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KR102148857B1 - 표시장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR102148857B1
KR102148857B1 KR1020140105807A KR20140105807A KR102148857B1 KR 102148857 B1 KR102148857 B1 KR 102148857B1 KR 1020140105807 A KR1020140105807 A KR 1020140105807A KR 20140105807 A KR20140105807 A KR 20140105807A KR 102148857 B1 KR102148857 B1 KR 102148857B1
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Abstract

기판; 상기 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막; 상기 화소영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치된 박막 봉지층; 상기 화소정의막과 중첩되며, 상기 박막 봉지층 상에 배치된 금속 패턴; 및 상기 박막 봉지층 및 상기 금속 패턴 상에 배치된 다층 박막층을 포함하는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치 및 그 제조 방법 {DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 콘트라스트 및 시인성을 향상시키고 공정 효율을 높이는 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가 받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상이 표시된다.
최근 평판 표시 장치가 경량화 및 박형화 됨에 따라, 사용자가 야외에서 평판 표시 장치를 통하여 화상을 보는 경우가 늘고 있다. 사용자가 야외에서 평판 표시 장치를 사용할 경우, 평판 표시 장치에 햇빛이 반사되어 콘트라스트 및 시인성이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 유기 발광 표시 장치의 일면에 원형 편광자를 배치하고 있다. 그러나 원형 편광자는 유기 발광 표시 장치의 두께를 증가시키고, 추가적인 공정이 필요하다.
최근 유기 발광 표시 장치의 두께를 슬림화하면서도 외광 반사를 줄이는 금속 유전체 박막이 제안되고 있다. 그러나 금속 유전체 박막을 적용할 경우, 금속층의 두께가 매우 얇아 블랙 시인성이 낮아진다.
본 발명의 일 실시예는 화소정의막과 중첩하는 박막 봉지층 상에 금속 패턴을 형성한 표시장치를 제안하고자 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예는 산화 몰리브덴 박막, 레이저 및 물을 이용한 습식 식각 공정을 이용하여 금속 패턴을 형성하는 제조방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 기판; 상기 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막; 상기 화소영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치된 박막 봉지층; 상기 화소정의막과 중첩되며, 상기 박막 봉지층 상에 배치된 금속 패턴; 및 상기 박막 봉지층 및 상기 금속 패턴 상에 배치된 다층 박막층을 포함하는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다층 박막층은 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 포함하고, 상기 유전체층과 상기 금속층은 교대로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 상기 금속 패턴 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 산화규소(SiOx, x≥1), 질화규소(SiNx, x≥1), 플루오르화마그네슘(MgF2), 플루오르화칼슘(CaF2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화주석(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 산화아연(ZnO), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화니오비옴(Nb2O5), 산화하프늄(HfO2), 산화티타늄(TiO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속층은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 철(Fe), 마그네슘(Mg) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 유기막과 상기 무기막은 교대로 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 캐핑층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 제1 전극, 화소영역을 정의하는 화소정의막, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계; 상기 박막 봉지층 상에 몰리브덴 박막을 도포하는 단계; 상기 몰리브덴 박막 상에 산화 몰리브덴(Mo0x) 박막을 도포하는 단계; 상기 화소영역과 중첩하는 상기 산화 몰리브덴 박막 상에 레이저를 조사하여 상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막을 산화시키는 단계; 및 산화된 상기 몰리브덴 박막 및 상기 산화 몰리브덴 박막을 습식 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 물(H2O)을 이용하여 산화된 상기 몰리브덴 박막 및 상기 산화 몰리브덴 박막을 습식 식각할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 산화된 몰리브덴 박막은 Mo0x이며, 상기 X는 X>2의 범위를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층 상에 다층 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다층 박막층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 교대로 적층할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 교대로 적층할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 제1 전극, 화소영역을 정의하는 화소정의막, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계; 상기 박막 봉지층 상에 몰리브덴 박막을 도포하는 단계; 상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막에 산소(O2)를 이온 주입하여 상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막을 산화시키는 단계; 및 산화된 상기 몰리브덴 박막을 습식 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 물(H2O)을 이용하여 산화된 상기 몰리브덴 박막을 습식 식각할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 산화된 몰리브덴 박막은 Mo0x이며, 상기 X는 X>2의 범위를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층 상에 다층 박막층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 다층 박막층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 교대로 적층할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 교대로 적층할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 화소정의막과 중첩하는 박막 봉지층 상에 금속 패턴을 형성하여 외광 반사를 억제하고 야외시인성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 표시장치의 제조방법은 일반적인 포토 리소그래피 공정을 최소화할 수 있어 공정 효율이 높아지고, 박막 봉지층의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 액정표시장치일 수 있다. 이하에서는 표시장치는 유기발광 표시장치인 것을 전제로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(111), 박막 봉지층(300) 및 실링 부재(600)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 기판(111)이 박막 봉지층(300)이 아닌 밀봉 기판 등에 의해 밀봉 되는 것도 가능함은 물론이다.
기판(111)은, 발광에 의해 표시가 이루어지는 표시 영역(DA)과, 이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)에 유기 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 박막 트랜지스터 및 배선 등이 형성된다. 비표시 영역(NDA)은, 유기 발광 소자를 발광시키는 외부 신호를 제공 받아 이를 유기 발광 소자에 전달하는 복수의 패드 전극(미도시) 등이 형성된 패드 영역(PA)을 포함한다.
도 2 및 도3을 참조하여, 본 실시예의 표시 영역(DA)을 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(도 1의 참조부호 DA, 이하 동일)의 각 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명 및 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 영역은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 기판(111), 기판(111)에 정의된 복수의 화소 각각에 형성된, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다. 그리고, 기판(111)은, 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 이 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.
여기서, 각 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(70)는, 제1 전극(710)과, 이 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 이 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 각 화소마다 하나 이상씩 형성되므로 기판(111)은 서로 이격된 복수의 제1 전극들(710)을 가진다.
여기서 제1 전극(710)이 정공 주입 전극인 양극(애노드)이며, 제2 전극(730)이 전자 주입 전극인 음극(캐소드)이 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 또한, 제1 전극(710)은 화소 전극이고, 제2 전극(730)은 공통 전극이다.
유기 발광층(720)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 절연층(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 유지전극(158, 178)을 포함한다. 여기서, 절연층(160)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에 축적된 전하와 한 쌍의 유지전극(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는, 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173), 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176), 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)는 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 제1유지전극(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 제1유지전극(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제2유지전극(178)은 각각 공통 전원 라인(172)에 연결된다.
구동 드레인 전극(177)이 드레인 접촉구멍(contact hole)(181)을 통해 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)에 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다.
공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스윙칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광한다.
도 2와 함께 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치(100)의 구조를 더욱 설명한다.
도 3에 유기 발광 소자(70), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)이 도시되어 있으므로, 이를 중심으로 설명한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 및 드레인 전극(173, 174)은 각기 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 및 드레인 전극(176, 177)과 동일한 적층 구조를 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 기판(111)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니므로, 기판(111)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.
기판(111) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 버퍼층(120)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그러나 이러한 버퍼층(120)이 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(111)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성하지 않을 수도 있다.
버퍼층(120) 위에 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나인 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(132) 위에 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소(SiNx), 및 산화 규소(SiO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화 규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막으로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예1에서, 게이트 절연막(140)이 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(155), 게이트 라인(도 1의 참조부호 151), 제1 유지전극(158)이 형성된다. 이때, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 구체적으로 채널 영역(135)과 중첩 형성된다. 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)을 형성하는 과정에서 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)에 불순물을 도핑할 때 채널 영역(135)에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(155)과 제1유지 전극(158)은 서로 동일한 층에 위치하며, 실질적으로 동일한 금속 물질로 형성된다. 이때, 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다. 일례로, 게이트 전극(155) 및 제1유지전극(158)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 구동 게이트 전극(155)을 덮는 절연층(160)이 형성된다. 상기 절연층(160)은 층간 절연층일 수 있다. 절연층(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)과 절연층(160)은 구동 반도체층(132)의 소스 및 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍을 구비한다.
표시 영역(DA)에 절연층(160) 위에 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)이 형성된다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 접촉구멍을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
구체적으로, 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172)과 제2 유지전극(178)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 상기 다중막 구조의 예로, 크롬 또는 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 상부막으로 된 이중막, 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 중간막과 몰리브덴(합금) 상부막으로 된 삼중막을 들 수 있다.
구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)은 상기 설명한 재료 이외에도 여러 가지 다양한 도전재료에 의하여 형성될 수 있다.
이에 의해, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 그러나 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며, 다양한 구조로 변형 가능하다.
절연층(160) 상에 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 등을 덮는 보호막(180)이 형성된다. 보호막(180)은 폴리아크릴계, 폴리이미드계 등과 같은 유기물로 이루어질 수 있다. 보호막(180)은 평탄화막일 수 있다.
보호막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 으로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나로 만들어질 수 있다.
보호막(180)은 구동 드레인 전극(177)을 드러내는 드레인 접촉구멍(181)을 구비한다.
보호막(180) 위에 제1 전극(710)이 형성되고, 이 제1 전극(710)은 보호막(180)의 드레인 접촉구멍(181)을 통해 구동 드레인 전극(177)에 연결된다.
보호막(180)에 제1 전극(710)을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. 이 화소 정의막(190)은 제1 전극(710)을 드러내는 개구부(199)를 구비한다.
즉, 제1 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부(199)에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
또한, 화소정의막(190)은 감광성 유기재료 또는 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 화소정의막(190)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), PSPI(Photo sensitive polymide), PA(Photo sensitive acryl), 감광 노볼락 레진(Photo sensitive Novolak resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위에 유기 발광층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 상에 제2 전극(730)이 형성된다.
이와 같이, 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
제1 전극(710)과 제2 전극(730) 중 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치(900)는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
투명한 도전성 물질로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide)으로 이루어진 그룹 중에서 선택한 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다. 반사형 물질로 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(720)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layeer, HIL), 정공 수송층(hole transpoting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 일례로 정공 주입층이 양극인 제1 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
본 실시예에서 유기 발광층(720)이 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에만 형성되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광층(720)중 적어도 하나 이상의 막이, 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위 뿐만 아니라 화소 정의막(190)과 제2 전극(730) 사이에도 배치될 수 있다. 좀더 구체적으로, 유기 발광층(720)의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 오픈 마스크(open)에 의해 개구부(199) 이외의 부분에도 형성되고, 유기 발광층(720)의 발광층이 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM)를 통해 각각의 개구부(199)마다 형성될 수 있다.
한편, 본 발명이 액정표시장치인 경우, 제1 전극(710)은 드레인 접촉구멍(181)을 통하여 구동 드레인 전극(177)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 구동 드레인 전극(177)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1 전극(710)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 제2 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 제1 전극(710)과 제2 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
한편, 박막 봉지층(300) 형성 전 유기발광소자(70)를 보호하고, 아울러 박막 봉지층(300) 형성과정에서 유기발광소자(70)가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 제2 전극(730) 상에 캐핑층(capping layer; 200)을 배치 한다. 물론, 캐핑층(200)은 생략 가능하고, 캐핑층(200) 대신 박막 봉지층(300)의 유기막(320)이 배치될 수 있다.
캐핑층(200)은 유기발광소자(70)에 악영향을 줄 수 있는 자외선을 차단시킬 수 있는 자외선 차단막으로 이루어질 수도 있다. 예컨대, 박막 봉지층(300) 형성과정에서 유기막(320)을 형성하기 위하여 자외선 조사를 하는 경우가 있다. 이 경우 자외선에 의하여 유기발광소자(70)가 손상되는 것을 방지하기 위하여 자외선 차단특성을 갖는 캐핑층(200)을 형성할 수 있다.
캐핑층(200)은 단일층으로 구성되나 2개 이상의 복층으로 형성될 수도 있다. 캐핑층(200)은 수분 또는 산소 차단 특성을 가질 수도 있다.
캐핑층(200) 상에 박막 봉지층(300)이 형성된다. 박막 봉지층(300)은 유기발광소자(70) 위에 직접 형성되어 구동 회로부와 유기 발광 소자를 밀봉시킨다.
박막 봉지층(300)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 2개 이상의 무기막들(310)과 2개 이상의 유기막들(320)로 이루어진다. 도3에서 3개의 무기막(310)과 2개의 유기막(320)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(300)을 구성하는 경우를 예로 들어 도시하였으나, 무기막(310)과 유기막(320)의 개수는 도시한 예에 한정되지 않는다.
무기막(310)은 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기막(320)은 에폭시, 아크릴레이트, 및 우레탄아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기막(310)은 표시부를 향한 수분과 산소의 침투를 억제하는 기능을 하고, 유기막(320)은 무기막(310)의 내부 스트레스를 완화시키거나 무기막(310)의 미세 크랙 및 핀홀 등을 채우는 기능을 한다.
박막 봉지층(300) 상에 외광 반사를 방지하는 다층 박막층(500)을 형성한다. 다층 박막층(500)은 금속 유전체 박막이다. 다층 박막층(500)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 2개 이상의 유전체층(510)과 2개 이상의 금속층(520)으로 이루어진다.
다층 박막층(500)은 광학적 소멸 간섭 현상과 금속층(520)에 의한 빛의 흡수 현상을 이용하여 외광 반사를 줄여준다. 따라서, 본 발명은 추가적인 원형 편광자 없이도 외광 반사를 줄일 수 있다. 광학적 소멸 간섭 현상이란 계면에서 반사된 빛들 상호간에 대략 180도 정도의 위상을 이루면서 반사 진폭이 같은 경우 서로 상쇄되는 현상을 말한다.
하지만, 이러한 광학적 소멸 간섭 현상을 전 파장영역에서 만족시키기는 어려우며, 따라서 일부의 빛은 소멸 간섭 조건에서 벗어나게 되어 완전히 상쇄되지 않게 된다. 이러한 빛은 흡수물질을 이용하여 흡수를 시키는 방법이 가장 바람직하다. 금속의 경우 빛을 흡수하는 물질이기 때문에 빛이 금속을 투과할 때 일부의 빛이 흡수될 수 있게 된다. 즉, 금속층(520)을 이용하는 경우, 반사된 빛을 가지고 소멸 간섭 현상을 이용할 뿐만 아니라 금속층(520)을 투과할 때 생기는 흡수 현상을 이용하여 소멸 간섭으로 완전히 상쇄되지 않은 외광의 빛을 흡수하게 된다.
예를 들면, 유전체층(510)의 두께 조절에 의하여 하부에 배치된 금속층(520)에서 반사된 외광의 빛은 상부에 배치된 금속층(520)에서 반사된 빛과 소멸 간섭된다. 또한, 소멸 간섭되지 않은 빛은 상부에 배치된 금속층(520)에서 흡수된다. 즉, 상부에 배치된 금속층(520)은 소멸 간섭으로 완전히 상쇄되지 않은 외광의 빛을 흡수한다.
유전체층(510)은 하부에 배치된 금속층(520)에서 반사된 빛과 상부에 배치된금속층(520)에서 반사된 빛의 상대위상이 180도 근처가 되도록 조절하는 역할을 한다. 일반적으로 유전체는 파장이 증가하면 굴절율이 작아지므로 이러한 현상은 전 파장 영역에서 소멸간섭을 유지하기 어렵게 한다. 따라서, 파장이 변함에 따라 굴절율 변화가 적은 유전체가 바람직하다.
상기와 같은 역할을 하기 위해, 유전체층(510)은 산화규소(SiOx, x≥1), 질화규소(SiNx, x≥1), 플루오르화마그네슘(MgF2), 플루오르화칼슘(CaF2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화주석(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 산화아연(ZnO), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화니오비옴(Nb2O5), 산화하프늄(HfO2), 산화티타늄(TiO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 적어도 하나를 포함한다.
금속층(520)은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 철(Fe), 마그네슘(Mg) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함한다. 상기와 같은 금속을 포함할 경우, 금속층(520)은 빛을 가시광 파장 전영역에서 효과적으로 흡수하거나 외광의 빛을 반사시킬 수 있다.
이와 같이 박막 봉지층(300) 상에 다층 박막층(500)을 형성할 경우, 원형 편광자에 비하여 표시장치는 슬림화될 수 있지만 콘트라스트(Contrast, 블랙 시인성)가 떨어지는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 화소정의막(190)과 중첩되며, 박막 봉지층(300) 상에 배치된 금속 패턴(400)을 포함한다.
금속 패턴(400)은 비발광영역에 해당하는 화소정의막(190) 위에 배치되고, 외광이 박막 트랜지스터(10,20)에 입사되는 것을 방지한다. 금속 패턴(400)은 비발광영역에서 외광의 빛을 흡수하면서 블랙(Black) 시인성(콘트라스트)을 더욱 높일 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 다층 박막층(500) 및 금속 패턴(400)을 배치함에 따라 외광 반사를 줄이면서 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
금속 패턴(400)은 광 흡수율이 높은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 금속 패턴(400)은 몰리브덴(Mo)을 포함한다. 본 발명의 금속 패턴(400)이 몰리브덴을 포함하는 이유는 후술할 제조방법에서 설명한다.
금속 패턴(400) 상에 유전체층(510)이 형성된다. 즉, 박막 봉지층(300) 상에 금속 패턴(400)이 형성되고, 금속 패턴(400)과 박막봉지층(300) 상에 다층 박막층(500)이 형성된다.
한편, 금속 패턴(400)은 일반적으로 포토 리소그래피 공정을 이용하여 형성된다. 포토 리소그래피 공정은 감광성 금속재료를 현상액으로 습식 식각하는 공정 및 감광성 금속재료를 경화시키는 소프트 베이크(Soft bake)와 하드 베이크(Hard bake) 공정을 포함한다. 상기와 같이 습식 식각 공정 또는 베이크 공정을 거칠 경우, 박막 봉지층(300)이 손상될 우려가 있다. 손상된 박막 봉지층(300)은 내부 유기발광소자(70)의 수명을 낮추는 원인이 된다.
따라서, 박막 봉지층(300)에 손상을 주지 않으면서 포토 리소그래피 공정을 단축시키는 금속 패턴(400) 공정이 필요하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시장치(100)의 제조방법은 레이저 조사 공정 및 물을 이용한 습식 식각 공정을 이용하여 금속 패턴(400)을 형성한다.
하기에서 도 4a 내지 도 4f를 참조하여 금속 패턴의 제조방법을 설명한다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 기판(111) 상에 제1 전극(710)을 형성한다. 기판(111) 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막(190)을 형성한다. 제1 전극(710) 상에 발광층(720)을 형성한다. 발광층(720) 상에 제2 전극(730)을 형성한다. 제2 전극(730) 상에 박막 봉지층(300)을 형성한다. 제1 전극(710) 부터 박막 봉지층(300)을 형성하는 공정은 기존 공지된 방법과 동일하게 형성한다.
박막 봉지층(300)의 무기막(310) 상에 몰리브덴(Mo) 박막(410)을 도포한다. 몰리브덴 박막(410)은 스퍼터(Sputter)를 이용한 스퍼터링 방법으로 증착될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 몰리브덴 박막(410) 상에 산화 몰리브덴(Mo0x, 420) 박막을 도포한다. 산화 몰리브덴 박막(420)은 산소(O2) 가스가 주입된 스퍼터(O2 reactive sputter)를 이용하여 스퍼터링 방법으로 증착될 수 있다. 산화 몰리브덴 박막(420)의 산화수는 2 초과이다. 즉, 산화 몰리브덴 박막(420)은 Mo0x 이며, X는 X>2의 범위를 갖는다. 이는 Mo02 의 경우 물에 녹지 않고, X가 2를 초과하는 산화 몰리브덴의 경우 물에 녹기 때문이다. 예를 들면, Mo03 은 물에 녹는다. 본 발명의 표시장치 제조방법은 물을 이용하여 식각 공정을 진행하므로 산화 몰리브덴(420) 박막의 산화수는 2를 초과해야 한다.
도 4c를 참조하면, 산소 디퓨젼(Diffusion) 공정을 진행한다. 레이저 조사 영역(31)에만 레이저를 조사하고, 레이저 미조사 영역(32)에 레이저를 조사하지 않는다. 레이저 조사 영역(31)은 발광 영역이자 금속 패턴(400)이 형성되지 않는 영역이다. 레이저 미조사 영역(32)은 비발광 영역이자 금속 패턴(400)이 형성되는 영역이다. 산화 몰리브덴 박막(420)에 레이저가 조사되는 경우, 산화 몰리브덴 박막(420)에 포함된 산소는 하부에 배치된 몰리브덴 박막(410)으로 확산된다.
도 4d를 참조하면, 물(H2O)을 이용한 습식 식각 공정을 진행한다. 몰리브덴 박막(410) 중 산소가 확산된 부분은 산화된 몰리브덴 박막(411)이 된다. 산화된 몰리브덴 박막(411)은 발광 영역과 중첩하고, 산소가 확산되지 않은 몰리브덴 박막(410)은 화소정의막(190)과 중첩한다. 산화 몰리브덴 박막(420) 및 산화된 몰리브덴 박막(411)은 물(H2O, 40)을 이용하여 습식 식각된다. 즉, 산화수가 2를 초과하는 산화 몰리브덴이 물(40)에 녹는 성질을 이용하여 산화 몰리브덴 박막(420) 및 산화된 몰리브덴 박막(411)을 습식 식각한다.
도 4e를 참조하면, 산화 몰리브덴 박막(420) 및 산화된 몰리브덴 박막(411)이 식각됨에 따라 금속 패턴(400)이 형성된다. 금속 패턴(400)은 화소정의막(190)과 중첩되는 영역에 형성된다.
도 4f를 참조하면, 금속 패턴(400) 및 박막 봉지층(300) 상에 다층 박막층(500)을 형성한다. 다층 박막층(500)을 형성하는 방법은 기존의 박막 봉지층(300)을 형성하는 방법과 동일하다.
상기와 같이 금속 패턴(400)을 형성함에 따라 박막 봉지층(300)의 손상이 방지된다. 즉, 기존의 포토 리소그래피 공정과 달리 화학 물질이 첨가된 현상액이 사용되지 않음에 따라 박막 봉지층(300)의 손상이 방지된다.
또한, 기존의 화학 물질을 이용한 식각 공정, 현상 공정 및 베이킹 공정 등이 생략되고, 산소 디퓨젼 공정 및 물을 이용한 습식 식각 공정으로 단순화된다. 따라서, 본 발명의 금속 패턴 제조방법은 공정 효율을 향상시킨다.
하기에서 도 5a 내지 도 5c를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 패턴(400)의 제조방법을 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 패턴(400)의 제조방법과 동일한 제조 단계는 설명을 생략한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 5a 를 참조하면, 산소 디퓨젼 공정을 진행한다. 제1 전극(710)부터 몰리브덴 박막(410)까지 형성하는 공정은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법과 동일하다. 몰리브덴 박막(410)을 형성한 뒤, 이온 주입 영역(33)에 이온(50)을 주입한다. 이온은 산소이다. 즉, 산화 몰리브덴 박막을 따로 형성하지 않고, 이온 주입 영역(33)에 해당하는 몰리브덴 박막(410)에 산소를 주입한다. 이온 주입 영역(33)은 발광 영역에 해당하고, 이온 미주입 영역(34)은 비발광 영역이자 화소정의막(190)과 중첩하는 영역이다.
도 5b를 참조하면, 산소를 주입한 영역에 해당하는 몰리브덴 박막은 산화되어 산화된 몰리브덴 박막(411)이 된다. 몰리브덴 박막(410) 및 산화된 몰리브덴 박막(411)을 물을 이용하여 습식 식각한다.
도 5c를 참조하면, 산화된 몰리브덴 박막(411)이 물에 의하여 식각되어 금속 패턴(400)이 형성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 금속 패턴(400) 제조방법은 박막 봉지층(300)을 손상시키지 않으면서 공정 효율을 향상시킨다.
이상에서 설명된 표시장치 및 그 제조방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100: 유기 발광 표시 장치
10:스위칭 박막 트랜지스터 20:구동 박막 트랜지스터
31: 레이저 조사영역 32: 레이저 미조사영역
33: 이온 주입영역 34: 이온 미주입영역
40: 물 50: 이온
70: 유기발광소자 80:축전소자
111:기판 120:버퍼층
131:스위칭 반도체층 132:구동반도체층
135:채널영역 136:소스영역
137:드레인영역 140:게이트절연막
151:게이트 라인 152: 스위칭 게이트전극
155:구동 게이트전극 158:제1유지전극
160:절연층 171:데이터 라인
172:공통 전원 라인 173:스위칭 소스전극
174:스위칭 드레인전극 176:구동 소스전극
177:구동 드레인전극 178:제2유지전극
180:평탄화막 181:드레인 접촉구멍
190:화소정의막 199:개구부
200: 캐핑층 300: 박막 봉지층
310: 무기막 320: 유기막
400: 금속 패턴 410: 몰리브덴 박막
411: 산화된 몰리브덴 박막 420: 산화 몰리브덴 박막
500: 다층 박막층 510: 유전체층
520: 금속층 600: 실링재
710:제1 전극 720:유기발광층
730:제2 전극 L: 레이저

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막;
    상기 화소영역에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치된 박막 봉지층;
    상기 화소정의막과 중첩되며, 상기 박막 봉지층 상에 배치된 금속 패턴; 및
    상기 박막 봉지층 및 상기 금속 패턴 상에 배치된 다층 박막층을 포함하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 금속 패턴은 몰리브덴(Mo)을 포함하는 표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 다층 박막층은 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 포함하고, 상기 유전체층과 상기 금속층은 교대로 적층된 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 유전체층은 상기 금속 패턴 상에 배치된 표시장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 유전체층은 산화규소(SiOx, x≥1), 질화규소(SiNx, x≥1), 플루오르화마그네슘(MgF2), 플루오르화칼슘(CaF2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화주석(SnO2), 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 산화아연(ZnO), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화니오비옴(Nb2O5), 산화하프늄(HfO2), 산화티타늄(TiO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 금속층은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 철(Fe), 마그네슘(Mg) 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층은 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 포함하고, 상기 유기막과 상기 무기막은 교대로 적층된 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층과 상기 제2 전극 사이에 배치된 캐핑층을 더 포함하는 표시장치.
  9. 제1 전극, 화소영역을 정의하는 화소정의막, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 박막 봉지층 상에 몰리브덴 박막을 도포하는 단계;
    상기 몰리브덴 박막 상에 산화 몰리브덴(Mo0x) 박막을 도포하는 단계;
    상기 화소영역과 중첩하는 상기 산화 몰리브덴 박막 상에 레이저를 조사하여 상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막을 산화시키는 단계; 및
    산화된 상기 몰리브덴 박막 및 상기 산화 몰리브덴 박막을 습식 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 물(H2O)을 이용하여 산화된 상기 몰리브덴 박막 및 상기 산화 몰리브덴 박막을 습식 식각하는 표시장치의 제조방법.
  11. 제9 항에 있어서,
    산화된 상기 몰리브덴 박막은 Mo0x이며,
    상기 X는 X>2의 범위를 갖는 표시장치의 제조방법.
  12. 제9 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 다층 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 다층 박막층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 교대로 적층하는 표시장치의 제조방법.
  14. 제9 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 교대로 적층하는 표시장치의 제조방법.
  15. 제1 전극, 화소영역을 정의하는 화소정의막, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 기판 상에 박막 봉지층을 형성하는 단계;
    상기 박막 봉지층 상에 몰리브덴 박막을 도포하는 단계;
    상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막에 산소(O2)를 이온 주입하여 상기 화소영역과 중첩하는 상기 몰리브덴 박막을 산화시키는 단계; 및
    산화된 상기 몰리브덴 박막을 습식 식각하여 금속 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 금속 패턴을 형성하는 단계는 물(H2O)을 이용하여 산화된 상기 몰리브덴 박막을 습식 식각하는 표시장치의 제조방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    산화된 상기 몰리브덴 박막은 Mo0x이며,
    상기 X는 X>2의 범위를 갖는 표시장치의 제조방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층 상에 다층 박막층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시장치의 제조방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 다층 박막층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유전체층과 적어도 하나의 금속층을 교대로 적층하는 표시장치의 제조방법.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 적어도 하나의 유기막과 적어도 하나의 무기막을 교대로 적층하는 표시장치의 제조방법.
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