PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)가 이용된다. 기판(W) 상에 용제를 토출하여 프리웨트 처리함으로써, 약액 노즐(4)로부터 토출되는 약액을 기판(W) 상에 부착하기 쉽게 한다. 또한, 기판(W) 상에서 약액을 확산시키기 쉽게 한다. 그러나, 용제만으로는, 약액을 양호하게 확산시킬 수 없다.The solvent nozzle 3 discharges a solvent onto the substrate W held by the holding rotation unit 2. As the solvent, for example, thinner or PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) is used. By discharging the solvent onto the substrate W and performing a pre-wet treatment, the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 4 is easily adhered onto the substrate W. In addition, it makes it easy to diffuse the chemical liquid on the substrate W. However, only with a solvent cannot diffuse a chemical liquid satisfactorily.

약액 노즐(4)은, 유지 회전부(2)로 유지된 기판(W) 상에 약액을 토출하는 것이다. 고점도의 약액으로서, 폴리이미드 등의 수지가 이용된다. 수지는, 패턴이 형성된 기판(W)의 보호막, 또는 기판(W) 간의 층간 절연막으로서 사용된다. 약액의 점도는, 300cP 이상 10000cP 이하이다. 약액 노즐(4)의 토출구(4a)는, 도 2 (a), 도 2 (b)와 같이, 장방형이다. 약액 노즐(4)의 토출구(4a)가 장방형이면, 토출구(4a)가 원형이나 정방형과 비교해서, 1회전으로 도포하는 면적을 증가시킬 수 있다. 또한, 이것에 의해, 토출 시간의 단축 및 저회전으로 액주를 안정시킨 채로 도포 동작이 가능해진다.The chemical liquid nozzle 4 discharges a chemical liquid onto the substrate W held by the holding rotation unit 2. As a high-viscosity chemical liquid, a resin such as polyimide is used. The resin is used as a protective film of the patterned substrate W or an interlayer insulating film between the substrates W. The viscosity of the chemical liquid is 300 cP or more and 10000 cP or less. The discharge port 4a of the chemical liquid nozzle 4 is rectangular as shown in Figs. 2A and 2B. If the discharge port 4a of the chemical liquid nozzle 4 is rectangular, the area to be applied in one rotation can be increased compared to the circular or square discharge port 4a. In addition, this makes it possible to perform the application operation while stabilizing the liquid column by shortening the discharge time and low rotation.

또한, 도 2 (a)에 있어서, 부호(4b)는, 약액 노즐(4)의 내부 유로이며, 후술하는 약액 배관(19)과 연통 접속한다. 부호(4c)는, 약액 노즐(4)의 선단면이다. 또한, 1회전으로 도포하는 면적을 증가시키기 위해서, 장방형의 토출구(4a)의 길이 방향의 길이를 너무 길게 하면(예를 들면, 반경 정도의 길이), 후술하는 액 고임부(PD)가 중심부(CT)에 양호하게 형성할 수 없게 되는 경우가 있다.In addition, in FIG. 2(a), a symbol 4b is an internal flow path of the chemical liquid nozzle 4, and is connected in communication with the chemical liquid piping 19 mentioned later. Reference numeral 4c denotes a front end surface of the chemical liquid nozzle 4. In addition, in order to increase the area to be applied by one rotation, if the length in the longitudinal direction of the rectangular discharge port 4a is too long (for example, a length of about a radius), the liquid reservoir PD to be described later becomes the center ( CT) may not be able to form satisfactorily.

또한, 도포 장치(1)는, 도 1과 같이, 컵(9)과 대기 포트(10)를 구비하고 있다. 컵(9)은, 기판(W) 및 유지 회전부(2)의 측방을 둘러싸는 것이다. 컵(9)은, 도시하지 않는 구동부에 의해, 상하 방향으로 이동하도록 구성되어 있다. 한편, 대기 포트(10)는, 사용하지 않은 약액 노즐(4)을 대기시키는 것이다. 대기 포트(10)는, 약액 노즐(4)의 선단부를 용제에 담궈 세정하기 위해서 용제 저류조를 구비하고 있어도 되고, 약액 노즐(4)의 선단부를 용제 분위기로 감싸도 된다. 또한, 용제 노즐(3)을 대기시키는 대기 포트가 설치되어도 된다.Further, the coating device 1 is provided with a cup 9 and a standby port 10 as shown in FIG. 1. The cup 9 surrounds the side of the substrate W and the holding and rotating portion 2. The cup 9 is configured to move in the up-down direction by a drive unit (not shown). On the other hand, the standby port 10 makes the chemical liquid nozzle 4 which has not been used wait. The standby port 10 may be provided with a solvent storage tank for cleaning by immersing the tip end of the chemical liquid nozzle 4 in a solvent, or may surround the tip end of the chemical liquid nozzle 4 with a solvent atmosphere. In addition, a standby port for waiting for the solvent nozzle 3 may be provided.

또한, 도포 장치(1)는, 용제 공급원(13), 용제 배관(15), 펌프(P1) 및 개폐 밸브(V1)를 구비하고 있다. 용제 공급원(13)은, 예를 들면, 병으로 구성되어 있다. 용제 공급원(13)으로부터의 용제는, 용제 배관(15)을 통해서 용제 노즐(3)에 공급된다. 용제 배관(15)에는, 펌프(P1) 및 개폐 밸브(V1) 등이 설치되어 있다. 펌프(P1)는, 용제 노즐(3)에 용제를 보내고, 개폐 밸브(V1)는, 용제의 공급 및 그 정지를 행한다.Moreover, the coating apparatus 1 is equipped with the solvent supply source 13, the solvent piping 15, the pump P1, and the on-off valve V1. The solvent supply source 13 is constituted by, for example, a bottle. The solvent from the solvent supply source 13 is supplied to the solvent nozzle 3 through the solvent pipe 15. The solvent piping 15 is provided with a pump P1, an on-off valve V1, and the like. The pump P1 sends the solvent to the solvent nozzle 3, and the on-off valve V1 supplies the solvent and stops the solvent.

또한, 도포 장치(1)는, 약액 공급원(17), 약액 배관(19), 펌프(P2) 및 개폐 밸브(V2)를 구비하고 있다. 약액 공급원(17)은, 예를 들면, 병으로 구성되어 있다. 약액 공급원(17)으로부터의 약액은, 약액 배관(19)을 통해서 약액 노즐(4)에 공급된다. 약액 배관(19)에는, 펌프(P2) 및 개폐 밸브(V2) 등이 설치되어 있다. 펌프(P2)는, 약액 노즐(4)에 약액을 보내고, 개폐 밸브(V2)는, 약액의 공급 및 그 정지를 행한다.Moreover, the coating device 1 is provided with the chemical liquid supply source 17, the chemical liquid piping 19, the pump P2, and the on-off valve V2. The chemical liquid supply source 17 is constituted by, for example, a bottle. The chemical liquid from the chemical liquid supply source 17 is supplied to the chemical liquid nozzle 4 through the chemical liquid pipe 19. The chemical liquid piping 19 is provided with a pump P2, an on-off valve V2, and the like. The pump P2 sends the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 4, and the on-off valve V2 supplies and stops the chemical liquid.

또한, 도포 장치(1)는, 용제 노즐 이동 기구(21)와 약액 노즐 이동 기구(23)를 구비하고 있다(도 3 참조).Moreover, the coating apparatus 1 is provided with the solvent nozzle moving mechanism 21 and the chemical liquid nozzle moving mechanism 23 (refer FIG. 3).

용제 노즐 이동 기구(21)는, 회전축(AX2) 주위에 용제 노즐(3)을 회전(이동)시킨다. 용제 노즐 이동 기구(21)는, 아암(25), 샤프트(27) 및 회전 구동부(29)를 구비하고 있다. 아암(25)은, 용제 노즐(3)을 지지하고, 샤프트(27)는, 아암(25)을 지지한다. 즉, 봉형의 아암(25)의 일단에는, 용제 노즐(3)이 접속되고, 아암(25)의 타단에는, 샤프트(27)가 접속되어 있다. 회전 구동부(29)는, 샤프트(27)를 회전축(AX2) 주위에 회전시킴으로써, 회전축(AX2) 주위에 용제 노즐(3) 및 아암(25)을 회전시킨다. 회전 구동부(29)는, 전동 모터 등으로 구성되어 있다.The solvent nozzle moving mechanism 21 rotates (moves) the solvent nozzle 3 around the rotation shaft AX2. The solvent nozzle moving mechanism 21 includes an arm 25, a shaft 27, and a rotation drive unit 29. The arm 25 supports the solvent nozzle 3, and the shaft 27 supports the arm 25. That is, the solvent nozzle 3 is connected to one end of the rod-shaped arm 25, and the shaft 27 is connected to the other end of the arm 25. The rotation drive unit 29 rotates the solvent nozzle 3 and the arm 25 around the rotation shaft AX2 by rotating the shaft 27 around the rotation shaft AX2. The rotation drive unit 29 is constituted by an electric motor or the like.

한편, 약액 노즐 이동 기구(23)는, 상하 방향(Z방향) 및, 기판(W)의 표면을 따른 소정의 제1 방향(X방향)으로, 약액 노즐(4)을 이동시킨다. 약액 노즐 이동 기구(23)는, 아암(31), 상하 이동부(33) 및 평면 이동부(35)를 구비하고 있다. 아암(31)은, 약액 노즐(4)을 지지한다. 상하 이동부(33)는, 약액 노즐(4) 및 아암(31)을 상하 방향으로 이동시킨다. 평면 이동부(35)는, 약액 노즐(4), 아암(31) 및 상하 이동부(33)를 제1 방향(X방향)으로 이동시킨다. 또한, 약액 노즐(4)은, 그 토출구(4a)의 길이 방향이 제1 방향(X방향)과 일치하도록 배치되어 있다.On the other hand, the chemical liquid nozzle movement mechanism 23 moves the chemical liquid nozzle 4 in the vertical direction (Z direction) and a predetermined 1st direction (X direction) along the surface of the board|substrate W. The chemical liquid nozzle moving mechanism 23 is provided with the arm 31, the vertical moving part 33, and the plane moving part 35. The arm 31 supports the chemical liquid nozzle 4. The vertical movement part 33 moves the chemical liquid nozzle 4 and the arm 31 in the vertical direction. The plane moving part 35 moves the chemical liquid nozzle 4, the arm 31, and the vertical moving part 33 in a 1st direction (X direction). In addition, the chemical liquid nozzle 4 is arranged so that the longitudinal direction of the discharge port 4a coincides with the first direction (X direction).

상하 이동부(33) 및 평면 이동부(35)는, 예를 들면, 전동 모터, 나사축 및 가이드 레일 등으로 구성되어 있다. 또한, 평면 이동부(35)는, 약액 노즐(4) 등을 제1 방향으로 이동시킬 뿐만 아니라, 제1 방향과 직교하는 제2 방향(Y방향)으로 이동시키도록 구성되어도 된다.The vertical moving part 33 and the plane moving part 35 are comprised with an electric motor, a screw shaft, a guide rail, etc., for example. Further, the plane moving part 35 may be configured not only to move the chemical liquid nozzle 4 or the like in the first direction, but also to move it in a second direction (Y direction) orthogonal to the first direction.

또한, 용제 노즐 이동 기구(21)는, 약액 노즐 이동 기구(23)와 같이, 용제 노즐(3)을 상하 방향(Z방향)으로 이동시켜도 되고, 용제 노즐(3)을 제1 방향 및 제2 방향의 적어도 한쪽으로 이동시켜도 된다. 한편, 약액 노즐 이동 기구(23)는, 용제 노즐 이동 기구(21)와 같이, 컵(9)의 측방에 배치된 회전축 주위에 약액 노즐(4)을 회전시켜도 된다. 또한, 용제 노즐 이동 기구(21) 및 약액 노즐 이동 기구(23)는, 다관절 아암으로 구성되어도 된다.In addition, the solvent nozzle moving mechanism 21 may move the solvent nozzle 3 in the vertical direction (Z direction) like the chemical liquid nozzle moving mechanism 23, and the solvent nozzle 3 may be moved in the 1st direction and the 2nd direction. You may move to at least one of the directions. On the other hand, the chemical liquid nozzle moving mechanism 23 may rotate the chemical liquid nozzle 4 around a rotation shaft arranged on the side of the cup 9 like the solvent nozzle moving mechanism 21. In addition, the solvent nozzle moving mechanism 21 and the chemical liquid nozzle moving mechanism 23 may be constituted by an articulated arm.

도 1에 나타내는 도포 장치(1)는, 제어부(37)와 조작부(39)를 구비하고 있다. 제어부(37)는, 중앙 연산 처리 장치(CPU) 등으로 구성되어 있다. 제어부(37)는, 도포 장치(1)의 각 구성을 제어한다. 또한, 제어부(37)는, 복수로 구성되어 있어도 된다. 조작부(39)는, 표시부, 기억부 및 입력부 등을 구비하고 있다. 표시부는, 예를 들면, 액정 모니터로 구성되어 있다. 기억부는, 예를 들면, ROM(Read-Only Memory), RAM(Random-Access Memory), 및 하드 디스크 등의 적어도 1개로 구성되어 있다. 입력부는, 키보드, 마우스, 및 각종 버튼 등의 적어도 1개로 구성되어 있다. 기억부에는, 도포 처리의 각종 조건 및 도포 장치(1)의 제어에 필요한 동작 프로그램 등이 기억되어 있다.The coating apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a control unit 37 and an operation unit 39. The control unit 37 is constituted by a central processing unit (CPU) or the like. The control unit 37 controls each configuration of the coating device 1. In addition, the control unit 37 may be configured in plural. The operation unit 39 includes a display unit, a storage unit, an input unit, and the like. The display unit is constituted by, for example, a liquid crystal monitor. The storage unit is composed of at least one of, for example, a read-only memory (ROM), a random-access memory (RAM), and a hard disk. The input unit is composed of at least one such as a keyboard, a mouse, and various buttons. In the storage unit, various conditions of the coating process and an operation program required for control of the coating device 1 are stored.

＜도포 장치(1)의 동작＞<Operation of the application device 1>

다음으로, 도 4에 나타내는 플로우 차트를 참조하여, 도포 장치(1)의 동작에 대해 설명한다. 우선, 도 1에 있어서, 도시하지 않는 반송 기구는, 유지 회전부(2) 상에 기판(W)을 반송한다. 유지 회전부(2)의 스핀 척(7)은, 기판(W)의 이면을 진공 흡착하여 기판(W)을 유지한다.Next, with reference to the flow chart shown in FIG. 4, the operation|movement of the coating apparatus 1 is demonstrated. First, in FIG. 1, a transport mechanism (not shown) transports the substrate W on the holding and rotating unit 2. The spin chuck 7 of the holding rotation unit 2 holds the substrate W by vacuum-sucking the back surface of the substrate W.

〔단계(S01)〕프리웨트 처리[Step (S01)] Pre-wet treatment

제어부(37)는, 약액 노즐(4)로부터 약액을 토출하기 전에, 기판(W)을 회전시키고, 또한, 용제 노즐(3)로부터 기판(W) 상에 용제를 토출함으로써, 기판(W)의 표면에 형성된 대략 모든 오목부(H)(도 5 (a) 참조)에 용제가 들어간 상태로 함과 더불어, 그 오목부(H) 이외의 기판(W)의 표면에 용제막(SF)을 형성하는 처리인 프리웨트 처리를 실행한다. 오목부(H)는, 예를 들면, 컨택홀, 바이어(Via), 스페이스 또는 트렌치(Trench)이다.The control unit 37 rotates the substrate W before discharging the chemical solution from the chemical solution nozzle 4, and further discharges the solvent onto the substrate W from the solvent nozzle 3, thereby A solvent film (SF) is formed on the surface of the substrate (W) other than the recess (H) while leaving the solvent in approximately all the concave portions (H) formed on the surface (refer to Fig. 5 (a)). The pre-wet process is executed. The concave portion H is, for example, a contact hole, a via, a space, or a trench.

도 3에 나타내는 용제 노즐 이동 기구(21)는, 도 5 (a)와 같이, 유지 회전부(2)의 측방의 대기 위치로부터 기판(W)의 중심부(CT)의 상방에 용제 노즐(3)을 이동시킨다. 이동 후, 도 5 (b)와 같이, 수십 rpm의 회전 속도로 기판(W)을 회전시키면서, 용제 노즐(3)로부터 용제를 기판(W)의 대략 중심부(CT)에 토출한다(개폐 밸브(V1)를 ON으로 한다). 이 용제의 토출은, 도 5 (b)의 파선으로 둘러싼 확대도와 같이, 기판(W)의 표면에 형성되는 대략 모든 오목부(H)에 용제를 채울 때까지 행한다. 오목부(H)에 용제를 채웠는지 여부의 동작 조건은, 실험 등에 의해 미리 설정된다.The solvent nozzle moving mechanism 21 shown in FIG. 3 moves the solvent nozzle 3 above the central part CT of the substrate W from the standby position on the side of the holding and rotating part 2 as shown in FIG. 5 (a). Move. After the movement, as shown in Fig. 5 (b), while rotating the substrate W at a rotational speed of several tens of rpm, the solvent is discharged from the solvent nozzle 3 to the substantially central portion CT of the substrate W (open/close valve ( V1) is turned ON). The discharge of the solvent is performed until substantially all of the recesses H formed on the surface of the substrate W are filled with the solvent, as in the enlarged view enclosed by the broken line in Fig. 5B. The operating conditions of whether or not the concave portion H is filled with a solvent is set in advance by experiment or the like.

오목부(H)에 용제를 채운 후, 용제 노즐(3)로부터의 용제의 토출을 정지한다(개폐 밸브(V1)를 OFF로 한다). 또한, 용제 토출의 정지 후, 용제 노즐 이동 기구(21)는, 기판(W)의 중심부(CT)의 상방으로부터 기판(W) 외의 대기 위치에 용제 노즐(3)을 이동시킨다. 또한, 용제 토출의 정지 후, 기판(W)의 회전 속도를 올리고, 수백 rpm의 회전 속도로 기판(W)을 회전시켜, 기판(W) 상의 여분의 용제를 기판(W) 밖으로 배출한다(도 5 (c) 참조). 이 후, 기판(W)의 회전을 정지한다. 이 때, 도 6의 확대도와 같이, 오목부(H)에는 용제가 들어간 상태, 즉, 용제(용제막(SF))가 잔존하는 상태로 한다. 또한, 오목부(H) 이외의 기판(W)의 표면에는, 용제막(SF)을 형성한다.After filling the recessed portion H with the solvent, the discharge of the solvent from the solvent nozzle 3 is stopped (the opening/closing valve V1 is turned off). In addition, after the solvent discharge is stopped, the solvent nozzle moving mechanism 21 moves the solvent nozzle 3 to a standby position other than the substrate W from above the central portion CT of the substrate W. In addition, after stopping the solvent discharge, the rotation speed of the substrate W is increased, the substrate W is rotated at a rotation speed of several hundred rpm, and the excess solvent on the substrate W is discharged out of the substrate W (Fig. 5 (c)). After that, the rotation of the substrate W is stopped. At this time, as shown in the enlarged view of FIG. 6, the concave portion H is in a state in which a solvent enters, that is, a state in which the solvent (solvent film SF) remains. Further, a solvent film SF is formed on the surface of the substrate W other than the concave portion H.

〔단계(S02)〕주연부를 따른 링 형상의 약액막의 형성(1주째)[Step (S02)] Formation of a ring-shaped chemical liquid film along the periphery (week 1)

제어부(37)는, 기판(W)을 제1 회전 속도로 회전시키고, 또한, 약액 노즐(4)의 이동을 정지시킨 상태에서, 기판(W)의 주연부(E)의 상방에 위치하는 약액 노즐(4)로부터 기판(W) 상에 약액을 토출한다. 이것에 의해, 기판(W)의 주연부(E)를 따라서 링 형상의 약액막(CF)을 형성한다.The control unit 37 rotates the substrate W at a first rotational speed and, in a state where the movement of the chemical liquid nozzle 4 is stopped, is a chemical liquid nozzle positioned above the periphery E of the substrate W. The chemical solution is discharged onto the substrate W from (4). Thereby, a ring-shaped chemical liquid film CF is formed along the periphery E of the substrate W.

약액 노즐 이동 기구(21)는, 기판(W) 밖의 대기 포트(10)(대기 위치)로부터 기판(W)의 주연부(E)의 상방에, 약액 노즐(4)을 이동시킨다(도 6 참조). 이 약액 노즐(4)의 이동은, 단계(S01)의 용제 노즐(3)로부터의 용제의 토출 중에 이동시키고, 기판(W)의 상방에서 대기시켜 놓는다. 단계(S01)의 프리웨트 처리 후, 약액 노즐(4)을 하강시키고, 약액 노즐(4)의 선단면(4c)과 기판(W)의 표면 사이의 클리어런스(CL)를 1.0mm 이하(예를 들면, 0.5mm)로 설정한다. 또한, 클리어런스(CL)가 높아지면, 기판(W)의 회전 시에, 약액 노즐(4)로부터 약액이 토출되고, 약액 노즐(4)과 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 약액의 액주가 불안정하게 되어, 액주가 찢겨져 분단되는 「액 끊김」이 생길 우려가 있다.The chemical liquid nozzle moving mechanism 21 moves the chemical liquid nozzle 4 above the peripheral portion E of the substrate W from the standby port 10 (at the standby position) outside the substrate W (see Fig. 6). . The movement of the chemical liquid nozzle 4 is carried out during the discharge of the solvent from the solvent nozzle 3 in step S01, and is placed on standby above the substrate W. After the pre-wet treatment in step S01, the chemical liquid nozzle 4 is lowered, and the clearance CL between the front end 4c of the chemical liquid nozzle 4 and the surface of the substrate W is 1.0 mm or less (e.g. For example, set it to 0.5mm). In addition, when the clearance CL increases, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 4 when the substrate W is rotated, and the liquid column of the chemical liquid formed between the chemical liquid nozzle 4 and the surface of the substrate W is It becomes unstable, and there is a possibility that the liquid column is torn and "liquid breakage" occurs.

1주째는, 도 7 (a)와 같이, 기판(W)의 주연부(엣지부)(E)를 따른 링 형상의 약액막(CF)을 형성한다. 수십 rpm의 제1 회전 속도로 기판(W)을 1회 회전시키고, 또한, 기판(W)의 반경 방향으로 약액 노즐(4)을 이동시키지 않고 정지시킨다. 이 상태에서, 기판(W)의 주연부(E)의 상방에 위치하는 약액 노즐(4)로부터 약액을 토출한다. 이것에 의해, 기판(W)의 주연부(E)를 따른 링 형상의 약액막(CF)을 형성한다. 도 7 (b)의 화살표(G)와 같이, 기판(W)의 주연부(E) 부근에 있어서 소용돌이 형상으로 약액막(CF)을 형성하는 경우, 약액막(CF)이 형성되지 않는 영역이 생긴다. 그러나, 기판(W)의 주연부(E)를 따라서 링 형상으로 약액막(CF)을 형성하므로, 약액막(CF)이 형성되지 않는 영역(화살표(G) 참조)을 해소할 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 주연부(E) 부근에 있어서, 막 끊김 등을 방지하고, 최종적으로, 기판(W) 상에 고점도의 약액막(CF)을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있다.In the first week, as shown in Fig. 7A, a ring-shaped chemical liquid film CF is formed along the periphery (edge) E of the substrate W. The substrate W is rotated once at a first rotation speed of several tens of rpm, and the chemical liquid nozzle 4 is stopped without moving in the radial direction of the substrate W. In this state, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle 4 positioned above the peripheral portion E of the substrate W. Thereby, the ring-shaped chemical liquid film CF along the periphery E of the substrate W is formed. When the chemical liquid film CF is formed in a vortex shape near the periphery E of the substrate W, as shown by arrow G in FIG. 7B, a region in which the chemical liquid film CF is not formed is created. . However, since the chemical film CF is formed in a ring shape along the periphery E of the substrate W, a region in which the chemical film CF is not formed (refer to the arrow G) can be eliminated. Therefore, in the vicinity of the periphery E of the substrate W, film breakage, etc. can be prevented, and finally, the film thickness can be made uniform when forming the high-viscosity chemical liquid film CF on the substrate W. have.

또한, 도 7 (b)의 화살표(G)의 약액막(CF)이 형성되지 않는 영역에 대해 다음과 같은 해소 방법을 생각할 수 있다. 그 방법이란, 기판(W) 밖에서 약액 노즐(4)로부터 약액을 토출하면서, 기판(W)의 상방에 약액 노즐(4)을 이동시키고, 기판(W)의 주연부(E)에 약액막(CF)을 형성하는 방법이다. 그러나, 이 방법에서는, 예를 들면, 기판(W)의 주연부(E)의 내외의 경계를 가로지르면, 예를 들면, 약액 노즐(4)로부터 토출한 약액의 액주가 불안정하게 되어, 이 후, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 양호하게 형성할 수 없을 우려가 있다. 또한, 기판(W)의 측면에 약액을 부착해 버려, 오염 등의 원인이 되거나 할 우려가 있다. 또한, 기판(W) 밖에 토출하면, 약액을 낭비해 버린다. 그러나, 주연부(E)를 따라서 링 형상으로 약액막(CF)을 형성하므로, 이들을 방지할 수 있다.In addition, for the region in which the chemical liquid film CF indicated by the arrow G in FIG. 7B is not formed, the following solution can be considered. The method means, while discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 outside the substrate W, the chemical liquid nozzle 4 is moved above the substrate W, and the chemical liquid film CF is applied to the peripheral portion E of the substrate W. ) Is a way to form. However, in this method, for example, when crossing the inner and outer boundary of the periphery E of the substrate W, the liquid column of the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 4 becomes unstable, for example, after that, There is a fear that the swirl-shaped chemical liquid film CF cannot be formed satisfactorily. In addition, there is a fear that the chemical solution adheres to the side surface of the substrate W, resulting in contamination or the like. Further, when discharged to the outside of the substrate W, the chemical liquid is wasted. However, since the chemical liquid film CF is formed in a ring shape along the periphery E, these can be prevented.

단계(S02~S04)에 있어서의 기판(W)의 제1 회전 속도는, 기판(W)의 주연부(E)로부터 약액이 넘치지 않는 정도로 설정되어 있다. 또한, 제1 회전 속도는 가변이다.The first rotational speed of the substrate W in steps S02 to S04 is set to such an extent that the chemical solution does not overflow from the peripheral portion E of the substrate W. Also, the first rotational speed is variable.

〔단계(S03)〕소용돌이 형상의 약액막의 형성(2주째 이후)[Step (S03)] Formation of a vortex-shaped chemical film (after the second week)

단계(S02)의 1주째에서는, 약액 노즐(4)을 이동시키지 않고 정지시키며, 주연부(E)를 따라서 약액막(CF)을 형성하였다. 2주째 이후는, 약액 노즐(4)을 이동시키고, 소용돌이 형상으로 약액막(CF)을 형성한다. 즉, 제어부(37)는, 기판(W)을 제1 회전 속도로 회전시키고, 또한, 기판(W)의 상방에 위치하는 약액 노즐(4)을 기판(W)의 주연부(E)로부터 기판(W)의 중심부(CT)를 향하여 기판(W)의 반경 방향으로 이동시킨다. 이들을 행하면서, 약액 노즐(4)로부터 기판(W) 상에 약액을 토출 한다. 이것에 의해, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한다(도 8 참조). 또한, 도 8의 소용돌이의 실선은, 본 단계의 약액 노즐(4)의 궤적을 나타낸다. 도 8의 일점 쇄선은, 단계(S02)의 약액 노즐(4)의 궤적을 나타낸다.In the first week of step S02, the chemical liquid nozzle 4 was stopped without moving, and a chemical liquid film CF was formed along the periphery E. After the second week, the chemical liquid nozzle 4 is moved, and the chemical liquid film CF is formed in a vortex shape. In other words, the control unit 37 rotates the substrate W at the first rotational speed, and the chemical liquid nozzle 4 positioned above the substrate W is moved from the peripheral portion E of the substrate W to the substrate ( It moves toward the center CT of W) in the radial direction of the substrate W. While doing these, the chemical liquid is discharged onto the substrate W from the chemical liquid nozzle 4. Thereby, the vortex-shaped chemical liquid film CF is formed (refer FIG. 8). In addition, the solid line of the vortex in FIG. 8 represents the trajectory of the chemical liquid nozzle 4 in this step. The dashed-dotted line in FIG. 8 represents the trajectory of the chemical liquid nozzle 4 in step S02.

단계(S02, S03)의 약액막(CF)의 형성은, 도포 범위를 존을 나누어 다음과 같은 조건에서 행해도 된다. 즉, 기판(W)의 주연부(E)로부터 중심부(CT)까지 약액 노즐(4)을 이동시킬 때, 예를 들면, 약액 노즐(4)의 선단면(4c)과 기판(W)의 표면 사이의 클리어런스(CL), 약액 노즐(4)의 이동 속도, 및 기판(W)의 회전 속도를 변화시키면서, 약액의 토출을 실행한다. 이것에 의해, 효율적으로 오목부(H) 등의 요철에 약액을 골고루 퍼지게 할 수 있다.The formation of the chemical liquid film CF in the steps S02 and S03 may be performed under the following conditions by dividing the application range into zones. That is, when moving the chemical liquid nozzle 4 from the peripheral part E of the substrate W to the central part CT, for example, between the front end surface 4c of the chemical liquid nozzle 4 and the surface of the substrate W The chemical liquid is discharged while changing the clearance CL, the moving speed of the chemical liquid nozzle 4, and the rotation speed of the substrate W. Thereby, it is possible to efficiently spread the chemical solution evenly over the irregularities such as the concave portion H.

도 9는, 기판(W)에 있어서의 도포 범위의 존을 나타낸다. 존은, 기판(W)의 중심부(CT)로부터의 약액 노즐(4)의 위치에 의거하여 결정되고, 기판(W)의 주연부(E)측으로부터 제1존(Z1)~제5존(Z5), 및 제6존(코어)(Z6)으로 나뉘어진다. 또한, 도 9의 제1존(Z1)~제6존(Z6)은, 도시의 사정상, 대략적인 범위를 나타내고 있다. 도 10은, 각 존(Z1~Z6)의 도포 조건을 나타내는 도면이다. 도 10의 항목 「노즐 이동거리」는, 기판(W)의 중심부(CT)로부터의 거리(mm)를 나타내고 있다. 기판(W)은, 직경 300mm의 것이 이용되고 있다고 한다. 예를 들면, 제1존(Z1)은, 기판(W)의 중심부(CT)로부터의 거리가 143mm이며, 약액 노즐(4)의 이동은 행해지지 않는다. 즉, 제1존(Z1)은, 단계(S02)의 링 형상의 약액막(CF)의 형성을 나타내고 있다.9 shows the zone of the coating range on the substrate W. The zone is determined based on the position of the chemical liquid nozzle 4 from the central portion CT of the substrate W, and the first zone Z1 to the fifth zone Z5 from the peripheral edge E side of the substrate W. ), and a sixth zone (core) Z6. In addition, the 1st zone Z1-6th zone Z6 of FIG. 9 has shown the approximate range for the convenience of illustration. 10 is a diagram showing the application conditions of each of the zones Z1 to Z6. The item "nozzle movement distance" in Fig. 10 represents the distance (mm) from the center CT of the substrate W. It is assumed that the substrate W is used with a diameter of 300 mm. For example, in the first zone Z1, the distance from the central portion CT of the substrate W is 143 mm, and the chemical liquid nozzle 4 is not moved. That is, the first zone Z1 represents the formation of the ring-shaped chemical liquid film CF in step S02.

우선, 도 11을 참조하여, 약액 노즐(4)의 선단면(4c)과 기판(W)의 사이의 클리어런스(CL)에 대해 설명한다. 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 형성할 때, 기판(W)의 주연부(E)측의 위치(예를 들면, 부호(PS1))보다 기판(W)의 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할(예를 들면, 부호(PS2)) 때가 있다고 한다. 이 경우, 클리어런스(CL)를 주연부(E)측의 위치(부호(PS1))에 있어서의 클리어런스(CL)보다 크게 한다. 즉, 기판(W)의 주연부(E)보다 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할수록, 클리어런스(CL)를 크게 한다.First, with reference to FIG. 11, the clearance CL between the front end surface 4c of the chemical liquid nozzle 4 and the board|substrate W is demonstrated. When forming the vortex-shaped and ring-shaped chemical liquid film CF, the central portion CT side of the substrate W rather than the position of the peripheral portion E side of the substrate W (for example, symbol PS1). It is said that there are times when the chemical liquid nozzle 4 is located (for example, symbol PS2). In this case, the clearance CL is made larger than the clearance CL at the position (sign PS1) on the peripheral edge E side. That is, the more the chemical liquid nozzle 4 is positioned on the central portion CT side than the peripheral portion E of the substrate W, the greater the clearance CL.

기판(W)의 주연부(E)(제1존(Z1) 및 제2존(Z2))에서는, 클리어런스(CL)를 예를 들면, 0.5mm로 한다. 약액 노즐(4)의 이동과 더불어, 즉, 약액 노즐(4)이 위치하는 존(Z1~Z6)마다, 서서히 클리어런스(CL)를 크게 한다. 기판(W)의 중심부(CT)(제6존(Z6))에서는, 클리어런스(CL)를 예를 들면, 3.0mm로 한다.In the peripheral portion E of the substrate W (the first zone Z1 and the second zone Z2), the clearance CL is, for example, 0.5 mm. With the movement of the chemical liquid nozzle 4, that is, for each zone Z1 to Z6 in which the chemical liquid nozzle 4 is located, the clearance CL is gradually increased. In the central part CT (the sixth zone Z6) of the substrate W, the clearance CL is, for example, 3.0 mm.

기판(W)의 중심부(CT)측의 위치보다 주연부(E)측의 위치에서 약액 노즐(4)에 대한 기판(W)의 상대적인 회전 속도가 빨라진다. 그 때문에, 기판(W)에 약액이 착액할 때, 약액에 가해지는 회전 방향으로의 힘의 작용이 크고, 약액이 찢겨져 분단되는 액 끊김을 발생시키기 쉽다. 약액 노즐(4)이 주연부(E)측에 위치할 때, 클리어런스(CL)를 작게 함으로써, 액 끊김을 방지할 수 있다. 또한, 약액 노즐(4)이 중심부(CT)에 위치할 때, 약액의 액 고임부(PD)를 형성한다. 클리어런스(CL)를 크게 함으로써, 약액 노즐(4)에 약액이 부착하는 것을 억제할 수 있다.The relative rotation speed of the substrate W with respect to the chemical liquid nozzle 4 is increased at a position on the peripheral portion E side than at a position on the central portion CT side of the substrate W. For this reason, when the chemical liquid is deposited on the substrate W, the action of the force in the rotational direction applied to the chemical liquid is large, and the liquid breakage is likely to occur due to tearing of the chemical liquid. When the chemical liquid nozzle 4 is located on the periphery E side, the liquid breakout can be prevented by making the clearance CL small. In addition, when the chemical liquid nozzle 4 is located in the central part CT, a liquid reservoir PD of the chemical liquid is formed. By increasing the clearance CL, it is possible to prevent the chemical liquid from adhering to the chemical liquid nozzle 4.

다음으로, 기판(W)의 회전 속도(제1 회전 속도)에 대해 설명한다. 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 형성할 때, 기판(W)의 주연부(E)측의 위치(예를 들면, 도 11의 부호(PS1))보다 기판(W)의 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할(예를 들면, 도 11의 부호(PS2)) 때가 있다고 한다. 이 경우, 약액 노즐(4)에 대한 기판(W)의 회전 속도를 주연부(E)측에 위치(부호(PS1))할 때의 회전 속도보다 빠르게 한다. 즉, 기판(W)의 주연부(E)보다 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할수록, 회전 속도를 빠르게 한다.Next, the rotational speed (first rotational speed) of the substrate W will be described. When forming the vortex-shaped and ring-shaped chemical liquid film CF, the central portion CT of the substrate W than the position on the peripheral edge E side of the substrate W (for example, reference numeral PS1 in FIG. 11). It is assumed that there are times when the chemical liquid nozzle 4 is located on the) side (for example, reference numeral PS2 in Fig. 11). In this case, the rotational speed of the substrate W with respect to the chemical liquid nozzle 4 is made faster than the rotational speed at the time of positioning (sign PS1) on the peripheral portion E side. That is, the more the chemical liquid nozzle 4 is positioned on the central portion CT side than the peripheral portion E of the substrate W, the faster the rotation speed is.

기판(W)의 주연부(E)(제1존(Z1) 및 제2존(Z2))에서는, 회전 속도를 예를 들면, 13rpm으로 한다. 약액 노즐(4)의 이동과 더불어, 회전 속도를 크게 한다. 기판(W)의 중심부(CT)(제6존(Z6))에서는, 회전 속도를 예를 들면, 40rpm으로 한다.In the peripheral portion E of the substrate W (the first zone Z1 and the second zone Z2), the rotation speed is, for example, 13 rpm. In addition to the movement of the chemical liquid nozzle 4, the rotational speed is increased. In the central part CT (sixth zone Z6) of the substrate W, the rotational speed is set to, for example, 40 rpm.

기판(W)의 중심부(CT)측의 위치보다 주연부(E)측의 위치에서 약액 노즐(4)에 대한 기판(W)의 상대적인 회전 속도가 빨라진다. 그 때문에, 기판(W)에 약액이 착액할 때, 약액에 가해지는 회전 방향으로의 힘의 작용이 크고, 약액이 찢겨져 분단되는 액 끊김을 발생시키기 쉽다. 약액 노즐(4)이 주연부(E)측에 위치할 때에는, 기판(W)의 회전 속도를 느리게 한다. 이것에 의해, 약액 노즐(4)로부터 토출된 약액이 분단되는 액 끊김을 방지할 수 있다. 또한, 약액 노즐(4)이 중심부(CT)측에 위치할 때에는, 기판(W)의 회전 속도를 빠르게 한다. 이것에 의해, 약액을 너무 많이 토출하는 것을 방지한다.The relative rotation speed of the substrate W with respect to the chemical liquid nozzle 4 is increased at a position on the peripheral portion E side than at a position on the central portion CT side of the substrate W. For this reason, when the chemical liquid is deposited on the substrate W, the action of the force in the rotational direction applied to the chemical liquid is large, and the liquid breakage is likely to occur due to tearing of the chemical liquid. When the chemical liquid nozzle 4 is located on the peripheral portion E side, the rotational speed of the substrate W is slowed. Thereby, it is possible to prevent liquid interruption in which the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 4 is divided. Further, when the chemical liquid nozzle 4 is located on the central portion CT side, the rotational speed of the substrate W is increased. This prevents discharging too much of the chemical liquid.

또한, 약액의 토출 속도(토출 레이트, 단위：ml/s)는, 기판(W)의 회전 속도에 대해서, 액 끊김 없는(액 끊김에 견딜 수 있는) 최저의 유속을 이용한다. 이러한 토출 속도를 이용함으로써, 약액을 보다 절약할 수 있다.In addition, as the discharge speed (discharge rate, unit: ml/s) of the chemical liquid, the lowest flow rate without liquid breakage (which can withstand liquid breakage) is used with respect to the rotational speed of the substrate W. By using such a discharge speed, the chemical liquid can be further saved.

다음으로, 약액 노즐(4)의 이동 속도에 대해 설명한다. 도 9와 같이, 기판(W)의 주연부(E)측에서는 도포 범위가 넓기 때문에, 약액의 토출 시간이 길어진다. 한편, 중심부(CT)측에서는 도포 범위가 좁기 때문에, 약액의 토출 시간이 짧아진다. 거기서, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성할 때, 기판(W)의 주연부(E)측의 위치(예를 들면, 도 11의 부호(PS1))보다 기판(W)의 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할 (예를 들면, 도 11의 부호(PS2)) 때가 있다고 한다. 이 경우, 기판(W)에 대한 약액 노즐(4)의 이동 속도를 주연부(E)측에 위치(부호(PS1))할 때의 약액 노즐(4)의 이동 속도보다 빠르게 한다. 즉, 기판(W)의 주연부(E)보다 중심부(CT)측에 약액 노즐(4)이 위치할수록, 약액 노즐(4)의 이동 속도를 빠르게 한다. 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 효율적으로 형성할 수 있다.Next, the moving speed of the chemical liquid nozzle 4 will be described. As shown in Fig. 9, since the coating range is wide on the peripheral portion E side of the substrate W, the discharging time of the chemical solution is lengthened. On the other hand, on the central part CT side, since the application range is narrow, the discharge time of the chemical solution is shortened. Therefore, when forming the vortex-shaped chemical liquid film CF, the central portion CT of the substrate W than the position on the side of the peripheral portion E of the substrate W (for example, reference numeral PS1 in FIG. 11). It is assumed that there are times when the chemical liquid nozzle 4 is located on the side (for example, reference numeral PS2 in Fig. 11). In this case, the moving speed of the chemical liquid nozzle 4 with respect to the substrate W is made faster than the moving speed of the chemical liquid nozzle 4 when positioned on the peripheral edge E side (symbol PS1). That is, the more the chemical liquid nozzle 4 is positioned on the central part CT side than the peripheral part E of the substrate W, the faster the moving speed of the chemical liquid nozzle 4 is. It is possible to efficiently form a vortex-shaped chemical liquid film CF.

또한, 소용돌이 형상의 약액막(CF) 중의 각 주의 약액막(CF)(1주째의 링 형상의 약액막(CF)을 포함한다)은, 기판(W)에 반경 방향에 있어서, 이웃한 주의 약액막(CF)과 간극이 생기지 않고 서로 겹쳐져 있는 것이 바람직하다. 도 12 (a)는, 바람직한 예이다. 예를 들면, n-1주째의 약액막(CF)과 n주째의 약액막(CF)이 서로 겹쳐져 있다. 한편, 도 12 (b)는, 바람직하지 않은 예이다. 예를 들면, n-1주째의 약액막(CF)과 n주째의 약액막(CF)이 떨어져 있고, 간극이 생겨져 있다. 각 주의 약액막(CF)이 이웃한 주의 약액막(CF)과 서로 간극이 생겨 있으면, 후술하는 단계(S05)에 있어서, 기판(W)을 고속 회전시켜, 후술하는 액 고임부(PD)의 약액을 확산시켜도, 그 간극 혹은, 그 간극에 존재하는 오목부(H)를 피해서 흐르는 경우가 있다. 그 때문에, 그 간극이 생겨 있지 않음으로써, 액 고임부(PD)의 약액을 양호하게 확산시킬 수 있다. 또한, 서로 겹쳐져 있으면, 보다 확실히, 액 고임부(PD)의 약액을 양호하게 확산시킬 수 있다.In addition, the chemical liquid film CF of each state (including the ring-shaped chemical liquid film CF of the first circumference) in the swirl-shaped chemical liquid film CF is a chemical liquid of a neighboring state in the radial direction of the substrate W. It is preferable that the film CF and the gap do not occur and overlap each other. 12(a) is a preferable example. For example, the chemical liquid film CF of the n-1 week and the chemical liquid film CF of the n-week overlap each other. On the other hand, Fig. 12(b) is an unpreferable example. For example, the chemical liquid film CF of the n-1 week and the chemical liquid film CF of the n-week are separated, and a gap is formed. If the chemical liquid film CF of each state has a gap with the chemical liquid film CF of the neighboring state, the substrate W is rotated at high speed in step S05 to be described later, so that the liquid reservoir PD to be described later is Even if the chemical liquid is diffused, it may flow away from the gap or the concave portion H existing in the gap. Therefore, since the gap does not occur, the chemical liquid in the liquid reservoir PD can be diffused satisfactorily. In addition, when they are overlapped with each other, the chemical liquid in the liquid reservoir PD can be more reliably diffused.

〔단계(S04)〕약액의 액 고임부의 형성[Step (S04)] Formation of the liquid reservoir of the chemical solution

소용돌이 형상으로 약액막(CF)을 형성하면서, 약액 노즐(4)의 중심이 중심부(CT)의 상방에 도달했다고 한다. 이 후, 즉, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한 후, 제어부(37)는, 추가로, 약액 노즐(4)로부터 기판(W)의 대략 중심부(CT)에 약액을 토출한다. 이것에 의해, 기판(W)의 중심부(CT)에 약액의 액 고임부(패들)(PD)를 형성한다(도 13 참조). 액 고임부(PD)를 형성하기 위한 약액의 토출은, 기판(W)의 중심부의 상방에서 약액 노즐(4)의 이동을 정지시킨 상태에서 행해진다. 액 고임부(PD)는, 기판(W)을 회전시키면서 형성된다. 약액의 액 고임부(PD)는, 소용돌이 형상의 약액막(CF)보다 높게 형성된다. 액 고임부(PD)는, 소용돌이 형상의 약액막(CF) 상에 형성된다. 또한, 액 고임부(PD)의 높이 또는 양을 바꿈으로써, 후술하는 단계(S05) 뒤의 약액막(CF)의 두께를 조정할 수 있다.It is said that while forming the chemical liquid film CF in a vortex shape, the center of the chemical liquid nozzle 4 reaches the upper part of the central part CT. After that, that is, after forming the vortex-shaped chemical liquid film CF, the control unit 37 further discharges the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 to the substantially central portion CT of the substrate W. Thereby, the liquid reservoir (paddle) PD of the chemical liquid is formed in the central part CT of the substrate W (see Fig. 13). Discharge of the chemical liquid for forming the liquid reservoir PD is performed in a state in which the movement of the chemical liquid nozzle 4 is stopped above the central portion of the substrate W. The liquid reservoir PD is formed while rotating the substrate W. The chemical liquid reservoir PD is formed higher than the swirl-shaped chemical liquid film CF. The liquid reservoir part PD is formed on the vortex-shaped chemical liquid film CF. In addition, by changing the height or amount of the liquid reservoir PD, the thickness of the chemical liquid film CF after the step S05 to be described later can be adjusted.

약액의 액 고임부(PD)를 형성한 후, 약액의 토출은 정지된다. 그 후, 약액 노즐(4)을 상승시킨 후, 약액 노즐(4)은 수평 이동시켜서 대기 포트(10)로 퇴피된다. 이 때도 기판(W)은, 미리 설정된 제1 회전 속도로 회전하고 있다.After forming the liquid reservoir PD of the chemical liquid, the discharge of the chemical liquid is stopped. After that, after raising the chemical liquid nozzle 4, the chemical liquid nozzle 4 is moved horizontally and retracted to the standby port 10. Also at this time, the substrate W is rotating at a preset first rotational speed.

〔단계(S05)〕기판의 고속 회전[Step (S05)] High-speed rotation of the substrate

약액의 액 고임부(PD)를 형성하고, 또한, 약액 노즐(4)을 상승 혹은 대기 포트(10)에 돌려놓은 후, 제어부(37)는, 소용돌이 형상으로 약액막(CF)을 형성하기 위한 제 1 회전 속도보다 빠른 제2 회전 속도로 기판(W)을 회전시킨다. 이것에 의해, 도 14 (a)의 파선의 화살표와 같이, 액 고임부(PD)의 약액을 확산시켜서 링 형상 및 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 덮는다. 액 고임부(PD)의 약액은, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 따라서 균등하게 퍼진다. 또한, 링 형상 및 소용돌이 형상의 약액막(CF)의 표면의 울퉁불퉁함은, 액 고임부(PD)의 약액으로 평평하게 되고, 막 두께를 균일하게 할 수 있다. 또한, 기판(W)의 제2 회전 속도의 회전(고속 회전)에 의해, 오목부(H)의 용제가 약액으로 치환된다(도 14 (b)에 확대도 참조). 또한, 제2 회전 속도는, 미리 설정되고, 예를 들면, 750rpm 이상이다.After forming the liquid reservoir PD of the chemical liquid, and turning the chemical liquid nozzle 4 upward or to the standby port 10, the controller 37 is used to form the chemical liquid film CF in a vortex shape. The substrate W is rotated at a second rotation speed that is faster than the first rotation speed. Thereby, as shown by the broken line arrow in Fig. 14A, the chemical liquid in the liquid reservoir PD is diffused to cover the ring-shaped and swirl-shaped chemical liquid film CF. The chemical liquid in the liquid reservoir PD spreads evenly along the swirl-shaped chemical liquid film CF. In addition, the unevenness of the surface of the ring-shaped and vortex-shaped chemical liquid film CF is flattened by the chemical liquid in the liquid reservoir PD, and the film thickness can be made uniform. Further, by the rotation of the substrate W at the second rotational speed (high-speed rotation), the solvent in the concave portion H is replaced with a chemical solution (see enlarged view in Fig. 14(b)). In addition, the 2nd rotation speed is set in advance, and is 750 rpm or more, for example.

유지 회전부(2)는, 제2 회전 속도로 기판(W)을 회전시켜 액 고임부(PD)의 약액으로 소용돌이 형상 등의 약액막(CF)을 덮은 후, 제2 회전 속도를 상하로 조정하여 기판(W)를 회전시켜, 막 두께의 조정을 행한다. 이것에 의해, 오목부(H)가 형성되고 요철을 갖는 기판(W)에 막 끊김이 없으며, 도 14 (b)와 같은, 막 두께가 균일하고 또한 목표의 막 두께로 조정된 약액막(CF)을 형성할 수 있다.The holding rotation unit 2 rotates the substrate W at a second rotation speed to cover the chemical liquid film CF such as a vortex with the chemical solution of the liquid reservoir PD, and then adjusts the second rotation speed up and down. The substrate W is rotated to adjust the film thickness. Thereby, the concave portion H is formed and there is no film break on the substrate W having irregularities, and the chemical liquid film CF has a uniform film thickness and adjusted to the target film thickness, as shown in Fig. 14B. ) Can be formed.

이상의 단계에 의해서 약액막(CF)을 형성한 후, 도시하지 않는 노즐로부터 용제를 토출하고, 기판(W)의 주연부(E)에 형성된 약액막(CF)을 없애는 EBR(Edge Bead Removal) 처리(엣지 린스 처리라고도 한다)를 실행하거나, 세정액을 토출하여 기판(W)의 이면을 세정하는 백 린스 처리를 실행하거나 한다. 이 후, 기판(W)의 회전이 정지한 상태에서, 유지 회전부(2)는, 기판(W)의 유지를 해제한다. 도시하지 않는 기판 반송 기구는, 유지 회전부(2)로부터 기판(W)을 반출한다.After the chemical liquid film CF is formed by the above steps, the solvent is discharged from a nozzle (not shown) and the chemical liquid film CF formed on the peripheral part E of the substrate W is removed. Also referred to as edge rinse treatment), or a back rinse treatment for cleaning the back surface of the substrate W by discharging a cleaning liquid. After that, while the rotation of the substrate W is stopped, the holding rotation unit 2 releases the holding of the substrate W. A substrate transfer mechanism (not shown) carries out the substrate W from the holding and rotating unit 2.

본 실시예에 의하면, 기판(W) 상에 약액의 액 고임부(PD)를 형성하기 전에, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한다. 액 고임부(PD)의 약액은, 소용돌이 형상의 약액막(CF)과 잘 어우러진다. 그 때문에, 기판(W)을 회전시켜 액 고임부(PD)의 약액을 확산시켜 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 덮을 때, 액 고임부(PD)의 약액이 양호하게 퍼진다. 또한, 액 고임부(PD)의 약액이 퍼질 때, 소용돌이 형상의 약액막의 표면의 울퉁불퉁함이 평평하게 된다. 이들에 의해, 도 16 (a)의 막 끊김(M)과 도 16 (b)의 파임(N)을 방지하고, 기판(W) 상에 고점도의 약액막(CF)을 형성할 때 막 두께를 균일하게 할 수 있다.According to this embodiment, before forming the liquid reservoir PD of the chemical liquid on the substrate W, the chemical liquid film CF having a spiral shape is formed. The chemical liquid in the liquid reservoir PD is well harmonized with the swirl-shaped chemical liquid film CF. Therefore, when the substrate W is rotated to diffuse the chemical liquid in the liquid reservoir PD to cover the swirl-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid in the liquid reservoir PD spreads well. Further, when the chemical liquid in the liquid reservoir PD spreads, the unevenness of the surface of the vortex-shaped chemical liquid film becomes flat. By these, the film breakage (M) of FIG. 16 (a) and the dent (N) of FIG. 16 (b) are prevented, and the film thickness is reduced when forming the chemical liquid film (CF) of high viscosity on the substrate (W). It can be made uniform.

또한, 기판(W)의 중심부에 액 고임부(PD)를 형성한 후에, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성하면, 액 고임부(PD)의 약액이 건조된다. 이 경우, 제2 회전 속도(고속 회전)로 원형 기판을 회전시켰을 때, 액 고임부(PD)가 양호하게 퍼지지 않고, 원형 기판의 주연부(E)보다 중심부(CT)에서 약액막(CF)이 솟아올라 버린다. 그러나, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한 후에 액 고임부(PD)를 형성하므로, 액 고임부(PD)의 약액을 건조시키지 않고, 액 고임부(PD)를 양호하게 확산시킬 수 있다. 약액을 양호하게 확산시킬 수 있으므로, 확산시키기 위해서 불필요하게 약액을 토출하는 것이 없다. 그 때문에, 약액을 절약할 수 있다.Further, after forming the liquid reservoir PD in the central portion of the substrate W, when the vortex-shaped chemical liquid film CF is formed, the chemical liquid in the liquid reservoir PD is dried. In this case, when the circular substrate is rotated at the second rotational speed (high-speed rotation), the liquid reservoir PD does not spread well, and the chemical film CF is formed in the central portion CT rather than the peripheral portion E of the circular substrate. It rises. However, since the liquid reservoir PD is formed after the vortex-shaped chemical film CF is formed, the liquid reservoir PD can be satisfactorily diffused without drying the chemical liquid in the liquid reservoir PD. . Since the chemical liquid can be diffused satisfactorily, there is no unnecessary discharging of the chemical liquid in order to diffuse it. Therefore, it is possible to save the chemical liquid.

또한, 약액의 액 고임부(PD)를 형성하지 않고, 제2 회전 속도(고속 회전)로 원형 기판을 회전시키면, 소용돌이 형상의 약액막(CF)의 소용돌이 모양이 남아 버린다. 소용돌이의 약액막(CF)을 형성한 후, 약액의 액 고임부(PD)를 형성하고, 액 고임부(PD)의 약액을 확산시키고 있다. 그 때문에, 소용돌이 모양을 남기지 않고 막 두께를 균일하게 할 수 있다.Further, when the circular substrate is rotated at a second rotational speed (high-speed rotation) without forming the liquid reservoir PD of the chemical liquid, the swirling shape of the chemical liquid film CF in a vortex shape remains. After the eddy chemical film CF is formed, a liquid reservoir PD of the chemical liquid is formed, and the chemical liquid in the liquid reservoir PD is diffused. Therefore, the film thickness can be made uniform without leaving a swirl pattern.

또한, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성할 때, 약액 노즐(4)은, 기판(W)의 주연부(E)로부터 기판(W)의 중심부(CT)를 향하여 기판(W)의 반경 방향으로 이동시키고 있다. 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성한 후, 약액 노즐(4)은, 기판(W)의 중심부(CT)의 상방에 위치한다. 그 때문에, 약액 노즐(4)은, 그대로, 액 고임부(PD)를 형성하는 동작을 할 수 있다. 즉, 약액의 액 고임부(PD)를 효율적으로 형성할 수 있다.In addition, when forming the vortex-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid nozzle 4 is in the radial direction of the substrate W from the peripheral portion E of the substrate W toward the central portion CT of the substrate W. Are moving to. After forming the vortex-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid nozzle 4 is positioned above the central portion CT of the substrate W. Therefore, the chemical liquid nozzle 4 can operate as it is to form the liquid reservoir PD. That is, the liquid reservoir PD of the chemical solution can be efficiently formed.

또한, 약액 노즐(4)로부터 약액을 토출하기 전에, 기판(W)을 회전시키고, 또한 용제 노즐(3)로부터 기판(W) 상에 용제를 토출함으로써, 기판(W) 상에 용제막(SF)을 형성하는 처리인 프리웨트 처리를 실행한다. 프리웨트 처리 없이 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성하고자 할 때, 토출한 약액이 약액 노즐(4)의 토출구(4a) 부근에서 덩어리가 되고, 기판(W)에 대해서 약액을 부착시키기 어려운 경우가 있다. 프리웨트 처리에 의해, 기판(W)에 대해서 약액을 부착시키기 쉽게 할 수 있다. 또한, 기판(W) 상의 용제막(SF)이 존재하는 부분에서 약액이 흐르기 쉬워진다.In addition, before discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4, the substrate W is rotated and the solvent is discharged onto the substrate W from the solvent nozzle 3, thereby forming a solvent film SF on the substrate W. The pre-wet process, which is a process of forming ), is executed. When trying to form a vortex-shaped chemical liquid film CF without pre-wet treatment, the discharged chemical liquid becomes agglomerated near the discharge port 4a of the chemical liquid nozzle 4, and it is difficult to attach the chemical liquid to the substrate W There is. By pre-wet treatment, it is possible to make it easier to adhere the chemical liquid to the substrate W. In addition, the chemical liquid tends to flow in the portion on the substrate W where the solvent film SF is present.

또한, 프리웨트 처리는, 기판(W)에 형성된 오목부(H)에 용제가 들어간 상태로 하고 있다. 오목부(H)에 용제가 들어가 있으므로, 약액과의 치환이 용이하다. 그 때문에, 오목부(H)로의 약액의 매입 부족(도 15 참조)을 방지할 수 있다.In addition, the pre-wet treatment is in a state in which a solvent enters the concave portion H formed in the substrate W. Since the solvent enters the recess (H), it is easy to replace it with the chemical solution. Therefore, insufficient embedding of the chemical solution into the concave portion H (refer to Fig. 15) can be prevented.

본 발명은, 상기 실시 형태에 한정되는 것은 없고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiment, and can be modified as follows.

(1) 상술한 실시예에서는, 도 2 (b)와 같이, 약액 노즐(4)의 토출구(4a)는 장방형이었다. 이것에 의해, 1회전으로 도포하는 면적을 증가시킬 수 있다. 그 때문에, 토출 시간의 단축 및 저회전으로, 액주를 안정화시킨 상태에서의 도포 동작이 가능하다. 그러나, 토출구(4a)는, 장방형에 한정되지 않는다. 예를 들면, 토출구(4a)는, 다각형, 정방형 등의 정다각형, 타원 및 원형이어도 된다.(1) In the above-described embodiment, as shown in Fig. 2(b), the discharge port 4a of the chemical liquid nozzle 4 was rectangular. Thereby, the area to be applied in one rotation can be increased. Therefore, the application operation in the state where the liquid column is stabilized is possible with a reduction in the discharge time and low rotation. However, the discharge port 4a is not limited to a rectangle. For example, the discharge port 4a may be a regular polygon such as a polygon or a square, an ellipse, and a circular shape.

(2) 상술한 실시예 및 변형예 (1)에서는, 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 형성할 때, 약액 노즐(4)은, 기판(W)의 주연부(E)로부터 기판(W)의 중심부(CT)를 향하여 기판(W)의 반경 방향으로 이동시키고 있었다. 그러나, 역방향으로 이동시켜도 된다. 즉, 약액 노즐(4)은, 기판(W)의 중심부(CT)로부터 기판(W)의 주연부(E)를 향하여 기판(W)의 반경 방향으로 이동시켜도 된다.(2) In the above-described embodiment and modified example (1), when forming the vortex-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid nozzle 4 moves the substrate W from the peripheral portion E of the substrate W. It was moving toward the center CT in the radial direction of the substrate W. However, it may be moved in the reverse direction. That is, the chemical liquid nozzle 4 may be moved from the central portion CT of the substrate W toward the peripheral portion E of the substrate W in the radial direction of the substrate W.

이 경우, 소용돌이 형상으로 약액막(CF)을 형성한 후, 주연부(E)를 따라서 링 형상의 약액막(CF)을 형성한다(최종주). 이 후, 약액 노즐(4)을 기판(W)의 중심부(CT)의 상방으로 이동시키고, 기판(W)의 중심부(CT) 상에 액 고임부(PD)를 형성한다. 또한, 액 고임부(PD)를 형성하기 위해서, 약액 노즐(4)과는 별도(제2)의 약액 노즐(도시하지 않음)을 준비해도 된다. 이것에 의해, 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 형성한 후, 중심부(CT)의 상방으로 미리 이동시켜 놓은, 제2의 약액 노즐로부터 약액을 토출하고, 시간을 두지 않고 바로 액 고임부(PD)를 형성할 수 있다.In this case, after forming the chemical liquid film CF in a vortex shape, a ring-shaped chemical liquid film CF is formed along the periphery E (last note). After that, the chemical liquid nozzle 4 is moved above the central portion CT of the substrate W, and a liquid reservoir PD is formed on the central portion CT of the substrate W. Further, in order to form the liquid reservoir PD, a separate (second) chemical liquid nozzle (not shown) from the chemical liquid nozzle 4 may be prepared. Thereby, after forming the vortex-shaped and ring-shaped chemical liquid film CF, the chemical liquid is discharged from the second chemical liquid nozzle, which has been previously moved above the center CT, and the liquid is immediately liquid-resolved without taking time. Pregnancy (PD) can be formed.

액 고임부(PD)의 형성 후, 기판(W)을 고속 회전시킴으로써, 액 고임부(PD)의 약액을 확산시켜 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 덮게 한다. 또한, 본 변형예의 경우, 클리어런스(CL), 기판(W)의 회전 속도, 및 약액 노즐(4)의 이동 속도 등의 조건은, 상술한 실시예와 동일하다.After the formation of the liquid reservoir PD, the substrate W is rotated at a high speed to diffuse the chemical liquid in the liquid reservoir PD to cover the swirl-shaped and ring-shaped chemical liquid film CF. In the case of this modification, conditions such as clearance CL, rotational speed of the substrate W, and movement speed of the chemical liquid nozzle 4 are the same as those of the above-described embodiment.

(3) 상술한 실시예 및 각 변형예에서는, 약액 노즐(4)의 선단면(4c)과 기판(W)의 표면 사이의 클리어런스(CL), 기판(W)의 회전 속도, 및 약액 노즐(4)의 이동 속도 등의 조건을 변화시켜 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 형성시키고 있었다. 그러나, 필요에 따라서, 몇 개의 조건을 변화시키지 않아도 된다. 즉, 클리어런스(CL), 기판(W)의 회전 속도, 및 약액 노즐(4)의 이동 속도 중 적어도 1개를, 약액 노즐(4)의 이동에 수반하여 변화시키고, 소용돌이 형상 및 링 형상의 약액막(CF)을 형성시켜도 된다.(3) In the above-described embodiment and each modification, the clearance CL between the front end surface 4c of the chemical liquid nozzle 4 and the surface of the substrate W, the rotational speed of the substrate W, and the chemical liquid nozzle ( Conditions such as the moving speed of 4) were changed to form a vortex-shaped and ring-shaped chemical liquid film (CF). However, it is not necessary to change several conditions as necessary. That is, at least one of the clearance CL, the rotational speed of the substrate W, and the moving speed of the chemical liquid nozzle 4 is changed with the movement of the chemical liquid nozzle 4, and the vortex shape and the ring-shaped chemical liquid A film CF may be formed.

(4) 상술한 실시예 및 각 변형예에서는, 고점도의 약액으로서, 수지를 이용하고 있었다. 그러나, 포토레지스트 등의 레지스트, 접착제, 또는 SOG(Spin on Glass) 등의 평탄화 막 형성용 약액을 이용해도 된다.(4) In the above-described examples and each modified example, resin was used as a high-viscosity chemical liquid. However, a resist such as a photoresist, an adhesive, or a chemical solution for forming a planarization film such as SOG (Spin on Glass) may be used.

(5) 상술한 실시예 및 각 변형예에서는, 유지 회전부(2)는, 기판(W)을 회전시키고 있었다. 그러나, 용제 노즐 이동 기구(21)는, 기판(W)에 대해서 용제 노즐(3)을 회전축(AX1) 주위에 회전시켜도 된다. 또한, 약액 노즐 이동 기구(23)는, 기판(W)에 대해서 약액 노즐(4)을 회전축(AX1) 주위에 회전시켜도 된다.(5) In the above-described embodiment and each modified example, the holding rotation unit 2 rotates the substrate W. However, the solvent nozzle moving mechanism 21 may rotate the solvent nozzle 3 around the rotation axis AX1 with respect to the substrate W. Further, the chemical liquid nozzle moving mechanism 23 may rotate the chemical liquid nozzle 4 around the rotation shaft AX1 with respect to the substrate W.

(6) 상술한 실시예 및 각 변형예에서는, 용제 노즐 이동 기구(21)는, 용제 노즐(3)을 이동시키고, 약액 노즐 이동 기구(23)는, 약액 노즐(4)을 이동시키고 있었다. 그러나, 유지 회전부(2)는, 용제 노즐(3) 또는 약액 노즐(4)에 대해서 기판(W)을 이동시켜도 된다.(6) In the above-described embodiment and each modification, the solvent nozzle moving mechanism 21 moved the solvent nozzle 3, and the chemical liquid nozzle moving mechanism 23 moved the chemical liquid nozzle 4. However, the holding rotation unit 2 may move the substrate W with respect to the solvent nozzle 3 or the chemical liquid nozzle 4.

(7) 상술한 실시예 및 각 변형예에서는, 액 고임부(PD)는, 소용돌이 형상의 약액막(CF) 상에 형성되었다. 그러나, 중심부(CT)의 바로 앞에서 소용돌이 형상의 약액막(CF)을 멈추고, 중심부(CT)의 상방으로 이동된 약액 노즐(4)로부터 약액을 토출시켜 액 고임부(PD)를 형성시켜도 된다. 즉, 액 고임부(PD)는, 소용돌이 형상의 약액막(CF) 상에 형성되지 않고, 직접 기판(W) 상에 형성시켜도 된다.(7) In the above-described embodiment and each of the modified examples, the liquid reservoir PD was formed on the vortex-shaped chemical liquid film CF. However, the vortex-shaped chemical liquid film CF may be stopped immediately in front of the center CT, and the liquid reservoir PD may be formed by discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 4 moved above the center CT. That is, the liquid reservoir PD may not be formed on the vortex-shaped chemical liquid film CF, but may be formed directly on the substrate W.

1: 도포 장치 2: 유지 회전부
3: 용제 노즐 4: 약액 노즐
4c: 선단면 21: 용제 노즐 이동 기구
23: 약액 노즐 이동 기구 37: 제어부
W: 원형 기판 H: 오목부
CT: 중심부 E: 주연부
PD: 액 고임부 SF: 용제막
CF: 약액막 CL: 클리어런스1: applicator 2: holding rotating part
3: solvent nozzle 4: chemical liquid nozzle
4c: tip surface 21: solvent nozzle moving mechanism
23: chemical liquid nozzle moving mechanism 37: control unit
W: circular substrate H: concave
CT: Central E: Peripheral
PD: liquid reservoir SF: solvent film
CF: chemical film CL: clearance

Claims

As a coating method for forming a chemical film on the circular substrate by supplying a high viscosity chemical liquid of 300 cP or more on a circular substrate,
By rotating the circular substrate at a first rotational speed, and discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle onto the circular substrate while moving the chemical liquid nozzle positioned above the circular substrate in the radial direction of the circular substrate, the A step of forming a vortex-shaped chemical liquid film almost entirely on a circular substrate, and
After forming the vortex-shaped chemical film, the chemical liquid is discharged from the chemical liquid nozzle to the central portion of the circular substrate, thereby forming a liquid reservoir of the chemical liquid in the central portion of the circular substrate;
After forming the liquid reservoir of the chemical solution, by rotating the circular substrate at a second rotation speed faster than the first rotation speed, the chemical liquid of the liquid reservoir is diffused to cover the vortex-shaped chemical film to cover the vortex shape. A coating method comprising the step of flattening the surface of the chemical liquid film.

The method according to claim 1,
When forming the vortex-shaped chemical film, the chemical liquid nozzle moves in a radial direction of the circular substrate from a peripheral portion of the circular substrate toward a central portion of the circular substrate.

The method according to claim 2,
Before performing the step of forming the vortex-shaped chemical liquid film, the circular substrate is rotated at the first rotational speed, and the movement of the chemical liquid nozzle is stopped, and is located above the peripheral portion of the circular substrate. And a step of forming a ring-shaped chemical liquid film along the periphery of the circular substrate by discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle onto the circular substrate.

The method according to claim 1 or 2,
Before discharging the chemical liquid from the chemical liquid nozzle, the circular substrate is rotated and the solvent is discharged onto the circular substrate from the solvent nozzle, thereby performing a pre-wet treatment, which is a process of forming a solvent film on the circular substrate. A coating method further provided.

The method of claim 4,
The coating method, wherein the pre-wet treatment is performed in a state in which a solvent enters a concave portion formed in the circular substrate.

The method according to claim 1 or 2,
A coating method, wherein the chemical liquid film of each peripheral in the swirl-shaped chemical liquid film does not have a gap with the chemical liquid film of an adjacent state in the radial direction.

The method according to claim 1 or 2,
When forming the vortex-shaped chemical liquid film, when the chemical liquid nozzle is positioned on the central side of the circular substrate rather than on the peripheral edge of the circular substrate, a clearance between the front end surface of the chemical liquid nozzle and the surface of the circular substrate is The coating method, characterized in that the clearance is made larger than the clearance at a position on the peripheral portion side.

The method according to claim 1 or 2,
When forming the vortex-shaped chemical liquid film, when the chemical liquid nozzle is positioned at the center side of the circular substrate rather than at the peripheral edge side of the circular substrate, the rotational speed of the circular substrate is set at the peripheral edge side. Application method, characterized in that faster than the rotational speed.