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KR102180089B1 - 플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법 - Google Patents

플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법 Download PDF

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KR102180089B1
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김선호
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Abstract

지지 기판 위에 희생막을 형성하고, 상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성한다. 그 이후에, 상기 플렉서블 기판 위에 다수의 화소들을 형성한다. 마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막으로부터 가스를 발생시키고, 상기 가스를 이용하여 상기 다수의 화소들이 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 희생막이 형성된 상기 지지 기판으로부터 분리한다.

Description

플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법{Method of manufacturing flexible substrate and method of manufacturing display device using the same}
본 발명은 플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 지지 기판 위에 플렉서블 기판을 제조하는 방법 및 이 방법을 이용하여 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
표시 장치 중에 플렉서블 기판을 포함하여 플렉서블 특성을 갖는 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 플렉서블 특성을 갖는 상기 표시장치는 사용자의 요구에 따라 유연하게 구부러질 수 있어, 사용자의 휴대성 및 사용의 편의성이 향상될 수 있다. 상기 플렉서블 기판으로는 플라스틱 기판 및 박막 형상의 금속 기판들이 있고, 상기 플라스틱 기판으로는 우수한 내열성 및 강도를 갖는 폴리이미드 기판이 주로 사용되고 있다.
한편, 상기 플렉서블 기판을 이용하여 표시 장치를 제조하는 경우에, 상기 플렉서블 기판의 평탄도를 확보하기 위하여 글라스 기판과 같은 지지 기판 상에 상기 플렉서블 기판을 배치하고, 상기 플렉서블 기판에 대해 박막 형성 공정들을 수행하여 상기 플렉서블 기판 위에 화소들을 형성한다. 그 이후에, 상기 화소들이 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리한다. 이 경우에, 상기 화소들이 형성되는 동안에, 상기 플렉서블 기판이 상기 지지기판과 강력하게 접착되어, 상기 플렉서블 기판을 상기 지지기판으로부터 분리하기가 용이하지 않을 수 있다.
본 발명의 일 목적은 플렉서블 기판을 용이하게 제조할 수 있는 플렉서블 기판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 플렉서블 기판의 제조 방법을 이용하여 표시장치를 용이하게 제조할 수 있는 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 플렉서블 기판을 제조하는 방법은 다음과 같다.
지지 기판 위에 희생막을 형성하고, 상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성한다. 그 이후에, 마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막으로부터 가스를 발생시키고, 상기 가스를 이용하여 상기 플렉서블 기판을 상기 희생막이 형성된 상기 지지 기판으로부터 분리한다.
본 발명의 실시예에서는, 상기 지지기판은 유리 기판일 수 있고, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판일 수 있고, 상기 희생막은 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 표시장치의 제조 방법은 다음과 같다.
지지 기판 위에 희생막을 형성하고, 상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성한다. 그 이후에, 상기 플렉서블 기판 위에 다수의 화소들을 형성한다. 마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막으로부터 가스를 발생시키고, 상기 가스를 이용하여 상기 다수의 화소들이 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 희생막이 형성된 상기 지지 기판으로부터 분리한다.
본 발명의 실시예에서는, 상기 지지기판은 유리 기판일 수 있고, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판일 수 있고, 상기 희생막은 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 지지기판 및 플렉서블 기판 사이에 희생막이 형성되고, 상기 희생막이 가열되어 방출되는 가스의 물리적인 힘을 이용하여 상기 플렉서블 기판은 상기 지지기판으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 기판을 상기 지지기판으로부터 분리하기 위하여 레이저빔을 상기 플렉서블 기판 및 상기 희생막 간의 계면에 조사하는 레이저 조사 공정을 생략할 수 있고, 이에 따라 상기 레이저 조사 공정에 소요되는 비용 및 시간이 절감될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 희생막은 마이크로웨이브의 에너지를 흡수하는 경향이 큰 탄화 규소를 포함할 수 있다. 따라서, 상기 지지기판, 상기 희생막 및 상기 플렉서블 기판이 순차적으로 적층된 구조물에 마이크로웨이브를 조사하더라도, 상기 지지기판, 상기 희생막 및 상기 플렉서블 기판 중 상기 희생막을 선택적으로 가열하기가 용이하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 2a 내지 도 2g들은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 기판의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 `제1`, `제2` 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 `위에` 또는 `상에` 있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 1을 참조하여 표시장치를 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다. 우선, 지지 기판 위에 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)를 포함하는 희생막을 형성한다(S10).
이 실시예에서, 상기 지지 기판은 글라스 기판일 수 있다. 또한, 상기 희생막은 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성될 수 있고, 이 경우에 상기 화학기상증착을 수행 시, 실란(SiH4) 및 메탄(CH4)을 포함하는 소오스 가스가 사용될 수 있다.
그 이후에, 상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성한다(S20). 이 실시예에서, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판일 수 있다. 상기 플렉서블 기판이 상기 폴리이미드 기판인 경우에, 상기 희생막 위에 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹 산(polyamic acid, PAA)을 제공하고, 상기 폴리아믹 산을 경화하여 상기 폴리이미드 기판이 형성될 수 있다.
그 이후에, 상기 지지 기판 위에 형성된 상기 플렉서블 기판 위에 화소부를 형성한다(S30). 상기 화소부는 다수의 화소들을 포함할 수 있다. 상기 표시장치가 유기전계발광 표시장치인 경우에, 상기 다수의 화소들 각각은 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 유기발광층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 표시장치는 액정표시장치일 수 있고, 이 경우에 상기 다수의 화소들 각각은 화소전극, 대향전극 및 상기 화소전극과 대향전극 사이에 배치된 액정층을 포함할 수 있다.
그 이후에, 마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막의 수소를 기화한다(S40). 이 실시예에서는, 상기 마이크로웨이브는 8GHz 내지 16GHz의 주파수를 가질 수 있고, 상기 마이크로웨이브가 상기 희생막 측에 조사되는 시간을 조절하여 상기 희생막은 약 400℃ 내지 약 500℃로 가열될 수 있다.
상기 희생막이 약 400℃ 내지 약 500℃로 가열되면, 상기 희생막에 함유된 수소가 기화되어 상기 희생막으로부터 가스가 방출된다. 보다 상세하게는, 상기 희생막이 가열되면, 상기 희생막에서 탈수소화 현상이 발생되고, 그 결과 상기 희생막에 함유된 탄화 규소로부터 탈리된 수소가 기화됨에 따라 상기 희생막으로부터 상기 가스가 방출될 수 있다.
그 이후에, 상기 가스를 이용하여 상기 화소부가 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리한다(S50). 보다 상세하게는, 상기 희생막으로부터 방출되는 상기 가스에 의해 상기 플렉서블 기판 및 상기 희생막 간의 결합력이 저하되고, 이에 따라 상기 화소부가 형성된 상기 플렉서블 기판은 상기 지지기판으로부터 용이하게 분리될 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 및 상기 화소부를 포함하는 상기 표시장치가 제조될 수 있다.
이하, 도 2a 내지 도 2g들을 참조하여 상기 표시장치의 제조 방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2g들은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.
도 2a를 참조하면, 지지 기판(10)을 준비하고, 상기 지지 기판(10)에는 셀영역(CA) 및 상기 셀영역(CA)의 외측에 에지 영역(EA)이 정의된다. 이 실시예에서는, 상기 지지 기판(10)은 글라스 기판일 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 지지 기판(10)의 재질에 한정되지는 않고, 예를 들면 다른 실시예에서는 상기 지지 기판(10)은 웨이퍼와 같은 단단한 다른 종류의 기판일 수도 있다.
상기 지지기판(10) 위에 예비 희생막(sacrificial layer, 20)을 형성한다. 보다 상세하게는 상기 예비 희생막(20)은 상기 셀영역(CA) 및 상기 에지영역(EA)에 대응하여 상기 지지기판(10) 위에 형성된다.
상기 예비 희생막(20)은 마이크로웨이브의 에너지를 흡수하는 무기 물질로 형성될 수 있다. 이 실시예에서는 상기 예비 희생막(20)은 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성될 수 있고, 상기 예비 희생막(20)은 상기 마이크로웨이브의 에너지를 흡수하여 가열될 수 있다.
이 실시예에서는 상기 예비 희생막(20)은 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)을 이용하여 형성될 수 있다. 이 실시예에서와 같이, 상기 예비 희생막(20)이 수소와 결합된 탄화 규소로 형성되는 경우에, 상기 화학기상증착에 사용되는 소오스 가스(30)는 실란(SiH4) 및 메탄(CH4)을 포함할 수 있다.
이 실시예에서는 상기 예비 희생막(20)에서 상기 수소의 중량%는 1wt% 내지 50wt%일 수 있다. 본 발명이 상기 예비 희생막(20)에서 상기 수소의 중량%에 크게 한정되지는 않으나, 상기 예비 희생막(20)에서 상기 수소의 중량%가 1wt% 미만인 경우에, 희생막(도 2f의 35)에 함유된 상기 수소가 가열되어 발생되는 가스(도 2f의 GS)의 양이 저하될 수 있다. 또한, 상기 예비 희생막(20)에서 상기 수소의 중량%가 50wt%를 초과하는 경우에, 상기 예비 희생막(20)에 함유된 탄화 규소의 중량%가 상대적으로 작아지므로, 상기 희생막이 마이크로웨이브(도 2f의 MW)의 에너지를 흡수하는 효율이 저하되어 상기 희생막을 가열하는 데 소요되는 시간이 증가될 수 있다.
도 2b 및 도 2c를 참조하면, 에지 영역(EA)에 대응하는 예비 희생막(도 2a의 20)의 일부를 부분적으로 제거하여 희생막(25)을 형성한다. 상기 예비 희생막이 패터닝되어 상기 희생막(25)이 형성되므로, 상기 희생막(25)은 상기 예비 희생막과 동일한 물질을 포함한다.
이 실시예에서, 상기 희생막(25)의 두께는 약 1마이크로미터 내지 약 30마이크로미터일 수 있다. 하지만, 본 발명의 상기 희생막(25)의 두께에 한정되지는 않고, 상기 희생막(25)은 플렉서블 기판(도 2g의 35) 및 지지 기판(도 2g의 10) 간의 결합력을 저하시키는 용도로 사용되므로, 상기 플렉서블 기판의 두께, 크기 또는 무게가 증가할수록 상기 희생막(25)의 두께는 증가될 수 있다.
그 이후에, 분사유닛(DP)을 이용하여 셀영역(CA) 및 에지 영역(EA)에 소오스 용액(SL)을 제공한다. 그 결과, 지지기판(30) 위에 상기 희생막(25)을 커버하는 제1 예비 기판(30)이 형성된다.
이 실시예에서는, 상기 소오스 용액(SL)은 폴리아믹 산(polyamic acid, PAA) 및 용매를 포함할 수 있고, 상기 분사 유닛(DP)을 포함하는 슬릿코팅장치 또는 상기 분사유닛(DP)을 포함하는 스핀코팅장치를 이용하여 상기 소오스 용액(SL)을 상기 지지기판(10) 측으로 제공할 수 있다.
그 이후에, 상기 제1 예비 기판(30) 측으로 열(HT)을 가하여 상기 예비 기판(30)으로부터 상기 용매를 제거한다. 그 결과, 상기 제1 예비 기판(30)이 경화되어 제2 예비 기판(31)이 형성된다.
도 2d를 참조하면, 제2 예비 기판(31) 위에 화소부(PXL)를 형성하고, 상기 화소부(PXL)를 커버하는 봉지막(40)을 형성한다. 보다 상세하게는, 상기 화소부(PXL)는 셀 영역(CA)에 대응하여 상기 제2 예비 기판(31) 위에 형성되고, 상기 봉지막(40)은 상기 셀 영역(CA) 및 주변영역(EA)에 대응하여 상기 화소부(PXL) 및 상기 제2 예비 기판(31) 위에 형성된다. 즉, 상기 셀 영역(CA)에서 상기 봉지막(40)은 상기 화소부(PXL)을 커버하고, 이와 동시에, 상기 주변영역(EA)에서 상기 봉지막(40)은 상기 화소부(PXL)의 측부를 커버하므로, 상기 화소부(PXL)는 상기 봉지막(40)에 의해 밀봉될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 화소부(PXL)는 다수의 화소들을 포함할 수 있고, 상기 다수의 화소들 각각은 애노드, 캐소드 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 유기발광층을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 다수의 화소들 각각은 화소 전극, 대향전극, 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재된 액정층을 포함할 수 있고, 이 경우에 상기 봉지막(40) 대신에 대향기판(미도시)이 제공될 수 있고, 상기 대향기판은 상기 에지영역(EA)에 형성된 실런트(미도시)에 의해 상기 제2 예비 기판(31)과 결합될 수 있다.
도 2d 및 도 2e를 참조하면, 에지 영역(EA)에 대응하는 제2 예비 기판(31)의 일부분을 제거하여 플렉서블 기판(35)을 형성하고, 상기 에지 영역(EA)에 대응하는 봉지막(40)을 제거하여 봉지부(45)를 형성한다.
따라서, 후술될 마이크로 웨이브를 이용하여 희생막(25)을 가열하기 이전에, 상기 에지 영역(EA)에서 상기 희생막(25)의 측부가 노출될 수 있고, 이에 따라 상기 희생막(25)이 가열됨에 따라 발생되는 가스(도 2f의 GS)가 외부로 배출될 수 있다.
도 2f 및 도 2g를 참조하면, 마이크로 웨이브(MW)를 이용하여 희생막(35)을 가열한다. 이 실시예에서와 같이, 지지기판(10)은 유리기판이고, 플렉서블 기판(35)이 폴리이미드 기판이고, 상기 희생막(35)이 수소와 결합된 탄화 규소를 포함하는 경우에, 상기 희생막(35)이 상기 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하는 양은 상기 지지기판(10) 및 상기 플렉서블 기판(35) 각각이 상기 마이크로 웨이브(MW)의 에너지를 흡수하는 양보다 크다. 따라서, 상기 마이크로 웨이브(MW)가 조사되는 동안에, 상기 지지기판(10), 상기 플렉서블 기판(35) 및 상기 희생막(25) 중 상기 희생막(25)이 선택적으로 용이하게 가열될 수 있다.
이 실시예에서는, 상기 희생막(25)이 약 400℃ 내지 약 500℃로 가열될 수 있도록 상기 마이크로 웨이브(MW)가 조사되는 시간이 제어될 수 있다.
상기 희생막(25)이 상기 마이크로 웨이브(MW)에 의해 가열되면, 상기 희생막(25)에서 탈수소화 현상이 발생되고, 그 결과 상기 희생막(25)에 함유된 탄화 규소로부터 탈리된 수소가 기화되어 상기 희생막(25)으로부터 가스(GS)가 방출될 수 있다. 따라서, 상기 가스(GS)에 의해 상기 플렉서블 기판(35) 및 상기 희생막(25) 간의 결합력이 저하될 수 있고, 이에 따라 화소부(PXL)가 형성된 상기 플렉서블 기판(35)은 상기 지지기판(10)으로부터 용이하게 분리될 수 있어 상기 플렉서블 기판(35) 및 상기 화소부(PXL)를 포함하는 표시장치(100)의 제조가 완성된다.
또한, 상기 희생막(25)이 가열되는 동안에, 상기 희생막(25)의 측부가 외부로 노출되어 상기 가스(GS)의 일부가 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 기판(35) 및 상기 희생막(25) 사이에 상기 가스(GS)가 채워져 상기 채워진 상기 가스(GS)의 압력이 상기 화소부(PXL)에 가해지는 것이 방지될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 기판의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 도 3을 설명함에 있어서, 앞서 설명된 구성 요소들에 대해서는 모순되지 않는 한, 전술된 개시 사항을 참조할 수 있다.
도 3을 참조하여 플렉서블 기판을 제조하는 방법을 설명하면 다음과 같다. 우선, 지지 기판 위에 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)를 포함하는 희생막을 형성한다(S110).
이 실시예에서, 상기 지지 기판은 글라스 기판일 수 있다. 또한, 상기 희생막은 화학기상증착(chemical vapor deposition)을 이용하여 형성될 수 있고, 이 경우에 상기 화학기상증착을 수행 시, 실란(SiH4) 및 메탄(CH4)을 포함하는 소오스 가스가 사용될 수 있다.
그 이후에, 상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성한다(S120). 이 실시예에서, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판일 수 있다. 상기 플렉서블 기판이 상기 폴리이미드 기판인 경우에, 상기 희생막 위에 폴리이미드의 전구체인 폴리아믹 산(polyamic acid, PAA)을 제공하고, 상기 폴리아믹 산을 경화하여 상기 폴리이미드 기판이 형성될 수 있다.
그 이후에, 마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막의 수소를 기화한다(S130). 이 실시예에서는, 상기 마이크로웨이브는 8GHz 내지 16GHz의 주파수를 가질 수 있고, 상기 마이크로웨이브가 상기 희생막 측에 조사되는 시간을 조절하여 상기 희생막은 약 400℃ 내지 약 500℃로 가열될 수 있다.
상기 희생막이 약 400℃ 내지 약 500℃로 가열되면, 상기 희생막에 함유된 수소가 기화되어 상기 희생막으로부터 가스가 방출된다. 보다 상세하게는, 상기 희생막이 가열되면, 상기 희생막에서 탈수소화 현상이 발생되고, 그 결과 상기 희생막에 함유된 탄화 규소로부터 탈리된 수소가 기화됨에 따라 상기 희생막으로부터 상기 가스가 방출될 수 있다.
그 이후에, 상기 가스를 이용하여 상기 플렉서블 기판을 상기 지지 기판으로부터 분리한다(S140). 보다 상세하게는, 상기 희생막으로부터 방출되는 상기 가스에 의해 상기 플렉서블 기판 및 상기 희생막 간의 결합력이 저하되고, 이에 따라 상기 플렉서블 기판은 상기 지지기판으로부터 용이하게 분리될 수 있어 상기 플렉서블 기판의 제조가 완성될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100: 지지 기판 CA: 셀영역
EA: 에지영역 25: 희생막
35: 플렉서블 기판 PXL: 화소부
45: 봉지부 100: 표시장치
GS: 가스 MW: 마이크로 웨이브

Claims (20)

  1. 지지 기판 위에 희생막을 형성하는 단계:
    상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    상기 플렉서블 기판 위에 다수의 화소들을 형성하는 단계;
    마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막으로부터 가스를 발생시키는 단계: 및
    상기 가스를 이용하여 상기 다수의 화소들이 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 희생막이 형성된 상기 지지 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 희생막은 상기 마이크로웨이브의 에너지를 흡수하는 무기 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 지지기판은 유리 기판이고, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판이고, 상기 희생막은 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 희생막이 상기 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하는 양은 상기 지지기판 및 상기 플렉서블 기판 각각이 상기 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하는 양보다 큰 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 희생막이 가열되는 동안에, 상기 희생막에 함유된 상기 수소가 기화되어 상기 가스가 발생되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 희생막은 400℃ 내지 500℃로 가열되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 희생막은 화학기상증착을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 화학기상증착은 실란(SiH4) 및 메탄(CH4)을 포함하는 소오스 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 희생막에서 상기 수소의 중량%는 1wt% 내지 50wt%인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판을 형성하는 단계는,
    상기 희생막 위에 폴리아믹 산(polyamic acid, PAA)을 포함하는 소오스 용액을 제공하는 단계; 및
    상기 희생막 위에 제공된 상기 소오스 용액을 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 희생막을 형성하는 단계는,
    상기 지지기판의 셀영역 및 상기 셀영역의 외측에 정의되는 에지 영역에 예비 희생막을 형성하는 단계; 및
    상기 에지 영역에 대응하는 상기 예비 희생막의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 상기 셀 영역 및 상기 에지 영역에 형성되어 상기 희생막을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 마이크로 웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하기 이전에, 상기 에지 영역에 대응하는 상기 플렉서블 기판의 일 부분을 제거하여 상기 희생막을 부분적으로 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
  14. 지지 기판 위에 희생막을 형성하는 단계:
    상기 희생막 위에 플렉서블 기판을 형성하는 단계;
    마이크로웨이브를 이용하여 상기 희생막을 가열하여 상기 희생막으로부터 가스를 발생시키는 단계: 및
    상기 가스를 이용하여 상기 플렉서블 기판을 상기 희생막이 형성된 상기 지지 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 희생막은 상기 마이크로 에너지를 흡수하는 무기 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 지지기판은 유리 기판이고, 상기 플렉서블 기판은 폴리이미드(polyimide) 기판이고, 상기 희생막은 수소와 결합된 탄화 규소(silicon carbide, SiC)로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 희생막이 상기 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하는 양은 상기 지지기판 및 상기 플렉서블 기판 각각이 상기 마이크로 웨이브의 에너지를 흡수하는 양보다 큰 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 희생막이 가열되는 동안에, 상기 희생막에 함유된 상기 수소가 기화되어 상기 가스가 발생되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 희생막은 실란(SiH4) 및 메탄(CH4)을 포함하는 소오스 가스를 이용하는 화학기상증착으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
  20. 제 14 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판을 형성하는 단계는,
    상기 희생막 위에 폴리아믹 산(polyamic acid, PAA)을 포함하는 소오스 용액을 제공하는 단계; 및
    상기 희생막 위에 제공된 상기 소오스 용액을 경화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판의 제조 방법.
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