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KR102111592B1 - Injection type wafer wetting device - Google Patents

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KR102111592B1
KR102111592B1 KR1020130144188A KR20130144188A KR102111592B1 KR 102111592 B1 KR102111592 B1 KR 102111592B1 KR 1020130144188 A KR1020130144188 A KR 1020130144188A KR 20130144188 A KR20130144188 A KR 20130144188A KR 102111592 B1 KR102111592 B1 KR 102111592B1
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KR
South Korea
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wafer
pure water
liquid
wetting device
unit
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KR1020130144188A
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KR20150060126A (en
Inventor
나원재
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주식회사 케이씨텍
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Publication date
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Abstract

본 발명은 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 지지하는 홀더와; 상기 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 토출하여 공급하되, 토출된 액체가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 머무를 정도의 수압으로 액체를 토출하는 액체 토출 유닛을; 포함하여 구성되어, 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수가 웨이퍼의 표면에 머물러 웨이퍼의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되지 않고, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 주변으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있어서 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼의 젖음 상태로 유지할 수 있는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치를 제공한다.The present invention relates to a wafer wetting device used in a chemical mechanical polishing process, the holder for supporting the wafer; A liquid discharging unit for discharging and supplying liquid from the edge of the wafer to an upper surface of the wafer, but discharging the liquid at a pressure sufficient to remain on the surface of the wafer without ejecting the liquid out of the wafer; By including, by discharging the liquid from the edge of the wafer to the upper surface of the wafer at a low water pressure, the discharged pure water stays on the surface of the wafer and sequentially fills and covers the surface of the wafer, thereby maintaining the wet state of the wafer. Is not dipping in the liquid, and at the same time, while maintaining a standby state where the handler and the like can hold the wafer immediately, it can prevent the pure water from splashing out to the surroundings, thereby preventing the damage of peripheral parts and keeping the wafer wet. An injection-type wafer wetting device is provided.

Description

분사식 웨이퍼의 웨팅 장치 {INJECTION TYPE WAFER WETTING DEVICE}Spraying wafer wetting device {INJECTION TYPE WAFER WETTING DEVICE}

본 발명은 화학 기계적 연마 공정과 관련하여 사용되는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼가 딥핑할 수 없는 상태에서 웨이퍼를 젖음 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 웨팅 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a wafer wetting device used in connection with a chemical mechanical polishing process, and more particularly, to a wafer wetting device capable of maintaining a wafer in a wet state while the wafer cannot be dipping.

화학기계적 연마(CMP) 장치는 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용되는 장치이다.The chemical mechanical polishing (CMP) device is used for wide area planarization to remove the height difference between the cell area and the peripheral circuit area due to irregularities on the wafer surface generated by repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process, and for forming a circuit. This is a device used to precisely polish the surface of the wafer in order to improve the surface roughness of the wafer due to the separation of the contact/wiring film and the highly integrated device.

이러한 CMP 장치에 있어서, 캐리어 헤드는 연마공정 전후에 웨이퍼의 연마 면이 연마 패드와 마주보게 한 상태로 상기 웨이퍼를 가압하여 연마 공정을 행하도록 하고, 동시에 연마 공정이 종료되면 웨이퍼를 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지한 상태로 그 다음 공정으로 이동한다. In such a CMP device, the carrier head presses the wafer to perform a polishing process with the polishing surface of the wafer facing the polishing pad before and after the polishing process, and at the same time, when the polishing process ends, the wafer is directly and indirectly It moves to the next process in the state of holding by vacuum adsorption.

최근에는 보다 정교한 화학 기계적 연마 공정을 행하기 위하여, 웨이퍼를 다수의 연마 정반에서 서로 다른 연마 조건에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 방법이 제안되고 있다. 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 따른 화학 기계식 연마 시스템에 따르면, 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼를 파지한 상태에서 이동하면서 다수의 연마 정반에서 각각 단계적으로 화학 기계적 연마 공정을 행하는 구성을 개시하고 있다. Recently, in order to perform a more sophisticated chemical mechanical polishing process, a method in which a chemical mechanical polishing process is performed on wafers under different polishing conditions in a plurality of polishing plates has been proposed. According to the chemical mechanical polishing system according to Korean Patent Registration No. 10-1188579, a configuration in which a wafer carrier moves in a state of holding a wafer to perform chemical mechanical polishing processes step by step in a plurality of polishing plates, respectively.

한편, 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 동안에 웨이퍼의 연마면은 젖음 상태로 유지되어야 하며, 웨이퍼의 연마면이 건조될 경우에는 웨이퍼가 손상되어 반도체 소자를 제조하는 데 사용할 수 없는 치명적인 불량이 야기된다. 따라서, 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 다단계로 행해지는 경우에는, 웨이퍼의 젖음 상태가 일정하게 유지되도록 철저한 관리를 필요로 한다. On the other hand, while the chemical mechanical polishing process is performed, the polishing surface of the wafer must be kept wet, and when the polishing surface of the wafer is dried, the wafer is damaged, causing a fatal defect that cannot be used to manufacture a semiconductor device. Therefore, in a case where the chemical mechanical polishing process is performed in multiple stages on a large number of polishing plates, thorough management is required to keep the wafer wet.

한편, 연마 정반 상에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지고 있는 웨이퍼는 슬러리와 순수 중 어느 하나 이상이 공급되고 있으므로 웨이퍼의 젖음 상태를 유지하는 데 문제되지 않는다. 그리고, 최근 특허출원 제2013-65084호를 통해 본 출원인이 제안한 바와 같이, 연마 정반 상으로 이동될 웨이퍼에 대해서는 웨이퍼를 순수에 잠기게 하여 젖음 상태로 유지시키는 방식으로 웨이퍼의 젖음 상태를 유지할 수 있다. On the other hand, since the wafer on which the chemical mechanical polishing process is performed on the polishing platen is supplied with any one or more of slurry and pure water, there is no problem in maintaining the wet state of the wafer. And, as proposed by the present applicant through the recent patent application No. 2013-65084, for a wafer to be moved onto a polishing platen, the wafer can be maintained in a wet state by immersing the wafer in pure water to maintain the wet state. .

그러나, 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어로 로딩하는 로딩 유닛이나, 화학 기계적 연마 공정이 완료되어 세정 공정으로 이동시키는 언로딩 유닛에서는 웨이퍼를 일정한 시간 동안 대기해야 하는 경우가 발생된다. 즉, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서는 대기 시간이 상대적으로 짧지만, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼가 장착될 때까지 로딩 유닛에서 대기해야 하거나 웨이퍼 캐리어로부터 분리되어 핸들러에 의해 세정 공정으로 이송될 때까지 언로딩 유닛에 대기한다. 그러나, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서 웨이퍼가 대기하는 동안에 웨이퍼의 연마면이 건조되면 웨이퍼가 손상되는 심각한 문제가 야기되고, 로딩 유닛과 언로딩 유닛에서는 핸들러나 웨이퍼 캐리어가 웨이퍼를 파지할 수 있어야 하므로 웨이퍼를 순수에 담그지 못하는 제한이 있다. However, in the loading unit for loading a wafer into a wafer carrier, or in an unloading unit in which a chemical mechanical polishing process is completed and moved to a cleaning process, there is a case where the wafer has to wait for a certain time. That is, in the loading unit and the unloading unit, the waiting time is relatively short, but the unloading unit must wait in the loading unit until the wafer is mounted on the wafer carrier or until it is separated from the wafer carrier and transported to the cleaning process by the handler. To wait on. However, if the polishing surface of the wafer is dried while the wafer is waiting in the loading unit and the unloading unit, a serious problem is caused that the wafer is damaged, and in the loading unit and the unloading unit, a handler or a wafer carrier must be able to grip the wafer. There is a limitation that the wafer cannot be immersed in pure water.

이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 도1 및 도2에 도시된 웨이퍼 세정 장치와 유사하게 순수 분사 유닛(20)으로부터 홀더(10)에 의하여 파지되어 있는 웨이퍼(W)의 표면에 순수를 분사(99d)하여 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지시키는 방안을 모색해 볼 수 있다. 도면 중 미설명 부호인 18는 홀더(10)의 연결부이고, 도면 중 미설명 부호인 19는 지지부이다. 그러나, 도 1 및 도2에 도시된 바와 같이 일반적인 분사식 세정 장치와 유사하게 웨이퍼 웨팅 장치(1)를 구성할 경우에는, 웨이퍼(W)의 판면으로부터 100mm 정도의 높이(H)에 순수 분사 유닛(20)을 위치시키고, 순수 분사 유닛(20)으로부터 순수를 분하하여 웨이퍼(W)를 젖음 상태로 유지시키고자 할 경우에는, 순수 분사 유닛(20)으로부터 분사된 순수가 웨이퍼(W)의 표면에 도달한 이후에, 주변으로 튀어(99d') 웨이퍼(w)의 장착 여부를 감지하는 센서 등의 부품을 손상시키는 문제가 야기된다. To solve this problem, similar to the wafer cleaning apparatus shown in FIGS. 1 and 2, pure water is jetted onto the surface of the wafer W held by the holder 10 from the pure water jet unit 20 (99d). ) To find a way to keep the wafer's surface wet. In the drawings, 18, which is not described, is a connection part of the holder 10, and 19, which is not shown in the figure, is a support. However, as shown in FIGS. 1 and 2, when the wafer wetting device 1 is constructed similarly to the general spraying cleaning device, the pure water spraying unit (H) at a height H of about 100 mm from the plate surface of the wafer W ( 20), in order to keep the wafer W in a wet state by dividing pure water from the pure water spraying unit 20, the pure water sprayed from the pure water spraying unit 20 is placed on the surface of the wafer W. After reaching, a problem is caused that the parts, such as a sensor that bounces around (99d') and detects whether or not the wafer w is mounted, are damaged.

따라서, 웨이퍼(W)를 순수에 잠기는 딥핑 방식을 제외하고 웨이퍼(W)의 표면을 젖음 상태로 유지하되, 주변에 배치된 센서 등의 구성 요소에 수분이 도달하는 것을 방지하여 고장나거나 손상되지 않도록 하는 웨이퍼의 웨팅 장치의 필요성이 크게 대두되고 있다.
Therefore, except for the dipping method in which the wafer W is immersed in pure water, the surface of the wafer W is maintained in a wet state, but it prevents moisture from reaching components such as sensors disposed around, so as not to be broken or damaged. There is a great need for a wafer wetting device.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 웨이퍼가 거치된 이후에 핸들러나 웨이퍼 캐리어에 의하여 이송되어야 하므로, 웨이퍼가 딥핑되지 않으면서도 웨이퍼를 젖음 상태로 유지할 수 있는 웨이퍼 웨팅 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was created under the above-mentioned technical background, and the object of the present invention is to provide a wafer wetting device capable of maintaining a wafer in a wet state without being dipping, since it must be transferred by a handler or a wafer carrier after the wafer is mounted. Is done.

이와 동시에, 본 발명은 주변으로 순수가 튀는 것을 방지하여 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼를 젖음 상태로 유지시키는 것을 목적으로 한다.At the same time, the present invention aims to keep the wafer in a wet state while preventing splash of pure water into the surroundings to prevent damage to peripheral components.

또한, 본 발명은 홀더에 거치되고 있는 웨이퍼의 전체 표면에 걸쳐 젖음 상태를 유지하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to maintain a wet state over the entire surface of the wafer mounted on the holder.

그리고, 본 발명은 웨이퍼의 젖음 상태를 유지하면서, 핸들러 등에 의하여 즉시 파지될 수 있는 상태를 유지하는 것을 목적으로 한다.
In addition, an object of the present invention is to maintain a state that can be gripped immediately by a handler or the like while maintaining the wet state of the wafer.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼를 지지하는 홀더와; 상기 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 토출하여 공급하되, 토출된 액체가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 머무를 정도의 수압으로 액체를 토출하는 액체 토출 유닛을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, a holder for supporting the wafer; A liquid discharging unit for discharging and supplying liquid from the edge of the wafer to an upper surface of the wafer, but discharging the liquid at a pressure sufficient to remain on the surface of the wafer without ejecting the liquid out of the wafer; It provides a wetting device for a wafer, characterized in that comprises a.

이는, 웨이퍼의 표면에 액체를 도포함에 있어서 고압으로 웨이퍼의 표면에 분사하는 것이 아니라, 웨이퍼의 가장자리 바깥에서 웨이퍼의 표면에 토출된 액체가 머무를 수 있는 낮은 수압으로 액체를 토출하여, 토출된 액체가 웨이퍼의 표면을 덮게 되는 것에 의하여 웨이퍼의 젖음 상태를 유지할 수 있도록 하기 위함이다. In applying the liquid to the surface of the wafer, it is not sprayed on the surface of the wafer at high pressure, but rather discharges the liquid at a low water pressure at which the liquid discharged from the edge of the wafer can stay on the surface of the wafer. This is to maintain the wet state of the wafer by covering the surface of the wafer.

이를 통해, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되면서 웨팅 상태를 유지하지 않고, 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태로 유지하면서, 웨이퍼의 주변 센서 등의 부품에 액체가 튀는 것을 방지하면서도, 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지할 수 있게 된다.
Through this, while the wafer is dipping into the liquid, it does not maintain a wetting state, while a handler or the like is maintained in a standby state capable of holding the wafer immediately, while preventing liquid splashing on components such as peripheral sensors of the wafer, the surface of the wafer Will be able to remain wet.

여기서, 상기 액체 토출 유닛에 의해 토출되는 액체는 웨이퍼의 표면에 예상치못한 화학 반응이 일어나지 않는 순수(deionized water)인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the liquid discharged by the liquid discharge unit is deionized water in which an unexpected chemical reaction does not occur on the surface of the wafer.

그리고, 상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 가장자리에서 순수를 토출하되, 토출된 순수가 상기 웨이퍼의 중심까지 도달하지 않고 상기 웨이퍼의 판면에 닿는 정도의 수압으로 순수를 토출한다. 이와 같이 낮은 수압으로 웨이퍼의 판면에 도달하여, 웨이퍼의 판면에 모이는 순수의 양이 점점 늘어나면서 순수가 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 퍼지는 형태로 웨이퍼의 웨팅 상태를 유지시킨다. Then, the liquid discharge unit discharges pure water from the edge of the wafer, but discharges pure water at a pressure sufficient to reach the plate surface of the wafer without reaching the center of the wafer. By reaching the plate surface of the wafer at such a low water pressure, the amount of pure water collected on the plate surface of the wafer is gradually increased, thereby maintaining the wetting state of the wafer in a form in which pure water spreads over the entire surface of the wafer.

바람직하게는, 상기 액체 토출 유닛은 상기와 같이 낮은 수압으로 순수를 토출하되, 수평 방향으로 토출하여 상기 웨이퍼의 판면에 공급하는 것이 바람직하다. 이를 통해, 낮은 수압에 의해서도 순수를 웨이퍼의 표면에 보다 넓게 공급할 수 있고, 웨이퍼의 표면에서 순수가 튀어 바깥으로 나가는 것을 확실하게 방지할 수 있다. Preferably, the liquid discharge unit discharges pure water at a low water pressure as described above, but it is preferable to discharge it in a horizontal direction and supply it to the plate surface of the wafer. Through this, pure water can be supplied to the surface of the wafer more widely even at low water pressure, and it is possible to reliably prevent the pure water splashing out from the surface of the wafer.

예를 들어, 상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 30mm 이내의 낮은 높이에 토출구가 위치하고, 상기 판면에 대하여 10도 이내의 각도를 유지하면서 대략 수평인 방향으로 순수를 토출하는 것에 의하여, 외부로 순수가 튀지 않으면서 웨이퍼를 즉시 파지할 수 있는 상태를 유지하면서 웨이퍼 전체 표면에 걸쳐 젖음 상태를 유지시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.For example, the liquid ejecting unit has a discharge port located at a low height within 30 mm from the top surface of the wafer, and discharges pure water in an approximately horizontal direction while maintaining an angle within 10 degrees with respect to the plate surface. It is possible to obtain an effect of maintaining a wet state over the entire surface of the wafer while maintaining a state in which the wafer can be gripped immediately without splashing of pure water.

상기와 같이 구성된 웨이퍼의 웨팅 장치는 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템에 웨이퍼를 탑재하는 로딩 유닛과 웨이퍼를 세정 공정으로 이송시키는 언로딩 유닛 중 어느 하나 이상에서 사용됨으로써, 웨이퍼를 웨팅시키는 외부로 순수가 튀지 않아 주변 센서 등의 부품을 손상시키지 않고, 핸들러에 의하여 웨이퍼를 언로딩시키거나 웨이퍼 캐리어로 웨이퍼를 로딩할 수 있는 상태로 대기하면서 웨이퍼의 표면을 젖음 상태로 유지할 수 있다. The wafer wetting device configured as described above is used in any one or more of a loading unit for mounting a wafer in a chemical mechanical polishing system in which a plurality of polishing plates are subjected to a chemical mechanical polishing process and an unloading unit for transferring the wafer to a cleaning process. The wafer surface is wet while waiting for the wafer to be unloaded or loaded into the wafer carrier by a handler without damaging components such as surrounding sensors due to the fact that pure water does not splash outside to wet the wafer. Can be maintained.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '수평 방향' 및 이와 유사한 용어는 중력 방향에 90도의 각도를 이루는 방향을 지칭할 뿐만 아니라, 실질적으로 수평인 것으로 인정될 수 있는 범위의 각도를 모두 포함하는 것으로 정의하기로 한다.
The term'horizontal direction' and similar terms described in the present specification and claims not only refer to a direction forming an angle of 90 degrees to the gravitational direction, but are also defined to include all angles in a range that can be regarded as being substantially horizontal. I will do it.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 가장자리에서 상기 웨이퍼의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수가 웨이퍼의 표면에 머물러 웨이퍼의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼가 액체 내에 딥핑되지 않고, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 주변으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있어서 주변 부품의 손상을 방지하면서 웨이퍼의 젖음 상태로 유지할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.
According to the present invention, by discharging the liquid from the edge of the wafer to the upper surface of the wafer at a low water pressure, the discharged pure water stays on the surface of the wafer and sequentially fills and covers the surface of the wafer, thereby maintaining the wet state of the wafer, Is not dipping into the liquid, and at the same time, while maintaining a standby state where the handler and the like can hold the wafer immediately, it can prevent the pure water from splashing out to the surroundings, thereby preventing damage to the peripheral parts and keeping the wafer wet. Advantageous effects can be obtained.

도1은 일반적인 웨이퍼 세정 장치의 구성을 도시한 사시도,
도2는 도1의 정면도,
도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 사시도,
도4는 순수의 토출 방향을 설명하기 위한 도면,
도5는 도3의 평면도,
도6은 도3의 정면도,
도7은 도3의 액체 토출 유닛을 도시한 사시도,
도8은 도7의 액체 토출 유닛의 종단면도,
도9a 내지 도9g는 도3의 웨이퍼 웨팅 장치의 작동 순서에 따른 상태를 촬영한 촬영 사진이다.
1 is a perspective view showing the configuration of a typical wafer cleaning apparatus,
Figure 2 is a front view of Figure 1,
Figure 3 is a perspective view showing the configuration of a wafer wetting device according to an embodiment of the present invention,
4 is a view for explaining the discharge direction of pure water,
Figure 5 is a plan view of Figure 3,
Figure 6 is a front view of Figure 3,
Figure 7 is a perspective view showing the liquid discharge unit of Figure 3,
Fig. 8 is a longitudinal sectional view of the liquid ejecting unit of Fig. 7,
9A to 9G are photographs taken in a state according to the operation sequence of the wafer wetting device of FIG. 3.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치(100)를 상술한다. 다만, 본 발명의 일 실시예를 설명함에 있어서, 종래의 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일 또는 유사한 도면부호를 부여하고, 이에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the spray type wafer wetting device 100 used in the chemical mechanical polishing process according to an embodiment of the present invention will be described in detail. However, in describing one embodiment of the present invention, the same or similar reference numerals are assigned to the same or similar configurations as the conventional configuration, and the description thereof will be omitted to clarify the gist of the present invention.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 사시도, 도4는 순수의 토출 방향을 설명하기 위한 도면, 도5는 도3의 평면도, 도6은 도3의 정면도, 도7은 도3의 액체 토출 유닛을 도시한 사시도, 도8은 도7의 액체 토출 유닛의 종단면도, 도9a 내지 도9g는 도3의 웨이퍼 웨팅 장치의 작동 순서에 따른 상태를 촬영한 촬영 사진이다.
Figure 3 is a perspective view showing the configuration of a wafer wetting device according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a view for explaining the discharge direction of pure water, Figure 5 is a plan view of Figure 3, Figure 6 is a front view of Figure 3 , FIG. 7 is a perspective view showing the liquid ejecting unit of FIG. 3, FIG. 8 is a longitudinal sectional view of the liquid ejecting unit of FIG. 7, and FIGS. 9A to 9G are photographs of a state in accordance with the operation sequence of the wafer wetting device of FIG. It is a picture.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기계적 연마 공정에 사용되는 분사식 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 웨이퍼(W)를 지지하는 홀더(110)와, 웨이퍼(W)의 가장자리에서 웨이퍼(W)의 상면에 낮은 압력으로 순수(99)를 토출하여 웨이퍼(W)의 상면이 순수로 채워지면서 젖음 상태가 되도록 하는 액체 토출 유닛(120)으로 구성된다.As shown in the drawing, the spray-type wafer wetting device 100 used in the chemical mechanical polishing process according to an embodiment of the present invention includes a holder 110 supporting the wafer W and an edge of the wafer W It is composed of a liquid discharge unit 120 to discharge the pure water 99 at a low pressure on the upper surface of the wafer W so that the upper surface of the wafer W is filled with pure water and becomes wet.

상기 홀더(110)는 웨이퍼(W)의 상면이 모두 드러날 수 있는 형태가 되도록 웨이퍼(W)를 지지면(110s)에 거치하여 지지하는 형태로 형성된다. 이에 따라, 웨이퍼의 상면이 순수(99)에 의해 젖음 상태가 되면 웨이퍼의 상면 전체가 모두 순수(99)에 의해 덮힌 상태가 된다. The holder 110 is formed in such a way that the wafer W is mounted on the support surface 110s to support the wafer W so that the top surface of the wafer W can be exposed. Accordingly, when the upper surface of the wafer is wetted by the pure water 99, the entire upper surface of the wafer is covered by the pure water 99.

그리고, 홀더(110)는 서로 이격되게 2개 이상으로 형성되어, 홀더(110)의 사잇 공간을 통하여 로봇 아암 등과 같이 형성된 핸들러(미도시)가 언제든지 홀더(110)에 거치된 웨이퍼(W)를 파지할 수 있는 상태가 되도록 한다. 즉, 도3에 도시된 바와 같이 2개의 넓은 지지면(110s)에 의해 웨이퍼(W)를 거치할 수도 있고, 도9a에 도시된 바와 같이 90도 간격으로 홀더가 배치되어, 보다 많은 수의 홀더의 작은 지지면으로 웨이퍼(W)를 거치시켜 지지할 수도 있다. And, the holder 110 is formed of two or more spaced apart from each other, a handler (not shown) formed as a robot arm or the like through the space of the holder 110 at any time, the wafer (W) mounted on the holder 110 Make it a state that can be gripped. That is, as shown in FIG. 3, the wafer W may be mounted by two wide support surfaces 110s, and as shown in FIG. 9A, holders are disposed at 90-degree intervals, thereby increasing the number of holders. It may be supported by mounting the wafer (W) with a small support surface.

홀더(110)는 제자리에 위치 고정될 수도 있지만, 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 안착되는 경우에 일부의 홀더(110)가 좌우 방향(110d)으로 이동하여 웨이퍼(W)가 홀더(110)의 정해진 위치에 안착되도록 안내할 수 있다. 이 경우에도는 도7에 도시된 홀더(110)의 측면(110k)이 웨이퍼(W)의 가장자리에 접촉하면, 홀더(110)의 이동(110d)이 정지되도록 하는 것에 의해 웨이퍼(W)를 항상 일정한 위치에 거치시킬 수 있다.
The holder 110 may be fixed in place, but when the wafer W is seated on the holder 110, some of the holders 110 move in the left-right direction 110d so that the wafer W is the holder 110 ). Even in this case, when the side surface 110k of the holder 110 shown in FIG. 7 comes into contact with the edge of the wafer W, the wafer W is always moved by stopping the movement 110d of the holder 110. Can be mounted in a certain position.

상기 액체 토출 유닛(120)은, 웨이퍼(W)의 가장자리 바깥에 배치되어, 순수 공급부(125)로부터 공급관(122)을 통해 순수를 공급받아, 웨이퍼(W)의 상면에 순수(99)를 낮은 압력으로 분사한다. 즉, 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 거치되면, 액체 토출 유닛(120)은 웨이퍼(W)의 판면을 향하여 순수(99)를 분사하여 웨이퍼(W)의 상면에 순수로 뒤덮히도록 한다. The liquid discharge unit 120 is disposed outside the edge of the wafer W, receives pure water from the pure water supply unit 125 through the supply pipe 122, and lowers the pure water 99 on the upper surface of the wafer W. Spray with pressure. That is, when the wafer W is mounted on the holder 110, the liquid discharge unit 120 sprays pure water 99 toward the plate surface of the wafer W so that the upper surface of the wafer W is covered with pure water. .

이 때, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)는 모두 웨이퍼(W)의 판면에 도달하여 머무를 정도로 토출압이 낮게 제어되며, 바람직하게는 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수는 도4에 도시된 웨이퍼(W)의 중심선(88)까지 미치지 않는 영역의 웨이퍼 판면에 낙하하여 도달(55)하도록 제어된다. At this time, all of the pure water 99 discharged from the liquid discharge unit 120 is controlled so that the discharge pressure is low enough to reach and stay on the plate surface of the wafer W. Preferably, the pure water discharged from the liquid discharge unit 120 is It is controlled to fall 55 to the wafer plate surface of an area not reaching the center line 88 of the wafer W shown in FIG. 4.

그리고, 액체 토출 유닛(120)에는 순수(99)를 토출하는 토출구(121)가 하나로 형성될 수도 있지만, 보다 짧은 시간 내에 웨이퍼(W)의 상면이 젖음 상태가 되도록 도3에 도시된 바와 같이 다수의 토출구(121)로부터 방사상으로 퍼지도록 순수(99)를 토출한다. In addition, the liquid discharge unit 120 may be formed with one discharge port 121 for discharging pure water 99, but as shown in FIG. 3, so that the upper surface of the wafer W becomes wet within a shorter time. The pure water 99 is discharged to spread radially from the discharge port 121.

즉, 액체 토출 유닛(120)은 도8에 도시된 바와 같이 공급관(122)으로부터 공급되는 순수의 통로(120x)가 내부에 형성되고, 통로(120x)와 연통되면서 서로 다른 방향으로 연통 형성된 다수의 토출구(121)가 구비된다. 이 때, 최외측 토출구(121) 사이의 분사 범위는 150도를 초과하지 않는 것이 웨이퍼(W)의 바깥으로 순수가 튀어 나가는 것을 방지할 수 있다는 점에서 바람직하다.That is, in the liquid discharge unit 120, as shown in FIG. 8, a passage 120x of pure water supplied from the supply pipe 122 is formed therein, and while communicating with the passage 120x, a plurality of communication passages are formed in different directions. The discharge port 121 is provided. At this time, the spraying range between the outermost discharge ports 121 is preferable in that it does not exceed 150 degrees to prevent splashing of pure water out of the wafer W.

그리고, 도3 및 도4에 도시되어 있지 않지만, 도7에 도시된 바와 같이 액체 토출 유닛(120)은 홀더(110)의 일측에 위치 고정될 수 있다. 이를 통해, 액체 토출 유닛(120)을 웨이퍼(W)의 가장자리 바깥에 위치 고정시키는 것이 용이해진다. In addition, although not shown in FIGS. 3 and 4, as illustrated in FIG. 7, the liquid discharge unit 120 may be positioned at one side of the holder 110. Through this, it is easy to position the liquid discharge unit 120 outside the edge of the wafer W.

이와 동시에, 액체 토출 유닛(120)에 의하여 토출되는 순수(99)의 토출 방향은 수평면(77)과 일치하거나 수평면(77)과 10도 이하의 경사각(α)을 갖는 실질적으로 수평 방향으로 토출되도록 하는 것이 바람직하다. 그리고, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)의 토출 방향이 수평면(77)과 일치하는 방향으로 분사되더라도, 순수(99)의 토출압이 낮으므로 낙하하는 지점(55)이 웨이퍼(W)의 상면을 벗어나지도 않고 토출압에 의해 웨이퍼(W)에 토출된 순수가 바깥으로도 튀지 않게 된다. At the same time, the discharge direction of the pure water 99 discharged by the liquid discharge unit 120 is coincident with the horizontal surface 77 or discharged in a substantially horizontal direction with the horizontal surface 77 and an inclination angle α of 10 degrees or less. It is desirable to do. Further, even if the discharge direction of the pure water 99 discharged from the liquid discharge unit 120 is sprayed in a direction coinciding with the horizontal surface 77, the discharge pressure of the pure water 99 is low, so the dropping point 55 is the wafer ( The pure water discharged to the wafer W by the discharge pressure does not splash outside without leaving the upper surface of W).

이를 통해, 액체 토출 유닛(120)으로부터 토출되는 순수(99)의 토출압이 낮게 조절되더라도, 웨이퍼(W)의 판면에 낙하된 순수가 토출압에 의해 퍼지는 것이 아니라, 그 이후에 토출되어 웨이퍼의 판면에 낙하되는 순수에 의해 밀려 웨이퍼(W)의 판면 전체에 걸쳐 퍼지게 되어 웨이퍼(W)의 판면 전체가 젖음 상태가 된다. Through this, even if the discharge pressure of the pure water 99 discharged from the liquid discharge unit 120 is adjusted low, the pure water dropped on the plate surface of the wafer W is not spread by the discharge pressure, but is discharged thereafter and discharged from the wafer. It is pushed by the pure water falling on the plate surface and spreads over the entire plate surface of the wafer W, so that the entire plate surface of the wafer W becomes wet.

즉, 도9a에 도시된 상태로 배치된 액체 토출 유닛(120)으로부터 도9b에 도시된 바와 같이 순수가 토출되기 시작하면, 웨이퍼(W)의 판면에 토출된 모든 순수가 쌓이게 되고 순수의 토출압에 의해 웨이퍼(W)의 바깥으로 튀어나가지 않는다. 그리고, 추가적으로 웨이퍼(W)의 판면에 순수가 보다 더 토출되어 쌓이면, 도9c에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 판면에 순수가 덮는 면적이 점점 늘어나게 되어, 도9d에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 판면 전체에 순수가 덮이게 된다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에 도포된 순수는 표면 장력에 의하여 웨이퍼(W)의 표면 일부가 덮인 상태에서 웨이퍼(W)의 바깥으로 낙하하지 않고, 웨이퍼(W)의 표면 전체가 순수에 의해 덮인 이후에, 액체 토출 유닛(120)으로부터 추가적으로 토출되는 순수(99)에 의해 밀려 웨이퍼(W)의 바깥으로 흘러넘치는 형태로 낙하하게 된다(도9e). 그리고, 웨이퍼의 바깥으로 낙하되는 순수는 회수 용기에 의해 수거되어 배출된다. That is, when pure water starts to be discharged from the liquid discharge unit 120 disposed in the state shown in FIG. 9A as shown in FIG. 9B, all pure water discharged on the plate surface of the wafer W is accumulated and the discharge pressure of pure water By this, it does not stick out of the wafer W. In addition, when more pure water is discharged and accumulated on the plate surface of the wafer W, the area covered with pure water on the plate surface of the wafer W gradually increases, as shown in FIG. 9C, and the wafer ( Pure water is covered on the entire surface of W). At this time, the pure water applied on the wafer W does not fall out of the wafer W in a state in which a portion of the surface of the wafer W is covered by the surface tension, and the entire surface of the wafer W is made of pure water. After being covered, it is pushed by the pure water 99 which is additionally discharged from the liquid discharge unit 120 and falls in a form overflowing to the outside of the wafer W (Fig. 9E). Then, the pure water falling out of the wafer is collected by the recovery container and discharged.

따라서, 웨이퍼(W)의 전체 표면이 낮은 압력으로 토출되어 판면에 공급되는 순수(99)에 의하여 모두 덮인 상태로 웨팅 상태가 유지되며, 주변으로 순수가 튀어 배출되지도 않아 웨이퍼(W)가 홀더(110)에 안착되었는지 등을 감지하는 센서가 수분에 의해 손상되는 것을 근본적으로 방지할 수 있고, 웨이퍼(W)가 딥핑된 상태도 아니므로 핸들러가 웨이퍼(W)의 가장자리를 언제든지 파지할 수 있는 상태로 유지된다.
Therefore, the entire surface of the wafer W is discharged at a low pressure, and the wetting state is maintained in a state covered with all the pure water 99 supplied to the plate surface. The sensor that detects whether or not it is seated 110 may fundamentally prevent damage by moisture, and since the wafer W is not deep-dipped, the handler can grip the edge of the wafer W at any time. Remains intact.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 따른 화학 기계식 연마 시스템에 개시된 로딩 유닛이나 언로딩 유닛에 적용될 경우에 그 장점이 극대화된다. 즉, 웨이퍼 캐리어가 이동하면서 다수의 연마 정반에서 다단계로 화학 기계적 연마 공정을 수행하기 위해서는, 웨이퍼 캐리어에 웨이퍼를 로딩하기 위한 로딩 유닛과 화학 기계적 연마 공정이 종료된 웨이퍼를 언로딩하기 위한 언로딩 유닛에서 웨이퍼를 대기시키면서 파지할 수 있는 준비가 되어야 하는데, 상기와 같이 구성된 웨이퍼 웨팅 장치(100)는 웨이퍼(W)를 순수 등의 액체에 잠기게 하는 딥핑 방식을 채택하지 않으면서도, 핸들러 등이 웨이퍼(W)를 즉시 파지할 수 있도록 하면서도, 웨이퍼의 바깥으로 순수가 튀어 주변에 배치된 센서 등 수분에 취약한 부품의 손상이나 고장을 방지할 수 있으므로, 다단계로 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템의 로딩 유닛이나 언로딩 유닛에 적합하다.
The wafer wetting device 100 according to an embodiment of the present invention configured as described above has advantages when applied to a loading unit or an unloading unit disclosed in a chemical mechanical polishing system according to Korean Patent Registration No. 10-1188579 Is maximized. That is, in order to perform a chemical mechanical polishing process in multiple stages on a plurality of polishing plates while the wafer carrier is moving, a loading unit for loading the wafer into the wafer carrier and an unloading unit for unloading the wafer after the chemical mechanical polishing process has ended. The wafer wetting device 100 configured as described above does not adopt a dipping method for immersing the wafer W in a liquid such as pure water, while the wafer is held in the wafer. Chemical mechanical polishing is performed in a multi-step chemical mechanical polishing process, as it can prevent (W) from being gripped immediately and prevent damage or failure of parts vulnerable to moisture such as sensors placed around the wafer by splashing pure water outside the wafer. Suitable for loading or unloading units of the system.

즉, 상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 웨이퍼의 가장자리 바깥에서 웨이퍼(W)의 상면으로 액체를 낮은 수압으로 토출하여, 토출된 순수(99)가 웨이퍼(W)의 표면에 머물러 웨이퍼(W)의 표면을 순차적으로 채워 덮는 것에 의해 웨이퍼(W)의 젖음 상태를 유지함으로써, 웨이퍼(W)가 액체 내에 딥핑되지 않으면서, 동시에 핸들러 등이 즉시 웨이퍼를 파지할 수 있는 대기 상태를 유지하면서도, 또한 주변으로 순수가 튀어나가지 않도록 순수를 단속하면서 젖음 상태를 유지하므로 주변이 더러워지거나 주변 부품의 고장을 방지할 수 있는 잇점이 얻어진다. That is, the wafer wetting device 100 according to the present invention configured as described above discharges liquid at a low water pressure from the edge of the wafer to the top surface of the wafer W, so that the discharged pure water 99 of the wafer W By maintaining the wet state of the wafer W by staying on the surface and sequentially filling and covering the surface of the wafer W, while the wafer W is not dipping in the liquid, at the same time, a handler or the like can immediately grip the wafer While maintaining the standby state, and maintaining the wet state while controlling the pure water so that the pure water does not splash out to the surroundings, an advantage of preventing the surroundings from becoming dirty or the failure of peripheral parts is obtained.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
The present invention has been exemplarily described through preferred embodiments, but the present invention is not limited to such specific embodiments, and various forms within the scope of the technical idea suggested in the present invention, specifically, the scope of the claims. Can be modified, changed, or improved.

W: 웨이퍼 110: 홀더
110s: 지지면 120: 액체 토출 유닛
121: 토출구 99: 순수
W: Wafer 110: Holder
110s: support surface 120: liquid discharge unit
121: discharge port 99: pure water

Claims (9)

웨이퍼를 지지하는 홀더와;
상기 웨이퍼의 가장자리 위치에서 상기 웨이퍼의 상면으로 수평면과 10도 이하의 경사각으로 순수를 토출하여 공급하되, 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 않고 상기 웨이퍼의 표면에 낙하하여 도달하고 상기 웨이퍼 표면에 머무를 정도의 수압으로 순수를 토출하는 액체 토출 유닛을;
포함하여 구성되어, 상기 액체 토출 유닛에 의해 토출된 순수가 상기 웨이퍼의 바깥으로 튀어나가지 아니하고 상기 웨이퍼의 표면에 머무르고, 그 이후에 토출되어 상기 웨이퍼의 표면에 낙하되는 순수에 의해 밀리면서 상기 웨이퍼 표면에 순수가 덮는 면적이 점점 늘어나는 형태로, 상기 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 토출된 순수가 밀려 퍼져 상기 웨이퍼의 표면을 순차적으로 채워 덮어 상기 웨이퍼의 젖음 상태를 유지하며, 상기 웨이퍼의 표면 전체가 순수에 의해 덮인 이후에 추가적으로 토출되어 상기 웨이퍼의 표면에 공급되는 순수에 의해 밀려 상기 웨이퍼의 바깥으로 흘러넘치는 형태로 낙하하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치
A holder supporting the wafer;
Dispensing and supplying pure water at a horizontal surface and an inclination angle of 10 degrees or less from the edge position of the wafer to the top surface of the wafer, but falling to the surface of the wafer without sticking out of the wafer and reaching the surface of the wafer A liquid discharge unit for discharging pure water under water pressure;
Containing, the pure water discharged by the liquid discharge unit does not stick out of the wafer, stays on the surface of the wafer, and is pushed by pure water that is discharged thereafter and falls on the surface of the wafer, so that the wafer surface In a form in which the area covered by pure water gradually increases, the pure water discharged over the entire surface of the wafer is spread and fills the surface of the wafer in order to maintain the wet state of the wafer, and the entire surface of the wafer is pure water. A wafer wetting device characterized in that it is further discharged after being covered by and is pushed by pure water supplied to the surface of the wafer to drop in the form overflowing out of the wafer.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 순수를 수평 방향으로 토출하여 상기 웨이퍼의 판면에 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
According to claim 1,
The liquid discharge unit discharges pure water in a horizontal direction and supplies it to the plate surface of the wafer.
제 1항에 있어서,
상기 홀더는 상기 웨이퍼를 거치하여 상기 웨이퍼의 가장자리가 모두 드러나도록 위치시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
According to claim 1,
The holder is placed on the wafer so that the edge of the wafer is all exposed, characterized in that the wetting device of the wafer.
제 4항에 있어서,
상기 홀더는 상기 웨이퍼를 거치하여 상기 웨이퍼의 가장자리가 모두 드러나도록 위치시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
The method of claim 4,
The holder is placed on the wafer so that the edge of the wafer is all exposed, characterized in that the wetting device of the wafer.
제 1항에 있어서,
상기 액체는 순수(deionized water)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
According to claim 1,
The liquid is deionized water, characterized in that the wafer wetting device.
제 1항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 여러 방향으로 순수가 토출시키는 다수의 토출구가 구비된 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
According to claim 1,
The liquid discharging unit is equipped with a plurality of discharge ports for discharging pure water in various directions.
제 1항 또는 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체 토출 유닛은 상기 웨이퍼의 상면으로부터 30mm 이내의 높이에 토출구가 위치한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
The method of claim 1 or any one of claims 3 to 7,
The liquid discharge unit is a wafer wetting device, characterized in that the discharge port is located at a height within 30 mm from the top surface of the wafer.
제 1항 또는 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 웨이퍼의 웨팅 장치는 다수의 연마 정반에서 화학 기계적 연마 공정이 행해지는 화학 기계적 연마 시스템에 웨이퍼를 탑재하는 로딩 유닛과 웨이퍼를 세정 공정으로 이송시키는 언로딩 유닛 중 어느 하나 이상에서 사용되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 웨팅 장치.
The method of claim 1 or any one of claims 3 to 7,
The wafer wetting device is characterized in that it is used in any one or more of a loading unit for mounting a wafer in a chemical mechanical polishing system in which a chemical mechanical polishing process is performed on a plurality of polishing plates and an unloading unit for transferring the wafer to a cleaning process. Wafer wetting device.
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