[go: up one dir, main page]

KR102145884B1 - 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법 - Google Patents

레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102145884B1
KR102145884B1 KR1020120152504A KR20120152504A KR102145884B1 KR 102145884 B1 KR102145884 B1 KR 102145884B1 KR 1020120152504 A KR1020120152504 A KR 1020120152504A KR 20120152504 A KR20120152504 A KR 20120152504A KR 102145884 B1 KR102145884 B1 KR 102145884B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
reticle
area
light
monitoring key
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120152504A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140082482A (ko
Inventor
안영식
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120152504A priority Critical patent/KR102145884B1/ko
Priority to US13/856,164 priority patent/US8977990B2/en
Publication of KR20140082482A publication Critical patent/KR20140082482A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102145884B1 publication Critical patent/KR102145884B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1313—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells specially adapted for a particular application
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2063—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam for the production of exposure masks or reticles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

노광 감시 키(exposure monitoring key)를 포함하는 레티클이 제공된다. 상기 레티클은 노광 공정에서 광에 노출되도록 의도된 노광 영역, 및 상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 의도된 비노광 영역을 포함한다. 상기 노광 감시 키는 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 배치된다.

Description

레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법{Reticle, exposing apparatus including the same, and exposing method}
본 발명은 레티클에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 노광 감시 키를 포함하는 레티클, 이를 포함하는 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 사회의 급속한 발전에 따라 다양한 디지털 기기들의 개발도 급속도로 이루어지고 있다. 이러한 디지털 기기들은 단순 조립 공정을 넘어서, 메모리/비메모리 반도체 칩과 평판 표시 장치 등과 같이 미세 패터닝(Micro Patterning) 공정을 통하여 제조되는 부품들을 포함한다. 특히, 디지털 기기의 개발 추세인 박형화, 소형화 및 대용량화를 위해서는 미세 패터닝 기술의 발전이 중요하다. 미세 패턴을 형성하기 위하여 널리 사용되고 있는 방법들 중 하나는 광을 이용한 포토리소그래피 방법이다.
포토리소그래피 방법에 따르면, 예컨대, 패터닝하고자 하는 막을 기판 상에 증착한 후, 증착된 막 상에 감광성을 가지는 포토레지스트(photoresist)를 도포하고, 구현하고자 하는 패턴이 제작되어 있는 레티클과 노광 장치를 이용하여 상기 포토레지스트 상에 광을 조사한 다음, 화학 반응을 이용하여 포토레지스트에 패턴을 형성하고, 다시 패터닝 형성된 포토레지스트를 이용하여 상기 막에 원하는 패턴을 형성할 수 있다. 이와 같은 포토리소그래픽 방법에서 중요한 공정 중 하나는, 레티클을 이용하여 광을 포토레지스트 상에 조사하는 노광 공정이다.
노광 공정을 수행하는 노광 장치는 스텝퍼(stepper) 방식 또는 스캔(scan) 방식을 주로 사용하고 있다.
스캔(scan) 방식은 기판과 레티클이 일정한 속도 비율을 가지고 반대 방향으로 움직이면서 노광을 수행하는 방식으로써, 기판 전체를 한 번에 노광할 수 있다는 장점을 갖는다.
스텝퍼 방식은 기판 상에 복수의 필드를 정의한 다음, 해당 필드에 축소 투영 렌즈의 노광 영역을 통해서 노광을 실시하고, 순차적으로 노광되지 않은 다음 필드로 이동하여 노광을 수행하는 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 방식이다. 스텝퍼 방식은 복수의 필드로 이루어지는 하나의 기판을 노광하기 위해서는 정렬 과정 및 노광 과정을 반복하여야 하므로 생산성이 떨어진다는 단점을 가지지만, 하나의 필드 전체에 대하여 한 개의 정렬 키(alignment key)가 검출되면 한 번의 노광으로 처리할 수 있어 층간 중첩 정밀도(overlay accuracy)가 높다는 장점을 갖는다. 또한, 스텝퍼 방식에서는 기판과 레티클이 정지된 상태에서 기판에 조사되는 광의 양을 조절할 수 있기 때문에, 더욱 정밀한 노광이 가능하다.
노광 장치에 의하여 노광 공정을 수행할 때, 노광 장치에 장착된 블라인드(Blind)는 광원으로부터 조사되는 광의 일정 부분을 차단하여, 레티클로 조사되는 광량과 광의 형태를 조절하는 역할을 수행한다. 그러나, 블라인드의 구동 모터의 문제, 차광 블레이드 감지 센서의 열화, 차광 블레이드의 휘어짐, 타이밍 벨트의 노화, 인코더 동작 이상, 구동 보드 이상 등의 다양한 이유로 수 마이크로에서 수천 마이크로 정도의 틀어짐이나 구동 헌팅(hunting)이 발생될 수 있다. 이 경우, 블라인드와 레티클 간의 오정렬로 인하여, 기판에 불량 패턴이 형성될 수 있지만, 매번 불량 패턴을 감지하기 위해서는 별도의 불량 검출 공정이 수행되어야 한다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로서, 블라인드와 레티클 간의 오정렬을 쉽게 판별할 수 있도록 노광 감시 키를 포함하는 레티클을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 레티클을 포함하는 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 상기 노광 방법을 이용한 평판 디스플레이 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클은 노광 공정에서 광에 노출되도록 의도된 노광 영역, 및 상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 의도된 비노광 영역을 포함한다. 상기 레티클은 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 배치되는 노광 감시 키(exposure monitoring key)를 포함한다.
상기 레티클의 일 특징에 따르면, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형일 수 있다. 상기 노광 감시 키는 상기 경계의 마주보는 두 변에 각각 배치될 수 있다.
상기 레티클의 다른 특징에 따르면, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형일 수 있다. 상기 노광 감시 키는 상기 경계의 네 변에 각각 배치될 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 영역은 타겟 패턴들이 배치된 패턴 영역을 포함할 수 있다. 상기 노광 감시 키의 일부는 상기 패턴 영역 바깥의 상기 노광 영역에 배치될 수 있다. 상기 노광 감시 키의 나머지 일부는 상기 비노광 영역에 배치될 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 공정에서 상기 레티클과 피노광 부재 간의 정렬을 위해 상기 노광 영역에 배치되는 얼라인 마크를 더 포함할 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 감시 키는 상기 경계에 대하여 대칭일 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 감시 키는 상기 광을 차단하는 양각 노광 감시 키이고, 상기 양각 노광 감시 키의 주변은 상기 광을 통과시킬 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 감시 키는 상기 광을 통과시키는 음각 노광 감시 키이고, 상기 음각 노광 감시 키의 주변은 상기 광을 차단할 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형일 수 있다. 상기 경계의 마주보는 두 변 중 한 변에 배치된 상기 노광 감시 키는 상기 광을 차단하는 양각 노광 감시 키일 수 있다. 또한, 상기 경계의 마주보는 두 변 중 다른 한 변에 배치된 상기 노광 감시 키는 상기 광을 통과시키는 음각 노광 감시 키일 수 있다.
상기 레티클의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 감시 키는 상기 노광 공정에서 실제로 노광된 실제 노광 영역이 상기 노광 영역으로부터 편향된 정도를 나타내는 눈금을 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치는 광원, 블라인드 및 레티클을 포함한다. 상기 광원은 노광 공정을 위해 광을 방출한다. 상기 레티클은 상기 광에 노출되도록 의도된 노광 영역, 상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 의도된 비노광 영역, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 배치되는 노광 감시 키(exposure monitoring key)를 포함한다. 상기 블라인드는 상기 광원과 상기 레티클 사이에 배치되고, 상기 광원으로부터 방출된 광의 일부만이 상기 노광 영역에 도달하도록 개방 영역을 포함한다.
상기 노광 장치의 일 특징에 따르면, 상기 블라인드는 제1 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제1 블레이드를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 개방 영역의 폭이 조절될 수 있다. 상기 레티클의 상기 노광 감시 키는 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제1 노광 감시 키를 포함할 수 있다.
상기 노광 장치의 다른 특징에 따르면, 상기 블라인드는 제2 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제2 블레이드를 더 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 개방 영역의 길이가 조절될 수 있다. 상기 레티클의 상기 노광 감시 키는 상기 한 쌍의 제2 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제2 노광 감시 키를 포함할 수 있다.
상기 노광 장치의 또 다른 특징에 따르면, 상기 노광 감시 키는 눈금을 포함할 수 있다. 상기 눈금은 상기 광이 상기 블라인드의 상기 개방 영역을 통과하여 실제로 상기 레티클에 도달한 실제 노광 영역이 상기 노광 영역으로부터 편향된 정도를 나타낼 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 방법에 따르면, 광원으로부터 광이 방출된다. 블라인드에 의해 상기 광원으로부터 방출된 상기 광의 제1 부분은 통과되고, 나머지 제2 부분은 차단된다. 상기 제1 부분의 광을 이용하여 레티클의 타겟 패턴들의 이미지 및 상기 레티클에 형성된 노광 감시 키의 일부의 이미지가 기판에 투영된다. 상기 레티클은 상기 광에 노출되도록 의도된 노광 영역, 상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 의도된 비노광 영역, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 배치되는 상기 노광 감시 키를 포함한다.
상기 노광 방법의 일 특징에 따르면, 상기 기판에 투영된 상기 노광 감시 키의 일부를 통하여, 상기 제1 부분의 광이 상기 레티클을 실제로 투과한 실제 노광 영역이 상기 노광 영역으로부터 편향된 정도가 판단될 수 있다.
상기 노광 방법의 다른 특징에 따르면, 상기 블라인드는 제1 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제1 블레이드를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 제1 부분의 광이 조절될 수 있다. 상기 노광 감시 키는 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제1 노광 감시 키를 포함할 수 있다. 상기 제1 부분의 광에 의해 상기 한 쌍의 제1 노광 감시 키의 일부의 이미지가 상기 기판에 투영될 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 평판 디스플레이 패널의 제조 방법에 따르면, 상기 노광 방법을 이용하여 기판의 노광이 수행된다.
본 발명의 레티클에 따르면, 블라인드와 레티클 간이 오정렬이 발생할 경우, 이를 손쉽게 발견할 수 있다. 따라서, 불량 패턴이 발생하였음에도 수정되거나 폐기되지 않고 후속 공정이 진행됨으로써 발생되는 비용의 낭비를 막을 수 있다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 채용될 수 있는 블라인드의 일 예에 따른 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 채용될 수 있는 블라인드의 다른 예에 따른 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 도 2a에 도시된 블라인드가 채용된 경우에 사용될 수 있는 일 예에 따른 레티클을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 도 2b에 도시된 블라인드가 채용된 경우에 사용될 수 있는 다른 예에 따른 레티클을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4a는 도 3a의 A부분을 확대하여 도시한 예시적인 도면이다.
도 4b는 도 3a의 B부분을 확대하여 도시한 예시적인 도면이다.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 감시 키의 형상을 도시한다.
도 6a 내지 도 6e는 도 5a에 도시된 노광 감시 키를 포함하는 레티클을 이용하여 포토리소그래픽 공정을 수행한 경우에, 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 편향된 정도에 따라 기판에 형성된 노광 감시 패턴을 도시한다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클 또는 노광 장치를 이용하여 제조될 수 있는 평판 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 아래에 제시되는 실시예들은 여러 다른 형태로 변형될 수 있고, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
첨부된 도면들을 설명하면서 유사한 구성요소에 대해 유사한 참조 부호를 사용한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확한 이해를 돕기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 오로지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것이며, 본 발명을 한정하려는 의도로 사용된 것이 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백히 다른 경우를 제외하고는 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 나열된 특징들의 존재를 특정하는 것이지, 하나 이상의 다른 특징들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서, 용어 "및/또는"은 열거된 특징들 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합들을 포함하기 위해 사용된다. 본 명세서에서, "제1", "제2" 등의 용어가 다양한 특징들을 설명하기 위하여 하나의 특징을 다른 특징과 구별하기 위한 의도로만 사용되며, 이러한 특징들은 이들 용어에 의해 한정되지 않는다. 아래의 설명에서 제1 특징이 제2 특징과 연결, 결합 또는 접속된다고 기재되는 경우, 이는 제1 특징과 제2 특징 사이에 제3 특징이 개재될 수 있다는 것을 배제하지 않는다. 또한, 제1 요소가 제2 요소 상에 배치된다고 기재될 때, 제3 요소가 제1 요소와 제2 요소 사이에 개재되는 것을 배제하지 않는다. 다만, 제1 요소가 제2 요소 상에 직접 배치된다고 기재될 때에는, 제3 요소가 제1 요소와 제2 요소 사이에 개재되는 것을 배제한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치(100)는 광원(110), 블라인드(120), 조명 광학계(130), 레티클(200)을 지지하는 레티클 지지대(140), 투영 광학계(150) 및 기판(160)을 지지하는 기판 지지대(170)를 포함한다.
광원(110)은 노광 공정을 위해 광을 방출할 수 있다. 블라인드(120)는 광원(110)으로부터 방출된 광의 일부분을 차단하고, 필요한 영역에만 광이 조사될 수 있도록 광의 일부만 통과시킬 수 있다. 조명 광학계(130)는 블라인드(120)를 통과한 광의 세기 및 광학적 성질을 조정할 수 있다.
레티클 지지대(140)는 상부의 레티클(200)를 지지할 수 있다. 레티클(200)은 기판(160) 표면의 포토레지스트로 전달되는 패턴을 정의하는 투명 영역과 불투명 영역을 포함할 수 있다.
투영 광학계(150)는 레티클(200)를 통과한 광을 기판(160) 상에 조사할 수 있다. 기판 지지대(170)는 기판(160)을 지지할 수 있다. 도시되지는 않았지만, 기판(160)의 상부에는 포토레지스트 물질이 도포될 수 있다. 포토레지스트 물질은 네거티브 포토레지스트 물질과 포지티브 포토레지스트 물질로 구분될 수 있다.
네거티브 포토레지스트 물질이 기판(160) 상에 도포될 경우, 광에 의해 노출된 부분은 경화되고, 광에 의해 노출되지 않은 부분은 현상 공정에서 제거될 수 있다. 네거티브 포토레지스트 물질이 사용된 경우, 기판(160) 상에는 레티클(200)의 패턴과 정반대의 패턴이 형성된다.
포지티브 포토레지스트 물질이 기판(160) 상에 도포될 경우, 광에 의해 노출된 부분은 현상 공정에서 제거될 수 있다. 포지티브 포토레지스트 물질이 사용된 경우, 기판(160) 상에는 레티클(200)의 패턴과 동일한 패턴이 형성된다.
광원(110)은 레티클(200)의 패턴을 기판(160)의 포토레지스트 위에 투사하고, 포토레지스트에 광화학 작용의 반응을 야기하기 위한 광을 제공할 수 있다. 포토레지스트의 노출이 진행되는 동안, 포토레지스트 재료에서 광화학 변형이 발생된다. 포토레지스트 재료는 특별한 파장의 광에 반응하며, 일반적으로 자외선(UV)이 레지스트를 노출하는데 사용된다. 그러나, 이것으로 한정되지 않고, X-ray, 전자빔, 이온빔과 같은 전자기파가 사용될 수도 있다. 광원(110)은 수은-크세논 가스의 관을 통해 전류가 지나감으로써 방전하는 아크를 생성하는 수은 아크 램프일 수 있다. 또한, 광원(110)은 248nm 이하의 DUV 파장의 광을 생성하기 위한 엑시머 레이저일 수 있다. 또한, 광원(110)은 미세 패턴을 형성하기 위하여 플라즈마를 이용한 EUV 광을 조사하는 광원일 수 있다.
블라인드(120)는 블라인드 지지대(125) 상에 설치될 수 있다. 블라인드(120)는 불필요한 광을 차단할 수 있다. 블라인드(120)는 광의 일부만을 통과시킬 수 있도록 개방 영역을 포함할 수 있다.
개방 영역은 크기가 조절될 수 있다. 노광 장치(100)는 스텝퍼 방식일 수 있으며, 기판(160) 상에서 노광 공정을 수행할 부분에 따라, 그 크기가 달라질 수 있다. 예컨대, 상기 개방 영역의 크기는 6개의 디스플레이 셀을 동시에 노광할 수 있는 크기로 조절되거나, 4개의 디스플레이 셀을 동시에 노광할 수 있는 크기로 조절될 수 있다. 디스플레이 셀들의 위치에 따라서도 개방 영역이 조절될 수 있다.
또한, 레티클(200)은 패턴이 형성된 하나의 패턴 영역을 포함할 수도 있지만, 복수의 패턴 영역들을 포함할 수도 있으며, 이러한 복수의 패턴 영역들 중 선택된 하나의 패턴 영역의 이미지가 기판(160) 상에 투영될 수도 있다. 이 경우, 선택된 하나의 패턴 영역에만 광이 조사되고, 그 주변의 다른 패턴 영역들에는 광이 조사되지 않아야 한다. 다른 패턴 영역들에 광이 조사되지 않도록 광원(110)으로부터 방출되는 광을 차단하는데 블라인드(120)가 이용될 수 있다. 또한, 레티클(200)에 형성되는 복수의 패턴 영역들의 크기는 모두 다를 수 있으며, 이를 위해 블라인드(120)의 개방 영역은 조절될 필요가 있다.
개방 영역의 조절을 위해 블라인드(120)는 차광을 위해 블레이드를 포함할 수 있으며, 블레이드는 블라인드 지지대(125)에 대해 이동되거나, 블라인드 지지대(125)에 고정될 수도 있다.
블라인드(120)를 통과한 광은 레티클(200) 상의 패턴이 형성된 영역 상에 조사되어야 한다. 이를 위해, 블라인드(120)와 레티클(200)은 정확히 정렬되어야 하지만, 블라인드(120)와 레티클(200) 간에 오정렬이 발생할 수 있다. 오정렬의 발생 여부를 판별하기 위해 추가 검사 공정이 요구될 수 있다.
조명 광학계(130)는 적어도 하나의 미러(미 도시) 및/또는 복수의 렌즈(미 도시)를 포함하며, 광원(110)으로부터 조사된 광을 전달하여 의도하는 조도 분포를 갖는 광이 레티클(200) 상에 입사되도록 한다. 도 1에서는 블라인드(120)를 통과한 평행광이 조명 광학계(130)에 입사한 후, 평행하게 레티클(200)에 전달되는 것으로 도시되어 있지만, 이는 개념적이며, 실제로는 더욱 복잡한 광 경로를 따라 광이 전달될 수 있다.
레티클(200)은 포토레지스트가 코팅된 기판(160)으로 전송되는 패턴 이미지를 갖는 투명한 판으로서, 레티클 지지대(140) 상에 탑재될 수 있다. 레티클(200)은 예컨대 쿼츠(Quartz) 기판 상에 형성된 금속 패턴을 포함할 수 있으며, 상기 금속 패턴은 기판(160)의 포토레지스트 물질에 형성할 패턴과 동일한 패턴이거나, 반전된 패턴일 수 있다.
레티클(200)은 패턴들(220)이 배치되는 패턴 영역을 포함할 수 있다. 패턴 영역은 한 번의 노광에 의해 기판(160) 상에 전사되는 패턴들(220)이 배치된 영역을 의미할 수 있다. 레티클(200)에 하나의 패턴 영역이 배치될 경우, 레티클(200)은 레티클 지지대(140) 상에 고정적으로 탑재될 수 있다.
레티클(200)에 복수의 패턴 영역들이 형성된 경우에는, 레티클(200)은 레티클 지지대(140)에 이동 가능하게 탑재될 수 있다. 기판(160)의 공정 위치에 대응하여 패턴 영역이 선택될 수 있으며, 레티클(200)은 레티클 지지대(140) 상에서 상기 패턴 영역이 노출될 수 있도록 이동될 수 있다. 이 경우, 블라인드(120)를 통과한 광이 상기 패턴 영역에 조사될 수 있도록 레티클(200)은 정확한 위치로 이동하여야 한다.
레티클(200)에는 노광 감시 키(210)와 패턴(220)이 형성될 수 있다. 패턴(220)은 기판(160)의 포토레지스트에 형성될 패턴에 대응하며, 기판(160)의 회로를 구현하는 구조적 요소들을 형성하기 위한 패턴들이다. 패턴(220)은 광에 의해 조사되어서 기판(160)에 전사되어야 하므로, 타겟 패턴으로 지칭될 수 있다.
노광 감시 키(210)는 블라인드(120)와 레티클(200) 간에 정렬이 잘 이루어졌는지를 쉽게 판단할 수 있도록 패턴(220)의 외곽부에 형성될 수 있다. 구체적으로, 레티클(200)은 광원(110)으로부터의 광에 의해 노출되도록 의도된 노광 영역과 상기 노광 영역을 둘러싸고 광에 의해 노출되지 않도록 의도된 비노광 영역을 포함할 수 있다. 노광 영역과 비노광 영역의 경계는 물리적으로 정해져 있지 않고 가상으로 정의될 수 있다. 패턴(220)은 기판(160)의 포토레지스트에 전사되어야 하므로, 노광 영역 내에 배치되어야 한다.
노광 감시 키(210)는 노광 영역과 비노광 영역의 경계에 배치될 수 있다. 노광 감시 키(210)는 상기 경계를 가로지르도록 배치될 수 있다. 특히, 노광 감시 키(210)의 중심은 상기 경계를 지나고, 노광 감시 키(210)는 상기 경계에 수직하게 연장될 수 있다.
노광 감시 키(210)의 일부는 블라인드(120)를 통과한 광에 의해 조사되고, 나머지 일부는 블라인드(120)에 의해 광의 조사가 차단될 수 있다. 블라인드(120)와 레티클(200)이 완벽하게 정렬된 경우, 블라인드(120)의 개방 영역을 통과한 광에 의해 실제로 조사되는 영역은 레티클(200)의 노광 영역과 정확히 일치할 수 있다. 이 경우, 노광 감시 키(210)의 중심이 노광 영역과 비노광 영역의 경계에 위치한다면, 노광 감시 키(210)의 절반만이 광에 의해 조사될 것이며, 기판(160)의 포토레지스트에는 상기 노광 감시 키(210)의 절반에 대응하는 패턴만이 형성될 것이다.
그러나, 블라인드(120)와 레티클(200)이 다소 오정렬될 수 있으며, 이 경우, 광에 의해 실제로 조사되는 실제 노광 영역은 레티클(200)의 노광 영역과 다소 어긋날 수 있다. 이 경우, 노광 감시 키(210)의 일부만이 광에 의해 조사될 것이며, 기판(160)의 포토레지스트에는 노광 감시 키(210)의 상기 일부에 대응하는 패턴만이 형성될 수 있다.
노광 감시 키(210)는 눈금을 포함할 수 있으며, 기판(160)의 포토레지스트에 노광 감시 키(210)의 일부에 대응하여 형성된 패턴을 통해, 실제 노광 영역과 레티클(200)의 노광 영역이 어긋난 정도를 쉽게 알 수 있다. 노광 감시 키(210)는 사람의 눈에 의해 감지될 수 있는 크기일 수 있으며, 작업자는 기판(160)의 포토레지스트에 형성된 상기 패턴을 통해 레티클(200)과 블라인드(120)의 오정렬 정도, 및 실제 노광 영역과 레티클(200)의 노광 영역이 어긋난 정도를 쉽게 파악할 수 있다. 작업자는 추가 공정 없이도 블라인드(120)가 레티클(200)과 오정렬이 발생하더라도 이 오정렬이 정상 범위 내인지를 쉽게 알 수 있다.
투영 광학계(150)는 레티클(200)을 통과한 광을 기판(160) 상에 전사되도록 할 수 있다. 구체적으로, 투영 광학계(150)는 적어도 하나의 미러(미 도시) 및/또는 복수의 렌즈(미 도시)를 포함할 수 있으며, 레티클(200)을 통과하여 타겟 패턴(220)의 이미지를 포함하는 광이 기판(160) 상에 전사될 수 있도록 할 수 있다. 투영 광학계(150)는 광을 축소하여 기판(160)의 포토레지스트 상에 결상되도록 할 수 있다.
기판(160)은 기판 지지대(170) 상에 지지될 수 있으며, 기판(160)은 구동부에 의해 기판 지지대(170) 상에서 기판 지지대(170)의 상부 표면을 따라 이동할 수 있다.
기판(160)은 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등과 같은 평판 표시 장치를 제조하기 위한 유리 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판일 수 있다. 또한, 기판(160)은 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 웨이퍼 기판일 수도 있다. 기판(160)은 피노광 부재로 지칭될 수 있다.
기판(160)은 복수의 노광 영역들을 포함할 수 있다. 노광 영역은 한 번의 노광 공정이 수행되는 영역을 지칭한다. 노광 영역은 하나의 디스플레이 셀에 대응할 수 있다. 또한, 노광 영역은 복수의 디스플레이 셀들을 포함할 수 있다. 예컨대, 노광 영역은 2행 3열의 디스플레이 셀들 또는 2행 2열의 디스플레이 셀들을 포함할 수도 있다. 노광 영역은 하나의 반도체 칩에 대응할 수 있다. 또한, 노광 영역은 복수의 반도체 칩들, 예컨대, 2행 2열의 반도체 칩들에 대응할 수 있다.
기판(160)의 해당 노광 영역에 대해 노광 공정이 수행된 경우, 다음 노광 영역이 노광될 수 있도록 기판(160)은 기판 지지대(170) 상에서 이동될 수 있다.
레티클 지지대(140)와 기판 지지대(170)는 독립적으로 구동이 가능하며, 필요에 따라 어느 하나만 이동하거나, 두 지지대(140, 170) 모두를 동시에 이동하는 것도 가능하다.
도 2a는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 채용될 수 있는 블라인드의 일 예에 따른 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a를 참조하면, 블라인드(120a)는 한 쌍의 이동 블레이드(121a)와 한 쌍의 고정 블레이드(122a)를 포함하며, 한 쌍의 이동 블레이드(121a)와 한 쌍의 고정 블레이드(122a)에 의해 개방 영역(123a)이 한정된다. 한 쌍의 이동 블레이드(121a)는 도 1의 블라인드 지지대(125)에 대하여 제1 방향을 따라 각각 독립적으로 이동될 수 있다. 한 쌍의 고정 블레이드(122a)는 도 1의 블라인드 지지대(125)에 고정될 수 있다.
개방 영역(123a)은 한 쌍의 고정 블레이드(122a)에 의해 높이가 고정되고, 한 쌍의 이동 블레이드(121a)에 의해 폭이 가변될 수 있다. 도 2a에서 제1 방향과 제2 방향은 서로 바뀔 수 있다.
도 2b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 채용될 수 있는 블라인드의 다른 예에 따른 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b를 참조하면, 블라인드(120b)는 한 쌍의 이동 블레이드(121b)와 한 쌍의 이동 블레이드(122b)를 포함하며, 한 쌍의 이동 블레이드(121b)와 한 쌍의 이동 블레이드(122b)에 의해 개방 영역(123b)이 한정된다. 한 쌍의 이동 블레이드(121b)는 도 1의 블라인드 지지대(125)에 대하여 제1 방향을 따라 각각 독립적으로 이동될 수 있다. 한 쌍의 이동 블레이드(122b)는 도 1의 블라인드 지지대(125)에 대하여 제2 방향을 따라 각각 독립적으로 이동될 수 있다.
개방 영역(123b)은 한 쌍의 이동 블레이드(121b)에 의해 폭이 가변되고, 한 쌍의 이동 블레이드(122b)에 의해 폭이 가변될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 도 2a에 도시된 블라인드가 채용된 경우에 사용될 수 있는 일 예에 따른 레티클을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3a를 참조하면, 레티클(200a)은 노광 영역(E)과 비노광 영역(NE)을 포함한다. 노광 영역(E)은 광이 조사되도록 설계된 영역이고, 비노광 영역(NE)은 광이 조사되지 않도록 설계된 영역이다. 노광 영역(E)과 비노광 영역(NE) 사이의 경계선(bl)이 도시된다. 경계선(bl)은 가상의 선일 수 있다. 경계선(bl)은 직사각형일 수 있다. 그러나, 이로 한정되지 않고, 다른 형상, 예컨대, 삼각형, 오각형, 육각형과 같은 다각형 또는 원형, 타원형일 수도 있다.
노광 영역(E)에는 기판(160)에 전사할 패턴들(220)이 형성될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 패턴(220)은 예컨대, 복수의 디스플레이 셀들 또는 복수의 반도체 칩들을 형성하기 위한 패턴들일 수 있다.
경계선(bl)의 제1 방향으로 마주보는 경계선들 상에는 노광 감시 키들(210)이 각각 배치될 수 있다. 즉, 도 3a에서 상측 경계선(bl)과 하측 경계선(bl) 상에는 각각 노광 감시 키들(210)이 배치될 수 있다.
도 2a를 참조로 앞에서 설명한 바와 같이, 이동 블레이드(121a)는 제1 방향을 따라 이동될 수 있기 때문에, 개방 영역(123a)의 제1 방향을 따르는 폭은 가변될 수 있다. 따라서, 개방 영역(123a)에 대응하여 광에 실제로 노출되는 실제 노광 영역이 노광 영역(E)과 일치하지 않을 수 있다. 특히, 이동 블레이드(121a)는 제1 방향을 따라 이동될 수 있으므로, 상기 실제 노광 영역은 상측, 하측, 좌측, 우측 경계선들(bl) 중에서 상측 경계선(bl)과 하측 경계선(bl)에서 노광 영역(E)과 어긋날 수 있다. 따라서, 노광 감시 키들(210)은 상측 및 하측 경계선들(bl) 상에 배치될 수 있다.
상측 경계선(bl) 상에 배치된 노광 감시 키(210)는 도 4a의 예를 참조하여 더욱 자세히 설명한다. 또한, 하측 경계선(bl) 상에 배치된 노광 감시 키(210)는 도 4b의 예를 참조하여 더욱 자세히 설명한다.
도 3b는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 장치에 도 2b에 도시된 블라인드가 채용된 경우에 사용될 수 있는 다른 예에 따른 레티클을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3b를 참조하면, 레티클(200b)은 도 3a의 레티클(200a)이 비교할 때, 좌측 및 우측 경계선들(bl) 상에도 노광 감시 키들(210)이 각각 배치된다는 점을 제외하고는 레티클(200a)와 동일하다. 차이점을 중심으로 설명한다.
노광 감시 키들(210)은 상측 및 하측 경계선들(bl)뿐만 아니라 좌측 및 우측 경계선들(bl) 상에도 배치된다. 도 2b에 도시된 블라인드(120b)는 4개의 이동 블레이드들(121b, 122b)을 포함하므로, 4개의 이동 블레이드들(121b, 122b)에 의해 한정되는 개방 영역(123b)은 제1 방향의 폭뿐만 아니라 제2 방향의 길이도 가변적이다. 따라서, 개방 영역(123b)에 대응하여 광에 실제로 노출되는 실제 노광 영역은 상측, 하측, 좌측, 우측 경계선들(bl) 모두에서 어긋날 수 있다. 노광 감시 키들(210)은 레티클(200b)과 블라인드(120b)이 어긋난 정도를 평가하기 위한 것이므로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 4개의 경계선들(bl) 상에 배치될 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 레티클(200a, 200b)은 레티클 전체의 일부일 수 있다. 예컨대, 전체 레티클은 복수의 노광 영역들을 포함할 수 있으며, 도 3a 및 도 3b에 도시된 레티클(200a, 200b)은 복수의 노광 영역들 중 하나의 노광 영역만을 도시한 것일 수 있다.
도 4a는 도 3a의 A부분을 확대하여 도시한 예시적인 도면이다.
도 4a를 참조하면, 레티클(200a)의 A부분은 노광 영역(E)의 좌측 상단의 모서리 부분이다. 그러나, 본 발명은 이로 한정되지 않으며, 노광 감시 키(210p)는 우측 상단 모서리 부분이나 상측 경계선(bl) 부분에 배치될 수도 있다.
도 4a에 도시된 레티클(200a)은 포지티브 방식의 레티클로 도시되지만, 이는 예시적이며, 네거티브 방식의 레티클에도 동일하게 적용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 또한, 도 4a에 도시된 레티클(200a)은 평판 디스플레이의 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 포토리소그래픽 공정에서 사용될 수 있는 레티클이다. 그러나, 이는 예시적이며, 다른 장치의 다른 구조 또는 동일 장치의 다른 구조를 형성하기 위한 레티클일 수도 있다.
도 3a와 마찬가지로, 노광 영역(E)과 비노광 영역(NE) 사이에 경계선(bl)이 가상으로 존재할 수 있다. 노광 감시 키(210p)는 상측 경계선(bl)에 중심이 지나도록 배치될 수 있다. 노광 감시 키(210p)는 불투명 영역으로 형성되는 양각 노광 감시 키일 수 있다. 즉, 패턴 부분은 불투명 영역이고, 이의 주변 부는 투명 영역일 수 있다.
노광 감시 키(210p)는 경계선(bl)을 중심으로 대칭일 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 노광 감시 키(210p)는 경계선(bl)에 수직한 방향으로 연장되는 부분과 이와 직교하는 눈금 부분들로 이루어질 수 있다. 노광 감시 키(210p)는 생선 가시 형상을 가질 수 있다. 도시되지는 않았지만, 눈금 부분들의 주변에는 경계선으로부터의 거리가 기재될 수 있다. 예컨대, 한 눈금은 250um의 간격을 나타낼 수 있다. 상기 수치는 예시적이다.
상술한 바와 같이, 노광 영역(E)에는 패턴들(220)이 배치될 수 있다. 도 4a에서는 배선을 형성하기 위한 패턴이 예시적으로 도시된다. 패턴들(220)의 주변에는 가드링 패턴(230)이 배치될 수 있다. 가드링 패턴(230)은 디스플레이 셀을 한정할 수 있으며, 정전기로부터 디스플레이 셀을 보호하기 위한 패턴일 수 있다. 가드링 패턴(230)은 생략될 수도 있다. 가드링 패턴(230)의 안쪽 영역은 패턴 영역으로 지칭될 수 있다.
노광 감시 키(210p)의 일부는 패턴 영역의 바깥의 노광 영역(E) 내에 위치하고, 노광 감시 키(210p)의 나머지 일부는 비노광 영역(NE)에 위치할 수 있다.
패턴 영역의 바깥의 노광 영역에는 얼라인 마크(240)가 배치될 수 있다. 얼라인 마크(240)는 레티클(200a)과 기판(160) 간의 정렬을 위해 제공될 수 있다. 도 4a에서 얼라인 마크(240)는 경계선(bl)의 모서리에 배치된 것으로 도시되어 있지만, 이는 예시적이며 다른 위치에 배치될 수 있다. 얼라인 마크(240)는 패턴 영역 내에 배치될 수도 있다.
다른 예에 따르면, 노광 감시 키(210p)와 얼라인 마크(240)는 통합될 수도 있다. 즉, 얼라인 마크(240)는 제거되고, 노광 감시 키(210p)의 일부를 얼라인 마크(240)로 사용할 수도 있다.
비노광 영역(NE)에는 테두리 부분(250)이 배치될 수 있다. 테두리 부분(250)은 불투명 영역으로 이루어질 수 있다. 테두리 부분(250)은 산란된 광으로 인한 기판(160)의 불필요한 경화를 방지할 수 있다.
도 4b는 도 3a의 B부분을 확대하여 도시한 예시적인 도면이다.
도 4b를 참조하면, 레티클(200a)의 B부분은 노광 영역(E)의 좌측 하단의 모서리 부분이다. 그러나, 본 발명은 이로 한정되지 않으며, 노광 감시 키(210n)는 우측 하단 모서리 부분이나 하측 경계선(bl) 부분에 배치될 수도 있다.
도 4b에 도시된 레티클(200a)은 포지티브 방식의 레티클로 도시되지만, 이는 예시적이다.
도 4a와 마찬가지로, 노광 영역(E)에는 패턴(220)과 가드링 패턴(230)이 배치될 수 있다. 또한, 비노광 영역(NE)에는 테두리 부분(250)이 배치될 수 있다.
도 4b에서 테두리 부분(250)은 도 4a의 상측 경계선(bl)과 테두리 부분(250) 사이의 공간에 대응하여, 하측 경계선(bl)의 안쪽으로 연장될 수 있다. 도 4b에는 얼라인 마크(240)가 도시되지 않았지만, 이는 예시적이며, 도 4b의 B부분에도 얼라인 마크가 배치될 수 있다.
노광 감시 키(210n)도 역시 하측 경계선(bl)에 중심이 지나도록 배치될 수 있다. 노광 감시 키(210n)는 투명 영역으로 형성되는 음각 노광 감시 키일 수 있다. 즉, 패턴 부분은 투명 영역이고, 이의 주변부는 불투명 영역일 수 있다. 음가 노광 감시 키(210n)는 양각 노광 감시 키(210p)와 동일한 형상을 가질 수 있다.
도 4b에는 음각 노광 감시 키(210n)가 도시되지만, 이는 예시적이며, 도 4b에도 양각 노광 감시 키(210p)가 배치될 수도 있다. 반대로 도 4a의 A 부분에도 음각 노광 감시 키(210n)가 배치될 수 있다.
도 5a 내지 도 5h는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 노광 감시 키의 형상을 도시한다.
도 5a 내지 도 5h에 도시된 노광 감시 키들은 양감 노광 감시 키인 것으로 도시되었지만, 이는 예시적이며, 음각 노광 감시 키일 수도 있다.
도 5a를 참조하면, 노광 감시 키(210a)가 도시된다. 노광 감시 키(210a)는 도 4a에 도시된 노광 감시 키와 동일하게, 생선 가시 형상을 가질 수 있다. 노광 감시 키(210a)는 경계선(bl)을 중심으로 대칭이고, 경계선(bl)에 수직 방향으로 연장되는 길이 부분과 경계선(bl)과 평행한 방향으로 연장되는 눈금 부분들을 포함할 수 있다. 눈금 부분들의 길이는 동일하게 도시되어 있지만, 다를 수도 있다.
눈금 부분 중 가운데에 위치한 눈금은 경계선(bl)을 표시하기 위한 부분일 수 있다. 눈금 부분 중 두 번째와 네 번째 눈금은 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 편향된 정도가 정상 범위 내에 속한다는 것을 나타내기 위한 부분일 수 있다. 눈금 부분 중 첫 번째와 마지막 눈금은 노광 감시 키의 길이를 나타내기 위한 부분일 수 있다.
도 5a에는 5개의 눈금이 도시되어 있지만, 더 많은 개수의 눈금이 배치될 수도 있다. 이 경우, 작업자는 눈금을 통해 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 편향된 정도를 쉽게 알 수 있다.
도 5a에 도시되지는 않았지만, 눈금 부분들 옆에는 간격을 알 수 있도록 수치가 기재되어 있을 수 있다.
도 5b를 참조하면, 노광 감시 키(210b)가 도시된다. 노광 감시 키(210b)는 경계선(bl)을 따라 연장되는 눈금 부분이 없다는 점을 제외하고는 노광 감시 키(210a)와 유사하다.
도 5c를 참조하면, 노광 감시 키(210c)가 도시된다. 노광 감시 키(210c)는 눈금 부분이 길이 부분을 중심으로 어느 한 쪽에만 배치될 수 있다.
도 5d를 참조하면, 노광 감시 키(210d)가 도시된다. 노광 감시 키(210d)는 길이 부분이 눈금 부분의 끝부분에 분할하여 배치될 수 있다.
도 5e를 참조하면, 노광 감시 키(210e)가 도시된다. 노광 감시 키(210e)는 경계선(bl)과 평행한 부분들을 포함할 수 있다. 평행한 부분들은 서로 일정한 간격으로 이격될 수 있다. 상기 평행한 부분들 사이의 이격 공간은 도 5a의 눈금 부분에 대응할 수 있다. 평행한 부분들은 더 많은 개수로 존재할 수 있다.
도 5f를 참조하면, 노광 감시 키(210f)가 도시된다. 노광 감시 키(210f)는 십자가 형상을 가질 수 있다. 노광 감시 키(210f)의 중심은 경계선(bl)을 지나갈 수 있다.
노광 감시 키(210f)는 경계선(bl)에 가까운 쪽의 두꺼운 부분과 이의 바깥쪽의 얇은 부분으로 이루어질 수 있다. 두꺼운 부분의 양 끝은 도 5a의 노광 감시 키(210a)의 두 번째 및 네 번째 눈금에 대응할 수 있다. 또한, 얇은 부분의 양 끝은 도 5a의 노광 감시 키(210a)의 첫 번째 및 마지막 눈금에 대응할 수 있다.
노광 감시 키(210f)는 얼라인 마크로 기능할 수도 있다.
도 5g를 참조하면, 노광 감시 키(210g)가 도시된다. 노광 감시 키(210g)는 일정한 크기의 원들이 연결된 형상을 가질 수 있다. 노광 감시 키(210g)는 경계선(bl)을 중심으로 대칭일 수 있다. 원들이 겹치는 부분은 도 5a의 노광 감시 키(210a)의 눈금 부분들에 대응할 수 있다.
도 5h를 참조하면, 노광 감시 키(210h)가 도시된다. 노광 감시 키(210h)는 삼각형 부분과 눈금 부분을 포함할 수 있다.
도 5a 내지 도 5h에 다양한 형상의 노광 감시 키들이 도시되지만, 이는 예시적이며, 노광 감시 키들은 도시되지 않은 다른 다양한 형상들을 가질 수도 있다.
도 6a 내지 도 6e는 도 5a에 도시된 노광 감시 키(210a)를 포함하는 레티클을 이용하여 포토리소그래픽 공정을 수행한 경우에, 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 편향된 정도에 따라 기판에 형성된 노광 감시 패턴을 도시한다.
도 6a를 참조하면, 기판(160)에는 노광 감시 패턴(161a)과 음영 부분(162a)이 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 노광 감시 패턴(161a)은 노광 감시 키(210a)의 절반에 대응할 수 있다. 이는 실제 노광 영역이 노광 영역과 정확히 일치하였다는 것을 의미한다.
상술한 바와 같이, 노광 영역은 노광 공정에서 광이 조사될 것으로 설계된 영역이고, 실제 노광 영역은 노광 공정에서 실제로 광이 조사된 영역을 의미한다.
음영 부분(162a)은 블라인드(120)의 이동 블레이드(121a)에 의해 광이 차단되어 형성된 부분이다.
도 6b를 참조하면, 기판(160)에는 노광 감시 패턴(161b)과 음영 부분(162b)이 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 노광 감시 패턴(161b)은 2개의 눈금 부분을 포함할 수 있다. 이는 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 정상 범위 내에서 편향되었다는 것을 의미할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 기판(160)에는 노광 감시 패턴(161c)과 음영 부분(162c)이 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 노광 감시 패턴(161c)은 3개의 눈금 부분을 포함할 수 있다. 이는 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 정상 범위 내에서 편향되었다는 것을 의미할 수 있다.
도 6d를 참조하면, 기판(160)에는 노광 감시 패턴(161d)과 음영 부분(162d)이 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 노광 감시 패턴(161d)은 1개의 눈금 부분을 포함할 수 있다. 이는 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 과도하게 편향되었다는 것을 의미할 수 있다. 작업자는 노광 공정에서 블라인드(120)와 레티클(200) 간의 오정렬로 인하여 불량이 발생했을 가능성이 높다는 것을 쉽게 알 수 있으며, 작업자는 기판(160)의 불량을 수정하거나 기판(160)을 정밀 검사하여 폐기 여부를 결정할 수 있다.
도 6e를 참조하면, 기판(160)에는 노광 감시 패턴(161e)과 음영 부분(162e)이 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 노광 감시 패턴(161e)은 4개의 눈금 부분을 포함할 수 있다. 이는 실제 노광 영역이 노광 영역으로부터 과도하게 편향되었다는 것을 의미할 수 있다. 작업자는 노광 공정에서 블라인드(120)와 레티클(200) 간의 오정렬로 인하여 불량이 발생했을 가능성이 높다는 것을 쉽게 알 수 있으며, 작업자는 기판(160)의 불량을 수정하거나 기판(160)을 정밀 검사하여 폐기 여부를 결정할 수 있다.
도 6a 내지 도 6e에 도시된 바와 같이 기판(160)에 형성된 노광 감시 패턴(161a 내지 161e)으로부터 작업자는 블라인드(120)와 레티클(200) 간에 오정렬이 발생하였는지, 오정렬이 발생하였다면 정상 범위 내에서 발생한 것인지를 추가 검사 공정 없이 손 쉽게 알 수 있다.
따라서, 블라인드(120)와 레티클(200) 간의 오정렬로 인하여 불량이 발생한 것을 감지하지 못하고, 수정하거나 폐기하지 않고 후속 공정을 진행함으로써 발생되는 비용의 낭비를 막을 수 있다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클 또는 노광 장치를 이용하여 제조될 수 있는 평판 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
구체적으로, 도 7은 도 1에 도시된 노광 장치 또는 도 3a 및 도 3b, 도 4a 내지 도 4b 및 도 5a 내지 도 5g에 도시된 레티클(200)를 이용하여 제조된 평판 표시 장치, 예컨대, 유기 발광 표시 장치를 도시한다.
유기 발광 표시 장치(10:organic light emitting display apparatus)는 기판(30) 상에 형성될 수 있다. 기판(30)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다.
기판(30) 상에는 버퍼층(31)이 형성될 수 있다. 버퍼층(31)은 기판(30) 상부에 평탄면을 제공하고, 기판(30)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유할 수 있다.
버퍼층(31) 상에는 박막 트랜지스터(40)(TFT, thin film transistor)와, 커패시터(50)와, 유기 발광 소자(60)(organic light emitting device)가 형성될 수 있다. 박막 트랜지스터(40)는 크게 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스/드레인 전극(43)을 포함할 수 있다. 유기 발광 소자(60)는 제1 전극(61), 제2 전극(62) 및 중간층(63)을 포함할 수 있다. 커패시터(50)는 제1 커패시터 전극(51) 및 제2 커패시터 전극(52)을 포함할 수 있다.
구체적으로 버퍼층(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(41)이 배치될 수 있다. 활성층(41)은 실리콘과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있고, p형 또는 n형의 도펀트를 주입하여 형성될 수 있다.
활성층(41) 상부에는 게이트 절연막(32)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 활성층(41)과 대응되도록 게이트 전극(42)이 형성될 수 있다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 제1 커패시터 전극(51)이 형성될 수 있고, 게이트 전극(42)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성되고, 층간 절연막(33) 상에 소스/드레인 전극(43)이 형성되는데, 활성층(41)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성될 수 있다. 절연막(33) 상에는 제2 커패시터 전극(52)이 형성될 수 있고, 소스/드레인 전극(43)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(43)을 덮도록 패시베이션층(34)이 형성되고, 패시베이션층(34)의 상부에는 박막 트랜지스터(40)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막이 더 형성될 수도 있다.
패시베이션층(34) 상에 제1 전극(61)이 형성될 수 있다. 제1 전극(61)은 소스/드레인 전극(43)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 형성될 수 있다. 그리고, 제1 전극(61)을 덮도록 화소 정의막(35)이 형성될 수 있다.
이 화소 정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)이 형성될 수 있다. 중간층(63) 상에 제2 전극(62)이 형성될 수 있다. 상기 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 및 백색광 중 적어도 하나를 생성할 수 있다.
제2 전극(62) 상에 봉지층(70)이 형성될 수 있다. 봉지층(70)은 유기막과 무기막을 교대로 적층한 구조일 수 있다.
유기 발광 표시 장치(10)의 박막 트랜지스터(40), 커패시터(50), 전극들 및 배선들은 증착 공정과 포토리소그래픽 공정 및 식각 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 상기 공정들 중에서 포토리소그래픽 공정은 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클 또는 노광 장치를 이용하여 수행될 수 있다. 즉, 활성층(41), 게이트 전극(42) 및 제1 커패시터 전극(51), 층간 절연막(33), 소스/드레인 전극(43)과 제2 커패시터 전극(52), 패시베이션층(34), 및 제1 전극(61)을 형성함에 있어서, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클 또는 노광 장치를 이용한 포토리소그래픽 공정이 이용될 수 있다.
또한, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 레티클 또는 노광 장치를 이용하여 유기 발광 표시 장치(10) 외에 액정 표시 장치에 구비된 박막 또는 기타 다양한 표시 장치에 구비된 박막을 형성할 수 있다.
본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 노광 장치 110: 광원
120, 120a, 120b: 블라인드 121a, 121b: 이동 블레이드
122a: 고정 블레이드 122b: 이동 블레이드
123a, 123b: 개방 영역 125: 블라인드 지지대
130: 조명 광학계 140: 레티클 지지대
150: 투영 광학계 160: 기판
161a-161e: 노광 감시 패턴 162a-162e: 음영 부분
170: 기판 지지대 200, 200a, 200b: 레티클
210, 210a-210h: 노광 감시 키 220: 패턴
230: 가드링 패턴 240: 얼라인 마크
250: 테두리 부분 10: 유기 발광 표시 장치

Claims (20)

  1. 노광 공정에서 광에 노출되도록 설계된 노광 영역;
    상기 노광 영역의 안쪽에 위치하고, 상기 노광 공정에서 기판 상에 전사될 타겟 패턴들이 배치되는 패턴 영역;
    상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 설계된 비노광 영역; 및
    상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 상기 패턴 영역의 바깥에 배치되는 노광 감시 키(exposure monitoring key)를 포함하고,
    상기 노광 감시 키의 일부는 상기 노광 공정에서 상기 기판 상에 전사되도록 상기 패턴 영역 바깥의 상기 노광 영역에 배치되고, 상기 노광 감시 키의 나머지 일부는 상기 비노광 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형이고,
    상기 노광 감시 키는 상기 경계의 마주보는 두 변에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형이고,
    상기 노광 감시 키는 상기 경계의 네 변에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 레티클.
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 공정에서 상기 레티클과 상기 기판 간의 정렬을 위해 상기 노광 영역에 배치되는 얼라인 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 감시 키는 상기 경계에 대하여 대칭인 것을 특징으로 하는 레티클.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 감시 키는 상기 광을 차단하는 양각 노광 감시 키이고, 상기 양각 노광 감시 키의 주변은 상기 광을 통과시키는 것을 특징으로 하는 레티클.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 감시 키는 상기 광을 통과시키는 음각 노광 감시 키이고, 상기 음각 노광 감시 키의 주변은 상기 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 상기 경계는 직사각형이고,
    상기 경계의 마주보는 두 변 중 한 변에 배치된 상기 노광 감시 키는 상기 광을 차단하는 양각 노광 감시 키이고,
    상기 경계의 마주보는 두 변 중 다른 한 변에 배치된 상기 노광 감시 키는 상기 광을 통과시키는 음각 노광 감시 키인 것을 특징으로 하는 레티클.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 노광 감시 키는 상기 노광 공정에서 실제로 노광된 실제 노광 영역과 상기 레티클의 제작 시에 설계된 상기 노광 영역 간의 차이를 나타내기 위한 눈금을 포함하는 것을 특징으로 하는 레티클.
  11. 노광 공정을 위해 광을 방출하는 광원;
    제1 항 내지 제3 항 및 제5 항 내지 제10 항 중 어느 한 항의 레티클;
    상기 레티클을 지지하는 레티클 지지대; 및
    상기 광원과 상기 레티클 사이에 배치되고, 상기 광원으로부터 방출된 광의 일부만이 상기 레티클의 노광 영역에 도달하도록 개방 영역을 갖는 블라인드를 포함하는 노광 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 블라인드는 제1 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제1 블레이드를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 개방 영역의 폭이 조절되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 레티클은 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제1 노광 감시 키를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 블라인드는 제2 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제2 블레이드를 더 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 개방 영역의 길이가 조절되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 레티클은 상기 한 쌍의 제2 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제2 노광 감시 키를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 레티클은 상기 광이 상기 블라인드의 상기 개방 영역을 통과하여 실제로 상기 레티클에 도달한 실제 노광 영역과 상기 레티클의 제작 시에 설계한 노광 영역 간의 차이를 나타내기 위한 눈금을 갖는 노광 감시 키를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  17. 광원으로부터 광을 방출하는 단계;
    블라인드를 이용하여 상기 광원으로부터 방출된 상기 광의 제1 부분을 통과시키고 나머지 제2 부분을 차단하는 단계; 및
    상기 제1 부분의 광을 이용하여, 레티클에 형성된 타겟 패턴들의 이미지 및 상기 레티클에 형성된 노광 감시 키의 일부의 이미지를 기판에 투영하는 단계를 포함하며,
    상기 레티클은 상기 광에 노출되도록 설계된 노광 영역, 상기 노광 영역을 둘러싸고 상기 광에 노출되지 않도록 설계된 비노광 영역, 상기 노광 영역과 상기 비노광 영역 사이의 경계를 가로지르도록 배치되는 상기 노광 감시 키를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 기판에 투영된 상기 노광 감시 키의 일부를 통하여, 상기 제1 부분의 광이 상기 레티클을 실제로 투과한 실제 노광 영역이 상기 노광 영역으로부터 편향된 정도를 판단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 블라인드는 제1 방향으로 이동가능한 한 쌍의 제1 블레이드를 포함하며, 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 상기 제1 부분의 광이 조절되고,
    상기 노광 감시 키는 상기 한 쌍의 제1 블레이드에 의해 적어도 일부가 상기 광에 노출되지 않는 한 쌍의 제1 노광 감시 키를 포함하며,
    상기 제1 부분의 광에 의해 상기 한 쌍의 제1 노광 감시 키의 일부의 이미지가 상기 기판에 투영되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  20. 제17항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 기판의 노광을 수행하는 단계를 포함하는 평판 디스플레이 패널의 제조 방법.
KR1020120152504A 2012-12-24 2012-12-24 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법 Active KR102145884B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120152504A KR102145884B1 (ko) 2012-12-24 2012-12-24 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법
US13/856,164 US8977990B2 (en) 2012-12-24 2013-04-03 Exposure monitoring key to determine misalignment between blind and reticle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120152504A KR102145884B1 (ko) 2012-12-24 2012-12-24 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140082482A KR20140082482A (ko) 2014-07-02
KR102145884B1 true KR102145884B1 (ko) 2020-08-20

Family

ID=50974278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120152504A Active KR102145884B1 (ko) 2012-12-24 2012-12-24 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8977990B2 (ko)
KR (1) KR102145884B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102466959B1 (ko) * 2015-12-31 2022-11-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
USD819609S1 (en) * 2017-01-27 2018-06-05 Vorbeck Materials Corp. Antenna inlay
CN111856822B (zh) * 2020-06-29 2022-09-27 南京京东方显示技术有限公司 双层掩膜版及其使用方法、改善双层掩膜版漏光的方法
CN115458391A (zh) * 2021-06-09 2022-12-09 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种半导体器件的制备方法、装置及曝光机

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393311A (en) * 1980-06-13 1983-07-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method and apparatus for surface characterization and process control utilizing radiation from desorbed particles
US4952815A (en) * 1988-04-14 1990-08-28 Nikon Corporation Focusing device for projection exposure apparatus
US5734478A (en) * 1988-10-12 1998-03-31 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5298761A (en) * 1991-06-17 1994-03-29 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure process
JP3412704B2 (ja) * 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US5583609A (en) * 1993-04-23 1996-12-10 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5581324A (en) * 1993-06-10 1996-12-03 Nikon Corporation Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors
US5601957A (en) * 1994-06-16 1997-02-11 Nikon Corporation Micro devices manufacturing method comprising the use of a second pattern overlying an alignment mark to reduce flattening
JPH0950951A (ja) * 1995-08-04 1997-02-18 Nikon Corp リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
JP4301584B2 (ja) 1998-01-14 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ レチクル、それを用いた露光装置、露光方法および半導体装置の製造方法
AU2958299A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device
TW352420B (en) * 1998-06-25 1999-02-11 United Microelectronics Corp Back alignment mark for half tone phase shift mask
JP2001319871A (ja) * 2000-02-29 2001-11-16 Nikon Corp 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置
US6737207B2 (en) * 2000-04-25 2004-05-18 Nikon Corporation Method for evaluating lithography system and method for adjusting substrate-processing apparatus
JP2002033271A (ja) * 2000-05-12 2002-01-31 Nikon Corp 投影露光方法、それを用いたデバイス製造方法、及び投影露光装置
US6701512B2 (en) 2001-01-24 2004-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Focus monitoring method, exposure apparatus, and exposure mask
JP2003257834A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
US7292339B2 (en) * 2004-07-09 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Alignment method and apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and alignment tool
KR100689816B1 (ko) * 2004-11-03 2007-03-08 삼성전자주식회사 노광장치 및 레티클 정렬상태 측정방법
US7755207B2 (en) * 2005-07-27 2010-07-13 Ricoh Company, Ltd. Wafer, reticle, and exposure method using the wafer and reticle
JP2007086368A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Fujitsu Ltd フォトマスク、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法
JP4843304B2 (ja) 2005-12-14 2011-12-21 富士通セミコンダクター株式会社 フォトマスクの製造方法、デバイスの製造方法、及び、フォトマスクのモニタ方法
US7359029B2 (en) * 2006-05-25 2008-04-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of reducing thermal distortion
KR20100079307A (ko) 2008-12-31 2010-07-08 주식회사 동부하이텍 반도체 소자 제조용 레티클 및 이를 이용한 노광 방법
CN102428394B (zh) * 2009-04-28 2014-09-03 凸版印刷株式会社 彩色滤光片、液晶显示装置、彩色滤光片的制造方法
NL2007615A (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Asml Netherlands Bv Method of operating a patterning device and lithographic apparatus.
KR101801661B1 (ko) * 2011-04-05 2017-11-28 삼성디스플레이 주식회사 블라인드, 이를 포함하는 노광 장치 및 상기 노광 장치의 구동 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20140176932A1 (en) 2014-06-26
US8977990B2 (en) 2015-03-10
KR20140082482A (ko) 2014-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5524278B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TWI444780B (zh) 曝光方法、曝光裝置、聚光圖案形成組件、光罩以及元件製造方法
TW201428433A (zh) 微影系統及對準系統
JP2009111369A (ja) 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
KR102145884B1 (ko) 레티클, 이를 포함하는 노광 장치, 및 노광 방법
TWI470377B (zh) 曝光設備及裝置製造方法
KR20060120672A (ko) 편광된 레티클, 포토리소그래피 시스템, 및 편광광에 의해편광된 레티클을 이용하여 패턴을 형성하는 방법
KR101733257B1 (ko) 포커스 테스트 마스크, 포커스 계측 방법, 노광 장치, 및 노광 방법
US9601436B2 (en) Method for semiconductor wafer alignment
US20150362841A1 (en) Method and Apparatus for Exposing a Structure on a Substrate
TWI519900B (zh) 曝光裝置
TW201719300A (zh) 投影曝光裝置
JP5821490B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3200244B2 (ja) 走査型露光装置
CN113267957A (zh) 掩模板及监控遮光板位置的方法
JP3689698B2 (ja) 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法
KR100846337B1 (ko) 노광방법 및 노광장치
KR102015844B1 (ko) 마스크리스 노광장비 및 이를 이용한 크로스토크 검사방법
TWI397780B (zh) 曝光設備、曝光方法、和裝置製造方法
US7307694B2 (en) Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method
US7538853B2 (en) Exposure process and apparatus using glass photomasks
JP2004233861A (ja) マスク、露光方法及びデバイス製造方法
JP4994417B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び基板製造方法
KR101883186B1 (ko) 블라인드를 포함하는 노광 장치 및 이의 구동 방법
JP2011077422A (ja) 露光システムおよび電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20121224

PG1501 Laying open of application
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20171031

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20121224

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20190521

Patent event code: PE09021S01D

E90F Notification of reason for final refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Final Notice of Reason for Refusal

Patent event date: 20191126

Patent event code: PE09021S02D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20200519

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20200812

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20200813

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230801

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20240723

Start annual number: 5

End annual number: 5